CN109239989B - 阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板及其制作方法、以及包括该阵列基板的显示装置，该阵列基板包括：衬底基板；上电极层，其位于所述衬底基板上并且包括第一上电极条和第二上电极条；下电极层，其位于所述衬底基板与所述上电极层之间，在垂直于所述衬底基板的上表面的方向上，所述下电极层包括与所述第一上电极条和所述第二上电极条都不交叠的部分。所述阵列基板包括同层设置的像素电极条和公共电极条，并且所述像素电极条和所述公共电极条都对应于所述第一上电极条和所述第二上电极条之间的区域。该阵列基板可以提高包括该阵列基板的显示装置的透过率。

Description

阵列基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本公开实施例涉及一种阵列基板及其制作方法、以及包括该阵列基板的显示装置。
背景技术
液晶显示装置已经在监视器、电视、笔记本电脑等各领域得到了广泛的应用。液晶显示装置包括公共电极和像素电极，通过公共电极和像素电极之间形成的电场来控制液晶分子的偏转。
采用ADS(Advanced Super Dimension Switch)显示模式的液晶显示装置由于其宽视角而被广泛应用。在ADS显示模式中，像素电极和公共电极分别位于液晶显示装置的阵列基板包括的不同层中，从而在二者之间形成边缘电场。
此外，液晶显示装置也可以采用其它显示模式，例如，在IPS(In-planeSwitching)显示模式中，像素电极和公共电极位于阵列基板包括的同一层中，从而在二者之间形成IPS电场。
发明内容
本公开实施例提供一种阵列基板及其制作方法、以及包括该阵列基板的显示装置，该阵列基板可以提高包括该阵列基板的显示装置的透过率。
本公开的至少一个实施例提供一种阵列基板，其包括：衬底基板；上电极层，其位于所述衬底基板上并且包括第一上电极条和第二上电极条；下电极层，其位于所述衬底基板与所述上电极层之间，其中，在垂直于所述衬底基板的上表面的方向上，所述下电极层包括与所述第一上电极条和所述第二上电极条都不交叠的部分。所述阵列基板包括同层设置的像素电极条和公共电极条，并且所述像素电极条和所述公共电极条都对应于所述第一上电极条和所述第二上电极条之间的区域。
例如，所述第一上电极条和所述第二上电极条之间的区域的中心位置对应于所述像素电极条和所述公共电极条之间的区域，所述中心位置到所述第一上电极条和所述第二上电极条的相互靠近的边缘的距离相等。
例如，所述下电极层包括第一下电极条和第二下电极条；在垂直于所述衬底基板的上表面的方向上，所述第一下电极条和所述第二下电极条都包括与所述第一上电极条和所述第二上电极条都不交叠的部分。
例如，所述第一下电极条为下像素电极条，所述第二下电极条为下公共电极条；所述第一上电极条为上公共电极条，所述第二上电极条为上像素电极条。
例如，所述第一下电极条的一部分作为所述像素电极条，所述第二下电极条的一部分作为所述公共电极条。
例如，所述第一下电极条包括凸向所述上电极层的第一凸起部，所述第一凸起部作为所述像素电极条；所述第二下电极条包括凸向所述上电极层的第二凸起部，所述第二凸起部作为所述公共电极条。
例如，所述的阵列基板还包括：第一绝缘层，其包括凸起，所述凸起支撑所述第一凸起部和所述第二凸起部。
例如，所述凸起的中心与所述第一上电极条和所述第二上电极条之间的区域的中心对应。
例如，所述的阵列基板还包括位于所述下电极层和所述上电极层之间的第二绝缘层，所述第二绝缘层的上表面包括平面部分，所述平面部分至少对应于所述第一上电极条、所述第二上电极条、以及所述第一上电极条和所述第二上电极条之间的区域。
例如，所述第一凸起部的顶端和所述第二凸起部的顶端到所述上电极层的下表面的距离都大于或等于1000埃。
例如，所述像素电极条和所述公共电极条位于所述下电极层中并且与所述第一下电极条和所述第二下电极条都间隔开。
例如，所述像素电极条和所述公共电极条位于所述上电极层中并且与所述第一上电极条和所述第二上电极条都间隔开。
例如，所述像素电极条的宽度、所述公共电极条的宽度、以及所述像素电极条与所述公共电极条之间的距离之和与所述第一上电极条和所述第二上电极条之间的距离之比为1/4-1/3。
