JP3982730B2 - 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタ(以後TFTと記す)をスイッチング素子として搭載したアクティブマトリクス型のTFTアレイ基板の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示装置は、CRTに代わるフラットパネルディスプレイの一つとして盛んに研究が行われており、特に消費電力が小さいことや薄型であるという特徴を活かして、電池駆動の超小型テレビやノートブック型パーソナルコンピュータの表示装置としてすでに実用化されている。液晶表示装置の駆動方法としては、高表示品質の面からTFTをスイッチング素子に用いたアクティブマトリクス型TFTアレイが主として用いられている。
液晶表示装置の低消費電力化には、液晶パネルの画素部の有効表示面積を大きくすること、すなわち画素の高開口率化が有効である。このような高開口率の液晶パネルを得るための有効なTFTアレイとして、走査電極、信号電極、半導体層からなるTFTの形成後に、これらを覆うように透明性樹脂からなる層間絶縁膜を設け、最上層に画素電極を形成する構造が、例えば特許第2521752号公報、特許第2598420号公報及び特開平4−163528号公報等に開示されている。
【0003】
上記の構造で高開口率が得られるのは主に以下の2点による。すなわち、表面が平坦化された透明性樹脂よりなる層間絶縁膜上に画素電極が形成されるので、従来の構造の画素電極の段差部分で生じていた液晶分子の配向乱れによる表示不良(ドメイン現象)を無くすことができ、表示有効面積を増やすことができる点、さらに、0.3μmから2μmと比較的厚膜の層間絶縁膜上に画素電極を形成することによって、層間絶縁膜下層にある走査配線、信号配線と上層の画素電極間の電気的短絡が生じることがないため、これらの配線上にオーバーラップさせるように広い面積で画素電極を形成することが可能である点である。
【0004】
以下に、前述の高開口率TFTアレイの製造工程を簡単に説明する。まず、例えばガラス基板等の透明絶縁性基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層及びソース、ドレイン電極からなるTFTを形成する。次に、TFTに起因する段差を無くすように表面が平坦化された透明性樹脂よりなる層間絶縁膜を形成し、必要な箇所にコンタクトホールを形成する。最後に、ITO等の透明導電膜よりなる画素電極を形成してTFTアレイが完成する。画素電極は、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して下層のドレイン電極と電気的に接続される。
層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する方法は、例えば特開平9−127553号公報及び特開平9−152625号公報に記載されているように、使用する透明性樹脂が感光性のものと非感光性のものとで以下の2つの方法に分けられる。感光性の透明性樹脂を用いる場合は、樹脂を塗布、焼成した後にコンタクトホールのマスクパターンを用いて露光、現像するというレジストを用いない写真製版工程により所望のコンタクトホールを形成する。一方、非感光性の透明性樹脂を用いる場合は、樹脂を塗布、焼成した後にレジストを塗布し、写真製版工程にてコンタクトパターンを形成した後、例えばCF4、CF3あるいはSF6の少なくとも一つを含むガスでドライエッチングし、最後にレジストを除去して所望のコンタクトホールを得る。
【0005】
上述のTFTアレイ基板には、ゲート配線及びソース配線等の各配線と電気的に接続された端子が基板の画像表示部周辺に配列され、各端子と外部端子の接続が行われる端子領域が形成されている。図9は、従来の高開口率のアクティブマトリクス型TFTアレイ基板を示す部分上面図である。図において、1は透明絶縁性基板であるガラス基板、2はガラス基板1上に形成されたゲート配線、3はゲート配線2と交差するソース配線、4はゲート配線2と電気的に接続されたゲート端子、5はソース配線3と電気的に接続されたソース端子、6はゲート配線2及びソース配線3の全てと、ゲート端子4及びソース端子5の画像表示部側の端部を覆うように形成された感光性の透明性樹脂よりなる層間絶縁膜、7はガード抵抗、8は端子部のコンタクトホール、9はガード抵抗部のコンタクトホール、14は製造時におけるTFTの静電破壊を防止するために形成され、各端子をガード抵抗7を介して電気的に接続するショートリングである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従来のアクティブマトリクス基板においては、ゲート端子4及びソース端子5の画像表示部側の端部では、ゲート配線2及びソース配線3等の下層金属配線と上層の透明導電膜は層間絶縁膜6に形成されたコンタクトホール8を介して接続されるが、一方、各端子のガード抵抗7側の端部やガード抵抗7部には層間絶縁膜6が形成されていないため、例えばガード抵抗部のコンタクトホール9を形成するためには、別途、写真製版工程が必要であった。
