CN104834142A - 像素结构、阵列基板及显示装置 - Google Patents

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郭霄
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Abstract

本发明提供了一种像素结构、阵列基板及显示装置,属于显示技术领域。其中,该像素结构包括多个由同一条栅线且同一条数据线驱动的亚像素单元,每个所述亚像素单元由两个以上的子像素组成,每个所述亚像素单元划分为N个显示区域,在通电状态下,每个显示区域产生的电场不同使得所述亚像素单元实现N畴显示。本发明的技术方案能够在保证液晶显示装置的透过率的前提下,改善液晶显示装置的色差现象。

Description

像素结构、阵列基板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是指一种像素结构、阵列基板及显示装置。
背景技术
高级超维场转换技术(ADvanced Super Dimension Switch,AD-SDS,简称ADS)模式液晶显示器具备广视角、高穿透率、低色差等优点,逐渐得到广泛的应用。具体地,ADS技术主要是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场,使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转,从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质,具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。
ADS模式液晶显示器的阵列基板的亚像素单元包含两层透明电极,即第一透明电极和位于其正对上方的第二透明电极,第一透明电极和第二透明电极两者之一作为像素电极与薄膜晶体管的漏极连接,另一作为公共电极与公共电极线连接;像素电极一般为具有一定宽度和间距的条状像素电极(又称为狭缝电极),像素电极与公共电极上下叠层设置,并且像素电极和公共电极通过绝缘层隔开。
早期的ADS模式液晶显示器的阵列基板设计时,条状像素电极只具有一种倾斜角度,如图1所示,阵列基板包括:栅线1、数据线2、条状像素电极3、条状像素电极3之间的开口4、源极5和漏极6。这样的液晶显示器工作时,液晶在电场驱动下,每一个子像素内的液晶7只有一种偏转角度,如图2所示。在不同的观察视角下,由于液晶的各向异性,液晶显示器具有亮度差异,存在一定的色差。
现有提出一种改善液晶显示器的色差现象的技术方案,该技术方案中,子像素包括一双畴显示区域(子像素的显示区域为除薄膜晶体管外的像素电极覆盖的区域),即条状像素电极3具有两种倾斜角度,如图3所示。这样的液晶显示器工作时,液晶在电场驱动下,每一个子像素内的液晶7具有两种偏转角度,如图4所示。在不同的观察视角下,由于液晶7偏转的平均化效果,液晶显示器亮度差异减小,色差有一定的改善,但该技术方案仅能对色差有一定程度的改善,液晶显示器的色差现象仍有进一步改善的空间,比如一个子像素的条状像素电极具有四种倾斜角度,这样在液晶显示器工作时,液晶在电场驱动下,每一个子像素内的液晶7具有四种偏转角度,可以极大改善液晶显示器的色差现象,但是由于工艺的限制,在一个子像素内形成四种倾斜角度的条状像素电极将会极大影响液晶显示器的透过率。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种像素结构、阵列基板及显示装置,能够在保证液晶显示装置的透过率的前提下,改善液晶显示装置的色差现象。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种像素结构,包括多个由同一条栅线且同一条数据线驱动的亚像素单元,每个所述亚像素单元由两个以上的子像素组成,每个所述亚像素单元划分为N个显示区域,在通电状态下,每个显示区域产生的电场不同使得所述亚像素单元实现N畴显示。
进一步地,每个所述亚像素单元划分为四个显示区域。
进一步地,每个所述亚像素单元包括有由同一条栅线且同一条数据线驱动的两个子像素,每个子像素划分为两个显示区域。
进一步地,每个所述亚像素单元由在所述栅线的平行方向上分布的第一子像素和第二子像素组成,所述亚像素单元包括驱动第一子像素进行显示的第一薄膜晶体管和驱动第二子像素进行显示的第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极连接,所述第一薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的源极连接,在所述数据线的平行方向上,所述第一子像素中划分为面积相等的第一区域和第二区域,所述第二子像素划分为面积相等的第三区域和第四区域,第一区域和第二区域的条状像素电极对称设置,第三区域和第四区域的条状像素电极对称设置;
其中,
第一区域和第三区域的条状像素电极的倾斜角度相同,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第一区域与第三区域的面积不同;或
第一区域和第三区域的条状像素电极的倾斜角度相同,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比不同,第一区域与第三区域的面积相同;或
第一区域和第三区域的条状像素电极的倾斜角度不同,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第一区域与第三区域的面积相同。
进一步地,每个所述亚像素单元由在所述数据线的平行方向上分布的第一子像素和第二子像素组成,所述亚像素单元包括驱动第一子像素进行显示的第一薄膜晶体管和驱动第二子像素进行显示的第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极连接,所述第一薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的源极连接,在所述栅线的平行方向上,所述第一子像素中划分为面积相等的第一区域和第二区域,所述第二子像素划分为面积相等的第三区域和第四区域,第一区域和第二区域的条状像素电极对称设置,第三区域和第四区域的条状像素电极对称设置;
