CN112162425B - 像素单元及其驱动方法、阵列基板和垂直配向型显示装置 - Google Patents

像素单元及其驱动方法、阵列基板和垂直配向型显示装置 Download PDF

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Abstract

公开一种像素单元及其驱动方法、阵列基板和垂直配向型显示装置,涉及显示技术领域,用于增强垂直电场。其中,像素单元包括:第一绝缘层;位于第一绝缘层第一侧的第一像素电极,第一像素电极包括多个第一电极条;位于第一绝缘层第一侧的公共电极,公共电极包括多个第二电极条,第二电极条与第一电极条沿第一方向依次交替排布,且相邻的第二电极条与第一电极条之间具有狭缝;位于第一绝缘层第二侧的第二像素电极,第二像素电极至少重叠于狭缝所在的区域。本公开提供的像素单元,应用于垂直配向型显示装置中,有助于增强垂直电场,降低驱动电压。

Description

像素单元及其驱动方法、阵列基板和垂直配向型显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素单元及其驱动方法、阵列基板和垂直配向型显示装置。
背景技术
液晶显示技术因具有显示画面稳定、低功耗等优点,被广泛应用于电视、手机等电子产品中。
目前,液晶显示装置按照显示模式主要可以分为:扭曲向列(TN,TwistedNematic)模式、平面转换(IPS,In Plane Switching)模式和高级超维场开关(ADS,Advanced Super Dimension Switch)模式等。其中,ADS模式是通过同一平面内电极边缘所产生的电场以及电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场,使在电极之间和电极正上方的液晶分子发生旋转。
发明内容
本公开的目的在于提供一种像素单元及其驱动方法、阵列基板和垂直配向型显示装置,用于增强垂直电场,降低驱动电压。
为了实现上述目的,本公开提供如下技术方案:
一方面,提供一种像素单元。所述像素单元包括:第一绝缘层;位于所述第一绝缘层第一侧的第一像素电极,所述第一像素电极包括多个第一电极条;位于所述第一绝缘层第一侧的公共电极,所述公共电极包括多个第二电极条,第二电极条与第一电极条沿第一方向依次交替排布,且相邻的第二电极条与第一电极条之间具有狭缝;位于所述第一绝缘层第二侧的第二像素电极,所述第二像素电极至少重叠于所述狭缝所在的区域。
在一些实施例中,所述像素单元还包括:第一薄膜晶体管,位于所述第一绝缘层的第二侧,所述第一薄膜晶体管的控制极被配置为与扫描信号线耦接,所述第一薄膜晶体管的第一极被配置为与第一数据电压线耦接,所述第一薄膜晶体管的第二极被配置为与所述第一像素电极中的所述多个第一电极条耦接;第二薄膜晶体管,位于所述第一绝缘层的第二侧,所述第二薄膜晶体管的控制极被配置为与扫描信号线耦接,所述第二薄膜晶体管的第一极被配置为与第二数据电压线耦接,所述第二薄膜晶体管的第二极被配置为与所述第二像素电极耦接。所述公共电极被配置为与公共电压线耦接。
在一些实施例中,所述第一绝缘层包括第一过孔;所述第一像素电极还包括第一导电连接部,所述第一导电连接部连接所述多个第一电极条,并且所述第一导电连接部通过所述第一过孔连接至所述第一薄膜晶体管的第二极。
在一些实施例中,所述第二薄膜晶体管的栅绝缘层包括第二过孔;所述第一绝缘层还包括暴露出所述第二过孔的第三过孔;所述公共电极包括第二导电连接部,所述第二导电连接部连接所述多个第二电极条,并且所述第二导电连接部通过所述第二过孔和所述第三过孔连接至所述公共电压线。
在一些实施例中,所述第二像素电极为面状电极,所述面状电极位于所述第一绝缘层与所述第二薄膜晶体管的栅绝缘层之间;所述面状电极直接连接至所述第二薄膜晶体管的第二极。
在一些实施例中,所述第二像素电极包括面状电极和第三导电连接部,所述面状电极位于所述第二薄膜晶体管的栅绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧;所述栅绝缘层包括第四过孔;所述第三导电连接部连接所述第二薄膜晶体管的第二极,并且所述第三导电连接部通过所述第四过孔连接所述面状电极。或者,所述第二像素电极包括面状电极和第三导电连接部,所述面状电极位于所述第二薄膜晶体管的栅绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧;所述栅绝缘层包括第四过孔;所述第一绝缘层包括暴露出所述第四过孔的第五过孔和暴露出所述第二薄膜晶体管的第二极的第六过孔;所述第三导电连接部通过所述第六过孔连接至所述第二薄膜晶体管的第二极,并且所述第三导电连接部通过所述第四过孔和所述第五过孔连接所述面状电极。
