CN202159215U - 阵列基板和液晶显示面板 - Google Patents

阵列基板和液晶显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN202159215U
CN202159215U CN2011202757681U CN201120275768U CN202159215U CN 202159215 U CN202159215 U CN 202159215U CN 2011202757681 U CN2011202757681 U CN 2011202757681U CN 201120275768 U CN201120275768 U CN 201120275768U CN 202159215 U CN202159215 U CN 202159215U
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
array base
base palte
electrodes
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN2011202757681U
Other languages
English (en)
Inventor
马新利
李岩
王强涛
李文兵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN2011202757681U priority Critical patent/CN202159215U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN202159215U publication Critical patent/CN202159215U/zh
Priority to PCT/CN2012/079373 priority patent/WO2013017066A1/zh
Priority to US13/700,938 priority patent/US9041889B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134318—Electrodes characterised by their geometrical arrangement having a patterned common electrode

Abstract

本实用新型公开了一种阵列基板和液晶显示面板。该阵列基板包括：衬底基板和位于所述衬底基板上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定的像素区域内形成有第一电极、薄膜晶体管和与所述第一电极形成多维电场的第二电极，所述第一电极上开设有结构孔。本实用新型中，通过在第一电极上开设结构孔，减小了第二电极和第一电极的重叠面积，降低了阵列基板的存储电容，从而减少了液晶显示面板的充放电时间。

