CN204374567U - 一种像素结构、阵列基板、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种像素结构、阵列基板、显示面板和显示装置，解决现有技术液晶电视的亚像素单元的TFT驱动能力不足的问题。所述像素结构包括列方向排布的第一像素电极和第二像素电极、设置于所述第一像素电极和第二像素电极之间的TFT，TFT包括梳状的源极、第一漏极和第二漏极，由梳状的源极分别与梳状的第一漏极和梳状的第二漏极界定TFT沟道区域，该沟道区域具有较大的宽长比，从而提高该TFT驱动第一像素电极和第二像素电极的驱动能力。

Description

一种像素结构、阵列基板、显示面板和显示装置
技术领域
本实用新型涉及液晶显示领域，尤其涉及一种像素结构、阵列基板、显示面板和显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)具有厚度薄、功耗低、无辐射等特点，近年来得到了迅速地发展，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。目前，TFT-LCD在各种大中小尺寸的产品上得到了广泛的应用，几乎涵盖了当今信息社会的主要电子产品，在较大尺寸的产品上的应用如液晶电视和高清晰度数字电视。
对于液晶电视而言，由于其亚像素单元的面积较大，因此需要阵列基板上的TFT具有较强的驱动能力，现有的像素结构无法满足要求。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种像素结构、阵列基板、显示面板和显示装置，解决现有技术液晶电视的亚像素单元的TFT驱动能力不足的问题。
本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：
本实用新型实施例提供一种像素结构，包括沿列方向排布的第一像素电极和第二像素电极、设置于所述第一像素电极和第二像素电极之间的薄膜晶体管TFT；
所述TFT包括源极、第一漏极和第二漏极；所述源极包括沿行方向排布且相互连接的梳状的第一源极和梳状的第二源极；所述第一源极的梳齿朝向所述第一像素电极，所述第二源极的梳齿朝向所述第二像素电极；所述第一漏极和所述第二漏极呈梳状，所述第一漏极的梳柄与所述第一像素电极连接，所述第一漏极的梳齿与所述第一源极的梳齿呈叉指设置，所述第二漏极的梳柄与所述第二像素电极连接，所述第二漏极的梳齿与所述第二源极的梳齿呈叉指设置。本实用新型实施例中，所述TFT包括梳状的所述源极、所述第一漏极和所述第二漏极，所述源极包括梳齿朝向相反的所述第一源极和所述第二源极，所述第一源极和所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极分别界定所述TFT的沟道区域，该沟道区域具有较大的宽长比，从而提高该所述TFT驱动所述第一像素电极和所述第二像素电极的驱动能力。
优选的，所述第一源极和所述第二源极由一个共用的梳齿连接。本实用新型实施例中，所述第一源极和所述第二源极之间由共用的梳齿连接，使结构更紧凑，减少空间的占用。
优选的，所述第一源极的梳柄和所述第二源极的梳柄分别为沿行方向延伸的带状电极，所述第一源极的梳柄靠近所述第二像素电极，所述第二源极的梳柄靠近所述第一像素电极。本实用新型实施例中，所述第一源极的梳柄和所述第二源极的梳柄的设置可以使梳齿的长度设计更灵活。
优选的，所述第一源极的梳柄和所述第二源极的梳柄平行，所述第一源极的梳齿与所述第一源极的梳柄垂直，所述第二源极的梳齿与所述第二源极的梳柄垂直。
优选的，所述第一源极的梳齿和所述第一漏极的梳齿相互平行，所述第二源极的梳齿和所述第二漏极的梳齿相互平行。
优选的，所述第一源极的各个梳齿和相邻的所述第一漏极的两个梳齿之间的距离相等，所述第二源极的各个梳齿和相邻的所述第二漏极的两个梳齿之间的距离相等。
优选的，所述TFT的栅极设置于所述源极、所述第一漏极和所述第二漏极所在层的上方或下方。
优选的，所述栅极的在列方向上的宽度大于所述第一源极的梳齿和所述第二源极的梳齿的长度。
优选的，所述有源层在列方向上的宽度小于或等于所述栅极在列方向上的宽度。
优选的，所述第一源极的梳齿与所述第一源极的梳柄相互垂直，所述第二源极的梳齿与所述第二源极的梳柄相互垂直，所述第一漏极的梳齿与所述第一漏极的梳柄相互垂直，所述第二漏极的梳齿与所述第二漏极的梳柄相互垂直。
