CN104317126B - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

一种阵列基板、显示面板及显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及到显示装置的技术领域，公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置。该阵列基板包括：衬底；层叠设置在衬底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管为顶栅结构，第二薄膜晶体管为底栅结构，且两个薄膜晶体管共用一个栅极；还包括第一像素电极和第一公共电极、第二像素电极和第二公共电极；其中，第一像素电极与第一源极或第一漏极连接，第二像素电极与第二源极或第二漏极连接。本发明的有益效果为：通过采用将与相邻的两个像素单元连接的TFT层叠设置，且一个采用顶栅结构，一个采用底栅结构，两个TFT共用一个栅极，最大限度的降低了走线以及TFT占用的面积，提高了显示面板的开口率以及显示装置的显示效果。

Description

一种阵列基板、显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及到显示装置的技术领域，尤其涉及到一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
目前随着液晶显示行业中技术的不断发展，高频率，大尺寸，高分辨率成为液晶显示器的主流发展方向。然而，随着分辨率的不断提升，像素尺寸不断减小，同时由于Panel尺寸增加，为了防止信号线的Load太大，信号线的线宽增加，导致像素的开口率降低，背光源的利用率降低，功耗增加。如：为了提高显示装置的高分辨率，像素单元的尺寸不断的减低，从而造成阵列基板上形成的薄膜晶体管的个数增加，同时，薄膜晶体管连接的走线也增加，增多的薄膜晶体管及走线极大的占用了基板上的面积，严重的影响了显示面板那的开口率。
发明内容
本发明提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，用以提高显示面板的开口率，进而提高显示装置的显示效果。
本发明提供了一种阵列基板，该阵列基板包括：衬底；
层叠设置在所述衬底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管为顶栅结构，所述第二薄膜晶体管为底栅结构，且所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共用一个栅极；
与所述第一薄膜晶体管中的第一源极及第一漏极同层设置的第一像素电极和第一公共电极；
与所述第二薄膜晶体管中的第二源极及第二漏极同层设置的第二像素电极和第二公共电极；其中，
所述第一像素电极与所述第一源极或第一漏极连接，所述第二像素电极与第二源极或第二漏极连接。
在上述方案中，通过采用将与相邻的两个像素单元连接的TFT层叠设置，从而减少了TFT结构占用的面积，具体的，该层叠设置的TFT结构，一个采用顶栅结构，一个采用底栅结构，并且为了减少走线占用的面积，两个TFT共用一个栅极，从而最大限度的降低了走线以及TFT占用的面积，提高了显示面板的开口率，进而提高了显示装置的显示效果，同时，开口率的增加还提高了对背光源的利用率，减少了能耗。
优选的，还包括设置于所述第一源极和第一漏极上的第一绝缘层，所述栅极设置于所述第一绝缘层上。使得第一源极和第二漏极与栅极绝缘，同时，方便栅极的设置。
优选的，还包括设置于所述栅极上的第二绝缘层所述第二源极和第二漏极设置于所述第二绝缘层上。使得第二源极和第二漏极与栅极绝缘，同时，方便了第二源极和第二漏极的设置。
优选的，所述第一源极与所述第一像素电极连接；所述第二漏极与所述第二像素电极连接；或，
所述第一漏极与所述第一像素电极连接；所述第二源极与所述第二像素电极连接。使得相邻的像素电极在不更换信号时能够实现电场的翻转，减少数据线上的信号更换频率。
本发明还提供了一种显示面板，该显示面板包括上述任一种所述的阵列基板及与所述阵列基板对盒的彩膜基板。
在上述技术方案中，显示面板采用上述的阵列基板，该阵列基板采用将与相邻的两个像素单元连接的TFT层叠设置，从而减少了TFT结构占用的面积，具体的，该层叠设置的TFT结构，一个采用顶栅结构，一个采用底栅结构，并且为了减少走线占用的面积，两个TFT共用一个栅极，从而最大限度的降低了走线以及TFT占用的面积，提高了显示面板的开口率，进而提高了显示装置的显示效果。
本发明还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。
在上述方案中，显示装置采用上述提供的显示面板，由于该显示面板中的阵列基板采用将与相邻的两个像素单元连接的TFT层叠设置的结构，从而减少了TFT结构占用的面积，具体的，该层叠设置的TFT结构，一个采用顶栅结构，一个采用底栅结构，并且为了减少走线占用的面积，两个TFT共用一个栅极，从而最大限度的降低了走线以及TFT占用的面积，提高了显示面板的开口率，进而提高了显示装置的显示效果。
附图说明
图1为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的显示面板在显示时加载电场的示意图。
附图标记：
10-衬底 11-第一源极 12-第一漏极
13-第一公共电极 14-第一像素电极 15-第一绝缘层；
20-栅极 21-第二绝缘层 30-第二源极
31-第二漏极 32-第二公共电极 33-第二像素电极
具体实施方式
为了提高显示面板的开口率，进而提高显示装置的显示效果，本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，在本发明实施例的技术方案中，通过采用层叠的薄膜晶体管结构，降低了TFT结构占用的基板上的面积，从而提高了显示面板上的开口率，提高了显示装置的显示效果。为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下以非限制性的实施例为例对本发明作进一步详细说明。
如图1所示，图1示出了本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；
本发明实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括：
衬底10；
层叠设置在衬底10上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管为顶栅结构，第二薄膜晶体管为底栅结构，且第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共用一个栅极20；
与第一薄膜晶体管中的第一源极11及第一漏极12同层设置的第一像素电极14和第一公共电极13；
与第二薄膜晶体管中的第二源极30及第二漏极31同层设置的第二像素电极33和第二公共电极32；其中，
第一像素电极14与第一源极11或第一漏极12连接，第二像素电极33与第二源极30或第二漏极31连接。
在上述实施例中，栅极20、源极、漏极形成薄膜晶体管(TFT)，为了提高显示面板的开口率，本实施例提供的阵列基板采用将与相邻的两个像素单元连接的TFT层叠设置，从而减少了TFT结构占用的面积，具体的，该层叠设置的TFT结构，一个采用顶栅结构，一个采用底栅结构，并且为了减少走线占用的面积，两个TFT共用一个栅极20，从而最大限度的降低了走线以及TFT占用的面积，提高了显示面板的开口率，进而提高了显示装置的显示效果，同时，开口率的增加还提高了对背光源的利用率，减少了能耗。
在一种较佳的实施例中，第一像素电极14及第二像素电极33在衬底10上的竖直投影位置相错，且第一像素电极14的竖直投影及第二像素电极33的竖直投影相互交叉排列。
此外，该阵列基板还包括设置于第一源极11和第一漏极12上的第一绝缘层15，栅极20设置于第一绝缘层15上。更佳的，该阵列基板还包括设置于栅极20上的第二绝缘层21第二源极30和第二漏极31设置于第二绝缘层21上。通过设置的第一绝缘层15和第二绝缘层21实现了第一源极11和第一漏极12、第二源极30和第二漏极31分别与栅极20之间的绝缘，同时，也方便了在制作时，在衬底10上形成栅极20、第二源极30及第二漏极31。
对于显示装置来说，为了提高显示面板中的液晶分子的活性，在显示装置显示时，显示面板中的多列像素中，夹持正负交替的电场，即一列夹持正电场、下一列夹持负电场、第三列夹持正电场，依次交替夹持极性相反的电场，从而保证液晶分子的活性，在现有技术中的显示装置中，为了实现夹持上上述正负交替的电场，需要数据线不断的切换信号，以满足显示的要求，造成数据线信号更换频率较高，为了降低数据线信号的频繁更换，本实施例提供的阵列基板采用以下结构：
第一源极11与第一像素电极14连接，第二漏极31与第二像素电极33连接；或，
第一漏极12与第一像素电极14连接；第二源极30与第二像素电极33连接。
在上述结构中，以第一像素电极14与第一源极11连接，第二像素电极33与第二漏极31连接为例进行说明，当数据线给第一像素电极14和第二像素电极33同一信号时，由于第一像素电极14和第二像素电极33设置的位置相反，使得相邻的两个像素单元被夹持上的电场的极性相反，即其中一个为正电场，另一个为负电场，实现了相邻像素单元夹持的电场相反，提高了液晶分子的活性，同时，降低了数据线上的信号更换频率。应当理解的是，第一像素电极14与第一漏极12连接、第二像素电极33与第二源极30连接的工作原理与上述工作原理相同，在此不再一一赘述。
为了方便对上述结构的理解，下面结合附图2对其进行说明。
如图2所示，相邻的A和B两个亚像素通过双TFT结构分别进行充电，由于将两个TFT所用的空间进行了集成，因此降低了对像素开口率的损失，提高了背光源的利用率，降低了产品的生产成本。此外，如图2所示，A&B两种亚像素进行排列，由于A和B两种亚像素的像素电极和公共电极的位置进行了互换，因此，对于同时输入相同极性的信号时，会通过结构的设计实现了翻转，避免了由于需要数据信号的不断转换带来的功耗增加的问题。
本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括上述任一种的阵列基板及与阵列基板对盒的彩膜基板。
在上述实施例中，为了提高显示面板的开口率，本实施例提供显示面板采用上述具体实施例所述的阵列基板，该阵列基板采用将与相邻的两个像素单元连接的TFT层叠设置，从而减少了TFT结构占用的面积，具体的，该层叠设置的TFT结构，一个采用顶栅结构，一个采用底栅结构，并且为了减少走线占用的面积，两个TFT共用一个栅极20，从而最大限度的降低了走线以及TFT占用的面积，提高了显示面板的开口率，进而提高了显示装置的显示效果。
本发明还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。
在上述实施例中，本实施例提供的显示装置采用上述提供的显示面板，由于该显示面板中的阵列基板采用将与相邻的两个像素单元连接的TFT层叠设置的结构，从而减少了TFT结构占用的面积，具体的，该层叠设置的TFT结构，一个采用顶栅结构，一个采用底栅结构，并且为了减少走线占用的面积，两个TFT共用一个栅极20，从而最大限度的降低了走线以及TFT占用的面积，提高了显示面板的开口率，进而提高了显示装置的显示效果。
其中的显示装置可以是显示面板、电子纸、OLED(Organic Light EmittingDiode，有机发光二级管)面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (6)

1.一种阵列基板，包括：衬底；层叠设置在所述衬底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管为顶栅结构，所述第二薄膜晶体管为底栅结构，且所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共用一个栅极；其特征在于，还包括：
与所述第一薄膜晶体管中的第一源极及第一漏极同层设置的第一像素电极和第一公共电极；
与所述第二薄膜晶体管中的第二源极及第二漏极同层设置的第二像素电极和第二公共电极；其中，
所述第一像素电极与所述第一源极或第一漏极连接，所述第二像素电极与第二源极或第二漏极连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括设置于所述第一源极和第一漏极上的第一绝缘层，所述栅极设置于所述第一绝缘层上。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括设置于所述栅极上的第二绝缘层，所述第二源极和第二漏极设置于所述第二绝缘层上。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一源极与所述第一像素电极连接；所述第二漏极与所述第二像素电极连接；或，
所述第一漏极与所述第一像素电极连接；所述第二源极与所述第二像素电极连接。
5.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～4任一项所述的阵列基板及与所述阵列基板对盒的彩膜基板。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5所述的显示面板。
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