CN215376078U - 掩膜版、光刻设备及显示面板 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及显示面板制造设备技术领域，提供一种掩膜版、光刻设备及显示面板，上述掩膜版包括刻蚀区和衍射区，衍射区设于刻蚀区与保留区之间，并且衍射区环绕刻蚀区设置；采用上述掩膜版对显示面板的阵列基板进行刻蚀，通过环绕刻蚀区设置衍射区，曝光光束照射至掩膜版的衍射区并形成衍射现象，使照射到阵列基板的导电过孔的孔壁的曝光光束的通光量自刻蚀区朝保留区方向逐渐变化，使阵列基板的导电过孔的孔壁被缓慢刻蚀，从而有效减小阵列基板的导电过孔的孔壁坡度，有效避免阵列基板的导电过孔的孔壁和孔底部之间的连接处产生尖角而造成导电膜层断路，有效保证显示面板的显示效果。

Description

掩膜版、光刻设备及显示面板

技术领域

本实用新型涉及显示面板制造设备技术领域，尤其提供一种掩膜版、光刻设备及显示面板。

背景技术

在显示面板制造过程中，通常需要在显示面板的阵列基板上刻蚀形成导电过孔，但是，采用传统的光刻设备所形成导电过孔的坡度一般较大，使得导电过孔的底部与孔壁之间的连接处容易出现尖角，在阵列基板上涂覆导电膜层后，尖角容易将导电膜层刺破，使导电膜层断层而造成导电膜层断路，导致显示面板的显示效果较差。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种掩膜版、光刻设备及显示面板，旨在解决现有的光刻设备在显示面板的阵列基板上刻蚀形成导电过孔的坡度较大而容易导致显示面板的显示效果下降的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型实施例采用的技术方案是：一种掩膜版，包括刻蚀区和衍射区，所述衍射区设于所述刻蚀区与所述保留区之间，并且所述衍射区环绕所述刻蚀区设置。

本实用新型提供的掩膜版至少具有以下有益效果：采用上述掩膜版对显示面板的阵列基板进行刻蚀工序时，曝光光束照射到掩膜版上，显示面板的阵列基板与掩膜版的保留区相对应的部位被保留，而与掩膜版的刻蚀区相对应的部位被刻蚀形成导电过孔，通过环绕刻蚀区设置衍射区，曝光光束照射至掩膜版的衍射区并形成衍射现象，使照射到阵列基板的导电过孔的孔壁的曝光光束的通光量自刻蚀区朝保留区方向逐渐变化，使阵列基板的导电过孔的孔壁被缓慢刻蚀，从而有效减小阵列基板的导电过孔的孔壁坡度，有效避免阵列基板的导电过孔的孔壁和孔底部之间的连接处产生尖角而造成导电膜层断路，有效保证显示面板的显示效果。

在其中一实施例中，所述衍射区包括沿所述刻蚀区的边缘依次间隔设置的多条衍射带，各所述衍射带的宽度朝远离所述刻蚀区的方向逐渐减少。

在其中一实施例中，所述衍射带的最大宽度为1.5μm-2μm。

在其中一实施例中，所述衍射带的长度为70μm-150μm。

在其中一实施例中，所述衍射区包括衍射环，所述刻蚀区设于所述衍射环内且所述刻蚀区的边缘与所述衍射环的边缘相互间隔设置。

在其中一实施例中，所述衍射环的边缘宽度为1μm-2μm。

在其中一实施例中，所述衍射区包括多个所述衍射环，各所述衍射环依次嵌套且相互间隔设置。

在其中一实施例中，各所述衍射环的边缘宽度朝远离所述刻蚀区的方向依次减小。

为实现上述目的，本实用新型还提供一种光刻设备，包括曝光机和上述掩膜版，所述曝光机用于向所述掩膜版照射曝光光束。

由于上述光刻设备采用了上述掩膜版的所有实施例，因而至少具有上述实施例的所有有益效果，在此不再一一赘述。

为实现上述目的，本实用新型还提供一种显示面板，包括阵列基板，所述阵列基板通过上述光刻设备刻蚀形成若干导电过孔。

通过采用上述光刻设备在显示面板的阵列基板上刻蚀若干导电过孔，有效减小上述各导电过孔的孔壁的坡度，有效避免阵列基板的导电过孔的孔壁和孔底部之间的连接处产生尖角而造成导电膜层断路，有效保证显示面板的显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型一实施例提供的掩膜版的结构示意图；

图2为本实用新型另一实施例提供的掩膜版的结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的显示面板的制作流程图。

