KR20130071428A - 어레이 기판 및 액정패널 - Google Patents

어레이 기판 및 액정패널 Download PDF

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KR20130071428A
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용찬 왕
홍밍 쟌
리펑 린
후아당 쳔
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베이징 비오이 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
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Abstract

본 발명의 실시예는 어레이 기판 및 액정패널을 개시한다. 본 발명의 실시예는 다수개의 화소 유닛을 포함하는 어레이 기판을 제공하는데, 각 화소 유닛의 화소구조는 제1 전극 및 제2 전극을 포함한다. 제2 전극은 일정한 전압이 인가되는 제1 공통전극 그룹 및 제1 제어전압이 인가되는 제2 화소전극 그룹을 각각 포함하는 다수개의 제2 전극 그룹을 포함하고, 제1 전극은 제1 공통전극 그룹에 대응하며 제2 제어전압을 인가받는 제1 화소전극 그룹 및 제2 화소전극 그룹에 대응하며 일정한 전압을 인가받는 제2 공통전극 그룹을 각각 포함하는 다수개의 제1 전극 그룹을 포함한다. 제1 화소전극 그룹 및 제2 공통전극 그룹은 각각 적어도 두 개의 서브 전극을 포함한다. 본 발명은 액정디스플레이와 같은 디스플레이 기술의 분야에 적용할 수 있다.

Description

어레이 기판 및 액정패널{ARRAY SUBSTRATE AND LIQUID CRYSTAL PANEL}
본 발명의 실시예는 어레이 기판 및 액정패널에 관한 것이다.
최근에 액정 디스플레이는 휴대폰(Mobile Phones), 개인용 휴대 단말기(PDAs) 등과 같은 휴대용 모바일 기기에 널리 사용된다. 현재, ADS(advanced super dimension switch) 모드의 액정패널 등이 광시야각 효과를 얻기 위하여 특히 사용된다.
ADS 기술은 동일 평면상에서 슬릿(slit) 전극의 에지(edge)들로부터 발생된 전계 및 슬릿 전극층과 평면 전극층 사이에서 발생된 전계를 갖는 다차원 전계를 형성함으로써, 액정셀 내의 슬릿 전극들 사이 및 전극 바로 위의 모든 배향에서 액정 분자가 회전하도록 하여, 액정의 작업 효율을 향상시키고 광투과 효율을 증가시킨다. ADS 기술은 박막트랜지스터 액정 디스플레이(TFT-LCD) 제품의 화질을 향상시킬 수 있고 고해상도, 고투과도, 저전력소비, 광시야각, 고개구율, 낮은 색수차 및 푸시무라(push Mura) 미발생 등의 장점을 갖는다.
종래의 어레이 기판은, 도 1에 도시된 바와 같이, 다수개의 ADS 화소구조를 포함한다. ADS 화소구조는 공통전극(11), 공통전극(11)에 대응하는 화소전극(12), 및 공통전극(11)과 화소전극(12) 사이에 구비된 절연층(14)을 포함한다. 각 ADS 화소구조의 일단에는 화소전극(12)을 제어하기 위한 박막트랜지스터(13, TFT)가 접속된다. 공통전극(11)에는 일정한 전압이 인가되는 반면, 박막트랜지스터(13)는 화소전극(12)의 전압을 변화시킴으로써, 화소전극(12)과 공통전극(11) 사이의 전압차를 변화시키고 공통전극(11)과 화소전극(12) 사이의 프린지(fringe) 전계를 차례로 변화시킨다. 프린지 전계가 변화되면, 어레이 기판 상부에 위치한 액정층(15) 내의 액정분자가 회전하게 되어 광투과 제어의 효과를 얻는다.
한편, 본 발명자들은 앞에서 기술한 종래의 어레이 기판이 적어도 다음의 문제점을 갖는다는 것을 인지하였다. 즉, 전술한 ADS 화소구조에서 공통전극과 화소전극에 의해 발생된 프린지 전계는 불균일하게 분포되어 불균일한 광투과를 초래한다는 점이다.
