CN115831764A - 一种基板中过孔的制作方法、基板及芯片 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 365
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 253
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 94
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 94
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 59
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 21
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 20
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 17
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 10
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 titanium nitride compound Chemical class 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSSLEOGOUUKTNN-UHFFFAOYSA-N tantalum titanium Chemical compound [Ti].[Ta] VSSLEOGOUUKTNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
本申请实施例公开了一种基板中过孔的制作方法、基板及芯片，涉及集成电路技术领域，为便于减少传输信号的衰减而发明。所述方法包括：在中介层中，朝向金属层的方向进行刻蚀，得到第一刻蚀孔；在所述第一刻蚀孔的侧壁沉积刻蚀保护层；沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀，得到第二刻蚀孔。本申请适用于在基板中制作过孔。
Description
技术领域
本申请涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种基板中过孔的制作方法、基板及芯片。
背景技术
在制作基板过程中，需要在基板中形成过孔，然后在过孔中形成金属连接线，以连通不同金属层。现有技术中，在形成过孔时，通常是通过一次性刻蚀得到过孔。由于一次性刻蚀，导致过孔的形貌一端较另一端大很多，而过程中金属连接线的形状与过孔的形状一致，也是一端较另一端大很多，当利用该金属连接线传递信号时，信号衰减较多，影响传输信号的质量。
发明内容
有鉴于此，本申请实施例提供一种基板中过孔的制作方法、基板及芯片，便于减少传输信号的衰减，提高传输信号的质量。
第一方面，本申请实施例提供一种基板中过孔的制作方法，包括：在中介层中，朝向金属层的方向进行刻蚀，得到第一刻蚀孔；在所述第一刻蚀孔的侧壁沉积刻蚀保护层；沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀，得到第二刻蚀孔。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述在中介层中，朝向金属层的方向进行刻蚀，得到第一刻蚀孔，包括：自刻蚀阻挡层，朝向金属层的方向进行刻蚀，得到第一刻蚀孔。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述在中介层中，朝向金属层的方向进行刻蚀，得到第一刻蚀孔，包括：自位于顶层的第一刻蚀阻挡层，朝向金属层的方向刻蚀至第二刻蚀阻挡层，得到第一刻蚀孔。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，在所述第一刻蚀孔的侧壁沉积刻蚀保护层，包括：在所述第一刻蚀孔的侧壁沉积预定厚度的刻蚀保护层；其中，所述预定厚度，根据所述中介层的材料、所述过孔的总深度及所述第一刻蚀孔的深度预先确定。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀，得到第二刻蚀孔，包括：
