JP2006330130A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 フリッカや液晶の焼き付きの発生しない液晶表示装置を、反射率を低下させずに工程数を増加させることなく低コストで、かつ電池腐食の発生を抑制して高い歩留で製造することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 反射画素電極11(第3の金属膜)とその上層の第2の透明導電性膜12を同じマスクパターンでパターニングし、同じエッチング液を用いて一括ウェットエッチング処理した。第2の透明導電性膜12の膜厚を5nm以上15nm以下とすることにより、反射画素電極への現像液の侵入を防止し、下地の画素電極の電池反応による腐食を防止し、高い歩留で製造することが可能である。更に、対向電極基板の透明共通電極との仕事関数差を小さくし、フリッカや液晶の焼き付きの発生しない液晶表示装置を、工程数を増加させることなく低コストで製造することが可能である。
【選択図】 図1
【解決手段】 反射画素電極11(第3の金属膜)とその上層の第2の透明導電性膜12を同じマスクパターンでパターニングし、同じエッチング液を用いて一括ウェットエッチング処理した。第2の透明導電性膜12の膜厚を5nm以上15nm以下とすることにより、反射画素電極への現像液の侵入を防止し、下地の画素電極の電池反応による腐食を防止し、高い歩留で製造することが可能である。更に、対向電極基板の透明共通電極との仕事関数差を小さくし、フリッカや液晶の焼き付きの発生しない液晶表示装置を、工程数を増加させることなく低コストで製造することが可能である。
【選択図】 図1
Description
本発明は、薄膜トランジスタ(TFT)をスイッチング素子に用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置(TFT−LCD)およびその製造方法に関し、特に反射画素電極上に透明導電性膜を備えたTFTアレイ基板を低コストで製造する方法を提供するものである。
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、ガラス基板上に薄膜トランジスタをマトリクス状に配置したTFTアレイ基板と、対向電極を備えたカラーフィルタ基板との間に液晶を配置し、それぞれの基板に形成された電極によって液晶の配向を制御することで表示を行うものであり、ノート型パーソナルコンピュータやOAモニタ用の表示装置として広く開発が進められている。
従来の一般的な液晶表示装置として、光源をその背面または側面に設置して画像表示を行う透過型液晶表示装置と、反射層を設置し周囲光を反射層表面で反射させることにより画像表示を行う反射型液晶表示装置がある。透過型液晶表示装置には、周囲光が非常に明るい場合に、周囲光に比べて表示光が暗いため表示を観察できないという課題がある。また反射型液晶表示装置には、周囲光が暗い場合には視認性が極端に低下するという課題がある。そこで、1つの画素部分に光を透過する透過画素電極と、光を反射する反射画素電極を有する液晶表示装置(以下、半透過型液晶表示装置と称す)が注目されている。
従来の半透過型液晶表示装置におけるTFTアレイ基板の構造について簡単に説明する。
透明絶縁性基板上に形成される薄膜トランジスタは、ゲート電極を備えたゲート配線、ソース電極を備えたソース配線、ソース配線と同一レイヤで形成されるドレイン電極、ソース電極とドレイン電極の間にあって半導体膜からなるチャネルを備えており、さらに前記薄膜トランジスタ上を覆うようにパッシベーション膜と、表面に凹凸形状を有する有機膜とが形成されている。前記有機膜の上には、ITO等の透明導電性膜からなる透過画素電極と、高い光反射率を有する材料(高反射率材料)の膜からなる反射画素電極とが配置され、これらの電極は、パッシベーション膜と有機膜とに設けられたテーパー形状のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続されている。また、このようなTFTアレイ基板を製造するには、6回の写真製版工程で可能である。(例えば、特許文献1参照)。
透明絶縁性基板上に形成される薄膜トランジスタは、ゲート電極を備えたゲート配線、ソース電極を備えたソース配線、ソース配線と同一レイヤで形成されるドレイン電極、ソース電極とドレイン電極の間にあって半導体膜からなるチャネルを備えており、さらに前記薄膜トランジスタ上を覆うようにパッシベーション膜と、表面に凹凸形状を有する有機膜とが形成されている。前記有機膜の上には、ITO等の透明導電性膜からなる透過画素電極と、高い光反射率を有する材料(高反射率材料)の膜からなる反射画素電極とが配置され、これらの電極は、パッシベーション膜と有機膜とに設けられたテーパー形状のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続されている。また、このようなTFTアレイ基板を製造するには、6回の写真製版工程で可能である。(例えば、特許文献1参照)。