本公开的至少一个实施例提供一种阵列基板的制作方法，其包括：在衬底基板上形成下电极层；形成位于所述下电极层上方的上电极层，使其包括第一上电极条和第二上电极条。在该方法中，在垂直于所述衬底基板的上表面的方向上，所述下电极层包括与所述第一上电极条和所述第二上电极条都不交叠的部分；所述阵列基板包括由通过同一薄膜形成的像素电极条和公共电极条，并且所述像素电极条和所述公共电极条都对应于所述第一上电极条和所述第二上电极条之间的区域。
例如，所述的制作方法还包括：形成包括凸起的第一绝缘层。在该方法中，形成所述下电极层包括形成第一下电极条和第二下电极条；所述第一下电极条包括形成在所述凸起上的第一凸起部，所述第一凸起部包括所述像素电极条；所述第二下电极条包括形成在所述凸起上的第二凸起部，所述第二凸起部包括所述公共电极条。
例如，所述的制作方法还包括：在形成所述上电极层之前，形成覆盖所述下电极层的第二绝缘层。在该方法中，所述第二绝缘层的上表面包括平面部分，所述平面部分至少对应于所述第一上电极条、所述第二上电极条、以及所述第一上电极条和所述第二上电极条之间的区域。
本公开的至少一个实施例一种显示装置，包括根据以上任一项所述的阵列基板。
在本公开的至少一个实施例中，由于在第一上电极条和第二上电极条之间设置沿第一、二电极条的延伸方向延伸的像素电极条和公共电极条，以形成横向的IPS电场，因而本公开实施例可以有效提升第一上电极条和第二上电极条之间区域的透过率；并且该结构依然具有ADS模式边缘电场较强的特点，因此整个显示装置的透过率可得到提升。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1为一种液晶显示装置的剖视示意图；
图2A为本公开实施例提供的阵列基板的剖视示意图；
图2B为本公开实施例提供的阵列基板的俯视示意图；
图2C为本公开实施例提供的阵列基板中上电极层的俯视示意图；
图3A为如图2A所示结构与如图1所示结构的电光特性曲线的对比图；
图3B为如图2A所示结构具有不同高度的凸起时的电光特性曲线对比图；
图4为本公开另一实施例提供的阵列基板的剖视示意图；
图5为本公开另一实施例提供的阵列基板的剖视示意图；
图6A为本公开再一实施例提供的阵列基板的剖视示意图；
图6B为本公开实施例再一实施例提供的阵列基板中上电极层的俯视示意图；
图7A至图7E为本公开实施例提供的阵列基板的制作方法中各步骤的示意图；
图8为本公开实施例提供的显示装置的剖视示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1为一种ADS模式液晶显示装置的剖视示意图。如图1所示，该液晶显示装置包括相对的基板01和02、以及位于二者之间的板状电极05、绝缘层48(例如栅绝缘层和钝化绝缘层)、多个条状电极06、配向膜09和液晶层03。板状电极05和条状电极06中的一个为公共电极且另一个为像素电极。在液晶显示装置的工作过程中，公共电极被施加公共电压，像素电极被施加像素电压，由于公共电压与像素电压之间存在电压差，从而公共电极与像素电极之间可形成边缘电场，该边缘电场可用于控制液晶层03中的液晶的偏转。
本申请的发明人在研究中注意到，在图1所示的ADS模式液晶显示装置在工作过程中，条状电极06边缘的电场强度最强，该位置处的透过率也相对最高，而在条状电极06之间的间隙的中间位置处电场较弱，特别是横向电场分量比较小，因此该位置处的透过率相对较低并且是ADS显示模式的显示弱区。
本公开实施例提供一种阵列基板、其制作方法、以及包括该阵列基板的显示装置。
在本公开的至少一个实施例中，如图2A、图4、图5和图6A所示，阵列基板包括衬底基板10、以及位于其上的上电极层60和下电极层50；上电极层60包括第一上电极条61和第二上电极条62；在垂直于衬底基板10的上表面10a的方向上，下电极层50包括与第一上电极条61和第二上电极条62都不交叠的部分，以在第一上电极条61和第二上电极条62中的每个与下电极层50之间形成边缘电场。而且，该阵列基板包括同层设置且相邻的像素电极条71和公共电极条72，像素电极条71和公共电极条72在工作时分别被施加像素电压和公共电压并且都对应于第一上电极条61和第二上电极条62之间的区域，以在第一上电极条61和第二上电极条62之间形成IPS电场。
在本公开实施例中，由于在第一上电极条61和第二上电极条62之间设置沿第一、二电极条的延伸方向延伸的像素电极条71和公共电极条72，以形成横向的IPS电场，因而本公开实施例可以有效提升相邻的第一上电极条61和第二上电极条62之间区域的透过率；并且该结构依然具有ADS模式边缘电场较强的特点，因此整个装置的透过率可得到提升。