基于设定的刻蚀选择比，沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀至所述金属层，得到第二刻蚀孔，以使刻蚀至所述金属层得到所述第二刻蚀孔时，所述刻蚀保护层耗尽。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀，得到第二刻蚀孔，包括：沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀至所述金属层，得到第二刻蚀孔。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，在沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀至所述金属层，得到第二刻蚀孔之后，所述方法还包括：检测所述第一刻蚀孔的侧壁，是否残留有刻蚀保护层；如所述第一刻蚀孔的侧壁有刻蚀保护层残留，则去除残留的刻蚀保护层。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，在得到第二刻蚀孔之后，所述方法还包括：在所述第一刻蚀孔和所述第二刻蚀孔中形成金属连接线。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述在所述第一刻蚀孔和所述第二刻蚀孔中形成金属连接线，包括：在所述第一刻蚀孔的侧壁和所述第二刻蚀孔的侧壁沉积阻挡层；在所述第一刻蚀孔和所述第二刻蚀孔中电镀铜。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，在所述第一刻蚀孔的侧壁和所述第二刻蚀孔的侧壁沉积阻挡层之后，在所述第一刻蚀孔和所述第二刻蚀孔中电镀铜之前，所述方法还包括：在所述第一刻蚀孔的阻挡层和所述第二刻蚀孔的阻挡层上沉积种子层；
其中，所述在所述第一刻蚀孔和所述第二刻蚀孔中电镀铜，包括：在所述第一刻蚀孔的种子层和所述第二刻蚀孔的种子层上电镀铜。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述刻蚀保护层与所述刻蚀阻挡层的材料相同。
根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述刻蚀保护层和所述刻蚀阻挡层的材料为氮化硅。
第二方面，本申请实施例提供一种基板，所述基板上设有多个过孔，其中至少一个过孔通过上述任一实现方式所述的过孔的制作方法制作而成。
第三方面，本申请实施例提供一种芯片，包括封装壳体，在所述封装壳体内设有基板，其中，所述基板为上述任一实现方式所述的芯片用基板。
本实施例基板中过孔的制作方法、基板及芯片，通过在中介层中，朝向金属层的方向进行刻蚀，得到第一刻蚀孔，在所述第一刻蚀孔的侧壁沉积刻蚀保护层，沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀，得到第二刻蚀孔，这样，在得到第二刻蚀孔的过程中，由于第一刻蚀孔受到刻蚀保护层的保护，其横向尺寸不会过于变大，使得由第一刻蚀孔和第二刻蚀孔构成的过孔，两端尺寸比较接近，这样，便于在第一刻蚀孔和第二刻蚀孔中形成的金属连接线的两端的尺寸也比较接近，在利用该过孔传输信号时，便于减少传输信号的衰减，提高传输信号的质量。此外，本实施例中，仅在制作第一刻蚀孔时使用一次曝光显影刻蚀工艺，使用一个光罩即可，有利于节省工艺成本。在第二次刻蚀时，可以使用第一刻蚀孔进行自对准。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本申请一实施例提供的基板中过孔的制作方法流程示意图；
图2-图6为本申请另一实施例提供的基板中过孔的制作方法工艺过程。
具体实施方式
下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。应当明确，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
为使本领域技术人员更好地理解本申请实施例的技术构思、实施方案和有益效果，下面通过具体实施例进行详细说明。
本申请一实施例提供的一种基板的制作方法，在利用该基板在传输信号后，便于减少传输信号的衰减，提高传输信号的质量。
图1为本申请一实施例提供的基板的制作方法的流程示意图，如图1所示，本实施例中的基板制作方法，包括：
S11、在中介层中，朝向金属层的方向进行刻蚀，得到第一刻蚀孔；
可在所述中介层上涂覆光刻胶，通过曝光显影刻蚀工艺，在所述中介层中，朝向所述金属层的方向进行刻蚀，得到第一刻蚀孔。
