JP5391435B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、現在最も広く用いられている平板表示装置の一つであって、画素電極と共通電極など電界生成電極が形成されている二枚の表示板と、その間に挟持された液晶層とからなり、電界生成電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、これによって液晶層の液晶分子の配向を決定し入射光の偏光を制御することで映像を表示する。

特に、電界が印加されない状態で液晶分子の長軸を上下表示板に対して垂直をなすように配列した垂直配向モード液晶表示装置は、コントラスト比が大きく、広い基準視野角の実現が容易なため脚光を浴びている。ここで、基準視野角とは、コントラスト比が１：１０の視野角または階調間の輝度反転限界角度を意味する。
垂直配向モード液晶表示装置で広視野角を実現するための手段としては、電界生成電極に切開部を形成する方法と、電界生成電極上に突起を形成する方法などがある。切開部と突起で液晶分子が傾く方向を決定できるので、これによって液晶分子の傾斜方向を複数方向に分散させて基準視野角を広くすることができる。

しかし、垂直配向モードの液晶表示装置は、前面視認性に比較して側面視認性が劣る。例えば、切開部を有するＰＶＡ（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ ａｌｉｇｎｅｄ）モードの液晶表示装置の場合、側面に向かうほど画像が明るくなり、ひどい場合は、高階調間の輝度差が無くなって画像がぼやけてしまう問題が生じる。
側面視認性を改善するために、一つの画素を二つの副画素に分割し、二つの副画素を容量性結合した後、一方の副画素には直接電圧を印加し、もう一方の副画素には容量性結合による電圧降下を生じさせ、二つの副画素の電圧を異にして透過率を異なるようにする方法が提示された。

しかしながら、この方法は、二つの副画素の透過率を所望の水準に正確に調整することが難しく、特に色相によって光透過率が異なるため、各色相に対する電圧配合を異ならせる必要があるが、これを実行することができない。また、容量性結合のための導電体の追加などによる開口率の低下が現れ、容量性結合による電圧降下によって透過率が減少する。

そこで、本発明は、上記のような従来の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、視認性を改善すると共に二つの副画素の透過率を所望の水準に調整し、各副画素電極に大きさが異なる電圧を印加することによるキックバック電圧の不均衡をなくして、フリッカーが発生しない構造を提供し、同時に開口率の減少を最小限に抑制する液晶表示装置を提供することにある。

上述した目的を達成するために本発明では、第１ドレイン電極の延長部と重なるように維持電極に接続されたゲート導電体を敷設して第１ストレージキャパシタの保持容量をより大きくしたり、第２ストレージキャパシタの保持容量をより小さくしたりして、低階調電圧が印加される第１画素電極のキックバック電圧と、高階調電圧が印加される第２画素電極のキックバック電圧の均衡をとり、同時に開口率に悪影響を及ぼさずにストレージキャパシタを形成することができる。

上記目的を達成するためになされた本発明の他の特徴による液晶表示装置は、行列状に配列され第１及び第２副画素を有する複数の画素と、前記第１及び第２副画素に接続される複数の第１信号線と、前記第１信号線と交差し第１副画素に接続される第２信号線と、前記第１信号線と交差し第２副画素に接続される第３信号線とを備え、前記第１副画素は、前記第１及び第２信号線に接続される第１スイッチング素子、及び該第１スイッチング素子に接続される第１液晶キャパシタと第１ストレージキャパシタとを有し、前記第２副画素は、前記第１及び第３信号線に接続される第２スイッチング素子、及び該第２スイッチング素子に接続される第２液晶キャパシタと第２ストレージキャパシタとを有し、前記第１及び第２液晶キャパシタに印加される電圧は一つの映像情報から得られ、前記第１副画素には所定の電圧に対し前記第２副画素より低い電圧が印加され、前記第１及び第２副画素に同一電圧が印加されるときに、前記第１及び第２副画素のキックバック電圧の大きさを実質的に同一にする第１及び第２ストレージキャパシタの静電容量を各々第１及び第２容量とする場合、前記第１ストレージキャパシタの静電容量が前記第１容量より大きくても、前記第２ストレージキャパシタの容量が前記第２容量より小さくてもよい。

前記第１スイッチング素子は第１ゲート電極と第１ドレイン電極とを有し、前記第２スイッチング素子は第２ゲート電極と第２ドレイン電極とを有し、前記第１及び第２ストレージキャパシタは、前記第１及び第２ゲート電極と分離され、本体部とこれから分岐した延長部を有する維持電極を共通に有し、前記第１ストレージキャパシタは前記維持電極と前記第１ドレイン電極との重畳からなり、前記第２ストレージキャパシタは前記維持電極と前記第２ドレイン電極との重畳からなり、前記第１液晶キャパシタは前記第１スイッチング素子に接続される第１副画素電極を有し、前記第２液晶キャパシタは前記第２スイッチング素子に接続される第２副画素電極を有することが望ましい。
前記第１ドレイン電極は、前記第１ゲート電極と重畳する端部、前記維持電極と重畳し該端部と離れている拡張部、及び該端部と該拡張部を接続する接続部を有し、前記維持電極の本体部は、前記第１ドレイン電極の拡張部及び前記第２ドレイン電極と重畳し、前記維持電極の延長部は、前記第１ドレイン電極の接続部と重畳することができる。
前記第１ドレイン電極の拡張部の境界は、前記維持電極の本体部の境界線内に位置し、前記維持電極の延長部の幅は、前記第１ドレイン電極の接続部の幅より広くてもよく、前記維持電極の本体部において前記第２ドレイン電極と重畳する部分の幅は、前記第１ドレイン電極の拡張部と重畳する部分の幅より狭くてもよい。
前記第１副画素電極の面積は前記第２副画素電極の面積より大きく、前記維持電極と前記第１ドレイン電極とが重畳する面積は、前記維持電極と前記第２ドレイン電極とが重畳する面積より大きくてもよい。

このような本発明の液晶表示装置によれば、一つの画素電極を二つの副画素電極に分割し、二つの副画素電極に別途の互いに異なるデータ電圧を印加することによって、側面視認性を向上させることができる。また、低い電圧が印加される第１副画素電極の第１ドレイン電極の接続部の下に維持電極の延長部をさらに設けたり、第２ドレイン電極が維持電極と重畳する面積などを調節したりすることによって、互いに異なる電圧を印加することによる液晶キャパシタの容量変化に対応してストレージキャパシタの容量を調節し、二つの副画素のキックバック電圧の均衡をとることができ、この結果、フリッカーなどの画質劣化を防止することができる。また、ドレイン電極の接続部の下に維持電極の延長部をさらに設けることによって、保持容量を充分に確保しながら維持電極の面積を減少させることができるので、開口率を一層増加させることができる。

次に、本発明の液晶表示装置を実施するための最良の形態の具体例を、図面を参照しながら説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一な参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。

以下、本発明の一実施形態による液晶表示装置について図１乃至図５を参照して詳細に説明する。
図１乃至図３は、本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図（その１〜その３）であり、図４は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の一つの画素に対する等価回路図、図５は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の一つの副画素に対する等価回路図である。

図１乃至図３に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、液晶表示板組立体３００と、これに接続された一対または一つのゲート駆動部４００ａ、４００ｂ、４００、及びデータ駆動部５００、データ駆動部５００に接続された階調電圧生成部８００、並びにこれらを制御する信号制御部６００を備える。

液晶表示板組立体３００は、等価回路的に複数の表示信号線（Ｇ_１ａ−Ｇ_ｎｂ、Ｄ_１−Ｄ_ｍ）と、これに接続されてほぼ行列状に配列された複数の画素ＰＸを有する。一方、図５に示すように、液晶表示板組立体３００は、互いに対向する下部及び上部表示板１００、２００と、両者間に挟持された液晶層３を有する。
表示信号線（Ｇ_１ａ−Ｇ_ｎｂ、Ｄ_１−Ｄ_ｍ）は下部表示板１００に備えられ、ゲート信号（走査信号とも言う）を伝達する複数対のゲート線（Ｇ_１ａ−Ｇ_ｎｂ）とデータ信号を伝達するデータ線（Ｄ_１−Ｄ_ｍ）を有する。ゲート線（Ｇ_１ａ−Ｇ_ｎｂ）はほぼ行方向に延びて互いにほぼ平行であり、データ線（Ｄ_１−Ｄ_ｍ）はほぼ列方向に延びて互いにほぼ平行である。

図４には、表示信号線と一つの画素ＰＸの等価回路が示されているが、図面符号ＧＬａ、ＧＬｂで示した一対のゲート線と、図面符号ＤＬで示したデータ線以外にも、表示信号線は、ゲート線ＧＬａ、ＧＬｂとほぼ平行に延びた維持電極線ＳＬをさらに有する。
各画素ＰＸは一対の副画素ＰＸａ、ＰＸｂを有し、各副画素ＰＸａ、ＰＸｂはゲート線ＧＬａ、ＧＬｂ及びデータ線ＤＬに接続されているスイッチング素子Ｑａ、Ｑｂと、これに接続された液晶キャパシタＣ_ＬＣａ、Ｃ_ＬＣｂ、並びにスイッチング素子Ｑａ、Ｑｂ及び維持電極線ＳＬに接続されているストレージキャパシタＣ_ＳＴａ、Ｃ_ＳＴｂを有する。

図５に示すように、各副画素ＰＸａ、ＰＸｂのスイッチング素子Ｑは、下部表示板１００に備えられている薄膜トランジスタなどからなり、ゲート線ＧＬに接続されている制御端子、データ線ＤＬに接続されている入力端子、そして液晶キャパシタＣ_ＬＣ及びストレージキャパシタＣ_ＳＴに接続されている出力端子を有する三端子素子である。

液晶キャパシタＣ_ＬＣは、下部表示板１００の副画素電極ＰＥと上部表示板２００の共通電極ＣＥを二つの端子とし、二つの電極ＰＥ、ＣＥ間の液晶層３は誘電体として機能する。副画素電極ＰＥはスイッチング素子Ｑに接続され、共通電極ＣＥは上部表示板２００の全面に形成され、共通電圧Ｖｃｏｍの印加を受ける。図５と異なり、共通電極ＣＥが下部表示板１００に備えられる場合もあり、その場合には、二つの電極ＰＥ、ＣＥのうちの少なくとも一つが線状または棒状に形成できる。

液晶キャパシタＣ_ＬＣの補助的な役割を果たすストレージキャパシタＣ_ＳＴは、下部表示板１００に備えられた維持電極線ＳＬと副画素電極ＰＥが絶縁体を介在して重畳してなり、維持電極線ＳＬには共通電圧Ｖｃｏｍなど定められた電圧が印加される。しかし、ストレージキャパシタＣ_ＳＴは、副画素電極ＰＥが絶縁体を媒介としてすぐ上の前段ゲート線と重畳してなることもできる。

一方、色表示を実現するために、各画素ＰＸが基本色のうちの一つを固有に表示したり（空間分割）、各画素ＰＸが時間によって交互に基本色を表示（時間分割）したりするようにして、これら三原色の空間的、時間的な作用で所望の色相が認識されるようにする。基本色の例としては赤色、緑色及び青色の三原色がある。
図５は、空間分割の一例であり、各画素ＰＸが上部表示板２００の領域に基本色のうちの一つを示すカラーフィルタＣＦを備えているものを示す。図５と異なり、カラーフィルタＣＦは下部表示板１００の副画素電極ＰＥの上または下に設けることもできる。

