CN105068348B - 一种阵列基板及其制造方法、显示面板及其驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板及其驱动方法，涉及显示技术领域，使得液晶在正负帧下的工作电压趋于相等，达到改善闪烁、残像等问题。该阵列基板的每个子像素单元包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极，第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极；每个所述子像素单元还包括与第一漏极电联接的第一像素电极、与第二漏极电联接的第二像素电极，第一像素电极和第二像素电极异层设置且绝缘；第一像素电极上设置多个第一狭缝，第二像素电极上设置多个第二狭缝，第一狭缝和第二狭缝交错。

Description

一种阵列基板及其制造方法、显示面板及其驱动方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板及其驱动方法。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的显示器市场中占据主导地位。
具体的，液晶显示器包括液晶显示面板和背光源，液晶显示面板包括阵列基板、对盒基板、位于二者之间的液晶层。其中，以像素电极和公共电极都位于阵列基板上为例，如图1和图2所示，所述阵列基板01包括衬底基板10、以及设置在所述衬底基板10同一侧的呈阵列排布的多个子像素单元20；每个子像素单元20包括第一薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，简称TFT)201，与第一薄膜晶体管201的第一漏极2013电联接的第一像素电极202、以及公共电极203，还包括与所述第一薄膜晶体管201的第一栅极2011电联接的第一栅线204和与第一源极2012电联接的数据线205。
其工作原理为：依次向第一栅线204输入信号，与第一栅线204相连的第一薄膜晶体管201开启，由数据线205提供的电压传输到第一像素电极202，以便通过第一像素电极202和公共电极203之间的电场来控制液晶分子的排列状态，以控制背光源发出的光经液晶层后的出光量，从而显示所需的图像。其中，在不同帧中，对于数据线205提供的电压，可以是电压值相等极性相反的电压。
然而，在阵列基板的生产过程中，由于工艺参数、材料、以及杂质离子等的影响，会导致第一像素电极202实际接收到的电压与数据线205提供的电压之间存在差值(即△Vp)，并且当数据线205提供极性相反的电压时，上述△Vp的差值不相同(当数据线205提供负极性电压时，△Vp的值更大)，这样会导致正负帧下第一像素电极202与公共电极203之间的电场强度不相等，从而导致闪烁(Flicker)、残像等问题，进而影响产品良率。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板及其驱动方法，使得液晶在正负帧下的工作电压趋于相等，达到改善闪烁、残像等问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种阵列基板，包括衬底基板、以及设置在所述衬底基板上呈阵列排布的多个子像素单元；每个所述子像素单元包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极；每个所述子像素单元还包括与所述第一漏极电联接的第一像素电极、与所述第二漏极电联接的第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极异层设置且彼此绝缘；其中，所述第一像素电极上设置有多个第一狭缝，所述第二像素电极上设置有多个第二狭缝，所述第一狭缝和所述第二狭缝交错设置。
在所述第一方面的第一种可能的实现方式中，所述第一栅极与第一栅线电联接，所述第二栅极与第二栅线电联接；所述第一源极与第一数据线电联接，所述第二源极与第二数据线电联接。
结合所述第一方面的第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，与同一子像素单元中的所述第一源极和所述第二源极分别电联接的所述第一数据线和所述第二数据线为同一根数据线。
结合所述第一方面的第一种可能的实现方式，在第三种可能的实现方式中，所述第一栅线和所述第二栅线平行且同层设置。
