CN110690228A - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种阵列基板及显示面板，该阵列基板包括基板、形成于基板上的第一栅极层；依次形成于第一栅极层之上的第一绝缘层、有源层、源漏极层和第二绝缘层；以及，形成在第二绝缘层上上的第二栅极层；第一栅极层包括多个第一栅极，第二栅极层包括多个第二栅极；其中，第一栅极层还包括连接多个第一栅极的第一栅极线，至少两个第二栅极连接至同一个第一栅极；或者，第二栅极层还包括连接多个第二栅极的第二栅极线，至少两个第一栅极连接至同一个第二栅极。本发明实施例改进了阵列基板的结构，在提高阵列基板的薄膜晶体管的载流子迁移率的同时，提高子像素的存储电容，降低栅极线电容，进而提高显示装置的显示效果。

Description

阵列基板及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示器件(Liquid Crystal Display，LCD)、有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄等优点，被广泛地应用于手机、电视等各种电子产品。薄膜晶体管作为开关部件和驱动部件普遍应用于各种显示器件中，其可以在有源层两侧分别设置顶栅极和底栅极，以形成双栅极结构，通过双栅极驱动有源层，能够有效提高载流子迁移率，保持薄膜晶体管的稳定性。
但是，薄膜晶体管采用双栅极结构后，会导致子像素的存储电容下降的同时，使栅极线电容增加，进而影响显示装置的显示效果。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板和显示面板，旨在改进阵列基板的结构，在提高阵列基板的薄膜晶体管的载流子迁移率的同时，提高子像素的存储电容，降低栅极线电容，进而提高显示装置的显示效果。
为解决上述问题，第一方面，本申请提供一种阵列基板，包括：
基板；
第一栅极层，形成于所述基板上，所述第一栅极层包括多个第一栅极；
依次形成于所述第一栅极层之上的第一绝缘层，有源层，源漏极层和第二绝缘层；
第二栅极层，形成在所述第二绝缘层上，所述第二栅极层包括多个第二栅极；
所述第一栅极层还包括连接多个第一栅极的第一栅极线，至少两个第二栅极连接至同一个第一栅极；或者，所述第二栅极层还包括连接多个第二栅极的第二栅极线，至少两个第一栅极连接至同一个第二栅极。
在一些实施例中，所述第一栅极层包括第一连接线，所述第一连接线将多个第一栅极连接在一起以形成第一栅极组，所述第一栅极组中的一个第一栅极与一个第二栅极连接，以使多个第一栅极连接至同一个第二栅极。
在一些实施例中，所述第一连接线与所述第二栅极线至少部分重合。
在一些实施例中，所述源漏极层包括多条数据线，所述第二栅极层包括多条第二栅极线，多条数据线与多条第二栅极线交叉形成多个第一像素单元，所述第一像素单元中多个子像素的第一栅极均与同一个子像素的第二栅极连接。
在一些实施例中，所述第二栅极层包括第二连接线，所述第二连接线将多个第二栅极连接在一起以形成第二栅极组，所述第二栅极组中的一个第二栅极与一个第一栅极连接，以使多个第二栅极连接至同一个第一栅极。
在一些实施例中，所述第二连接线与所述第一栅极线至少部分重合。
在一些实施例中，所述源漏极层包括多条数据线，所述第一栅极层包括多条第一栅极线，多条数据线与多条第一栅极线交叉形成多个第二像素单元，所述第二像素单元中多个子像素的第二栅极均与同一个子像素的第一栅极连接。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括形成在所述第二栅极层上的第三绝缘层，以及，形成在所述第三绝缘层上的金属转接层；所述金属转接层的一侧穿过所述第三绝缘层并与所述第二栅极层接触，所述金属转接层的另一侧穿过所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层并与所述第一栅极层接触，以将所述第一栅极和所述第二栅极连接在一起。
在一些实施例中，所述金属转接层的一侧穿过所述第三绝缘层并与所述第二栅极层的第二栅极线接触，所述金属转接层的另一侧穿过所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层并与所述第一栅极层接触，以将所述第一栅极和所述第二栅极连接在一起。
第二方面，本申请提供一种显示面板，该显示面板包括如上所述的阵列基板，所述阵列基板包括：
基板；
第一栅极层，形成于所述基板上，所述第一栅极层包括多个第一栅极；
依次形成于所述第一栅极层之上的第一绝缘层，有源层，源漏极层和第二绝缘层；