其中,
第一区域和第三区域的条状像素电极的倾斜角度相同,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第一区域与第三区域的面积不同;或
第一区域和第三区域的条状像素电极的倾斜角度相同,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比不同,第一区域与第三区域的面积相同;或
第一区域和第三区域的条状像素电极的倾斜角度不同,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第一区域与第三区域的面积相同。
进一步地,每个所述亚像素单元包括有由同一条栅线且同一条数据线驱动的四个子像素,每个子像素为一个显示区域。
进一步地,每个所述亚像素单元包括在面积相等的第一子像素、第二子像素,以及面积相等的第三子像素和第四子像素,所述亚像素单元还包括驱动第一子像素进行显示的第一薄膜晶体管、驱动第二子像素进行显示的第二薄膜晶体管、驱动第三子像素进行显示的第三薄膜晶体管、驱动第四子像素进行显示的第四薄膜晶体管,第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管的栅极连接,第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管的源极连接,在所述栅线的平行方向上,第一子像素和第二子像素的条状像素电极对称设置,第三子像素和第四子像素的条状像素电极对称设置,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第三薄膜晶体管与第四薄膜晶体管的沟道宽长比相同;
其中,
第一子像素和第三子像素的条状像素电极的倾斜角度相同,第一薄膜晶体管与第三薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第一子像素与第三子像素的面积不同;或
第一子像素和第三子像素的条状像素电极的倾斜角度相同,第一薄膜晶体管与第三薄膜晶体管的沟道宽长比不同,第一子像素与第三子像素的面积相同;或
第一子像素和第三子像素的条状像素电极的倾斜角度不同,第一薄膜晶体管与第三薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第一子像素与第三子像素的面积相同。
进一步地,每个所述亚像素单元包括在面积相等的第一子像素、第二子像素,以及面积相等的第三子像素和第四子像素,所述亚像素单元还包括驱动第一子像素进行显示的第一薄膜晶体管、驱动第二子像素进行显示的第二薄膜晶体管、驱动第三子像素进行显示的第三薄膜晶体管、驱动第四子像素进行显示的第四薄膜晶体管,第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管的栅极连接,第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管的源极连接,在所述数据线的平行方向上,第一子像素和第二子像素的条状像素电极对称设置,第三子像素和第四子像素的条状像素电极对称设置,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第三薄膜晶体管与第四薄膜晶体管的沟道宽长比相同;
其中,
第一子像素和第三子像素的条状像素电极的倾斜角度相同,第一薄膜晶体管与第三薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第一子像素与第三子像素的面积不同;或
第一子像素和第三子像素的条状像素电极的倾斜角度相同,第一薄膜晶体管与第三薄膜晶体管的沟道宽长比不同,第一子像素与第三子像素的面积相同;或
第一子像素和第三子像素的条状像素电极的倾斜角度不同,第一薄膜晶体管与第三薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第一子像素与第三子像素的面积相同。
进一步地,在所述像素结构用于液晶显示面板中,条状像素电极所在显示区域的液晶为正性液晶时,条状像素电极的倾斜取向方向与所述正性液晶的初始取向方向的夹角为5°~20°;所述条状像素电极所在显示区域的液晶为负性液晶时,条状像素电极的倾斜取向方向与所述负性液晶的初始取向方向的夹角为70°~85°。
本发明实施例还提供了一种阵列基板,包括如上所述的像素结构。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的阵列基板。
本发明的实施例具有以下有益效果:
上述方案中,将由同一条栅线且同一条数据线驱动的亚像素单元划分为多个显示区域,在通电状态下,每个显示区域产生的电场不同,这样在液晶显示装置工作时,每个显示区域的液晶的偏转角度各不相同,能够实现多畴显示,使得液晶显示装置亮度差异进一步减小,有效改善色差现象。另外,由于每个亚像素单元包括两个以上的子像素,这样每个子像素中不用形成过多种倾斜角度的条状像素电极,能够减小对液晶显示装置透过率造成的影响。
附图说明
图1为现有阵列基板的结构示意图;
图2为图1所示阵列基板对应的液晶取向示意图;
图3为现有双畴显示模式阵列基板的结构示意图;
图4为图3所示阵列基板对应的液晶取向示意图;
图5-8为本发明实施例像素结构的结构示意图;
图9为本发明实施例像素结构对应的液晶取向示意图。
附图标记
1栅线  2数据线  3条状像素电极  4条状像素电极之间的开口5源极  6漏极  7液晶
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本发明的实施例提供一种像素结构、阵列基板及显示装置,能够在保证液晶显示装置的透过率的前提下,改善液晶显示装置的色差现象。
实施例一
本实施例提供了一种像素结构,包括多个由同一条栅线且同一条数据线驱动的亚像素单元,其中,每个所述亚像素单元由两个以上的子像素组成,每个所述亚像素单元划分为N个显示区域,在通电状态下,每个显示区域产生的电场不同使得所述亚像素单元实现N畴显示。
