KR101779510B1 - 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

액정 표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101779510B1
KR101779510B1 KR1020100112002A KR20100112002A KR101779510B1 KR 101779510 B1 KR101779510 B1 KR 101779510B1 KR 1020100112002 A KR1020100112002 A KR 1020100112002A KR 20100112002 A KR20100112002 A KR 20100112002A KR 101779510 B1 KR101779510 B1 KR 101779510B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
voltage
liquid crystal
substrate
layer
Prior art date
Application number
KR1020100112002A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120050645A (ko
Inventor
이각석
신기철
정연학
이희환
염주석
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020100112002A priority Critical patent/KR101779510B1/ko
Priority to US13/071,100 priority patent/US8953128B2/en
Priority to EP20110166434 priority patent/EP2453298A1/en
Priority to CN201110129853.1A priority patent/CN102466926B/zh
Priority to JP2011133382A priority patent/JP2012103674A/ja
Publication of KR20120050645A publication Critical patent/KR20120050645A/ko
Priority to US14/588,791 priority patent/US9423654B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101779510B1 publication Critical patent/KR101779510B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133707Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13378Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
    • G02F1/133788Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by light irradiation, e.g. linearly polarised light photo-polymerisation
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345Insulating layers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133753Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers with different alignment orientations or pretilt angles on a same surface, e.g. for grey scale or improved viewing angle
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295Materials; Compositions; Manufacture processes
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • H01L21/3213Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32139Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer using masks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/326Application of electric currents or fields, e.g. for electroforming
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/122Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode having a particular pattern

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판과 마주보는 제2 기판, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 개재되어 있으며, 액정 분자를 포함하는 액정층, 상기 제1 기판 위에 위치하는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 위치하는 절연막, 상기 절연막 위에 위치하는 제2 전극, 상기 제2 기판 위에 위치하는 제3 전극 그리고 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극 중 적어도 하나 위에 위치하는 배향막을 포함하고, 상기 제2 전극은 미세 슬릿 구조로 형성되고, 상기 액정층 및 상기 배향막 중 적어도 하나는 배향 보조제를 포함한다.

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층으로 이루어진다.
전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
액정 표시 장치는 또한 각 화소 전극에 연결되어 있는 스위칭 소자 및 스위칭 소자를 제어하여 화소 전극에 전압을 인가하기 위한 게이트선과 데이터선 등 다수의 신호선을 포함한다.
이러한 액정 표시 장치 중에서도, 전기장이 인가되지 않은 상태에서 액정 분자의 장축을 표시판에 대하여 수직을 이루도록 배열한 수직 배향 방식(vertically aligned mode)의 액정 표시 장치가 대비비가 크고, 기준 시야각이 넓어서 각광받고 있다.
이러한 수직 배향 방식의 액정 표시 장치는 프린지 전계(fringe electric field)를 이용하여 액정 분자를 여러 방향으로 배열시킬 수 있는데 프린지 전계 중 수평 전계 성분으로 인해 투과율이 감소되는 문제가 발생할 수 있다.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 수평 전계 성분에 의한 투과율 감소를 방지하는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판과 마주보는 제2 기판, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 개재되어 있으며, 액정 분자를 포함하는 액정층, 상기 제1 기판 위에 위치하는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 위치하는 절연막, 상기 절연막 위에 위치하는 제2 전극, 상기 제2 기판 위에 위치하는 제3 전극 그리고 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극 중 적어도 하나 위에 위치하는 배향막을 포함하고, 상기 제2 전극은 미세 슬릿 구조를 포함하고, 상기 액정층 및 상기 배향막 중 적어도 하나는 배향 보조제를 포함한다.
상기 제2 기판 위에 위치하는 게이트선, 상기 제2 기판 위에 위치하고, 상기 게이트선과 교차하는 데이터선 그리고 상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 박막 트랜지스터는 상기 제3 전극과 연결될 수 있다.
상기 제1 전극 및 상기 제3 전극은 통판 모양일 수 있다.
상기 제1 전극에 인가되는 전압을 제1 전압, 상기 제2 전극에 인가되는 전압을 제2 전압, 상기 제3 전극에 인가되는 전압을 제3 전압이라고 할 때, 상기 제2 전압과 상기 제3 전압을 서로 다르게 한 상태에서 상기 액정층 및 상기 배향막 중 적어도 하나가 노광될 수 있다.
상기 제1 전압과 상기 제3 전압의 차이에 따라 발생하는 수직 전계에 의해 구동될 수 있다.
상기 제2 전극은 플로팅(floating)되어 있고, 하기 조건 (1)을 만족하는 상태에서 구동할 수 있다
V1≠V3 (1).
상기 제1 전압, 상기 제2 전압, 및 상기 제3 전압이 하기 조건 (2)를 만족하는 상태에서 구동할 수 있다
V1=V2≠V3 (2).
상기 제1 전압, 상기 제2 전압, 및 상기 제3 전압이 하기 조건 (3)을 만족하는 상태에서 구동할 수 있다
V1≠V2≠V3 (3).
상기 절연막의 두께는 3.5um 이하일 수 있다.
상기 절연막의 유전율은 1.5 내지 8.5일 수 있다.
상기 제2 전극은 가로 줄기부 및 이와 교차하는 세로 줄기부를 포함하는 십자형 줄기부 그리고 상기 십자형 줄기부로부터 뻗어 나온 복수의 미세 가지부를 포함할 수 있다.
상기 제2 전극은 상기 십자형 줄기부로부터 상기 복수의 미세 가지부가 서로 다른 방향으로 뻗어 나온 복수의 영역을 포함할 수 있다.
상기 제2 전극은 가로 개구부 및 이와 교차하는 세로 개구부를 포함하는 십자형 개구부 그리고 상기 십자형 개구부로부터 뻗어 나온 복수의 미세 개구 패턴을 포함할 수 있다.
상기 제2 전극은 상기 복수의 미세 개구 패턴 사이에 위치하는 미세 가지부를 포함하고, 상기 미세 가지부의 한쪽 끝단은 테두리 패턴에 의해 서로 연결될 수 있다.
상기 배향 보조제는 전기적으로 음성이고, 상기 배향막에 포함될 수있다.
상기 배향막은 주쇄(main-chain)와 상기 주쇄에 결합된 측쇄(side-chain)를 포함하고, 상기 배향 보조제는 상기 측쇄에 결합될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 제1 기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 위에 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막 위에 제2 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 기판과 마주보는 제2 기판 위에 제3 전극을 형성하는 단계, 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극 중 적어도 하나 위에 배향막을 형성하는 단계, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 합착하는 단계, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계, 상기 제2 전극과 상기 제3 전극에 서로 다른 전압을 인가하는 단계 그리고 상기 제2 전극과 상기 제3 전극에 서로 다른 전압을 인가한 상태에서 상기 액정층에 광을 조사하는 단계를 포함하고, 상기 제2 전극은 미세 슬릿 구조로 형성되고, 상기 액정층 및 상기 배향막 중 적어도 하나는 배향 보조제를 포함한다.