本实用新型实施例的有益效果如下：所述TFT包括梳状的所述源极、所述第一漏极和所述第二漏极，所述源极包括梳齿朝向相反的所述第一源极和所述第二源极，所述第一源极和所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极分别界定所述TFT的沟道区域，该沟道区域具有较大的宽长比，从而提高该所述TFT驱动所述第一像素电极和所述第二像素电极的驱动能力。
本实用新型实施例提供一种阵列基板，包括形成于衬底基板上的亚像素单元阵列，所述亚像素单元具有如上实施例提供的所述像素结构。
优选的，属于同一行的所述亚像素单元的所述第一像素电极和所述第二像素电极之间设置一条栅线，所述栅线连接该行所述亚像素单元的栅极，该行所述亚像素单元的所述第一源极和所述第二源极的梳柄与所述栅线平行，所述第一源极、所述第二源极、所述第一漏极和所述第二漏极的梳齿与所述栅线垂直。
本实用新型实施例有益效果如下：所述TFT包括梳状的所述源极、所述第一漏极和所述第二漏极，所述源极包括梳齿朝向相反的所述第一源极和所述第二源极，所述第一源极和所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极分别界定所述TFT的沟道区域，该沟道区域具有较大的宽长比，从而提高该所述TFT驱动所述第一像素电极和所述第二像素电极的驱动能力。
本实用新型实施例提供一种显示面板，包括上实施例提供的所述阵列基板。
本实用新型实施例有益效果如下：所述TFT包括梳状的所述源极、所述第一漏极和所述第二漏极，所述源极包括梳齿朝向相反的所述第一源极和所述第二源极，所述第一源极和所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极分别界定所述TFT的沟道区域，该沟道区域具有较大的宽长比，从而提高该所述TFT驱动所述第一像素电极和所述第二像素电极的驱动能力。
本实用新型实施例提供一种显示装置，包括上实施例提供的所述显示面板。
本实用新型实施例有益效果如下：所述TFT包括梳状的所述源极、所述第一漏极和所述第二漏极，所述源极包括梳齿朝向相反的所述第一源极和所述第二源极，所述第一源极和所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极分别界定所述TFT的沟道区域，该沟道区域具有较大的宽长比，从而提高该所述TFT驱动所述第一像素电极和所述第二像素电极的驱动能力。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的第一种所述像素结构的示意图；
图2为图1中所示的源极的放大示意图；
图3为图1中所示的源极、第一漏极和第二漏极叉指设置的放大示意图；
图4为图3中第一源极和第一漏极、第二源极和第二漏极界定的沟道区域的放大示意图；
图5为本实用新型实施例提供的第二种所述像素结构的示意图；
图6为本实用新型实施例提供的第三种所述像素结构的示意图；
图7为本实用新型实施例提供的阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
下面结合说明书附图对本实用新型实施例的实现过程进行详细说明。需要注意的是，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
参见图1和图2，本实用新型实施例提供一种像素结构100，包括沿列方向排布的第一像素电极1和第二像素电极2、设置于第一像素电极1和第二像素电极2之间的薄膜晶体管TFT 3；TFT 3包括源漏极金属层(图1中未标记)，源漏极金属层包括彼此绝缘的源极31、第一漏极32和第二漏极33、设置于源漏极金属层的上方或下方的栅极34、及设置于栅极34和源漏极金属层之间的有源层(未示出)。
源极31包括沿行方向排布且相互连接的梳状的第一源极311和梳状的第二源极312，第一源极311的梳齿和第二源极312的梳齿的朝向相反。第一源极311的梳齿朝向第一像素电极1，第二源极312的梳齿朝向第二像素电极2，具体的梳状的源极31参考图2所示的放大示意图。相应的，第一漏极32和第二漏极33呈梳状，第一漏极32与第一像素电极1连接，第一漏极32的梳齿与第一源极311的梳齿呈叉指设置，第二漏极33与第二像素电极2连接，第二漏极33的梳齿与第二源极312的梳齿呈如图3所示的叉指设置。
需要说明的是第一源极311、第二源极312、第一漏极32和第二漏极33的梳齿可以为多数个，例如2个梳齿、3个梳齿、4个梳齿……N个梳齿，N为自然数。同时，第一源极311、第二源极312、第一漏极32和第二漏极33的梳齿个数可以相同也可以不同；例如：第一源极311包括3个梳齿，第一漏极32包括2个梳齿；又例如：第一源极311包括6个梳齿，第一漏极32包括7个梳齿；又例如：第一源极311包括5个梳齿，第一漏极32包括5个梳齿。因此图1和图2所示仅用于说明本实施例，本实用新型并不以此为限。