従来の半透過型液晶表示装置におけるTFTでは、電池反応によりITO等の透明導電性膜からなる透過画素電極の腐食が発生するため、その対策として反射画素電極の直下にMo等の高融点金属を形成するという手法が知られている。(例えば、特許文献2参照)。
また、半透過型液晶表示装置においては、反射画素電極として前述のようにAl合金を用いると、対向基板であるカラーフィルタ基板上の対向電極に用いられるITO等の透明導電性膜との仕事関数が異なることに起因してフリッカ等の表示不良が発生するため、反射画素電極上に透明導電性膜を形成する手法が知られている。(例えば、特許文献3参照)。
さらに、反射画素電極と透過画素電極との積層の上下関係を逆転させることにより、上記フリッカの対策と電池腐食との不良を解決する手法も知られている。(例えば、特許文献4参照)。
反射画素電極として用いられる高反射率材料としては反射率とエッチング形状に優れたAlを主体とする材料を用いる事が適当である。しかし、上記の半透過型液晶表示装置においては以下の問題が生じる。すなわち、反射画素電極のパターニングを行うための写真製版工程には通常、現像液に浸漬する工程があるが、この時にアルカリ性の現像液と下地となるITO等の透明導電性膜である透過画素電極との電池反応により、画素電極が腐食してしまう。
このような電池反応による腐食への対策として、特許文献2のように反射画素電極のAlの下にMoなどの高融点金属を形成する等の対策を取っている例もある。これはMo合金を保護金属膜として用いることにより、現像液などの電解液が反射画素電極のAl材料とITO等に同時に接触することがなく、Al−ITO間の電食を防止することができるからである。しかしながら、画素電極のパターンエッジ上でのMo合金のカバレッジが悪く亀裂等がある場合に、Mo合金の亀裂でITOとAl材料との両方に現像液が同時に接触することが発生することもあるため、耐腐食性は必ずしも充分ではない。また、下地にMo合金を形成するために成膜工数を増やす必要があり、その為に製造コストが上がるという問題があった。
また、半透過型液晶表示装置においては、反射画素電極として前述のようにAl合金を用いると、対向基板であるカラーフィルタ基板上の対向電極に用いられるITO等の透明導電性膜との仕事関数が異なるためにフリッカ等の表示不良が発生するため、特許文献3のように反射画素電極上に透明導電性膜を形成する手法が知られている。しかし、この構造においても、反射画素電極とソース電極は同様な材料(Al等)から構成されるため、反射画素電極のエッチング時にはソース電極が反射画素電極のエッチング液に侵食されて断線等が発生してしまうことから、有機膜に設けられたコンタクトホール部において、接続用金属層を別途設ける必要があった。このため、新たなマスクパターンが必要になり、工程数が増え、製造コストが上がるという問題があった。
さらに、特許文献4のように、反射画素電極と透過画素電極との積層上下関係を逆転させることにより、上記フリッカの対策と電池腐食との不良を解決する手法も知られている。しかし、通常このような構造においては、コンタクトホール部における被覆性を確保するために、ITO等の透明導電性膜の膜厚として50nm程度以上必要と考えられ、反射画素電極における反射率を低下させてしまうという問題が懸念される。
本発明は、上述のような課題を解消するためになされたもので、反射率に優れ、かつフリッカや電池腐食の発生しない液晶表示装置を、工程数を増加させることなく低コストで製造することが可能な液晶表示装置の製造方法を提供し、高品質で安価な液晶表示装置を得ることを目的とする。
本発明に係わる液晶表示装置は、1つの画素部分に光を透過する透過画素電極と光を反射する反射画素電極とを有するTFTアレイ基板、透明共通電極を有する対向電極基板、およびTFTアレイ基板と対向電極基板との間に挟まれた液晶を備えた液晶表示装置であって、TFTアレイ基板は、絶縁性基板上にゲート電極を有する複数本のゲート配線、ソース電極を有しゲート配線と交差する複数本のソース配線、ゲート電極と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、ソース電極およびドレイン電極とから構成される薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタと、ゲート配線と、ソース配線との上部に設けられた層間絶縁膜、ドレイン電極上部の層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介してドレイン電極と電気的に接続された第1の透明導電性膜からなる透過画素電極、コンタクトホールにて第1の透明導電性膜を介してドレイン電極に電気的に接続された高反射率の金属材料からなる反射画素電極、および反射画素電極上に形成された第2の透明導電性膜を備えており、反射画素電極と第2の透明導電性膜が、同じマスクパターンで形成された同一パターン形状を有するものである。
また、第2の透明導電性膜の膜厚は、5nm以上15nm以下であることを特徴とするものである。さらに、反射画素電極はAl合金からなり、その膜厚が50nm以上200nm以下であることを特徴とするものである。