상기 제1 기판 위에 게이트선을 형성하는 단계, 상기 제1 기판 위에 위치하고, 상기 게이트선과 교차하는 데이터선을 형성하는 단계 그리고 상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결되는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 박막 트랜지스터가 상기 제3 전극과 연결되도록 형성할 수 있다.
상기 제1 전극에 인가되는 전압을 제1 전압, 상기 제2 전극에 인가되는 전압을 제2 전압, 상기 제3 전극에 인가되는 전압을 제3 전압이라고 할 때, 상기 제2 전극과 상기 제3 전극에 서로 다른 전압을 인가하는 단계는 상기 제1 전압, 상기 제2 전압, 및 상기 제3 전압이 하기 조건 (4)를 만족하는 상태를 포함할 수 있다
|V2-V3|≥|V1-V3| (4).
상기 제2 전극과 상기 제3 전극에 서로 다른 전압을 인가하는 단계는 상기 제1 전압과 상기 제3 전압을 일정하게 유지하고, 상기 제2 전압을 가변시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 전압을 상승시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 액정층에 광을 조사하는 단계 이후에 전계가 가해지지 않은 상태에서 상기 액정층에 광을 조사하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 기판 위에 상기 제1 전극, 상기 절연막, 상기 제2 전극을 형성하는 단계는 상기 제1 기판 위에 제1 투명 전극층, 절연 물질층, 제2 투명 전극층을 차례로 형성하는 단계, 상기 제2 투명 전극층 위에 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토 레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 제2 투명 전극층을 식각하는 단계, 상기 포토 레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 절연 물질층을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 한 실시예에 따르면, 프리틸트 형성을 위한 전계 노광 과정에서만 미세 슬릿 전극을 사용하고, 실제 구동시에는 패턴 없는 전극을 사용함으로써 투과율을 극대화하면서 고속 응답을 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 배치도이다.
도 2는 도 1의 절단선 II-II'를 따라 자른 단면도이다.
도 3은 도 1에 나타낸 실시예에서 미세 슬릿 전극을 나타내는 개략적인 배치도이다.
도 4는 도 3의 실시예에서 나타나는 전계 방향을 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 배치도이다.
도 6은 도 5에 나타낸 실시예에서 미세 슬릿 전극을 나타내는 개략적인 배치도이다.
도 7은 도 6의 실시예에서 나타나는 전계 방향을 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에서 전계 노광시 전압 인가를 나타내는 그래프이다.
도 10은 도 9의 실시예에 따라 제조된 액정 표시 장치에서 미세 슬릿 전극 부분을 나타내는 광학 현미경 사진이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에서 전계 노광시 전압 인가를 나타내는 그래프이다.
도 12는 도 11의 실시예에 따라 제조된 액정 표시 장치에서 미세 슬릿 전극 부분을 나타내는 광학 현미경 사진이다.
도 13은 도 8에 나타낸 실시예에 따라 제조된 액정 표시 장치의 구동시에 발생하는 전계 방향을 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에서 전계 노광시 전계 방향을 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 15는 도 14의 실시예에 따라 제조된 액정 표시 장치의 구동시에 발생하는 전계 방향을 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 16은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 액정층에 인가되는 전압에 따른 투과율을 나타내는 그래프이다.
도 17은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 시간에 따른 투과율 변화를 나타내는 그래프이다.
도 18은 종래의 액정 표시 장치에 따른 화소 영역을 나타내는 광학 현미경 사진이고, 도 19는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 화소 영역을 나타내는 광학 현미경 사진이다.
도 20 내지 도 25는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 배치도이다. 도 2는 도 1의 절단선 II-II'를 따라 자른 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주하는 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200), 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 개재되어 있는 액정층(3) 및 표시판(100, 200) 바깥 면에 부착되어 있는 한 쌍의 편광자(미도시)를 포함한다.
먼저, 상부 표시판(200)에 대하여 설명하기로 한다.
상부 표시판(200)은 제1 기판에 해당하는 투명하고 절연성을 갖는 상부 기판(210) 위에 차광 부재(light blocking member)(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 블랙 매트릭스(black matrix)라고도 하며 추후 설명할 하부 표시판(100)에 위치하는 화소 전극(191) 사이의 빛샘을 막는다. 차광 부재(220)는 화소 전극(191)과 마주하며 화소 전극(191)과 거의 동일한 모양을 가지는 복수의 개구부(225)를 가지고 있다. 그러나 차광 부재(220)는 게이트선(121) 및 데이터선(171)에 대응하는 부분과 박막 트랜지스터에 대응하는 부분으로 이루어질 수 있다.
기판(210) 위에는 또한 복수의 색 필터(230)가 형성되어 있다. 색 필터(230)는 차광 부재(220)로 둘러싸인 영역 내에 대부분 존재하며, 화소 전극(191) 열을 따라서 세로 방향으로 길게 뻗을 수 있다. 각 색 필터(230)는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다. 하지만, 적색, 녹색, 및 청색의 삼원색에 제한되지 않고, 청록색(cyan), 자홍색(magenta), 옐로(yellow), 화이트 계열의 색 중 하나를 표시할 수도 있다.
차광 부재(220)와 색필터(230) 중 적어도 하나는 하부 기판(110) 위에 형성될 수도 있다.
색필터(230) 및 차광 부재(220) 위에는 덮개막(overcoat)(250)이 형성되어 있다. 덮개막(250)은 절연 물질로 만들어질 수 있으며, 색필터(230)가 노출되는 것을 방지하고 평탄면을 제공한다. 덮개막(250)은 생략할 수 있다.
덮개막(250) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 여기서, 공통 전극(270)은 화소 영역에서 통판(plate) 모양으로 형성될 수 있다. 통판(plate) 모양은 쪼개지지 아니한 통짜 그대로의 판 모양을 말한다.
공통 전극(270) 위에 절연막(280)이 위치한다. 절연막(280)은 3.5um 이하의 두께로 형성될 수 있고, 유전율은 대략 1.5 내지 8.5 사이의 값을 가질 수 있다.
절연막(280) 위에는 가로 줄기부(320), 세로 줄기부(330), 및 미세 가지부(340)을 포함하는 미세 슬릿 전극(300)이 위치한다. 미세 슬릿 전극(300)은 공통 전극(270)과 전기적으로 연결되어 있거나, 플로팅(floating)된 상태로 형성될 수 있다. 미세 슬릿 전극(300)에 대해서는 추후 자세히 설명하기로 한다.
다음, 하부 표시판(100)에 대하여 설명하기로 한다.