図１乃至図３に示すように、ゲート駆動部４００ａ、４００ｂ、４００は、ゲート線（Ｇ_１ａ−Ｇ_ｎｂ）に接続されて外部からのゲートオン電圧Ｖｏｎとゲートオフ電圧Ｖｏｆｆの組み合わせからなるゲート信号をゲート線（Ｇ_１ａ−Ｇ_ｎｂ）に印加する。図１は、一対のゲート駆動部４００ａ、４００ｂがそれぞれ液晶表示板組立体３００の左右に位置し、奇数番目及び偶数番目のゲート線（Ｇ_１ａ−Ｇ_ｎｂ）にそれぞれ接続され、図２及び図３に示した一つのゲート駆動部４００は、液晶表示板組立体３００の一方に位置し、全てのゲート線（Ｇ_１ａ−Ｇ_ｎｂ）に接続されており、図３に示すように、ゲート駆動部４００内に二つの駆動回路４０１、４０２が内蔵されてそれぞれ奇数番目及び偶数番目のゲート線（Ｇ_１ａ−Ｇ_ｎｂ）に接続される。

階調電圧生成部８００は、画素ＰＸの透過率に関連する二つの階調電圧群（または基準階調電圧群）を生成する。二つの階調電圧群は一つの画素ＰＸを構成する二つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂにそれぞれ独立して提供されるもので、各階調電圧群は、共通電圧Ｖｃｏｍに対してプラスの値を有するものと、マイナスの値を有するものを含む。しかし、二つの（基準）階調電圧群の代わりに一つの（基準）階調電圧群だけ生成することもできる。

データ駆動部５００は、液晶表示板組立体３００のデータ線（Ｄ_１−Ｄ_ｍ）に接続されて階調電圧生成部８００からの二つの階調電圧群のうちの一つを選択し、選択された階調電圧群に属する一つの階調電圧をデータ電圧として画素ＰＸに印加する。しかし、階調電圧生成部８００が全階調に対する電圧を全て提供するのではなく、基準階調電圧のみを提供する場合、データ駆動部５００は、基準階調電圧を分圧して全階調に対する階調電圧を生成し、この中からデータ電圧を選択する。

ゲート駆動部４００、４００ａ、４００ｂまたはデータ駆動部５００は、一つ以上の駆動集積回路チップ形態に液晶表示板組立体３００上に直接装着されたり、フレキシブル印刷回路膜（図示せず）上に装着されてＴＣＰ（ｔａｐｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｐａｃｋａｇｅ）形態にされたりして液晶表示板組立体３００に付着することもできる。これに対し、ゲート駆動部４００、４００ａ、４００ｂまたはデータ駆動部５００を液晶表示板組立体３００に集積することもできる。
信号制御部６００は、ゲート駆動部４００及びデータ駆動部５００などの動作を制御する。

次に、このような液晶表示板組立体の構造について図６乃至図１０を参照して詳細に説明する。
図６は、本発明の一実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図７は、本発明の一実施形態による共通電極表示板の配置図であり、図８は、図６及び図７の二つの表示板を備える液晶表示板組立体の配置図であり、図９及び図１０は各々図８の液晶表示板組立体のＶＩＩＡ−ＶＩＩＡ線及びＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ′−ＶＩＩＢ″線に沿った断面図である。
図６乃至図１０に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示板組立体は、薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００、これら二つの表示板１００、２００の間に挟持された液晶層３を備える。

まず、図６、図８、図９及び図１０を参照して薄膜トランジスタ表示板１００について詳細に説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に、複数対の第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂと複数の維持電極線１３１を有する複数のゲート導電体が形成されている。
第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂはゲート信号を伝達し、主に横方向に延びており、それぞれ上側及び下側に位置する。

第１ゲート線１２１ａは、下方に突出した複数の第１ゲート電極１２４ａと他の層または外部駆動回路との接続のために、広い面積を有しそれぞれ左側に配置された端部１２９ａを有する。
第２ゲート線１２１ｂは、上方に突出した複数の第２ゲート電極１２４ｂと他の層または外部駆動回路との接続のために、広い面積を有し左側に配置された端部１２９ｂを有する。

しかし、第１及び第２ゲート線の端部１２９ａ、１２９ｂは両方とも右側に配置されてもよく、互いに異なる側に配置されてもよい。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着されるフレキシブル印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたりして、基板１１０に集積できる。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積され場合、ゲート線１２１ａ、１２１ｂが延びてこれと直接接続させることができる。

維持電極線１３１は所定の電圧の印加を受け、主に横方向に延びている。各維持電極線１３１は、第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂの間に位置し、第２ゲート線１２１ｂよりも第１ゲート線１２１ａにより近く、隣接した二つの第２ゲート線１２１ｂとほぼ同一距離をおいている。各維持電極線１３１は、上下に拡張された維持電極１３７と、維持電極１３７から上方に長く延びた棒状の延長部１３９を有する。維持電極１３７はほぼ長方形で、維持電極線１３１に対称であり、延長部１３９は第１ゲート電極１２４ａの右側近傍まで延びている。しかし、維持電極１３７と延長部１３９を始めとする維持電極線１３１の形状及び配置はいろいろな形態に変形可能である。

ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などからなることができる。しかし、これらは物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を有する多重膜構造を有することもできる。このうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らすことができるように比抵抗が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などからなる。これに対し、もう一つの導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えばモリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどからなる。

このような組み合わせの良い例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１は、これ以外にも様々な金属または導電体からなることができる。
ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１の側面は基板１１０面に対し傾斜しており、その傾斜角は約３０°乃至約８０゜であることが好ましい。

ゲート導電体１２１ａ、１２１ｂ、１３１上には、ＳｉＮｘまたはＳｉＯｘなどからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンはａ−Ｓｉと略称する。）または多結晶シリコンなどからなる複数の島状の半導体１５４ａ、１５４ｂ、１５６ａ、１５７ａが形成されている。半導体１５４ａ、１５４ｂは、それぞれ第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ上に位置する。半導体１５６ａ、１５７ａは、第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂ、維持電極線１３１、維持電極１３７及び延長部１３９の境界を覆う。

半導体１５４ａ、１５４ｂ、１５６ａ上には、複数の島状のオーミック接触部材（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ、１６６ａが形成されており、半導体１５７ａ上にも島状オーミック接触部材（図示せず）が形成されている。オーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ、１６６ａは、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、シリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）からなることができる。オーミック接触部材１６３ａ、１６５ａとオーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂとは、それぞれ対をなして半導体１５４ａ、１５４ｂ上に配置される。
半導体１５４ａ、１５４ｂ、１５６ａ、１５７ａとオーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ、１６６ａの側面も基板１１０面に対し傾斜しており、その傾斜角は３０°乃至８０°程度である。
オーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ、１６６ａ及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と複数対の第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂを有するデータ導電体が形成されている。

データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向に延びて第１、第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂ及び維持電極線１３１と交差する。各データ線１７１は、第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂに向かって延びた複数の第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと他の層または外部駆動回路との接続のために広い面積の端部１７９を有する。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着されるフレキシブル印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたりして、基板１１０に集積できる。データ駆動回路が基板１１０上に集積される場合、データ線１７１が延びてこれと直接接続できる。

第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは互いに分離されており、データ線１７１とも分離されている。
第１ドレイン電極１７５ａは、第１ゲート電極１２４ａを中心に第１ソース電極１７３ａと対向する棒状の端部１７６ａ、棒状の端部１７６ａの反対側端にある広い長方形の拡張部１７７ａ、そして拡張部１７７ａと端部１７６ａを接続する線状の接続部１７６ａａを有する。拡張部１７７ａは維持電極１３７と重畳し、棒状の端部１７６ａは第１ゲート電極１２４ａと重畳し、Ｃ字状に折曲した第１ソース電極１７３ａで一部覆われている。第１ドレイン電極１７５ａの接続部１７６ａａはほとんど延長部１３９上に位置し、延長部１３９と平行に延びており、延長部１３９の縦境界線内に位置する。

同様に、第２ドレイン電極１７５ｂは、第２ゲート電極１２４ｂを中心に第２ソース電極１７３ｂと対向する棒状の端部１７６ｂ、棒状の端部１７６ｂの反対側端にある広い長方形の拡張部１７７ｂ、そして拡張部１７７ｂと端部１７６ｂを接続する線状の接続部１７６ｂｂを有する。拡張部１７７ｂは維持電極１３７と重畳し、棒状の端部１７６ｂは第２ゲート電極１２４ｂと重畳し、Ｃ字状に折曲した第２ソース電極１７３ｂで一部覆われている。第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７７ｂの面積は、第１ドレイン電極１７５ａの拡張部１７７ａの面積より小さい。

このように、第１ドレイン電極１７５ａの接続部１７６ａａ下に延長部１３９を設けて保持容量を増加させることができるので、維持電極１３７の面積を小さくして開口率を高めることができる。
第１、第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ、第１、第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂ、及び第１、第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは、第１、第２半導体１５４ａ、１５４ｂと共に第１、第２薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑａ、Ｑｂを構成し、第１、第２薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂのチャンネルは、第１、第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと第１、第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂとの間の第１、第２半導体１５４ａ、１５４ｂに形成される。

データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂは、モリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなどの耐火性金属、またはこれらの合金からなることが望ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を有する多重膜構造を有することができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。しかし、データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂは、これ以外にも様々な金属または導電体からなることができる。
データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂもその側面が基板１１０面に対し３０°乃至８０°程度の角度で傾斜していることが好ましい。

オーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ、１６６ａは、その下の第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂとその上のデータ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂとの間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。第１、第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂ及び維持電極線１３１上に位置した第１及び第２半導体１５６ａ、１５７ａは、表面のプロファイルを滑らかにしてデータ線１７１及び第１、第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの断線を防止する。島状の第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂには、第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂとの間を始めとするデータ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂで覆われず露出した部分がある。

データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂ及び露出した第１、第２半導体１５４ａ、１５４ｂ上には、保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は、無機絶縁物または有機絶縁物などからなり、表面が平坦化されることができる。無機絶縁物の例としては、窒化ケイ素と酸化ケイ素がある。有機絶縁物は感光性を有することができ、その誘電定数は約４．０以下であることが好ましい。しかし、保護膜１８０は、有機膜の優れた絶縁特性を保ちながら露出した第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂ部分に悪影響を及ぼさないように、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有することができる。

保護膜１８０にはデータ線１７１の端部１７９及び第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの拡張部１７７ａ、１７７ｂをそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール（接触孔）１８２、１８５ａ、１８５ｂが形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０には第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂを露出させる複数のコンタクトホール１８１ａ、１８１ｂが形成されている。

保護膜１８０上には、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂを有する複数の画素電極１９１、遮蔽電極８８、及び複数の接触補助部材８１ａ、８１ｂ、８２が形成されている。これらはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロム、またはその合金などの反射性金属からなることができる。
各画素電極１９１は、４つの角が面取りされた（ｃｈａｍｆｅｒｅｄ）ほぼ四角形状であり、面取りされた斜辺は第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂに対して約４５度の角度をなしている。

各画素電極１９１を構成する一対の第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂは、ギャップ（ｇａｐ）９２を間に挟んで互いに噛み合っている。第２副画素電極１９１ｂは、ほぼ直角に回転した等辺台形で、下辺が台形に凹んで、ほとんどが第１副画素電極１９１ａで覆われている。第１副画素電極１９１ａは、左側辺で互いに連結されている上部、下部及び中央の台形部からなる。