在所述第一方面的第四种可能的实现方式中，所述第一栅极和所述第二栅极同层设置；所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极同层设置。
在所述第一方面的第五种可能的实现方式中，所有第一狭缝沿一个方向排列，所有第二狭缝沿同一个方向排列。
在所述第一方面的第六种可能的实现方式中，所有第一狭缝沿至少两个方向排列，所有第二狭缝沿与所述第一狭缝相同的方向排列。
结合所述第一方面的各种可能的实现方式，在第七种可能的实现方式中，每个所述子像素单元还包括公共电极，所述公共电极用于分别与所述第一像素电极和所述第二像素电极产生电场；所述公共电极到所述第一像素电极和所述第二像素电极的距离不相同。
第二方面，提供一种显示面板，包括阵列基板、对盒基板以及位于二者之间的液晶层；公共电极设置于阵列基板上或对盒基板上；其中，所述阵列基板为上述第一方面所述的阵列基板。
在所述第二方面的第一种可能的实现方式中，在所述阵列基板不包括公共电极的情况下，所述对盒基板包括公共电极。
第三方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：同步形成位于每个子像素单元的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极；形成与所述第一漏极电联接的第一像素电极、与所述第二漏极电联接的第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极位于不同层且彼此绝缘；其中，所述第一像素电极上形成有多个第一狭缝，所述第二像素电极上形成有多个第二狭缝，所述第一狭缝和所述第二狭缝交错。
在所述第三方面的第一种可能的实现方式中，所述第一栅极与第一栅线电联接，所述第二栅极与第二栅线电联接；所述第一源极与第一数据线电联接，所述第二源极与第二数据线电联接；其中，所述第一栅线和所述第二栅线平行，且与所述第一栅极和所述第二栅极同时形成。
结合所述第三方面的第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，与同一子像素单元中的所述第一源极和所述第二源极分别电联接的所述第一数据线和所述第二数据线为同一根数据线。
第四方面，提供一种显示面板的驱动方法，若第一像素电极到公共电极之间的距离大于第二像素电极到公共电极之间的距离，则所述驱动方法包括：在第一帧，向第一栅线逐行输入扫描信号，以便逐行开启第一薄膜晶体管，并通过与第一源极电联接的数据线向开启的所述第一薄膜晶体管连接的第一像素电极输入正极性数据信号；在第二帧，向第二栅线逐行输入扫描信号，以便逐行开启第二薄膜晶体管，并通过与第二源极电联接的数据线向开启的所述第二薄膜晶体管连接的第二像素电极输入负极性数据信号；或者，
若第一像素电极到公共电极之间的距离小于第二像素电极到公共电极之间的距离，则所述驱动方法包括：在第一帧，向第二栅线逐行输入扫描信号，以便逐行开启第二薄膜晶体管，并通过与第二源极电联接的数据线向开启的所述第二薄膜晶体管连接的第二像素电极输入正极性数据信号；在第二帧，向第一栅线逐行输入扫描信号，以便逐行开启第一薄膜晶体管，并通过与第一源极电联接的数据线向开启的所述第一薄膜晶体管连接的第一像素电极输入负极性数据信号；
其中，所述第一帧和所述第二帧为相邻帧。
本发明实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板及其驱动方法，通过在每个子像素单元中设置第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、与第一薄膜晶体管的第一漏极电联接的第一像素电极、与第二薄膜晶体管的第二漏极电联接的第二像素电极，可以根据需要在不同帧中使位于同一个子像素单元中的第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管开启，以便使所述第一像素电极或第二像素电极接收正极性或负极性的数据信号。
基于此，由于所述第一像素电极和所述第二像素电极之间具有一定的垂直距离，因此当第一像素电极和第二像素电极与公共电极之间产生电场时，距离公共电极较近的例如第二像素电极与公共电极之间产生的电场强度大于距离公共电极较远的例如第一像素电极与公共电极之间产生的电场强度。在此基础上，当向第一源极输入正极性电压信号，向第二源极输入负极性等同电压信号时，虽然最终第二像素电极接收的负极性电压的绝对值相对第一像素电极接收到的正极性电压的值小，但是由于第二像素电极相对第一像素电极距离公共电极更近，因此，使得第二像素电极和第一像素电极分别与公共电极产生的电场强度趋于相等，从而当该阵列基板应用于液晶显示装置时，最终使得液晶在正负帧下的工作电压趋于相等，达到改善闪烁、残像等问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的阵列基板的结构示意图；