본 발명의 실시예는 종래의 화소구조에서 공통전극 및 화소전극에 의해 발생된 프린지 전계가 불균일하게 분포되어 불균일한 광투과를 초래하는 문제점을 해결하기 위한 어레이 기판 및 액정패널을 제공한다.
본 발명의 실시예는 다수개의 화소 유닛을 갖는 어레이 기판을 제공하는데, 각 화소 유닛의 화소구조는 서로 오버랩되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고, 제1 전극 및 제2 전극 사이에는 절연층이 배치되며, 제1 전극과 상호 작용하는 제2 전극에 의해 프린지 전계가 발생한다. 제2 전극은 제1 공통전극 그룹 및 제2 화소전극 그룹을 각각 포함하는 다수개의 제2 전극 그룹을 포함하는데, 제1 공통전극 그룹 및 제2 화소전극 그룹의 사이에는 제1 간극이 배치된다. 제1 공통전극 그룹에는 일정한 전압이 인가되고, 제2 화소전극 그룹에는 제1 제어전압이 인가된다. 제1 전극은 제2 전극 그룹에 대응하는 다수개의 제1 전극 그룹을 포함하는데, 제1 전극 그룹은 제1 화소전극 그룹 및 제2 공통전극 그룹을 포함하고, 제1 화소전극 그룹 및 제2 공통전극 그룹 사이에는 제2 간극이 배치된다.
예를 들면, 제1 화소전극 그룹은 적어도 두 개의 서브전극(sub-electrode)을 포함하고, 제2 공통전극 그룹도 적어도 두 개의 서브전극을 포함하며, 제1 화소전극 그룹은 제1 공통전극 그룹에 대응하며 제2 제어전압을 인가받으며, 제2 공통전극 그룹은 제2 화소전극 그룹에 대응하며 일정한 전압을 인가받는다. 제2 제어전압을 인가하고 일정한 전압을 인가함으로써, 전체 구조의 전압 요건이 충족된다.
예를 들면, 화소구조에는 제1 화소전극 그룹에 인가된 전압을 제어하기 위한 제1 박막트랜지스터(TFT)가 배치된다. 예를 들어, 화소구조에는 제2 화소전극 그룹에 인가된 전압을 제어하기 위한 제2 박막트랜지스터가 추가 배치된다. 박막트랜지스터의 특성을 이용하여 제1 화소전극 그룹과 제2 화소전극 그룹을 각각 제어함으로써, 전체 구조의 전압 요건이 충족된다.
예를 들면, 제1 제어전압 및 제2 제어전압은 전압의 절대값이 같고 전압의 극성이 반대되며 주파수가 동일하고, 일정한 전압은 0Ｖ이다. 이러한 방식으로 제2 제어전압을 인버트하여 제1 제어전압을 얻을 수 있고, 이것은 전압 제어에 편리함을 제공할 뿐만 아니라 동시에 작은 전압의 인가로도 제1 화소전극 및 제2 화소전극 그룹 사이에 전압차를 발생시킴으로써, 원래의 화소전극에 필요한 고전압의 효과를 얻는다.
예를 들면, 제1 간극 및 제2 간극은 상하 방향으로 정렬되어 있다. 이러한 방식으로, 상하 정렬의 설정을 이용하여, 제2 전극 및 제1 전극 사이의 오버랩 영역이 줄어들어, 제2 전극 및 제1 전극 사이의 캐퍼시턴스도 줄어듦으로써, 제1 제어전압 및 제2 제어전압의 변화를 더 빠른 속도로 이끌어내고, 따라서 패널의 응답시간가 향상된다.
본 발명의 다른 실시예는 칼라필터 기판, 어레이 기판, 및 칼라필터 기판과 어레이 기판 사이에 제공되는 액정층을 포함하는 액정패널을 제공하는데, 어레이 기판은 상술한 다수개의 화소구조를 포함한다.