第１副画素電極１９１ａは、上部台形部の上辺及び下部台形部の下辺から右側辺に向かって延びた切開部９３ａ、９３ｂ、９３ｃ、９４ａ、９４ｂ、９４ｃを有する。切開部９３ａ、９４ａと切開部９３ｂ、９４ｂとの間をゲート線１２１ａが通過する。第１副画素電極１９１ａの中央台形部は、第２副画素電極１９１ｂの凹んだ下辺に嵌合されている。また、第１副画素電極１９１ａは、横部及びこれに接続された一対の斜線部を有する中央切開部９１を有する。横部は、第１副画素電極１９１ａの横中心線に沿って短く延びており、一対の斜線部は横部から第１副画素電極１９１ａの左側辺に向かって延び、維持電極線１３１に対して約４５度の角度をなしている。第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂとの間のギャップ９２は、ゲート線１２１ａ、１２１ｂと約４５度をなしている二対の上部及び下部斜線部と三つの縦部を有する。以下、説明の便宜上、ギャップ９２も切開部と称する。

切開部９１−９４ｃは、維持電極線１３１に対してほとんど反転対称をなし、これらは第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂに対して約４５度の角度をなして互いに垂直に延びている。画素電極１９１は、これら切開部９１−９４ｃによって複数の領域に分割される。
これにより、画素電極１９１を横方向に二等分する維持電極線１３１を中心にした上半部と下半部は、切開部９１−９４ｃによりそれぞれ６個の領域に分けられる。
ここで、領域の数または切開部の数は、画素電極１９１の大きさ、画素電極１９１の横辺と縦辺の長さ比、液晶層３の種類や特性など、設計要素によって変化する。

第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂは、それぞれコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂを介して第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂに接続されており、第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂからデータ電圧の印加を受ける。一対の副画素電極１９１ａ、１９１ｂには、一つの入力映像信号に対し予め設定されている互いに異なるデータ電圧が印加され、その大きさは第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの大きさ及び形状によって設定される。また、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの面積は互いに異なることができる。例えば、第２副画素電極１９１ｂは、第１副画素電極１９１ａに比較して高い電圧の印加を受け、第１副画素電極１９１ａより面積が小さい。

データ電圧が印加された第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂと共通電圧の印加を受ける共通電極２７０は、第１及び第２液晶キャパシタＣ_ＬＣａ、Ｃ_ＬＣｂを構成し、第１、第２薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂが非導通状態になった後も印加された電圧を維持する。各液晶キャパシタＣ_ＬＣａ、Ｃ_ＬＣｂは、液晶層３部分を誘電体として有する。

第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂ及びこれに電気的に接続された第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの拡張部１７７ａ、１７７ｂは、維持電極１３７及び延長部１３９を始めとする維持電極線１３１と重畳して第１及び第２液晶キャパシタＣ_ＬＣａ、Ｃ_ＬＣｂの電圧維持能力を強化する第１及び第２ストレージキャパシタＣ_ＳＴａ、Ｃ_ＳＴｂを構成する。

遮蔽電極８８は、データ線１７１に沿って延びた縦部と第２ゲート線１２１ｂに沿って延びた横部を有しており、縦部はデータ線１７１を完全に覆い、横部は第２ゲート線１２１ｂの境界線の内側に位置している。
遮蔽電極８８は、共通電圧Ｖｃｏｍの印加を受け、データ線１７１と画素電極１９１の間及びデータ線１７１と共通電極２７０との間に形成される電界を遮断して、画素電極１９１の電圧歪曲及びデータ線１７１が伝達するデータ電圧の信号遅延が減少する。しかし、必要に応じて遮蔽電極８８は省略してもよい。

接触補助部材８１ａ、８１ｂ、８２は、それぞれコンタクトホール１８１ａ、１８１ｂ、１８２を介して第１、第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂ及びデータ線１７１の端部１７９に接続される。接触補助部材８１ａ、８１ｂ、８２は、第１、第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂ及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。

次に、図７乃至図１０を参照して、共通電極表示板２００について説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０上に、遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、ブラックマトリックスとも言い、光漏洩を防ぐ。遮光部材２２０は、画素電極１９１と対向しており、画素電極１９１とほぼ同一形状の複数の開口部２２５を有している。これに対し、遮光部材２２０は、データ線１７１に対応する部分と、第１、第２薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂに対応する部分からなることもできる。遮光部材２２０は、画素電極１９１と薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂ近傍の光漏洩を遮断するために様々な形状を有することができる。

また、基板２１０上には、複数のカラーフィルタ２３０が形成されており、遮光部材２２０で覆われた領域内にほとんど位置している。カラーフィルタ２３０は、画素電極１９１に沿って縦方向に長く延びることができる。カラーフィルタ２３０は赤色、緑色及び青色などの基本色のうちの一つを表示することができる。

カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上には、オーバーコート膜（ｏｖｅｒｃｏａｔ）２５０が形成されている。オーバーコート膜２５０は、（有機）絶縁物からなることができ、カラーフィルタ２３０が露出するのを防止し、平坦面を提供する。
オーバーコート膜２５０上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体などからなり、複数の切開部群７１、７２、７３、７４ａ、７４ｂ、７５ａ、７５ｂ、７６ａ、７６ｂを有する。

一つの切開部群７１−７６ｂは、一つの画素電極１９１と対向し、中央切開部７１、７２、７３、上部切開部７４ａ、７５ａ、７６ａ及び下部切開部７４ｂ、７５ｂ、７６ｂを有する。切開部７１−７６ｂのそれぞれは、画素電極１９１の隣接切開部９１−９４ｃの間、または切開部９１、９４ａ、９４ｂ、９４ｃと画素電極１９１の面取りされた斜辺、または左側辺の間に配置されている。また、各切開部７１−７６ｂは、画素電極の切開部９１−９４ｃと平行に延びた少なくとも一つの斜線部を有する。

上部及び下部切開部７４ａ−７６ｂのそれぞれは、斜線部と横部及び縦部を有する。斜線部はほぼ画素電極１９１の右側辺から上側または下側辺に画素電極１９１上部または下部切開部９３ａ−９４ｃとほぼ平行に延びる。横部及び縦部は、斜線部の各端から画素電極１９１の辺に沿って辺と重畳しながら延び、斜線部と鈍角をなしている。

中央切開部７１、７２は、中央横部、一対の斜線部及び一対の縦断縦部を有する。中央横部は、ほぼ画素電極１９１の横中心線に沿って短く延び、一対の斜線部は、中央横部の端から画素電極１９１の左側辺に向かってそれぞれ下部及び上部切開部７４ａ−７６ｂとほぼ平行に延びている。縦断縦部は、斜線部の各端から画素電極１９１の左側辺に沿って重畳しながら延び、斜線部と鈍角をなしている。

切開部７３−７６ｂの斜線部には、三角形状のノッチ（ｎｏｔｃｈ）が形成されている。ノッチは四角形、台形または半円形に形成されたり、突出した形状や凹んだ形状に形成されたりすることもできる。このノッチは、切開部７１−７６ｂに対応する領域の境界に位置する液晶分子３の配列方向を決定する。
切開部７１−７６ｂの数及び方向も設計要素によって変わり、遮光部材２２０が切開部７１〜７６ｂと重畳して切開部７１−７６ｂ近傍の光漏洩を遮断することができる。

下部及び上部表示板１００、２００の内側面には配向膜１１、２１が塗布されており、これは垂直配向膜とすることができる。
下部及び上部表示板１００、２００の外側面には偏光子を有する偏光板１２、２２が備えられており、二つの偏光子を有する偏光板１２、２２の相互の偏光軸は直交し、このうちの一つの偏光軸は、第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂに対して平行であることが望ましい。反射型液晶表示装置では、二つの偏光板１２、２２のうちの一つは省略してもよい。

本実施形態による液晶表示装置は、液晶層３の遅延値を補償するための位相遅延膜（図示せず）をさらに備えることができる。位相遅延膜は、複屈折性を有し、液晶層３の位相遅延を逆に補償する。
液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は電場がない状態でその長軸が二つの表示板１００、２００の表面に対して垂直をなすように配向されている。このため、入射光は二つの偏光板１２、２２の直交する偏光子を通過できず遮断される。

共通電極２７０に共通電圧を印加し、画素電極１９１にデータ電圧を印加して、第１または第２液晶キャパシタＣ_ＬＣａ、Ｃ_ＬＣｂの両端に電位差が生じれば、下部及び上部表示板１００、２００の面にほぼ垂直である電場が液晶層３に生成される（以下、画素電極１９１及び共通電極２７０を電場生成電極という。）。すると、液晶層３の液晶分子は電場に応答してその長軸が電場の方向に対して垂直をなすように傾斜し、液晶分子が傾いた程度によって液晶層３に入射された光の偏光の変化程度が変わる。このような偏光の変化は、二つの偏光板１２、２２の偏光子により透過率の変化として現れ、これによって液晶表示装置は映像を表示する。

液晶分子の傾斜角度は電場の強さによって変化し、第１副画素電極１９１ａには低い電圧が印加され、第２副画素電極には高い電圧が印加されれば、第１液晶キャパシタＣ_ＬＣａの電圧Ｖａが第２液晶キャパシタＣ_ＬＣｂの電圧Ｖｂより大きいので、第１副画素Ｘａと第２副画素Ｘｂで液晶分子の傾斜角度が異なり、これによって二つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂの輝度が異なる。この結果、第１液晶キャパシタＣ_ＬＣａの電圧Ｖａと、第２液晶キャパシタＣ_ＬＣｂの電圧Ｖｂを適切に調整すれば、側面から見る映像が正面から見る映像に最大限に近付けることができ、これによって側面視認性を向上させることができる。

液晶分子の傾斜方向は、電場生成電極１９１、２７０の切開部７１−７６ｂ、９１−９４ｃと画素電極１９１の斜辺が電場を歪曲して形成する水平成分によって決定され、この電場の水平成分は、切開部７１−７６ｂ、９１−９４ｃの辺と画素電極１９１の辺に垂直である。

図８に示すように、一つの切開部群７１−７６ｂ、９１−９４ｃは、画素電極１９１をそれぞれ二つの傾いた主辺（ｍａｊｏｒ ｅｄｇｅ）を有する複数の副領域（ｓｕｂ−ａｒｅａ）に分け、各副領域の液晶分子の傾斜方向は、電場の水平成分により決定される方向に決定され、傾斜方向はほぼ４つの方向である。このように液晶分子の傾斜方向を複数にすれば、液晶表示装置の基準視野角が大きくなる。

液晶分子の傾斜方向を決定するための切開部７１−７６ｂ、９１−９４ｃの形状及び配置は変形することができ、少なくとも一つの切開部７１−７６ｂ、９１−９４ｃは、突起（図示せず）や陥没部（図示せず）で代替してもよい。突起は有機物または無機物からなることができ、電場生成電極１９１、２７０の上または下に配置できる。

次に、このような液晶表示装置の表示動作について図１乃至図４を参照して詳細に説明する。
信号制御部６００は、外部のグラフィック制御部（図示せず）から入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂ及びその表示を制御する入力制御信号、例えば、垂直同期信号Ｖｓｙｎｃと水平同期信号Ｈｓｙｎｃ、メインクロックＭＣＬＫ、データイネーブル信号ＤＥなどの提供を受ける。信号制御部６００は、入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂと入力制御信号に基づいて映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂを液晶表示板組立体３００の動作条件に合せて適切に処理し、ゲート制御信号ＣＯＮＴ１及びデータ制御信号ＣＯＮＴ２などを生成した後、ゲート制御信号ＣＯＮＴ１をゲート駆動部４００に送出し、データ制御信号ＣＯＮＴ２と処理した映像信号ＤＡＴはデータ駆動部５００に送出する。