图2为图1中A-A向剖视示意图；
图3为本发明实施例提供的一种阵列基板中各部件的连接示意图；
图4为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图5为图4中A-A向剖视示意图；
图6为图4中B-B向剖视示意图；
图7a为本发明实施例提供的一种第一像素电极的结构示意图；
图7b为本发明实施例提供的一种第二像素电极的结构示意图；
图8为当所述阵列基板包括公共电极的情况下图4中C-C向剖视示意图；
图9为本发明实施提供的一种显示面板的结构示意图；
图10为本发明实施提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；
图11为本发明实施提供的一种显示面板的驱动方法的流程示意图一；
图12为本发明实施提供的一种显示面板的驱动方法的流程示意图二。
附图标记：
01-阵列基板；02-对盒基板；03-液晶层；10-衬底基板；20-子像素单元；201-第一薄膜晶体管；202-第一像素电极；203-公共电极；204-第一栅线；205-数据线；206-第二薄膜晶体管；207-第二像素电极；208-第二栅线；2011-第一栅极；2012-第一源极；2013-第一漏极；2061-第二栅极；2062-第二源极；2063-第二漏极；2021-第一狭缝；2071-第二狭缝。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本领域技术人员所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或“一”等等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明。
本发明实施例提供了一种阵列基板01，如图3-6所示，该阵列基板01包括衬底基板10、以及设置在所述衬底基板上呈阵列排布的多个子像素单元20；每个所述子像素单元20包括第一薄膜晶体管201和第二薄膜晶体管206；所述第一薄膜晶体管201包括第一栅极2011、第一源极2012和第一漏极2013，所述第二薄膜晶体管206包括第二栅极2061、第二源极2062和第二漏极2063。
在此基础上，每个所述子像素单元20还包括与所述第一漏极2013电联接的第一像素电极202、与所述第二漏极2063电联接的第二像素电极207，所述第一像素电极202和所述第二像素电极207异层设置且彼此绝缘。
其中，所述第一像素电极202上设置有多个第一狭缝2021，所述第二像素电极207上设置有多个第二狭缝2071，所述第一狭缝2021和所述第二狭缝2071交错设置。
需要说明的是，第一，所述第一薄膜晶体管201除包括第一栅极2011、第一源极2012和第一漏极2013外，还包括第一半导体有源层和栅绝缘层；所述第二薄膜晶体管206除包括第二栅极2061、第二源极2062和第二漏极2063外，还包括第二半导体有源层和栅绝缘层。
其中，不对所述第一薄膜晶体管201和第二薄膜晶体管206的结构进行限定，其可以是顶栅型，也可以是底栅型。此外，也不对所述第一半导体有源层和第二半导体有源层的材料进行限定，其可以采用非晶硅、多晶硅、金属氧化物、有机材料等半导体材料等。
第二，本发明所有实施例中采用的薄膜晶体管的源极、漏极是对称的，所以每个薄膜晶体管的源极和漏极是没有区别的。基于此，为区分每个薄膜晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为源极，另一极称为漏极。
第三，所述第一狭缝2021和所述第二狭缝2071交错设置，即为：沿垂直所述阵列基板01的方向，所述第一狭缝2021和第二狭缝2071在衬底基板10上的投影无重叠。
第四，对于与第一像素电极202和第二像素电极207分别产生电场的公共电极，其可以设置在阵列基板01上，也可以不设置在阵列基板01上。当其不设置在阵列基板01上时，其可以设置在液晶显示装置的与该阵列基板01对盒的对盒基板上。