本实施例将由同一条栅线且同一条数据线驱动的亚像素单元划分为多个显示区域,在通电状态下,每个显示区域产生的电场不同,这样在液晶显示装置工作时,每个显示区域的液晶的偏转角度各不相同,能够实现多畴显示,使得采用该像素结构的液晶显示装置亮度差异进一步减小,有效改善色差现象。另外,由于每个亚像素单元包括两个以上的子像素,这样每个子像素中不用形成过多种倾斜角度的条状像素电极,能够减小对液晶显示装置透过率造成的影响。
由于显示区域越多,制作工艺越复杂,优选显示区域的个数为2、3或4为宜。在显示区域的个数为2时,液晶显示装置能够实现双畴显示;在显示区域的个数为3时,液晶显示装置能够实现三畴显示;在显示区域的个数为4时,液晶显示装置能够实现四畴显示。
下面以每个亚像素单元划分为四个显示区域,能够实现四畴显示为例对本发明的像素结构进行具体说明。
一、每个亚像素单元包括有由同一条栅线且同一条数据线驱动的两个子像素,每个子像素划分为两个显示区域。
如图5和图6所示,一具体示例中,每个亚像素单元由在栅线1的平行方向上分布的第一子像素和第二子像素组成,第一子像素和第二子像素位于驱动该亚像素单元的栅线的同一侧,并分布在驱动该亚像素单元的数据线的不同侧。亚像素单元包括驱动第一子像素进行显示的第一薄膜晶体管和驱动第二子像素进行显示的第二薄膜晶体管,第一薄膜晶体管的栅极与第二薄膜晶体管的栅极连接,第一薄膜晶体管的源极与第二薄膜晶体管的源极连接,从而保证第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管被同一条栅线和同一条数据线驱动。在数据线2的平行方向上,第一子像素中划分为面积相等的第一区域S1和第二区域S2,第二子像素划分为面积相等的第三区域S3和第四区域,每个区域内设置有一组倾斜角度相同的条状像素电极3,第一区域S1和第二区域S2的条状像素电,3对称设置,第三区域S3和第四区域S4的条状像素电极3对称设置。
为了实现在通电状态下,每个显示区域产生的电场不同,进而使每个显示区域的液晶的偏转角度各不相同,实现四畴显示,具体的实施方式包括但不限于以下几种:
实施方式1:第一区域S1和第三区域S3的条状像素电极的倾斜角度相同,同样地,第二区域S2和第四区域S4的条状像素电极的倾斜角度相同,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第一区域S1与第三区域S3的面积不同,第二区域S2与第四区域S4的面积不同,这样可以使得在通电状态下,每个显示区域液晶的偏转角度各不相同,液晶显示装置内的液晶7有四种偏转角度,如图9所示,因而在不同视角观察下,液晶的各向异性得到了很好的平均,能够进一步降低液晶显示装置的色差。其中,为了更好地降低色差,获得更好的显示效果,第一区域S1与第三区域S3的面积比在1:1-1:9之间,相应地,第二区域S2与第四区域S4的面积比在1:1-1:9之间。
实施方式2:第一区域S1和第三区域S3的条状像素电极的倾斜角度相同,同样地,第二区域S2和第四区域S4的条状像素电极的倾斜角度相同,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比不同,第一区域S1与第三区域S3的面积相同,第二区域S2与第四区域S4的面积相同,这样可以使得在通电状态下,每个显示区域液晶的偏转角度各不相同,液晶显示装置内的液晶7有四种偏转角度,如图9所示,因而在不同视角观察下,液晶的各向异性得到了很好的平均,能够进一步降低液晶显示装置的色差。
实施方式3:第一区域S1和第三区域S3的条状像素电极的倾斜角度不同,同样地,第二区域S2和第四区域S4的条状像素电极的倾斜角度不同,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第一区域S1与第三区域S3的面积相同,第二区域S2与第四区域S4的面积相同,这样可以使得在通电状态下,每个显示区域液晶的偏转角度各不相同,液晶显示装置内的液晶7有四种偏转角度,如图9所示,因而在不同视角观察下,液晶的各向异性得到了很好的平均,能够进一步降低液晶显示装置的色差。
如图7所示,另一具体示例中,每个亚像素单元由在数据线2的平行方向上分布的第一子像素和第二子像素组成,第一子像素和第二子像素位于驱动该亚像素单元的数据线的同一侧,并分布在驱动该亚像素单元的栅线的不同侧。亚像素单元包括驱动第一子像素进行显示的第一薄膜晶体管和驱动第二子像素进行显示的第二薄膜晶体管,第一薄膜晶体管的栅极与第二薄膜晶体管的栅极连接,第一薄膜晶体管的源极与第二薄膜晶体管的源极连接,从而保证第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管被同一条栅线和同一条数据线驱动。在栅线的平行方向上,第一子像素中划分为面积相等的第一区域S1和第二区域S2,第二子像素划分为面积相等的第三区域S3和第四区域S4,每个区域内设置有一组倾斜角度相同的条状像素电极3,第一区域S1和第二区域S2的条状像素电极3对称设置,第三区域S3和第四区域S4的条状像素电极3对称设置。
为了实现在通电状态下,每个显示区域产生的电场不同,进而使每个显示区域的液晶的偏转角度各不相同,实现四畴显示,具体的实施方式包括但不限于以下几种:
实施方式1:第一区域S1和第三区域S3的条状像素电极的倾斜角度相同,同样地,第二区域S2和第四区域S4的条状像素电极的倾斜角度相同,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第一区域S1与第三区域S3的面积不同,第二区域S2与第四区域S4的面积不同,这样可以使得在通电状态下,每个显示区域液晶的偏转角度各不相同,液晶显示装置内的液晶7有四种偏转角度,如图9所示,因而在不同视角观察下,液晶的各向异性得到了很好的平均,能够进一步降低液晶显示装置的色差。其中,为了更好地降低色差,获得更好的显示效果,第一区域S1与第三区域S3的面积比在1:1-1:9之间,相应地,第二区域S2与第四区域S4的面积比在1:1-1:9之间。
