CN1591099A - 液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种液晶显示装置，在基板上的像素区域中，具有通过第1开关元件提供信号的第1电极，以及通过第2开关元件提供信号的第2电极，用该第1电极和第2电极间的电位差使液晶动作，第1电极为在与信号线之间间隔绝缘膜构成的第1保持电容的一方的电极，并且第2电极为在与信号线之间间隔绝缘膜构成的第2保持电容的一方的电极。

Description

液晶显示装置
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置。
背景技术
人们已知在中间隔着液晶相对配置的各个基板之中的一方基板的液晶侧的各个像素区域上，具有像素电极和对置电极，在像素电极与对置电极之间产生电场来控制液晶的光透射率的液晶显示装置。
其中，人们已知这样的液晶显示装置：上述各个电极间隔绝缘膜地进行配置，其中的一方的电极形成在像素区域之中的中央部的整个区域上，同时，另一方的电极重叠在该一方的电极上，形成为所谓的梳齿状的电极群，而且这些电极由透光性的导电层构成。
这样的液晶显示装置，已在例如日本特开2002-90781(或与之对应的美国专利US6562645)中公开。
此外，在日本特开2000-338462中，公开了其构成为通过由来自栅极信号线的扫描信号导通的第1薄膜晶体管向一方的电极提供来自第1漏极信号线的第1图像信号，并且，通过由上述扫描信号导通的第2薄膜晶体管向另一方的电极提供来自第2漏极信号线的第2图像信号的液晶显示装置。
这样构成的液晶显示装置，对在1个像素中设置的2个薄膜晶体管配置了2条漏极信号线，给一方的薄膜晶体管施加来自一方的漏极信号线的一方电压，给另一方的薄膜晶体管施加来自另一方的漏极信号线的另一方电压，以一方电压为正极，以另一方电压为负极，作为1个帧期间的电压。
通过该动作，可以给液晶施加像素内的一方的电极和另一方的电极的差电压。此外，为了使液晶电压交流化，在下一个帧期间使一方的电极和另一方的电极的极性进行交替。
据此，与例如在1个像素中配置了1个薄膜晶体管的平面开关型中使连接到该薄膜晶体管的像素电极的电位，对于使另一方的电极的电位恒定而相对该恒定电压进行交流化的方式的液晶显示装置相比，能够使交流化后的差电压大致变成一半。
由此，能降低液晶的驱动电压，能得到低功耗的液晶显示装置。
发明内容
但是，即便是这样的结构，在液晶显示装置的画面大型化的情况下，功耗也将增加。此外，人们已经指出：如果以像素电极作为一方的电极，以栅极信号线或电容信号线作为另一方的电极，则会取决于显示图形而变成只对一方的极性充电的模式，该栅极信号线或电容信号线的布线延迟增加，对于背景，显示四角窗口图形时，在该栅极信号线或电容信号线的方向上就会产生被称为所谓的串扰的带状影子。
另一方面，在1个像素中形成了2个薄膜晶体管的在日本特开2000-338462中记载的液晶显示装置，具有间隔绝缘膜地使一方的电极和另一方的电极层叠的构造的电容元件。由该构造构成的液晶显示装置，不需要电容信号线，不会发生上述的串扰。但是，该电容元件为只把2个薄膜晶体管的输出电压连接到上述各个电极的结构。因此，在已把栅极截止电压施加给薄膜晶体管的保持期间，该电容元件的电位变成浮置状态。因此，判明该电压的值有时不固定，会产生随与栅极信号线等其它电位之间的寄生电容摆动的问题。
由本发明人自己的实验明白了这样的情况：特别是在该薄膜晶体管的栅极电位从导通变为截止时，有时会发生电极电位因在由栅极信号线的一部分构成的栅极电极与源极电极之间产生的寄生电容而显著降低这样的动作点劣化的问题。
假设考虑把来自上述各2个薄膜晶体管的输出电压分别传送给独立的保持电容电极，并使该保持电容电极间隔绝缘膜地与电容信号线重叠起来构成电容元件，则不能避免像素的开口率的降低。
本发明就是基于这样的情况而做出的，其目的在于提供消除了对在薄膜晶体管的栅极电位从导通变成截止时，像素电极的电位显著降低的动作点劣化问题的担心的液晶显示装置。
以下，简单地对在本申请公开的发明之中有代表性的发明的概要进行说明。
(1)本发明的液晶显示装置，例如，在基板上的像素区域中，具有通过第1开关元件提供信号的第1电极，通过第2开关元件提供信号的第2电极，用该第1电极和第2电极间的电位差使液晶动作，其特征在于：
