JPH10197891A - 液晶表示素子 - Google Patents
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- JPH10197891A JPH10197891A JP278697A JP278697A JPH10197891A JP H10197891 A JPH10197891 A JP H10197891A JP 278697 A JP278697 A JP 278697A JP 278697 A JP278697 A JP 278697A JP H10197891 A JPH10197891 A JP H10197891A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 信頼性の低下および品質の劣化を可及的に防
止できる液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 第１の透明基板２に配設された走査線４
および信号線１１と、走査線の信号で開閉動作するスイ
ッチ素子７と、それに接続された画素電極１８と、その
直下に形成される有機絶縁層１４と、走査線または信号
線の片端に形成された検査パッド２０と、走査線および
信号線毎に設けられた外部電極端子３０とを有するマト
リックス基板と、第２の透明基板上に形成された対向電
極を有する対向基板と、マトリックス基板と対向基板と
の間に挟持された液晶層と、を備えている液晶表示素子
において、検査パッドおよび外部電極端子は、各々第１
の透明基板上に形成された導電性の第１の層と、有機絶
縁層の形成に用いられる現像液に対して耐食性のある導
電性材料からなり、第１の層の少くとも上面を被覆する
ように形成された第２の層とを備える。
止できる液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 第１の透明基板２に配設された走査線４
および信号線１１と、走査線の信号で開閉動作するスイ
ッチ素子７と、それに接続された画素電極１８と、その
直下に形成される有機絶縁層１４と、走査線または信号
線の片端に形成された検査パッド２０と、走査線および
信号線毎に設けられた外部電極端子３０とを有するマト
リックス基板と、第２の透明基板上に形成された対向電
極を有する対向基板と、マトリックス基板と対向基板と
の間に挟持された液晶層と、を備えている液晶表示素子
において、検査パッドおよび外部電極端子は、各々第１
の透明基板上に形成された導電性の第１の層と、有機絶
縁層の形成に用いられる現像液に対して耐食性のある導
電性材料からなり、第１の層の少くとも上面を被覆する
ように形成された第２の層とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に液晶表示素子は、軽量、薄型化が
可能で、しかも駆動電圧および消費電力が低いという特
徴を有している。このため、ラップトップタイプやポー
タブルタイプのパソコンやワープロのディスプレイとし
て広く用いられている。特に近年は、アクティブマトリ
ックス型液晶表示素子がカラーブラウン管に換わる表示
装置となりつつある。
可能で、しかも駆動電圧および消費電力が低いという特
徴を有している。このため、ラップトップタイプやポー
タブルタイプのパソコンやワープロのディスプレイとし
て広く用いられている。特に近年は、アクティブマトリ
ックス型液晶表示素子がカラーブラウン管に換わる表示
装置となりつつある。
【０００３】このようなアクティブマトリックス型液晶
表示素子は、図６に示すように液晶層を挟持した２枚の
透明基板の内の一方の基板２の表示領域３上に複数のゲ
ート線（走査線ともいう）４と、複数の信号線１１とを
交差させ、これらの交点毎にＴＦＴ（図示せず）および
画素電極（図示せず）を設けたものである。なお、他方
の基板（図示せず）には対向電極が設けられている。
表示素子は、図６に示すように液晶層を挟持した２枚の
透明基板の内の一方の基板２の表示領域３上に複数のゲ
ート線（走査線ともいう）４と、複数の信号線１１とを
交差させ、これらの交点毎にＴＦＴ（図示せず）および
画素電極（図示せず）を設けたものである。なお、他方
の基板（図示せず）には対向電極が設けられている。
【０００４】また、上記ゲート線４および信号線１１の
各々には、検査パッド２０および外部電極端子（以下、
単にパッドという）３０が設けられている。検査パッド
２０は対応する配線に接続されており、上記対応する配
線のオープンショートテストをするのに用いられる。パ
ッド３０は配線２８を介して対応する検査パッド２０に
接続されており、外部との電気信号の受渡しに用いられ
る。
各々には、検査パッド２０および外部電極端子（以下、
単にパッドという）３０が設けられている。検査パッド
２０は対応する配線に接続されており、上記対応する配
線のオープンショートテストをするのに用いられる。パ
ッド３０は配線２８を介して対応する検査パッド２０に
接続されており、外部との電気信号の受渡しに用いられ
る。
【０００５】なお、配線４，１１は導電率の関係上、Ａ