본 발명의 실시예에 의해 제공되는 어레이 기판 및 액정 패널에 있어서, 각 화소 유닛의 화소구조는 제1 전극 및 제2 전극을 포함한다. 제2 전극은 제 1 공통전극 그룹 및 제2 화소전극 그룹을 각각 포함하는 다수개의 제2 전극 그룹을 포함하는데, 제1 공통전극 그룹에는 일정한 전압이 인가되고, 제2 화소전극 그룹에는 제1 제어전압이 인가된다. 제1 전극은 제2 전극 그룹에 대응하는 다수개의 제1 전극 그룹을 포함하는데, 각각의 제1 전극 그룹은 제1 화소전극 그룹 및 제2 공통전극 그룹을 포함한다. 이와 같은 구조는 제1 전극과 상호 작용하는 제2 전극에 의해 발생한 프린지 전계에 포함된 수평전계를 발생시켜 프린지 전계가 균일하게 분포하도록 함으로써, 이와 같은 화소구조를 이용하는 액정 패널의 투과율을 향상시킨다. 이것은 종래기술에서 공통전극 및 화소전극에 의해 발생한 프린지 전계가 불균일하게 분포되어 불균일한 광투과를 초래하는 문제점을 해결한다.
본 발명 실시예의 기술적 해결방안을 분명히 설명하기 위하여, 실시예의 도면에 대해 이하에서 간단하게 설명할 것이다. 설명된 도면은 본 발명의 실시예에만 관련되며 본 발명을 한정하는 것이 아니다는 것은 당연한 것이다.
도 1은 종래기술에의 화소구조에 대한 개략적인 구조도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 화소구조의 첫번째 개략적인 구조도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 화소구조의 두번째 개략적인 구조도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 화소구조에서 제1 박막트랜지스터 및 제2 박막트랜지스터의 개략도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소구조의 개략적인 구조도.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소구조와 종래기술을 비교한 화소전극에 인가된 전압과 투과도 사이의 관계 곡선.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소구조와 종래기술을 비교한 응답시간과 투과율 사이의 관계 곡선.
도 8은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 액정 패널의 개략적인 구조도.
본 발명 실시예의 목적, 기술적 상세설명 및 장점을 명백하게 하기 위하여, 실시예의 기술적 해결방안이 본 발명의 실시예와 관련된 도면과 연계하여 분명하고 충분히 이해할 수 있는 방식으로 설명될 것이다. 당연한 것이지만, 설명되는 실시예는 단지 본 발명의 실시예들 중 일부분일 뿐 발명의 실시예들의 전체를 의미하는 것은 아니다. 여기에서 설명되는 실시예들에 기초하여, 당업자라면 본 발명의 범위내에서도 창조적인 작업 없이 다른 실시예(들)를 얻을 수 있다.
본 발명의 실시예는 액정 디스플레이의 어레이 기판을 제공한다. 어레이 기판은 다수개의 게이트 라인 및 다수개의 데이타 라인을 포함하고, 이들 게이트 라인과 데이타 라인은 서로 교차함으로써 매트릭스 형태로 정렬되는 다수개의 화소 유닛을 정의한다. 각 화소 유닛은 스위칭 부재로서 박막트랜지스터를 포함한다. 각 화소 유닛에서의 박막트랜지스터의 게이트 전극은 대응하는 게이트 라인에 연결되거나 일체로 형성되고, 박막트랜지스터의 소오스/드레인 전극 중의 하나는 대응하는 데이타 라인에 연결되거나 일체로 형성된다. 하기에서 각 화소 유닛의 화소구조가 설명될 것이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 화소구조는 서로 오버랩되는 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)을 포함하며, 제2 전극(22)과 제1 전극(21) 사이에는 절연층(23)이 배치된다. 제1 전극(21)과 상호 작용하는 제2 전극(22)에 의해 프린지 전계가 발생한다.
제2 전극(22)은 다수개의 제2 전극 그룹(221)을 포함하고, 더욱이 각각의 제2 전극 그룹(221)은 제1 공통전극 그룹(2211) 및 제2 화소전극 그룹(2212)을 포함한다. 제1 공통전극 그룹(2211) 및 제2 화소전극 그룹(2212)의 사이에 제1 간극(2213)이 배치된다. 제1 공통전극 그룹(2211)에는 일정한 전압이 인가되고, 제2 화소전극 그룹(2212)에는 제1 제어전압이 인가된다.