Description

阵列基板和液晶显示面板
技术领域
本实用新型涉及液晶显示技术，特别涉及一种阵列基板和液晶显示面板。
背景技术
高级超维场开关技术(Advanced-Super Dimensional Switching；简称：AD-SDS)通过同一平面内像素电极或公共电极边缘所产生的平行电场以及像素电极与公共电极间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极或公共电极之间、像素电极或公共电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(push Mura)波纹等优点。
AD-SDS型阵列基板是上述液晶显示面板的重要部件。图1为现有技术中AD-SDS型阵列基板的结构示意图，图2为图1中A-A向剖视图，如图1和图2所示，该AD-SDS型阵列基板包括衬底基板11和位于衬底基板11上的栅线12和数据线13，栅线12和数据线13限定的像素区域内形成有第一电极14、第二电极15和薄膜晶体管16。其中，第一电极14位于衬底基板11之上，第一电极14上形成有栅极绝缘层17和钝化层18，第二电极15位于第一电极14上方的钝化层18之上，并且第二电极15为设置有通孔19的平面结构，第一电极14为一平面结构，通孔19的形状为条状。其中，第一电极14为公共电极时，第二电极15为像素电极；第一电极14为像素电极时，第二电极15为公共电极。
现有技术中，由于AD-SDS型阵列基板中第一电极为一平面结构，因此第二电极和第一电极的重叠面积较大，这导致了AD-SDS型阵列基板的存储电容增加，从而增大了液晶显示面板的充放电时间。
实用新型内容
本实用新型提供一种阵列基板和液晶显示面板，用以减少液晶显示面板的充放电时间。
为实现上述目的，本实用新型提供一种阵列基板，包括：衬底基板和位于所述衬底基板上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定的像素区域内形成有第一电极、薄膜晶体管和与所述第一电极形成多维电场的第二电极，所述第一电极上开设有结构孔。
进一步地，所述结构孔位于所述第二电极的下方。
进一步地，所述结构孔的宽度小于所述第二电极的宽度。
进一步地，所述第二电极和所述第一电极重叠部分的宽度包括0.2微米至2.0微米。
进一步地，所述结构孔的形状为条状。
进一步地，所述第二电极为设置有通孔的平面结构。
进一步地，该阵列基板还包括：形成于所述第二电极之上的保护层，所述第一电极位于所述保护层之上。
进一步地，所述保护层包括栅极绝缘层和/或钝化层。
进一步地，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；或者所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。
为实现上述目的，本实用新型还提供了一种液晶显示面板，包括对盒设置的彩膜基板和上述阵列基板，所述彩膜基板和所述阵列基板之间填充有液晶层。
本实用新型具有以下有益效果：
本实用新型提供的阵列基板和液晶显示面板的技术方案中，阵列基板包括衬底基板和位于衬底基板上的栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成有第一电极、薄膜晶体管和与第一电极形成多维电场的第二电极，第一电极上开设有结构孔。本实用新型中，通过在第一电极上开设结构孔，减小了第二电极和第一电极的重叠面积，降低了AD-SDS型阵列基板的存储电容，从而减少了液晶显示面板的充放电时间。
附图说明
图1为现有技术中AD-SDS型阵列基板的结构示意图；
图2为图1中A-A向剖视图；
图3为本实用新型实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图；
图4为图3中B-B向剖视图；
图5为本实用新型实施例二提供的一种阵列基板的结构示意图；
图6为图5中C-C向剖视图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图对本实用新型提供的阵列基板和液晶显示面板进行详细描述。
图3为本实用新型实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图，图4为图3中B-B向剖视图，如图3和图4所示，该阵列基板包括：衬底基板11和位于衬底基板11上的栅线12和数据线13，栅线12和数据线13限定的像素区域内形成有第一电极14、薄膜晶体管16和与第一电极14形成多维电场的第二电极15，第一电极14上开设有结构孔20。
本实施例中，优选地，结构孔20位于第二电极15的下方。其中，结构孔20的宽度小于第二电极15的宽度。
本实施例中，第二电极15和第一电极14重叠部分的宽度d包括0.2微米至2.0微米。
本实施例中，结构孔20的形状为条状。在实际应用中，结构孔19的形状还可以采用其它任意形状，此处不再一一列举。为清楚表示出结构孔20的形状，图1中以虚线框的形式表示出一个位于衬底基板11之上保护层之下的结构孔。
本实施例中，第二电极15为设置有通孔19的平面结构。其中，通孔19的形状为条状。
本实施例中，该阵列基板还包括：形成于第二电极15之上的保护层，此时，第一电极14位于保护层之上。具体地，保护层可包括栅极绝缘层17和钝化层18。其中，第一电极14位于衬底基板11之上，栅极绝缘层17位于第一电极14之上，钝化层18位于栅极绝缘层17之上，第二电极15位于钝化层18之上。
进一步地，形成于第二电极15之上的保护层还可包括栅极绝缘层17或钝化层18，即：位于像素区域内的保护层可包括栅极绝缘层17或钝化层18。当在形成第二电极15之前，将像素区域内位于栅极绝缘层17之上的钝化层18去除掉，而后再在栅极绝缘层17之上形成第二电极15，此时，保护层仅包括栅极绝缘层17；当在形成钝化层18之前，将像素区域内的栅极绝缘层17去除掉，而后再在像素区域内形成钝化层18以及在钝化层18上形成第二电极15，此时，保护层仅包括钝化层18。
本实施例中，第二电极15通过位于薄膜晶体管16上方的过孔21与薄膜晶体管16的漏极161连接，具体地，第二电极15填充于过孔21中，从而实现与薄膜晶体管16的漏极161连接。则此时，第一电极14为公共电极，第二电极15为像素电极。
本实施例提供的阵列基板包括衬底基板和位于衬底基板上的栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成有第一电极、薄膜晶体管和与第一电极形成多维电场的第二电极，第一电极上开设有结构孔。本实施例中，通过在第一电极上开设结构孔，减小了第二电极和第一电极的重叠面积，降低了AD-SDS型阵列基板的存储电容，从而减少了液晶显示面板的充放电时间。由于本实施例的技术方案可以减少液晶显示面板的充放电时间，因此本实施例可以适当减小薄膜晶体管的尺寸以实现提高液晶显示面板的开口率。
图5为本实用新型实施例二提供的一种AD-SDS阵列基板的结构示意图，图6为图5中C-C向剖视图，如图5和图6所示，本实施例中的阵列基板与上述实施例一的区别在于：本实施例中的第一电极14通过过孔21与薄膜晶体管16的漏极161连接，其中过孔21位于第一电极14之上。本实施例中可通过连接电极22将第一电极14和薄膜晶体管16的漏极161连接，具体地连接电极22填充于过孔21中，从而实现将第一电极14和薄膜晶体管16的漏极161连接。则此时，第一电极14为像素电极，第二电极15为公共电极。
本实用新型实施例三还提供了一种液晶显示面板，该液晶显示面板包括对盒设置的彩膜基板和阵列基板，彩膜基板和阵列基板之间填充有液晶层。其中，阵列基板可采用上述实施例一或实施例二中的阵列基板，此处不再具体描述。
本实施例提供的液晶显示面板包括对盒设置的彩膜基板和阵列基板，彩膜基板和阵列基板之间填充有液晶层，阵列基板包括衬底基板和位于衬底基板上的栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成有第一电极、薄膜晶体管和与第一电极形成多维电场的第二电极，第一电极上开设有结构孔。本实施例中，通过在第一电极上开设结构孔，减小了第二电极和第一电极的重叠面积，降低了AD-SDS型阵列基板的存储电容，从而减少了液晶显示面板的充放电时间。由于本实施例的技术方案可以减少液晶显示面板的充放电时间，因此本实施例可以适当减小薄膜晶体管的尺寸以实现提高液晶显示面板的开口率。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括：衬底基板和位于所述衬底基板上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定的像素区域内形成有第一电极、薄膜晶体管和与所述第一电极形成多维电场的第二电极，其特征在于，所述第一电极上开设有结构孔。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述结构孔位于所述第二电极的下方。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述结构孔的宽度小于所述第二电极的宽度。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极和所述第一电极重叠部分的宽度包括0.2微米至2.0微米。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述结构孔的形状为条状。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极为设置有通孔的平面结构。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：形成于所述第二电极之上的保护层，所述第一电极位于所述保护层之上。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层包括栅极绝缘层和/或钝化层。
9.根据权利要求1至8任一所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；或者
所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。
10.一种液晶显示面板，其特征在于，包括对盒设置的彩膜基板和阵列基板，所述彩膜基板和所述阵列基板之间填充有液晶层；
所述阵列基板采用上述权利要求1至9任一所述的阵列基板。
CN2011202757681U 2011-08-01 2011-08-01 阵列基板和液晶显示面板 Expired - Lifetime CN202159215U (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011202757681U CN202159215U (zh) 2011-08-01 2011-08-01 阵列基板和液晶显示面板
PCT/CN2012/079373 WO2013017066A1 (zh) 2011-08-01 2012-07-30 阵列基板和液晶显示面板
US13/700,938 US9041889B2 (en) 2011-08-01 2012-07-30 Array substrate and liquid crystal display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011202757681U CN202159215U (zh) 2011-08-01 2011-08-01 阵列基板和液晶显示面板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN202159215U true CN202159215U (zh) 2012-03-07