其中，图中各附图标记：

10、掩膜版，11、刻蚀区，12、保留区，13、衍射区，131、衍射带，132、衍射环，20、显示面板，21、阵列基板，22、底板，23、导电过孔，30、光刻胶层。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

实施例一

请结合图1所示，一种掩膜版10，包括刻蚀区11和衍射区13，衍射区13设于刻蚀区11与保留区12之间，并且衍射区13环绕刻蚀区11设置。

采用上述掩膜版10对显示面板20的阵列基板21进行刻蚀工序时，曝光光束照射到掩膜版10上，显示面板20的阵列基板21与掩膜版10的保留区12相对应的部位被保留，而与掩膜版10的刻蚀区11相对应的部位被刻蚀形成导电过孔23，同时，通过环绕刻蚀区11设置衍射区13，曝光光束照射至掩膜版10的衍射区13并形成衍射现象，使照射到阵列基板21的导电过孔23的孔壁的曝光光束的通光量自刻蚀区11朝保留区12方向逐渐变化，使阵列基板21的导电过孔23的孔壁被缓慢刻蚀，从而有效减小阵列基板21的导电过孔23的孔壁坡度，有效避免阵列基板21的导电过孔23的孔壁和孔底部之间的连接处产生尖角而造成导电膜层断路，有效保证显示面板20的显示效果。

上述掩膜版10为透光板，在对阵列基板21进行刻蚀前，需在阵列基板21的表面涂覆光刻胶层30。如图1所示，当光刻胶层30采用负性光刻胶时，掩膜版10的刻蚀区11为透光区域，保留区12为遮光区域，当曝光光束透过掩膜版10的衍射区13照射到阵列基板21的导电过孔23的孔壁时，通光量自刻蚀区11朝保留区12方向逐渐增加，使阵列基板21的导电过孔23的孔壁被缓慢刻蚀，从而有效减小阵列基板21的导电过孔23的孔壁坡度；当光刻胶层30采用正性光刻胶时，掩膜版10的刻蚀区11为遮光区域，保留区12为透光区域，当曝光光束透过掩膜版10的衍射区13照射到阵列基板21的导电过孔23的孔壁时，通光量自刻蚀区11朝保留区12方向逐渐减少，使阵列基板21的导电过孔23的孔壁被缓慢刻蚀，从而有效减小阵列基板21的导电过孔23的孔壁坡度。

其中，上述遮光区域可通过在透光板上涂覆遮光层形成，遮光层可为铬层、氧化铁层、硅化钼层中的任意一种。

需要说明的是，本实用新型中的附图均以采用负性光刻胶作为光刻胶层30的情形进行示意。

在本实施例中，请结合图1所示，衍射区13包括沿刻蚀区11的边缘依次间隔设置的多条衍射带131，各衍射带131的宽度朝远离刻蚀区11的方向逐渐减少，以使各衍射带131呈尖刺状结构或梯形结构。当采用负性光刻胶作为光刻胶层30时，衍射带131为遮光带，通过将各衍射带131的宽度朝远离刻蚀区11的方向逐渐减小设置，使得通过衍射区13的曝光光束的通光量自刻蚀区11朝保留区12方向逐渐增大；当采用正性光刻胶作为光刻胶层30时，衍射带131为透光带，通过将各衍射带131的宽度朝远离刻蚀区11的方向逐渐减小设置，使得通过衍射区13的曝光光束的通光量自刻蚀区11朝保留区12方向逐渐减少；从而更有效地实现阵列基板21上刻蚀形成的导电过孔23的孔壁坡度平缓过渡的目的，有效保证显示面板20的显示效果。

需要说明的是，请结合图1所示，衍射带131的最大宽度W1应小于曝光机能够分辨的最小尺寸，具体地，衍射带131的最大宽度W1为1.5μm-2μm，如1.5μm、1.8μm、2μm等，以使上述掩膜版10能够适用于目前市面上较为常用的曝光机。

具体地，请结合图1所示，衍射带131的长度L为70μm-150μm，如70μm、110μm、150μm等，衍射带131的长度L可根据阵列基板21所需形成的导电过孔23的孔径大小进行设置，通过将衍射带131的长度L限定在上述范围，可使上述掩膜版10适用于具有较大孔径的导电过孔23的阵列基板21。