ｌを用いることが多く、またこれらの検査パッド２０お
よびパッド３０はゲート線４または信号線１１の製造工
程中に形成されるのが一般的であり、これらの配線４，
１１と同じ材料から形成される。
ｌを用いることが多く、またこれらの検査パッド２０お
よびパッド３０はゲート線４または信号線１１の製造工
程中に形成されるのが一般的であり、これらの配線４，
１１と同じ材料から形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のアク
ティブマトリックス型液晶表示装置においては、ＴＦＴ
とゲート線と信号線と画素電極が、基板表面から１μｍ
程度の距離の間に形成されているため、ゲート線と画素
電極、信号線と画素電極の距離が近い場合は、互いに電
気的な影響を及ぼし合う。そこで、ゲート線と画素電極
との間および信号線と画素電極との間には、通常５μｍ
程度の間隔を設け、互いに電気的な影響を及ぼし合わな
いようにしていた。
ティブマトリックス型液晶表示装置においては、ＴＦＴ
とゲート線と信号線と画素電極が、基板表面から１μｍ
程度の距離の間に形成されているため、ゲート線と画素
電極、信号線と画素電極の距離が近い場合は、互いに電
気的な影響を及ぼし合う。そこで、ゲート線と画素電極
との間および信号線と画素電極との間には、通常５μｍ
程度の間隔を設け、互いに電気的な影響を及ぼし合わな
いようにしていた。
【０００７】このため、ゲート線と信号線と画素電極の
間隔部分で、開口率が小さくなり表示素子としての輝度
が低下するという欠点があった。この欠点を補う構造と
して、画素電極の下に１〜１０μｍ程度の、比誘電率の
低い有機絶縁材からなる絶縁層を設けることにより、画
素電極への電気的影響を低減する構造とした改良型の液
晶表示素子が提案されている。
間隔部分で、開口率が小さくなり表示素子としての輝度
が低下するという欠点があった。この欠点を補う構造と
して、画素電極の下に１〜１０μｍ程度の、比誘電率の
低い有機絶縁材からなる絶縁層を設けることにより、画
素電極への電気的影響を低減する構造とした改良型の液
晶表示素子が提案されている。
【０００８】しかし、画素電極下の絶縁層を有機絶縁
材、例えば感光性樹脂で形成した場合には、感光性樹脂
の現像液で電極が腐食したり、ＩＴＯからなる画素電極
をパターニングする際には、ポジ型感光性樹脂（ポジ型
フォトレジスト）の現像液及びＩＴＯのエッチング液で
電極が腐食するなどの問題があった。
材、例えば感光性樹脂で形成した場合には、感光性樹脂
の現像液で電極が腐食したり、ＩＴＯからなる画素電極
をパターニングする際には、ポジ型感光性樹脂（ポジ型
フォトレジスト）の現像液及びＩＴＯのエッチング液で
電極が腐食するなどの問題があった。
【０００９】具体的な例を述べると、例えばアルミニ
ウム（Ａ１）を用いてパッド３０、検査パッド２０及び
補助容量電極（図示せず）等を形成し、画素電極下の絶
縁層を感光性樹脂で形成した場合、一般的な感光性樹脂
の現像液がアルカリ性水溶液であるためＡ１からなるパ
ッド３０、検査パッド２０及び補助容量電極、等が腐食
される問題と、ＩＴＯからなる画素電極のパターニン
グに一般的に用いられるポジ型フォトレジストの現像液
がやはりアルカリ性水溶液であるためＡ１からなるパッ
ド３０、検査パッド２０及び補助容量電極、等が腐食さ
れる問題と、ＩＴＯからなる画素電極のパターニング
に一般的に用いられるエッチング液が酸性水溶液である
ためＡ１からなるパッド３０、検査パッド２０及び補助
容量電極、等が腐食されるという問題とが、発生する。
ウム（Ａ１）を用いてパッド３０、検査パッド２０及び
補助容量電極（図示せず）等を形成し、画素電極下の絶
縁層を感光性樹脂で形成した場合、一般的な感光性樹脂
の現像液がアルカリ性水溶液であるためＡ１からなるパ
ッド３０、検査パッド２０及び補助容量電極、等が腐食
される問題と、ＩＴＯからなる画素電極のパターニン
グに一般的に用いられるポジ型フォトレジストの現像液
がやはりアルカリ性水溶液であるためＡ１からなるパッ
ド３０、検査パッド２０及び補助容量電極、等が腐食さ
れる問題と、ＩＴＯからなる画素電極のパターニング
に一般的に用いられるエッチング液が酸性水溶液である
ためＡ１からなるパッド３０、検査パッド２０及び補助
容量電極、等が腐食されるという問題とが、発生する。
【００１０】このため、信頼性が低下するとともに品質
が劣化するおそれがある。
が劣化するおそれがある。
【００１１】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
であって、信頼性の低下および品質の劣化を可及的に防
止することができる液晶表示素子を提供することを目的
とする。
であって、信頼性の低下および品質の劣化を可及的に防
止することができる液晶表示素子を提供することを目的
とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明による液晶表示素
子は、第１の透明基板にマトリックス状に配設された複
数の走査線および複数の信号線と、前記走査線と前記信