ゲート制御信号ＣＯＮＴ１は、ゲートオン電圧Ｖｏｎの走査開始を指示する走査開始信号ＳＴＶと、ゲートオン電圧Ｖｏｎの出力を制御する少なくとも一つのクロック信号などを有する。
データ制御信号ＣＯＮＴ２は、一つの画素行のデータ伝送を知らせる水平同期開始信号ＳＴＨ（図示せず）と、データ線（Ｄ_１−Ｄ_ｍ）に当該データ電圧の印加を指示するロード信号ＬＯＡＤ、及びデータクロック信号ＨＣＬＫ（共に図示せず）を有する。また、データ制御信号ＣＯＮＴ２は、共通電圧Ｖｃｏｍに対するデータ電圧の極性（以下、共通電圧に対するデータ電圧の極性を略してデータ電圧の極性という。）を反転させる反転信号ＲＶＳ（図示せず）を有することができる。

信号制御部６００からのデータ制御信号ＣＯＮＴ２に従って、データ駆動部５００は、一群の副画素ＰＸａ、ＰＸｂに対する映像信号ＤＡＴを受信し、階調電圧生成部８００からの二つの階調電圧群のうちの一群を選択し、選択された階調電圧郡の中から各映像データＤＡＴに対応する階調電圧を選択することによって、映像信号ＤＡＴを当該データ電圧に変換した後、これを当該データ線（Ｄ_１−Ｄ_ｍ）に印加する。

これと異なり、データ駆動部５００ではなく別個に備えられた外部の選択回路（図示せず）で二つの階調電圧群のうちのいずれか一つを選択してデータ駆動部５００に伝達することや、階調電圧生成部８００により値が変化する基準電圧を提供し、データ駆動部５００はこれを分圧して自ら階調電圧を形成することもできる。

ゲート駆動部４００、４００ａ、４００ｂは、信号制御部６００からのゲート制御信号ＣＯＮＴ１に従ってゲートオン電圧Ｖｏｎをゲート線（Ｇ_１ａ−Ｇ_ｎｂ）に印加して、該ゲート線（Ｇ_１ａ−Ｇ_ｎｂ）に接続されたスイッチング素子Ｑａ、Ｑｂを導通させ、これによってデータ線（Ｄ_１−Ｄ_ｍ）に印加されたデータ電圧が導通したスイッチング素子Ｑａ、Ｑｂを介して当該副画素ＰＸａ、ＰＸｂに印加される。

副画素ＰＸａ、ＰＸｂに印加されたデータ電圧と共通電圧Ｖｃｏｍの差は液晶キャパシタＣ_ＬＣａ、Ｃ_ＬＣｂの充電電圧、つまり、画素電圧として現れる。液晶分子は画素電圧の大きさによってその配列が異なり、このため液晶層３を通過する光の偏光が変化する。このような偏光の変化は、下部及び上部表示板１００、２００に付着された偏光板１２の偏光子によって光透過率の変化として現れる。

前述した二つの階調電圧群は互いに異なるガンマ曲線を示し、これらが一つの画素ＰＸの二つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂに印加されるので、一つの画素ＰＸのガンマ曲線はこれらを合成した曲線となる。二つの階調電圧群を決定する際には、合成ガンマ曲線が正面の基準ガンマ曲線に近接するようにする。例えば、正面の合成ガンマ曲線は、最も好適に定められた正面の基準ガンマ曲線と一致するようにし、側面の合成ガンマ曲線は、正面の基準ガンマ曲線に最も近接するようにする。この結果、側面視認性が向上する。

なお、既に説明したように、高い電圧の印加を受ける第２副画素電極１９１ｂの面積を第１副画素電極１９１ａの面積より小さくすることで、側面ガンマ曲線の歪みを小さくすることができる。特に、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの面積比率がほぼ２：１であるとき、側面ガンマ曲線が正面ガンマ曲線により近接して、側面視認性が一層良くなる。

１／２水平周期（または１／２Ｈ）（水平同期信号Ｈｓｙｎｃの半周期）を単位としてデータ駆動部５００とゲート駆動部４００は同一動作を反復する。このような方式で、１フレームの期間に全てのゲート線（Ｇ_１ａ−Ｇ_ｎｂ）に対して順次にゲートオン電圧Ｖｏｎを印加して全ての画素にデータ電圧を印加する。１フレームが終了すれば次のフレームが開始され、各画素に印加されるデータ電圧の極性が直前フレームの極性と逆極性になるように、データ駆動部５００に印加される反転信号ＲＶＳの状態が制御される（フレーム反転）。この時、１フレーム内でも反転信号ＲＳＶの特性に従って一つのデータ線を通じて流れるデータ電圧の極性が異なったり（例：行反転、ドット反転）、隣接データ線を通じて同時に流れるデータ電圧の極性も互いに異なったりすることができる（例：列反転、ドット反転）。

一方、図５を参照して、次式により定義されるキックバック電圧Ｖｋは、ゲート信号がゲートオン電圧Ｖｏｎからゲートオフ電圧Ｖｏｆｆに変わるとき、スイッチング素子Ｑの制御端子と出力端子との間の寄生容量Ｃｇｄによって生成され、画素電極ＰＥに印加された電圧を低下させる。
Ｖｋ＝［Ｃｇｄ／（Ｃ_ＬＣ＋Ｃ_ＳＴ＋Ｃｇｄ）］×ΔＶｇ
ここで、ΔＶｇはゲートオン電圧Ｖｏｎとゲートオフ電圧Ｖｏｆｆの差電圧である。
なお、本発明の実施形態による液晶表示装置の第１及び第２副画素ＰＸａ、ＰＸｂのキックバック電圧Ｖｋａ、Ｖｋｂの大きさは実質的に同一である。

第１及び第２副画素ＰＸａ、ＰＸｂの液晶キャパシタＣ_ＬＣａ、Ｃ_ＬＣｂの容量は、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの面積などによって決定されるので、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂに実質的に同一電圧が印加される場合、第１副画素電極１９１ａが第２副画素電極１９１ｂより面積が大きいので、第１液晶キャパシタＣ_ＬＣａが第２液晶キャパシタＣ_ＬＣｂよりも容量が大きい。また、維持電極１３７と重畳する第１ドレイン電極１７５ａの拡張部１７７ａが第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７７ｂより面積が大きい。ところが、ほとんどが低階調で動作する第１副画素電極１９１ａの液晶キャパシタＣ_ＬＣａは、液晶の配列による誘電率が第２副画素電極１９１ｂの誘電率に比して小さいので、第１液晶キャパシタＣ_ＬＣａの容量もさらに小さくなり、ほとんどが高階調で動作する第２副画素電極１９１ｂの液晶キャパシタＣ_ＬＣｂの容量はさらに大きくなる。このため、前記式に基づいて第１及び第２ストレージキャパシタＣ_ＳＴａ、Ｃ_ＳＴｂの容量を固定すれば、第１副画素電極１９１ａへのキックバック電圧Ｖｋａが第２副画素電極１９１ｂへのキックバック電圧Ｖｋｂより大きくなる。よって、キックバック電圧Ｖｋａ、Ｖｋｂの均衡をとるために、第１及び第２ストレージキャパシタＣ_ＳＴａ、Ｃ_ＳＴｂの値を調整する必要がある。

第１ストレージキャパシタＣ_ＳＴａの容量を増加させて第１副画素ＰＸａのキックバック電圧Ｖｋａが高くなるのを防止するため、第１ドレイン電極１７５ａと重畳する維持電極１３７をさらに形成したり、第１ドレイン電極１７５ａの拡張部１７７ａ及びこれと重畳する維持電極１３７の縦幅をさらに広くしたりする。このように、第１及び第２副画素ＰＸａ、ＰＸｂのキックバック電圧Ｖｋａ、Ｖｋｂの大きさを実質的に同一にすることで、最適の共通電圧Ｖｃｏｍを設定することが容易になり、キックバック電圧Ｖｋａ、Ｖｋｂの均衡をとることが可能になるので、画面のフリッカー現象などを防止することができる。

特に、図６乃至図１０に示すように、第１ドレイン電極１７５ａの接続部１７６ａａと重畳する維持電極１３７の延長部１３９をさらに設けて第１ストレージキャパシタＣ_ＳＴａを形成できるので、維持電極１３７の面積を減らしても充分な保持容量を確保でき、同時に開口率を増加させることができる。

この他に、維持電極１３７と重畳する第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの面積を適切に設定することによって、キックバック電圧Ｖｋａ、Ｖｋｂの大きさを同一にできる第１及び第２ストレージキャパシタＣ_ＳＴａ、Ｃ_ＳＴｂの容量を形成することができる。さらに、第１及び第２副画素ＰＸａ、ＰＸｂに印加されるゲート信号を異なるようにすることもできる。例えば、ゲートオン電圧Ｖｏｎの大きさを異なるようにしてΔＶｇを調節することによって、キックバック電圧Ｖｋａ、Ｖｋｂの大きさを同一にすることも可能である。

一方、共通電極２７０と遮蔽電極８８には同一の共通電圧が印加されるので、両者間には電場がほとんど無い。このため、共通電極２７０と遮蔽電極８８の間に位置した液晶分子は初期垂直配向状態をそのまま維持するので、この部分に入射した光は透過せず遮断される。

次に、図１１を参照して本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体について詳細に説明する。
図１１は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
図１１に示す実施形態の薄膜トランジスタ表示板の層状構造はほとんど図６に示した薄膜トランジスタ表示板の層状構造と同様である。

絶縁基板１１０上に、第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ及び端部１２９ａ、１２９ｂを有する複数の第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂと、維持電極１３７及びその延長部１３９を有する複数の維持電極線１３１を有するゲート導電体が形成され、その上には、ゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０上には、複数の島状の半導体１５４ａ、１５４ｂ、１５６ａ、１５７ａが形成されており、その上には複数の島状オーミック接触部材（図示せず）が形成されている。

オーミック接触部材及びゲート絶縁膜１４０上には、第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂ及び端部１７９を有する複数のデータ線１７１と、拡張部１７７ａ、１７７ｂ、端部１７６ａ、１７６ｂ及び接続部１７６ａａ、１７６ｂｂを有する複数の第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂを有するデータ導電体が形成されている。データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂ及び露出した第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂ部分の上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０の上にはコンタクトホール１８１ａ、１８１ｂ、１８２、１８５ａ、１８５ｂが形成されている。保護膜１８０の上には、複数の画素電極１９１、複数の遮蔽電極８８及び複数の接触補助部材８１ａ、８１ｂ、８２が形成されている。

しかし、図６の薄膜トランジスタ表示板と異なり、図１１の実施形態では、第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７７ｂと、これと重畳する維持電極１３７の右側部分が図６に示したものより幅が狭いので、第２ストレージキャパシタＣ_ＳＴｂの容量が図６に示したものより小さくなる。これにより、第１副画素電極１９１ａに低い電圧が印加され、第２副画素電極１９１ｂに高い電圧が印加されるときに第２液晶キャパシタＣ_ＬＣｂの容量がより大きくなって、キックバック電圧Ｖｋｂがキックバック電圧Ｖｋａより小さくなるのを防ぐ。このように、キックバック電圧Ｖｋａ、Ｖｋｂの大きさを実質的に同一にすることによって、最適の共通電圧Ｖｃｏｍを設定することが容易で、キックバック電圧Ｖｋａ、Ｖｋｂの均衡をとることが可能になるので、画面のフリッカー現象などを防止し、同時に開口率の低下を防止することができる。
図６に示す薄膜トランジスタ表示板の多くの特徴は、図１１に示す薄膜トランジスタ表示板にも適用できる。