【0007】
また、画素電極やゲート端子4、ソース端子5の上部導電膜にはITO等の透明導電膜が用いられるが、このITOは基板全面に成膜してパターニングすることにより形成される。ところが、有機膜である層間絶縁膜6上に成膜されたITOと、ガラス基板1上や無機膜上に成膜されたITOでは、結晶成長の仕方やエッチング速度が異なるものとなる。例えば、有機膜上に形成されたITOは無機膜上のITOよりも約2〜5倍のエッチング速度を有するものとなる。実際の製造工程においては、画素電極のパターニング精度の観点から、有機膜からなる層間絶縁膜6上にITOが成膜されている画像表示部にエッチング時間を合わせる必要がある。従って、層間絶縁膜6が形成されていないガード抵抗7側の端子領域では、隣り合うゲート端子4相互間、ソース端子5相互間にITOがエッチングされずに残ってしまうという問題があった。このITOエッチング残は、各端子間のリーク不良が生じる原因となっていた。
また、このリーク不良を低減するためには、まず、エッチング速度の速い有機膜上に形成されたITOに対するエッチング条件(時間)で一度目のエッチングを行い、次に、有機膜上のITOをレジストで保護して、ガラス基板1上や無機膜上に形成されたITOに対するエッチング時間で二度目のエッチングを行う必要があった。この場合には、レジストパターン形成及びエッチングを二回必要とするため、製造工程が煩雑となるという問題があった。
【0008】
本発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、従来よりも少ない工程数で製造することができ、さらにITOエッチング残による端子間リークを防止することが可能な高開口率のTFTアレイ基板の製造方法を得ることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明に係わるTFTアレイ基板の製造方法は、絶縁性基板上に、ゲート配線及びソース配線の各配線及び薄膜トランジスタを形成する第1の工程と、ゲート配線及び上記ソース配線上に、有機樹脂からなる層間絶縁膜を、基板の画像表示部のみならず、少なくとも端子領域の各端子の間と、各端子の画像表示部側と反対側の端部から、製造時における薄膜トランジスタの静電破壊を防止するためのガード抵抗及びショートリングを設ける基板周縁部にも形成する第2の工程と、層間絶縁膜に、薄膜トランジスタのドレイン電極部、各端子の画像表示部側と反対側の端部、及びガード抵抗部にコンタクトホールをそれぞれ同時に形成する第3の工程と、基板上に、ITOからなる透明導電膜を成膜し、レジストパターニング及びエッチングにより、層間絶縁膜上に、画素電極、各端子及びガード抵抗を同時に形成し、画素電極とドレイン電極、各端子の画像表示部側と反対側の端部とゲート配線またはソース配線に電気的に接続される下地金属膜、及びガード抵抗と下地金属膜を、コンタクトホールを介してそれぞれ電気的に接続する第4の工程と、各端子とショートリングの間で基板を切断する第5の工程を含んで製造するようにしたものである。
さらに、第2の工程において、層間絶縁膜として感光性樹脂を用いるものである。
【0010】
【発明の実施の形態】
参考例1.
図1(a)は、本発明の参考例1であるTFTアレイ基板の端子領域を示す部分上面図、図1(b)は、図1(a)中A−Aで示す箇所における部分断面図である。図において、1は透明絶縁性基板であるガラス基板、2はガラス基板1上に複数本形成されたゲート電極を備えたゲート配線であり、このゲート配線2と交差するように複数本のソース配線(図示せず)が形成されている。また、4はゲート配線2と電気的に接続されたゲート端子であり、このゲート端子4や、ソース配線と電気的に接続されたソース端子(図示せず)がガラス基板1の画像表示部周辺に配列され、これらの端子と外部端子の接続が行われる端子領域を形成している。6は例えば感光性樹脂であるアクリル系透明性樹脂よりなる層間絶縁膜、7は各端子を電気的に接続しているショートリングに接続されたガード抵抗、8a、8bはゲート端子部のコンタクトホール、9はガード抵抗部のコンタクトホール、10はゲート絶縁膜、11はパッシベーション膜をそれぞれ示している。なお、本参考例におけるTFTアレイ基板の製造方法は、下記実施の形態1と同様であるため、以下の実施の形態1で説明する。
【0011】
実施の形態1.