实施方式2:第一区域S1和第三区域S3的条状像素电极的倾斜角度相同,同样地,第二区域S2和第四区域S4的条状像素电极的倾斜角度相同,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比不同,第一区域S1与第三区域S3的面积相同,第二区域S2与第四区域S4的面积相同,这样可以使得在通电状态下,每个显示区域液晶的偏转角度各不相同,液晶显示装置内的液晶7有四种偏转角度,如图9所示,因而在不同视角观察下,液晶的各向异性得到了很好的平均,能够进一步降低液晶显示装置的色差。
实施方式3:第一区域S1和第三区域S3的条状像素电极的倾斜角度不同,同样地,第二区域S2和第四区域S4的条状像素电极的倾斜角度不同,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第一区域S1与第三区域S3的面积相同,第二区域S2与第四区域S4的面积相同,这样可以使得在通电状态下,每个显示区域液晶的偏转角度各不相同,液晶显示装置内的液晶7有四种偏转角度,如图9所示,因而在不同视角观察下,液晶的各向异性得到了很好的平均,能够进一步降低液晶显示装置的色差。
二、每个亚像素单元包括有由同一条栅线且同一条数据线驱动的四个子像素,每个子像素为一个显示区域。
如图8所示,一具体示例中,每个亚像素单元包括在面积相等的第一子像素、第二子像素,以及面积相等的第三子像素和第四子像素,第一子像素和第二子像素位于驱动亚像素单元的数据线的同侧,第三子像素和第四子像素位于驱动亚像素单元的数据线的同侧,第一子像素和第三子像素位于驱动亚像素单元的数据线的不同侧,第二子像素和第四子像素位于驱动亚像素单元的数据线的不同侧;第一子像素和第三子像素位于驱动亚像素单元的栅线的同侧,第二子像素和第四子像素位于驱动亚像素单元的栅线的同侧,第一子像素和第二子像素位于驱动亚像素单元的栅线的不同侧,第三子像素和第四子像素位于驱动亚像素单元的栅线的不同侧,其中,第一子像素对应第一区域S1,第二子像素对应第二区域S2,第三子像素对应第三区域S3,第四子像素对应第四区域S4,每个区域内设置有一组倾斜角度相同的条状像素电极3。亚像素单元还包括驱动第一子像素进行显示的第一薄膜晶体管、驱动第二子像素进行显示的第二薄膜晶体管、驱动第三子像素进行显示的第三薄膜晶体管、驱动第四子像素进行显示的第四薄膜晶体管,第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管的栅极连接,第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管的源极连接,从而保证第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管被同一条栅线和同一条数据线驱动。在栅线的平行方向上,第一子像素和第二子像素的条状像素电极对称设置,第三子像素和第四子像素的条状像素电极对称设置,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第三薄膜晶体管与第四薄膜晶体管的沟道宽长比相同。
为了实现在通电状态下,每个显示区域产生的电场不同,进而使每个显示区域的液晶的偏转角度各不相同,实现四畴显示,具体的实施方式包括但不限于以下几种:
实施方式1:第一子像素和第三子像素的条状像素电极的倾斜角度相同,同样地,第二子像素和第四子像素的条状像素电极的倾斜角度相同;第一薄膜晶体管与第三薄膜晶体管的沟道宽长比相同,同样地,第二薄膜晶体管和第四薄膜晶体管的沟道宽长比相同;第一子像素与第三子像素的面积不同,第二子像素与第四子像素的面积不同,这样可以使得在通电状态下,每个显示区域液晶的偏转角度各不相同,液晶显示装置内的液晶7有四种偏转角度,如图9所示,因而在不同视角观察下,液晶的各向异性得到了很好的平均,能够进一步降低液晶显示装置的色差。其中,为了更好地降低色差,获得更好的显示效果,第一子像素与第三子像素的面积比在1:1-1:9之间,相应地,第二子像素与第四子像素的面积比在1:1-1:9之间。
实施方式2:第一子像素和第三子像素的条状像素电极的倾斜角度相同,同样地,第二子像素和第四子像素的条状像素电极的倾斜角度相同;第一薄膜晶体管与第三薄膜晶体管的沟道宽长比不同,第二薄膜晶体管和第四薄膜晶体管的沟道宽长比不同;第一子像素与第三子像素的面积相同,第二子像素与第四子像素的面积相同,这样可以使得在通电状态下,每个显示区域液晶的偏转角度各不相同,液晶显示装置内的液晶7有四种偏转角度,如图9所示,因而在不同视角观察下,液晶的各向异性得到了很好的平均,能够进一步降低液晶显示装置的色差。
实施方式3:第一子像素和第三子像素的条状像素电极的倾斜角度不同,第二子像素和第四子像素的条状像素电极的倾斜角度不同;第一薄膜晶体管与第三薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第二薄膜晶体管和第四薄膜晶体管的沟道宽长比相同;第一子像素与第三子像素的面积相同,第二子像素与第四子像素的面积相同,这样可以使得在通电状态下,每个显示区域液晶的偏转角度各不相同,液晶显示装置内的液晶7有四种偏转角度,如图9所示,因而在不同视角观察下,液晶的各向异性得到了很好的平均,能够进一步降低液晶显示装置的色差。
另一具体示例中,每个亚像素单元包括在面积相等的第一子像素、第二子像素,以及面积相等的第三子像素和第四子像素,第一子像素和第二子像素位于驱动亚像素单元的栅线的同侧,第三子像素和第四子像素位于驱动亚像素单元的栅线的同侧,第一子像素和第三子像素位于驱动亚像素单元的栅线的不同侧,第二子像素和第四子像素位于驱动亚像素单元的栅线的不同侧;第一子像素和第三子像素位于驱动亚像素单元的数据线的同侧,第二子像素和第四子像素位于驱动亚像素单元的数据线的同侧,第一子像素和第二子像素位于驱动亚像素单元的数据线的不同侧,第三子像素和第四子像素位于驱动亚像素单元的数据线的不同侧,其中,第一子像素对应第一区域S1,第二子像素对应第二区域S2,第三子像素对应第三区域S3,第四子像素对应第四区域S4,每个区域内设置有一组倾斜角度相同的条状像素电极3。亚像素单元还包括驱动第一子像素进行显示的第一薄膜晶体管、驱动第二子像素进行显示的第二薄膜晶体管、驱动第三子像素进行显示的第三薄膜晶体管、驱动第四子像素进行显示的第四薄膜晶体管,第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管的栅极连接,第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管的源极连接,从而保证第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管被同一条栅线和同一条数据线驱动。在数据线的平行方向上,第一子像素和第二子像素的条状像素电极对称设置,第三子像素和第四子像素的条状像素电极对称设置,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第三薄膜晶体管与第四薄膜晶体管的沟道宽长比相同。