제2 기판에 해당하는 절연성을 갖는 하부 기판(110) 위에 복수의 게이트선(121)이 위치한다. 게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 위로 돌출한 제2 게이트 전극(124)과 다른 층 또는 게이트 구동부(미도시)와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(129)을 포함한다. 게이트 구동부(미도시)가 하부 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(121)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.
게이트선(121) 위에는 질화 규소 따위의 절연 물질로 만들어진 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소 또는 다결정 규소 등으로 만들어진 복수의 반도체층(151)이 형성되어 있다. 반도체층(151)은 주로 세로 방향으로 뻗으며, 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 나온 복수의 돌출부(projection; 154)를 포함한다.
반도체층(151)의 돌출부(154) 위에는 복수의 선형 저항성 접촉 부재(161) 및 섬형 저항성 접촉 부재(165)가 형성되어 있다. 선형 저항성 접촉 부재(161)는 복수의 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 저항성 접촉 부재(165)는 쌍을 이루어 반도체층(151)의 돌출부(154) 위에 배치되어 있다.
저항성 접촉 부재(161, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(data line)(171)과 복수의 드레인 전극(175)을 포함하는 데이터 도전체(171, 175)가 형성되어 있다.
데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 U자 형상을 가지는 복수의 소스 전극(173)과 다른 층 또는 데이터 구동부(미도시)와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(179)을 포함한다.
드레인 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되어 있고 소스 전극(173)의 U자 형상의 가운데에서 상부를 향하여 연장되어 있다.
데이터 도전체(171, 175) 및 그 아래에 위치하는 반도체층(151, 154)과 저항성 접촉 부재(161, 163, 165)는 하나의 마스크를 사용하여 동시에 형성할 수 있다.
데이터 도전체(171, 175) 및 노출된 반도체층(154) 위에는 보호막(180)이 위치한다. 보호막(180)은 질화 규소와 산화 규소 따위의 무기 절연물로 만들어진다. 그러나 보호막(180)은 유기 절연물로 만들어질 수 있으며 표면이 평탄할 수 있다. 유기 절연물의 경우 감광성(photosensitivity)을 가질 수 있으며 그 유전 상수(dielectric constant)는 약 5.0 이하일 수 있다. 보호막(180)은 또한 유기막의 우수한 절연 특성을 살리면서도 노출된 반도체(154) 부분에 손상을 주지 않도록 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수도 있다.
보호막(180)에는 드레인 전극(175)을 드러내는 접촉 구멍(185)이 형성되어 있다.
보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191) 및 복수의 접촉 보조 부재(81, 82)가 형성되어 있다. 이들은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다.
화소 전극(191)은 각 단위 화소 영역을 기준으로 통판(plate) 모양으로 형성될 수 있다.
각 표시판(100, 200)의 안쪽 면에는 배향막(11, 21)이 위치하고, 이들은 수직 배향막일 수 있다.
표시판(100, 200)의 바깥쪽 면에는 편광자(polarizer)(미도시)가 구비되어 있는데, 두 편광자의 편광축은 직교하며 이중 한 편광축은 게이트선(121)에 대하여 나란한 것이 바람직하다. 반사형 액정 표시 장치의 경우에는 두 개의 편광자 중 하나가 생략될 수 있다.
두 표시판(100, 200) 사이에는 액정층(3)이 들어있으며, 액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지는 액정 분자(310)를 포함한다. 액정층(3)의 액정 분자들은 장축이 미세 슬릿 전극(300)의 미세 가지부(340)의 길이 방향에 대략 평행하게 되도록 선경사(pretilt)를 가지고 있으며 전계가 가해지지 않은 상태에서 두 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 수직을 이루도록 배향되어 있을 수 있다. 또한, 액정층(3)은 반응성 메소겐(reactive mesogen)을 포함하는 배향 보조제(50)를 더 포함하여, 이러한 배향 보조제(50)에 의하여 액정 분자(310)들은 장축이 미세 슬릿 전극(300)의 미세 가지부(340)의 길이 방향에 대략 평행하도록 선경사를 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에서는 액정층(3) 대신에 배향막(11, 21)에 상술한 배향 보조제가 포함될 수 있다. 이 때, 배향막(11, 21)은 주쇄(main-chain) 및 측쇄(side-chain)를 포함하며, 상기 배향 보조제는 상기 측쇄와 연결될 수 있고, 전기적으로 음성일 수 있다.
전기적으로 음성이고, 상기 측쇄와 결합될 수 있는 배향 보조제는 하기 화학식 (1)일 수 있다. 전기적으로 음성이며 측쇄와 연결된 배향 보조제는 전기적으로 중성인 배향 보조제에 비하여 수직 전계에 의한 제어가 용이하다. 왜냐하면, 전기적으로 중성인 배향 보조제는 수직 전계에 의해 측쇄에 연결된 배향 보조제가 효율적으로 쓰러지지 않기 때문이다.
Figure 112010073626144-pat00001
화학식 (1)
이하에서는 도 3을 참고하여 미세 슬릿 전극(300)에 대해 상세하게 설명하기로 한다.
도 3은 도 1에 나타낸 실시예에서 미세 슬릿 전극(300)을 나타내는 개략적인 배치도이다.
도 3을 참고하면, 미세 슬릿 전극(300)의 전체적인 모양은 사각형이며, 가로 줄기부(320) 및 이와 교차하는 세로 줄기부(330)로 이루어진 십자형 줄기부를 포함한다. 또한, 가로 줄기부(320)와 세로 줄기부(330)에 의해 네 개의 부영역으로 나뉘어지며 각 부영역은 복수의 미세 가지부(340)를 포함한다.
미세 슬릿 전극(300)의 미세 가지부(340) 중 하나는 가로 줄기부(320) 또는 세로 줄기부(330)에서부터 왼쪽 위 방향으로 비스듬하게 뻗어 있으며, 다른 하나의 미세 가지부(340)는 가로 줄기부(320) 또는 세로 줄기부(330)에서부터 오른쪽 위 방향으로 비스듬하게 뻗어 있다. 또한 다른 하나의 미세 가지부(340)는 가로 줄기부(320) 또는 세로 줄기부(330)에서부터 왼쪽 아래 방향으로 뻗어 있으며, 나머지 하나의 미세 가지부(340)는 가로 줄기부(320) 또는 세로 줄기부(330)에서부터 오른쪽 아래 방향으로 비스듬하게 뻗어 있다. 이웃하는 두 부영역의 미세 가지부(340)는 서로 직교할 수 있다. 도시하지 않았으나 미세 가지부(340)의 폭은 점진적으로 넓어질 수 있다.
도 4는 도 3의 실시예에서 나타나는 전계 방향을 나타내는 개략적인 단면도이다. 구체적으로, 도 4는 도 3에서 "A"로 표기한 부분에서의 전계 방향을 나타낸다.