在一些实施例中,所述多个第一电极条和所述多个第二电极条均呈直条状。
在一些实施例中,所述多个第一电极条中的每个第一电极条包括依次连接的至少两个第一电极段,相邻的两个第一电极段之间具有第一夹角,第一夹角大于38度且小于52度;所述多个第二电极条中的每个第二电极条包括依次连接的至少两个第二电极段,相邻的两个第二电极段之间具有第二夹角,第二夹角大于38度且小于52度。
在一些实施例中,所述狭缝的宽度大于或等于6.6μm,且小于或等于7.3μm。
另一方面,提供一种如上述任一项实施例所述的像素单元的驱动方法,所述驱动方法包括:向所述公共电极施加公共电压,并向所述第一像素电极和所述第二像素电极分别施加大小相等且极性相反的像素电压,以驱动所述像素单元。
在一些实施例中,所述驱动方法还包括:将向所述第一像素电极和所述第二像素电极施加的像素电压互相切换,并重复该步骤。
再一方面,提供一种阵列基板。所述阵列基板包括:沿第一方向延伸的多条扫描信号线;沿所述第一方向延伸的多条公共电压线;沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的多条第一数据电压线;沿所述第二方向延伸的多条第二数据电压线;其中,第二数据电压线与扫描信号线、公共电压线、第一数据电压线四者之间围设出一个像素区域,像素区域内设置有任一项实施例中的像素单元。
又一方面,提供一种垂直配向型液晶显示装置。所述垂直配向型液晶显示装置包括:如上述任一项实施例所述的阵列基板;彩膜基板,所述彩膜基板与所述阵列基板相对设置;液晶层,设置于所述阵列基板与所述彩膜基板之间。
本公开提供的像素单元及其驱动方法、阵列基板和垂直配向型显示装置具有如下有益效果:
本公开提供的像素单元中,电压差最大的区域是第一像素电极和第二像素电极之间的区域,由于第一像素电极和第二像素电极分别位于第一绝缘层的相对两侧,因此具有增强垂直电场的效果,从而有助于降低液晶驱动电压。
本公开提供的像素单元的驱动方法、阵列基板和垂直配向型显示装置所能实现的有益效果,与上述技术方案提供的像素单元所能达到的有益效果相同,在此不做赘述。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案,下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图,对于本领域普通技术人员来讲,还可以根据这些附图获得其他的附图。此外,以下描述中的附图可以视作示意图,并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1为根据相关技术的一种像素单元的结构图;
图2A为根据本公开一些实施例的一种像素单元的结构图;
图2B为图2A中像素单元的一种剖视结构图;
图2C为根据本公开一些实施例的另一种像素单元的剖视结构图;
图3A为根据本公开一些实施例的又一种像素单元的结构图;
图3B为图3A中像素单元的一种剖视结构图;
图4A为根据本公开一些实施例的像素单元的一种电场分布图;
图4B为根据本公开一些实施例的像素单元的另一种电场分布图;
图5为根据本公开一些实施例的一种驱动电压与液晶透过率之间相对关系的曲线图;
图6A为根据本公开一些实施例的又一种像素单元的结构图;
图6B为根据本公开一些实施例的又一种像素单元的结构图;
图7A为根据本公开一些实施例的一种像素单元的驱动方法的流程图;
图7B为根据本公开一些实施例的又一种像素单元的驱动方法的流程图;
图8A为根据本公开一些实施例的一种阵列基板的结构图;
图8B为根据本公开一些实施例的另一种阵列基板的结构图;
图9为根据本公开一些实施例的一种垂直配向型显示装置的结构图。
具体实施方式