例如，在本公开的至少一个实施例中，第一上电极条61和第二上电极条62之间区域的中心位置对应于像素电极条71和公共电极条72之间的区域，该中心位置到第一上电极条61和第二上电极条62的相互靠近的边缘61a、62a的距离相等。例如，第一上电极条61和第二上电极条62之间区域的中心位置对应于像素电极条71和公共电极条72之间区域的中心位置。这样有利于使像素电极条71和公共电极条72之间形成的IPS电场位于第一上电极条61和第二上电极条62之间区域的中部，从而更有利于提高透过率。
在本公开的实施例中，有以下几点需要说明。
第一，电极条是指电极的平面形状(即俯视形状)为条状。
第二，A对应于B是指在垂直于衬底基板10的上表面10a的方向上A与B之间有交叠部分。
第三，像素电极条71和公共电极条72相邻是指二者之间未设置其它像素电极或公共电极。
第四，本公开实施例中的上电极层60到阵列基板的衬底基板10的距离大于下电极层50到该衬底基板的距离10，即该衬底基板10作为参照底面。
第五，像素电极条71和公共电极条72同层设置是指二者并排位于同一层中，例如，在本公开的至少一个实施例中，像素电极条71和公共电极条72都位于同一透明导电层中(即都通过形成该透明导电层的薄膜形成)。例如，像素电极条71和公共电极条72都可以位于下电极层50中(参见图2A、图4和图5)，或者都位于上电极层60中(参见图6A)，或者位于其它透明导电层中。
在本公开实施例中，像素电极条71和公共电极条72位于阵列基板的用于透过成像光线的像素开口区，通过采用透明导电层制作像素电极条71和公共电极条72，可以避免影响显示效果。
例如，像素电极条71和公共电极条72都可以位于下电极层50中。一些示例具体说明如下。
例如，下电极层50包括第一下电极条51和第二下电极条52，并且在垂直于衬底基板10的上表面10a的方向上，第一下电极条51和第二下电极条52都包括与第一上电极条61和第二上电极条62都不交叠的部分，该部分用于与上电极层60之间形成边缘电场。例如，第一下电极条51对应于第一上电极条61以在二者之间形成边缘电场，并且第二下电极条52对应于第二上电极条62以在二者之间形成边缘电场。
例如，像素电极条71和公共电极条72可以分别为第一下电极条51和第二下电极条52的一部分(如图2A和图4所示)；或者，像素电极条71和公共电极条72都与第一下电极条51和第二下电极条52间隔开(如图5所示)。
例如，在本公开的至少一个实施例中，第一下电极条51为在工作时被输入像素电压的下像素电极条，第二下电极条52为在工作时被输入公共电压的下公共电极条，从而在二者之间可以形成IPS电场；第一上电极条61为在工作时被输入公共电压的上公共电极条，第二上电极条62为在工作时被输入像素电压的上像素电极条，从而在二者之间可以形成IPS电场。在本公开实施例中，上电极层60、下电极层50之间形成有边缘电场，并且上电极层60、下电极层50各自包括的电极条之间形成有IPS电场，这样更有利于提高透过率。
例如，在第一下电极条51为下像素电极条并且第二下电极条52为下公共电极条的情况下，第一下电极条51的一部分作为所述像素电极条71，第二下电极条52的一部分作为所述公共电极条72(如图2A和图4所示)。
例如，像素电极条71和公共电极条72也可以都位于上电极层60中并且与第一上电极条61和第二上电极条62都间隔开(如图6A所示)。
例如，在本公开的上述任一实施例中，上电极层60和下电极层50都可以为透明电极层，其材料都可以采用氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓锌或类似透明导电材料；或者，上电极层60和下电极层50都可以为金属电极层，在这种情况下，阵列基板例如可以用于反射式显示装置中。
下面结合附图，对本公开实施例提供的阵列基板、其制作方法和显示装置进行详细描述。
实施例一
在本公开实施例中，下电极层50包括第一下电极条51和第二下电极条52并且像素电极条71和公共电极条72分别作为第一下电极条51和第二下电极条52的一部分，并且第一下电极条51和第二下电极条52都包括相连的凸起部分和平坦部分。
如图2A至图2C所示，本公开实施例提供一种阵列基板100，其包括衬底基板10和依次位于衬底基板10上的下电极层50和上电极层60。