本発明の液晶表示装置およびその製造方法によれば、第3の金属膜上に第2の透明導電性膜を同じマスクパターンでパターニングして、反射画素電極と、この反射画素電極と同一パターン形状を有する第2の透明導電性膜を形成するようにしたもので、工程数を増加させることなく、反射層とITO等の画素電極との電池反応を抑制し、反射率に優れた液晶表示装置を低コストで歩留良く製造することが可能である。
また、本発明の液晶表示装置およびその製造方法によれば、反射画素電極上に第2の透明導電性膜を形成することにより、対向電極基板の透明共通電極との仕事関数差を小さくし、フリッカや液晶の焼き付きを低減することができ、品質に優れた安価な液晶表示装置を高歩留で得ることができる。
さらに、第2の透明導電性膜の膜厚が5nm以上であるため、第2の透明導電性膜でAl、あるいはAl合金の反射層を完全に覆うことができるので、写真製版工程において現像液が下の反射層と画素電極との境界層に進入することを防止し電池反応を抑制する効果がある。また、第2の透明導電性膜の膜厚が15nm以下であるため、反射率の低下を抑制する効果がある。
実施の形態1.
以下に、本発明を実施するための最良の形態である実施の形態1について述べる。図1は、本発明の実施の形態1における半透過型液晶表示装置の1つの画素部分を示す平面図であり、図2は、図1に示す半透過型液晶表示装置においてA−A線で示す個所の断面構造を示す断面図である。図中、同一、相当部分には同一符号を付している。本実施の形態1における半透過型液晶表示装置は、図1および図2に示すように、TFTアレイ基板20上の各画素中に、光を透過する透過画素電極10aと、光を反射する反射画素電極11を有するもので、このTFTアレイ基板20に、透明共通電極を有する対向電極基板(図示せず)を対向して配置し、それらの間に液晶を配置したものである。以下に、図1と図2とを参照して、TFTアレイ基板20の構成を説明する。
以下に、本発明を実施するための最良の形態である実施の形態1について述べる。図1は、本発明の実施の形態1における半透過型液晶表示装置の1つの画素部分を示す平面図であり、図2は、図1に示す半透過型液晶表示装置においてA−A線で示す個所の断面構造を示す断面図である。図中、同一、相当部分には同一符号を付している。本実施の形態1における半透過型液晶表示装置は、図1および図2に示すように、TFTアレイ基板20上の各画素中に、光を透過する透過画素電極10aと、光を反射する反射画素電極11を有するもので、このTFTアレイ基板20に、透明共通電極を有する対向電極基板(図示せず)を対向して配置し、それらの間に液晶を配置したものである。以下に、図1と図2とを参照して、TFTアレイ基板20の構成を説明する。
絶縁性基板であるガラス基板1上には、第1の金属膜からなるゲート電極Gを有する複数本のゲート配線2a、補助容量電極および補助容量配線2bとが形成されており、それらを覆うようにして、画素開口14以外の領域に、第1の絶縁膜であるゲート絶縁膜3が形成されており、ゲート電極G上にゲート絶縁膜3を介して形成される半導体能動膜からなる半導体層4と、オーミックコンタクト層5とが形成されている。
さらに、第2の金属膜からなるソース電極Sを有する複数本のソース配線6とドレイン電極7とが形成されており、ここで、ソース配線6はゲート絶縁膜3、半導体層4、オーミックコンタクト層5を介して、ゲート配線2aと交差するように形成されており、ドレイン電極7はゲート電極G上の半導体層4上においてソース電極Sと間隔をおいて対向するように形成され、これらのゲート電極G、半導体層4、ソース電極Sおよびドレイン電極7により、スイッチング素子である薄膜トランジスタTが各画素部分に対応して形成される。
さらに、薄膜トランジスタT、ゲート配線2aおよびソース配線6の上部には、第2の絶縁膜であるパッシベーション膜8と、表面に凹部9aによる凹凸面を有する有機膜9とからなる層間絶縁膜ILが形成されており、層間絶縁膜ILはドレイン電極7上を開口するようなコンタクトホール13と、周縁にテーパー形状をなす画素開口14を備えている。
さらに、その上部には第1の透明導電性膜10と第3の金属膜からなる反射画素電極11と第2の透明導電性膜12とが順に積層して形成されており、第1の透明導電性膜10はコンタクトホール13を介してドレイン電極7と接続され、また透過画素電極10aとして画素開口14を介してガラス基板1の表面に接している。
第1の透明導電性膜10の上層にある反射画素電極11と第2の透明導電性膜12とは互いに同一パターン形状を有して積層されており、反射画素電極11は可視光の反射率が高い材料であるAl合金からなり、その膜厚が50〜200nmである。また第2の透明導電性膜12の膜厚は5nm以上15nm以下である。第2の透明導電性膜12の膜厚が5nm以上あり、反射画素電極11を充分に良好に被覆しているので、第2の透明導電性膜12をパターニングする際に行われるアルカリ性の現像液処理を行っても、電池腐食反応を抑制することが可能である。また、膜厚を15nm以下としているので、反射画素電極11における反射率を低下させることがないので良好な表示に寄与するという効果がある。