下面将结合附图,对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求,否则,在整个说明书和权利要求书中,术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思,即为“包含,但不限于”。在说明书的描述中,术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外,所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时,可能使用了“耦接”和“连接”及其衍伸的表达。例如,描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。又如,描述一些实施例时可能使用了术语“耦接”以表明两个或两个以上部件有直接物理接触或电接触。然而,术语“耦接”或“通信耦合(communicatively coupled)”也可能指两个或两个以上部件彼此间并无直接接触,但仍彼此协作或相互作用。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。
本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言,其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。
另外,“基于”的使用意味着开放和包容性,因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中,为了清楚,放大了层和区域的厚度。因此,可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此,示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状,而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如,示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此,附图中所示的区域本质上是示意性的,且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状,并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
在ADS模式下,液晶显示装置只在阵列基板上设置有电极。相关技术中,如图1所示,阵列基板的一个像素单元01中包括分别位于绝缘层011相对两侧的公共电极012和像素电极013,此时,向公共电极012和像素电极013施加电压所形成的电场包含垂直电场和水平电场。在液晶初始取向为垂直状态(也即上述液晶显示装置为垂直配向型显示装置)时,上述电场中驱动液晶发生偏转所需的垂直电场较弱,从而会导致驱动电压上升。
基于此,本公开一些实施例提供了一种像素单元10,参见2A、图2B、图2C、图3A和图3B,像素单元10包括第一绝缘层1、第一像素电极2、公共电极3和第二像素电极4。
第一像素电极2位于第一绝缘层1的第一侧,第一像素电极2包括多个第一电极条21。
公共电极3位于第一绝缘层1的第一侧,公共电极3包括多个第二电极条31,第二电极条31与第一电极条21沿第一方向X依次交替排布,且相邻的第二电极条31与第一电极条21之间具有狭缝D。示例性的,狭缝D的宽度大于或等于6.6μm,且小于或等于7.3μm。这样设置,有助于提高像素单元10的透过率。
第二像素电极4位于第一绝缘层1的第二侧,第二像素电极4至少重叠于狭缝D所在的区域。
在驱动上述像素单元10时,可以向公共电极3施加公共电压,并向第一像素电极2和第二像素电极4分别施加大小相等且极性相反的像素电压。当向第一像素电极2施加的像素电压为正电压,向第二像素电极4施加的电压为负电压时,像素单元10的电场方向为图4A中虚线箭头所示的方向;当向第一像素电极2施加的像素电压为负电压,向第二像素电极4施加的电压为正电压时,像素单元10的电场方向为图4B中虚线箭头所示的方向。其中,在显示不同帧画面时,还可以将向第一像素电极2和第二像素电极4分别施加的像素电压互相切换,这样有利于防止液晶劣化。
需要说明的是,在上述像素单元10中,电压差最大的区域是第一像素电极2和第二像素电极4之间的区域,由于第一像素电极2和第二像素电极4分别位于第一绝缘层1的相对两侧,因此具有增强垂直电场的效果,从而可以降低液晶驱动电压(也即可以降低上述像素电压)。
值得指出的是,经实验得知,在图1示出的像素单元01中,垂直电场大致为整体电场的60%~65%。而在上述像素单元10中,垂直电场大致为整体电场的80%以上,垂直电场得到了强化。