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図2(a)は、本発明の実施の形態1であるTFTアレイ基板の端子領域を示す部分上面図、図2(b)は、図2(a)中A−Aで示す箇所における部分断面図であり、A−Aに垂直な方向の断面形状は図1(b)と同様であるので、図1(b)を流用して説明する。図において、1は透明絶縁性基板であるガラス基板、2はガラス基板1上に複数本形成されたゲート電極を備えたゲート配線であり、このゲート配線2と交差するように複数本のソース配線(図示せず)が形成されている。また、4a、4bはゲート配線2と電気的に接続されたゲート端子であり、このゲート端子4a、4bや、ソース配線と電気的に接続されたソース端子(図示せず)がガラス基板1の画像表示部周辺に配列され、これらの端子と外部端子の接続が行われる端子領域を形成している。6は例えば感光性樹脂であるアクリル系透明性樹脂よりなる層間絶縁膜、7は各端子を電気的に接続しているショートリングに接続されたガード抵抗、8a、8bはゲート端子部のコンタクトホール、9はガード抵抗部のコンタクトホール、10はゲート絶縁膜、11はパッシベーション膜をそれぞれ示している。
【0012】
本実施の形態におけるTFTアレイ基板は、ガラス基板1上に形成されたゲート配線2に備えられたゲート電極上にゲート絶縁膜10を介して設けられた半導体層(図示せず)と、この半導体層に接続されたソース電極及びドレイン電極(いずれも図示せず)により、TFTが形成されている。このTFTに起因する段差を無くすように、表面が平坦化された層間絶縁膜6が設けられており、さらにこの層間絶縁膜6上に、層間絶縁膜6に形成されたコンタクトホールによりドレイン電極と接続される透明導電膜よりなる画素電極が広範囲に設けられている。また、ゲート端子4及びガード抵抗7は、図1(b)に示すように、コンタクトホール8a、8b及び9によりそれぞれゲート配線2と電気的に接続されている。
【0013】
以下に、本実施の形態におけるTFTアレイ基板の製造方法を説明する。まず、ガラス基板1上に、例えばCr等の金属膜をスパッタリング法等を用いて約4000Å成膜し、写真製版法にてゲート電極を備えたゲート配線2を形成する。次に、プラズマCVD法等を用いて窒化シリコンからなるゲート絶縁膜10を約4000Å、さらにアモルファスシリコン(以下a−Siと記す)膜を約1200Å、オーミックコンタクト性の不純物ドープのn+型アモルファスシリコン(以下n+−a−Siと記す)膜を約300Å順次成膜し、写真製版法によりTFT部の半導体層となるa−Si膜と、オーミックコンタクト層となるn+−a−Si膜を形成する。
【0014】
次に、スパッタリング法によりn+−a−Si層とオーミックコンタクトがとれるCr等の金属膜を約4000Å成膜し、写真製版法により、ソース電極を備えたソース配線及びドレイン電極を形成する。さらに続けてドライエッチング法により半導体層上のn+−a−Si膜を選択的にエッチングしてチャネル部を形成した後、レジストを除去する。以上が、第1の工程である。次に、TFTを保護するために、窒化シリコン膜をプラズマCVD法等を用いて全面に約1000Å成膜し、パッシベーション膜11を形成する。
【0015】
さらに、第2の工程として、TFTによる段差を無くし表面が平坦化されるように、感光性のアクリル系透明性樹脂をスピンコート法等を用いて塗布、焼成して層間絶縁膜6を形成する。この時、本実施の形態では、層間絶縁膜6を、基板の画像表示部のみならず、少なくとも端子領域の各端子の間と、各端子の画像表示部側と反対側の端部、すなわちガード抵抗7側の端部から、製造時におけるTFTの静電破壊を防止するためのガード抵抗7及びショートリング(図9参照)を設ける基板周縁部にも形成する。
その後、第3の工程として、写真製版法及びドライエッチングにより、パッシシベーション膜11及び層間絶縁膜6に、TFTのドレイン電極部のコンタクトホール(図示せず)と、各端子部のコンタクトホール(図1(b)ではゲート端子部の画像表示部側の端部のコンタクトホール8aと、画像表示部側と反対側の端部のコンタクトホール8b)及びガード抵抗部のコンタクトホール9をそれぞれ同時に形成する。