上述第1电极为在与信号线之间间隔绝缘膜构成的第1保持电容的一方的电极，并且上述第2电极为在与信号线之间间隔绝缘膜构成的第2保持电容的一方的电极。
(2)本发明的液晶显示装置，例如，以(1)为前提，其特征在于：第1电极和第2电极用透光性的导电膜构成，这些电极间隔绝缘膜地被形成为不同的层，并且一方的电极在像素区域的大部分的区域中形成，另一方的电极由重叠在上述一方的电极上的电极群形成。
(3)本发明的液晶显示装置，例如，以(1)或(2)为前提，其特征在于：构成第1保持电容的另一方的电极的信号线是第1漏极信号线，构成第2保持电容的另一方的电极的信号线是第2漏极信号线。
(4)本发明的液晶显示装置，例如，以(1)或(2)为前提，其特征在于：构成第1保持电容的另一方的电极的信号线和构成第2保持电容的另一方的电极的信号线是电容信号线。
(5)本发明的液晶显示装置，例如，以(4)为前提，其特征在于：第1保持电容和第2保持电容的每一者的电容值大体上相等。
(6)本发明的液晶显示装置，例如，以(5)为前提，其特征在于：第1电极和第2电极用透光性的导电膜构成，这些电极间隔绝缘膜地被形成为不同的层，并且一方的电极在像素区域的大部分的区域中形成，另一方的电极由重叠在上述一方的电极上的电极群形成。
(7)本发明的液晶显示装置，例如，在基板上的像素区域中，具有从第1漏极信号线通过第1开关元件供给信号的第1电极，从第2漏极信号线通过第2开关元件供给信号的第2电极，用上述第1电极和第2电极间的电位差使液晶动作，其特征在于：
上述第1电极和第2电极，对于上述第1漏极信号线和第2漏极信号线间隔绝缘膜地在不同的层上形成，并且，
构成为使得其一部分重叠在上述第1漏极信号线和第2漏极信号线上。
(8)本发明的液晶显示装置，例如，以(7)为前提，其特征在于：第1电极在其一部分中构成为与上述第1漏极信号线和第2漏极信号线中的每一者重叠，第2电极构成为在其一部分中与上述第1漏极信号线和第2漏极信号线中的每一者重叠。
(9)本发明的液晶显示装置，例如，以(8)为前提，其特征在于：第1电极与第1漏极信号线重叠的部分和第2电极与第1漏极信号线重叠的部分，大体上是相同部位，第1电极与第2漏极信号线重叠的部分和第2电极与第2漏极信号线重叠的部分，大体上是相同部位。
(10)本发明的液晶显示装置，例如，以(8)或(9)为前提，其特征在于：第1电极和第1漏极信号线重叠的部分、第2电极和第1漏极信号线重叠的部分、第1电极和第2漏极信号线重叠的部分、第2电极分别和第2漏极信号线重叠的部分，分别构成保持电容。
(11)本发明的液晶显示装置，例如，以(8)或(9)为前提，其特征在于：用第1电极和第1漏极信号线重叠的部分、第2电极和第1漏极信号线重叠的部分、第1电极和第2漏极信号线重叠的部分、第2电极和第2漏极信号线重叠的部分构成的每一个保持电容的值，在50％到200％的范围内相一致。
(12)本发明的液晶显示装置，例如，以(11)为前提，其特征在于：第1电极和第1漏极信号线重叠的部分的保持电容的电容值与第1电极和第2漏极信号线重叠的部分的保持电容的电容值大体上相等，而且，第2电极和第1漏极信号线重叠的部分的保持电容的电容值与第2电极分别和第2漏极信号线重叠的部分的保持电容的电容值大体上相等。
(13)本发明的液晶显示装置，例如，以(8)或(9)为前提，其特征在于：第1电极和第1漏极信号线重叠的部分以及第2电极和第1漏极信号线重叠的部分，和第1电极和第2漏极信号线重叠的部分以及第2电极分别和第2漏极信号线重叠的部分，被交错地配置。
(14)本发明的液晶显示装置，例如，在基板上的像素区域中，具有从第1漏极信号线通过第1开关元件供给信号的第1电极，从第2漏极信号线通过第2开关元件供给信号的第2电极，用上述第1电极和第2电极间的电位差使液晶动作，其特征在于：
具有保持电容信号线，
上述保持电容信号线，间隔第1绝缘膜地在上述第1电极之中的多个部分与上述第1电极重叠，并且，
上述保持电容信号线，在上述第1电极之中的多个部分之间的区域，间隔第1绝缘膜和第2绝缘膜地与上述第2电极重叠。
(15)本发明的液晶显示装置，例如，以(14)为前提，其特征在于：上述保持电容信号线与上述第1电极和上述第2电极之间的重叠面积，第2电极比第1电极更大。