さらに、反射画素電極11と第2の透明導電性膜12とは、コンタクト13と第1の透明導電性膜10とを介してドレイン電極7に接続されており、画素開口14周縁部のテーパー形状までを被覆するが、画素開口14には形成されていない。結局、画素開口14においては金属膜も絶縁膜も形成されずに透過画素電極10aのみが形成されていることになるため、バックライト光の透過率が向上し、明るい表示光を得ることができるという効果を有する。
また、画素開口14の周縁部にはテーパー形状が形成されているので、画素開口14付近においても第2の透明導電性膜12は反射画素電極11を充分良好に被覆することができ、アルカリ性の現像液への浸漬時に生じやすい電池腐食反応の発生を抑制することが可能である。
次に、本実施の形態1における液晶表示装置の製造方法に対応する第1工程〜第6工程のプロセスについて説明する。図3(a)〜(f)は、図1で示す半透過型液晶表示装置の1つの画素部分においてA−A線で示す個所の断面構造について第1工程〜第6工程の6つの工程に沿って示す断面図である。以下、図3を用いて具体的に説明する。なお、本実施の形態1では、6回の写真製版工程により計6枚のマスクパターンを用いてTFTアレイ基板を製造するプロセスについて述べる。
図3(a)を参照して、第1工程のプロセスについて説明する。洗浄により表面を浄化したガラス基板1上に、スパッタリング法等により第1の金属膜を成膜する。第1の金属膜としては、例えばクロム(Cr)、モリブデン(Mo)、あるいはMo合金等の高融点金属からなり、膜厚200nm〜300nm程度の単層または積層構造の薄膜を用いることができる。成膜条件は、例えば150〜220℃でArを100sccm流し、圧力0.2〜0.4Pa、DCパワー10〜15kWで行う。
次に、第1回目の写真製版工程により第1の金属膜をパターニングし、ゲート電極Gおよびゲート配線2a、補助容量電極および補助容量配線2b、ゲート端子部(図示せず)等を形成する。写真製版工程では、基板洗浄後、感光性レジストを塗布、乾燥し、所定のパターンが形成されたマスクパターンを通して露光、現像を行い基板上にマスクパターンを転写したレジストを形成し、感光性レジストを加熱硬化させたのちに第1の金属膜のエッチングを行い、感光性レジストを剥離する。なお、第1の金属膜のエッチング処理としては、例えば液組成がリン酸+硝酸+酢酸+純水のエッチング液を用いたウェットエッチングを行う。
図3(b)を参照して、第2工程のプロセスについて説明する。まず、プラズマCVD法等により第1の絶縁膜であるゲート絶縁膜3、半導体層4、オーミックコンタクト層5を連続して成膜する。ゲート絶縁膜3としては、膜厚300〜500nmの窒化ケイ素膜(SiNx)、半導体層4としては膜厚100〜200nmのa−Si:H(水素原子が添加されたアモルファスシリコン)、オーミックコンタクト層5としては膜厚30〜50nmのa―Siにリン(P)を微量にドーピングしたn型a―Si膜等がそれぞれ用いられる。
続いて、第2回目の写真製版工程により、半導体層4およびオーミックコンタクト層5を少なくとも薄膜トランジスタTが形成される部分に残存するようアイランド状にパターニングする。半導体層4およびオーミックコンタクト層5のエッチング処理としては、例えばSF6とO2の混合ガスまたはCF4とO2の混合ガスによるドライエッチングを行う。
図3(c)を参照して、第3工程のプロセスについて説明する。まず、スパッタリング法等により第2の金属膜を成膜する。第2の金属膜としては、例えばクロム(Cr)、モリブデン(Mo)、あるいはMo合金等の高融点金属からなり、膜厚200nm〜300nm程度の単層または積層構造の薄膜を用いることができる。成膜条件は、例えば150〜220℃でArを100sccm流し、圧力0.2〜0.4Pa、DCパワー10〜15kWで行う。続いて、第3回目の写真製版工程により第2の金属膜をパターニングし、ソース電極Sおよびソース配線6、ドレイン電極7およびソース端子部(図示せず)を形成する。次に、形成されたソース電極6およびドレイン電極7をマスクにして、オーミックコンタクト層5のエッチングを行い、薄膜トランジスタTのオーミックコンタクト層5の中央部を除去し、半導体層4を露出させる。オーミックコンタクト層5のエッチング処理としては、例えばSF6とO2の混合ガスまたはCF4とO2の混合ガスによるドライエッチングを行う。
図3(d)を参照して、第4工程のプロセスについて説明する。まず、プラズマCVD法等により第2の絶縁膜であるパッシベーション膜8を形成し、その上からさらに有機膜9を形成し、層間絶縁膜ILを形成する。パッシベーション膜8としては、例えば膜厚100nmのSiNx膜を用いることができる。また、有機膜9としては、公知の感光性有機樹脂膜が用いられ、膜厚3.2μm〜3.9μm程度に形成される。
続いて、第4回目の写真製版工程により、有機膜9、パッシベーション膜8およびゲート絶縁膜3をパターニングする。この工程では、有機膜9の反射部に相当する部分に凹部9aによる凹凸面を、またドレイン電極7上にコンタクトホール13を形成し、併せて画素開口14を形成する。なお、図示しないゲート端子部上およびソース端子部上にもそれぞれコンタクトホールが形成される。各コンタクトホールは、有機膜9をマスクとしたドライエッチングによりパッシベーション膜8を除去することにより形成される。反射部に相当する有機膜9の表面に凹部9aによる凹凸面を設けることにより、入射された外光が散乱され良好な表示特性を得ることができる。