最後に、第4の工程として、透明導電膜であるITOをスパッタリング法等により約1000Å成膜し、写真製版法によるレジストパターニング及びエッチングにより、画素電極及びゲート端子4、ソース端子等の各端子及びガード抵抗7を形成する。これにより、層間絶縁膜6上に、ITOからなる画素電極、各端子及びガード抵抗が同時に形成され、画素電極とドレイン電極、各端子の画像表示部側と反対側の端部とゲート配線に電気的に接続される下地金属膜2、及びガード抵抗7と下地金属膜2が、層間絶縁膜6に形成されたコンタクトホールを介してそれぞれ電気的に接続される。
【0016】
以上のようにして得られたTFTアレイ基板は、最終的には第5の工程として、各端子とショートリングの間で基板が切断されるため、端子領域の各端子のガード抵抗7側の端部を含む基板周縁部に層間絶縁膜6が設けられていることになる。
本実施の形態におけるTFTアレイ基板の製造方法によれば、層間絶縁膜6に画像表示部内のドレイン電極部のコンタクトホールを形成する際に、ゲート端子部のコンタクトホール8a、8b及びガード抵抗部のコンタクトホール9も同時に形成することができるため、従来、ゲート端子のガード抵抗7側のコンタクトホール8b及びガード抵抗部のコンタクトホール9を形成するために別途行っていた写真製版工程が不要となり、工程数を削減することが可能となる。また、層間絶縁膜6として感光性樹脂を用いたので、レジスト塗布やエッチング後のレジスト剥離工程が不要であり、さらに工程が簡略化される。また、層間絶縁膜6を、各端子のガード抵抗7側の端部からショートリングを含む基板周縁部にも設けたので、最終的にショートリングを切り離す基板切断・面取り時において、下地金属膜を保護するという効果も得られる。
【0017】
本実施の形態では、感光性樹脂よりなる層間絶縁膜6を、端子領域の各端子のガード抵抗7側の端部から、製造時におけるTFTの静電破壊を防止するためのガード抵抗7及びショートリングを含む基板周縁部にも設け、さらに、各端子間(図2ではゲート端子4a、4b間)にも、端子間隔よりも狭い幅で設けた。これにより、従来に比べ工程数を削減することができ、さらに、各端子間にも層間絶縁膜6が形成されているため、層間絶縁膜6上に形成されたITOに対するエッチング条件(時間)でエッチングを行っても端子間にITOが残ることなく、一回のレジストパターン形成及びエッチングでITOのパターン形成を行うことができ、リーク不良の発生を防止することができる。
【0018】
参考例2.
図3は、本発明の参考例2であるTFTアレイ基板の端子領域を示す部分上面図である。図において、12は、各端子間に端子間隔よりも狭い幅で設けられた、ゲート配線2よりも厚い厚膜で断面がテーパー形状でない絶縁膜である厚膜絶縁膜である。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。
本参考例におけるTFTアレイ基板の製造方法は、画素電極、ゲート端子4a、4b及びガード抵抗7を形成するためのITOを成膜する前に厚膜絶縁膜12を形成すること以外は、上記実施の形態1と同様である。なお、本参考例におけるTFTアレイ基板は6枚マスクによって製造されるもので、上記実施の形態1及び参考例1に示した5枚マスクによるTFTアレイ基板とは構造が若干異なり、新たな製造工程を追加することなく厚膜絶縁膜12を形成することができる。
【0019】
本参考例では、感光性樹脂よりなる層間絶縁膜6を、端子領域の各端子のガード抵抗7側の端部から、製造時におけるTFTの静電破壊を防止するためのガード抵抗7及びショートリングを含む基板周縁部にも設け、さらに、透明導電膜であるITOを成膜する前に、端子領域の各端子間(図3ではゲート端子4a、4b間)に、厚膜で断面がテーパー形状でない厚膜絶縁膜12を端子間隔よりも狭い幅で設けた。これにより、上記実施の形態1と同様に、従来に比べ工程数を削減することができ、さらに、各端子間に断面がテーパー形状でない切り立った厚膜絶縁膜12の段差があることで、ITOのカバレッジが悪くなり、リーク不良の発生を防止できる。また、一回のレジストパターン形成及びエッチングでITOのパターン形成を行うことが可能である。
【0020】
参考例3.