图5示出了像素单元的驱动电压与液晶透过率之间相对关系的曲线图。如图5所示,曲线a表示图1中像素单元01在绝缘层011厚度为驱动介电常数为-5.9、初始取向为垂直状态的液晶时,驱动电压与透过率之间的相对关系;曲线b表示图4A和图4B中像素单元10在第一绝缘层1厚度为/>驱动介电常数为-5.9、初始取向为垂直状态的液晶时,驱动电压与透过率之间的相对关系;曲线c表示图4A和图4B中像素单元10在第一绝缘层1厚度为/>驱动介电常数为-3.9、初始取向为垂直状态的液晶时,驱动电压与透过率之间的相对关系;曲线d表示图1中像素单元01在驱动初始取向为水平状态的液晶时,驱动电压与透过率之间的相对关系。
从图5中的曲a和曲线d可以得知,像素单元01在驱动初始取向为水平状态的液晶时的效率高于像素单元01在驱动初始取向为垂直状态的液晶时的效率。因此,对于初始取向为垂直状态的液晶而言,采用像素单元01会导致所需的驱动电压增大。
曲线a在驱动电压为9V对应的透过率与曲线b和曲线c在7~7.5V时的透过率大致相同。由此可见,在驱动初始取向为垂直状态的液晶时,上述像素单元10相较于像素单元01而言,驱动电压可以降低1.5V左右。
同时,由图5可知,在利用像素单元10驱动液晶时,即使液晶的介电常数由-5.9变为-3.9,驱动电压与透过率的曲线也没有太大差异(即图3中曲线b与曲线c之间差异较小)。此时,可以选用粘度更低的液晶(例如介电常数为-3.9的液晶),这样,有助于改善液晶的响应速度。
在本公开的一些实施例中,参见图2A、图2B、图2C、图3A和图3B,像素单元10还包括第一薄膜晶体管5和第二薄膜晶体管6。
第一薄膜晶体管5位于第一绝缘层1的第二侧,第一薄膜晶体管5的控制极50被配置为与扫描信号线101耦接,第一薄膜晶体管5的第一极51被配置为与第一数据电压线102耦接,第一薄膜晶体管5的第二极52被配置为与第一像素电极2中的多个第一电极条21耦接。
例如,如图2B、图2C和图3B所示,第一绝缘层1包括第一过孔11。第一像素电极2还包括第一导电连接部22,第一导电连接部22连接多个第一电极条21,并且第一导电连接部22通过第一过孔连接至第一薄膜晶体管5的第二极52。
这样设置,可以利用扫描信号线101传输的信号控制第一薄膜晶体管5开启或关闭,并且可以在第一薄膜晶体管5开启时,将第一数据电压线102传输的第一数据电压传输至第一像素电极2中的多个第一电极条21。
与此同时,公共电极3被配置为与公共电压线104耦接。例如,第二薄膜晶体管6的栅绝缘层63包括第二过孔;第一绝缘层1还包括暴露出第二过孔的第三过孔。公共电极3包括第二导电连接部32,第二导电连接部32连接多个第二电极条31,并且第二导电连接部32通过第二过孔和第三过孔连接至公共电压线104。这样设置,可以使公共电压线传输的公共电压传输至公共电极3的多个第二电极条31。
第二薄膜晶体管6位于第一绝缘层1的第二侧,第二薄膜晶体管6的控制极60被配置为与扫描信号线101耦接,第二薄膜晶体管6的第一极61被配置为与第二数据电压线103耦接,第二薄膜晶体管6的第二极62被配置为与第二像素电极4耦接。
这样设置,可以利用扫描信号线101传输的信号控制第二薄膜晶体管6开启或关闭,并且可以在第二薄膜晶体管6开启时,将第二数据电压线103传输的第二数据电压传输至第二像素电极4。可以理解,此处的第二数据电压和上述第一数据电压均为像素电压。示例性的,第二数据电压和第一数据电压可以为如上所述的大小相等且极性相反的两个像素电压。
在一些示例中,如图2A和图2B所示,第二像素电极4包括面状电极41和第三导电连接部42,面状电极41位于第二薄膜晶体管6的栅绝缘层63远离第一绝缘层1的一侧。栅绝缘层63包括第四过孔;第一绝缘层包括暴露出第四过孔的第五过孔和暴露出第二薄膜晶体管6的第二极62的第六过孔。第三导电连接部42通过第六过孔连接至第二薄膜晶体管6的第二极62,并且所述第三导电连接部42通过所述第四过孔和所述第五过孔连接所述面状电极41。
或者,如图2C所示,第二像素电极4包括面状电极41和第三导电连接部42,面状电极41位于第二薄膜晶体管6的栅绝缘层63远离第一绝缘层1的一侧。栅绝缘层63包括第四过孔。第三导电连接部42连接所述第二薄膜晶体管6的第二极62,并且所述第三导电连接部42通过所述第四过孔连接所述面状电极41。
在另一些示例中,如图3A和图3B所示,第二像素电极4为面状电极,面状电极位于第一绝缘层1与第二薄膜晶体管6的栅绝缘层63之间。此时,第二像素电极4直接连接至第二薄膜晶体管6的第二极62。这样设置,使得第二像素电极4在连接至第二薄膜晶体管6的第二极62时,无需在第一绝缘层1以及栅绝缘层63上打过孔。