なお、この工程では有機膜9の露光に2種類のマスクを用いてもよいが、コンタクトホールパターンと凹部ハーフトーンパターンを同時に形成した1種類のマスクを用いてもよい。このとき凹部ハーフトーンパターンは露光光の透過量がコンタクトホールパターンの透過量の20%から80%となるようにしておくのが好ましい。このようなハーフトーンマスクを用いれば、1回の露光で有機膜9に凹部9aによる凹凸面とコンタクトホール13とを同時に形成することができる。
なお、この時点においては、図3(d)に示すように、薄膜トランジスタTと反射部の間に位置する画素/ドレインコンタクト部のコンタクトホール13では、有機膜9、パッシベーション膜8が除去されドレイン電極7が露出している。さらに画素開口14では、有機膜9、パッシベーション膜8およびゲート絶縁膜3が除去され、ガラス基板1が露出されるようにコンタクトホール13を開口するためのエッチング時間を設定する。更にコンタクトホール13と画素開口14との断面はその上に形成される画素電極のカバレッジが良くなる様にテーパー形状に加工される。
図3(e)を参照して、第5工程のプロセスについて説明する。まず、スパッタリング法等により第1の透明導電性膜10を成膜する。第1の透明導電性膜10としては、ITO、SnO2、IZOなどを用いることができ、特に化学的安定性の点からITOを用いることが好ましい。第1の透明導電性膜10としてアモルファスITOを用いた場合は、成膜時、あるいはパターニング後に加熱して結晶化させる。
続いて、第5回目の写真製版工程により、第1の透明導電性膜10をパターニングし、透過画素電極10aを形成する。なお、第1の透明導電性膜10は、有機膜9に形成された凹部9aによる凹凸面上およびコンタクトホール13上にも形成される。第1の透明導電性膜10のエッチング処理は、使用する材料によって公知のウェットエッチングを用いる。例えば、結晶化ITOの場合には塩酸および硝酸が混合されてなる水溶液を用いて行うことができる。また、ITOの場合、公知のガス組成(たとえば、HI、HBr)でのドライエッチングも可能である。
図3(f)を参照して、第6工程のプロセスについて説明する。まず、スパッタリング法等により第3の金属膜を成膜する。第3の金属膜としては、例えばAl合金の単層膜を用いることができる。第3の金属膜は反射画素電極として用いられるため、可視光領域で高い反射率を有する金属膜であることが好ましい。この場合、反射率は反射画素電極に用いられるAl材料の表面凹凸に大きく影響される。また、この表面凹凸はAlの膜厚に大きく影響され、Alの膜厚が厚いほど結晶粒の増大による拡散反射成分が増大するが、特に膜厚が200nmを越えると急激に増大するため、表示に最適な散乱角度成分の反射光が減少することが明らかになった。さらに、膜厚が50nmを下回ると、Al膜を透過する光量が増大し、反射率に寄与する反射光量自体が減少することもわかったため、Alの膜厚は50nm以上で200nm以下の膜厚にすることが望ましい。続いて、ITO、IZO等の第2の透明導電性膜12を5〜15nmの膜厚で成膜する。なお、第2の透明導電性膜12としては、非結晶の膜を用いる。
次に、第6回目の写真製版工程により、有機レジストをパターニングした後、液組成がリン酸+硝酸+酢酸+純水のエッチャントを用いたウェットエッチングを行う。この時、反射画素電極11(第3の金属膜)のエッチングのリフトオフ作用により、第3の金属膜と第2の透明導電性膜12を同時にエッチングし、反射画素電極11を形成する。すなわち、本実施の形態では、反射画素電極11とその上層の第2の透明導電性膜12を同じマスクパターンで形成し、同じエッチング液を用いて一括ウェットエッチング処理したものである。このように、反射画素電極11(第3の金属膜)と第2の透明導電性膜12を同じマスクパターンでパターニングし、同じエッチング液を用いて一括ウェットエッチング処理することにより、反射画素電極11と同一なパターン形状を有する第2の透明導電性膜12が反射画素電極11の全面を覆うように形成したので、対向電極基板の透明共通電極との仕事関数差が小さくフリッカ等の表示不良が無い液晶表示装置を製造する際の工程数やコストの増大を抑制することができる。以上の工程を経て、図1、図2および図3(f)に示すようなTFTアレイ基板20が完成する。
ここで、第6工程のプロセス(図3(f))において、第3の金属膜として膜厚300nmのAl−Cu単層膜を成膜し、続いて、ITOからなる第2の透明導電性膜12を膜厚2nmから10nmまで振り分けて成膜し、アルカリ性の現像液に10〜20分間浸漬した時の反射画素電極の腐食具合を調査した結果を表1に示す。なお、表1において、○はピット状の腐食痕が発生しなかったことを示し、×はピット状の腐食痕が発生したことを示している。