号線との交差部毎に形成され、一端が前記信号線に接続
されて前記走査線の信号に基づいて開閉動作するスイッ
チ素子と、前記スイッチ素子毎に接続され形成された複
数の画素電極と、前記画素電極の直下に形成される有機
絶縁層と、前記走査線または信号線の少なくとも片端に
形成された複数の検査パッドと、前記走査線および信号
線の各々に対して設けられ、外部との電気信号の受渡し
を行う複数の外部電極端子とを有するマトリックス基板
と、第２の透明基板上に形成された対向電極を有する対
向基板と、前記マトリックス基板と前記対向基板との間
に挟持された液晶層と、を備えている液晶表示素子にお
いて、前記検査パッドおよび外部電極端子は、各々前記
第１の透明基板上に形成された導電性の第１の層と、前
記有機絶縁層の形成に用いられる現像液に対して耐食性
のある導電性材料からなり、前記第１の層の少くとも上
面を被覆するように形成された第２の層とを備えている
ことを特徴とする。
子は、第１の透明基板にマトリックス状に配設された複
数の走査線および複数の信号線と、前記走査線と前記信
号線との交差部毎に形成され、一端が前記信号線に接続
されて前記走査線の信号に基づいて開閉動作するスイッ
チ素子と、前記スイッチ素子毎に接続され形成された複
数の画素電極と、前記画素電極の直下に形成される有機
絶縁層と、前記走査線または信号線の少なくとも片端に
形成された複数の検査パッドと、前記走査線および信号
線の各々に対して設けられ、外部との電気信号の受渡し
を行う複数の外部電極端子とを有するマトリックス基板
と、第２の透明基板上に形成された対向電極を有する対
向基板と、前記マトリックス基板と前記対向基板との間
に挟持された液晶層と、を備えている液晶表示素子にお
いて、前記検査パッドおよび外部電極端子は、各々前記
第１の透明基板上に形成された導電性の第１の層と、前
記有機絶縁層の形成に用いられる現像液に対して耐食性
のある導電性材料からなり、前記第１の層の少くとも上
面を被覆するように形成された第２の層とを備えている
ことを特徴とする。
【００１３】このように構成された本発明の液晶表示素
子によれば、検査パッドおよび外部電源端子の第１の層
の少くとも上面は、有機絶縁層の形成に用いられる現像
液に対して耐食性のある導電性材料からなる第２の層に
よって覆われているため、検査パッドおよび外部電源端
子を対応する走査線または信号線と同じ工程で形成して
も第１の層は上記現像液によって腐食されることはな
い。これにより信頼性の低下および品質の劣化を防止す
ることができる。
子によれば、検査パッドおよび外部電源端子の第１の層
の少くとも上面は、有機絶縁層の形成に用いられる現像
液に対して耐食性のある導電性材料からなる第２の層に
よって覆われているため、検査パッドおよび外部電源端
子を対応する走査線または信号線と同じ工程で形成して
も第１の層は上記現像液によって腐食されることはな
い。これにより信頼性の低下および品質の劣化を防止す
ることができる。
【００１４】また第１の層の側部が無機絶縁膜によって
覆われるように形成すれば、第１の層が上記現像液によ
って腐食されるのを、更に防止することが可能となる。
覆われるように形成すれば、第１の層が上記現像液によ
って腐食されるのを、更に防止することが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明による液晶表示素子の第１
の実施の形態を図１乃至図２を参照して説明する。この
実施の形態の液晶表示素子はアクティブマトリックス型
液晶表示素子であって、表示領域に形成されるＴＦＴ近
傍の断面を図２に示し、表示領域以外の領域に形成され
る検査パッド２０の断面を図１に示す。
の実施の形態を図１乃至図２を参照して説明する。この
実施の形態の液晶表示素子はアクティブマトリックス型
液晶表示素子であって、表示領域に形成されるＴＦＴ近
傍の断面を図２に示し、表示領域以外の領域に形成され
る検査パッド２０の断面を図１に示す。
【００１６】この実施の形態の液晶表示素子は図２に示
すように、透明基板２上にＡｌからなるゲート線（走査
線ともいう）４が形成されており、このゲート線４上に
はＳｉＯ２あるいはＳｉＮからゲート絶縁膜６が形成さ
れている。そしてゲート線４の所定領域上のゲート絶縁
膜６上にはＴＦＴ７の半導体層８が設けられている。こ
の半導体層８の一方の端部を覆うようにＡｌ層９ａおよ
びＭｏ層９ｂからなる２層構造のソース電極９が形成さ
れ、他方の端部を覆うようにＡｌ層１１ａおよびＭｏ層
１１ｂからなる２層構造の信号線１１が形成されてい
る。なお、ソース電極９と信号線１１とは同一の製造プ
ロセスを用いて同時に形成される。そしてこれらのソー
ス電極９、信号線１１、および画素領域を覆うように例
えばポジ型感光性樹脂からなる有機絶縁層１４が形成さ
れている。この絶縁層１４の画素領域上にはＩＴＯから
なる画素電極１８が形成されており、この画素電極１８
は絶縁層１４内に設けられたコンタクトホール１７を介
してソース電極９に接続している。
すように、透明基板２上にＡｌからなるゲート線（走査