为了实现在通电状态下,每个显示区域产生的电场不同,进而使每个显示区域的液晶的偏转角度各不相同,实现四畴显示,具体的实施方式包括但不限于以下几种:
实施方式1:第一子像素和第三子像素的条状像素电极的倾斜角度相同,同样地,第二子像素和第四子像素的条状像素电极的倾斜角度相同;第一薄膜晶体管与第三薄膜晶体管的沟道宽长比相同,同样地,第二薄膜晶体管和第四薄膜晶体管的沟道宽长比相同;第一子像素与第三子像素的面积不同,第二子像素与第四子像素的面积不同,这样可以使得在通电状态下,每个显示区域液晶的偏转角度各不相同,液晶显示装置内的液晶7有四种偏转角度,如图9所示,因而在不同视角观察下,液晶的各向异性得到了很好的平均,能够进一步降低液晶显示装置的色差。其中,为了更好地降低色差,获得更好的显示效果,第一子像素与第三子像素的面积比在1:1-1:9之间,相应地,第二子像素与第四子像素的面积比在1:1-1:9之间。
实施方式2:第一子像素和第三子像素的条状像素电极的倾斜角度相同,同样地,第二子像素和第四子像素的条状像素电极的倾斜角度相同;第一薄膜晶体管与第三薄膜晶体管的沟道宽长比不同,第二薄膜晶体管和第四薄膜晶体管的沟道宽长比不同;第一子像素与第三子像素的面积相同,第二子像素与第四子像素的面积相同,这样可以使得在通电状态下,每个显示区域液晶的偏转角度各不相同,液晶显示装置内的液晶7有四种偏转角度,如图9所示,因而在不同视角观察下,液晶的各向异性得到了很好的平均,能够进一步降低液晶显示装置的色差。
实施方式3:第一子像素和第三子像素的条状像素电极的倾斜角度不同,第二子像素和第四子像素的条状像素电极的倾斜角度不同;第一薄膜晶体管与第三薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第二薄膜晶体管和第四薄膜晶体管的沟道宽长比相同;第一子像素与第三子像素的面积相同,第二子像素与第四子像素的面积相同,这样可以使得在通电状态下,每个显示区域液晶的偏转角度各不相同,液晶显示装置内的液晶7有四种偏转角度,如图9所示,因而在不同视角观察下,液晶的各向异性得到了很好的平均,能够进一步降低液晶显示装置的色差。
进一步地,上述实施例中,在像素结构用于液晶显示面板中,条状像素电极所在显示区域的液晶为正性液晶时,条状像素电极的倾斜取向方向与正性液晶的初始取向方向的夹角为5°~20°;条状像素电极所在显示区域的液晶为负性液晶时,条状像素电极的倾斜取向方向与负性液晶的初始取向方向的夹角为70°~85°。在条状像素电极为上述倾斜角度时,能够提高液晶响应速度,降低液晶显示装置的色差,提高液晶显示装置的画面品质。
实施例二
本发明实施例还提供了一种阵列基板,该阵列基板上形成有如上的像素结构。采用该像素结构的阵列基板将由同一条栅线且同一条数据线驱动的亚像素单元划分为多个显示区域,在通电状态下,每个显示区域产生的电场不同,这样在阵列基板工作时,每个显示区域的液晶的偏转角度各不相同,能够实现多畴显示,使得液晶显示装置亮度差异进一步减小,有效改善色差现象。另外,由于每个亚像素单元包括两个以上的子像素,这样每个子像素中不用形成过多种倾斜角度的条状像素电极,能够减小对液晶显示装置透过率造成的影响。
实施例三
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括如上的阵列基板。显示装置可以为:液晶面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
以上是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种像素结构,包括多个由同一条栅线且同一条数据线驱动的亚像素单元,其特征在于,每个所述亚像素单元由两个以上的子像素组成,每个所述亚像素单元划分为N个显示区域,在通电状态下,每个显示区域产生的电场不同使得所述亚像素单元实现N畴显示。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,每个所述亚像素单元划分为四个显示区域。
3.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于,每个所述亚像素单元包括有由同一条栅线且同一条数据线驱动的两个子像素,每个子像素划分为两个显示区域。
4.根据权利要求3所述的像素结构,其特征在于,每个所述亚像素单元由在所述栅线的平行方向上分布的第一子像素和第二子像素组成,所述亚像素单元包括驱动第一子像素进行显示的第一薄膜晶体管和驱动第二子像素进行显示的第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极连接,所述第一薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的源极连接,在所述数据线的平行方向上,所述第一子像素中划分为面积相等的第一区域和第二区域,所述第二子像素划分为面积相等的第三区域和第四区域,第一区域和第二区域的条状像素电极对称设置,第三区域和第四区域的条状像素电极对称设置;
其中,
第一区域和第三区域的条状像素电极的倾斜角度相同,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第一区域与第三区域的面积不同;或
第一区域和第三区域的条状像素电极的倾斜角度相同,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比不同,第一区域与第三区域的面积相同;或