도 4를 참고하면, 미세 슬릿 전극(300)과 화소 전극(191) 각각에 전압을 인가하면 프린지 필드(fringe field)가 발생하여 액정 분자(310)는 화소 영역의 바깥을 향하도록 눕는다. 구체적으로, 미세 슬릿 전극(300)의 미세 가지부(340) 사이의 비전극부에는 강한 프린지 필드만이 존재하여 액정 분자(310)를 일정 방향으로 배열시키며, 미세 가지부(340)의 수직 전계에 의해 일정 방향으로 눕게 되는 액정 분자(310) 간의 탄성에너지에 의해 전체 액정 분자의 최종 도메인 방향이 결정된다.
이하에서는, 도 5 내지 도 7을 참고하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 설명하기로 한다. 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 배치도이다. 도 6은 도 5에 나타낸 실시예에서 미세 슬릿 전극을 나타내는 개략적인 배치도이다.
도 5 및 도 6을 참고하면, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 도 1 및 도 2에 나타낸 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조와 유사하다. 유사한 부분에 대한 설명은 생략한다.
본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 도 1 및 도 2에 나타낸 실시예에 따른 액정 표시 장치와 미세 슬릿 전극의 구조에 차이가 있다. 본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 가로 개구부(420) 및 이와 교차하는 세로 개구부(430)로 이루어진 십자형 개구부를 포함한다. 또한, 가로 개구부(420)와 세로 개구부(430)에 의해 네 개의 부영역으로 나뉘어지며 각 부영역은 복수의 미세 가지부(440)를 포함한다. 이러한 복수의 미세 가지부(440) 사이에 상기 십자형 개구부로부터 뻗어 나온 복수의 미세 개구 패턴이 형성되어 있다. 본 실시예에서 미세 슬릿 전극(400)은 복수의 미세 가지부(440)를 서로 연결하는 사각 모양의 테두리 패턴(450)을 포함한다. 즉, 테두리 패턴(450)은 미세 가지부(440)의 한 쪽 끝단에서 미세 가지부(440)들을 서로 연결하고 있다.
도 1 및 도 2에 나타낸 실시예에 따른 액정 표시 장치의 많은 특징들은 도 5 및 도 6에 나타낸 실시예에 따른 액정 표시 장치에 모두 적용 가능하다.
도 7은 도 6의 실시예에서 나타나는 전계 방향을 나타내는 개략적인 단면도이다. 구체적으로, 도 7는 도 6에서 "A"로 표기한 부분에서의 전계 방향을 나타낸다.
도 7을 참고하면, 미세 슬릿 전극(400)과 화소 전극(191) 각각에 전압을 인가하면 프린지 필드(fringe field)가 발생하여 액정 분자(310)는 화소 영역의 안 쪽을 향하도록 눕는다. 구체적으로, 미세 슬릿 전극(400)의 미세 가지부(440) 사이의 비전극부에는 강한 프린지 필드만이 존재하여 액정 분자(310)를 일정 방향으로 배열시키며, 미세 가지부(440)의 수직 전계에 의해 일정 방향으로 눕게 되는 액정 분자(310) 간의 탄성에너지에 의해 전체 액정 분자의 최종 도메인 방향이 결정된다.
이하에서는, 도 1, 도 2, 및 도 8을 참고하여 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 설명하기로 한다. 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 1, 도 2를 참고하면, 먼저 제1 표시판(100)과 제2 표시판(200)을 각각 제조한다.
상부 표시판(200)은 다음과 같은 방법으로 제조한다.
제1 기판(210) 위에 차광 부재(220)와 복수의 색 필터(230)를 형성한 후, 그 위에 덮개막(250)을 형성한다. 덮개막(250)위에 공통 전극(270)을 형성한 후 그 위에 절연막(280)을 형성한다. 절연막(280) 위에 가로 줄기부(320), 세로 줄기부(330), 및 미세 가지부(340)을 포함하는 미세 슬릿 전극(300)을 형성한다. 이어서 미세 슬릿 전극(300) 위에 배향막(21)을 형성한다.
하부 표시판(100)은 다음과 같은 방법으로 제조한다.
제2 기판(110) 위에 복수의 박막을 적층 및 패터닝하여 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트선(121), 게이트 절연막(140), 반도체층(151, 154), 소스 전극(173)을 포함하는 데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 보호막(180)을 차례로 형성한다.
보호막(180) 위에 ITO 또는 IZO 따위의 도전층을 적층하고 패터닝하여 화소 전극(191)을 형성한다. 이어서 화소 전극(191) 위에 배향막(11)을 도포한다.
다음으로, 상기와 같은 방법으로 제조된 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200)을 합착(assembly)하고, 그 사이에 액정 분자(310) 및 배향 보조제(50)의 혼합물을 주입하여 액정층(3)을 형성한다. 그러나 액정층(3)은 하부 표시판(100) 또는 상부 표시판(200) 위에 액정 분자(310) 및 배향 보조제(50)의 혼합물을 적하하는 방식으로 형성할 수도 있다. 본 실시예에서는 배향 보조제(50)가 액정층(3)에 포함되어 있으나, 다른 실시예로써 액정층(3)이 아닌 배향막(11, 21)에 배향 보조제(50)가 포함되도록 형성할 수 있다.
다음으로 도 8을 참고하면, 화소 전극(191)과 미세 슬릿 전극(300)에 전압을 인가한다. 공통 전극(270)에 인가되는 전압을 제1 전압(V1), 미세 슬릿 전극(300)에 인가되는 전압을 제2 전압(V2), 화소 전극(191)에 인가되는 전압을 제3 전압(V3)이라고 할 때, 제2 전압(V2)과 제3 전압(V3)을 서로 다르게 하여 미세 슬릿 전극(300)과 화소 전극(191)에 전압을 인가한다.
구체적으로, 제1 전압(V1), 제2 전압(V2), 및 제3 전압(V3)이 하기 조건 (1)을 만족하도록 각 전극(191, 270, 300)에 전압을 인가한다.
|V2-V3|≥|V1-V3| (1).
즉, 제3 전압(V3)을 기준으로 제1 전압(V1)보다 제2 전압(V2)에 더 큰 전압을 인가함으로써 프린지 필드(E)를 형성한다.
다음, 도 8에서 나타낸 프린지 필드(E)가 형성된 상태에서 본 실시예에 따른 액정 표시 장치에 광을 조사한다. 이에 따라, 액정 분자(310)는 선경사(pretilt)를 가질 수 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에서 전계 노광시 전압 인가를 나타내는 그래프이다. 도 10은 도 9의 실시예에 따라 제조된 액정 표시 장치에서 미세 슬릿 전극 부분을 나타내는 광학 현미경 사진이다.