図4(a)は、本発明の参考例3であるTFTアレイ基板の端子領域を示す部分上面図、図4(b)は、図4(a)中A−Aで示す箇所における部分断面図である。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。また、本参考例におけるTFTアレイ基板の製造方法は、上記参考例2と同様であるため、説明を省略する。
【0021】
本参考例では、感光性樹脂よりなる層間絶縁膜6を、端子領域の各端子のガード抵抗7側の端部から、製造時におけるTFTの静電破壊を防止するためのガード抵抗7及びショートリングを含む基板周縁部にも設け、さらに、透明導電膜であるITOを成膜する前に、端子領域の各端子(図4ではゲート端子4a、4b)の下層に、ゲート配線2よりも厚い厚膜で断面がテーパー形状でない厚膜絶縁膜12を端子幅よりも広い幅で設けた。これにより、上記実施の形態1と同様に、従来に比べ工程数を削減することができ、さらに、図4(b)に示すように、各端子間に断面がテーパー形状でない切り立った厚膜絶縁膜12の段差があることで、ITOのカバレッジが悪くなり、リーク不良の発生を防止できる。また、一回のレジストパターン形成及びエッチングでITOのパターン形成を行うことが可能である。
【0022】
実施の形態2.
図5(a)は、本発明の実施の形態2であるTFTアレイ基板の端子領域を示す部分上面図、図5(b)は、図5(a)中A−Aで示す箇所における部分断面図である。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。また、本実施の形態におけるTFTアレイ基板の製造方法は、上記参考例2と同様であるため、説明を省略する。
【0023】
本実施の形態は、上記実施の形態1と参考例3を組み合わせたもので、感光性樹脂よりなる層間絶縁膜6を、端子領域の各端子のガード抵抗7側の端部から、製造時におけるTFTの静電破壊を防止するためのガード抵抗7及びショートリングを含む基板周縁部と、各端子間(図5ではゲート端子4a、4b間)にも、端子間隔よりも狭い幅で設け、さらに、透明導電膜であるITOを成膜する前に、端子領域の各端子の下層に、ゲート配線2よりも厚い厚膜で断面がテーパー形状でない厚膜絶縁膜12を端子幅よりも広い幅で設けた。これにより、上記参考例3と同様の効果が得られ、さらに、各端子間にも層間絶縁膜6が形成されているため、層間絶縁膜6上に形成されたITOに対するエッチング条件(時間)でエッチングを行っても端子間にITOが残ることなく、リーク不良の発生をよりいっそう防止する効果がある。
【0024】
参考例4.
図6(a)は、本発明の参考例4であるTFTアレイ基板の端子領域を示す部分上面図、図6(b)は、図6(a)中A−Aで示す箇所における部分断面図である。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。また、本参考例におけるTFTアレイ基板の製造方法は、上記参考例2と同様であるため、説明を省略する。
【0025】
本参考例は、上記参考例2と参考例3を組み合わせたもので、感光性樹脂よりなる層間絶縁膜6を、端子領域の各端子のガード抵抗7側の端部から、製造時におけるTFTの静電破壊を防止するためのガード抵抗7及びショートリングを含む基板周縁部にも設け、さらに、透明導電膜であるITOを成膜する前に、ゲート配線2よりも厚い厚膜で断面がテーパー形状でない厚膜絶縁膜12を、端子領域の各端子間(図6ではゲート端子4a、4b間)に端子間隔よりも狭い幅で、且つ各端子の下層に端子幅よりも広い幅で設けた。これにより、上記参考例3と同様の効果が得られ、さらに、各端子間に断面がテーパー形状でない切り立った厚膜絶縁膜12の段差が複数あるため、ITOのカバレッジが悪くなり、リーク不良の発生をよりいっそう防止する効果がある。
【0026】
参考例5.