本发明实施例提供了一种阵列基板01，通过在每个子像素单元20中设置第一薄膜晶体管201、第二薄膜晶体管206、与第一薄膜晶体管201的第一漏极2013电联接的第一像素电极202、与第二薄膜晶体管206的第二漏极2063电联接的第二像素电极207，可以根据需要在不同帧中使位于同一个子像素单元20中的第一薄膜晶体管201或第二薄膜晶体管206开启，以便使所述第一像素电极202或第二像素电极207接收正极性或负极性的数据信号。
基于此，由于所述第一像素电极202和所述第二像素电极207之间具有一定的垂直距离，因此当第一像素电极202和第二像素电极207与公共电极之间产生电场时，距离公共电极较近的例如第二像素电极207与公共电极之间产生的电场强度大于距离公共电极较远的例如第一像素电极202与公共电极之间产生的电场强度。在此基础上，当向第一源极2012输入正极性电压信号，向第二源极2062输入负极性等同电压信号时，虽然最终第二像素电极207接收的负极性电压的绝对值相对第一像素电极202接收到的正极性电压的值小，但是由于第二像素电极207相对第一像素电极202距离公共电极更近，因此，使得第二像素电极207和第一像素电极202分别与公共电极产生的电场强度趋于相等，从而当该阵列基板应用于液晶显示装置时，最终使得液晶在正负帧下的工作电压趋于相等，达到改善闪烁、残像等问题。
当然，若距离公共电极较近的是第一像素电极202，则第一像素电极202与公共电极之间产生的电场强度大于距离公共电极较远的第二像素电极207与公共电极之间产生的电场强度。在此基础上，当向第二源极2062输入正极性电压信号，向第一源极2012输入负极性等同电压信号时，虽然最终第一像素电极202接收的负极性电压的绝对值相对第二像素电极207接收到的正极性电压的值小，但是由于第一像素电极202相对第二像素电极207距离公共电极更近，因此，使得第一像素电极202和第二像素电极207分别与公共电极产生的电场强度趋于相等，从而当该阵列基板应用于液晶显示装置时，最终使得液晶在正负帧下的工作电压趋于相等，达到改善闪烁、残像等问题。
如图4所示，所述第一栅极2011可以与第一栅线204电联接，所述第二栅极2061可以与第二栅线208电联接。所述第一源极2012可以与第一数据线电联接，所述第二源极2062可以与第二数据线电联接。
即：通过向第一栅线204输入扫描信号，可以控制第一薄膜晶体管201的开启或关闭；当第一薄膜晶体管201开启时，通过向第一数据线输入数据信号，可以将该信号传递到第一像素电极202。
通过向第二栅线208输入扫描信号，可以控制第二薄膜晶体管206的开启或关闭；当第二薄膜晶体管206开启时，通过向第二数据线输入数据信号，可以将该信号传递到第二像素电极207。
需要说明的是，所述第一数据线和所述第二数据线可以为同一根数据线，当然也可以为不同数据线，本发明所有附图以所述第一数据线和第二数据线为同一根数据线205进行示意。
此外，对于每行所述子像素单元20中的第一薄膜晶体管201，优选与一根第一栅线204电联接；对于每行所述子像素单元20中的第二薄膜晶体管206，优选与一根第二栅线208电联接。
对于每列所述子像素单元20中的第一薄膜晶体管201，优选与一根第一数据线电联接，对于每列所述子像素单元20中的第二薄膜晶体管206，优选与一根第二数据线电联接。
考虑到在每帧中所述第一薄膜晶体管201和第二薄膜晶体管206不同时开启，也就是所述第一像素电极202和第二像素电极207不同时工作，因此，如图3和图4所示，本发明实施例优选位于同一子像素单元20中的所述第一源极2012和所述第二源极2062与一根数据线205电联接。即，与同一子像素单元20中的所述第一源极2012和所述第二源极2062分别电联接的所述第一数据线和所述第二数据线为同一根数据线205。
这样，可以避免由于数据线205增加而导致阵列基板01的布线太密，从而导致其制备过程复杂。
优选的，如图4所示，所述第一栅线204和所述第二栅线208平行且同层设置。
即：通过同一次构图工艺即形成所述第一栅线204，也形成所述第二栅线208。这样，可以避免构图工艺次数的增加。
优选的，所述第一栅极2011和所述第二栅极2061同层设置；所述第一源极2012、所述第一漏极2013、所述第二源极2062和所述第二漏极2063同层设置。
即：通过同一次构图工艺形成所述第一栅极2011和所述第二栅极2061。通过同一次构图工艺形成所述第一源极2012、所述第一漏极2013、所述第二源极2062和所述第二漏极2063。