第一区域和第三区域的条状像素电极的倾斜角度不同,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第一区域与第三区域的面积相同。
5.根据权利要求3所述的像素结构,其特征在于,每个所述亚像素单元由在所述数据线的平行方向上分布的第一子像素和第二子像素组成,所述亚像素单元包括驱动第一子像素进行显示的第一薄膜晶体管和驱动第二子像素进行显示的第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极连接,所述第一薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的源极连接,在所述栅线的平行方向上,所述第一子像素中划分为面积相等的第一区域和第二区域,所述第二子像素划分为面积相等的第三区域和第四区域,第一区域和第二区域的条状像素电极对称设置,第三区域和第四区域的条状像素电极对称设置;
其中,
第一区域和第三区域的条状像素电极的倾斜角度相同,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第一区域与第三区域的面积不同;或
第一区域和第三区域的条状像素电极的倾斜角度相同,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比不同,第一区域与第三区域的面积相同;或
第一区域和第三区域的条状像素电极的倾斜角度不同,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第一区域与第三区域的面积相同。
6.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于,每个所述亚像素单元包括有由同一条栅线且同一条数据线驱动的四个子像素,每个子像素为一个显示区域。
7.根据权利要求6所述的像素结构,其特征在于,每个所述亚像素单元包括在面积相等的第一子像素、第二子像素,以及面积相等的第三子像素和第四子像素,所述亚像素单元还包括驱动第一子像素进行显示的第一薄膜晶体管、驱动第二子像素进行显示的第二薄膜晶体管、驱动第三子像素进行显示的第三薄膜晶体管、驱动第四子像素进行显示的第四薄膜晶体管,第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管的栅极连接,第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管的源极连接,在所述栅线的平行方向上,第一子像素和第二子像素的条状像素电极对称设置,第三子像素和第四子像素的条状像素电极对称设置,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第三薄膜晶体管与第四薄膜晶体管的沟道宽长比相同;
其中,
第一子像素和第三子像素的条状像素电极的倾斜角度相同,第一薄膜晶体管与第三薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第一子像素与第三子像素的面积不同;或
第一子像素和第三子像素的条状像素电极的倾斜角度相同,第一薄膜晶体管与第三薄膜晶体管的沟道宽长比不同,第一子像素与第三子像素的面积相同;或
第一子像素和第三子像素的条状像素电极的倾斜角度不同,第一薄膜晶体管与第三薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第一子像素与第三子像素的面积相同。
8.根据权利要求6所述的像素结构,其特征在于,每个所述亚像素单元包括在面积相等的第一子像素、第二子像素,以及面积相等的第三子像素和第四子像素,所述亚像素单元还包括驱动第一子像素进行显示的第一薄膜晶体管、驱动第二子像素进行显示的第二薄膜晶体管、驱动第三子像素进行显示的第三薄膜晶体管、驱动第四子像素进行显示的第四薄膜晶体管,第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管的栅极连接,第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管的源极连接,在所述数据线的平行方向上,第一子像素和第二子像素的条状像素电极对称设置,第三子像素和第四子像素的条状像素电极对称设置,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第三薄膜晶体管与第四薄膜晶体管的沟道宽长比相同;
其中,
第一子像素和第三子像素的条状像素电极的倾斜角度相同,第一薄膜晶体管与第三薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第一子像素与第三子像素的面积不同;或
第一子像素和第三子像素的条状像素电极的倾斜角度相同,第一薄膜晶体管与第三薄膜晶体管的沟道宽长比不同,第一子像素与第三子像素的面积相同;或
第一子像素和第三子像素的条状像素电极的倾斜角度不同,第一薄膜晶体管与第三薄膜晶体管的沟道宽长比相同,第一子像素与第三子像素的面积相同。
9.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于,在所述像素结构用于液晶显示面板中,条状像素电极所在显示区域的液晶为正性液晶时,条状像素电极的倾斜取向方向与所述正性液晶的初始取向方向的夹角为5°~20°;所述条状像素电极所在显示区域的液晶为负性液晶时,条状像素电极的倾斜取向方向与所述负性液晶的初始取向方向的夹角为70°~85°。
10.一种阵列基板,其特征在于,包括如权利要求1-9中任一项所述的像素结构。
11.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求10所述的阵列基板。
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105045013A (zh) * 2015-09-15 2015-11-11 京东方科技集团股份有限公司 像素阵列、显示面板及显示装置
WO2017041441A1 (zh) * 2015-09-09 2017-03-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