(16)本发明的液晶显示装置，例如，以(14)为前提，其特征在于：上述保持电容信号线与上述第1电极所形成的保持电容，和上述保持电容信号线与第2电极所形成的保持电容，大体上相等。
(17)本发明的液晶显示装置，例如，以(14)、(15)、(16)中的任何一项为前提，其特征在于：第1电极和第2电极用透光性的导电膜构成，这些电极间隔绝缘膜地被形成为不同的层，并且一方的电极在像素区域的大部分的区域中形成，另一方的电极则用重叠在上述一方的电极上的电极群形成。
另外，本发明并不限于以上结构，在不背离本发明的技术思想的范围内可以进行各种变更。
附图说明
图1A是表示本发明液晶显示装置的像素的一个实施例的平面图，图1B是与图1A对应的等效电路图。
图2A是图1A的II(a)-II(a)线的剖面图，图2B是图1A的II(b)-II(b)线的剖面图。
图3是表示本发明液晶显示装置的一个实施例的平面图。
图4A和图4B是提供给本发明液晶显示装置的像素的信号的波形和其时序图。
图5A是表示本发明液晶显示装置的像素的其它实施例的平面图示，图5B是与图5A对应的等效电路图。
图6A是图5A的VI(a)-VI(a)线的剖面图，图6B是图5A的VI(b)-VI(b)线的剖面图。
图7是表示本发明液晶显示装置的像素的其它实施例的剖面图。
具体实施方式
以下，用附图说明本发明液晶显示装置的实施例。
实施例1
图3是表示本发明液晶显示装置的一个实施例的平面图。在中间隔着液晶彼此相对配置的各个基板之中的一方基板GLS1的液晶侧的面上，形成在其x方向上延伸、在y方向上并列设置的栅极信号线GL。此外，还形成在y方向上延伸、在x方向上并列设置的漏极信号线DL。
这些各个漏极信号线DL反复配置，使得在其相邻方向上彼此接近配置、彼此远离配置、彼此接近配置、...。把由相邻的一对栅极信号线GL和彼此远离配置的一对漏极信号线DL围起来的矩形区域(图中用粗线围起来的部分)作为像素区域。
由包含该像素区域中的像素地在x方向上并列设置的选择像素群的栅极信号线GL(例如图中下侧)向各个像素区域提供扫描信号。此外，还可以从图中左侧的漏极信号线DL(第1漏极信号线DLL)提供第1图像信号，从图中右侧的漏极信号线DL(第2漏极信号线DLR)提供第2图像信号。该像素区域的详细的结构，将在后面说明。
上述各个栅极信号线GL，例如，在其一端与扫描信号驱动电路SCC进行连接，并借助于该扫描信号驱动电路SCC，依次提供扫描信号。此外，漏极信号线DL，例如，在其一端与图像信号驱动电路IMC进行连接，并借助于该图像信号驱动电路IMC与提供上述扫描信号的定时相一致地提供图像信号。
另外，扫描信号驱动电路SCC和图像信号驱动电路IMC，由来自控制器CNTL的信号进行驱动，从外部向该控制器CNTL提供图像信号等输入信号。
图1A是表示上述像素区域中的结构的一个实施例的平面图。此外，图1B是与图1A对应地画出来的等效电路图。再有，图2A是图1A的II(a)-II(a)线的剖面图，图2B是图1A的II(b)-II(b)线的剖面图。
在透明基板GLS1的表面形成有在其x方向上延伸、在y方向上并列设置的栅极信号线GL。该栅极信号线GL形成为由后述的第1漏极信号线DLL和第2漏极信号线DLR把像素区域围起来。
在该像素区域中，遍及除了布线附近等很少的周边区域之外的大部分的区域，即，中央部分的整个区域地形成有第1像素电极BPX，在该第1像素电极BPX的与栅极信号线GL正交的方向的各边的每一边的一部分上，形成有与该栅极信号线GL的延伸方向平行地延伸的延伸部，每一个延伸部都形成为重叠在后述的第1漏极信号线DLL和第2漏极信号线DLR上。
该第1像素电极BPX由例如透光性的导电层形成，作为其材料，选择诸如ITO(氧化铟锡)、ITZO(铟锡锌氧化物)、IZO(铟锌氧化物)等。
第1像素电极BPX在图中左侧形成的延伸部，与第1漏极信号线DLL重叠，构成构成保持电容的电极Cbstl。此外，在图中右侧形成的延伸部，与第2漏极信号线DLR重叠，构成构成保持电容的电极Cbstr。
在像这样地形成了栅极信号线GL和第1像素电极BPX的透明基板GLS1表面形成有第1绝缘膜GI，使得该栅极信号线GL和第1像素电极BPX也被覆盖。