此外，栅极34可以位于源漏极金属层的上方或下方，顶栅型的TFT，栅极34位于源漏极金属层的上方；底栅型的TFT，栅极34位于源漏极金属层的下方。本实用新型示图仅是用于说明，不仅限定于其中一种结构。
如图4所示，为图3中第一源极311和第一漏极32，或者第二源极312和第二漏极33所界定的TFT 3的沟道区域36，该沟道区域36为方波状。该沟道区域36的长记为L，该沟道区域36的宽记为W，即方波的截面宽度为沟道区域36的长L，方波的总长度为沟道区域36的宽W。因此可以在有限区域内实现TFT 3的宽长比W/L的增大，从而提高该TFT 3的驱动能力。当然，为了便于计算，可以仅考虑沟道区域36中间段361的长度和个数，例如可以使W≈W1*n，其中W1为中间段361的长度，n中间段的个数。此外，在需要相同的驱动能力时，由于第一源极311和第一漏极32，或者第二源极312和第二漏极33所界定的TFT 3的沟道区域36的宽长比的改变，可以使沟道区域36的中间段的长度W1减少，这也意味着可以对栅极34在列方向上的宽度进行减小，能够为像素结构10提供更多的用于显示空间，即提高像素的开口率。
本实用新型实施例中，TFT 3包括梳状的源极31、第一漏极32和第二漏极33，源极31包括梳齿朝向相反的第一源极311和第二源极312，第一源极311和第一漏极32、第二源极312和第二漏极33分别界定TFT 3的沟道区域，该沟道区域具有较大的宽长比，从而提高该TFT 3驱动第一像素电极1和第二像素电极2的驱动能力。
第一源极311和第二源极312可以由连接线电连接，也可以直接由一共用的梳齿连接。例如，参见图5(附图标记与图1含义相同)所示的像素结构10，第一源极311和第二源极312可以由一个共用的梳齿连接。如例如图6(附图标记与图1含义相同)所示的像素结构10，其中源极31为反向双“M”型。本实用新型实施例中，第一源极311和第二源极312之间由共用的梳齿连接，使结构更紧凑，减少空间的占用。
优选的，第一源极311的梳柄和第二源极312的梳柄分别为沿行方向延伸的带状电极，第一源极311的梳柄靠近第二像素电极2，第二源极312的梳柄靠近第一像素电极1。本实用新型实施例中，第一源极311的梳柄和第二源极312的梳柄的设置可以使梳齿的长度设计更灵活。
优选的，第一源极311的梳柄和第二源极312的梳柄平行。
优选的，第一源极311、第二源极312、第一漏极32和第二漏极33的各个梳齿相互平行。本实用新型实施例中，第一源极311、第二源极312、第一漏极32和第二漏极33的各个梳齿相互平行，利于构建叉指结构。
优选的，第一源极311的各个梳齿和相邻的第一漏极32的两个梳齿之间的距离相等，第二源极312的各个梳齿和相邻的第二漏极33的两个梳齿之间的距离相等。本实用新型实施例中，构成叉指结构的各梳齿之间的距离相等，利于构建叉指结构，且能够使第一源极311和第二源极312与各自相对应的漏极界定的沟道区域的各部分的长度L相同。
优选的，第一源极311的梳齿在长度不超过第二源极312的梳柄的延长线，第二源极312的梳齿在长度不超过第一源极311的梳柄的延长线。优选的，栅极34的在列方向上的宽度大于第一源极311的梳齿和第二源极312的梳齿的长度。本实用新型实施例中，栅极34在列方向的宽度能够使栅极34与第一源极311、第二源极312、第一漏极32和第二漏极33、及有源层形成有效的沟道区域36。
优选的，有源层在列方向上的宽度小于或等于栅极34在列方向上的宽度。
优选的，第一源极311的梳齿与第一源极311的梳柄相互垂直，第二源极312的梳齿与第二源极312的梳柄相互垂直，第一漏极32的梳齿与第一漏极32的梳柄相互垂直，第二漏极33的梳齿与第二漏极33的梳柄相互垂直。本实用新型实施例中，第一源极311、第二源极312、第一漏极32和第二漏极33的各自的梳齿和各自的梳柄相垂直，利于构建叉指结构。
本实用新型实施例的有益效果如下：TFT 3包括梳状的源极31、第一漏极32和第二漏极33，源极31包括梳齿朝向相反的第一源极311和第二源极312，第一源极311和第一漏极32、第二源极312和第二漏极33分别界定TFT 3的沟道区域，该沟道区域具有较大的宽长比，从而提高该TFT 3驱动第一像素电极1和第二像素电极2的驱动能力；进一步的，在需要相同的驱动能力时，由于第一源极311和第一漏极32，或者第二源极312和第二漏极33所界定的TFT3的沟道区域36的宽长比的改变，可以使沟道区域36的中间段的长度W1减少，这也意味着可以对栅极34在列方向上的宽度进行减小，能够为像素提供更多的用于显示空间，即提高像素的开口率。