当然，在形成所述第一栅极2011和第二栅极2061的同时，还可以形成所述第一栅线204和第二栅线208。在此情况下，沿数据线205的方向，相邻子像素单元20之间均设置一根第一栅线204和一根第二栅线208。
此外，在形成所述第一源极2012、第一漏极2013、第二源极2062和第二漏极2063的同时，还可以形成所述数据线205。
基于上述，可选的，参考图4所示，所有第一狭缝2021沿一个方向排列，所有第二狭缝2071沿同一个方向排列。
基于此，具有沿同一方向排列的第一狭缝2021的第一像素电极202与公共电极产生的电场、具有沿同一方向排列的第二狭缝2071的第二像素电极207分别与公共电极产生的电场，可以使液晶分子以单畴方式排列。
可选的，如图7a和7b所示，所有第一狭缝2021沿至少两个方向排列，所有第二狭缝2071沿与所述第一狭缝2021相同的方向排列。
需要说明的是，图7a和7b中仅以第一狭缝2021和第二狭缝2071沿两个方向排列为例进行说明，但本发明实施例并不限于此，例如可以沿4个方向、8个方向排列，具体可根据实际情况进行设定。
所有第二狭缝2071沿与所述第一狭缝2021相同的方向排列，即为：例如当所有第一狭缝2021沿2个方向排列时，所有第二狭缝2071也沿上述2个方向排列；当所有第一狭缝2021沿4个方向排列时，所有第二狭缝2071也沿上述4个方向排列；当所有第一狭缝2021沿8个方向排列时，所有第二狭缝2071也沿上述8个方向排列。
基于此，具有沿不同方向排列的第一狭缝2021的第一像素电极202与公共电极产生的电场、具有沿不同方向排列的第二狭缝2071的第二像素电极207与公共电极产生的电场，可以分别使液晶分子以多畴方式排列。这样可以增加液晶显示器的视角。
在上述基础上，所述公共电极可以设置在阵列基板01上，即，如图8所示，所述每个所述子像素单元20还包括公共电极203，所述公共电极203用于分别与所述第一像素电极202和所述第二像素电极207产生电场；其中，所述公共电极203到所述第一像素电极202和所述第二像素电极207的距离不相同。
其中，图8中仅示意性的绘示出所述公共电极203的设置位置，但本发明实施例并不限于此，也可以位于其他位置，只有其能与第一像素电极202或第二像素电极207产生电场即可。
本发明实施例还提供一种显示面板，如图9所示，该显示面板包括上述的阵列基板01、对盒基板02以及位于二者之间的液晶层03。其中，公共电极203设置于阵列基板01上或对盒基板02上。
可选的，如图9所示，在所述阵列基板01不包括公共电极的情况下，所述对盒基板02包括公共电极203。
进一步的，本发明实施例还提供一种显示装置，其包括上述的显示面板和驱动模块。
上述显示装置具体可以是液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或者部件。
本发明实施例还提供一种阵列基板的制备方法，如图10所示，该方法包括如下步骤：
S10、参考图4所示，同步形成位于每个子像素单元20的第一薄膜晶体管201和第二薄膜晶体管206；所述第一薄膜晶体管201包括第一栅极2011、第一源极2012和第一漏极2013，所述第二薄膜晶体206管包括第二栅极2061、第二源极2062和第二漏极2063。
此处，同步形成位于每个子像素单元20的第一薄膜晶体管201和第二薄膜晶体管206具体可以是：通过一次构图工艺形成第一栅极2011和第二栅极2061；通过另一次构图工艺形成第一半导体有源层(图中未标识出)和第二半导体有源层(图中未标识出)；通过再一次构图工艺形成第一源极2012、第一漏极2013和第二源极2062、第二漏极2063。
进一步的，所述第一栅极2011可以与第一栅线204电联接，所述第二栅极2061可以与第二栅线208电联接；所述第一源极2012可以与第一数据线电联接，第二源极2062可以与第二数据线电联接。
在此基础上，优选所述第一栅线204和所述第二栅线208平行，且在形成第一栅极2011和第二栅极2061的同时，形成第一栅线204和第二栅线208。
进一步的，优选与同一子像素单元20中的所述第一源极2012和所述第二源极2062分别电联接的所述第一数据线和所述第二数据线为同一根数据线205。
在此基础上，优选在形成第一源极2012、第一漏极2013、第二源极2062、第二漏极2063的同时，形成所述数据线205。