線ともいう）４が形成されており、このゲート線４上に
はＳｉＯ２あるいはＳｉＮからゲート絶縁膜６が形成さ
れている。そしてゲート線４の所定領域上のゲート絶縁
膜６上にはＴＦＴ７の半導体層８が設けられている。こ
の半導体層８の一方の端部を覆うようにＡｌ層９ａおよ
びＭｏ層９ｂからなる２層構造のソース電極９が形成さ
れ、他方の端部を覆うようにＡｌ層１１ａおよびＭｏ層
１１ｂからなる２層構造の信号線１１が形成されてい
る。なお、ソース電極９と信号線１１とは同一の製造プ
ロセスを用いて同時に形成される。そしてこれらのソー
ス電極９、信号線１１、および画素領域を覆うように例
えばポジ型感光性樹脂からなる有機絶縁層１４が形成さ
れている。この絶縁層１４の画素領域上にはＩＴＯから
なる画素電極１８が形成されており、この画素電極１８
は絶縁層１４内に設けられたコンタクトホール１７を介
してソース電極９に接続している。
【００１７】また、ゲート線４および信号線１１の各々
の配線の両端部には図６に示すようにオープショートテ
スト等を行うための一対の検査パッド２０が設けられて
おり、これらの一対の検査パッド２０のうちの一方の検
査パッドには配線２８を介して外部電極端子３０（以
下、単にパッド３０という）が接続されている。パッド
３０は外部との電気信号の受渡しに用いられる。これら
の検査パッド２０およびパッドは透明基板２の表示領域
以外の領域に形成される。以下の説明では検査パッド２
０のみについて説明するが、パッド３０についても同様
である。
の配線の両端部には図６に示すようにオープショートテ
スト等を行うための一対の検査パッド２０が設けられて
おり、これらの一対の検査パッド２０のうちの一方の検
査パッドには配線２８を介して外部電極端子３０（以
下、単にパッド３０という）が接続されている。パッド
３０は外部との電気信号の受渡しに用いられる。これら
の検査パッド２０およびパッドは透明基板２の表示領域
以外の領域に形成される。以下の説明では検査パッド２
０のみについて説明するが、パッド３０についても同様
である。
【００１８】この実施の形態の液晶表示素子の検査パッ
ド２０は、図１に示すように透明基板２上に形成された
Ａｌ層２１と、このＡｌ層を被覆するように形成された
Ｍｏ層２２と、このＭｏ層２２を覆うように形成された
ＩＴＯ層２４とを有している。Ａｌ層２１はこのＡｌ層
２１の検査パッド２０が接続されているゲート線４また
は信号線１１と同時に形成される。
ド２０は、図１に示すように透明基板２上に形成された
Ａｌ層２１と、このＡｌ層を被覆するように形成された
Ｍｏ層２２と、このＭｏ層２２を覆うように形成された
ＩＴＯ層２４とを有している。Ａｌ層２１はこのＡｌ層
２１の検査パッド２０が接続されているゲート線４また
は信号線１１と同時に形成される。
【００１９】Ｍｏ層２２は、後述するようにＡｌ層２１
が腐食されるのを防止するとともにＡｌ層２１とＩＴＯ
層２４とを直接接触させた場合にＩＴＯの酸化物が還元
されて不透明になるのを防止するバリアメタルとしても
用いられる。そしてゲート線４に接続された検査パッド
２０のＭｏ層２２は、信号線１１に接続された検査パッ
ドのＭｏ層２２と同時に形成される。ＩＴＯ層２４は画
素電極１８の形成と同時に形成される。
が腐食されるのを防止するとともにＡｌ層２１とＩＴＯ
層２４とを直接接触させた場合にＩＴＯの酸化物が還元
されて不透明になるのを防止するバリアメタルとしても
用いられる。そしてゲート線４に接続された検査パッド
２０のＭｏ層２２は、信号線１１に接続された検査パッ
ドのＭｏ層２２と同時に形成される。ＩＴＯ層２４は画
素電極１８の形成と同時に形成される。
【００２０】このように本実施の形態の液晶表示素子に
よれば、画素電極１８下の有機絶縁層１４の形成時に
は、検査パッド２０、パッド３０等の電極のＡｌ層２１
は、アルカリ性水溶液（絶縁層１４の現象液）に対して
耐食性のあるＭｏ層２２によって覆われているため、上
記現像液によって腐食するのを防止できる。また画素電
極１８のパターニング時には検査パッド２０、パッド３
０等の電極のＡｌ層２１は、ＩＴＯ層２４によって覆わ
れているため、画素電極１８のパターニングに一般的に
用いられるポジ型フォトレジストのアルカリ性現像液
や、酸性のエッチ液に対して耐食性があり、これらの液
により上記電極が腐食するのを防止することができる。
よれば、画素電極１８下の有機絶縁層１４の形成時に
は、検査パッド２０、パッド３０等の電極のＡｌ層２１
は、アルカリ性水溶液（絶縁層１４の現象液）に対して
耐食性のあるＭｏ層２２によって覆われているため、上
記現像液によって腐食するのを防止できる。また画素電
極１８のパターニング時には検査パッド２０、パッド３
０等の電極のＡｌ層２１は、ＩＴＯ層２４によって覆わ
れているため、画素電極１８のパターニングに一般的に
用いられるポジ型フォトレジストのアルカリ性現像液
や、酸性のエッチ液に対して耐食性があり、これらの液
により上記電極が腐食するのを防止することができる。
【００２１】以上により信頼性の低下および品質の劣化
を可及的に防止することができる。