参见图7，本实用新型实施例提供一种阵列基板200，包括形成于衬底基板201上的亚像素单元阵列，亚像素单元为如上实施例提供的像素结构10。
优选的，属于同一行的亚像素单元的第一像素电极1和第二像素电极2之间设置一条栅线11，栅线11连接该行亚像素单元的栅极34，相邻的两列亚像素单元之间设置有一条数据线12。需要说明的是，本实施例仅是以相邻的两列亚像素单元之间设置有一条数据线12进行说明，本实用新型并不以此为限；
该行亚像素单元的第一源极311和第二源极312的梳柄与栅线11平行，第一源极311、第二源极312、第一漏极32和第二漏极33的梳齿与栅线11垂直。第一源极311和第二源极312请参考附图2或附图3。
本实用新型实施例有益效果如下：TFT包括梳状的源极、第一漏极和第二漏极，源极包括梳齿朝向相反的第一源极和第二源极，第一源极和第一漏极、第二源极和第二漏极分别界定TFT的沟道区域，该沟道区域具有较大的宽长比，从而提高该TFT驱动第一像素电极和第二像素电极的驱动能力；进一步的，在需要相同的驱动能力时，由于第一源极和第一漏极，或者第二源极和第二漏极所界定的TFT的沟道区域的宽长比的改变，可以使沟道区域的中间段的长度减少，这也意味着可以对栅极在列方向上的宽度进行减小，能够为像素提供更多的用于显示空间，即提高像素的开口率。
本实用新型实施例提供一种显示面板，包括上实施例提供的阵列基板。
本实用新型实施例有益效果如下：TFT包括梳状的源极、第一漏极和第二漏极，源极包括梳齿朝向相反的第一源极和第二源极，第一源极和第一漏极、第二源极和第二漏极分别界定TFT的沟道区域，该沟道区域具有较大的宽长比，从而提高该TFT驱动第一像素电极和第二像素电极的驱动能力；进一步的，在需要相同的驱动能力时，由于第一源极和第一漏极，或者第二源极和第二漏极所界定的TFT的沟道区域的宽长比的改变，可以使沟道区域的中间段的长度减少，这也意味着可以对栅极在列方向上的宽度进行减小，能够为像素提供更多的用于显示空间，即提高像素的开口率。
本实用新型实施例提供一种显示装置，包括上实施例提供的显示面板。
本实用新型实施例有益效果如下：TFT包括梳状的源极、第一漏极和第二漏极，源极包括梳齿朝向相反的第一源极和第二源极，第一源极和第一漏极、第二源极和第二漏极分别界定TFT的沟道区域，该沟道区域具有较大的宽长比，从而提高该TFT驱动第一像素电极和第二像素电极的驱动能力；进一步的，在需要相同的驱动能力时，由于第一源极和第一漏极，或者第二源极和第二漏极所界定的TFT的沟道区域的宽长比的改变，可以使沟道区域的中间段的长度减少，这也意味着可以对栅极在列方向上的宽度进行减小，能够为像素提供更多的用于显示空间，即提高像素的开口率。
显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (14)

1.一种像素结构，其特征在于，包括沿列方向排布的第一像素电极和第二像素电极、设置于所述第一像素电极和第二像素电极之间的薄膜晶体管TFT；
所述TFT包括源极、第一漏极和第二漏极；所述源极包括沿行方向排布且相互连接的梳状的第一源极和梳状的第二源极；所述第一源极的梳齿朝向所述第一像素电极，所述第二源极的梳齿朝向所述第二像素电极；所述第一漏极和所述第二漏极呈梳状，所述第一漏极的梳柄与所述第一像素电极连接，所述第一漏极的梳齿与所述第一源极的梳齿呈叉指设置，所述第二漏极的梳柄与所述第二像素电极连接，所述第二漏极的梳齿与所述第二源极的梳齿呈叉指设置。
2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一源极和所述第二源极由一个共用的梳齿连接。
3.如权利要求1或2所述的像素结构，其特征在于，所述第一源极的梳柄和所述第二源极的梳柄分别为沿行方向延伸的带状电极，所述第一源极的梳柄靠近所述第二像素电极，所述第二源极的梳柄靠近所述第一像素电极。
4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述第一源极的梳柄和所述第二源极的梳柄平行。
5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述第一源极的梳齿和所述第一漏极的梳齿相互平行，所述第二源极的梳齿和所述第二漏极的梳齿相互平行。
6.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述第一源极的各个梳齿和相邻的所述第一漏极的两个梳齿之间的距离相等，所述第二源极的各个梳齿和相邻的所述第二漏极的两个梳齿之间的距离相等。