实施例二

本实施例与实施例一的区别在于，衍射区13的结构形式不同。

在本实施例中，请结合图2所示，衍射区13包括衍射环132，刻蚀区11设于衍射环132内且刻蚀区11的边缘与衍射环132的边缘相互间隔设置。当采用负性光刻胶作为光刻胶层30时，衍射环132为遮光环，衍射环132与刻蚀区11之间形成上述透光夹缝，当曝光光束照射到衍射区13时产生衍射现象，使得通过衍射区13的曝光光束的通光量自刻蚀区11朝保留区12方向有所增加；当采用正性光刻胶作为光刻胶层30时，衍射环132为透光环，衍射环132与刻蚀区11之间形成遮光夹缝，当曝光光束照射到衍射区13时产生衍射现象，使得通过衍射区13的曝光光束的通光量自刻蚀区11朝保留区12方向有所减少；从而使阵列基板21的导电过孔23的孔壁被缓慢刻蚀，从而有效减小阵列基板21的导电过孔23的孔壁坡度，有效避免阵列基板21的导电过孔23的孔壁和孔底部之间的连接处产生尖角而造成导电膜层断路，有效保证显示面板20的显示效果。

具体地，请结合图2所示，衍射环132的最大宽度W2小于曝光机能够分辨的最小尺寸，具体地，衍射环132的最大宽度W2为1μm-2μm，如1μm、1.5μm、2μm等，以使上述掩膜版10能够适用于目前市面上较为常用的曝光机。

具体地，衍射区13包括多个衍射环132，各衍射环132依次嵌套且相互间隔设置。当采用负性光刻胶作为光刻胶层30时，相邻两条衍射环132之间形成上述透光夹缝，当采用正性光刻胶作为光刻胶层30时，相邻两条衍射环132之间形成上述遮光夹缝，衍射环132的设置数量可根据阵列基板21所需形成的导电过孔23的孔径大小进行设置，如设置三个衍射环132、设置四个衍射环132等，在此不作具体限定。

具体地，各衍射环132的边缘宽度朝远离刻蚀区11的方向依次减小。通过将各衍射环132的边缘宽度朝远离刻蚀区11的方向依次减小设置，其中，上述各透光夹缝或遮光夹缝的宽度可相等设置，也可朝远离刻蚀区11的方向逐渐增大设置，使得通过衍射区13的曝光光束的通光量也随之自刻蚀区11朝保留区12的方向逐渐增大，从而更有效地实现阵列基板21上刻蚀形成的导电过孔23的孔壁坡度的平缓减小。

一种光刻设备，包括曝光机和上述掩膜版10，曝光机用于向掩膜版10照射曝光光束。

由于上述光刻设备采用了上述掩膜版10的所有实施例，因而至少具有上述实施例的所有有益效果，在此不再一一赘述。

请结合图3所示，一种显示面板20，包括底板22和设于底板22上的阵列基板21，阵列基板21通过上述光刻设备刻蚀形成若干导电过孔23。

通过采用上述光刻设备在显示面板20的阵列基板21上刻蚀若干导电过孔23，有效减小上述各导电过孔23的孔壁的坡度，有效避免阵列基板21的导电过孔23的孔壁和孔底部之间的连接处产生尖角而造成导电膜层断路，有效保证显示面板20的显示效果。

请结合图3所示，采用上述掩膜版10制作上述显示面板20可以按照如下步骤进行：首先，在底板22上制作阵列基板21，在阵列基板21上涂布光刻胶层30；然后，阵列基板21在掩膜版10下进行曝光；接着，显影，阵列基板21与掩膜版10的保留区12所对应的部位被保留下来，阵列基板21与掩膜版10的刻蚀区11所对应的部位被刻蚀形成导电过孔23；待全部导电过孔23制作好，将多余的光刻胶层30清洗掉；最后，在阵列基板21涂布导电玻璃层(图中未示)，形成上述显示面板20。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种掩膜版，其特征在于：所述掩膜版包括刻蚀区、保留区和衍射区，所述衍射区设于所述刻蚀区与所述保留区之间，并且所述衍射区环绕所述刻蚀区设置；

所述衍射区包括沿所述刻蚀区的边缘依次间隔设置的多条衍射带，各所述衍射带的宽度朝远离所述刻蚀区的方向逐渐减少；或者，

所述衍射区包括衍射环，所述刻蚀区设于所述衍射环内且所述刻蚀区的边缘与所述衍射环的边缘相互间隔设置，所述衍射区包括多个所述衍射环，各所述衍射环依次嵌套且相互间隔设置，各所述衍射环的边缘宽度朝远离所述刻蚀区的方向依次减小。

2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于：所述衍射带的最大宽度为1.5μm-2μm。

3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于：所述衍射带的长度为70μm-150μm。

4.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于：所述衍射环的边缘宽度为1μm-2μm。

5.一种光刻设备，其特征在于：所述光刻设备包括曝光机和如权利要求1-4任一项所述掩膜版，所述曝光机用于向所述掩膜版照射曝光光束。

6.一种显示面板，其特征在于：所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板通过如权利要求5所述的光刻设备刻蚀形成若干导电过孔。

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