次に、本発明の他の実施形態による液晶表示装置について図１２及び図１３を参照して詳細に説明する。
図１２は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置のブロック図であり、図１３は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の一つの画素に対する等価回路図である。
本発明の他の実施形態による液晶表示装置は、液晶表示板組立体３０１とこれに接続されたゲート駆動部４０３、及びデータ駆動部５０１、データ駆動部５０１に接続された階調電圧生成部８０１、並びにこれらを制御する信号制御部６０１を備える。

液晶表示板組立体３０１は、等価回路的に複数の表示信号線（Ｇ_１−Ｇ_ｎ、Ｄ_１−Ｄ２_ｍ）と、これに接続されてほぼ行列状に配列された複数の画素ＰＸを備える。
表示信号線（Ｇ_１−Ｇ_ｎ、Ｄ_１−Ｄ２_ｍ）は、ゲート信号を伝達する複数のゲート線（Ｇ_１−Ｇ_ｎ）と、データ信号を伝達するデータ線（Ｄ_１−Ｄ_２ｍ）を有する。ゲート線（Ｇ_１−Ｇ_ｎ）はほぼ行方向に延びて互いにほぼ平行であり、データ線（Ｄ_１−Ｄ_２ｍ）はほぼ列方向に延びて互いにほぼ平行である。一つの画素ＰＸの両側にそれぞれ一対のデータ線（Ｄ_１−Ｄ_２ｍ）が配置されている。さらに、表示信号線は、ゲート線（Ｇ_１−Ｇ_ｎ）とデータ線（Ｄ_１−Ｄ_２ｍ）以外にもゲート線（Ｇ_１−Ｇ_ｎ）とほぼ平行に延びた維持電極線を有することができる。

図１３に、表示信号線と一つの画素ＰＸの等価回路が示されているが、図面符号ＧＬで示したゲート線と、図面符号ＤＬａ、ＤＬｂで示したデータ線以外にも、表示信号線はゲート線ＧＬとほぼ平行に延びた維持電極線ＳＬをさらに有する。
各画素ＰＸは一対の副画素ＰＸｃ、ＰＸｄを有し、各副画素ＰＸｃ、ＰＸｄは、それぞれ当該ゲート線ＧＬ及びデータ線ＤＬａ、ＤＬｂに接続されているスイッチング素子Ｑｃ、Ｑｄと、これらに接続された液晶キャパシタＣ_ＬＣｃ、Ｃ_ＬＣｄ及びストレージキャパシタＣ_ＳＴｃ、Ｃ_ＳＴｄを有する。

各副画素ＰＸｃ、ＰＸｄは、図５に示した副画素と実質的に同一であるのでこれに対する詳細な説明は省略する。
階調電圧生成部８０１は、副画素ＰＸｃ、ＰＸｄの透過率に関連する二組の複数階調電圧を生成する。二組のうちの一組は共通電圧Ｖｃｏｍに対してプラスの値を有し、もう一組はマイナスの値を有する。

ゲート駆動部４０３は、液晶表示板組立体３０１のゲート線（Ｇ_１−Ｇ_ｎ）に接続され、外部からのゲートオン電圧Ｖｏｎとゲートオフ電圧Ｖｏｆｆの組み合わせからなるゲート信号をゲート線（Ｇ_１−Ｇ_ｎ）に印加する。
データ駆動部５０１は、液晶表示板組立体３０１のデータ線（Ｄ_１−Ｄ_２ｍ）に接続され、階調電圧生成部８０１からの階調電圧を選択してデータ信号として副画素ＰＸｃ、ＰＸｄに印加する。
信号制御部６０１は、ゲート駆動部４０３及びデータ駆動部５０１などの動作を制御する。

次に、このような液晶表示板組立体３０１の構造について図１４及び図１５を参照して詳細に説明する。
図１４は、本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の配置図であり、図１５は、図１４の液晶表示板組立体のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿った断面図である。
図１４及び図１５の実施形態による液晶表示板組立体は、薄膜トランジスタ表示板１０１、共通電極表示板２０１、及びその間の液晶層３を備える。

まず、薄膜トランジスタ表示板１０１について詳細に説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に、複数のゲート線１２１と複数の維持電極線１３１ａを有する複数のゲート導電体が形成されている。
ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、主に横方向に延びている。各ゲート線１２１は、上方に突出した第１及び第２ゲート電極１２４ｃ、１２４ｄと、他の層または外部駆動回路との接続のために広い面積の端部１２９を有する。

維持電極線１３１ａは、所定の電圧の印加を受けて主に横方向に延びている。各維持電極線１３１ａは、隣接した二つのゲート線１２１の間に位置し、二つのゲート線１２１からほぼ同一距離をおいている。各維持電極線１３１ａは、上下に拡張された維持電極１３７ａと維持電極１３７ａから下方に長く延びた棒状の延長部１３９ａを有する。維持電極１３７ａはほぼ長方形で、維持電極線１３１ａに対称であり、延長部１３９ａは第１ゲート電極１２４ｃの近傍まで延びている。しかし、維持電極１３７ａを始めとする維持電極線１３１ａの形状及び配置はいろいろな形態に変形可能である。

ゲート導電体１２１、１３１ａ上には、ＳｉＮｘまたはＳｉＯｘなどからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコンまたは多結晶シリコンなどからなる複数の島状の半導体１５４ｃ、１５４ｄ、１５６ｂ、１５７ｂが形成されている。半導体１５４ｃ、１５４ｄは、それぞれ第１及び第２ゲート電極１２４ｃ、１２４ｄ上に位置する。半導体１５６ｂ、１５７ｂは、ゲート線１２１、維持電極線１３１ａの境界を覆う。

半導体１５４ｃ、１５４ｄ、１５６ｂ、１５７ｂ上には、複数の島状のオーミック接触部材１６３ｃ、１６３ｄ、１６５ｃ、１６５ｄ、１６６ｂ、１６７ｂが形成されている。オーミック接触部材１６３ｃ−１６７ｂは、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなるか、シリサイドからなることができる。オーミック接触部材１６３ｃ、１６５ｃとオーミック接触部材１６３ｄ、１６５ｄとは、それぞれ対をなして半導体１５４ｃ、１５４ｄ上に位置し、オーミック接触部材１６６ｂ、１６７ｂは、それぞれ半導体１５６ｂ、１５７ｂ上に位置する。

ゲート絶縁膜１４０及びオーミック接触部材１６３ｃ、１６３ｄ、１６５ｃ、１６５ｄ、１６６ｂ、１６７ｂ上には、複数のデータ線１７１ａ、１７１ｂと複数対の第１及び第２ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄを有するデータ導電体が形成されている。
データ線１７１ａ、１７１ｂはデータ信号を伝達し、主に縦方向に延びてゲート線１２１及び維持電極線１３１ａと交差する。各データ線１７１ａ、１７１ｂは、第１及び第２ゲート電極１２４ｃ、１２４ｄに向かって延びた複数の第１及び第２ソース電極１７３ｃ、１７３ｄと他の層または外部駆動回路との接続のために広い面積の端部１７９ａ、１７９ｂを有する。

第１及び第２ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄは互いに分離されており、データ線１７１ａ、１７１ｂとも分離されている。第１及び第２の各ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄは、それぞれのゲート電極１２４ｃ、１２４ｄを中心に第１及び第２ソース電極１７３ｃ、１７３ｄと対向し、一側端に広い面積の長方形状の拡張部１７７ｃ、１７７ｄ、棒状の他側の端部１７６ｃ、１７６ｄ、並びに拡張部１７７ｃ、１７７ｄと端部１７６ｃ、１７６ｄを接続する接続部１７６ｃｃ、１７６ｄｄを有する。各拡張部１７７ｃ、１７７ｄは維持電極１３７ａと重畳し、棒状の端部１７６ｃ、１７６ｄは各ゲート電極１２４ｃ、１２４ｄと重畳し、Ｕ字状に折曲したソース電極１７３ｃ、１７３ｄで一部覆われている。

第１ドレイン電極１７５ｃの接続部１７６ｃｃはほとんど維持電極１３７ａの延長部１３９ａ上に位置し、維持電極１３７ａの延長部１３９ａと平行に延びてこの延長部１３９ａの縦境界線内に位置する。第２ドレイン電極１７５ｄの拡張部１７７ｄの面積は、第１ドレイン電極１７５ｃの拡張部１７７ｃの面積より小さい。

第１及び第２ゲート電極１２４ｃ、１２４ｄ、第１及び第２ソース電極１７３ｃ、１７３ｄ、並びに第１及び第２ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄは、半導体１５４ｃ、１５４ｄと共に第１及び第２薄膜トランジスタＱｃ、Ｑｄを構成し、薄膜トランジスタＱｃ、Ｑｄのチャンネルは、第１及び第２ソース電極１７３ｃ、１７３ｄと、第１及び第２ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄとの間の半導体１５４ｃ、１５４ｄに形成される。

オーミック接触部材１６３ｃ、１６３ｄ、１６５ｃ、１６５ｄ、１６６ｂ、１６７ｂは、その下の半導体１５４ｃ、１５４ｄ、１５６ｂ、１５７ｂと、その上のデータ線１７１ａ、１７１ｂ、及び第１、第２ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄとの間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。島状の半導体１５４ｃ、１５４ｄには、第１及び第２ソース電極１７３ｃ、１７３ｄと第１及び第２ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄとの間を始めとして、これらで覆われず露出した部分がある。半導体１５６ｂ、１５７ｂは、ゲート線１２１及び維持電極線１３１ａ表面のプロファイルを滑らかにして、データ線１７１ａ、１７１ｂ及び第１、第２ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄの断線を防止する。

データ線１７１ａ、１７１ｂ、第１、第２ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄ及び露出した半導体１５４ｃ、１５４ｄ部分上には保護膜１８０が形成されている。
保護膜１８０には第１及び第２ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄの拡張部１７７ｃ、１７７ｄとデータ線１７１ａ、１７１ｂの端部１７９ａ、１７９ｂをそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール１８５ｃ、１８５ｄ、１８２ａ、１８２ｂが形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１の端部１２９を露出させる複数のコンタクトホール１８１が形成されている。
保護膜１８０上には、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂを有する複数の画素電極１９１、複数の遮蔽電極８８ｂ及び複数の接触補助部材８１、８２ａ、８２ｂが形成されている。

一つの画素電極１９１を構成する一対の第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂはギャップ９３を間に挟んで互いに噛み合い、画素電極１９１の外側境界はほぼ四角形状を有する。第２副画素電極１９１ｂは、ほぼ直角に回転した等辺台形で下辺が台形に凹んで、ほとんど第１副画素電極１９１ａで覆われている。第１副画素電極１９１ａは、左側辺で互いに連結されている上部、下部及び中央台形部からなる。第１副画素電極１９１ａの中央台形部は、第２副画素電極１９１ｂの凹んだ下辺に嵌合されている。第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂとの間のギャップ９３はほぼ均一な幅を有し、ゲート線１２１と約４５度をなす二対の上部及び下部斜線部と実質的に均一な幅を有する三つの縦部を有する。以下、説明の便宜上、ギャップ９３も切開部と称する。

第１副画素電極１９１ａは、上部台形部の上側辺及び下部台形部の下側辺から右側辺に向かって延びた切開部９６ａ、９６ｂ、９７ａ、９７ｂを有する。また、第１副画素電極１９１ａは、維持電極線１３１ａに沿って延びた切開部９１、９２ａを有し、切開部９１、９２ａは、中央から横方向に延びた横部と、維持電極線１３１ａに対して約４５度をなす一対の斜辺を有する。第２副画素電極１９２ｂは、左側辺から右側辺に向かって延びた切開部９４ａ、９４ｂを有する。切開部９１、９２ａ、９４ａ、９４ｂ、９６ａ、９６ｂ、９７ａ、９７ｂは、維持電極線１３１ａに対してほぼ反転対称をなしており、これらはゲート線１２１に対して約４５度をなし、互いに垂直に延びている。画素電極１９１の上半部及び下半部は、切開部９１−９７ｂによってそれぞれ８個の領域に分割される。