7.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述TFT的栅极设置于所述源极、所述第一漏极和所述第二漏极所在层的上方或下方。
8.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，所述栅极的在列方向上 的宽度大于所述第一源极的梳齿和所述第二源极的梳齿的长度。
9.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于，所述栅极与所述源极、所述第一漏极和所述第二漏极所在层之间设置一有源层，所述有源层在列方向上的宽度小于或等于所述栅极在列方向上的宽度。
10.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述第一源极的梳齿与所述第一源极的梳柄相互垂直，所述第二源极的梳齿与所述第二源极的梳柄相互垂直，所述第一漏极的梳齿与所述第一漏极的梳柄相互垂直，所述第二漏极的梳齿与所述第二漏极的梳柄相互垂直。
11.一种阵列基板，包括形成于衬底基板上的亚像素单元阵列，其特征在于，所述亚像素单元具有如权利要求1至10任一项所述的像素结构。
12.如权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，属于同一行的所述亚像素单元的所述第一像素电极和所述第二像素电极之间设置一条栅线，所述栅线连接该行所述亚像素单元的栅极，该行所述亚像素单元的所述第一源极和所述第二源极的梳柄与所述栅线平行，所述第一源极、所述第二源极、所述第一漏极和所述第二漏极的梳齿与所述栅线垂直。
13.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求11或12所述的阵列基板。
14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求13所述的显示面板。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108681178A (zh) * 2018-06-29 2018-10-19 上海天马微电子有限公司 一种电子纸显示面板及其制作方法、电子纸显示装置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN204314580U (zh) * 2015-01-08 2015-05-06 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构、阵列基板、显示面板和显示装置
CN204374567U (zh) * 2015-01-08 2015-06-03 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构、阵列基板、显示面板和显示装置
CN109309100B (zh) * 2018-09-29 2020-12-29 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、栅极驱动电路和显示面板
CN111092092A (zh) * 2018-10-08 2020-05-01 Tcl集团股份有限公司 a-Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板及背光模组
US11404580B2 (en) 2020-09-03 2022-08-02 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and display device
CN112017545A (zh) * 2020-09-03 2020-12-01 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007281188A (ja) 2006-04-06 2007-10-25 Seiko Epson Corp トランジスタ、画素電極基板、電気光学装置、電子機器及び半導体素子の製造方法
TWI340286B (en) * 2006-10-12 2011-04-11 Chunghwa Picture Tubes Ltd Pixel structure
CN101359690B (zh) * 2007-08-03 2011-06-08 北京京东方光电科技有限公司 Tft结构和灰阶掩膜版结构