中介层可包括介质层和形成于介质层上方的刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层的材料与介质层的材料不同。介质层的材料可为二氧化硅或其它低介电常数材料；与介质层有明显刻蚀选择比的材料都可作为刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层的材料可为氮化硅或氮化钛等。
刻蚀阻挡层也可称为图像传递层，在刻蚀阻挡层上可较方便地进行显影，为刻蚀提供基础条件。
S12、在所述第一刻蚀孔的侧壁沉积刻蚀保护层。
在得到第一刻蚀孔后，沿着第一刻蚀孔的底部继续刻蚀时，也会刻蚀第一刻蚀孔的侧壁，为此，在所述第一刻蚀孔的侧壁沉积刻蚀保护层，以在沿着第一刻蚀孔的底部继续刻蚀时，通过刻蚀保护层可对第一刻蚀孔的侧壁起到保护作用。
S13、沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀，得到第二刻蚀孔。
本实施例中，第一刻蚀孔和第二刻蚀孔的截面形状可为任意形状，在一些例子中，截面的形状可为圆形，在另一些例子中，截面的形状可为长方形或正方形等。
本实施例，通过在中介层中，朝向金属层的方向进行刻蚀，得到第一刻蚀孔，在所述第一刻蚀孔的侧壁沉积刻蚀保护层，沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀，得到第二刻蚀孔，这样，在得到第二刻蚀孔的过程中，由于第一刻蚀孔受到刻蚀保护层的保护，其横向尺寸不会过于变大，使得由第一刻蚀孔和第二刻蚀孔构成的过孔，两端尺寸比较接近，这样，便于在第一刻蚀孔和第二刻蚀孔中形成的金属连接线的两端的尺寸也比较接近，在利用该过孔传输信号时，便于减少传输信号的衰减，提高传输信号的质量。此外，本实施例中，仅在制作第一刻蚀孔时使用一次曝光显影刻蚀工艺，使用一个光罩即可，有利于节省工艺成本。在第二次刻蚀时，可以使用第一刻蚀孔进行自对准。
在一些实施例中，所述中介层可包括形成在金属层上的介质层，和形成在介质层上的刻蚀阻挡层。介质层的材料可为二氧化硅。刻蚀阻挡层的材料可为氮化硅。
在一些实施例中，所述在中介层中，朝向金属层的方向进行刻蚀，得到第一刻蚀孔(步骤S11)，包括：自刻蚀阻挡层，朝向金属层的方向进行刻蚀，得到第一刻蚀孔。
本实施例中，在所述介质层上形成刻蚀阻挡层，有利于在通过曝光显影刻蚀工艺刻蚀第一刻蚀孔时，对非刻蚀区域的介质层起到保护作用。
在一些实施例中，所述中介层包括在金属层上方交替形成的介质层和刻蚀阻挡层。具体地，在已形成的金属层上表面沉积一层介质层、在该介质层上表面沉积一层刻蚀阻挡层，还可继续在该刻蚀阻挡层上表面沉积一层介质层，在该介质层上表面再沉积一层刻蚀阻挡层，依此类推。在已形成的金属层上方，交替形成介质层和刻蚀阻挡层的层数可根据实际需要确定。
在这些实施例中，在已形成的金属层上方，可形成多层介质层和刻蚀阻挡层，介质层和刻蚀阻挡层交替形成，其中一介质层形成在所述金属层上。
不同刻蚀阻挡层的高度可相同，也可不同；不同刻蚀阻挡层的材料可相同，也可不同。不同介质层的高度可相同，也可不同；不同介质层的材料可相同，也可不同。
介质层的材料可为二氧化硅，刻蚀阻挡层的材料可为氮化硅。
刻蚀保护层与刻蚀阻挡层的材料可以不同，为了减少使用材料的种类，在一些例子中，刻蚀保护层可使用与刻蚀阻挡层相同的材料。
在一些实施例中，所述在中介层中，朝向金属层的方向进行刻蚀，得到第一刻蚀孔(步骤S11)，包括：自位于顶层的第一刻蚀阻挡层，朝向金属层的方向刻蚀至第二刻蚀阻挡层，得到第一刻蚀孔。
本实施例中，在中介层的顶层形成有刻蚀阻挡层，有利于在通过曝光显影刻蚀工艺刻蚀第一刻蚀孔时，对非刻蚀区域的介质层起到保护作用。
本实施例中，在已形成的金属层上形成中介层时，介质层和刻蚀阻挡层交替形成，其中的刻蚀阻挡层除了起到绝缘作用外，还可起到支撑作用，有利于保持介质层的稳定性，减少或防止介质层的收缩。
在一些实施例中，在所述第一刻蚀孔的侧壁沉积刻蚀保护层(步骤S12)，包括：在所述第一刻蚀孔的侧壁沉积预定厚度的刻蚀保护层。其中，所述预定厚度，根据所述中介层的材料、所述过孔的总深度及所述第一刻蚀孔的深度预先确定。
在一些实施例中，所述中介层包括在金属层上表面形成有介质层，在介质层上表面形成有刻蚀阻挡层。可根据介质层的材料、刻蚀阻挡层的材料、过孔的总深度以及第一刻蚀孔的深度，确定刻蚀保护层的厚度。
在一些例子中，刻蚀保护层的厚度THK可以根据如下公式确定：
THK＝(H-H1)/(SR1*SR2)；
其中，H为过孔总深度，H1为第一刻蚀孔的深度，SR1为刻蚀对介质层和刻蚀阻挡层的刻蚀选择比，SR2为刻蚀对刻蚀阻挡层垂直向下的刻蚀速率和横向的刻蚀速率的选择比。