WO2017049827A1 (zh) * 2015-09-23 2017-03-30 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构、显示面板及显示装置
CN106684101A (zh) * 2017-02-15 2017-05-17 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
WO2017121078A1 (en) 2016-01-14 2017-07-20 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display panel, and display apparatus
CN107015406A (zh) * 2017-06-09 2017-08-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板
WO2017166732A1 (zh) * 2016-04-01 2017-10-05 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其驱动方法、显示装置
CN108181766A (zh) * 2017-12-29 2018-06-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶显示装置
CN108732805A (zh) * 2018-05-28 2018-11-02 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示面板及显示装置
CN108732806A (zh) * 2018-05-29 2018-11-02 上海天马微电子有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制造方法
CN110603576A (zh) * 2017-05-12 2019-12-20 索尼公司 显示装置
CN111061075A (zh) * 2018-10-16 2020-04-24 群创光电股份有限公司 电子调制装置
WO2020103774A1 (zh) * 2018-11-19 2020-05-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN111650792A (zh) * 2020-06-23 2020-09-11 上海天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN112147819A (zh) * 2020-09-22 2020-12-29 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种液晶显示面板
WO2021179381A1 (zh) * 2020-03-12 2021-09-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板和显示面板
CN113485046A (zh) * 2021-07-23 2021-10-08 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108628045B (zh) * 2017-03-21 2022-01-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101398587A (zh) * 2007-09-29 2009-04-01 北京京东方光电科技有限公司 水平电场型液晶显示装置的像素结构
CN102081269A (zh) * 2010-11-16 2011-06-01 华映视讯(吴江)有限公司 晶体管阵列基板
CN102156367A (zh) * 2010-08-04 2011-08-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、液晶面板和液晶显示器
CN204101858U (zh) * 2014-10-22 2015-01-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110193769A1 (en) * 2008-10-09 2011-08-11 Hiroyuki Ohgami Liquid crystal display device
KR101833498B1 (ko) * 2010-10-29 2018-03-02 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN102914928B (zh) * 2012-10-30 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101398587A (zh) * 2007-09-29 2009-04-01 北京京东方光电科技有限公司 水平电场型液晶显示装置的像素结构
CN102156367A (zh) * 2010-08-04 2011-08-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、液晶面板和液晶显示器
CN102081269A (zh) * 2010-11-16 2011-06-01 华映视讯(吴江)有限公司 晶体管阵列基板
CN204101858U (zh) * 2014-10-22 2015-01-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017041441A1 (zh) * 2015-09-09 2017-03-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
US10490575B2 (en) 2015-09-09 2019-11-26 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and display device