第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂは、コンタクトホール１８５ｃ、１８５ｄを介して第１及び第２ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄと物理的、電気的に接続されて第１及び第２ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄからデータ電圧の印加を受ける。一対の副画素電極１９１ａ、１９１ｂには、一つの入力映像信号に対し予め設定された互いに異なるデータ電圧が印加され、その大きさは、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの大きさ及び形状によって設定される。また、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの面積は互いに異なることができる。例えば、第２副画素電極１９１ｂは第１副画素電極１９１ａに比較して高い電圧の印加を受け、第１副画素電極１９１ａより面積が小さい。

データ電圧が印加された第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂは、共通電圧の印加を受ける共通電極２７０が第１及び第２液晶キャパシタＣ_ＬＣｃ、Ｃ_ＬＣｄを構成して第１及び第２薄膜トランジスタＱｃ、Ｑｄが非導通状態になった後も印加された電圧を維持する。各液晶キャパシタＣ_ＬＣｃ、Ｃ_ＬＣｄは液晶層３部分を誘電体として有する。

第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂ及びこれと電気的に接続された第１及び第２ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄの拡張部１７７ｃ、１７７ｄは、ゲート絶縁膜１４０を介在して維持電極１３７ａ及び延長部１３９ａを始めとする維持電極線１３１ａと重畳して、第１及び第２液晶キャパシタＣ_ＬＣｃ、Ｃ_ＬＣｄの電圧維持能力を強化する各ストレージキャパシタＣ_ＳＴｃ、Ｃ_ＳＴｄを構成する。

遮蔽電極８８ｂは、共通電圧の印加を受け、データ線１７１ａ、１７１ｂに沿って延びた縦部と、ゲート線１２１に沿って延びた横部を有する。縦部はデータ線１７１ａ、１７１ｂを完全に覆い、横部もゲート線１２１を完全に覆い、隣接した縦部を接続する。遮蔽電極８８ｂは、データ線１７１ａ、１７１ｂと画素電極１９１との間、及びデータ線１７１ａ、１７１ｂと共通電極２７０との間に形成される電界を遮断して、画素電極１９１の電圧歪み及びデータ線１７１ａ、１７１ｂが伝達するデータ電圧の信号遅延を減少させる。

接触補助部材８１、８２ａ、８２ｂは、それぞれコンタクトホール１８１、１８２ａ、１８２ｂを介してゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１ａ、１７１ｂの端部１７９ａ、１７９ｂに接続される。接触補助部材８１、８２ａ、８２ｂは、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１ａ、１７１ｂの端部１７９ａ、１７９ｂと外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。

次に、共通電極表示板２０１について詳細に説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０上に、遮光部材２２０、複数のカラーフィルタ２３０、オーバーコート膜２５０及び共通電極２７０が順に形成されている。

共通電極２７０は、複数組の切開部群７１、７２、７３ａ、７４ａ、７５ｃ、７５ｄ、７６ｃ、７６ｄ、７７ａ、７７ｂ、７８ａ、７８ｂを有する。一組の切開部７１−７８ｂは、一つの画素電極１９１と対向し、中央切開部７１、７２、７３ａ、７４ａ、上部切開部７５ｃ、７６ｃ、７７ａ、７８ａ及び下部切開部７５ｄ、７６ｄ、７７ｂ、７８ｂを有する。切開部７１−７８ｂは、画素電極１９１の左側辺の中央、画素電極１９１の切開部９１−９７ｂの間、及び周縁切開部９７ａ、９７ｂと画素電極１９１の角の間に配置されている。また、切開部７２−７８ｂは、画素電極１９１の切開部９１−９７ｂと平行に延びた少なくとも一つの斜線部を有する。

下部及び上部切開部７５ｃ−７８ｂは、ほぼ画素電極１９１の右側辺から下側または上側辺に向かって延びた斜線部、並びに斜線部の各端から画素電極１９１の辺に沿って辺と重畳しながら延び、斜線部と鈍角をなす横部及び縦部を有する。

中央切開部７１は、画素電極１９１の左側辺に沿って左側辺と重畳しながら延びた縦部と、縦部の中央で維持電極線１３１ａに沿って延びた横部を有する。中央切開部７２、７３ａは、ほぼ維持電極線１３１ａに沿って延びた横部と、これから維持電極線１３１ａと斜角をなして画素電極１９１の左側辺に向かって延びた一対の斜線部と、斜線部の各端から画素電極１９１の左側辺に沿って左側辺と重畳しながら延び、斜線部と鈍角をなす縦断縦部を有する。中央切開部７４ａは、画素電極１９１の右側辺に沿って右側辺と重畳しながら延びた縦部、縦部の各端から画素電極１９１の左側辺に向かって延びた一対の斜線部、並びに斜線部の各端から第２副画素電極１９１ｂの左側辺に沿って左側辺と重畳しながら延び、斜線部と鈍角をなす縦断縦部を有する。

切開部７２−７７ｂの斜線部には三角形状のノッチが形成されている。このノッチは、四角形、台形または半円形に形成されたり、突出した形状や凹んだ形状に形成されたりすることもできる。
下部及び上部表示板１０１、２０１の内側面には配向膜１１、２１が塗布されており、外側面には偏光子を有する偏光板１２、２２が備えられている。
図１４及び図１５に示す実施形態による液晶表示装置の表示動作は、前記実施形態と実質的に同一であるのでこれに対する説明は省略する。

図１４及び図１５に示す実施形態の液晶表示装置においても、第１及び第２副画素ＰＸｃ、ＰＸｄのキックバック電圧Ｖｋｃ、Ｖｋｄの大きさは実質的に同一である。第１及び第２液晶キャパシタＣ_ＬＣｃ、Ｃ_ＬＣｄの容量は、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの面積などによって決定されており、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂに実質的に同一電圧が印加されるときに、第１副画素電極１９１ａが第２副画素電極１９１ｂより面積が大きいため、第１液晶キャパシタＣ_ＬＣｃが第２液晶キャパシタＣ_ＬＣｄより容量が大きい。また、維持電極１３７ａと重畳する第１ドレイン電極１７５ｃの拡張部１７７ｃが第２ドレイン電極１７５ｄの拡張部１７７ｄより面積が大きい。ところが、ほとんど低階調で動作する第１副画素電極１９１ａの第１液晶キャパシタＣ_ＬＣｃは、液晶の配列による誘電率が第２副画素電極１９１ｂの誘電率に比較して小さく、この第１液晶キャパシタＣ_ＬＣｃの容量もより小さくなるので、ほとんど高階調で動作する第２副画素電極１９１ｂの第２液晶キャパシタＣ_ＬＣｄの容量はより大きくなる。これにより、各ストレージキャパシタＣ_ＳＴｃ、Ｃ_ＳＴｄの容量を固定すれば、第１副画素電極１９１ａへのキックバック電圧Ｖｋｃが第２副画素電極１９１ｂへのキックバック電圧Ｖｋｄより大きくなる。よって、キックバック電圧Ｖｋｃ、Ｖｋｄの均衡をとるために、第１及び第２ストレージキャパシタＣ_ＳＴｃ、Ｃ_ＳＴｄの値を調整する必要がある。

第１ストレージキャパシタＣ_ＳＴｃの容量を大きくしてキックバック電圧Ｖｋｃが高くなるのを防止するために、第１ドレイン電極１７５ｃの接続部１７６ｃｃと重畳する維持電極１３７ａの延長部１３９ａをさらに設けたり、第１ドレイン電極１７５ｃの拡張部１７７ｃ及びこれと重畳する維持電極１３７ａの縦幅をより大きくしたりする。このように、第１及び第２副画素ＰＸｃ、ＰＸｄのキックバック電圧Ｖｋｃ、Ｖｋｄの大きさを実質的に同一にすることによって、最適の共通電圧Ｖｃｏｍを設定することが容易で、キックバック電圧Ｖｋｃ、Ｖｋｄの均衡をとることが可能になるので、画面のフリッカー現象などを防止することができる。

特に、図１４及び図１５に示すように、第１ドレイン電極１７５ｃの接続部１７６ｃｃと重畳する維持電極１３７ａの延長部１３９ａをさらに設けることでストレージキャパシタＣ_ＳＴａを形成できるので、維持電極１３７ａの面積を減少させても充分な保持容量を確保でき、同時に開口率を増加させることができる。

また、本実施形態においても、第２ドレイン電極１７５ｄの拡張部１７７ｄと、これと重畳する維持電極１３７ａの右側部分の幅をより狭くして、第２ストレージキャパシタＣ_ＳＴｄの容量をより小さくすることによって、第２副画素電極１９１ｂに高い電圧が印加されるときに、キックバック電圧Ｖｋｄが小さくなるのを補償することができる。この結果、キックバック電圧Ｖｋｃ、Ｖｋｄの均衡をとることができるので、フリッカー現象を防止し、同時に開口率の減少を防止することができる。
図１乃至図１０の液晶表示板組立体の多くの特徴は、図１２乃至図１１５の液晶表示板組立体にも適用できる。

次に、図１６及び図１７を参照して本発明の他の実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタについて詳細に説明する。
図１６は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図１７は、図１６の液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板のＸＩＩＩＢ−ＸＩＩＩＢ線に沿った断面図である。

透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に、複数のゲート線１２１と複数の維持電極線１３１ｂが形成されている。
ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、主に横方向に延びている。各ゲート線１２１は、上方に突出した複数のゲート電極１２４ｅと他の層または外部駆動回路との接続のために広い面積の端部１２９を有する。

維持電極線１３１ｂは所定の電圧の印加を受け、主に横方向に延びている。各維持電極線１３１ｂは、隣接した二つのゲート線１２１の間に位置し、二つのゲート線１２１からほぼ同一距離をおいている。各維持電極線１３１ｂは、上下に拡張された維持電極１３７ｂと、維持電極１３７ｂから下方に長く延びた棒状の延長部１３９ｂを有する。維持電極１３７ｂはほぼ長方形で、維持電極線１３１ｂに対称であり、延長部１３９ｂはゲート電極１２４ｅの近傍まで延びている。しかし、維持電極１３７ｂを始めとする維持電極線１３１ｂの形状及び配置は様々な形態に変形することができる。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１ｂ上には、ＳｉＮｘまたはＳｉＯｘなどからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコンまたは多結晶シリコンなどからなる複数の島状の半導体１５４ｅが形成されている。半導体１５４ｅは、それぞれゲート電極１２４ｅ上に位置する。半導体１５４ｅは、ゲート線１２１境界まで延びており、維持電極線１３１ｂの境界にも配置できる。半導体１５４ｅの上には複数の島状オーミック接触部材１６３ｅ、１６５ｅが形成されている。オーミック接触部材１６３ｅ、１６５ｅは対をなして半導体１５４ｅ上に位置する。

ゲート絶縁膜１４０及びオーミック接触部材１６３ｅ、１６５ｅ上には、複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５ｅが形成されている。
データ線１７１はデータ信号を伝達し、主に縦方向に延びてゲート線１２１及び維持電極線１３１ｂと交差する。各データ線１７１は、ゲート電極１２４ｅに向かって延びた複数のソース電極１７３ｅと、他の層または外部駆動回路との接続のために広い面積の端部１７９を有する。