を可及的に防止することができる。
【００２２】次に本発明による液晶表示素子の第２の実
施の形態を図３を参照して説明する。この実施の形態の
液晶表示素子は、第１の実施の形態の液晶表示素子にお
いて、画素電極１８下の有機絶縁膜１４を、赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）、青（Ｂ）からなる着色層１６ａ，１６ｂ，１
６ｃに置換えたものである（図３参照）。これらの着色
層は顔料が含有されたネガレジストから形成される。こ
の第２の実施の形態においては、検査パッド２０やパッ
ド３０は第１の実施の形態と同様に図１に示す構成を有
しており、着色層１６ａ，１６ｂ，１６ｃの現像液や、
画素電極１８の形成時に用いられる現像液およびエッチ
ング液によって腐食されるのを防止することが可能とな
る。これにより信頼性の低下および品質の劣化を可及的
に防止することができる。
施の形態を図３を参照して説明する。この実施の形態の
液晶表示素子は、第１の実施の形態の液晶表示素子にお
いて、画素電極１８下の有機絶縁膜１４を、赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）、青（Ｂ）からなる着色層１６ａ，１６ｂ，１
６ｃに置換えたものである（図３参照）。これらの着色
層は顔料が含有されたネガレジストから形成される。こ
の第２の実施の形態においては、検査パッド２０やパッ
ド３０は第１の実施の形態と同様に図１に示す構成を有
しており、着色層１６ａ，１６ｂ，１６ｃの現像液や、
画素電極１８の形成時に用いられる現像液およびエッチ
ング液によって腐食されるのを防止することが可能とな
る。これにより信頼性の低下および品質の劣化を可及的
に防止することができる。
【００２３】なお図３から分かるように、画素内のゲー
ト絶縁膜上には補助容量電極１２が設けられている。こ
の補助容量電極１２もＡｌ層およびＭｏ層からなる２層
構造となっており、着色層１６ａ，１６ｂ，１６ｃの現
像液や、画素電極１８の形成時に用いられる現像液およ
びエッチング液によって腐食されるのを防止することが
可能となる。
ト絶縁膜上には補助容量電極１２が設けられている。こ
の補助容量電極１２もＡｌ層およびＭｏ層からなる２層
構造となっており、着色層１６ａ，１６ｂ，１６ｃの現
像液や、画素電極１８の形成時に用いられる現像液およ
びエッチング液によって腐食されるのを防止することが
可能となる。
【００２４】次に本発明による液晶表示素子の第３の実
施の形態を図４および図５を参照して説明する。この実
施の形態の液晶表示素子はアクティブマトリックス型液
晶表示素子であって、その平面図を図５（ａ）に示し、
図５（ａ）の切断線Ａ−Ａ′で切断した断面図を図５
（ｂ）に示す。また、検査パッド２０の断面図を図４に
示す。
施の形態を図４および図５を参照して説明する。この実
施の形態の液晶表示素子はアクティブマトリックス型液
晶表示素子であって、その平面図を図５（ａ）に示し、
図５（ａ）の切断線Ａ−Ａ′で切断した断面図を図５
（ｂ）に示す。また、検査パッド２０の断面図を図４に
示す。
【００２５】この実施の形態の液晶表示素子は、図５
（ｂ）に示すように透明基板２上にＡｌからなるゲート
線４が形成されており、このゲート線４を覆うようにＳ
ｉＯ2あるいはＳｉＮからなるゲート絶縁膜６が形成さ
れている。そしてゲート絶縁膜６上にはＴＦＴの半導体
層８が形成され（図５（ａ）参照）、この半導体層８の
一端を覆うように、Ａｌ層およびＭｏ層からなるソース
電極９が形成されている（図５（ａ）参照）。またこの
ゲート絶縁膜６上にはゲート線４と直交するようにＡｌ
層１１ａおよびＭｏ層１１ｂの２層構造の信号線１１が
形成されている（図５（ａ）、（ｂ）参照）。なおソー
ス電極９と信号線１１は同時に形成される。これらのソ
ース電極９および信号線１１は例えばＳｉＯ2 またはＳ
ｉＮからなる無機絶縁膜４３によって覆われている。そ
してこの絶縁膜４３上には例えばポジ型のレジストから
なる有機絶縁膜４５が形成され、この絶縁膜４５上には
ＩＴＯからなる画素電極５０が形成されている。なお、
この画素電極５０は絶縁膜４３、４５内に設けられたコ
ンタクトホール（図示せず）を介してソース電極９に接
続されている。
（ｂ）に示すように透明基板２上にＡｌからなるゲート
線４が形成されており、このゲート線４を覆うようにＳ
ｉＯ2あるいはＳｉＮからなるゲート絶縁膜６が形成さ
れている。そしてゲート絶縁膜６上にはＴＦＴの半導体
層８が形成され（図５（ａ）参照）、この半導体層８の
一端を覆うように、Ａｌ層およびＭｏ層からなるソース
電極９が形成されている（図５（ａ）参照）。またこの
ゲート絶縁膜６上にはゲート線４と直交するようにＡｌ
層１１ａおよびＭｏ層１１ｂの２層構造の信号線１１が
形成されている（図５（ａ）、（ｂ）参照）。なおソー
ス電極９と信号線１１は同時に形成される。これらのソ
ース電極９および信号線１１は例えばＳｉＯ2 またはＳ
ｉＮからなる無機絶縁膜４３によって覆われている。そ
してこの絶縁膜４３上には例えばポジ型のレジストから