需要说明的是,上述各薄膜晶体管(例如第一薄膜晶体管5、第二薄膜晶体管6)的控制极为栅极,第一极为源极和漏极中一者,第二极源极和漏极中另一者。由于晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的,所以其源极、漏极在结构上可以是没有区别的,也就是说,本公开各实施例中的晶体管的第一极和第二极在结构上可以是没有区别的。
示例性的,上述第二薄膜晶体管6的栅绝缘层63与第一薄膜晶体管5的栅绝缘层53为同一栅绝缘层。也即两者可以连接在为一个膜层。
示例性的,上述多个第一电极条21在第一绝缘层1上的正投影和所述多个第二电极条31在第一绝缘层1上的正投影均位于所述面状电极在第一绝缘层1上的正投影范围之内。
此外,上述第一电极条21和第二电极条31的结构形式有多种,例如包括但不限于以下一些示例。
示例性的,如图2A和图3A所示,第一电极条21和第二电极条31可以均沿同一方向延伸。也即,第一电极条21和第二电极条31可以均呈直条状。其中,第一电极条21与第二电极条31可以互相平行。
又示例性的,图6A示出了一种位置B处需要打孔的像素单元10,图6B示出了一种位置B处不需要打孔的像素单元10,如图6A和图6B所示,所述多个第一电极条21中的每个第一电极条21可以包括依次连接的至少两个第一电极段211,相邻的两个第一电极段211之间具有第一夹角α,第一夹角α大于或等于38度且小于或等于52度;
同时,所述多个第二电极条31中的每个第二电极条31可以包括依次连接的至少两个第二电极段311,相邻的两个第二电极段311之间具有第二夹角β,第二夹角β或等于38度且小于或等于52度。
其中,第一电极条21与第二电极条31可以互相平行。
本公开一些实施例提供一种像素单元的驱动方法,如图7A所示,该驱动方法包括:
S1、向公共电极施加公共电压,并向第一像素电极和第二像素电极分别施加大小相等且极性相反的像素电压,以驱动像素单元。
在此基础上,示例性的,如图7B所示,所述驱动方法还包括:
S2、将向第一像素电极和第二像素电极施加的像素电压互相切换,并重复该步骤。这样设计,可以在显示不同帧画面时,将向第一像素电极和第二像素电极施加的像素电压互相切换,从而有利于防止液晶劣化。
本公开一些实施例提供的像素单元的驱动方法,用于驱动如上所述的任一实施例中的像素单元10,有助于增强垂直电场,降低液晶驱动电压。
参见图8A和图8B,本公开一些实施例提供了一种阵列基板200,阵列基板200包括沿第一方向X延伸的多条扫描信号线101;沿所述第一方向X延伸的多条公共电压线104;沿与所述第一方向X交叉的第二方向Y延伸的多条第一数据电压线102;沿所述第二方向Y延伸的多条第二数据电压线103;其中,第二数据电压线103与扫描信号线101、公共电压线104、第一数据电压线102四者之间围设出一个像素区域,像素区域内设置有任一项实施例中的像素单元10。
在该阵列基板200中,包括上述任一实施例所述的像素单元10,因此,具有如上所述的像素单元10的全部有益效果,此处不再赘述。
参见图9,本公开一些实施例提供了一种垂直配向型液晶显示装置300,包括上述任一实施例所述的阵列基板200、与阵列基板200相对设置的彩膜基板210,以及设置于阵列基板200与彩膜基板210之间的液晶层220。其中,液晶层220中的液晶可以为电负性液晶。
该垂直配向型显示装置300例如可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在该垂直配向型液晶显示装置300中,由于采用了上述任一实施例所述的阵列基板200,因此,具有如上所述的阵列基板200的全部有益效果,此处不再赘述。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

1.一种像素单元,其特征在于,包括:
第一绝缘层;
位于所述第一绝缘层第一侧的第一像素电极,所述第一像素电极包括多个第一电极条;
位于所述第一绝缘层第一侧的公共电极,所述公共电极包括多个第二电极条,第二电极条与第一电极条沿第一方向依次交替排布,且相邻的第二电极条与第一电极条之间具有狭缝;
位于所述第一绝缘层第二侧的第二像素电极,所述第二像素电极至少重叠于所述狭缝所在的区域;
第一薄膜晶体管,位于所述第一绝缘层的第二侧,所述第一薄膜晶体管的控制极被配置为与扫描信号线耦接,所述第一薄膜晶体管的第一极被配置为与第一数据电压线耦接,所述第一薄膜晶体管的第二极被配置为与所述第一像素电极中的所述多个第一电极条耦接;