第二栅极层，形成在所述第二绝缘层上，所述第二栅极层包括多个第二栅极；
所述第一栅极层还包括连接多个第一栅极的第一栅极线，至少两个第二栅极连接至同一个第一栅极；或者，所述第二栅极层还包括连接多个第二栅极的第二栅极线，至少两个第一栅极连接至同一个第二栅极。
在一些实施例中，所述第一栅极层包括第一连接线，所述第一连接线将多个第一栅极连接在一起以形成第一栅极组，所述第一栅极组中的一个第一栅极与一个第二栅极连接，以使多个第一栅极连接至同一个第二栅极。
在一些实施例中，所述第一连接线与所述第二栅极线至少部分重合。
在一些实施例中，所述源漏极层包括多条数据线，所述第二栅极层包括多条第二栅极线，多条数据线与多条第二栅极线交叉形成多个第一像素单元，所述第一像素单元中多个子像素的第一栅极均与同一个子像素的第二栅极连接。
在一些实施例中，所述第二栅极层包括第二连接线，所述第二连接线将多个第二栅极连接在一起以形成第二栅极组，所述第二栅极组中的一个第二栅极与一个第一栅极连接，以使多个第二栅极连接至同一个第一栅极。
在一些实施例中，所述第二连接线与所述第一栅极线至少部分重合。
在一些实施例中，所述源漏极层包括多条数据线，所述第一栅极层包括多条第一栅极线，多条数据线与多条第一栅极线交叉形成多个第二像素单元，所述第二像素单元中多个子像素的第二栅极均与同一个子像素的第一栅极连接。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括形成在所述第二栅极层上的第三绝缘层，以及，形成在所述第三绝缘层上的金属转接层；所述金属转接层的一侧穿过所述第三绝缘层并与所述第二栅极层接触，所述金属转接层的另一侧穿过所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层并与所述第一栅极层接触，以将所述第一栅极和所述第二栅极连接在一起。
在一些实施例中，所述金属转接层的一侧穿过所述第三绝缘层并与所述第二栅极层的第二栅极线接触，所述金属转接层的另一侧穿过所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层并与所述第一栅极层接触，以将所述第一栅极和所述第二栅极连接在一起。有益效果：本发明实施例的阵列基板采用包括有第一栅极层和第二栅极层的双栅结构，有效提高了薄膜晶体管的载流子迁移率。同时，通过将第一栅极层的多个第一栅极通过第一栅极线连接在一起，然后将第二栅极层的至少两个第二栅极连接至第一栅极层的同一第一栅极；或者，通过将第二栅极层的多个第二栅极通过第二栅极线连接在一起，然后将第一栅极层的至少两个第一栅极连接至第二栅极层的同一第二栅极。由此，无需使多个第一栅极和多个第二栅极一一对应连接，避免在每个子像素内均设置将第一栅极和第二栅极连接的转接孔，从而减少转接孔所占用的面积，以达到提高子像素的存储电容，减小栅极线电容的目的，使显示装置具有更好的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的第一像素单元的一个实施例的结构简图；
图2是图1中沿A-A方向进行剖切后的局部剖视图。
阵列基板10；基板11；第一栅极层12；第一栅极121；第一连接线122；第一绝缘层13；有源层14；第二绝缘层15；第二栅极层16；第二栅极161；第二栅极线162；数据线17；第一像素单元18；子像素181；第三绝缘层19；金属转接层20；第四绝缘层21。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此，本发明并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。
本发明实施例提供一种阵列基板。以下分别进行详细说明。
参照图1及图2，阵列基板10包括作为衬底的基板11，以及形成于基板11上的第一栅极层12，该第一栅极层12包括多个第一栅极121，在第一栅极层12上还依次形成于第一栅极层12之上的第一绝缘层13，有源层14和源漏极层(图中未示出)。有源层14由半导体材料制成，其位于第一栅极121的上方，并通过第一绝缘层13与第一栅极121隔开。源漏极层包括源极和漏极，源极和漏极分布于有源层14的两侧，且至少部分源极和至少部分漏极位于有源层14的上方，并与有源层14接触。
其中，在源漏极层上形成有第二绝缘层15，并在第二绝缘层15上还形成有第二栅极层16，第二绝缘层15将源漏极层与第二栅极层16隔开，该第二栅极层16包括多个第二栅极161，且第一栅极层12和第二栅极层16连接，以使第一栅极层12的多个第一栅极121和多个第二栅极层16的多个第二栅极161连接，从而形成具有双栅结构的薄膜晶体管，有效提高了通过第一栅极121、有源层14、源极、漏极以及第二栅极161等构成的薄膜晶体管的载流子迁移率。