S11、形成与所述第一漏极2013电联接的第一像素电极202、与所述第二漏极2063电联接的第二像素电极207，所述第一像素电极202和所述第二像素电极207位于不同层且彼此绝缘。
其中，所述第一像素电极202上形成有多个第一狭缝2021，所述第二像素电极207上形成有多个第二狭缝2071，所述第一狭缝2021和所述第二狭缝2071交错。
本发明实施例还提供一种显示面板的驱动方法，若该阵列基板01的第一像素电极202到公共电极203之间的距离大于第二像素电极207到公共电极203之间的距离，则，如图11所示，所述驱动方法包括如下步骤：
S20、在第一帧，向第一栅线204逐行输入扫描信号，以便逐行开启第一薄膜晶体管201，并通过与第一源极2012电联接的数据线205向开启的所述第一薄膜晶体管201连接的第一像素电极202输入正极性数据信号。
S21、在第二帧，向第二栅线208逐行输入扫描信号，以便逐行开启第二薄膜晶体管206，并通过与第二源极2062电联接的数据线205向开启的所述第二薄膜晶体管206连接的第二像素电极207输入负极性数据信号。
其中，所述第一帧和所述第二帧为相邻帧。
由于所述第一像素电极202和所述第二像素电极207之间具有一定的垂直距离，因此当第一像素电极202和第二像素电极207与公共电极之间产生电场时，距离公共电极较近的第二像素电极207与公共电极203之间产生的电场强度大于距离公共电极203较远的第一像素电极202与公共电极203之间产生的电场强度。在此基础上，当向与第一源极2012相连的数据线205输入正极性电压信号，向与第二源极2062相连的数据线205输入负极性等同电压信号时，虽然最终第二像素电极207接收的负极性电压的绝对值相对第一像素电极202接收到的正极性电压的值小，但是由于第二像素电极207相对第一像素电极202距离公共电极更近，因此，使得第二像素电极207和第一像素电极202分别与公共电极产生的电场强度趋于相等，从而当该阵列基板应用于液晶显示装置时，最终使得液晶在正负帧下的工作电压趋于相等，达到改善闪烁、残像等问题。
若该阵列基板01的第一像素电极202到公共电极203之间的距离小于第二像素电极207到公共电极203之间的距离，则，如图12所示，所述驱动方法包括：
S30、在第一帧，向第二栅线208逐行输入扫描信号，以便逐行开启第二薄膜晶体管206，并通过与第二源极2062电联接的数据线205向开启的所述第二薄膜晶体管206连接的第二像素电极207输入正极性数据信号。
S31、在第二帧，向第一栅线204逐行输入扫描信号，以便逐行开启第一薄膜晶体管201，并通过与第一源极2012电联接的数据线205向开启的所述第一薄膜晶体管201连接的第一像素电极202输入负极性数据信号。
其中，所述第一帧和所述第二帧为相邻帧。
由于所述第一像素电极202和所述第二像素电极207之间具有一定的垂直距离，因此当第一像素电极202和第二像素电极207与公共电极之间产生电场时，距离公共电极较近的第一像素电极202与公共电极203之间产生的电场强度大于距离公共电极203较远的第二像素电极207与公共电极203之间产生的电场强度。在此基础上，当向与第二源极2062相连的数据线205输入正极性电压信号，向与第一源极2012相连的数据线205输入负极性等同电压信号时，虽然最终第一像素电极202接收的负极性电压的绝对值相对第二像素电极207接收到的正极性电压的值小，但是由于第一像素电极202相对第二像素电极207距离公共电极更近，因此，使得第一像素电极202和第二像素电极207分别与公共电极产生的电场强度趋于相等，从而当该阵列基板应用于液晶显示装置时，最终使得液晶在正负帧下的工作电压趋于相等，达到改善闪烁、残像等问题。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种阵列基板，包括衬底基板、以及设置在所述衬底基板上呈阵列排布的多个子像素单元；其特征在于，每个所述子像素单元包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极；
每个所述子像素单元还包括与所述第一漏极电联接的第一像素电极、与所述第二漏极电联接的第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极异层设置且彼此绝缘；
其中，所述第一像素电极上设置有多个第一狭缝，所述第二像素电极上设置有多个第二狭缝，所述第一狭缝和所述第二狭缝交错设置；
所述第一像素电极和所述第二像素电极分别用于与公共电极产生电场。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极与第一栅线电联接，所述第二栅极与第二栅线电联接；
所述第一源极与第一数据线电联接，所述第二源极与第二数据线电联接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，与同一子像素单元中的所述第一源极和所述第二源极分别电联接的所述第一数据线和所述第二数据线为同一根数据线。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅线和所述第二栅线平行且同层设置。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极和所述第二栅极同层设置；所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极同层设置。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所有第一狭缝沿一个方向排列，所有第二狭缝沿同一个方向排列。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所有第一狭缝沿至少两个方向排列，所有第二狭缝沿与所述第一狭缝相同的方向排列。
8.根据权利要求1-7任一项所述的阵列基板，其特征在于，每个所述子像素单元还包括公共电极；
所述公共电极到所述第一像素电极和所述第二像素电极的距离不相同。
9.一种显示面板，包括阵列基板、对盒基板以及位于二者之间的液晶层；其中，公共电极设置于阵列基板上或对盒基板上；其特征在于，所述阵列基板为权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，在所述阵列基板不包括公共电极的情况下，所述对盒基板包括公共电极。
11.一种如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
同步形成位于每个子像素单元的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极；
形成与所述第一漏极电联接的第一像素电极、与所述第二漏极电联接的第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极位于不同层且彼此绝缘；
其中，所述第一像素电极上形成有多个第一狭缝，所述第二像素电极上形成有多个第二狭缝，所述第一狭缝和所述第二狭缝交错；
所述第一像素电极和所述第二像素电极分别用于与公共电极产生电场。
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述第一栅极与第一栅线电联接，所述第二栅极与第二栅线电联接；
所述第一源极与第一数据线电联接，所述第二源极与第二数据线电联接；
其中，所述第一栅线和所述第二栅线平行，且与所述第一栅极和所述第二栅极同时形成。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，与同一子像素单元中的所述第一源极和所述第二源极分别电联接的所述第一数据线和所述第二数据线为同一根数据线。
14.一种如权利要求9所述的显示面板的驱动方法，其特征在于，若第一像素电极到公共电极之间的距离大于第二像素电极到公共电极之间的距离，则所述驱动方法包括：
在第一帧，向第一栅线逐行输入扫描信号，以便逐行开启第一薄膜晶体管，并通过与第一源极电联接的数据线向开启的所述第一薄膜晶体管连接的第一像素电极输入正极性数据信号；
在第二帧，向第二栅线逐行输入扫描信号，以便逐行开启第二薄膜晶体管，并通过与第二源极电联接的数据线向开启的所述第二薄膜晶体管连接的第二像素电极输入负极性数据信号；或者，
若第一像素电极到公共电极之间的距离小于第二像素电极到公共电极之间的距离，则所述驱动方法包括：
在第一帧，向第二栅线逐行输入扫描信号，以便逐行开启第二薄膜晶体管，并通过与第二源极电联接的数据线向开启的所述第二薄膜晶体管连接的第二像素电极输入正极性数据信号；
在第二帧，向第一栅线逐行输入扫描信号，以便逐行开启第一薄膜晶体管，并通过与第一源极电联接的数据线向开启的所述第一薄膜晶体管连接的第一像素电极输入负极性数据信号；
其中，所述第一帧和所述第二帧为相邻帧。
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