제1 전극(21)은 제2 전극 그룹(221)에 대응하는 다수개의 제1 전극 그룹(211)을 포함하고, 각각의 제1 전극 그룹(211)은 제1 화소전극 그룹(2111) 및 제2 공통전극 그룹(2112)을 포함하며, 제1 화소전극 그룹(2111)과 제2 공통전극 그룹(2112) 사이에 제2 간극(2113)이 배치된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 의해 제공되는 화소구조는 제2 전극 및 제1 전극을 포함하고, 제2 전극은 제1 공통전극 그룹 및 제2 화소전극 그룹을 각각 포함하는 다수개의 제2 전극 그룹을 포함하며, 제1 공통전극 그룹에는 일정한 전압이 인가되고 제2 화소전극 그룹에는 제1 제어전압이 인가된다. 제1 전극은 제2 전극 그룹에 대응하는 다수개의 제1 전극 그룹을 포함하고, 각각의 제1 전극 그룹은 제1 화소전극 그룹 및 제2 공통전극 그룹을 포함한다. 이와 같은 구조는 제1 전극과 상호 작용하는 제2 전극에 의하여 발생한 프린지 전계에 포함된 수평 전계를 생성하여 프린지 전계가 균일하게 분포되도록 할 수 있고, 따라서 이와 같은 구조를 이용한 액정 패널의 투과도를 향상시킨다. 이것은 도 1에 도시된 종래 기술에서 공통전극 및 화소전극에 의해 발생한 프린지 전계가 불균일하게 분포되어 불균일한 광투과를 초래하는 문제점을 해결한다.
도 3은 제어부를 추가 도시한 본 실시예의 다른 개략도이다.
특히, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 화소전극 그룹(2111)은 적어도 두 개의 서브전극 "a"을 포함하고, 제2 공통전극 그룹(2112)은 적어도 두 개의 서브전극 "b"을 포함한다. 제1 화소전극 그룹(2111)은 제1 공통전극 그룹(2211)에 대응하고 제2 제어전압이 인가되며, 제2 공통전극 그룹(2112)은 제2 화소전극 그룹(2212)에 대응하고 일정한 전압이 인가된다. 제2 제어전압을 인가하고 일정한 전압을 인가함으로써, 전체 구조의 전압 요건이 충족된다.
일 예로서, 도 3에 도시된 바와 같이, 화소구조에는 제1 화소전극 그룹(2111)에 인가되는 전압을 제어하기 위한 제1 박막트랜지스터(24)가 배치된다. 또한 화소구조에는 제2 화소전극 그룹(2212)에 인가된 전압을 제어하기 위한 제2 박막트랜지스터(25)가 추가 배치된다. 박막트랜지스터의 특성을 이용하여 제1 화소전극 그룹 및 제2 화소전극 그룹을 개별적으로 제어함으로써, 전체 구조의 전압 요건이 충족된다.
일 예로서, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 박막트랜지스터(24) 및 제2 박막트랜지스터(25)는 구조적으로 서로 동일할 수도 있고, 각각은 박막트랜지스터 소오스 전극(241), 박막트랜지스터 드레인 전극(242), 박막트랜지스터 게이트 전극(243), 게이트 절연층(244), 및 활성층(245)을 포함한다.
예를 들어, 제1 제어전압 및 제2 제어전압은 전압의 절대값이 동일하고 전압의 극성이 상반되며 주파수가 동일할 수도 있다. 일정한 전압은 예를 들어 0Ｖ이다. 이러한 방식으로, 제1 제어전압은 제2 제어전압을 인버트하여 얻어질 수 있다. 게다가, 전압 제어의 편리함을 제공할 뿐만 아니라 동시에 작은 전압을 적용하여 제1 화소전극 및 제2 화소전극 그룹 사이에 전압차를 생성함으로써, 원래의 화소전극에 필요한 높은 전압의 효과를 얻는다.
예를 들어, 제2 제어전압이 ＋1Ｖ의 전압이면, 제2 제어전압의 전압값에 대하여 단지 인버트 공정에 의해 －1Ｖ의 전압을 얻을 수 있고, 그리고 나서 제2 화소전극 그룹에 인가하여 제1 제어전압을 형성한다.