第二薄膜晶体管,位于所述第一绝缘层的第二侧,所述第二薄膜晶体管的控制极被配置为与扫描信号线耦接,所述第二薄膜晶体管的第一极被配置为与第二数据电压线耦接,所述第二薄膜晶体管的第二极被配置为与所述第二像素电极耦接;
所述公共电极被配置为与公共电压线耦接;
所述第一数据电压线和所述第二数据电压线用于提供大小相等且极性相反的像素电压。
2.根据权利要求1所述的像素单元,其特征在于,
所述第一绝缘层包括第一过孔;
所述第一像素电极还包括第一导电连接部,所述第一导电连接部连接所述多个第一电极条,并且所述第一导电连接部通过所述第一过孔连接至所述第一薄膜晶体管的第二极。
3.根据权利要求1所述的像素单元,其特征在于,
所述第二薄膜晶体管的栅绝缘层包括第二过孔;所述第一绝缘层还包括暴露出所述第二过孔的第三过孔;
所述公共电极包括第二导电连接部,所述第二导电连接部连接所述多个第二电极条,并且所述第二导电连接部通过所述第二过孔和所述第三过孔连接至所述公共电压线。
4.根据权利要求1所述的像素单元,其特征在于,
所述第二像素电极为面状电极,所述面状电极位于所述第一绝缘层与所述第二薄膜晶体管的栅绝缘层之间;所述面状电极直接连接至所述第二薄膜晶体管的第二极。
5.根据权利要求1所述的像素单元,其特征在于,
所述第二像素电极包括面状电极和第三导电连接部,所述面状电极位于所述第二薄膜晶体管的栅绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧;所述栅绝缘层包括第四过孔;所述第三导电连接部连接所述第二薄膜晶体管的第二极,并且所述第三导电连接部通过所述第四过孔连接所述面状电极;或者,
所述第二像素电极包括面状电极和第三导电连接部,所述面状电极位于所述第二薄膜晶体管的栅绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧;所述栅绝缘层包括第四过孔;所述第一绝缘层包括暴露出所述第四过孔的第五过孔和暴露出所述第二薄膜晶体管的第二极的第六过孔;所述第三导电连接部通过所述第六过孔连接至所述第二薄膜晶体管的第二极,并且所述第三导电连接部通过所述第四过孔和所述第五过孔连接所述面状电极。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的像素单元,其特征在于,
所述多个第一电极条和所述多个第二电极条均呈直条状。
7.根据权利要求1~5中任一项所述的像素单元,其特征在于,
所述多个第一电极条中的每个第一电极条包括依次连接的至少两个第一电极段,相邻的两个第一电极段之间具有第一夹角,第一夹角大于或等于38度且小于或等于52度;
所述多个第二电极条中的每个第二电极条包括依次连接的至少两个第二电极段,相邻的两个第二电极段之间具有第二夹角,第二夹角大于或等于38度且小于或等于52度。
8.根据权利要求1~5中任一项所述的像素单元,其特征在于,
所述狭缝的宽度大于或等于6.6μm,且小于或等于7.3μm。
9.一种如权利要求1~8中任一项所述的像素单元的驱动方法,其特征在于,包括:
向所述公共电极施加公共电压,并向所述第一像素电极和所述第二像素电极分别施加大小相等且极性相反的像素电压,以驱动所述像素单元。
10.根据权利要求9所述的驱动方法,其特征在于,还包括:
将向所述第一像素电极和所述第二像素电极施加的像素电压互相切换,并重复该步骤。
11.一种阵列基板,其特征在于,包括:
沿第一方向延伸的多条扫描信号线;
沿所述第一方向延伸的多条公共电压线;
沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的多条第一数据电压线;
沿所述第二方向延伸的多条第二数据电压线;其中,第二数据电压线与扫描信号线、公共电压线、第一数据电压线四者之间围设出一个像素区域,像素区域内设置有如权利要求1~8中任一项所述的像素单元。
12.一种垂直配向型液晶显示装置,其特征在于,包括:
如权利要求11所述的阵列基板;
彩膜基板,所述彩膜基板与所述阵列基板相对设置;
液晶层,设置于所述阵列基板与所述彩膜基板之间。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112162425B (zh) * 2020-10-29 2023-12-01 京东方科技集团股份有限公司 像素单元及其驱动方法、阵列基板和垂直配向型显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102654686A (zh) * 2012-02-15 2012-09-05 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示面板及显示装置