表1の結果より、第2の透明導電性膜12の膜厚を5nm以上として形成することにより、反射画素電極のパターニング時に行われる現像の際に電池反応により引き起こされるピット状の腐食痕の発生を抑制できることが判る。一方、第2の透明導電性膜12の膜厚が厚すぎると、反射画素電極11における反射率を低下させてしまうため、15nm以下とすることがのぞましい。従って、第2の透明導電性膜12の膜厚を5〜15nmとすることにより、電池腐食の発生を抑制しながら、良好な反射率やフリッカの無い優れた画質を有する液晶表示装置を形成することが可能となる。
完成したTFTアレイ基板20は、その後のセル化工程において配向膜が塗布され、一定の方向にラビング処理が施される。同様に、透明絶縁性基板上にブラックマトリクス、カラーフィルタ、カラーフィルタの保護膜、共通透明画素電極等が形成された対向電極基板にも配向膜が塗布されラビング処理が施される。これらのTFTアレイ基板20と対向電極基板とを互いの配向膜が向き合うようにスペーサを介して重ね合わせ、基板周縁部をシール材にて接着し、両基板間に液晶を封止する。このようにして形成された液晶セルの背面にバックライトユニットを取り付けることにより、本実施の形態1における半透過型液晶表示装置が完成する。
以上のように、本実施の形態1によれば、反射画素電極11上に第2の透明導電性膜12をカバレッジ良く形成することにより、写真製版工程におけるアルカリ現像液の進入を防止し、下地の画素電極のITOとの電池反応を抑制し、更に対向電極基板の透明共通電極との仕事関数差を小さくし、フリッカや液晶の焼き付きを低減することができる。また、反射画素電極11(第3の金属膜)と第2の透明導電性膜12を同じマスクパターンでパターニングし、同じエッチング液を用いて一括ウェットエッチング処理することにより、反射画素電極11と、この反射画素電極11と同一パターン形状を有する第2の透明導電性膜12を形成するようにしたので、工程数を増加させることなく、フリッカや液晶の焼き付きの発生しない液晶表示装置を低コストで高い歩留で製造することが可能となった。
なお、上記実施の形態1では、半透過型液晶表示装置について説明したが、本発明は、画素表示部全面に亘って反射画素電極が形成された全反射型液晶表示装置にも適用可能である。また、上記実施の形態1では、6回の写真製版工程において計6枚のマスクを用いる製造方法について述べたが、本発明はこれに限定されるものではない。
1 ガラス基板、2a ゲート配線、2b 補助容量電極および補助容量配線、
3 ゲート絶縁膜、4 半導体層、5 オーミックコンタクト層、6 ソース配線、
7 ドレイン電極、8 パッシベーション膜、9 有機膜、9a 凹部、10 第1の透明導電性膜、10a 透過画素電極、11 反射画素電極、12 第2の透明導電性膜、13 コンタクトホール、14 画素開口、20 TFTアレイ基板
3 ゲート絶縁膜、4 半導体層、5 オーミックコンタクト層、6 ソース配線、
7 ドレイン電極、8 パッシベーション膜、9 有機膜、9a 凹部、10 第1の透明導電性膜、10a 透過画素電極、11 反射画素電極、12 第2の透明導電性膜、13 コンタクトホール、14 画素開口、20 TFTアレイ基板
Claims (6)
- 1つの画素部分に光を透過する透過画素電極と光を反射する反射画素電極とを有するTFTアレイ基板、透明共通電極を有する対向電極基板、および前記TFTアレイ基板と前記対向電極基板との間に挟まれた液晶を備えた液晶表示装置であって、
前記TFTアレイ基板は、絶縁性基板上に
ゲート電極を有する複数本のゲート配線、
ソース電極を有し前記ゲート配線と交差する複数本のソース配線、
前記ゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、前記ソース電極およびドレイン電極とから構成される薄膜トランジスタ、
前記薄膜トランジスタと、前記ゲート配線と、前記ソース配線との上部に設けられた層間絶縁膜、
前記層間絶縁膜上にあって、前記ドレイン電極上部の前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記ドレイン電極と電気的に接続され、かつ前記ゲート絶縁膜と前記層間絶縁膜とに設けられた画素開口を介して前記絶縁性基板の表面に接せられた第1の透明導電性膜からなる透過画素電極、および
前記コンタクトホールにて前記第1の透明導電性膜を介して前記ドレイン電極に電気的に接続されたAl合金からなる反射画素電極、および
前記反射画素電極上に形成された第2の透明導電性膜を備えており、
前記第2の透明導電性膜は前記反射画素電極と同一パターン形状を有し、かつその膜厚が少なくとも5nm以上であることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1記載の液晶表示装置であって、第2の透明導電性膜の膜厚が5nm以上15nm以下であることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項1または2に記載の液晶表示装置であって、反射画素電極の膜厚が50nm以上200nm以下であることを特徴とする液晶表示装置。