도 9를 참고하면, 전계를 가한 상태에서 노광하는 전계 노광시, 초기의 일정 시간 동안에는 제1 전압(V1)과 제3 전압(V3) 일정하게 하고 제2 전압(V2)을 점차적으로 상승시킴으로써 상부 기판(210)과 하부 기판(110) 사이의 프린지 필드(fringe field)의 발현과 액정 방향 제어로 텍스처(texture)가 발생하지 않도록 한다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에서 전계 노광시 전압 인가를 나타내는 그래프이다. 도 12는 도 11의 실시예에 따라 제조된 액정 표시 장치에서 미세 슬릿 전극 부분을 나타내는 광학 현미경 사진이다.
도 11을 참고하면, 도 9의 실시예에서 설명한 전계 노광시 전압 인가 방법에서 추가적으로 초기의 일정 시간 이후에 제1 전압(V1)을 상승시킴으로써 미세 슬릿 전극의 전극 폭 및 전극 간격을 나타내는 부분에서 액정 분자의 선경사를 제어하기 위한 수단이 균일하게 형성되도록 할 수 있다. 도 11에서 비록 제1 전압(V1)이 상승되는 시점과 제2 전압(V2)이 일정해지는 시점이 일치하는 것으로 도시하였으나, 이것은 본 발명의 한 실시예에 해당하고 본 발명의 다른 실시예로써, 제1 전압(V1)이 상승되는 시점은 제2 전압(V2)가 일정해지는 시점보다 앞서거나 늦을 수 있다.
도 10과 도 12를 비교해 볼 때, 도 11에 나타낸 실시예에 따라 제조된 액정 표시 장치가 도 9에 나타낸 실시예에 따라 제조된 액정 표시 장치에 비해서, 미세 슬릿 전극의 비전극부에서 발생할 수 있는 검은 부분이 감소하였음을 알 수 있다.
도 13은 도 8에 나타낸 실시예에 따라 제조된 액정 표시 장치의 구동시에 발생하는 전계 방향을 나타내는 개략적인 단면도이다.
본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 하기 조건 (2), (3), (4) 중에서 어느 하나를 만족하는 상태에서 구동할 수 있다.
V1≠V3, 미세 슬릿 전극은 플로팅(floating)됨 (2).
V1=V2≠V3 (3).
V1≠V2≠V3 (4).
본 실시예에서 상기 조건 (2), (3), (4) 중에서 어느 하나를 만족하는 상태에서 공통 전극(270)과 화소 전극(191) 사이에서 수직 전계(E)에 의해 액정 분자가 배향될 수 있다. 즉, 도 13에 나타낸 바와 같이 공통 전극(270)과 화소 전극(191) 사이에 수직 전계(E)가 발생한다.
이에 따라, 액정 표시 장치의 구동시에 대부분이 수직 전계에 의해서만 액정 분자가 배향되도록 함으로써 수평 전계에 의한 투과율 감소를 최소화하고, 고속 응답을 구현할 수 있다.
이하에서는, 도 14 및 도 15를 참고하여 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 설명하기로 한다. 도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에서 전계 노광시 전계 방향을 나타내는 개략적인 단면도이다. 도 15는 도 14의 실시예에 따라 제조된 액정 표시 장치의 구동시에 발생하는 전계 방향을 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 14 및 도 15를 참고하면, 도 8 및 도 13의 실시예에 따른 액정 표시 장치와 달리, 미세 슬릿 전극(300)이 화소 전극(191)과 절연막(280)을 사이에 두고 형성되어 있다.
도 14를 참고하면, 전계 노광을 할 때, 공통 전극(270)과 미세 슬릿 전극(300)에 전압을 인가한다. 공통 전극(270)에 인가되는 전압을 제1 전압(V1), 미세 슬릿 전극(300)에 인가되는 전압을 제2 전압(V2), 화소 전극(191)에 인가되는 전압을 제3 전압(V3)이라고 할 때, 제1 전압(V1)과 제2 전압(V2)을 서로 다르게 하여 공통 전극(270)과 미세 슬릿 전극(300)에 전압을 인가한다.
구체적으로, 제1 전압(V1), 제2 전압(V2), 및 제3 전압(V3)이 하기 조건 (5)를 만족하도록 각 전극(191, 270, 300)에 전압을 인가한다.
|V2-V1|≥|V3-V1| (5).
즉, 제1 전압(V1)을 기준으로 제3 전압(V3)보다 제2 전압(V2)에 더 큰 전압을 인가함으로써 프린지 필드(E)를 형성한다.
다음, 도 14에서 나타낸 프린지 필드(E)가 형성된 상태에서 본 실시예에 따른 액정 표시 장치에 광을 조사한다. 이에 따라, 액정 분자(310)는 선경사(pretilt)를 가질 수 있다.
도 8에서 나타낸 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 특징들은 도 14에 나타낸 실시예에 모두 적용 가능하다.
도 15를 참고하면, 도 14에서 나타낸 실시예에 따라 제조된 액정 표시 장치는 하기 조건 (6), (7), (8) 중에서 어느 하나를 만족하는 상태에서 구동할 수 있다.
V1≠V3, 미세 슬릿 전극은 플로팅(floating)됨 (6).
V2=V3≠V1 (7).
V1≠V2≠V3 (8).
본 실시예에서 상기 조건 (6), (7), (8) 중에서 어느 하나를 만족하는 상태에서 공통 전극(270)과 화소 전극(191) 사이에서 수직 전계(E)에 의해 액정 분자가 거동할 수 있다. 즉, 도 15에 나타낸 바와 같이 공통 전극(270)과 화소 전극(191) 사이에 수직 전계(E)가 발생한다.
이에 따라, 액정 표시 장치의 구동시에 대부분이 수직 전계에 의해서만 액정 분자가 거동함으로써 수평 전계에 의한 투과율 감소를 최소화하고, 고속 응답을 구현할 수 있다.
도 16은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 액정층에 인가되는 전압에 따른 투과율을 나타내는 그래프이고, 도 17은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 시간에 따른 투과율 변화를 나타내는 그래프이다. 도 16에서 액정층에 인가되는 전압은 공통 전극에 인가되는 전압과 데이터 인가 전압의 차이를 나타낸다.
도 16 및 도 17에서 비교예는 미세 슬릿 전극과 이에 대향하는 공통 전극을 갖고, 미세 슬릿 전극과 공통 전극에 각각 전압을 인가한 상태에서 전계 노광을 하고, 구동시에도 미세 슬릿 전극과 공통 전극 각각 전압을 인가하는 액정 표시 장치를 나타낸다. 하지만, 본 발명의 실시예는 선경사를 형성하기 위한 전계 노광 과정에서만 미세 슬릿 전극에 사용하고, 구동시에는 패턴이 없는 공통 전극과 화소 전극을 사용하므로 수직 전계에 의해서만 액정 분자가 거동한다.
따라서, 도 16에 나타난 바와 같이 본 실시예에서는 비교예 대비하여 수평 전계에 의한 감소분이 없기 때문에 투과율을 높일 수 있다.