CN103176317A (zh) * 2013-04-07 2013-06-26 合肥京东方光电科技有限公司 液晶像素电极结构、阵列基板及显示装置
CN103488008A (zh) * 2013-10-09 2014-01-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其驱动方法、显示装置
CN105404062A (zh) * 2016-01-04 2016-03-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100209531B1 (ko) * 1996-06-22 1999-07-15 구자홍 액정표시장치
JP4241238B2 (ja) * 2003-08-29 2009-03-18 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
US8208080B2 (en) * 2007-03-07 2012-06-26 Chimei Innolux Corporation Liquid crystal display
KR101439268B1 (ko) * 2008-02-22 2014-09-12 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판
KR101720524B1 (ko) * 2010-06-07 2017-03-28 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
CN101943829B (zh) * 2010-08-11 2012-05-16 昆山龙腾光电有限公司 面内切换型液晶显示面板及液晶显示器
JP2015148637A (ja) * 2012-05-23 2015-08-20 シャープ株式会社 液晶表示装置
CN202748579U (zh) * 2012-09-18 2013-02-20 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示面板和显示装置
CN104793422B (zh) * 2014-01-17 2017-10-03 瀚宇彩晶股份有限公司 像素结构及液晶显示面板
CN104880883A (zh) * 2015-06-12 2015-09-02 武汉华星光电技术有限公司 一种蓝相液晶显示面板及其制作方法
CN105278183A (zh) * 2015-11-19 2016-01-27 武汉华星光电技术有限公司 蓝相液晶显示器及其显示模组
CN109239989B (zh) * 2017-07-11 2020-08-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN109324449B (zh) * 2018-11-15 2021-06-22 昆山龙腾光电股份有限公司 液晶显示装置及其驱动方法
CN112162425B (zh) * 2020-10-29 2023-12-01 京东方科技集团股份有限公司 像素单元及其驱动方法、阵列基板和垂直配向型显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102654686A (zh) * 2012-02-15 2012-09-05 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示面板及显示装置
CN103176317A (zh) * 2013-04-07 2013-06-26 合肥京东方光电科技有限公司 液晶像素电极结构、阵列基板及显示装置
CN103488008A (zh) * 2013-10-09 2014-01-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其驱动方法、显示装置
CN105404062A (zh) * 2016-01-04 2016-03-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示装置

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