図7は、本発明の参考例5であるTFTアレイ基板の端子領域を示す部分上面図である。図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。また、本参考例におけるTFTアレイ基板の製造方法は、上記実施の形態1と同様であるため、説明を省略する。
本参考例では、感光性の層間絶縁膜6を、端子領域全面及び製造時におけるTFTの静電破壊を防止するためのガード抵抗7及びショートリングを含む基板周縁部にも設けた。これにより、上記実施の形態1と同様に、従来より工程数を削減することができ、さらに、各端子間にも層間絶縁膜6が形成されているため、層間絶縁膜6上に形成されたITOに対するエッチング時間でエッチングを行っても端子間にITOが残ることなく、一回のレジストパターン形成及びエッチングでITOのパターン形成を行うことができ、リーク不良の発生を防止することができる。ただし、本参考例では、端子の上部導電膜であるITOに対する下地が層間絶縁膜6となるため、端子下地の大半に層間絶縁膜6が存在しない上記実施の形態1、2及び参考例1〜4の方が、端子の上部導電膜と下地の密着力の点では優れている。
【0027】
参考例6.
図8は、本発明の参考例6であるTFTアレイ基板の製造方法を示す部分上面図である。図において、13はレジストパターンを示している。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。
本参考例では、上記実施の形態1に記載した第4の工程、すなわちTFT及び層間絶縁膜6が形成された基板上に透明導電膜であるITOを成膜し、レジストパターニング及びエッチングにより画素電極、各端子及びガード抵抗7を形成する工程において、図8(a)に示すように、各端子のレジストパターン13を、感光性のアクリル系透明性樹脂等の有機膜よりなる層間絶縁膜6上において所望のパターンすなわち設計値よりも幅広に形成し、ガラス基板1上または無機膜上に形成されたITOに対するエッチング条件(時間)を用いてエッチングを行い、所望のパターンを得るようにした。有機膜である層間絶縁膜6上に形成されたITOは、ガラス基板1上や無機膜上に形成されたITOよりもエッチング速度が速いため、後者に対するエッチング時間でエッチングを行うと、層間絶縁膜6上のITOはエッチングされ過ぎることになるが、本参考例ではその分を見込んで層間絶縁膜6上のレジストパターン13を幅広に形成しているため、結果的には所望のパターンが形成される。それ以外は上記実施の形態1と同様の製造方法でTFTアレイ基板を作成した。
【0028】
本参考例によれば、上記実施の形態1と同様に、従来に比べ工程数を削減することができると共に、ガラス基板1上や無機膜上に形成されたITOに対するエッチング時間でエッチングを行うので、端子間にITOエッチング残が生じることなく、リーク不良の発生を防止することができる。また、一回のレジストパターン形成及びエッチングでITOのパターン形成を行うことが可能である。
【0029】
なお、上記実施の形態1、2及び参考例1〜6では、ゲート電極としてCrを、またソース電極、ドレイン電極として同じくCrを用いたが、例えばAl、Cu、MoまたはTa等の他の材料を用いても良い。これらの材料を用いることにより、比抵抗値が25μオーム・cmの低抵抗な電極及び配線が実現できる。また、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極は、全て同じ金属材料で構成されている必要はなく、上記の金属材料の中から異なる金属を組み合わせて選ぶことができる。また、画素電極としては、ITO以外にも酸化インジウム膜、酸化スズ膜及び酸化亜鉛及びその他の透明性導電膜を用いても良い。また、半導体層としてa−Si膜を用いたが、これに限定されるものではなく、例えば多結晶Si膜を用いてもよい。また、TFTを保護するためのパッシベーション膜11を窒化シリコン膜で形成したが、パッシベーション膜11は必ずしも形成しなくてもよい。また、図1〜図8では、端子領域の各端子としてゲート端子4、4a及び4bを示したが、本発明はソース端子においても同様の効果が得られる。
【0030】
なお、本発明における液晶表示装置は、上記実施の形態1、2のいずれかのTFTアレイ基板と、透明電極およびカラーフィルタ等を有する対向電極基板の間に液晶が配置されているものであり、本発明によるTFTアレイ基板は、透過型液晶表示装置のみならず、反射型液晶表示装置にも用いることができる。反射型液晶表示装置の場合には、層間絶縁膜6は透明でなくても良い。