在一些实施例中，如图1所示，可以使第二栅极层16包括连接多个第二栅极161的第二栅极线162，并使至少两个第一栅极121连接至同一个第二栅极161，以使第一栅极层12和第二栅极层16保持连接的同时，无需使多个第一栅极121和多个第二栅极161一一对应连接，也即，无需在每个子像素181内设置将第一栅极121和第二栅极161连接的转接孔，减少了转接孔所占用的面积，从而达到提高子像素181的存储电容，减小栅极线电容的目的，使显示装置具有更好的显示效果。
其中，第一栅极层12可以包括第一连接线122，该第一连接线122将多个第一栅极121连接在一起以形成第一栅极组，该第一栅极组中的一个第一栅极121与一个第二栅极161连接，以使多个第一栅极121连接至同一个第二栅极161。其中，可以是第一栅极组中的第一栅极121直接与第二栅极161或第二栅极线162保持连接，也可以是第一栅极组中的第一连接线122与第二栅极161与第一连接线122保持连接。
需要说明的是，第一栅极组所包括的第一栅极121数量可根据连接至同一个第二栅极161的第一栅极121数量而定。例如：当第一栅极层12中的两个第一栅极121连接至第二栅极层16的同一个第二栅极161时，则第一连接线122将该两个第一栅极121连接在一起以形成第一栅极组；当第一栅极层12中的三个第一栅极121连接至第二栅极层16的同一个第二栅极161时，则第一连接线122将该三个第一栅极121连接在一起以形成第一栅极组。
在一些实施例中，可以使第一连接线122与第二栅极线162至少部分重合，以节省像素内部的走线空间，并减少第一连接线122对光线的遮挡，提高薄膜晶体管的透光率。
需要说明的是，可以是第一连接线122的一部分与第二栅极线162重合，也可以是第一连接线122全部与第二栅极线162重合，当然，后者对薄膜晶体管的透光率提高效果更好。其中，当第一连接线122全部与第二栅极线162重合时，第一连接线122的宽度可以小于或等于第二栅极线162的宽度。
如图1所示，源漏极层包括多条数据线17，该数据线17将源漏极层的多个源极连接在一起。另外，第二栅极层16包括多条第二栅极线162，多条第二栅极线162与源漏极层的多条数据线17交叉形成多个第一像素单元18，该第一像素单元18包括多个子像素181。
在一些实施例中，可以使第一像素单元18中的多个子像素181的第一栅极121均与同一个子像素181的第二栅极161连接。
可以理解的是，随着与第一栅极121连接的第二栅极161的数量增加，转接孔的数量也会越少，对第一像素单元18的多个子像素181的存储电容提高越多。但是，第一连接线122的长度也会越长，使得第一连接线122会与更多的数据线17产生交叠，容易增加阵列基板10制程上的短路风险。本发明实施例通过使第一像素单元18中多个子像素181的第一栅极121均与同一个子像素181的第二栅极161连接，使第一连接线122的长度适中，在有效提高子像素181的存储电容的同时，降低阵列基板10制程上的短路风险。
此外，当多个第一像素单元18中的第一栅极121均与一个第一像素单元18中的一个第二栅极161连接时，会导致有的第一像素单元18存在转接孔，而有的第一像素单元18不存在转接孔，使得第一像素单元18之间存在较大的差异性。本发明实施例通过使使第一像素单元18中多个子像素181的第一栅极121均与同一个子像素181的第二栅极161连接，能够降低各第一像素单元18之间的差异性，提高显示装置的显示效果。
在一些实施例中，第一像素单元18可以包括三个依次分布的子像素181，可以使第一像素单元18中的三个子像素181的第一栅极121均与位于中间的子像素181的第二栅极161连接。
具体地，如图1所示，第一像素单元18的三个子像素181横向依次排列，三个子像素181的颜色分别为红色、绿色和蓝色。其中，三个子像素181的第一栅极121均与绿色子像素181的第二栅极161连接。
当然，也可以使第一像素单元18中的三个子像素181的第一栅极121均与位于端部的子像素181的第二栅极161连接。
下表1为阵列基板的多个第一栅极和多个第二栅极一一对应连接时，通过实验测得的各子像素的存储电容和栅极线电容。
Items C(pF)
Cst_R 0.241
Cst_G 0.238
Cst_B 0.247
Gate 0.424
表1
表2为阵列基板10的第一像素单元18中的三个第一栅极121和一个第二栅极161连接时，通过实验测得的各子像素181的存储电容和栅极线电容。
Items C(pF)
Cst_R 0.323
Cst_G 0.227
Cst_B 0.328
Gate 0.379
表2
其中，Cst_R表示红色子像素181的存储电容(Cst)；Cst_G表示绿色子像素181的存储电容(Cst)；Cst_B表示蓝色子像素181的存储电容(Cst)；Gate表示栅极线电容。
通过表1和表2的对比可知，本发明实施例的阵列基板10能够有效提高第一像素单元18的各子像素181的存储电容，并减小栅极线电容。
在另一些实施例中，第一栅极层12还可以包括连接多个第一栅极121的第一栅极线，第二栅极层16的至少两个第二栅极161连接至第一栅极层12的同一个第一栅极121，以使第一栅极层12的多个第一栅极121和第二栅极层16的多个第二栅极161保持连接的同时，无需使多个第一栅极121和多个第二栅极161一一对应连接，也即，无需在每个子像素内设置将第一栅极121和第二栅极161连接的转接孔，减少了转接孔所占用的面积，从而达到提高子像素的存储电容，减小栅极线电容的目的，使显示装置具有更好的显示效果。
在一些实施例中，第二栅极层16可以包括第二连接线，该第二连接线将多个第二栅极161连接在一起以形成第二栅极组，第二栅极组中的一个第二栅极161与第一栅极层12中的一个第一栅极121连接，以使第二栅极层16的多个第二栅极161连接至同第一栅极层12的一个第一栅极121。其中，可以将第二栅极组中的一个第二栅极161与第一栅极121或第一栅极线保持连接，也可以将第二栅极组中的第二连接线与第一栅极121或第一栅极线保持连接。
需要说明的是，第二栅极组所包括的第二栅极161数量可根据连接至同一个第一栅极121的第二栅极161数量而定，此处不再赘述。
在一些实施例中，可以使第二连接线与第一栅极线至少部分重合，以减少第二连接线对光线的遮挡，提高薄膜晶体管的透光率。其中，可以是第二连接线的一部分与第一栅极线重合，也可以是第二连接线全部与第一栅极线重合，当然，后者对薄膜晶体管的透光率提高效果更好。而且，当第二连接线全部与第一栅极线重合时，第二连接线的宽度可以小于或等于第一栅极线的宽度。
在一些实施例中，第一栅极层12可以包括多条第一栅极线，该多条第一栅极线与源漏极层的多条数据线17交叉形成多个第二像素单元，该第二像素单元包括多个子像素。其中，可以使第二像素单元中多个子像素的第二栅极161均与同一个子像素的第一栅极121连接，以有效提高子像素的存储电容的同时，降低阵列基板10制程上的短路风险，并降低各第二像素单元之间的差异性，从而提高显示装置的显示效果。
可选地，第二像素单元可以包括三个依次分布的子像素，可以使第二像素单元中的三个子像素的第二栅极161均与位于中间的子像素的第一栅极121连接。
具体地，第二像素单元的三个子像素横向依次排列，三个子像素的颜色分别为红色、绿色和蓝色。其中，三个子像素的第二栅极161均与绿色子像素的第一栅极121连接。
当然，也可以使第二像素单元中的三个子像素的第二栅极161均与位于端部的子像素的第一栅极121连接。
在一些实施例中，如图2所示，阵列基板10还可以包括形成在第二栅极层16上的第三绝缘层19，以及，形成在第三绝缘层19上的金属转接层20，该金属转接层20通过下方的转接孔将第一栅极层12与第二栅极层16连接在一起，从而使将第一栅极层12的多个第一栅极121与第二栅极层16连接在一起，或者，将第二栅极层16的多个第二栅极161与第一栅极层12连接在一起。
具体地，金属转接层20的一侧穿过第三绝缘层19并与第二栅极层16接触，金属转接层20的另一侧穿过第三绝缘层19、第二绝缘层15和第一绝缘层13并与第一栅极层12接触，以将第一栅极121和第二栅极161连接在一起。
在一些实施例中，第二栅极层16包括连接多个第二栅极161的第二栅极线162，可以使金属转接层20的一侧穿过第三绝缘层19并与第二栅极层16的第二栅极线162接触，使金属转接层20的另一侧穿过第三绝缘层19、第二绝缘层15和第一绝缘层13并与第一栅极层12接触，以将第一栅极121和第二栅极161连接在一起。
在另一些实施例中，也可以使第一栅极层12包括第一栅极121和第一栅极线，金属转接层20的一侧穿过第三绝缘层19并与第二栅极层16接触，金属转接层20的另一侧穿过第三绝缘层19、第二绝缘层15和第一绝缘层13并与第一栅极层12的第一栅极121接触，以将第一栅极121和第二栅极161连接在一起。
当然，也可以直接使第二栅极层16穿过第二绝缘层15和第一绝缘层13后，与第一栅极层12接触，以实现第二栅极层16的第二栅极161与第一栅极层12的第一栅极121连接。
在一些实施例中，如图2所示，还可以在第三绝缘层19和金属转接层20上形成第四绝缘层21，以对金属转接层20进行保护。
此外，阵列基板10还可以包括图2中未示出的平坦化层、像素电极层等等，此处不再一一描述。
本发明实施例还提出一种显示面板，该显示面板包括阵列基板，该阵列基板的具体结构参照上述实施例，由于本显示面板采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
其中，显示面板可以为柔性显示面板、微发光二极管显示面板、有机发光二极管显示面板等任何具有上述阵列基板的显示面板，此处不作限制。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见上文针对其他实施例的详细描述，此处不再赘述。
具体实施时，以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现，也可以进行任意组合，作为同一或若干个实体来实现，以上各个单元或结构的具体实施可参见前面的方法实施例，在此不再赘述。
以上各个操作的具体实施可参见前面的实施例，在此不再赘述。
以上对本发明实施例所提供的一种阵列基板及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
第一栅极层，形成于所述基板上，所述第一栅极层包括多个第一栅极；
依次形成于所述第一栅极层之上的第一绝缘层，有源层，源漏极层和第二绝缘层；
第二栅极层，形成在所述第二绝缘层上，所述第二栅极层包括多个第二栅极；
所述第一栅极层还包括连接多个第一栅极的第一栅极线，至少两个第二栅极连接至同一个第一栅极；或者，所述第二栅极层还包括连接多个第二栅极的第二栅极线，至少两个第一栅极连接至同一个第二栅极。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极层包括第一连接线，所述第一连接线将多个第一栅极连接在一起以形成第一栅极组，所述第一栅极组中的一个第一栅极与一个第二栅极连接，以使多个第一栅极连接至同一个第二栅极。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接线与所述第二栅极线至少部分重合。
4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏极层包括多条数据线，所述第二栅极层包括多条第二栅极线，多条数据线与多条第二栅极线交叉形成多个第一像素单元，所述第一像素单元中多个子像素的第一栅极均与同一个子像素的第二栅极连接。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二栅极层包括第二连接线，所述第二连接线将多个第二栅极连接在一起以形成第二栅极组，所述第二栅极组中的一个第二栅极与一个第一栅极连接，以使多个第二栅极连接至同一个第一栅极。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二连接线与所述第一栅极线至少部分重合。
7.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏极层包括多条数据线，所述第一栅极层包括多条第一栅极线，多条数据线与多条第一栅极线交叉形成多个第二像素单元，所述第二像素单元中多个子像素的第二栅极均与同一个子像素的第一栅极连接。
8.如权利要求1至7中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括形成在所述第二栅极层上的第三绝缘层，以及，形成在所述第三绝缘层上的金属转接层；所述金属转接层的一侧穿过所述第三绝缘层并与所述第二栅极层接触，所述金属转接层的另一侧穿过所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层并与所述第一栅极层接触，以将所述第一栅极和所述第二栅极连接在一起。
9.如权利要8所述的阵列基板，其特征在于，所述金属转接层的一侧穿过所述第三绝缘层并与所述第二栅极层的第二栅极线接触，所述金属转接层的另一侧穿过所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层并与所述第一栅极层接触，以将所述第一栅极和所述第二栅极连接在一起。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1至9中任意一项所述的阵列基板。
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