ドレイン電極１７５ｅは、データ線１７１と分離されている。各ドレイン電極１７５ｅは、ゲート電極１２４ｅを中心にソース電極１７３ｅと対向し、一側端に面積が広い長方形状の拡張部１７７ｅ、棒状の他側の端部１７６ｅ、並びに拡張部１７７ｅと端部１７６ｅを接続する接続部１７６ｅｅを有する。
各拡張部１７７ｅは維持電極１３７ｂと重畳し、棒状の端部１７６ｅはゲート電極１２４ｅと重畳し、Ｕ字状に折曲したソース電極１７３ｅで一部覆われている。以下、拡張部１７７ｅを結合電極と称する。

ドレイン電極１７５ｅの接続部１７６ｅｅは、ほとんど維持電極１３７ｂの延長部１３９ｂ上に位置し、維持電極１３７ｂの延長部１３９ｂと平行に延びてこの延長部１３９ｂの縦境界線内に位置する。
一つのゲート電極１２４ｅ、一つのソース電極１７３ｅ及び一つのドレイン電極１７５ｅは、半導体１５４ｅと共に一つの薄膜トランジスタを構成し、薄膜トランジスタのチャンネルは、ソース電極１７３ｅとドレイン電極１７５ｅとの間の半導体１５４ｅに形成される。

オーミック接触部材１６３ｅ、１６５ｅは、その下の半導体１５４ｅと、その上のデータ線１７１及びドレイン電極１７５ｅとの間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。島状の半導体１５４ｅにはソース電極１７３ｅとドレイン電極１７５ｅとの間を始めとして、これらで覆われず露出した部分がある。半導体１５４ｅの延長部は、ゲート線１２１表面のプロファイルを滑らかにしてデータ線１７１の断線を防止する。

データ線１７１、ドレイン電極１７５ｅ及び露出した半導体１５４ｅ部分の上には保護膜１８０が形成されている。
保護膜１８０には結合電極１７７ｅとデータ線１７１の端部１７９をそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール１８２、１８５ｅが形成されており、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９を露出させる複数のコンタクトホール１８１が形成されている。

保護膜１８０上には、複数の画素電極１９１、複数の遮蔽電極８８及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。
各画素電極１９１は、４つの角が面取りされたほぼ四角形状を有し、面取りされた斜辺はゲート線１２１に対して約４５度の角度をなす。画素電極１９１はゲート線１２１と重畳し、このため開口率を大きくすることができる。

各画素電極１９１は、ギャップ９３を間に挟んで分かれた一対の第１及び第２副画素電極１９１ｃ、１９１ｄを有する。ギャップ９３は、画素電極１９１の左側辺から右側辺に延びている上部及び下部斜線部と、これらを連結する縦部を有する。ギャップ９３の上部及び下部斜線部は、ゲート線１２１と約４５度をなし、互いに垂直である。
よって、第２副画素電極１９１ｄは、ほぼ直角に回転した二等辺台形状を有し、第１副画素電極１９１ｃは第２副画素電極１９１ｄの斜辺と対向し、ほぼ直角に回転した一対の台形部と第２副画素電極１９１ｄの右側辺と対向する縦部を有する。

第１副画素電極１９１ｃは、下部及び上部切開部９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂを有する。下部及び上部切開部９４ａ、９４ｂは、第１副画素電極１９１ｃの下側または上側の角から右側辺に斜めに延びており、下部及び上部切開部９５ａ、９５ｂは、第１副画素電極１９１ｃの下側辺または上側辺から右側辺に斜めに延びている。下部及び上部切開部９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂは、ゲート線１２１に対して約４５度の角度をなし、互いに垂直に延びている。

第２副画素電極１９１ｄは中央切開部９１、９２を有する。中央切開部９１は、第２副画素電極１９１ｄの左側辺の中央に入口を有し、切開部９１の入口は、ギャップ９３の上部斜線部及び下部斜線部とそれぞれ実質的に平行な一対の斜辺を有している。切開部９２は、維持電極１３７ｂの中央に横に短く延びた横部と、これからギャップ９３の上部斜線部及び下部斜線部とほぼ平行に延びた一対の斜線部を有する。以下、説明の便宜上、ギャップ９３も切開部と称する。

画素電極１９１は、上記切開部９１、９２、９３、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂによって複数の領域に分割される。切開部９１、９２、９３、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂは維持電極線１３１ｂに対してほぼ反転対称をなす。
この時、切開部の数または領域の数は、画素電極１９１の大きさ、画素電極１９１の横辺と縦辺の長さ比、液晶層の種類や特性など、設計要素によって異なる。
下部表示板１００の外部面には偏光子を有する偏光板１２が備えられている。

第１副画素電極１９１ｃはコンタクトホール１８５ｅを介してドレイン電極１７５ｅと物理的、電気的に接続されてドレイン電極１７５ｅからデータ電圧の印加を受ける。第１及び第２副画素電極１９１ｃ、１９１ｄと共通電極（図示せず）は、第１及び第２液晶キャパシタＣ_ＬＣｅ、Ｃ_ＬＣｆを構成して、薄膜トランジスタが非導通状態になった後も印加された電圧を維持する。

第１副画素電極１９１ｃ及びこれに接続された結合電極１７７ｅは、維持電極１３７ｂを始めとする維持電極線１３１ｂと重畳してストレージキャパシタＣ_ＳＴｅを構成し、ストレージキャパシタＣ_ＳＴｅは、第１液晶キャパシタＣ_ＬＣｅの電圧維持能力を強化する。
第２副画素電極１９１ｄは結合電極１７７ｅと重畳して結合キャパシタＣｃｐ（図示せず）を構成する。

薄膜トランジスタは、ゲート線１２１からのゲート信号に従ってデータ線１７１からのデータ電圧を第１液晶キャパシタＣ_ＬＣｅ及び結合キャパシタＣｃｐに印加し、結合キャパシタＣｃｐは該電圧をその大きさを変えて第２液晶キャパシタＣ_ＬＣｆに伝達する。

維持電極線１３１ｂに共通電圧Ｖｃｏｍが印加され、キャパシタＣ_ＬＣｅ、Ｃ_ＳＴｅ、Ｃ_ＬＣｆ、Ｃｃｐと、その静電容量を同一図面符号で示すと、第１液晶キャパシタＣ_ＬＣｅに充電された電圧Ｖｅと、第２液晶キャパシタＣ_ＬＣｆに充電された電圧Ｖｆは、次のような関係を有する。
Ｖｆ＝Ｖｅ×［Ｃｃｐ／（Ｃｃｐ＋Ｃ_ＬＣｆ）］
Ｃｃｐ／（Ｃｃｐ＋Ｃ_ＬＣｆ）の値が１より小さいので、第２液晶キャパシタＣ_ＬＣｆに充電された電圧Ｖｆは、第１液晶キャパシタＣ_ＬＣｅに充電された電圧Ｖｅに比べて常に小さい。この関係は、維持電極線１３１ｂの電圧が共通電圧Ｖｃｏｍでない場合にも同様に成立する。

このように、第１または第２液晶キャパシタＣ_ＬＣｅ、Ｃ_ＬＣｆの両端に電位差が生じれば、下部表示板１００と共通電極表示板（図示せず）の面にほぼ垂直な電場が液晶層に生成され、液晶分子は電場に応答してその長軸が電場の方向に垂直をなすように傾斜し、液晶分子が傾いた程度によって液晶層に入射した光の偏光の変化程度が変化する。このような偏光の変化は、偏光子を有する偏光板１２によって透過率の変化として現れ、これによって液晶表示装置は映像を表示する。

液晶分子の傾斜角度は電場の強さによって変わり、第１液晶キャパシタＣ_ＬＣｅの電圧Ｖｅと第２液晶キャパシタＣ_ＬＣｆの電圧Ｖｆが互いに異なるので、第１副画素と第２副画素で液晶分子の傾斜角度が異なり、このため二つの副画素の輝度が異なる。これにより、第１液晶キャパシタＣ_ＬＣｅの電圧Ｖｅと第２液晶キャパシタＣ_ＬＣｆの電圧Ｖｆを適切に調整すれば、側面から見る映像が正面から見る映像に最大限に近接することができ、この結果、側面視認性を向上させることができる。

遮蔽電極８８は共通電圧の印加を受け、データ線１７１に沿って延びた縦部とゲート線１２１に沿って延びて隣接した縦部を連結する横部を有する。縦部はデータ線１７１を完全に覆い、横部はゲート線１２１の境界の内側に位置する。
接触補助部材８１、８２は、それぞれコンタクトホール１８１、１８２を介してゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９に接続される。

このように、図１６及び図１７に示すように、ドレイン電極１７５ｅの接続部１７６ｅｅと重畳する維持電極１３７ｂの延長部１３９ｂをさらに設けてストレージキャパシタＣ_ＳＴｅを形成できるので、維持電極１３７ｂの面積を減らしても充分な保持容量を確保でき、同時に開口率を増加させることができる。
図１乃至図１０に示した液晶表示板組立体の多くの特徴は、図１６及び図１７の液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板にも適用できる。

最後に、図１８及び図１９を参照して本発明の他の実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタについて詳細に説明する。
図１８は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図１９は、図１８の液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板のＸＩＶＢ−ＸＩＶＢ線に沿った断面図である。
図１８及び図１９に示す実施形態による薄膜トランジスタ表示板の層状構造は、図１１６及び図１７に示した薄膜トランジスタ表示板の層状構造とほとんど同様である。

絶縁基板１１０上に、ゲート電極１２４ｅ及び端部１２９を有する複数のゲート線１２１と、維持電極１３７ｂ及び延長部１３９ｂを有する複数の維持電極線１３１ｂが形成されており、その上には、ゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０上には、複数の島状の半導体１５４ｅが形成されており、その上には、複数の島状のオーミック接触部材１６３ｅ、１６５ｅが形成されている。ゲート絶縁膜１４０及びオーミック接触部材１６３ｅ、１６５ｅ上には、ソース電極１７３ｅ及び端部１７９を有する複数のデータ線１７１と、拡張部１７７ｅ、端部１７６ｅ及び接続部１７６ｅｅを有する複数のドレイン電極１７５ｅが形成されている。データ線１７１、ドレイン電極１７５ｅ及び露出した半導体１５４ｅ部分の上には、コンタクトホール１８１、１８２、１８５を有する保護膜１８０が形成されており、その上には、複数の画素電極１９１、複数の遮蔽電極８８、及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。下部表示板１００の底面には偏光子を有する偏光板１２が備えられている。

しかし、図１６及び図１７に示した薄膜トランジスタ表示板と異なり、図１８及び図１９に示す実施形態では各画素電極１９１は分離されておらず、中央切開部９１、９２、下部切開部９３ａ、９４ａ、９５ａ及び上部切開部９３ｂ、９４ｂ、９５ｂを有する。

下部及び上部切開部９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂは、画素電極１９１ｃの左側辺から右側辺に斜めに延びており、下部及び上部切開部９５ａ、９５ｂは、画素電極１９１の下側辺または上側辺から右側辺に斜めに延びている。下部及び上部切開部９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂは、ゲート線１２１に対して約４５度の角度をなし、互いに垂直に延びている。

中央切開部９１は、画素電極１９１の左側辺の中央に入口を有し、切開部９１の入口は、下部及び上部切開部９３ａ−９５ｂとそれぞれ実質的に平行な一対の斜辺を有している。切開部９２は、維持電極１３７ｂの中央に横に短く延びた横部と、これからギャップ９３の上部斜線部及び下部斜線部とほぼ平行に延びた一対の斜線部を有する。
これにより、画素電極１９１は、切開部９１、９２、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ、９５ａ、９５ｂによって複数の領域に分割される。切開部９１−９５ｂは、維持電極線１３１ｂに対しほぼ反転対称をなす。