또한, 비교예에서는 미세 가지부의 변들이 전기장을 왜곡함으로써 미세 가지부의 변에 수직한 방향으로 전계의 수평 성분을 만들어 내고, 액정 분자들의 경사 방향은 상기 전계의 수평 성분에 의하여 결정되는 방향으로 결정된다. 따라서 액정 분자들이 처음에는 미세 가지부의 변에 수직인 방향으로 기울어지려는 한다(제1 단계). 그러나 이웃하는 미세 가지부의 변에 의한 전계의 수평 성분의 방향이 반대이고 미세 가지부 사이의 간격이 좁기 때문에 서로 반대 방향으로 기울어지려는 액정 분자들이 함께 미세 가지부의 길이 방향에 평행한 방향으로 기울어지게 된다(제2 단계). 즉, 비교예에서는 액정 분자가 상기 제1 단계와 상기 제2 단계에 따라 거동하는데 반해, 본 발명의 실시예에서는 미세 슬릿 전극에 따른 프린지 필드 영향 없이 수직 전계에 의해서만 액정 분자가 거동하게 된다.
따라서, 도 17에 나타난 바와 같이 본 실시예에서는 비교예 대비하여 응답 특성이 좋아 고속 응답을 구현할 수 있다.
도 18은 종래의 액정 표시 장치에 따른 화소 영역을 나타내는 광학 현미경 사진이고, 도 19는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 화소 영역을 나타내는 광학 현미경 사진이다. 구체적으로, 도 18은 도 16 및 도 17을 참고하여 설명한 비교예에서의 화소 영역을 나타내는 사진이고, 도 19는 도 16 및 도 17을 참고하여 설명한 실시예에서의 화소 영역을 나타내는 사진이다.
도 18을 참고하면, 비교예에서는 프린지 필드의 수평 전계 성분으로 인해 미세 가지부 사이의 비전극부에 검은 부분이 발생한 것을 확인할 수 있다. 하지만, 도 19를 참고하면, 본 실시예에는 수직 전계에 의해서만 액정 분자가 거동하기 때문에 수평 전계에 의한 투과율 감소가 없어 미세 가지부 사이의 비전극부에서의 검은 부분이 대부분 사라졌다.
도 20 내지 도 25는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 단면도들이다. 구체적으로, 도 20 내지 도 25는 전계 노광을 위한 미세 슬릿 전극과 구동을 위한 공통 전극 부분의 쇼트 포인트(short point)을 형성하는 방법을 나타낸다.
도 20을 참고하면, 기판(210) 위에 공통 전극(270), 절연막(280), 투명 도전층(300p)을 형성한다. 공통 전극(270)은 인듐 산화막(Indium Tin Oxide; ITO)로 형성할 수 있다.
투명 도전층(300p) 위에 포토 레지스트(PR)를 도포한다.
도 21 내지 도 23을 참고하면, 포토 레지스트(PR) 위에 슬릿 마스크(Mask)를 위치시키고, 광조사를 한다. 이에 따라, 광조사에 의해 노출된 포토 레지스트(PR) 영역을 제거하고, 습식 식각 공정으로 노출된 투명 도전층(300p) 부분을 제거한다.
도 24를 참고하면, 포토 레지스트(PR)을 유지한 상태에서 건식 식각 공정을 통해 절연막(280) 일부를 제거한다.
마지막으로 도 25를 참고하면, 포토 레지스트(PR)을 제거한다. 이 때, 미세 슬릿 전극(300)이 형성되고, 쇼트 포인트(short point)가 형성된다. 쇼트 포인트(short point)는 공통 전극(270) 또는 미세 슬릿 전극(300)에 전압을 인가하기 위한 패턴이 형성되는 부분이다.
상기 각 단계는 하나의 마스크를 사용하여 형성할 수 있는 점에서 제조 비용과 시간을 단축할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
121 게이트선 171 데이터선
180 보호막 191 화소 전극
270 공통 전극 280 절연막
300 미세 슬릿 전극

Claims (32)

  1. 제1 기판,
    상기 제1 기판과 마주보는 제2 기판,
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 개재되어 있으며, 액정 분자를 포함하는 액정층,
    상기 제1 기판과 상기 액정층 사이에 위치하는 제1 전극,
    상기 제1 전극과 상기 액정층 사이에 위치하는 절연막,
    상기 절연막과 상기 액정층 사이에 위치하는 제2 전극,
    상기 액정층과 상기 제2 기판 사이에 위치하는 제3 전극,
    상기 제3 전극에 연결되는 박막 트랜지스터 그리고
    상기 제2 전극 및 상기 제3 전극 중 적어도 하나와 상기 액정층 사이에 위치하는 배향막을 포함하고,
    상기 제2 전극은 미세 슬릿 구조를 포함하고, 상기 액정층 및 상기 배향막 중 적어도 하나는 배향 보조제를 포함하고,
    상기 제1 전극에 인가되는 전압을 제1 전압(V1), 상기 제2 전극에 인가되는 전압을 제2 전압(V2), 상기 제3 전극에 인가되는 전압을 제3 전압(V3)이라 할 때, 상기 제1 전압과 상기 제3 전압과의 차이에 의해 상기 액정층에 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 수직한 수직 전계가 발생하며,
    상기 제2 전극은 플로팅(floating)되어 있고, 하기 조건 (1)을 만족하는 상태에서 구동하는 액정 표시 장치:
    V1≠V3 (1)
  2. 제1항에서,
    상기 제2 기판 위에 위치하는 게이트선 그리고
    상기 제2 기판 위에 위치하고, 상기 게이트선과 교차하는 데이터선 그리고
    상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결되어 있는 액정 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 제1 전극 및 상기 제3 전극은 통판 모양인 액정 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 제2 전압과 상기 제3 전압을 서로 다르게 한 상태에서 상기 액정층 및 상기 배향막 중 적어도 하나가 노광된 액정 표시 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제4항에서,
    상기 제1 전압(V1), 상기 제2 전압(V2), 및 상기 제3 전압(V3)이 하기 조건 (2)를 만족하는 상태에서 구동하는 액정 표시 장치
    V1=V2≠V3 (2).
  8. 제4항에서,
    상기 제1 전압(V1), 상기 제2 전압(V2), 및 상기 제3 전압(V3)이 하기 조건 (3)을 만족하는 상태에서 구동하는 액정 표시 장치
    V1≠V2≠V3 (3).
  9. 제1항에서,
    상기 제1 전극 및 상기 제3 전극은 통판 모양인 액정 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 제2 전압과 상기 제3 전압을 서로 다르게 한 상태에서 상기 액정층 및 상기 배향막 중 적어도 하나가 노광된 액정 표시 장치.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제10항에서,
    상기 제1 전압(V1), 상기 제2 전압(V2), 및 상기 제3 전압(V3)이 하기 조건 (2)를 만족하는 상태에서 구동하는 액정 표시 장치
    V1=V2≠V3 (2).