예를 들어, 제1 간극(2213) 및 제2 간극(2113)은 상하 방향으로 정렬된다. 이러한 방식으로, 상하 정렬을 이용하여, 제2 전극 및 제1 전극 사이의 오버랩 영역이 줄어들어, 제2 전극 및 제1 전극 사이의 캐퍼시턴스도 줄어듦으로써, 제1 제어전압 및 제2 제어전압의 변화를 더 빠른 속도로 이끌어내고, 따라서 패널의 응답시간가 향상된다.
본 발명의 실시예에 의해 제공되는 기술적 해결방안을 당업자가 좀 더 쉽게 이해하도록 하기 위해, 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소구조에 대해 이하에서 상세히 설명할 것이다.
도 5에 도시된 바와 같이,본 발명의 다른 실시예에 따른 화소구조는 서로 오버랩되는 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)을 포함하고, 제2 전극(32) 및 제1 전극(31) 사이에는 절연층(33)이 구비되며, 제1 전극(31)과 상호 작용하는 제2 전극(32)에 의해 프린지 전계가 발생한다. 도 5에서의 곡선은 제1 전극(31) 및 제2 전극(32) 사이에 인가된 전압차의 결과로서 발생한 전계의 전기력선을 나타낸다.
제2 전극(32)은 다수개의 제2 전극 그룹(321)을 포함하는데, 각각의 제2 전극 그룹(321)은 제1 공통전극 그룹(3211) 및 제2 화소전극(3212)을 포함하고, 제1 공통전극 그룹(3211) 및 제2 화소전극(3212) 사이에는 제1 간극(3213)이 구비된다. 제1 공통전극 그룹(3211)에는 일정한 전압이 인가되고, 제2 화소전극 그룹(3212)에는 제1 제어전압이 인가된다.
제1 전극(31)은 제2 전극 그룹(321)에 대응하는 다수개의 제1 전극 그룹(311)을 포함하는데, 각각의 제1 전극 그룹(311)은 제1 화소전극 그룹(3111) 및 제2 공통전극 그룹(3112)을 포함하고, 제1 화소전극 그룹(3111) 및 제2 공통전극 그룹(3112) 사이에는 제2 간극(3113)이 구비된다. 제1 화소전극 그룹(3111)은 두 개의 서브전극 "a"을 포함하고, 제2 공통전극 그룹(3112)은 두 개의 서브전극 "b"을 포함한다. 제1 화소전극 그룹(3111)은 제1 공통전극 그룹(3211)에 대응하고 제2 제어전압이 인가되며, 제2 공통전극 그룹(3112)은 제2 화소전극 그룹(3212)에 대응하고 일정한 전압이 인가된다.
본 실시예에서, 화소구조에는 제1 화소전극 그룹(3111)에 인가되는 전압을 제어하기 위한 제1 박막트랜지스터(34)가 배치된다. 또한 화소구조에는 제2 화소전극 그룹(3212)에 인가되는 전압을 제어하기 위한 제2 박막트랜지스터(35)가 추가 배치된다. 박막트랜지스터의 특성을 이용하여 제1 화소전극 그룹 및 제2 화소전극 그룹을 각각 제어함으로써, 전체 구조의 전압 요건이 충족된다.
일 예로서, 제1 제어전압 및 제2 제어전압은 예를 들어 전압의 절대값이 같고 전압의 극성은 반대되며 주파수가 동일하다. 일정한 전압은 예를 들어 0Ｖ이다. 이러한 방식으로 제2 제어전압을 인버트하여 제1 제어전압을 얻을 수 있고, 이것은 전압을 제어하는데 편리함을 제공할 뿐만 아니라 동시에 작은 전압의 적용으로도 제1 화소전극 및 제2 화소전극 그룹 사이에 전압차를 발생시킴으로써, 원래의 화소전극에 필요한 고전압의 효과를 얻는다.