在一些例子中，介质层为二氧化硅，刻蚀阻挡层为氮化硅，那么，
SR1＝ESiO2/ESIN；
其中，ESiO2为二氧化硅的刻蚀速率，ESIN为氮化硅的刻蚀速率；
SR2＝EHor/EVer；
其中，EHor为氮化硅的横向刻蚀速率，EVer为氮化硅的垂直向下刻蚀速率。
在一些实施例中，介质层为二氧化硅，刻蚀阻挡层为氮化硅。在第一刻蚀孔的侧壁沉积根据该公式确定出的一定厚度的刻蚀保护层之后，将上述公式中的参数作为刻蚀工艺的部分参数，则在完成第二刻蚀孔的刻蚀后，第一刻蚀孔侧壁的氮化硅消耗完毕。
刻蚀保护层是为了在进行之后步骤的第二刻蚀孔的刻蚀时，对第一刻蚀孔形成保护，在刻蚀第二刻蚀孔的过程中，对第一刻蚀孔侧壁的刻蚀阻挡层产生消耗，而在过孔(第一刻蚀孔+第二刻蚀孔)加工完成之后，如果还存在刻蚀保护层，那么需要将刻蚀保护层去除，因此，为了减少制作过孔的工序，在刻蚀完第二刻蚀孔后，正好将第一刻蚀孔的上的刻蚀保护层消耗完并且不对第一刻蚀孔的尺寸产生影响，在一些实施例中，所述沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀，得到第二刻蚀孔(步骤S13)，包括：
基于设定的刻蚀选择比，沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀至所述金属层，得到第二刻蚀孔，以使刻蚀至所述金属层得到所述第二刻蚀孔时，所述刻蚀保护层耗尽。
刻蚀选择比指的是在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相对刻蚀速率快慢。它定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。本实施例中，在沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀的过程中，会对第一刻蚀孔侧壁的刻蚀保护层，和第一刻蚀孔底部下方的介质层同时刻蚀，在刻蚀工艺中，通过选择合适的刻蚀选择比，可以在沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀至所述金属层，得到第二刻蚀孔时，所述刻蚀保护层耗尽，可节省去除残留的刻蚀保护层的步骤。
在一些实施例中，所述沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀，得到第二刻蚀孔(步骤S13)，包括：沿着所述第一刻蚀孔，自所述第二刻蚀阻挡层，朝向所述金属层的方向继续刻蚀，得到第二刻蚀孔。
本实施例中，在第一刻蚀孔形成之后，且在第一刻蚀孔的侧壁沉积刻蚀保护层之后，可直接沿着所述第一刻蚀孔，自所述第二刻蚀阻挡层，朝向所述金属层的方向继续刻蚀，得到第二刻蚀孔。应当理解的是，在第一刻蚀孔形成之后，在第一刻蚀孔的侧壁沉积刻蚀保护层时，若在第一刻蚀孔的底部也沉积有刻蚀保护层时，则是先将第一刻蚀孔的底部沉积的刻蚀保护层刻蚀完毕后，再刻蚀所述第二刻蚀阻挡层，直至得到所述第二刻蚀孔。
在一些实施例中，所述沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀，得到第二刻蚀孔(步骤S13)，可包括：沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀至所述金属层，得到第二刻蚀孔。本实施例中，通过两次刻蚀即可得到所述过孔，第一次刻蚀得到第一刻蚀孔，第二次刻蚀得到第二刻蚀孔，第一刻蚀孔和第二刻蚀孔共同形成所述过孔。
在一些实施例中，在沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀至所述金属层，得到第二刻蚀孔之后，所述方法还包括：检测所述第一刻蚀孔的侧壁，是否残留有刻蚀保护层；如所述第一刻蚀孔的侧壁有刻蚀保护层残留，则去除残留的刻蚀保护层。
上述各实施例中，把要形成的过孔分为两个过孔(第一刻蚀孔和第二刻蚀孔)先后形成，本申请实施例不限于此，也可把要形成的过孔分为三个、四个或更多个过孔分多次加工形成。在下次加工前将之前加工的位置沉积刻蚀保护层，以对已加工的位置的形貌进行保护。
为了能够传输信号、保证信号传输质量，在一些实施例中，在沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀至所述金属层，得到第二刻蚀孔之后，所述方法还可以包括：
S14、在所述第一刻蚀孔和所述第二刻蚀孔中形成金属连接线。