なる有機絶縁膜４５が形成され、この絶縁膜４５上には
ＩＴＯからなる画素電極５０が形成されている。なお、
この画素電極５０は絶縁膜４３、４５内に設けられたコ
ンタクトホール（図示せず）を介してソース電極９に接
続されている。
【００２６】また、第１および第２の実施の形態と同様
に、各ゲート線４および各信号線１１の両端部には一対
の検査パッド２０が設けられている（図６参照）。そし
てこれらの一対の検査パッド２０のうちの一方の検査パ
ッドには配線を介してパッドが接続されている（図６参
照）。
に、各ゲート線４および各信号線１１の両端部には一対
の検査パッド２０が設けられている（図６参照）。そし
てこれらの一対の検査パッド２０のうちの一方の検査パ
ッドには配線を介してパッドが接続されている（図６参
照）。
【００２７】この実施の形態の液晶表示素子の検査パッ
ド２０は、図４に示すように、透明基板２上に形成され
たＡｌ層２１と、このＡｌ層２１上に形成されたＭｏ層
２２と、これらのＡｌ層２１およびＭｏ層２２の少なく
とも側部を覆うように形成されたＳｉＯ2 またはＳｉＮ
からなる無機絶縁膜２３と、上記Ｍｏ層２２上にこのＭ
ｏ層２２と電気的に接触するように形成されたＩＴＯ層
２４とを有している。
ド２０は、図４に示すように、透明基板２上に形成され
たＡｌ層２１と、このＡｌ層２１上に形成されたＭｏ層
２２と、これらのＡｌ層２１およびＭｏ層２２の少なく
とも側部を覆うように形成されたＳｉＯ2 またはＳｉＮ
からなる無機絶縁膜２３と、上記Ｍｏ層２２上にこのＭ
ｏ層２２と電気的に接触するように形成されたＩＴＯ層
２４とを有している。
【００２８】Ａｌ層２１は、このＡｌ層の検査パッド２
０が接続されているゲート線４また信号線１１と同時に
形成される。ゲート線４に接続された検査パッド２０の
Ｍｏ層２２は、信号線１１に接続された検査パッド２０
のＭｏ層２２と同時に形成される。またＩＴＯ層２４は
画素電極５０の形成と同時に形成される。
０が接続されているゲート線４また信号線１１と同時に
形成される。ゲート線４に接続された検査パッド２０の
Ｍｏ層２２は、信号線１１に接続された検査パッド２０
のＭｏ層２２と同時に形成される。またＩＴＯ層２４は
画素電極５０の形成と同時に形成される。
【００２９】このように本実施の形態の液晶表示素子に
よれば、画素電極５０下の有機絶縁層４５の形成時に
は、検査パッド２０、パッド３０等の電極のＡｌ層２１
は、アルカリ水溶液に対して耐食性のあるＭｏ層２２お
よび無機絶縁膜２３によって覆われているため、有機絶
縁膜４５の形成時に使用されるアルカリ製の現像液によ
る腐食を防止することができる。また、画素電極１８の
パターニング時には、検査パッド２０、パッド３０等の
電極のＡｌ層２１は、ＩＴＯ膜２４および無機絶縁膜２
３によって覆われているため、画素電極１８のパターニ
ング時に使用されるアルカリ性の現像液や酸性のエッチ
ング液によって腐食されるのを防止することが可能とな
る。以上により、信頼性の低下および品質の劣化を可及
的に防止することができる。
よれば、画素電極５０下の有機絶縁層４５の形成時に
は、検査パッド２０、パッド３０等の電極のＡｌ層２１
は、アルカリ水溶液に対して耐食性のあるＭｏ層２２お
よび無機絶縁膜２３によって覆われているため、有機絶
縁膜４５の形成時に使用されるアルカリ製の現像液によ
る腐食を防止することができる。また、画素電極１８の
パターニング時には、検査パッド２０、パッド３０等の
電極のＡｌ層２１は、ＩＴＯ膜２４および無機絶縁膜２
３によって覆われているため、画素電極１８のパターニ
ング時に使用されるアルカリ性の現像液や酸性のエッチ
ング液によって腐食されるのを防止することが可能とな
る。以上により、信頼性の低下および品質の劣化を可及
的に防止することができる。
【００３０】上記第１乃至第３の実施の形態において
は、検査パッド２０のＭｏ層２２およびソース電極９ま
たは信号線１１のＭｏ層９ｂ、１１ｂはＡｌ層とＩＴＯ
層とが接触することによりＩＴＯ層の酸化物が還元され
て不透明となるのを防止するとともにＡｌ層が現像液等
によって腐食されるのを防止するバリアメタルとして用
いられている。このバリアメタルとしてＭｏの代わりに
Ｔｉ、Ｃｒ、ＴｉＮ等の金属を用いても同様の効果を奏
することは云うまでもない。
は、検査パッド２０のＭｏ層２２およびソース電極９ま
たは信号線１１のＭｏ層９ｂ、１１ｂはＡｌ層とＩＴＯ
層とが接触することによりＩＴＯ層の酸化物が還元され
て不透明となるのを防止するとともにＡｌ層が現像液等
によって腐食されるのを防止するバリアメタルとして用
いられている。このバリアメタルとしてＭｏの代わりに
Ｔｉ、Ｃｒ、ＴｉＮ等の金属を用いても同様の効果を奏
することは云うまでもない。
【００３１】また、上記第１乃至第３の実施の形態にお
いては、アクティブマトリックス型液晶表示素子につい
て説明したが、シンプルマトリックス型液晶表示素子に
本発明を適用できることは云うまでもない。
いては、アクティブマトリックス型液晶表示素子につい
て説明したが、シンプルマトリックス型液晶表示素子に
本発明を適用できることは云うまでもない。
【００３２】また、上記第１乃至第３の実施の形態にお
いては、信号線及びゲート線の両端に検査パッドを配置
しているが、片側を検査パッドの代わりにＴＡＢを用い
ることができる。
いては、信号線及びゲート線の両端に検査パッドを配置
しているが、片側を検査パッドの代わりにＴＡＢを用い
ることができる。
【００３３】また、上記第１乃至第３の実施の形態にお
いては、検査パッドは信号線及びゲート線の各々に設け
たが一方の配線の両端もしくは片端にだけ設けても同様
の効果を奏することは言うまでもない。
いては、検査パッドは信号線及びゲート線の各々に設け
たが一方の配線の両端もしくは片端にだけ設けても同様
の効果を奏することは言うまでもない。
【００３４】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、信頼
性の低下および品質の劣化を可及的に防止することがで
きる。
性の低下および品質の劣化を可及的に防止することがで
きる。
【図１】本発明による液晶表示素子の第１の実施の形態
にかかる検査パッドの構成を示す断面図。
にかかる検査パッドの構成を示す断面図。
【図２】第１の実施の形態のＴＦＴ近傍の構成を示す断
面図。
面図。
【図３】本発明による液晶表示素子の第２の実施の形態
の構成を示す断面図。
の構成を示す断面図。
【図４】本発明による液晶表示素子の第３の実施の形態
にかかる検査パッドの構成を示す断面図。
にかかる検査パッドの構成を示す断面図。
【図５】第３の実施の形態の液晶表示素子の構成図。
【図６】アクティブマトリックス型液晶表示素子のマト
リックス基板の平面図。
リックス基板の平面図。
２ 透明基板 ３ 表示領域 ４ ゲート線 ６ ゲート絶縁膜 ７ ＴＦＴ ８ 半導体層 ９ ソース電極 ９ａ Ａｌ層 ９ｂ Ｍｏ層 １１ 信号線 １１ａ Ａｌ層 １１ｂ Ｍｏ層 １２ 補助容量電極 １４ 有機絶縁層 １６ａ、１６ｂ、１６ｃ 着色層 １７ コンタクトホール １８ 画素電極（ＩＴＯ層） ２０ 検査パッド ２１ Ａｌ層 ２２ Ｍｏ層 ２３ 無機絶縁膜 ２４ ＩＴＯ層 ２８ 配線 ３０ 外部電極端子（パッド） ４３ 無機絶縁膜 ４５ 有機絶縁膜 ５０ 画素電極（ＩＴＯ層）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 倉 内 昭 一 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 羽 藤 仁 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内
Claims (6)
- 【請求項１】第１の透明基板にマトリックス状に配設さ
れた複数の走査線および複数の信号線と、前記走査線と
前記信号線との交差部毎に形成され、一端が前記信号線
に接続されて前記走査線の信号に基づいて開閉動作する
スイッチ素子と、前記スイッチ素子毎に接続され形成さ
れた複数の画素電極と、前記画素電極の直下に形成され
る有機絶縁層と、前記走査線または信号線の少なくとも
片端に形成された複数の検査パッドと、前記走査線およ
び信号線の各々に対して設けられ、外部との電気信号の
受渡しを行う複数の外部電極端子とを有するマトリック
ス基板と、 第２の透明基板上に形成された対向電極を有する対向基
板と、 前記マトリックス基板と前記対向基板との間に挟持され
た液晶層と、 を備えている液晶表示素子において、 前記検査パッドおよび外部電極端子は、各々前記第１の
透明基板上に形成された導電性の第１の層と、前記有機
絶縁層の形成に用いられる現像液に対して耐食性のある
導電性材料からなり、前記第１の層の少くとも上面を被
覆するように形成された第２の層とを備えていることを
特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】前記第１の層の側部が無機絶縁層によって
覆われていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示
素子。 - 【請求項３】前記第２の層上にＩＴＯからなる第３の層
が更に形成されていることを特徴とする請求項１または
２記載の液晶表示素子。 - 【請求項４】前記走査線および信号線は各々前記第１の
層と同じ材料の第４の層を有し、前記走査線および信号
線のうちの少なくとも一方は前記第４の層上に形成され
る、前記第２の層と同じ材料からなる第５の層を有し、
前記検査パッドおよび前記外部電源端子は対応する前記
走査線または信号線と同じ工程で形成されることを特徴
とする請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶表示素
子。 - 【請求項５】前記有機絶縁層はカラーフィルタの着色層
であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記
載の液晶表示素子。 - 【請求項６】前記第１の層はＡｌから構成され、前記第
２の層はＭｏ，Ｔｉ，Ｃｒ，ＴｉＮのうちの１つから構