본 실시예에서, 상술한 화소구조에 대한 시뮬레이션 실험이 진행되었다. 본 실시예의 전압-투과도 관계 곡선(402)이 도 6에 도시된 바와 같이 얻어진다. 종래기술의 전압-투과도 관계 곡선(401)과 비교하여 보면, 본 실시예에서 제공된 화소구조는 0.168의 투과도를 얻을 수 있는 반면, 종래기술에서는 투과도가 0.159이다. 따라서, 변경된 화소의 투과도가 향상되는 것을 볼 수 있다. 게다가, 최대 투과도에 도달하는 경우에, 본 실시예에서의 제1 전극에 인가되는 전압(Ｖ1＝4.8Ｖ)은 종래기술에서의 화소전극에 인가되는 전압(Ｖ2＝6.8Ｖ)보다 낮다. 더욱이, 제1 간극(3213) 및 제2 간극(3113)은 상하 방향으로 정렬되어 있다. 이러한 방식으로, 상하 정렬의 설정을 이용하여, 제2 전극 및 제1 전극 사이의 오버랩 영역이 줄어들어, 제2 전극 및 제1 전극 사이의 캐퍼시턴스도 줄어듦으로써, 제1 제어전압 및 제2 제어전압의 변화를 더 빠른 속도로 이끌어내고, 따라서 패널의 응답시간가 향상된다.
본 실시예에서, 상술한 화소구조에 대한 시뮬레이션 실험이 진행되어, 본 실시예의 응답시간-투과율 관계 곡선(502)이 도 7에 도시된 바와 같이 얻어진다. 종래기술의 응답시간-투과율 관계 곡선(501)과 비교하여 보면, 최대 투과도에 대응하는 전압에서 행해진 RT 응답시간 시뮬레이션으로부터 각각 얻어진 흑백계조 응답시간 곡선은 다음과 같다. 곡선(501)에서 Ｔr＝22.3㎳이고, Ｔf＝11.8㎳이므로, Ｔ＝Ｔr＋Ｔf＝34.1㎳이다. 곡선(502)에서, Ｔ'r＝9.9㎳이고, Ｔ'f＝19.1㎳이므로, Ｔ'＝Ｔ'r＋Ｔ'f＝29㎳이다. Ｔ'＜Ｔ이기 때문에, 본 실시예의 응답시간가 종래기술에서보다 우월함을 알 수 있다. Ｔr은 종래기술에서 투과율을 10％에서 90％로 변화시키는데 필요한 응답시간이다. Ｔf은 종래기술에서 투과율을 90％에서 10％로 변화시키는데 필요한 응답시간이다. Ｔ'r은 본 실시예에서 투과율을 10％에서 90％로 변화시키는데 필요한 응답시간이다. Ｔ'f은 본 실시예에서 투과율을 90％에서 10％로 변화시키는데 필요한 응답시간이다.
본 발명의 실시예는 화소구조를 제공하는데, 화소구조는 제2 전극 및 제1 전극을 포함하고, 제2 전극은 제1 공통전극 그룹 및 제2 화소전극 그룹을 각각 포함하는 다수개의 제2 전극 그룹을 포함하며, 제1 공통전극 그룹에는 일정한 전압이 인가되고, 제2 화소전극 그룹에는 제1 제어전압이 인가된다. 제1 전극은 제2 전극 그룹에 대응하는 다수개의 제1 전극 그룹을 포함하고, 각각의 제1 전극 그룹은 제1 화소전극 그룹과 제2 공통전극 그룹을 포함하며, 제1 화소전극 그룹은 제1 공통전극 그룹에 대응하며 제2 제어전압을 인가받고, 제2 공통전극 그룹은 제2 화소전극 그룹에 대응하며 일정한 전압을 인가받는다. 게다가, 제1 화소전극 그룹 및 제2 공통전극 그룹은 두 개의 서브전극을 포함한다. 이와 같은 구조는 제1 전극과 상호 작용하는 제2 전극에 의해 발생한 프린지 전계에 포함된 수평전계를 생성하여 균일하게 분포된 프린지 전계를 형성함으로써, 이와 같은 화소구조를 이용하는 액정패널의 투과도를 향상시킨다. 이것은 종래기술에서 공통전극과 화소전극에 의해 발생한 프린지 전계가 불균일하게 분포되어 불균일한 광투과를 초래하는 문제점을 해결한다.