- 絶縁性基板上に第1の金属膜を形成し、第1の写真製版工程によりパターニングしてゲート電極を有する複数本のゲート配線を形成する第1工程、
前記第1工程の後で、第1の絶縁膜、半導体層、オーミックコンタクト層を形成し、第2の写真製版工程により前記半導体層および前記オーミックコンタクト層を少なくとも薄膜トランジスタが形成される部分に残存するようにパターニングする第2工程、
前記第2工程の後で、第2の金属膜を形成し、第3の写真製版工程によりパターニングしてソース電極を有する複数本のソース配線およびドレイン電極を形成する第3工程、
前記第3工程の後で、第2の絶縁膜および有機膜からなる層間絶縁膜を形成し、第4の写真製版工程によりパターニングして、少なくとも前記ドレイン電極上部の前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成すると共に、前記層間絶縁膜と前記第1の絶縁膜とを一部開口して画素開口を形成することにより前記絶縁性基板の表面を一部露出させる第4工程、
前記第4工程の後で、第1の透明導電性膜を形成し、第5の写真製版工程によりパターニングして、前記コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と電気的に接続されて、かつ前記画素開口を介して前記絶縁性基板の表面に接せられるように透過画素電極を形成する第5工程、および
前記第5工程の後で、第3の金属膜を形成し、さらに前記第3の金属膜上に第2の透明導電性膜を形成し、第6の写真製版工程により前記第3の金属膜と前記第2の透明導電性膜を同じマスクパターンでパターニングして、前記コンタクトホールにて前記第1の透明導電性膜を介して前記ドレイン電極と電気的に接続された反射画素電極と、前記反射画素電極と同一パターン形状を有する第2の透明導電性膜を形成する第6工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法であって、
前記第5工程において、第2の透明導電性膜の膜厚が少なくとも5nm以上となるように形成し、
前記第6工程の第6回目の写真製版工程において、前記第3の金属膜と前記第2の透明導電性膜を同じエッチング液を用いて一括ウェットエッチング処理したことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 請求項4記載の液晶表示装置の製造方法であって、前記第5工程において、前記第2の透明導電性膜の膜厚が5nm以上15nm以下となるように形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
- 請求項4または5に記載の液晶表示装置の製造方法であって、前記第5工程において、前記反射画素電極の膜厚が50nm以上200nm以下となるように形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008099535A1 (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶表示装置および電子機器 |
WO2014002448A1 (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-03 | シャープ株式会社 | 表示装置用基板及びそれを備えた表示装置 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006095577A1 (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | 金属材料およびその製造方法、薄膜装置およびその製造方法、素子側基板およびその製造方法、液晶表示装置およびその製造方法 |
CN100462828C (zh) * | 2007-11-09 | 2009-02-18 | 友达光电股份有限公司 | 主动元件阵列基板、其像素结构及其驱动方法 |
JP6111399B2 (ja) * | 2012-02-08 | 2017-04-12 | 株式会社Joled | 表示パネルおよびその製造方法 |
GB201420245D0 (en) * | 2014-11-14 | 2014-12-31 | Bae Systems Plc | Sensor manufacture |
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KR101977233B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2019-08-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사 전극, 그 제조 방법 및 반사 전극을 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치 |