TWI393971B (zh) * 2008-10-16 2013-04-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 畫素陣列結構
WO2010107027A1 (ja) * 2009-03-17 2010-09-23 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタアレイおよび薄膜トランジスタアレイを用いた画像表示装置
TWI395016B (zh) * 2009-10-14 2013-05-01 Au Optronics Corp 主動元件陣列基板及其製造方法
US8018399B2 (en) * 2009-11-18 2011-09-13 Century Display(ShenZhen) Co., Ltd. Pixel array
US8779430B2 (en) * 2010-05-10 2014-07-15 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, active matrix substrate, and display device
TWI453830B (zh) * 2010-08-16 2014-09-21 Au Optronics Corp 薄膜電晶體、薄膜電晶體的製造方法以及畫素結構
TWI424238B (zh) * 2010-10-29 2014-01-21 Au Optronics Corp 畫素結構以及顯示面板
TWI464508B (zh) * 2010-11-22 2014-12-11 Au Optronics Corp 畫素陣列基板以及顯示面板
TWI457674B (zh) * 2011-04-13 2014-10-21 Au Optronics Corp 畫素陣列、畫素結構及畫素結構的驅動方法
TWI428675B (zh) * 2011-05-19 2014-03-01 Au Optronics Corp 顯示裝置
TWI476450B (zh) * 2012-04-25 2015-03-11 Au Optronics Corp 立體顯示裝置
US20140027778A1 (en) * 2012-07-25 2014-01-30 International Rectifier Corporation Robust Fused Transistor
TWI481942B (zh) * 2013-01-23 2015-04-21 Au Optronics Corp 顯示面板之畫素結構
TWI473057B (zh) * 2013-01-30 2015-02-11 Au Optronics Corp 畫素單元及畫素陣列
WO2014136636A1 (ja) * 2013-03-06 2014-09-12 住友化学株式会社 薄膜トランジスタ
CN103311254B (zh) * 2013-05-09 2015-08-19 深圳市华星光电技术有限公司 显示装置及其制造方法
TWI487988B (zh) * 2013-05-22 2015-06-11 Au Optronics Corp 液晶顯示面板
TWI505004B (zh) * 2013-09-12 2015-10-21 Au Optronics Corp 畫素結構
TWI518411B (zh) * 2014-03-19 2016-01-21 友達光電股份有限公司 彩色濾光基板及顯示面板
CN104133332A (zh) * 2014-07-17 2014-11-05 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示面板及显示装置
CN204065626U (zh) * 2014-10-27 2014-12-31 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN204374567U (zh) * 2015-01-08 2015-06-03 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构、阵列基板、显示面板和显示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108681178A (zh) * 2018-06-29 2018-10-19 上海天马微电子有限公司 一种电子纸显示面板及其制作方法、电子纸显示装置

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