此外，在间隔该第1绝缘膜地处于像素区域内的上述栅极信号线GL的上面，沿着该栅极信号线GL的延伸方向形成有分开的2个薄膜晶体管TFTL、TFTR。在这里，把一方的薄膜晶体管TFTL称为第1薄膜晶体管，把另一方的薄膜晶体管TFTR称为第2薄膜晶体管。
这些各个第1薄膜晶体管TFTL、第2薄膜晶体管TFTR，剖面构造都一样，平面构造大体上对称。此外，在第1绝缘膜GI上形成半导体层AS，通过在该半导体层AS上形成漏极电极和源极电极，形成以上述栅极信号线GL的一部分为栅极电极、以第1绝缘膜GI为栅极绝缘膜的逆交错(stagger)构造的MIS(金属-绝缘体-半导体，MetalInsulator Semiconductor)晶体管。
第1薄膜晶体管TFTL和第2薄膜晶体管TFTR的漏极电极和源极电极，和第1漏极信号线DLL和第2漏极信号线DLR的形成同时形成。
第1薄膜晶体管TFTL的漏极电极形成为上述漏极信号线DLL的一部分一直延伸到其半导体层AS的表面，相对于该漏极电极，离开相当于该第1薄膜晶体管TFTL的沟道长度的长度地形成源极电极SD。该源极电极SD为了与第1像素电极BPX连接而形成为延伸到像素区域内一些，同样，第2薄膜晶体管TFTR的漏极电极形成为上述第2漏极信号线DLR的一部分一直延伸到其半导体层AS的表面，相对于该漏极电极，恰好离开相当于该薄膜晶体管TFTR的沟道长度的量地形成源极电极SD。该源极电极SD，为了与后述的第2像素电极UPX连接而形成为延伸到像素区域内一些。
形成第2绝缘膜PAS，使得覆盖该第1薄膜晶体管TFTL、第2薄膜晶体管TFTR。该第2绝缘膜PAS，起到用来避免上述各个薄膜晶体管TFT与液晶直接接触的保护膜的作用。
此外，在该第2绝缘膜PAS的表面，用例如透光性的导电层形成由在图中y方向上延伸、在x方向上并列设置的多个带状的电极群构成的第2像素电极UPX，使得与上述第1电极BPX重叠。另外，多个带状电极群的延伸方向也可以是x方向。此外，延伸方向也可以有多个，形成多区结构，使得各个延伸方向变成与x方向和与x方向正交的方向中的任何一者都不同的方向。
在这里，构成该第2像素电极UPX的电极的上述薄膜晶体管TFTR侧的端部，其一部分一直延伸到该第2薄膜晶体管TFTR的源极电极SD的上方，并通过贯穿其下层的第2绝缘膜PAS的接触孔CNT2连接到该源极电极。
此时，在上述第1薄膜晶体管TFTL的源极电极SD与第1像素电极BPX之间的连接方面，用与上述第2像素电极UPX的材料相同的材料层SITO，通过在第2绝缘膜PAS上形成的接触孔CNT1、贯穿第2绝缘膜PAS和第1绝缘膜GI形成的接触孔CNT2来实现。借助于此，可以兼用第1绝缘膜GI的贯穿工序和第2绝缘膜PAS的贯穿工序，从而实现热工序数的减少。
再有，在构成第2像素电极UPX的电极群之中的与第1漏极信号线DLL相邻的电极延伸为其一部分重叠在该第1漏极信号线DLL上，在该第2像素电极UPX与该第1漏极信号线DLL之间形成保持电容Custl。此外，与第2漏极信号线DLR相邻的第2像素电极UPX，延伸为其一部分重叠在该第2漏极信号线DLR上，在该第2像素电极UPX与该第2漏极信号线DLR之间形成保持电容Custr。
此外，上述保持电容Custl形成在与上述保持电容Cbstl的形成部位大体上相同的部位，上述保持电容Custr形成在与上述保持电容Cbstr的形成部位大体上相同的部位。这是为了提高电容的稳定化效果。
此外，在这样形成的基板GLS1的表面，至少覆盖像素区域的整个区域地形成取向膜OIL，该取向膜OIL与液晶直接接触，并决定该液晶分子的初始取向方向。
在这样构成的液晶显示装置中，该像素区域由被第1漏极信号线DLL、第2漏极信号线DLR和扫描布线GL围起来的内侧的区域构成。
显示的动作电压，在栅极导通电压施加给栅极信号线GL期间，即，在选择期间，从第1薄膜晶体管TFTL经由接触孔CNT1和CNT2，向占像素面积的大致整个区域的平面状的第1像素电极BPX施加上述第1漏极信号线DLL的信号电压。此外，在与上述相同的栅极导通期间，从第2薄膜晶体管TFTR经由接触孔CNT2，分别向第2像素电极UPX施加第2漏极信号线DLR的信号电压。然后，用来自上述第1像素电极BPX和第2像素电极UPX的电压驱动液晶。
并且，上述第1像素电极BPX和第2像素电极UPX，间隔第1绝缘膜GI和第2绝缘膜PAS地进行重叠，重叠部分构成保持电容Cp。此外，上述第1像素电极BPX间隔第1绝缘膜GI地延伸到第1漏极信号线DLL和第2漏极信号线DLR的下部，借助于此，分别构成保持电容Cbstl和Cbstr。另一方面，第2像素电极UPX间隔第2绝缘膜PAS地延伸到第1漏极信号线DLL和第2漏极信号线，并分别构成保持电容Custl和Custr。
图1B表示与上述像素的结构对应地画出来的等效电路图，在这里，Cgsl、Cgsr分别表示第1薄膜晶体管TFTL的寄生电容和第2薄膜晶体管TFTR的寄生电容。
图4A、图4B表示提供给上述结构的像素的各个信号的驱动波形。用该驱动波形，说明上述保持电容Cbstl、Cbstr、Custl、Custr应当达到的效果。
图4A是表示上述第1薄膜晶体管TFTL的驱动波形的图，图4B是表示上述第2薄膜晶体管TFTR的驱动波形的图。
图4A和图4B中的扫描(栅极)电压Vg是公共的，在图中分别表示出了第1漏极信号线DLL的电压Vdl和第2漏极信号线DLR的电压Vdr。此外，在图中还分别表示出了作为第1薄膜晶体管TFTL、第2薄膜晶体管TFTR的输出的第1像素电极BPX和第2像素电极UPX的源极电压Vbpx、Vupx。
源极电压Vbpx、Vupx在栅极电压Vg由导通降到截止时，将产生下式(1)所示的电压压降(ΔVb)。ΔVb＝(Cgsl+Cgsr)/(Cbstl+Custl+Cbstr
       +Custr+Cgsl+Cgstr)×Vg              (式1)
由该式(1)可知，在上述电压压降中不包括像素电容Cp。这是因为像素电容Cp在1个像素中形成了2个薄膜晶体管的情况下，变成浮置电位，不会对上述电压压降造成影响的缘故。此外，如果没有与各个漏极信号线DL之间的保持电容Cbstl、Cbstr、Custl、Custr，则其值将变成等于Vg，源极电位变成小于或等于栅极的截止电压，从而产生误动作。
另一方面，如在图4A、图4B中明确的那样，由于一方的信号线电压Vdl和另一方的信号线电压Vdr相对于基准电压总是对称的，因此如果能以大体上相同的值设定4个保持电容值，即Cbstl、Cbstr、Custl、Custr，则源极电压Vbpx、Vupx即便是对于漏极电压振幅也可以稳定地进行动作。
用图2A、图2B所示的剖面图进一步对这样的动作进行详述。
首先，在图2A所示的剖面图中，在向栅极信号线GL提供所谓的截止栅极信号时，第1像素电极BPX和第2像素电极UPX，在其上积蓄的电荷就将变成浮置状态。
即，来自第1漏极信号线DLL的第1图像信号，经由TFTL通过接触孔CNT1、接触孔CNT2提供给占像素区域的大致整个区域的第1像素电极BPX，另一方面，来自第2漏极信号线DLR的第2图像信号，经由TFTR从接触孔CNT2提供给第2像素电极UPX。
由第1像素电极BPX和第2像素电极UPX间的电压差产生电场，据此，液晶LC的透射率根据电压差进行变化。由于第2像素电极UPX夹着第1绝缘膜GI和第2绝缘膜PAS的叠层膜地重叠在第1像素电极BPX上，因此用该重叠部分构成像素电容Cp。该重叠部分，由于没有与别的布线，例如，栅极信号线GL、第1漏极信号线DLL或第2漏极信号线DLR重叠的部分，因此在使TFTL和TFTR截止的状态下，积蓄在该电容Cp中的电荷，变成浮置状态。
图2B示出了保持电容元件Custl、Cbstl、Custr和Cbstr的结构。
首先，如上所述，把第1漏极信号线DLL的信号电压传送给第1像素电极BPX，把第2漏极信号线DLR的信号电压传送给第2像素电极UPX。
上述第1像素电极BPX，延伸为间隔第1绝缘膜GI地在其一方的边的一部分上与第1漏极信号线DLL重叠，间隔第1绝缘膜GI地在另一方的边的一部分上与第2漏极信号线DLR重叠。借助于此，在与第1漏极信号线DLL之间的交叉部分构成了保持电容Cbstl，在与第2漏极信号线DLR之间的交叉部分构成了保持电容Cbstr。
在这里，第1像素电极BPX延伸到第1漏极信号线DLL的左侧，使得不与相邻的像素区域的第2漏极信号线DLR重叠，并延伸到第2漏极信号线DLR的右侧，使得不与相邻的像素区域的第1漏极信号线DLL重叠。这是因为如果与提供其它像素区域的信号的其它漏极信号线重叠，则保持电位会受其它漏极信号线的影响而紊乱的缘故。
此外，上述第2像素电极UPX延伸为间隔第2绝缘膜PAS地在其一方的边的一部分上与第1漏极信号线DLL重叠，间隔第2绝缘膜PAS地在另一方的边的一部分上与第2漏极信号线DLR重叠。借助于此，在与第1漏极信号线DLL之间的交叉部分上构成了保持电容Custl，在与第2漏极信号线DLR之间的交叉部分上构成了保持电容Custr。
在这里，第2像素电极UPX延伸到第1漏极信号线DLL的左侧，使得不与相邻的像素区域的第2漏极信号线DLR重叠，并延伸到第2漏极信号线DLR的右侧，使得不与相邻的像素区域的第1漏极信号线DLL重叠。这是因为如果与提供其它像素区域的信号的其它漏极信号线重叠，则保持电位会受其它漏极信号线的影响而紊乱的缘故。
在上述第1漏极信号线DLL的附近形成的保持电容Custl和Cbstl，与在第2漏极信号线DLR的附近形成的保持电容Custr和Cbstr的平面配置，在如图1A所示那样地接近配置的漏极信号线间的区域，交错配置，使得成为套管状态。借助于此，可以减小接近配置的相邻的漏极信号线之间的距离，实现开口率的提高。此外，还可以容易地消除对在保持电容Custl和Cbstl与保持电容Custr和Cbstr之间发生短路故障的担心。
另一方面，Custl、Cbstl、Custr、Cbstr中每一者的值，最好构成为大体上相等。最好至少在50％到200％的范围内相一致。作为一个例子，这能够通过把UPX或BPX与DLL或DLR之间的交叉面积设定为Custl、Cbstl、Custr、Cbstr大体上相等来实现。在这里，对本结构是理想的结构的理由进行说明。
积蓄在由第1像素电极BPX和第2像素电极UPX构成的像素电容Cp上的大的电荷，在驱动第1薄膜晶体管TFTL和第2薄膜晶体管TFTR的栅极信号线GL的扫描信号截止的情况下，将变成浮置状态。
因此，例如在第1漏极信号线DLL和第1像素电极BPX之间仅仅形成了保持电容Cbstl的情况下，在保持期间，第1像素电极BPX的源极电位经由该保持电容Cbstl大幅变动，并根据第1漏极信号线DLL的电位大幅变动。
在本实施例的像素的驱动中，第1漏极信号线DLL的图像信号的振幅和第2漏极信号线DLR的图像信号的振幅，其绝对值相同，振幅的方向设定为相反。因此，通过在第2漏极信号线DLR与第1像素电极BPX之间形成保持电容Cbstr，可以抑制第1像素电极BPX对各个图像信号的振幅的电位变动。
同样，为了使第2像素电极UPX的源极电位稳定化，通过把保持电容Custl和Custr设定为大致相同的值，可以使动作稳定。
实施例2
图5A是表示上述像素区域的结构的其它实施例的平面图。此外，图5B是在几何学上与图5A的结构对应地画出来的等效电路图。再有，图6A是图5A的VI(a)-VI(a)处的剖面图，图6B是图5A的VI(b)-VI(b)处的剖面图。
图5A是与实施例1的图1A对应的图，与图1A的情况相比，不同的结构在于构成保持电容信号线STL，把该保持电容信号线STL用做以第1像素电极BPX为一方的电极的保持电容Cbst的另一方的电极，此外，还用做以第2像素电极UPX为一方的电极的保持电容Cust的另一方的电极。
在这里，该保持电容信号线STL为在栅极信号线GL形成时同时形成的信号线。因此，形成了如下的层构造：在覆盖保持电容信号线STL的第1绝缘膜GI的表面形成第1像素电极BPX，在覆盖该第1像素电极的第2绝缘膜的表面形成第2像素电极UPX。
并且，保持电容信号线STL构成为沿着其延伸方向交替地形成重叠了第1像素电极BPX和第2像素电极UPX两者的区域、仅仅层叠了第2像素电极UPX的区域。
在这里，前者的区域构成使第1像素电极BPX的电位稳定化的保持电容Cbst。而后者的区域构成使第2像素电极UPX的电位稳定化的保持电容Cust。
用图6A、图6B所示的剖面图进一步详述。
在图6A中，来自第1漏极信号线DLL的图像信号，在给栅极信号线GL施加了导通电压(扫描信号)的情况下，第1薄膜晶体管TFTL导通，经由其源极电极SD提供给第1像素电极BPX。另一方面，来自第2漏极信号线DLR的图像信号，同样地在第2薄膜晶体管TFTR处于导通状态时，经由其源极电极SD提供给第2像素电极UPX。
第1薄膜晶体管TFTL和第2薄膜晶体管TFTR，由于受同一扫描信号(电压)导通，因此来自上述各个薄膜晶体管的图像信号，对由第2像素电极UPX、第1像素电极BPX、第2绝缘膜PAS构成的像素电容Cp充电。
此外，在图6B中，保持电容信号线STL与栅极信号线GL形成在同一层上，在形成于该保持电容信号线STL的上层的第1像素电极BPX和第2像素电极UPX之间，沿着该保持电容信号线STL的走线方向交替地形成了保持电容Cust和保持电容Cbst。其理由如下。
第1像素电极BPX形成在除了像素区域的很少的周边之外的中央部分的整个区域上。在使之原封不动地、间隔第1绝缘膜GI地在保持电容信号线STL上延伸的情况下，仅仅形成对第1像素电极BPX的保持电容，在扫描信号从导通降到截止时，第2像素电极UPX因寄生电容的影响而使动作点降低。
由此可知，上述第1像素电极BPX，在保持电容信号线STL上，沿着该保持电容信号线STL的走线方向设置并列设置的多个缺口，在未形成该缺口的部分形成保持电容Cbst，并且，在该缺口部分，使第2像素电极UPX延伸，在其延伸部和上述保持电容信号线STL之间形成保持电容Cust。
在这里，保持电容Cust和Cbst，使其电容值设定为大体上相同的值，动作最稳定。由于存在于第1像素电极BPX和第2像素电极UPX和保持电容信号线STL之间的绝缘膜的厚度不同，因此上述值的设定，最好分别调整第1像素电极BPX和保持电容信号线STL之间的交叉面积，以及第2像素电极UPX与保持电容信号线STL之间的交叉面积。从面积上讲，与第1像素电极BPX的非缺口部的面积相比，最好增大第2像素电极UPX在保持电容信号线上的面积。更简单地讲，与第1像素电极BPX的非缺口部的宽度相比，最好增大第2像素电极UPX在保持电容信号线上的宽度。
由此可知，在本实施例中，第2像素电极UPX与保持电容信号线STL之间的交叉面积比第1像素电极BPX与STL之间的交叉面积大。
实施例3
图7是表示上述像素区域的结构的其它实施例的剖面图，是与图6B对应的图。
与图6B的情况相比，不同的结构在于变成了第2像素电极UPX在保持电容信号线STL上沿着该保持电容信号线STL的走线方向彼此连接的结构。在与该保持电容信号线STL进行重叠的部分和除了其附近之外的部分上，上述第2像素电极UPX由并列设置了多个电极的电极群构成，这与图6B的情况是相同的。
借助于此，第2像素电极UPX，在保持电容信号线STL的上方形成与第1像素电极BPX进行重叠的部分，在不进行重叠的部分上，在与该保持电容信号线STL之间形成保持电容Cust。
因此，该保持电容Cust成为能得到该保持电容信号线STL与第2像素电极UPX之间的大的重叠面积的结构，因此能够把其电容值做大。
为此，在把该保持电容Cust设定成预定的值时，能把该保持电容信号线STL的线宽变窄，结果可以提高像素的开口率。
即，成为沿着保持电容信号线STL的走线方向交替地并且没有间隙地配置保持电容Cbst和Cust的结构，即便把该保持电容Cbst和Cust的各自的电容值设定得相等，也能容易地进行其设计。此外，在本实施例中，不言而喻，第1像素电极BPX的缺口数没有特别限制。
上述的各个实施例，也可以分别单独或组合起来使用。这是因为可以单独或相乘地得到在各个实施例中得到的效果的缘故。
从以上说明可知，根据本发明的液晶显示装置，可以消除在其薄膜晶体管的栅极电位从导通变成截止时，像素电极的电位显著地降低的动作点劣化的问题。

Claims (17)

1.一种液晶显示装置，在基板上的像素区域中，具有通过第1开关元件供给信号的第1电极，通过第2开关元件供给信号的第2电极，用上述第1电极和第2电极间的电位差使液晶动作，其特征在于：
上述第1电极为在与信号线之间间隔绝缘膜构成的第1保持电容的一方的电极，并且上述第2电极为在与信号线之间间隔绝缘膜构成的第2保持电容的一方的电极。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：第1电极和第2电极用透光性的导电膜构成，这些电极间隔绝缘膜地被形成为不同的层，并且一方的电极在像素区域的大部分的区域中形成，另一方的电极由重叠在上述一方的电极上的电极群形成。