본 발명의 또다른 실시예는, 도 8에 도시된 바와 같이, 칼라필터 기판(61), 어레이 기판(62), 및 칼라필터 기판과 어레이 기판 사이에 배치된 액정층(63)을 포함하는 액정패널을 제공하는데, 어레이 기판(62)은 상술한 다수개의 화소구조(64)를 포함한다. 각각의 화소구조(64)는 예를 들어 도 2에 도시된 실시예와 동일하고, 따라서 여기에서 그 설명은 생략된다.
본 발명의 실시예는 액정패널 및 이에 포함된 어레이 기판 상의 화소구조를 제공하는데, 화소구조는 제 2 전극 및 제1 전극을 포함한다. 제2 전극은 제1 공통전극 그룹 및 제2 화소전극 그룹을 각각 포함하는 다수개의 제2 전극 그룹을 포함하는데, 제1 공통전극 그룹에는 일정한 전압이 인가되고, 제2 화소전극 그룹에는 제1 제어전압이 인가된다. 제1 전극은 제2 전극 그룹에 대응하는 다수개의 제1 전극 그룹을 포함하는데, 각각의 제1 전극 그룹은 제1 화소전극 그룹 및 제2 공통전극 그룹을 포함한다. 이와 같은 구조는 제1 전극과 상호 작용하는 제2 전극에 의해 발생된 프린지 전계에 포함된 수평전계를 생성하여, 프린지 전계가 균일하게 분포하도록 함으로써, 이와 같은 화소구조를 이용하는 액정패널의 투과도를 향상시킨다. 이것은 종래기술에서 공통전극 및 화소전극에 의해 발생한 프린지 전계가 불균일하게 분포되어 불균일한 광투과를 초래하는 문제점을 해결한다.
본 발명의 보호범위는 청구항의 보호범위에 의해 한정되어야 한다.

Claims (7)

  1. 다수개의 화소 유닛을 포함하는 어레이 기판에 있어서, 각 화소 유닛의 화소구조는,
    서로 오버랩되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하고,
    상기 제2 전극 및 제1 전극 사이에 절연층이 배치되고, 상기 제1 전극과 상호 작용하는 제2 전극에 의해 프린지 전계가 발생하며,
    상기 제2 전극은 제1 공통전극 그룹 및 제2 화소전극 그룹을 각각 포함하는 다수개의 제2 전극 그룹을 포함하며, 상기 제1 공통전극 그룹 및 제2 화소전극 그룹 사이에는 제1 간극이 배치되며, 제1 공통전극 그룹에는 일정한 전압이 인가되고, 제2 화소전극 그룹에는 제1 제어전압이 인가되며, 및
    상기 제1 전극은 제2 전극 그룹에 대응하는 다수개의 제1 전극 그룹을 포함하고, 각각의 제1 전극 그룹은 제1 화소전극 그룹 및 제2 공통전극 그룹을 포함하며, 상기 제1 화소전극 그룹 및 제2 공통전극 그룹 사이에는 제2 간극이 배치되는,
    어레이 기판.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 화소전극 그룹은 적어도 두 개의 서브전극을 포함하고, 상기 제2 공통전극 그룹은 적어도 두 개의 서브전극을 포함하며, 상기 제1 화소전극 그룹은 상기 제1 공통전극 그룹에 대응하며 제2 제어전압을 인가받고, 상기 제2 공통전극 그룹은 상기 제2 화소전극 그룹에 대응하며 일정한 전압을 인가받는,
    어레이 기판.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 화소구조에는 제1 화소전극 그룹에 인가된 전압을 제어하기 위한 제1 박막트랜지스터가 배치되는,
    어레이 기판
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화소구조에는 제2 화소전극 그룹에 인가되는 전압을 제어하기 위한 제2 박막트랜지스터가 더 배치되는,
    어레이 기판.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 제어전압 및 상기 제2 제어전압은 전압의 절대값이 같고, 전압 극성은 반대되고, 주파수가 동일하며, 상기 일정한 전압은 0Ｖ인,
    어레이 기판
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 간극 및 제2 간극은 상하 방향으로 정렬되는,
    어레이 기판.
  7. 칼라필터 기판, 어레이 기판, 및 상기 칼라필터 기판과 상기 어레이 기판 사이에 구비되는 액정층을 포함하고, 상기 어레이 기판이 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 어레이 기판인,
    액정패널.
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