在一些实施例中，在所述第一刻蚀孔和所述第二刻蚀孔中形成金属连接线，可包括(步骤S14)：
S140、在第一刻蚀孔的侧壁和第二刻蚀孔的侧壁沉积阻挡层。
本实施例的阻挡层能够防止第一刻蚀孔和第二刻蚀孔中的铜向介质层扩散。阻挡层的材料可为钛、钽、钛氮化合物、钽氮化合物或者钛钽氮化合物。
S142、在第一刻蚀孔和第二刻蚀孔中电镀铜，以在第一刻蚀孔和第二刻蚀孔中形成金属连线。
电镀铜之后，金属连接线的形貌和过孔(第一刻蚀孔+第二刻蚀孔)的形貌相同，由于过孔的一端的尺寸与另一端的尺寸相差不大，所以金属连接线一端的尺寸与另一端的尺寸也相差不大，这样，在传输信号时，信号的衰减较少，能够提高传输信号的质量。
为了能够传输信号，在另一些例子中，在第一刻蚀孔的侧壁和所述第二刻蚀孔的侧壁沉积阻挡层之后，在第一刻蚀孔和第二刻蚀孔中电镀铜之前，在所述第一刻蚀孔和所述第二刻蚀孔中形成金属连接线的步骤还可包括：
S141、在第一刻蚀孔的阻挡层和第二刻蚀孔的阻挡层上沉积种子层。
其中，所述第一刻蚀孔和第二刻蚀孔中电镀铜，具体可包括：在第一刻蚀孔的种子层和第二刻蚀孔的种子层上电镀铜。种子层的材料可为铜。
下面以一具体实施例，对本申请的方案进行详细说明。
参见图2-图6，本实施例的基板中过孔的制作方法，可以包括：
S21、在中介层2的上表面涂覆光刻胶25并进行曝光显影，结果如图2所示。
参看图2，中介层2包括在金属层20上依次沉积的第一介质层21、第一刻蚀阻挡层22、第二介质层23、第二刻蚀阻挡层24。其中，第一介质层和第二介质层的材料为二氧化硅(SiO2)，第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层的材料为氮化硅(SIN)。
本实施例不限于此，在其他实施例中，也可已沉积好的金属层上仅沉积一层介质层，在介质层上仅沉积一层刻蚀阻挡层。本实施例中，在衬底或其它层上沉积金属层的过程为现有技术，在此不再赘述。
S22、进行第一次刻蚀，得到第一刻蚀孔，结果如图3所示。
图3中箭头指向表示刻蚀方向。由于刻蚀对SIN:SiO2的刻蚀选择比可以做到大于1：7，第一次刻蚀可停止在下一层SIN上，得到第一刻蚀孔。
S23、在第一刻蚀孔的侧壁沉积刻蚀保护层26，结果如图4所示
刻蚀保护层26的材料为SIN。为简化工艺，在第一刻蚀孔的侧壁沉积SIN的同时，在第一刻蚀孔的底部也沉积SIN。
S24、进行第二次刻蚀，得到第二刻蚀孔，如图5a及图5b所示；
图5a及图5b中的箭头指向表示刻蚀方向。图5a为第二次刻蚀过程中(尚未刻蚀到金属层)的截面示意图；图5b为第二次刻蚀完成后，即刻蚀到金属层时形成的最终过孔形貌。最终过孔形貌由第一次刻蚀得到的第一刻蚀孔和第二次刻蚀得到的第二刻蚀孔共同形成。
由于第一刻蚀孔侧壁有SIN保护，所以在第二次刻蚀时，第一刻蚀孔的尺寸和形貌变化不大，所以最终形成的过孔的形貌可以保持开口不致过大，同时更加竖直，该工艺中第一刻蚀孔侧壁的SIN需要消耗完或在过孔形成后把第一刻蚀孔侧壁残留的SIN清除掉。
S25、在最终形成的过孔中电镀金属铜27以形成金属连接线，结果如图6所示。
电镀铜之后形成的金属连接线的形貌，和过孔(第一刻蚀孔+第二刻蚀孔)的形貌相同，由于过孔的一端的尺寸与另一端的尺寸相差不大，所以金属连接线一端的尺寸与另一端的尺寸也相差不大，这样，在传输信号时，信号的衰减较少，能够提高传输信号的质量。
在最终形成的过孔中电镀金属铜27的步骤可包括：在第一刻蚀孔的侧壁和第二刻蚀孔的侧壁沉积阻挡层；在第一刻蚀孔的阻挡层和第二刻蚀孔的阻挡层上沉积种子层；在第一刻蚀孔的种子层和第二刻蚀孔的种子层上电镀铜。阻挡层的材料可为钛、钽、钛氮化合物、钽氮化合物或者钛钽氮化合物；种子层的材料可为铜。
本实施例采用一张光罩，并在第二次刻蚀时，可以使用第一刻蚀孔进行自对准，此外，由于本实施例使用一张光罩，降低了制作过孔的成本，整个工艺路线简单。
在制作过孔时，可以根据本申请的技术构思，分多次加工，在下次加工前将之前加工的位置沉积刻蚀保护层，以对已加工的位置的形貌进行保护。
可以理解的是，上述实施例中制作过孔的方法可以制作任一深度的过孔，可以根据基板的设计，确定所需的过孔深度，在一些例子中，过孔的深度可为6um，在分两次刻蚀的情况下，每次刻蚀深度可均为3um，也可第一次刻蚀2um，第二次刻蚀4um。
本申请一实施例提供一种基板，可以包括多个过孔；至少一个过孔通过上述任一实施例的基板中过孔的制作方法制作而成。
本实施例的基板既可以是电子封装中的树脂基板，也可是实现不同晶粒之间互联的转接基板。