Family

ID=45766846

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011202757681U Expired - Lifetime CN202159215U (zh) 2011-08-01 2011-08-01 阵列基板和液晶显示面板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9041889B2 (zh)
CN (1) CN202159215U (zh)
WO (1) WO2013017066A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013017066A1 (zh) * 2011-08-01 2013-02-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和液晶显示面板
CN105137673A (zh) * 2015-08-13 2015-12-09 京东方科技集团股份有限公司 一种亚像素结构及其制造方法、阵列基板及显示装置
CN107015405A (zh) * 2017-04-18 2017-08-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
CN110690228A (zh) * 2019-09-06 2020-01-14 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160147151A1 (en) * 2013-06-25 2016-05-26 Nissan Chemical Industries, Ltd. Resist underlayer film-forming composition contaning pyrrole novolac resin

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3129293B2 (ja) * 1998-08-13 2001-01-29 日本電気株式会社 液晶表示装置
JP3481509B2 (ja) * 1999-06-16 2003-12-22 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置
WO2001018597A1 (fr) * 1999-09-07 2001-03-15 Hitachi, Ltd Afficheur à cristaux liquides
US6800510B2 (en) * 2002-11-06 2004-10-05 Hannstar Display Corporation Method of controlling storage capacitor's capacitance of thin film transistor liquid crystal display
KR101108004B1 (ko) * 2005-04-08 2012-01-25 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
CN1743933A (zh) * 2005-09-27 2006-03-08 广辉电子股份有限公司 像素结构及其制造方法
CN101339317B (zh) * 2007-07-04 2010-06-02 胜华科技股份有限公司 多域液晶显示器
CN101598877B (zh) 2009-07-07 2011-05-04 友达光电股份有限公司 主动元件矩阵基板
CN202159215U (zh) * 2011-08-01 2012-03-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和液晶显示面板

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013017066A1 (zh) * 2011-08-01 2013-02-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和液晶显示面板
US9041889B2 (en) 2011-08-01 2015-05-26 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and liquid crystal display panel
CN105137673A (zh) * 2015-08-13 2015-12-09 京东方科技集团股份有限公司 一种亚像素结构及其制造方法、阵列基板及显示装置
CN105137673B (zh) * 2015-08-13 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 一种亚像素结构及其制造方法、阵列基板及显示装置
CN107015405A (zh) * 2017-04-18 2017-08-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
CN110690228A (zh) * 2019-09-06 2020-01-14 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN110690228B (zh) * 2019-09-06 2022-03-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
US11404450B2 (en) 2019-09-06 2022-08-02 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and display panel

Also Published As

Publication number Publication date
US20130162936A1 (en) 2013-06-27
WO2013017066A1 (zh) 2013-02-07
US9041889B2 (en) 2015-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102629606B (zh) 阵列基板及其制备方法和显示装置
CN202404339U (zh) 阵列基板及包括该阵列基板的显示装置
CN102629055B (zh) 显示器件的阵列基板、彩膜基板及其制备方法
CN103620489B (zh) 液晶显示面板和液晶显示装置
CN103176317B (zh) 液晶像素电极结构、阵列基板及显示装置
CN202033562U (zh) 液晶显示器阵列基板
CN202159215U (zh) 阵列基板和液晶显示面板
CN203930287U (zh) 一种阵列基板及显示装置
CN104834142A (zh) 像素结构、阵列基板及显示装置
CN102629045B (zh) 一种阵列基板及液晶显示器
CN104714344A (zh) 蓝相液晶显示装置及其制作方法
CN204374567U (zh) 一种像素结构、阵列基板、显示面板和显示装置
CN103838044B (zh) 基板及其制造方法、显示装置
CN102636920A (zh) 一种硬屏液晶显示的装置和实现方法及其应用
CN104199220A (zh) 一种显示面板和显示装置
CN103926768B (zh) 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN102636921A (zh) 阵列基板、液晶面板及显示设备
CN202975549U (zh) 一种阵列基板及显示装置
CN102751276B (zh) 一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置
CN202145252U (zh) 阵列基板、液晶显示面板和液晶显示器
CN204832728U (zh) 显示面板和显示装置
CN202177761U (zh) 一种液晶显示面板及液晶显示器件
CN204314580U (zh) 一种像素结构、阵列基板、显示面板和显示装置
CN103941453A (zh) 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN203405655U (zh) 一种阵列基板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20120307

CX01 Expiry of patent term