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Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5726720A (en) * | 1995-03-06 | 1998-03-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus in which an insulating layer between the source and substrate is thicker than the insulating layer between the drain and substrate |
JP3372882B2 (ja) | 1998-01-30 | 2003-02-04 | シャープ株式会社 | 反射型液晶表示装置における基板の製造方法 |
KR100627649B1 (ko) * | 2000-10-30 | 2006-09-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반투과 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
US6620655B2 (en) * | 2000-11-01 | 2003-09-16 | Lg.Phillips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for transflective LCD device and method of fabricating the same |
JP2002353245A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-12-06 | Seiko Epson Corp | 電気光学基板装置及びその製造方法、電気光学装置、電子機器、並びに基板装置の製造方法 |
US6734935B2 (en) * | 2001-07-04 | 2004-05-11 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Array panel for a transflective liquid crystal display device |
KR100408346B1 (ko) * | 2001-07-18 | 2003-12-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
KR100433805B1 (ko) * | 2001-10-11 | 2004-06-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
KR100776939B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2007-11-21 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
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JP2003255378A (ja) | 2002-03-05 | 2003-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
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KR100936953B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2010-01-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치용 컬러필터 기판과 그 제조방법 |
US7034912B2 (en) * | 2003-06-16 | 2006-04-25 | Toppoly Optoelectronics Corp. | Transflective LCD device |
JP4329445B2 (ja) * | 2003-08-04 | 2009-09-09 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置並びに電子機器 |
DE602004018720D1 (de) * | 2003-09-09 | 2009-02-12 | Nitto Denko Corp | Anisotrop-leitender Film , Herstellungs- und Gebrauchsverfahren |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008099535A1 (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶表示装置および電子機器 |
WO2014002448A1 (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-03 | シャープ株式会社 | 表示装置用基板及びそれを備えた表示装置 |
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