本申请一实施例提供一种芯片，包括封装壳体，在封装壳体内设有基板，其中，基板为上述任一实施例所述的芯片用基板。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (14)
1.一种基板中过孔的制作方法，其特征在于，包括：
在中介层中，朝向金属层的方向进行刻蚀，得到第一刻蚀孔；
在所述第一刻蚀孔的侧壁沉积刻蚀保护层；
沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀，得到第二刻蚀孔。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在中介层中，朝向金属层的方向进行刻蚀，得到第一刻蚀孔，包括：
自刻蚀阻挡层，朝向金属层的方向进行刻蚀，得到第一刻蚀孔。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在中介层中，朝向金属层的方向进行刻蚀，得到第一刻蚀孔，包括：
自位于顶层的第一刻蚀阻挡层，朝向金属层的方向刻蚀至第二刻蚀阻挡层，得到第一刻蚀孔。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一刻蚀孔的侧壁沉积刻蚀保护层，包括：
在所述第一刻蚀孔的侧壁沉积预定厚度的刻蚀保护层；
其中，所述预定厚度，根据所述中介层的材料、所述过孔的总深度及所述第一刻蚀孔的深度预先确定。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀，得到第二刻蚀孔，包括：
基于设定的刻蚀选择比，沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀至所述金属层，得到第二刻蚀孔，以使刻蚀至所述金属层得到所述第二刻蚀孔时，所述刻蚀保护层耗尽。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀，得到第二刻蚀孔，包括：
沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀至所述金属层，得到第二刻蚀孔。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在沿着所述第一刻蚀孔，朝向所述金属层的方向继续刻蚀至所述金属层，得到第二刻蚀孔之后，所述方法还包括：
检测所述第一刻蚀孔的侧壁，是否残留有刻蚀保护层；
如所述第一刻蚀孔的侧壁有刻蚀保护层残留，则去除残留的刻蚀保护层。
8.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，在得到第二刻蚀孔之后，所述方法还包括：
在所述第一刻蚀孔和所述第二刻蚀孔中形成金属连接线。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述第一刻蚀孔和所述第二刻蚀孔中形成金属连接线，包括：
在所述第一刻蚀孔的侧壁和所述第二刻蚀孔的侧壁沉积阻挡层；
在所述第一刻蚀孔和所述第二刻蚀孔中电镀铜。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述第一刻蚀孔的侧壁和所述第二刻蚀孔的侧壁沉积阻挡层之后，在所述第一刻蚀孔和所述第二刻蚀孔中电镀铜之前，所述方法还包括：
在所述第一刻蚀孔的阻挡层和所述第二刻蚀孔的阻挡层上沉积种子层；
其中，所述在所述第一刻蚀孔和所述第二刻蚀孔中电镀铜，包括：
在所述第一刻蚀孔的种子层和所述第二刻蚀孔的种子层上电镀铜。
11.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述刻蚀保护层与所述刻蚀阻挡层的材料相同。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述刻蚀保护层和所述刻蚀阻挡层的材料为氮化硅。
13.一种基板，其特征在于，所述基板上设有多个过孔，其中至少一个过孔通过上述权利要求1-12任一项所述的过孔的制作方法制作而成。
14.一种芯片，其特征在于，包括封装壳体，在所述封装壳体内设有基板，其中，所述基板为上述权利要求13任一项所述的基板。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Country | Link |
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| CN (1) | CN115831764B (zh) |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |