JPH10268346A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 層間絶縁膜を介し設けられる画素電極及びス
イッチング素子を電気的に導通するため、層間絶縁膜に
形成される微細なスルーホールを生産性及び液晶表示素
子の開口率を低下する事無く確実に形成し、導通不良に
よる点欠点を生じる事無く良好な表示品位を得る。 【解決手段】 層間絶縁膜４６のスルーホール形成領域
下方にＴＦＴ１８成膜工程と同一工程にて形成されるゲ
ート下地膜３１ａ、ゲート絶縁膜３２、半導体下地膜３
４ａ、チャネル保護下地膜３６ａ、コンタクト下地膜３
７ａ、ソース電極下地膜４０ａからなる下地膜４４を形
成し、スルーホール４３を形成するためのフォトレジス
ト５６の膜厚を薄くしフォトリソグラフィ工程によるフ
ォトレジスト５６の解像力の低下を抑止し、スルーホー
ル４３を確実に形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電極基板間に液晶
組成物を保持して成る液晶表示装置において、マトリク
ス状に配列されたスイッチング素子にて画素電極を駆動
するアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、薄型軽量且つ高密度大容量であり
ながら高機能更には高精細を得る液晶表示装置の製品化
が図られ、特にカラー化等に優位であると共に、大面積
化も容易である等の理由から透明絶縁性基板上に薄膜ト
ランジスタ（以下ＴＦＴと称する。）や金属・絶縁膜・
金属（以下ＭＩＭと称する。）素子をスイッチング素子
として備えた直視透過型液晶表示装置の展開が図られて
いる。この様な液晶表示装置にあっては、更に大画面
化、高精細化が要求されると共に、高輝度化及び低消費
電力化も要求され、透過型液晶表示装置にあっては、絶
縁性基板上に電気配線及びＴＦＴを設け、その上に層間
絶縁膜を介して画素電極を形成する事により、電極配線
及びＴＦＴ以外の部分を全て開口部として、表示部の開
口率向上を図り、バックライトの消費電力低減を図る装
置の開発が進められている。

【０００３】この様に層間絶縁膜を介し、ＴＦＴの上方
に画素電極を設ける画素電極上置きタイプの透過型液晶
表示装置にあっては、画素電極とＴＦＴとの電気的接合
は層間絶縁膜に微細なスルーホールを開けて行ってい
る。

【０００４】そして従来、層間絶縁膜にコンタクトホー
ルを形成するため、図６に示す第１の従来例あるいは図
８に示す第２の従来例の様な方法が実施されていた。即
ち、第１の従来例にあっては、透過型液晶表示装置の透
明絶縁基板１上に形成される電気配線（図示せず）及び
ＴＦＴ２の全面を被覆する層間絶縁膜３上にフォトレジ
スト４を塗布し、開口パターン６ａが形成されるフォト
マスク６を介してフォトレジスト４のスルーホール７位
置を露光し、更に現像する事によりフォトレジスト４に
開口パターン６ａに対応するパターンを形成した後、フ
ォトレジスト４をマスクにエッチングを行い層間絶縁膜
３にスルーホール７を形成した後、層間絶縁膜３上に画
素電極８をパターン形成し、ＴＦＴ２のソース電極２ａ
と画素電極８とをスルーホール７を介して電気的に接続
していた。

【０００５】又、第２の従来例にあっては、透過型液晶
表示装置の透明絶縁基板１上に形成される電気配線（図
示せず）及びＴＦＴ２の全面を、感光性有機絶縁膜から
なる層間絶縁膜１０にて被覆し、フォトレジストを用い
る事無く開口パターン６ａが形成されたフォトマスク６
を介して層間絶縁膜１０を直接露光し、更に現像する事
により層間絶縁膜１０にスルーホール１１を形成し、Ｔ
ＦＴ２のソース電極２ａと層間絶縁膜１０上に形成され
る画素電極１２とを電気的に接続していた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら第１の従
来例にあっては、フォトレジストは通常１〜２μｍの膜
厚で回転塗布されるため、フォトレジスト表面は下地で
有る層間絶縁膜に対して平坦化される事となり、その結
果フォトレジスト４の膜厚は層間絶縁膜３の凸部３ａに
あっては薄く、層間絶縁膜３の凹部３ｂにあっては厚く
成り、フォトレジスト４の膜厚の厚い部分にあっては、
露光・現像による解像力が低下し、フォトマスク６上の
開口部６ａが微細で有る事から図７に示す様にフォトレ
ジスト４が良好にパターン形成されず、ひいてはスルー
ホール７の形成不良を引き起こし、ソース電極２ａと画
素電極８が電気的に接続不良となり、透過型液晶表示装
置上において点欠点として現れ、表示品位を低下すると
いう問題を生じていた。

【０００７】このため、スルーホールを確実に形成する
ようフォトマスク６上の開口部６ａのパターンを大きく
し、スルーホール７を大きくする方法も考えられるが、
このようにするとＴＦＴ２のソース電極２ａ側も大きく
しなければならず、液晶表示装置の開口率を低下させて
しまうという新たな問題を生じていた。

【０００８】一方第２の従来例にあっても、層間絶縁膜
を構成する感光性有機絶縁膜は通常１〜２μｍの膜厚で
回転塗布されその表面は下地で有る電気配線やＴＦＴに
対して平坦化され、その結果層間絶縁膜１０の膜厚はＴ
ＦＴ２の凸部２ｂにあっては薄く、ＴＦＴ２の凹部２ｃ
にあっては厚く成り、第１の従来例と同様、層間絶縁膜
１０の膜厚の厚い部分にあっては、露光・現像による解
像力が低下し、図９に示す様にスルーホール１１の形成
不良を引き起こし、ソース電極２ａと画素電極１２が電
気的に接続不良となり、透過型液晶表示装置の表示品位
の低下を来すという問題を生じていた。

【０００９】このため、第１の従来例と同様スルーホー
ル１１を大きくする方法も考えられるが、ＴＦＴ２のソ
ース電極２ａ側も大きくしなければならず、第１の従来
例と同様、液晶表示装置の開口率を低下させてしまうと
いう新たな問題を生じていた。

【００１０】そこで本発明は上記課題を除去するもの
で、層間絶縁膜に形成されるスルーホールを介し画素電
極及びＴＦＴを電気的に接続する際に、画素電極の開口
率の低下を来す事無くスルーホールの形成不良を防止
し、ＴＦＴ及び画素電極の確実な接続を図り、従来接続
不良により生じていた液晶表示装置の点欠点による表示
品位の低下を防止し、良好な表示を得られ屡信頼性の高
い液晶表示装置を提供する事を目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
する為、絶縁基板上の複数の信号配線の交点に配列され
るスイッチング素子及び、このスイッチング素子を被覆
する層間絶縁膜上にマトリクス状に配列され、前記層間
絶縁膜に形成されるスルーホールを介して前記スイッチ
ング素子に接続される画素電極を有するアレイ基板と、
共通電極を有し前記アレイ基板に間隙を隔てて対向配置
される対向基板と、前記アレイ基板及び前記対向基板間
に封入される液晶組成物とを具備するアクティブマトリ
クス型液晶表示装置において、前記層間絶縁膜の前記ス
ルーホール形成領域の下方に前記層間絶縁膜成膜位置を
高くする為の下地膜を形成するものである。

【００１２】又本発明は上記課題を解決する為、複数の
信号配線の交点に配列され、ゲート電極上にゲート絶縁
膜を介し半導体層を配し、更に前記半導体層を挟みソー
ス電極並びにドレイン電極を配して成る薄膜トランジス
タ及び、この薄膜トランジスタを被覆する層間絶縁膜上
にマトリクス状に配列され形成され、前記層間絶縁膜に
形成されるスルーホールを介して前記ソース電極に接続
される画素電極を有するアレイ基板と、共通電極を有し
前記アレイ基板に間隙を隔てて対向配置される対向基板
と、前記アレイ基板及び前記対向基板間に封入される液
晶組成物とを具備するアクティブマトリクス型液晶表示
装置において、前記層間絶縁膜の前記スルーホール形成
領域下方に、前記薄膜トランジスタの形成層と同一層を
有する下地膜を形成し、前記層間絶縁膜成膜高さを前記
薄膜トランジスタの最上位の高さとほぼ同等の高さにす
るものである。

【００１３】上記構成により本発明は、スルーホール形
成領域における層間絶縁膜の成膜面を高くする事によ
り、フォトリソグラフィ技術によるスルーホール形成時
に、露光・現像されるフォトレジストあるいは感光性有
機絶縁膜の膜厚を薄く出来、フォトレジストあるいは感
光性有機絶縁膜露光時の解像力の低下を抑制し、開口率
の低下を来す事無くフォトマクスのパターンに応じた微
細なスルーホールを確実に形成し、ＴＦＴと画素電極の
接続不良を解消して、液晶表示装置の表示品位の向上を
図るものである。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
を図１乃至図３を参照して説明する。１７は、アクティ
ブマトリクス型の液晶表示装置であり、スイッチング素
子としてＴＦＴ１８を用いるアレイ基板２０と、対向基
板２１との間に、配向膜２２、２３を介して、液晶組成
物２４を保持して成っている。又、２６、２７は、アレ
イ基板２０及び対向基板２１の外側に夫々貼着される偏
光板である。

【００１５】ここでアレイ基板２０は、透明なガラスか
らなる透明絶縁基板２８上に、膜厚３０００オングスト
ロームのアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、
タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔ
ｉ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）等の金属あるいはこ
れ等金属を一種類以上含んだモリブデン−タングステン
（Ｍｏ−Ｗ）等の合金からなるゲート電極３１及びこの
ゲート電極３１と一体的に形成される信号配線である走
査線３０、並びにゲート電極３１とは電気的に分離され
たゲート下地膜３１ａがパターン形成されている。

【００１６】そしてこれ等の上には、厚さ４０００オン
グストロームの酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等の絶縁膜か
らなる、ゲート絶縁膜３２が被覆され、このゲート絶縁
膜３２を介したゲート電極３１上方には、膜厚５００オ
ングストロームのアモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉ
と称する。）からなる半導体層３４及び膜厚３０００オ
ングストロームの窒化シリコン（ＳｉＮ）等の絶縁膜か
らなるチャネル保護層３６並びに、良好なオーミック性
接触を得るための厚さ５００オングストロームの例えば
リン（Ｐ）イオンを多量にドープしたｎ＋型ａ−Ｓｉ等
からなるコンタクト層３７、膜厚５０００オングストロ
ームのアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タ
ングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔ
ｉ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）等の金属あるいはこ
れ等金属の合金からなり、半導体層３４を挾んで設けら
れるソース電極４０、ドレイン電極４１を有するＴＦＴ
１８が形成されている。

【００１７】一方、ゲート絶縁膜３２を介したゲート下
地膜３１ａ上方には、半導体層３４と同一材料からなり
同一膜厚の半導体下地膜３４ａ及びチャネル保護層３６
と同一材料からなり同一膜厚のチャネル保護下地膜３６
ａ、並びに、コンタクト層３７と同一材料からなり同一
膜厚のコンタクト下地膜３７ａ、ソース電極４０と同一
材料からなり同一膜厚のソース電極下地膜４０ａが形成
され、スルーホール４３下方に下地膜４４を有してい
る。尚４２は、ドレイン電極４１と一体に形成される電
気配線である信号線である。

【００１８】そしてこれ等の上面には、スルーホール４
３が形成される膜厚３０００オングストロームの窒化シ
リコン（ＳｉＮｘ）等の絶縁膜からなる層間絶縁膜４６
が積層され、層間絶縁膜４６上には、膜厚１０００オン
グストロームのインジウム錫酸化物（以下ＩＴＯと称す
る。）からなる画素電極４７が形成され、スルーホール
４３を介してソース電極４０に電気的に接続されてい
る。

【００１９】一方対向基板２１は、透明なガラスからな
る透明絶縁基板４８上にＩＴＯからなる対向電極５０を
有している。

【００２０】次にアレイ基板２０の製造方法について述
べる。先ず透明絶縁基板２８上にスパッタリング法によ
りアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タング
ステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、銅
（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）等の金属あるいはこれ等金属
を一種類以上含んだモリブデン−タングステン（Ｍｏ−
Ｗ）等の合金を成膜し、フォトレジスト（図示せず）を
マスクとしてフォトエッチング加工するフォトリソグラ
フィ技術を用い、走査線３０及びゲート電極３１並びに
ゲート下地膜３１ａをパターン形成する。

【００２１】次に例えば、プラズマＣＶＤ法やスパッタ
リング法等により、ゲート絶縁膜３２、半導体層３４及
びチャネル保護層３６を連続的に成膜し、フォトリソグ
ラフィ技術を用い、チャネル保護層３６及びチャネル保
護下地膜３６ａをパターン形成する。続いて半導体層３
４上に、プラズマＣＶＤ法によりコンタクト層３７を成
膜した後、フォトリソグラフィ技術によりコンタクト層
３７及び半導体層３４を島状にパターン形成すると共
に、コンタクト下地膜３７ａ及び半導体下地膜３４ａを
島状にパターン形成する。

【００２２】更にスパッタリング法等によりアルミニウ
ム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン
（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃ
ｕ）、クロム（Ｃｒ）等の金属あるいはこれ等金属を一
種類以上含む合金からなる導電膜を成膜し、ソース電極
４０、ドレイン電極４１、ソース電極下地膜４０ａ、信
号線４２、をパターン形成する。この後、ＣＶＤ法によ
り層間絶縁膜４６を成膜した上に図３（ａ）に示す様に
フォトレジスト５６を回転塗布し、開口パターン５７ａ
を有するフォトマスク５７を介して開口パターン５７ａ
からスルーホール４３位置を露光し、更に現像する事に
より図３（ｂ）に示す様にフォトレジスト５６に開口パ
ターン５６ａを形成し、更に図３（ｃ）に示すようにフ
ォトレジスト５６をマスクにエッチングを行い層間絶縁
膜４６にスルーホール４３をパターン形成した後、フォ
トレジスト５６を除去する。

【００２３】次いでスパッタ法により層間絶縁膜４６上
にＩＴＯ膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術によりパ
ターン形成して画素電極４７を形成し、スルーホール４
３を介しソース電極４０及び信号線４２に電気的に接続
し、アレイ基板２０を形成する。

【００２４】次に対向基板２１にあっては、透明絶縁基
板４８上にスパッタ法により対向電極５０を全面に形成
する。そしてアレイ基板２０及び対向基板２１の対向面
に、夫々配向膜２２、２３を塗布し、反対面に偏光板２
６、２７を貼着し、両基板２０、２１を対向して組み立
て、セル化する。そして両基板２０、２１間に液晶組成
物２４を注入した後封止し、液晶表示装置１７を形成す
る。

【００２５】この様に構成すれば、透明絶縁基板２８上
のスルーホール４３形成領域下方には、ＴＦＴ１８の形
成層と同一層からなる下地膜４４が形成され、フォトリ
ソグラフィ工程によりスルーホール４３を形成するため
に回転塗布されるフォトレジスト５７の塗布面がＴＦＴ
１８上面とほぼ同等の高さにされる事から、スルーホー
ル形成領域におけるフォトレジスト５７の膜厚を薄く出
来る。従ってフォトレジスト５７の解像力の低下を抑制
出来、フォトマスク５７の開口パターン５７ａが微細で
あってもフォトレジスト５７を確実にパターン形成出
来、ひいてはフォトレジスト５７をマスクにして層間絶
縁膜４６に確実にスルーホール４３を形成出来る。従っ
て液晶表示装置の開口率の低下を来す事無くＴＦＴ１８
と画素電極４７の接続不良を解消出来、表示品位の高い
液晶表示素子を得られる。

【００２６】又下地膜４４は、ＴＦＴ１８の成膜工程と
同一の工程にて形成出来るので、下地膜４４形成のため
の新たな工程が不要で有り、アレイ基板の生産性を損な
う事も無く、製造コストの上昇を招くおそれも無い。

【００２７】次に本発明の第２の実施の形態について図
４及び至図５を参照して説明する。尚本実施の形態は第
１の実施の形態における層間絶縁膜の材質が異なる事か
らスルーホール形成時にフォトレジストを塗布する事無
く、層間絶縁膜に直接フォトリソグラフィ工程を実施す
るものの他は第１の実施の形態と同様で有る事から、第
１の実施の形態と同一部分については同一符号を付しそ
の説明を省略する。

【００２８】即ち本実施の形態にあっては、液晶表示素
子５８を構成するアレイ基板６０の透明絶縁基板２８上
にＴＦＴ１８及び下地膜４４形成後、膜厚２μｍ程度の
感光性有機絶縁膜で有る感光性ポリイミド樹脂からなる
層間絶縁膜６１を塗布し、図５（ａ）に示す様に開口パ
ターン５７ａを有するフォトマスク５７を介して開口パ
ターン５７ａからスルーホール６２位置を露光し、更に
現像する事により図５、（ｂ）に示す様に層間絶縁膜６
１に開口パターン５７ａと同一パターンのスルーホール
６２をパターン形成する。この後スパッタ法により層間
絶縁膜６１上にＩＴＯ膜を成膜し、フォトリソグラフィ
技術によりパターン形成して画素電極４７を形成し、ス
ルーホール６２を介し画素電極４７及びソース電極に電
気的に接続し、アレイ基板６０を形成するものである。

【００２９】この様に構成すれば、第１の実施の形態と
同様、層間絶縁膜６１のスルーホール４３形成領域下方
に設けられる下地膜４４により、スルーホール４３形成
領域における層間絶縁膜６１の膜厚を薄く出来、フォト
リソグラフィ工程時感光性有機絶縁膜からなる層間絶縁
膜６０を直接露光・現像する際の解像力の低下を抑制出
来、微細であってもスルーホール６１の形成を確実に行
え、アレイ基板６０においてＴＦＴ１８と画素電極４７
の接続不良を生じる事が無く、この様なアレイ基板６０
を用いて成る液晶表示装置５８の表示品位を向上出来
る。又第１の実施の形態と同様、下地膜４４をＴＦＴ１
８の形成と同一工程で形成出来、下地膜４４形成に拘わ
らず、アレイ基板の生産性が損なわれず、又製造コスト
の上昇も生じ無い。

【００３０】尚本発明は上記実施の形態に限られるもの
ではなく、その趣旨を変えない範囲での変更は可能であ
って、下地膜の材質や形状等任意で有り、例えばゲート
電極及びゲート下地膜は、夫々分離せずに一体的にパタ
ーン形成しても良いし、アレイ基板形成時ゲート電極と
同層の補助容量電極を設ける場合に補助容量電極の一部
あるいは全部を下地膜に用いる等しても良い。更には、
下地膜をＴＦＴ等のアレイ基板状の他の構成層とは全く
別の材質を用い別体に形成しても良い。ただし、実施の
形態の様に、下地膜を、ＴＦＴの構成層と同一材質及び
同一工程にて形成すれば下地膜形成のための新たな工程
が不要となり、コストの上昇を防止出来る。

【００３１】又下地膜の高さも任意であるが、アレイ基
板上に設けられる形成層の最上位の高さと同等とすれ
ば、スルーホール形成領域におけるフォトレジストある
いは感光性有機絶縁膜の膜厚を最小に出来、フォトレジ
ストあるいは感光性有機絶縁膜の解像力の低下をより抑
制出来、スルーホールの形成不良をより確実に防止し、
信頼性の一層の向上をはかれる。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、層
間絶縁膜を介して設けられる画素電極及びソース電極を
電気的に接続する為のスルーホール形成領域の下方に下
地膜を設ける事により、フォトリソグラフィ工程にて層
間絶縁膜にスルーホールを形成する為層間絶縁膜に塗布
されるフォトレジスト、あるいはフォトリソグラフィ工
程が直接成される感光性有機絶縁膜の、スルーホール形
成領域における膜厚を薄く出来、フォトリソグラフィ工
程による解像力が向上する事から、微細且つ接続信頼性
の高いスルーホールを確実に形成出来、ＴＦＴと画素電
極の接続不良による点欠点等を生じる事が無く、表示品
位の良好な信頼性の高い液晶表示装置を得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態のアレイ基板を示す
一部概略平面図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置を示
す図１のＡ−Ａ´線における概略断面図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態のアレイ基板の製造
工程を示し（ａ）はそのフォトレジスト塗布時、（ｂ）
はそのフォトレジストへの開口パターン形成時、（ｃ）
はその層間絶縁膜へのスルーホール形成時を示す概略説
明図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態の液晶表示装置を示
す概略断面図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態のアレイ基板の製造
工程を示し（ａ）はその層間絶縁膜成膜時、（ｂ）はそ
の層間絶縁膜へスルーホール形成時を示す概略説明図で
ある。

【図６】第１の従来例におけるアレイ基板を示す概略断
面図で有る。

【図７】第１の従来例におけるスルーホールの形成不良
を示す概略説明図である。

【図８】第２の従来例におけるアレイ基板を示す概略断
面図で有る。

【図９】第２の従来例におけるスルーホールの形成不良
を示す概略説明図である。

【符号の説明】

１７…液晶表示装置 １８…ＴＦＴ ２０…アレイ基板 ２２、２３…配向膜 ２４…液晶組成物 ２６、２７…偏光板 ２８…透明絶縁基板 ３０…走査線 ３１…ゲート電極 ３１ａ…ゲート下地膜 ３２…ゲート絶縁膜 ３４…半導体層 ３４ａ…半導体下地膜 ３６…チャネル保護層 ３６ａ…チャネル保護下地膜 ３７…コンタクト層 ３７ａ…コンタクト下地膜 ４０…ソース電極 ４０ａ…ソース電極下地膜 ４１…ドレイン電極 ４２…信号線 ４３…スルーホール ４６…層間絶縁膜 ４７…画素電極 ５６…フォトレジスト ５７…フォトマスク

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板上の複数の信号配線の交点に配
   列されるスイッチング素子及び、このスイッチング素子
   を被覆する層間絶縁膜上にマトリクス状に配列され、前
   記層間絶縁膜に形成されるスルーホールを介して前記ス
   イッチング素子に接続される画素電極を有するアレイ基
   板と、共通電極を有し前記アレイ基板に間隙を隔てて対
   向配置される対向基板と、前記アレイ基板及び前記対向
   基板間に封入される液晶組成物とを具備するアクティブ
   マトリクス型液晶表示装置において、 前記層間絶縁膜の前記スルーホール形成領域の下方に前
   記層間絶縁膜成膜位置を高くする為の下地膜を形成する
   事を特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
2. 【請求項２】 下地膜を、アレイ基板上に設けられる任
   意の形成層と同一工程にて形成する事を特徴とする請求
   項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
3. 【請求項３】 任意の形成層が信号配線及び／又はスイ
   ッチング素子を構成する形成層で有る事を特徴とする請
   求項２に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
4. 【請求項４】 下地膜の上面の高さを、アレイ基板上に
   設けられる任意の形成層の最上位の高さとほぼ同等とす
   る事を特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリク
   ス型液晶表示装置。
5. 【請求項５】 複数の信号配線の交点に配列され、ゲー
   ト電極上にゲート絶縁膜を介し半導体層を配し、更に前
   記半導体層を挟みソース電極並びにドレイン電極を配し
   て成る薄膜トランジスタ及び、この薄膜トランジスタを
   被覆する層間絶縁膜上にマトリクス状に配列され形成さ
   れ、前記層間絶縁膜に形成されるスルーホールを介して
   前記ソース電極に接続される画素電極を有するアレイ基
   板と、共通電極を有し前記アレイ基板に間隙を隔てて対
   向配置される対向基板と、前記アレイ基板及び前記対向
   基板間に封入される液晶組成物とを具備するアクティブ
   マトリクス型液晶表示装置において、 前記層間絶縁膜の前記スルーホール形成領域下方に、前
   記薄膜トランジスタの形成層と同一層を有する下地膜を
   形成し、前記層間絶縁膜成膜高さを前記薄膜トランジス
   タの最上位の高さとほぼ同等の高さにする事を特徴とす
   るアクティブマトリクス型液晶表示装置。
6. 【請求項６】 薄膜トランジスタが、半導体層上にチャ
   ネル保護層及びコンタクト層を有し、下地膜が、ゲート
   電極と同層のゲート下地膜、ゲート絶縁膜、前記半導体
   層と同層の半導体下地膜、前記チャネル保護層と同層の
   チャネル保護下地膜、前記コンタクト層と同層のコンタ
   クト下地膜、ソース電極並びにドレイン電極と同層の電
   極下地膜を順次積層して成る事を特徴とする請求項５に
   記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
7. 【請求項７】 層間絶縁膜が感光性有機絶縁膜で有る事
   を特徴とする請求項６に記載のアクティブマトリクス型
   液晶表示装置。