  14. 제10항에서,
    상기 제1 전압(V1), 상기 제2 전압(V2), 및 상기 제3 전압(V3)이 하기 조건 (3)을 만족하는 상태에서 구동하는 액정 표시 장치
    V1≠V2≠V3 (3).
  15. 제1항에서,
    상기 절연막의 두께는 3.5um 이하인 액정 표시 장치.
  16. 제15항에서,
    상기 절연막의 유전율은 1.5 내지 8.5인 액정 표시 장치.
  17. 제1항에서,
    상기 제2 전극은 가로 줄기부 및 이와 교차하는 세로 줄기부를 포함하는 십자형 줄기부 그리고
    상기 십자형 줄기부로부터 뻗어 나온 복수의 미세 가지부를 포함하는 액정 표시 장치.
  18. 제17항에서,
    상기 제2 전극은 상기 십자형 줄기부로부터 상기 복수의 미세 가지부가 서로 다른 방향으로 뻗어 나온 복수의 영역을 포함하는 액정 표시 장치.
  19. 제1항에서,
    상기 제2 전극은 가로 개구부 및 이와 교차하는 세로 개구부를 포함하는 십자형 개구부 그리고
    상기 십자형 개구부로부터 뻗어 나온 복수의 미세 개구 패턴을 포함하는 액정 표시 장치.
  20. 제19항에서,
    상기 제2 전극은 상기 복수의 미세 개구 패턴 사이에 위치하는 미세 가지부를 포함하고,
    상기 미세 가지부의 한쪽 끝단은 테두리 패턴에 의해 서로 연결되어 있는 액정 표시 장치.
  21. 제1항에서,
    상기 배향 보조제는 전기적으로 음성이고, 상기 배향막에 포함되어 있는 액정 표시 장치.
  22. 제21항에서,
    상기 배향막은 주쇄(main-chain)와 상기 주쇄에 결합된 측쇄(side-chain)를 포함하고,
    상기 배향 보조제는 상기 측쇄에 결합되어 있는 액정 표시 장치.
  23. 제1 기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계,
    상기 제1 전극 위에 절연막을 형성하는 단계,
    상기 절연막 위에 제2 전극을 형성하는 단계,
    상기 제1 기판과 마주보는 제2 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계,
    상기 제2 기판 위에 상기 박막 트랜지스터와 연결되도록 제3 전극을 형성하는 단계,
    상기 제2 전극 및 상기 제3 전극 중 적어도 하나 위에 배향막을 형성하는 단계,
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 합착하는 단계,
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계,
    상기 제2 전극과 상기 제3 전극에 서로 다른 전압을 인가하는 단계 그리고
    상기 제2 전극과 상기 제3 전극에 서로 다른 전압을 인가한 상태에서 상기 액정층에 광을 조사하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 전극은 미세 슬릿 구조로 형성되고,
    상기 액정층 및 상기 배향막 중 적어도 하나는 배향 보조제를 포함하고,
    상기 제1 전극에 인가되는 전압을 제1 전압(V1), 상기 제2 전극에 인가되는 전압을 제2 전압(V2), 상기 제3 전극에 인가되는 전압을 제3 전압(V3)이라고 할 때, 상기 제2 전극과 상기 제3 전극에 서로 다른 전압을 인가하는 단계는, 상기 제1 전압과 상기 제3 전압을 일정하게 유지하면서, 상기 제2 전압을 가변시키고, 상기 제2 전압을 가변시키고 나서 상기 제1 전압을 상승시키는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  24. 제23항에서,
    상기 제1 기판 위에 게이트선을 형성하는 단계 그리고
    상기 제1 기판 위에 위치하고, 상기 게이트선과 교차하는 데이터선을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트선 및 상기 데이터선에 연결되는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  25. 제24항에서,
    상기 제2 전극과 상기 제3 전극에 서로 다른 전압을 인가하는 단계는 상기 제1 전압(V1), 상기 제2 전압(V2), 및 상기 제3 전압(V3)이 하기 조건 (4)를 만족하는 상태를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법
    |V2-V3|≥|V1-V3| (4).
  26. 삭제
  27. 삭제
  28. 제23항에서,
    상기 액정층에 광을 조사하는 단계 이후에 전계가 가해지지 않은 상태에서 상기 액정층에 광을 조사하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  29. 제23항에서,
    상기 제1 기판 위에 상기 제1 전극, 상기 절연막, 상기 제2 전극을 형성하는 단계는
    상기 제1 기판 위에 제1 투명 전극층, 절연 물질층, 제2 투명 전극층을 차례로 형성하는 단계,
    상기 제2 투명 전극층 위에 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계,
    상기 포토 레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 제2 투명 전극층을 식각하는 단계,
    상기 포토 레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 절연 물질층을 식각하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  30. 제23항에서,
    상기 제2 전극과 상기 제3 전극에 서로 다른 전압을 인가하는 단계는 상기 제1 전압(V1), 상기 제2 전압(V2), 및 상기 제3 전압(V3)이 하기 조건 (4)를 만족하는 상태를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법
    |V2-V3|≥|V1-V3| (4).