CN105045013A (zh) * 2015-09-15 2015-11-11 京东方科技集团股份有限公司 像素阵列、显示面板及显示装置
US10042219B2 (en) 2015-09-23 2018-08-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel structure, display panel and display device
WO2017049827A1 (zh) * 2015-09-23 2017-03-30 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构、显示面板及显示装置
WO2017121078A1 (en) 2016-01-14 2017-07-20 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display panel, and display apparatus
EP3403139A4 (en) * 2016-01-14 2019-07-31 BOE Technology Group Co., Ltd. ARRAY SUBSTRATE, DISPLAY BOARD AND DISPLAY DEVICE
WO2017166732A1 (zh) * 2016-04-01 2017-10-05 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其驱动方法、显示装置
US10228606B2 (en) 2016-04-01 2019-03-12 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel comprising liquid crystal molecules that are driven to create a right-angle liquid crystal prism and display apparatus and driving method thereof
CN106684101A (zh) * 2017-02-15 2017-05-17 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
US11222875B2 (en) 2017-05-12 2022-01-11 Sony Corporation Display apparatus
CN110603576A (zh) * 2017-05-12 2019-12-20 索尼公司 显示装置
CN107015406A (zh) * 2017-06-09 2017-08-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板
CN107015406B (zh) * 2017-06-09 2020-03-13 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板
CN108181766A (zh) * 2017-12-29 2018-06-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶显示装置
CN108732805A (zh) * 2018-05-28 2018-11-02 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示面板及显示装置
CN108732806A (zh) * 2018-05-29 2018-11-02 上海天马微电子有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制造方法
CN111061075A (zh) * 2018-10-16 2020-04-24 群创光电股份有限公司 电子调制装置
CN111061075B (zh) * 2018-10-16 2022-11-04 群创光电股份有限公司 天线装置
US11215890B2 (en) 2018-11-19 2022-01-04 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate, display panel and display device
WO2020103774A1 (zh) * 2018-11-19 2020-05-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
WO2021179381A1 (zh) * 2020-03-12 2021-09-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板和显示面板
CN111650792A (zh) * 2020-06-23 2020-09-11 上海天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN112147819A (zh) * 2020-09-22 2020-12-29 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种液晶显示面板
CN113485046A (zh) * 2021-07-23 2021-10-08 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113485046B (zh) * 2021-07-23 2022-08-02 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置
US12061397B2 (en) 2021-07-23 2024-08-13 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and display device

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