画素電極１９１は、コンタクトホール１８５を介してドレイン電極１７５ｅと物理的、電気的に接続されてドレイン電極１７５ｅからデータ電圧の印加を受け、共通電極（図示せず）と共に液晶キャパシタＣ_ＬＣｇを構成して、薄膜トランジスタが非導通状態になった後も印加された電圧を維持する。

画素電極１９１及びこれに接続されたドレイン電極の拡張部１７７ｅは、維持電極１３７ｂを始めとする維持電極線１３１ｂと重畳してストレージキャパシタＣ_ＳＴｇを構成し、ストレージキャパシタＣ_ＳＴｇは、液晶キャパシタＣ_ＬＣｇの電圧維持能力を強化する。

薄膜トランジスタがゲート線１２１からのゲート信号に従ってデータ線１７１からのデータ電圧を液晶キャパシタＣ_ＬＣｇに印加すれば、液晶層（図示せず）の液晶分子は、液晶キャパシタＣ_ＬＣｇの電場に応答して、その長軸が電場の方向に垂直をなすように傾き、液晶分子が傾く程度によって液晶層に入射した光の偏光の変化程度が変化する。このような偏光の変化は、偏光子を有する偏光板１２によって透過率の変化として現れ、これによって液晶表示装置は映像を表示する。

液晶分子の傾斜方向は、画素電極１９１の切開部９１−９５ｂと共通電極（図示せず）の切開部（図示せず）が電場を歪曲して形成する水平成分によって決定され、この電場の水平成分は、切開部９１−９５ｂの辺と画素電極１９１の辺に垂直である。図１８に示すように、液晶分子の傾斜方向は約４つの方向である。このように、液晶分子の傾斜方向を複数にすることによって液晶表示装置の基準視野角を大きくすることができる。
液晶分子の傾斜方向を決定するための切開部９１−９５ｂの形状及び配置は変更することができ、少なくとも一つの切開部９１−９５ｂは突起（図示せず）や陥没部（図示せず）で代替することができる。突起は有機物または無機物からなることができ、電場生成電極の上または下に配置できる。

上述の実施形態においても、図１８及び図１９に示すように、ドレイン電極１７５ｅの接続部１７６ｅｅと重畳する維持電極１３７ｂの延長部１３９ｂをさらに設けてストレージキャパシタＣ_ＳＴｇを形成できるので、維持電極１３７ｂの面積を減らしても充分な保持容量を確保でき、同時に開口率を増加させることができる。
図１乃至図１０の液晶表示板組立体の多くの特徴は、図１８及び図１９の液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板にも適用できる。

一方、図６乃至図１０のように、ドレイン電極１７５ａの接続部１７６ａａ下に維持電極１３７の延長部１３９をさらに設けてストレージキャパシタＣ_ＳＴａを形成し、維持電極１３７の面積を減らして開口率を増加させる構造は、スイッチング素子を一つまたは複数個備えた表示板など、他の構造を有する表示板にも適用できる。

以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。

本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図（その１）である。 本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図（その２）である。 本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図（その３）である。 本発明の一実施形態による液晶表示装置の一つの画素に対する等価回路図である。 本発明の一実施形態による液晶表示装置の一つの副画素に対する等価回路図である。 本発明の一実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。 本発明の一実施形態による共通電極表示板の配置図である。 図６及び図７の二つの表示板を備える液晶表示板組立体の配置図である。 図８の液晶表示板組立体のＶＩＩＡ−ＶＩＩＡ線に沿った断面図である。 図８の液晶表示板組立体のＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ′−ＶＩＩＢ″線に沿った断面図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示装置のブロック図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の一つの画素に対する等価回路図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示板組立体の配置図である。 図１４の液晶表示板組立体のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿った断面図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。 図１６の液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板のＸＩＩＩＢ−ＸＩＩＩＢ線に沿った断面図である。 本発明の他の実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。 図１８の液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板のＸＩＶＢ−ＸＩＶＢ線に沿った断面図である。

符号の説明

３ 液晶層
１２、２２ 偏光板
１１、２１ 配向膜
７１、７２、７３、７３ａ、７４ａ（図１４、１５）、 共通電極の中央切開部
７４ａ（図７〜９）、７５ａ、７５ｃ、７６ａ、７６ｃ、７７ａ、７８ａ 共通電極の上部切開部
７４ｂ、７５ｂ、７５ｄ、７６ｂ、７６ｄ、７７ｂ、７８ｂ 共通電極の下部切開部
８１、８１ａ、８１ｂ、８２、８２ａ、８２ｂ 接触補助部材
８８、８８ｂ 遮蔽電極
９１、９２（図１６〜１９）、９２ａ 画素電極の中央切開部
９２（図６、８、９、１１）、９３ 画素電極のギャップ（切開部）
９３ａ（図６、８、９、１１）、９３ｂ、９４ａ（図６、８、９、１１、１４、１５）、９４ｂ、９５ｂ、９６ａ、９７ａ、 画素電極の上部切開部
９３ａ（図１８、１９）、９３ｃ、９４ａ（図１６〜１９）、９４ｃ、９５ａ、９６ｂ、９７ｂ 画素電極の下部切開部
１００、１０１ 下部表示板（薄膜トランジスタ表示板）
１１０、２１０ 基板（絶縁基板）
１２１ ゲート線（ゲート導電体）
１２１ａ 第１ゲート線（ゲート導電体）
１２１ｂ 第２ゲート線（ゲート導電体）
１２４ａ、１２４ｃ 第１ゲート電極
１２４ｂ、１２４ｄ 第２ゲート電極
１２４ｅ ゲート電極
１２９ ゲート線の端部
１２９ａ 第１ゲート線の端部
１２９ｂ 第２ゲート線の端部
１３１、１３１ａ、１３１ｂ 維持電極線（ゲート導電体）
１３７、１３７ａ、１３７ｂ 維持電極
１３９、１３９ａ、１３９ｂ 維持電極の延長部
１４０ ゲート絶縁膜
１５４ａ 第１半導体
１５４ｂ 第２半導体
１５４ｃ、１５４ｄ、１５４ｅ、１５６ａ、１５６ｂ、１５７ａ、１５７ｂ 半導体
１６３ａ、１６３ｂ、１６３ｃ、１６３ｄ、１６３ｅ、１６５ａ、１６５ｂ、１６５ｃ、１６５ｄ、１６５ｅ、１６６ａ、１６６ｂ、１６７ｂ オーミック接触部材
１７１、１７１ａ、１７１ｂ データ線（データ導電体）
１７３ａ、１７３ｃ 第１ソース電極
１７３ｂ、１７３ｄ 第２ソース電極
１７３ｅ ソース電極
１７５ａ、１７５ｃ 第１ドレイン電極（データ導電体）
１７５ｂ、１７５ｄ 第２ドレイン電極（データ導電体）
１７５ｅ ドレイン電極
１７６ａ、１７６ｃ 第１ドレイン電極の端部
１７６ｂ、１７６ｄ 第２ドレイン電極の端部
１７６ｅ ドレイン電極の端部
１７６ａａ、１７６ｃｃ 第１ドレイン電極の接続部
１７６ｂｂ、１７６ｄｄ 第２ドレイン電極の接続部
１７６ｅｅ ドレイン電極の接続部
１７７ａ、１７７ｃ 第１ドレイン電極の拡張部（電極）
１７７ｂ、１７７ｄ 第２ドレイン電極の拡張部（電極）
１７７ｅ、 ドレイン電極の拡張部（結合電極）
１７９、１７９ａ、１７９ｂ データ線の端部
１８０ 保護膜
１８１、１８１ａ、１８１ｂ、１８２、１８２ａ、１８２ｂ、１８５、１８５ａ、１８５ｂ、１８５ｃ、１８５ｄ、１８５ｅ コンタクトホール
１９１ 画素電極（電場生成電極）
１９１ａ、１９１ｃ 第１副画素電極
１９１ｂ、１９１ｄ 第２副画素電極
２００、２０１ 上部表示板（共通電極表示板）
２２０ 遮光部材
２２５ 遮光部材の開口部
２３０ カラーフィルタ
２５０ オーバーコート膜
２７０ 共通電極（電場生成電極）
３００、３０１ 液晶表示板組立体
４００、４００ａ、４００ｂ、４０３ ゲート駆動部
５００、５０１ データ駆動部
６００、６０１ 信号制御部
８００、８０１ 階調電圧生成部

Claims (6)

1. 行列状に配列され第１及び第２副画素を有する複数の画素と、
   前記第１及び第２副画素に接続される複数の第１信号線と、
   前記第１信号線と交差し第１副画素に接続される第２信号線と、
   前記第１信号線と交差し第２副画素に接続される第３信号線とを備え、
   前記第１副画素は、前記第１及び第２信号線に接続される第１スイッチング素子、及び該第１スイッチング素子に接続される第１液晶キャパシタと第１ストレージキャパシタとを有し、
   前記第２副画素は、前記第１及び第３信号線に接続される第２スイッチング素子、及び該第２スイッチング素子に接続される第２液晶キャパシタと第２ストレージキャパシタとを有し、
   前記第１及び第２液晶キャパシタに印加される電圧は一つの映像情報から得られ、
   前記第１副画素には所定の電圧に対し前記第２副画素より低い電圧が印加され、
   前記第１及び第２副画素に同一電圧が印加されるときに、前記第１及び第２副画素のキックバック電圧の大きさを実質的に同一にする第１及び第２ストレージキャパシタの静電容量を各々第１及び第２容量とする場合、
   前記第１ストレージキャパシタの静電容量が前記第１容量より大きいか、前記第２ストレージキャパシタの容量が前記第２容量より小さいことを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記第１スイッチング素子は第１ゲート電極と第１ドレイン電極とを有し、
   前記第２スイッチング素子は第２ゲート電極と第２ドレイン電極とを有し、
   前記第１及び第２ストレージキャパシタは、前記第１及び第２ゲート電極と分離され、本体部とこれから分岐した延長部を有する維持電極を共通に有し、
   前記第１ストレージキャパシタは前記維持電極と前記第１ドレイン電極との重畳からなり、
   前記第２ストレージキャパシタは前記維持電極と前記第２ドレイン電極との重畳からなり、
   前記第１液晶キャパシタは前記第１スイッチング素子に接続される第１副画素電極を有し、
   前記第２液晶キャパシタは前記第２スイッチング素子に接続される第２副画素電極を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記第１ドレイン電極は、前記第１ゲート電極と重畳する端部、前記維持電極と重畳し該端部と離れている拡張部、及び該端部と該拡張部を接続する接続部を有し、
   前記維持電極の本体部は、前記第１ドレイン電極の拡張部及び前記第２ドレイン電極と重畳し、
   前記維持電極の延長部は、前記第１ドレイン電極の接続部と重畳することを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 前記第１ドレイン電極の拡張部の境界は、前記維持電極の本体部の境界線内に位置し、前記維持電極の延長部の幅は、前記第１ドレイン電極の接続部の幅より広いことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
5. 前記維持電極の本体部で前記第２ドレイン電極と重畳する部分の幅は、前記第１ドレイン電極の拡張部と重畳する部分の幅より狭いことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
6. 前記第１副画素電極の面積は前記第２副画素電極の面積より大きく、
   前記維持電極と前記第１ドレイン電極とが重畳する面積は、前記維持電極と前記第２ドレイン電極とが重畳する面積より大きいことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。

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