  31. 삭제
  32. 삭제
KR1020100112002A 2010-11-11 2010-11-11 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 KR101779510B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100112002A KR101779510B1 (ko) 2010-11-11 2010-11-11 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US13/071,100 US8953128B2 (en) 2010-11-11 2011-03-24 Liquid crystal display and manufacturing method thereof
EP20110166434 EP2453298A1 (en) 2010-11-11 2011-05-17 Liquid crystal display and manufacturing method thereof
CN201110129853.1A CN102466926B (zh) 2010-11-11 2011-05-19 液晶显示器及其制造方法
JP2011133382A JP2012103674A (ja) 2010-11-11 2011-06-15 液晶表示装置及びその製造方法
US14/588,791 US9423654B2 (en) 2010-11-11 2015-01-02 Liquid crystal display and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100112002A KR101779510B1 (ko) 2010-11-11 2010-11-11 액정 표시 장치 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120050645A KR20120050645A (ko) 2012-05-21
KR101779510B1 true KR101779510B1 (ko) 2017-09-19

Family

ID=45464149

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100112002A KR101779510B1 (ko) 2010-11-11 2010-11-11 액정 표시 장치 및 그 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8953128B2 (ko)
EP (1) EP2453298A1 (ko)
JP (1) JP2012103674A (ko)
KR (1) KR101779510B1 (ko)
CN (1) CN102466926B (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220100086A (ko) 2009-07-10 2022-07-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101930000B1 (ko) 2012-02-22 2018-12-19 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101932649B1 (ko) 2012-03-05 2019-03-21 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US20130285891A1 (en) * 2012-04-26 2013-10-31 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Lcd panel and pixel electrode thereof
CN103472634A (zh) * 2012-06-08 2013-12-25 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示装置
KR101968929B1 (ko) * 2012-09-11 2019-04-16 삼성디스플레이 주식회사 센서 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 센싱 표시 패널
KR20140048731A (ko) * 2012-10-16 2014-04-24 삼성디스플레이 주식회사 나노 크리스탈 디스플레이
KR102039682B1 (ko) * 2012-10-30 2019-11-04 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치의 제조 방법
KR101995919B1 (ko) 2013-01-30 2019-07-04 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102181238B1 (ko) * 2014-02-12 2020-11-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102179328B1 (ko) 2014-04-22 2020-11-18 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102196451B1 (ko) 2014-06-20 2020-12-30 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102298361B1 (ko) 2015-08-24 2021-09-06 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
TWI610286B (zh) * 2016-12-07 2018-01-01 友達光電股份有限公司 顯示面板及其控制方法
TWI773854B (zh) * 2017-12-22 2022-08-11 日商迪愛生股份有限公司 液晶顯示元件
JP2019174631A (ja) * 2018-03-28 2019-10-10 シャープ株式会社 液晶パネル及びその製造方法
CN110716354B (zh) * 2019-10-30 2021-04-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090103033A1 (en) 2007-10-18 2009-04-23 Au Optronics Corporation Pixel structure and manufacturing method of liquid crystal display panel having the same
JP2009251338A (ja) * 2008-04-08 2009-10-29 V Technology Co Ltd 液晶表示装置の製造方法
WO2010047011A1 (ja) * 2008-10-21 2010-04-29 シャープ株式会社 配向膜、配向膜材料および配向膜を有する液晶表示装置ならびにその形成方法
CN101738808A (zh) * 2010-01-08 2010-06-16 友达光电股份有限公司 显示面板及其配向方法与操作方法以及彩色滤光基板

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3008928B2 (ja) 1998-05-07 2000-02-14 日本電気株式会社 液晶表示装置
US6642984B1 (en) * 1998-12-08 2003-11-04 Fujitsu Display Technologies Corporation Liquid crystal display apparatus having wide transparent electrode and stripe electrodes
KR100322967B1 (ko) 1999-12-22 2002-02-02 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 프린지 필드 구동 액정 표시 장치
JP3492582B2 (ja) * 2000-03-03 2004-02-03 Nec液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP3656734B2 (ja) * 2000-03-17 2005-06-08 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR100671509B1 (ko) 2000-06-01 2007-01-19 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 구동 액정표시장치
KR20020002052A (ko) 2000-06-29 2002-01-09 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치의 제조방법
JP3877129B2 (ja) 2000-09-27 2007-02-07 シャープ株式会社 液晶表示装置
TWI304496B (en) * 2003-03-20 2008-12-21 Sharp Kk Liquid crystal display apparatus and manufacturing method therefor
JP4241238B2 (ja) 2003-08-29 2009-03-18 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP4515102B2 (ja) * 2004-01-22 2010-07-28 富士通株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
KR20060102953A (ko) 2005-03-25 2006-09-28 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR101383717B1 (ko) * 2007-06-27 2014-04-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101377007B1 (ko) * 2007-08-14 2014-03-26 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정 표시패널
KR101382480B1 (ko) 2007-09-12 2014-04-09 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20090027920A (ko) 2007-09-13 2009-03-18 삼성전자주식회사 표시 기판 및 이를 구비한 표시 패널
KR101478333B1 (ko) * 2008-02-22 2014-12-31 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치의 제조 방법
KR101502836B1 (ko) * 2008-03-21 2015-03-16 삼성디스플레이 주식회사 액정표시패널
KR20090126767A (ko) * 2008-06-05 2009-12-09 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20100054344A (ko) 2008-11-14 2010-05-25 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2011017887A (ja) * 2009-07-09 2011-01-27 Sony Corp 液晶表示パネル
US8482708B2 (en) * 2009-11-30 2013-07-09 Iucf-Hyu (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) Multi-domain liquid crystal display and manufacturing method of the same
CN102723308B (zh) * 2012-06-08 2014-09-24 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法和显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090103033A1 (en) 2007-10-18 2009-04-23 Au Optronics Corporation Pixel structure and manufacturing method of liquid crystal display panel having the same
JP2009251338A (ja) * 2008-04-08 2009-10-29 V Technology Co Ltd 液晶表示装置の製造方法
WO2010047011A1 (ja) * 2008-10-21 2010-04-29 シャープ株式会社 配向膜、配向膜材料および配向膜を有する液晶表示装置ならびにその形成方法
CN101738808A (zh) * 2010-01-08 2010-06-16 友达光电股份有限公司 显示面板及其配向方法与操作方法以及彩色滤光基板

Also Published As

Publication number Publication date
US20120120334A1 (en) 2012-05-17
EP2453298A1 (en) 2012-05-16
US8953128B2 (en) 2015-02-10
KR20120050645A (ko) 2012-05-21
CN102466926B (zh) 2016-05-25
CN102466926A (zh) 2012-05-23
US9423654B2 (en) 2016-08-23
JP2012103674A (ja) 2012-05-31
US20150118806A1 (en) 2015-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101779510B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US11036098B2 (en) Liquid crystal display device having rectangular-shaped pixel electrodes overlapping with comb-shaped counter electrodes in plan view
KR100422567B1 (ko) 액정표시장치
KR101791201B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US9281320B2 (en) Array substrate and liquid crystal display apparatus having the same
US8570473B2 (en) Display substrate, liquid crystal display panel having the same, and method of manufacturing the liquid crystal display panel
TWI502258B (zh) 液晶顯示器
KR20100012080A (ko) 어레이 기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 액정표시장치
US8314914B2 (en) Liquid crystal display and exposure mask for manufacturing liquid crystal display
KR20080044047A (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 이를 구비하는 액정 표시 장치
KR20130089036A (ko) 액정 표시 장치
US8547515B2 (en) Display substrate with pixel electrode having V-shape and trapezoidal protrusions, a method of manufacturing the same and a display apparatus having the same
KR102178887B1 (ko) 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR102067961B1 (ko) 컬러필터기판과 그 제조방법 및 이를 포함하는 액정표시장치
KR100462376B1 (ko) 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20060018401A (ko) 다중 도메인 액정 표시 장치
KR101971991B1 (ko) 액정표시장치 및 이의 제조방법
KR101893892B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102070437B1 (ko) 액정 표시 장치의 제조 방법
KR20060006530A (ko) 액정표시장치와 그 제조방법
KR20060018400A (ko) 다중 도메인 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는액정 표시 장치
KR20050081319A (ko) 액정 표시 장치
KR20060094269A (ko) 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
JP2006113260A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant