CN202443224U - 像素结构及液晶面板 - Google Patents

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Abstract

本实用新型实施例公开了一种像素结构及液晶面板，涉及显示技术领域，解决了像素结构中透光不均的问题。本实用新型实施例提供的像素结构，包括第一电极、第二电极，所述第二电极包括多个第二电极组，所述第二电极组包括加载固定电压的第一公共电极组与加载第一控制电压的第二像素电极组；所述第一电极包括多个第一电极组，所述第一电极组包括与第一公共电极组对应并加载第二控制电压的第一像素电极组和与第二像素电极组对应并加载固定电压的第二公共电极组，所述第一像素电极组与第二公共电极组分别由至少两个子电极组成。本实用新型可以应用在显示技术领域中，如液晶显示器中。

Description

像素结构及液晶面板
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素结构及液晶面板。
背景技术
随着电子技术的不断发展，液晶显示器已经成为常见的显示设备，广泛应用于手机、掌上电脑等便携式移动终端。目前，高级超维场转换技术(AdvancedSuper Dimension Switch，简称ADS)等模式的液晶面板已经实现了宽视角的技术指标。
ADS通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。
现有技术的阵列基板包括多个ADS像素结构，如图1所示，ADS像素结构包括：公共电极11，与所述公共电极11对应的像素电极12，所述公共电极11与像素电极12之间设有绝缘层14，在每个ADS像素结构的一端且连接着像素电极12的薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor，TFT)13。所述公共电极11采用固定电压，所述TFT 13通过改变所述像素电极12的电压，从而改变像素电极12与公共电极11的电压差，进而改变了公共电极11与像素电极12之间的边缘电场，通过边缘电场的改变，使贴附于阵列基板上的液晶层15中的液晶分子旋转，实现了透光的效果。
在实现本实用新型的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：在所述的ADS像素结构中，公共电极与像素电极产生的边缘电场分布不均，而使得透光不均。
实用新型内容
本实用新型的实施例提供一种像素结构及液晶面板，用于解决现有像素结构中，由于公共电极与像素电极产生的边缘电场分布不均，而使得透光不均的问题。
为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：
一种像素结构，包括第一电极、第二电极，所述第二电极与所述第一电极之间设有绝缘层，所述第二电极与所述第一电极配合产生边缘电场，所述第二电极包括多个第二电极组，所述第二电极组包括第一公共电极组与第二像素电极组，所述第一公共电极组与所述第二像素电极组之间设有第一间隙，其中，所述第一公共电极组加载固定电压，所述第二像素电极组加载第一控制电压；所述第一电极包括多个与所述第二电极组对应的第一电极组，所述第一电极组包括第一像素电极组与第二公共电极组，所述第一像素电极组与第二公共电极组之间设有第二间隙。
具体的，所述第一像素电极组由至少两个子电极组成，所述第二公共电极组由至少两个子电极组成，所述第一像素电极组与所述第一公共电极组对应并加载第二控制电压，所述第二公共电极组与所述第二像素电极组对应并加载固定电压。通过加载第二控制电压与加载固定电压，满足了整个结构的电压需要。
具体的，所述像素结构上设有用于控制所述第一像素电极组的加载电压的第一薄膜晶体管TFT；所述像素结构上还设有用于控制所述第二像素电极组的加载电压的第二TFT。应用TFT的特性分别对第一像素电极组和第二像素电极组进行控制，满足了整个结构的电压需要。
进一步的，所述第一控制电压与所述第二控制电压的电压绝对值相同、电压极性相反且频率一致，所述固定电压为0V。这样，对第二控制电压进行取反就能得到第一控制电压，在方便电压控制的同时，加载一个小电压就能够使第一像素电极组与第二像素电极组达到一个电压差，从而达到原有像素电极需要的高电压的效果。
优选的，所述第一间隙与所述第二间隙上下对齐设置。这样采用所述上下对齐设置，减小了所述第二电极与第一电极间的交叠面积，从而减小了所述第二电极与所述第一电极间的电容，则在改变所述第一控制电压与第二控制电压时速度更快，从而提高了面板响应时间。
一种液晶面板，包括彩膜基板、阵列基板以及设置在所述彩膜基板与所述阵列基板之间的液晶层，所述阵列基板包括多个上述的像素结构。
本实用新型实施例提供的像素结构及液晶面板，所述像素结构包第二电极和第一电极，其中，第二电极包括多个第二电极组，第二电极组包括第一公共电极组与第二像素电极组，第一公共电极组加载有固定电压、第二像素电极组加载有第一控制电压；第一电极包括多个与第二电极组对应的第一电极组，第一电极组包括第一像素电极组以及第二公共电极组，这种结构使得第二电极与第一电极配合产生的边缘电场中分布有水平电场，使得边缘电场分布均匀，从而使得使用该像素结构的液晶面板的透过率。解决了现有技术中，由于公共电极与像素电极产生的边缘电场分布不均，而使得透光不均的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术的像素结构的结构示意图；
图2为本实用新型实施例提供的像素结构的结构示意图一；
图3为本实用新型实施例提供的像素结构的结构示意图二；
图4为本实用新型实施例提供的像素结构中第一薄膜晶体管TFT与第二TFT的结构示意图；
图5为本实用新型又一实施例提供的像素结构的结构示意图；
图6为本实用新型又一实施例提供的像素结构与现有技术比较的像素电极加载电压与透过率的关系曲线；
图7为本实用新型又一实施例提供的像素结构与现有技术比较的响应时间与透过率百分比的关系曲线；
图8为本实用新型另一实施例提供的液晶面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
为使本实用新型技术方案的优点更加清楚，下面结合附图和实施例对本实用新型作详细说明。
本实用新型实施例提供的像素结构，如图2所示，包括第一电极21、第二电极22，所述第二电极22与所述第一电极21之间设有绝缘层23，所述第二电极22与所述第一电极21配合产生边缘电场，所述第二电极22包括多个第二电极组221，所述第二电极组221包括第一公共电极组2211与第二像素电极组2212，所述第一公共电极组2211与所述第二像素电极组2212之间设有第一间隙2213，其中，所述第一公共电极组2211加载固定电压，所述第二像素电极组2212加载第一控制电压；所述第一电极21包括多个与所述第二电极组221对应的第一电极组211，所述第一电极组211包括第一像素电极组2111与第二公共电极组2112，所述第一像素电极组2111与第二公共电极组2112之间设有第二间隙2113。
本实用新型实施例提供的像素结构，所述像素结构包括第二电极和第一电极，其中，第二电极包括多个第二电极组，第二电极组包括第一公共电极组与第二像素电极组，第一公共电极组加载有固定电压、第二像素电极组加载有第一控制电压；第一电极包括多个与第二电极组对应的第一电极组，第一电极组包括第一像素电极组以及第二公共电极组，这种结构使得第二电极与第一电极配合产生的边缘电场中分布有水平电场，使得边缘电场分布均匀，从而使得使用该像素结构的液晶面板的透过率。解决了现有技术中，由于公共电极与像素电极产生的边缘电场分布不均，而使得透光不均的问题。
具体的，如图3所示，所述第一像素电极组2111由至少两个子电极组成，所述第二公共电极组2112由至少两个子电极组成，所述第一像素电极组2111与所述第一公共电极组2211对应并加载第二控制电压，所述第二公共电极组2112与所述第二像素电极组2212对应并加载固定电压。通过加载第二控制电压与加载固定电压，满足了整个结构的电压需要。
具体的，如图3所示，所述像素结构上设有用于控制所述第一像素电极组2111的加载电压的第一薄膜晶体管TFT 24；所述像素结构上还设有用于控制所述第二像素电极组2212的加载电压的第二TFT 25。应用TFT的特性分别对第一像素电极组和第二像素电极组进行控制，满足了整个结构的电压需要。
具体的，如图4所示，所述第一薄膜晶体管TFT 24与第二TFT 25结构相同，包括：TFT源电极241、TFT漏电极242、TFT栅电极243。
进一步的，所述第一控制电压与所述第二控制电压电压绝对值相同，电压极性相反且频率一致，所述固定电压为0V。这样，对第二控制电压进行取反就能得到第一控制电压，在方便电压控制的同时，加载一个小电压就能够使第一像素电极组与第二像素电极组达到一个电压差，从而达到原有像素电极需要的高电压的效果。
例如，如果所述第二控制电压为+1V电压，只要把所述第二控制电压电压值进行取反处理，即可得到-1V电压，加载到所述第二像素电极组，形成第一控制电压。
优选的，所述第一间隙2213与所述第二间隙2113上下对齐设置。这样采用所述上下对齐设置，减小了所述第二电极与第一电极间的交叠面积，从而减小了所述第二电极与所述第一电极间的电容，则在改变所述第一控制电压与第二控制电压时速度更快，从而提高了面板响应时间。
为了使本领域技术人员更好的理解本实用新型实施例提供的技术方案，现就本实用新型又一实施例提供的像素结构进行详细的说明。
本实用新型又一实施例提供的像素结构，如图5所示，包括第一电极31、第二电极32，所述第二电极32与所述第一电极31之间设有绝缘层33，所述第二电极32与所述第一电极31配合产生边缘电场。
所述第二电极32包括多个第二电极组321，所述第二电极组321包括第一公共电极组3211与第二像素电极组3212，所述第一公共电极组3211与所述第二像素电极组3212之间设有第一间隙3213，其中，所述第一公共电极组3211加载固定电压，所述第二像素电极组3212加载第一控制电压。
所述第一电极31包括多个与所述第二电极组321对应的第一电极组311，所述第一电极组311包括第一像素电极组3111与第二公共电极组3112，所述第一像素电极组3111与第二公共电极组3112之间设有第二间隙3113，所述第一像素电极组3111由两个子电极组成，所述第二公共电极组3112由两个子电极组成，所述第一像素电极组3111与所述第一公共电极组3211对应并加载第二控制电压，所述第二公共电极组3112与所述第二像素电极组3212对应并加载固定电压。
在本实施例中，所述像素结构上设有用于控制所述第一像素电极组3111的加载电压的第一薄膜晶体管TFT34；所述像素结构上还设有用于控制所述第二像素电极组3212的加载电压的第二TFT35。应用TFT的特性分别对第一像素电极组和第二像素电极组进行控制，满足了整个结构的电压需要。
进一步的，所述第一控制电压与所述第二控制电压电压绝对值相同，电压极性相反且频率一致，所述固定电压为0V。这样，对第二控制电压进行取反就能得到第一控制电压，在方便电压控制的同时，加载一个小电压就能够使第一像素电极组与第二像素电极组达到一个电压差，从而达到原有像素电极需要的高电压的效果。
在本实施例中，对上述像素结构进行仿真实验，如图6所示，得到本实施例的电压与透过率关系曲线402，与现有技术的电压与透过率关系曲线401相比，本实施例提供的像素结构可达到0.168的透过率，而现有技术的透过率为0.159，可知改进像素的透过率提高了，并且，在到达最大透过率的情况下，本实施例第一电极加载电压V1＝4.8V，比现有技术像素电极加载电压V2＝6.8V低。进一步的，所述第一间隙3213与所述第二间隙3113上下对齐设置。这样采用所述上下对齐设置，减小了所述第二电极与第一电极间的交叠面积，从而减小了所述第二电极与所述第一电极间的电容，则在改变所述第一控制电压与第二控制电压时速度更快，从而提高了面板响应时间。
在本实施例中，对上述像素结构进行仿真实验，如图7所示，得到本实施例的响应时间与透过率百分比关系曲线502，与现有技术的响应时间与透过率百分比关系曲线501相比，在各自最大透过率对应的电压下进行RT响应时间模拟得出黑白响应时间，501曲线：Tr＝22.3ms，Tf＝11.8ms，T＝Tr+Tf＝34.1ms；502曲线：T’r＝9.9ms，T’f＝19.1ms，T’＝T’r+T’f＝29ms。由T’＜T可以看出本实施例的响应速度优于现有技术。其中，Tr为现有技术中透过率百分比从10％到90％所需的响应时间；Tf为现有技术中透过率百分比从90％到10％所需的响应时间；T’r为本实施例中透过率百分比从10％到90％所需的响应时间；T’f为本实施例中透过率百分比从90％到10％所需的响应时间。
本实用新型实施例提供的像素结构，所述像素结构包括第二电极和第一电极，其中，第二电极包括多个第二电极组，第二电极组包括第一公共电极组与第二像素电极组，第一公共电极组加载有固定电压、第二像素电极组加载有第一控制电压；第一电极包括多个与第二电极组对应的第一电极组，第一电极组包括第一像素电极组以及第二公共电极组，第一像素电极组与第一公共电极组对应并加载有第二控制电压，第二公共电极组与所述第二像素电极组对应并加载固定电压，并且第一像素电极组与第二公共电极组均由两个子电极组成，这种结构使得第二电极与第一电极配合产生的边缘电场中分布有水平电场，使得边缘电场分布均匀，从而使得使用该像素结构的液晶面板的透过率。解决了现有技术中，由于公共电极与像素电极产生的边缘电场分布不均，而使得透光不均得问题。
本实用新型另一实施例提供了一种液晶面板，如图8所示，包括彩膜基板61、阵列基板62以及设置在所述彩膜基板与所述阵列基板之间的液晶层63，所述阵列基板62包括多个上述的像素结构64。所述像素结构64与图2实施例中相同，此处不再赘述。
本实用新型实施例提供的液晶面板，所述阵列基板上的像素结构包括第二电极和第一电极，其中，第二电极包括多个第二电极组，第二电极组包括第一公共电极组与第二像素电极组，第一公共电极组加载有固定电压、第二像素电极组加载有第一控制电压；第一电极包括多个与第二电极组对应的第一电极组，第一电极组包括第一像素电极组以及第二公共电极组，这种结构使得第二电极与第一电极配合产生的边缘电场中分布有水平电场，使得边缘电场分布均匀，从而使得使用该像素结构的液晶面板的透过率。解决了现有技术中，由于公共电极与像素电极产生的边缘电场分布不均，而使得透光不均得问题。
以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (6)

1.一种像素结构，包括第一电极、第二电极，所述第二电极与所述第一电极之间设有绝缘层，所述第二电极与所述第一电极配合产生边缘电场，其特征在于，
所述第二电极包括多个第二电极组，所述第二电极组包括第一公共电极组与第二像素电极组，所述第一公共电极组与所述第二像素电极组之间设有第一间隙，其中，所述第一公共电极组加载固定电压，所述第二像素电极组加载第一控制电压；
所述第一电极包括多个与所述第二电极组对应的第一电极组，所述第一电极组包括第一像素电极组与第二公共电极组，所述第一像素电极组与第二公共电极组之间设有第二间隙。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一像素电极组由至少两个子电极组成，所述第二公共电极组由至少两个子电极组成，所述第一像素电极组与所述第一公共电极组对应并加载第二控制电压，所述第二公共电极组与所述第二像素电极组对应并加载固定电压。
3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构上设有用于控制所述第一像素电极组的加载电压的第一薄膜晶体管TFT；所述像素结构上还设有用于控制所述第二像素电极组的加载电压的第二TFT。
4.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一控制电压与所述第二控制电压的电压绝对值相同、电压极性相反且频率一致，所述固定电压为0V。
5.根据权利要求1-4任一项所述的像素结构，其特征在于，所述第一间隙与所述第二间隙上下对齐设置。
6.一种液晶面板，包括彩膜基板、阵列基板以及设置在所述彩膜基板与所述阵列基板之间的液晶层，其特征在于，所述阵列基板包括多个权利要求1-5任一项所述的像素结构。 
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