成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに
記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP278697A JPH10197891A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP278697A JPH10197891A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10197891A true JPH10197891A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=11539044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP278697A Pending JPH10197891A (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10197891A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6492666B2 (en) * | 2000-07-17 | 2002-12-10 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | Semiconductor wafer with scribe lines having inspection pads formed thereon |
| US6529251B2 (en) | 1999-02-23 | 2003-03-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
| US6744070B2 (en) | 1998-09-03 | 2004-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor and liquid crystal display device |
| JP2005181705A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置用基板、電気光学装置、検査装置、電子機器、検査方法及び電気光学装置の製造方法 |
| US6977711B2 (en) * | 2000-10-27 | 2005-12-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| JP2008026435A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Nec Lcd Technologies Ltd | 半透過型液晶表示装置及びその製造方法 |
| KR100834868B1 (ko) | 2006-06-23 | 2008-06-03 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 패널 기판, 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US7821281B2 (en) | 2009-02-23 | 2010-10-26 | Faraday Technology Corp. | Method and apparatus of testing die to die interconnection for system in package |
| JP2011043833A (ja) * | 1999-07-22 | 2011-03-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、電子機器、及び携帯型情報端末 |
| JP2016095991A (ja) * | 2014-11-13 | 2016-05-26 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| JP2016095990A (ja) * | 2014-11-13 | 2016-05-26 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
-
1997
- 1997-01-10 JP JP278697A patent/JPH10197891A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2016095991A (ja) * | 2014-11-13 | 2016-05-26 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| JP2016095990A (ja) * | 2014-11-13 | 2016-05-26 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
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