3.根据权利要求1或2所述的液晶显示装置，其特征在于：构成第1保持电容的另一方的电极的信号线是第1漏极信号线，构成第2保持电容的另一方的电极的信号线是第2漏极信号线。
4.根据权利要求1或2所述的液晶显示装置，其特征在于：构成第1保持电容的另一方的电极的信号线和构成第2保持电容的另一方的电极的信号线，是电容信号线。
5.根据权利要求4所述的液晶显示装置，其特征在于：上述第1保持电容和上述第2保持电容中的每一者的电容值大体上相等。
6.根据权利要求5所述的液晶显示装置，其特征在于：第1电极和第2电极用透光性的导电膜构成，这些电极间隔绝缘膜地被形成为不同的层，并且一方的电极在像素区域的大部分的区域中形成，另一方的电极由重叠在上述一方的电极上的电极群形成。
7.一种液晶显示装置，在基板上的像素区域中，具有从第1漏极信号线通过第1开关元件供给信号的第1电极，从第2漏极信号线通过第2开关元件供给信号的第2电极，用上述第1电极和第2电极间的电位差使液晶动作，其特征在于：
上述第1电极和第2电极，对于上述第1漏极信号线和第2漏极信号线间隔绝缘膜地在不同的层上形成，并且，
构成为使得其一部分重叠在上述第1漏极信号线和第2漏极信号线上。
8.根据权利要求7所述的液晶显示装置，其特征在于：上述第1电极在其一部分中构成为与上述第1漏极信号线和第2漏极信号线中的每一者重叠，上述第2电极构成为在其一部分中与上述第1漏极信号线和第2漏极信号线中的每一者重叠。
9.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其特征在于：第1电极与第1漏极信号线重叠的部分和第2电极与第1漏极信号线重叠的部分，大体上是相同部位，第1电极与第2漏极信号线重叠的部分和第2电极与第2漏极信号线重叠的部分，大体上是相同部位。
10.根据权利要求8或9所述的液晶显示装置，其特征在于：第1电极和第1漏极信号线重叠的部分、第2电极和第1漏极信号线重叠的部分、第1电极和第2漏极信号线重叠的部分、第2电极和第2漏极信号线重叠的部分，分别构成保持电容。
11.根据权利要求8或9所述的液晶显示装置，其特征在于：用第1电极和第1漏极信号线重叠的部分、第2电极和第1漏极信号线重叠的部分、第1电极和第2漏极信号线重叠的部分、第2电极和第2漏极信号线重叠的部分构成的每一个保持电容的值，在50％到200％的范围内相一致。
12.根据权利要求11所述的液晶显示装置，其特征在于：第1电极和第1漏极信号线重叠的部分的保持电容的电容值与第1电极和第2漏极信号线重叠的部分的保持电容的电容值大体上相等，而且，第2电极和第1漏极信号线重叠的部分的保持电容的电容值与第2电极分别和第2漏极信号线重叠的部分的保持电容的电容值大体上相等。
13.根据权利要求8或9所述的液晶显示装置，其特征在于：第1电极和第1漏极信号线重叠的部分以及第2电极和第1漏极信号线重叠的部分，和第1电极和第2漏极信号线重叠的部分以及第2电极分别和第2漏极信号线重叠的部分，被交错地配置。
14.一种液晶显示装置，在基板上的像素区域中，具有从第1漏极信号线通过第1开关元件供给信号的第1电极，从第2漏极信号线通过第2开关元件供给信号的第2电极，用上述第1电极和第2电极间的电位差使液晶动作，其特征在于：
具有保持电容信号线，
上述保持电容信号线，间隔第1绝缘膜地在上述第1电极之中的多个部分与上述第1电极重叠，并且，
上述保持电容信号线，在上述第1电极之中的多个部分之间的区域，间隔第1绝缘膜和第2绝缘膜地与上述第2电极重叠。
15.根据权利要求14所述的液晶显示装置，其特征在于：上述保持电容信号线与上述第1电极和上述第2电极之间的重叠面积，第2电极比第1电极更大。
16.根据权利要求14所述的液晶显示装置，其特征在于：上述保持电容信号线与上述第1电极所形成的保持电容，和上述保持电容信号线与第2电极所形成的保持电容，大体上相等。
17.根据权利要求14-16中的任何一项所述的液晶显示装置，其特征在于：第1电极和第2电极用透光性的导电膜构成，这些电极间隔绝缘膜地被形成为不同的层，并且一方的电极在像素区域的大部分的区域中形成，另一方的电极则用重叠在上述一方的电极上的电极群形成。
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