【0031】
【発明の効果】
以上のように、本発明におけるTFTアレイ基板の製造方法によれば、層間絶縁膜を、基板の画像表示部のみならず、少なくとも端子領域の各端子の間と、各端子の画像表示部側と反対側の端部から、製造時におけるTFTの静電破壊を防止するためのガード抵抗及びショートリングを設ける基板周縁部にも形成したので、層間絶縁膜に画像表示部内のドレイン電極部のコンタクトホールと、各端子の画像表示部側と反対側の端部及びガード抵抗部のコンタクトホールを同時に形成することができ、従来、各端子の画像表示部側と反対側の端部のコンタクトホール及びガード抵抗部のコンタクトホールを形成する際に必要であった写真製版工程が不要となり、従来に比べて少ない工程数で高開口率のTFTアレイ基板が得られる。
【0032】
また、端子領域の各端子間に、層間絶縁膜を設けたので、層間絶縁膜上に形成された透明導電膜に対するエッチング条件でエッチングを行っても端子間に透明導電膜が残ることなく、一回のレジストパターン形成及びエッチングで透明導電膜のパターン形成を行うことができ、透明導電膜エッチング残による端子間のリーク不良を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の参考例1であるTFTアレイ基板の端子領域を示す部分上面図及び部分断面図である。
【図2】 本発明の実施の形態1であるTFTアレイ基板の端子領域を示す部分上面図及び部分断面図である。
【図3】 本発明の参考例2であるTFTアレイ基板の端子領域を示す部分上面図である。
【図4】 本発明の参考例3であるTFTアレイ基板の端子領域を示す部分上面図及び部分断面図である。
【図5】 本発明の実施の形態2であるTFTアレイ基板の端子領域を示す部分上面図及び部分断面図である。
【図6】 本発明の参考例4であるTFTアレイ基板の端子領域を示す部分上面図及び部分断面図である。
【図7】 本発明の参考例5であるTFTアレイ基板の端子領域を示す部分上面図である。
【図8】 本発明の参考例6であるTFTアレイ基板の製造方法を示す部分上面図である。
【図9】 従来の高開口率のTFTアレイ基板を示す部分上面図である。
【符号の説明】
1 ガラス基板、2 ゲート配線、3 ソース配線、
4、4a、4b ゲート端子、5 ソース端子、6 層間絶縁膜、
7 ガード抵抗、8、8a、8b ゲート端子部のコンタクトホール、
9 ガード抵抗部のコンタクトホール、10 ゲート絶縁膜、
11 パッシベーション膜、12 厚膜絶縁膜、13 レジストパターン、
14 ショートリング。
Claims (2)
- 絶縁性基板上に、ゲート配線及びソース配線の各配線及び薄膜トランジスタを形成する第1の工程、
上記ゲート配線及び上記ソース配線上に、有機樹脂からなる層間絶縁膜を、上記基板の画像表示部のみならず、少なくとも端子領域の各端子の間と、上記各端子の上記画像表示部側と反対側の端部から、製造時における上記薄膜トランジスタの静電破壊を防止するためのガード抵抗及びショートリングを設ける基板周縁部にも形成する第2の工程、
上記層間絶縁膜に、上記薄膜トランジスタのドレイン電極部、上記各端子の上記画像表示部側と反対側の端部、及び上記ガード抵抗部のコンタクトホールをそれぞれ同時に形成する第3の工程、
上記基板上に、ITOからなる透明導電膜を成膜し、レジストパターニング及びエッチングにより、上記層間絶縁膜上に、画素電極、上記各端子及び上記ガード抵抗を同時に形成し、上記画素電極と上記ドレイン電極、上記各端子の上記画像表示部側と反対側の端部と上記ゲート配線または上記ソース配線に電気的に接続される下地金属膜、及び上記ガード抵抗と上記下地金属膜を、上記コンタクトホールを介してそれぞれ電気的に接続する第4の工程、
上記各端子と上記ショートリングの間で上記基板を切断する第5の工程を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。 - 第2の工程において、上記層間絶縁膜として感光性樹脂を用いることを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
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