上电极层60包括第一上电极条61和第二上电极条62，第一上电极条61为上公共电极条，第二上电极条62为上像素电极条。例如，如图2C所示，上电极层60包括多个第一上电极条61、多个第二上电极条62、第一上连接部610和第二上连接部620，第一上连接部610沿该多个第一上电极条61的排列方向延伸并且与该多个第一上电极条61连接，第二上连接部620沿该多个第二上电极条62的排列方向延伸并且与该多个第二上电极条62连接。
下电极层50包括第一下电极条51和第二下电极条52。第一下电极条51为下像素电极条；在垂直于衬底基板10的上表面10a的方向上，第一下电极条51与第一上电极条61交叠并且第一下电极条51包括超出第一上电极条61的部分，以在二者之间形成边缘电场。类似地，第二下电极条52为下公共电极条，与第二上电极条62交叠并且包括超出第二上电极条62的部分以在二者之间形成边缘电场。在本公开实施例中，第一下电极条51与第二上电极条62由于在工作时都被施加像素电压而可以连接在一起，例如通过过孔连接；第二下电极条52与第一上电极条61由于在工作时都被施加公共电压而可以连接在一起，例如通过过孔连接。
如图2A和图2B所示，第一下电极条51的靠近第二下电极条52的部分作为像素电极条71，第二下电极条52的靠近第一下电极条51的部分作为公共电极条72，也就是说，像素电极条71和公共电极条72分别为下电极层50中的第一下电极条51和第二下电极条52的一部分。像素电极条71和公共电极条72都对应于第一上电极条61和第二上电极条62之间的区域，可以在对应于该区域的位置处形成IPS电场。
例如，第一上电极条61和第二上电极条62之间的区域的中心A位于像素电极条71和公共电极条72之间。这样有利于使像素电极条71和公共电极条72之间形成的IPS电场位于第一上电极条61和第二上电极条62之间区域的中部，从而有利于提高透过率。
例如，第一下电极条51包括凸向上电极层60的第一凸起部510以及与第一凸起部510连接且对应于第一上电极条61的平坦部分，第一凸起部510作为像素电极条71(像素电极条71从第一凸起部510的底端到其顶端)；第二下电极条52包括凸向上电极层60的第二凸起部520以及与第二凸起部520连接且对应于第二上电极条62的平坦部分，第二凸起部520作为公共电极条72(公共电极条72从第二凸起部520的底端到其顶端)。在阵列基板应用于液晶显示装置时，上电极层60和下电极层50位于液晶显示装置的液晶层的同一侧，由于第一凸起部510和第二凸起部520的存在，像素电极条71和公共电极条72到液晶层的距离更近，因而可以在对应于第一上电极条61和第二上电极条62之间区域位置处形成较强的横向电场，从而有效提升该位置处的透过率。此外，由于该结构依然具有ADS模式边缘电场较强的特点，因此整个显示装置的透过率都得到了提升。
例如，如图2A和图2B所示，阵列基板100还包括第一绝缘层40，其包括凸向上电极层60的凸起41(图2A中示出了3个凸起41)，该凸起41沿第一上电极条61和第二上电极条62之间的区域延伸并且包括两个倾斜的侧壁，该侧壁分别支撑第一凸起部510和第二凸起部520。例如，阵列基板可以包括薄膜晶体管、将该薄膜晶体管的栅极和有源层间隔开的栅绝缘层，该第一绝缘层可以为栅绝缘层，并且可以采用有机材料或无机材料或有机材料层与无机材料层的叠层制作。
本公开实施例通过使第一绝缘层40形成凸起41的方式抬高下电极层50包括的像素电极条71和公共电极条72。在本公开的其它实施例中，也可以通过其它方式抬高像素电极条71和公共电极条72。
例如，如图2A中的虚线所示，凸起41的中心与第一上电极条61和第二上电极条62之间区域的中心大致对应，并且相邻凸起41之间的间隙中心与相应的第一上电极条61或第二上电极条62的中心大致对应。例如，凸起41的截面形状为梯形。例如，该梯形的靠近上电极层50的上底与第一上电极条61和第二上电极条62之间区域的中心大致对应。这样有利于使分别沉积在凸起41两倾斜侧壁上的像素电极条71和公共电极条72形成的IPS电场对应于第一上电极条61和第二上电极条62之间区域的中心，从而有利于提高透过率。
例如，在凸起41的截面形状为梯形的情况下，像素电极条71和公共电极条72还可以包括形成在凸起41的顶部的部分，以获得更强的IPS电场。本公开实施例不限定凸起41的形状。例如，凸起41的剖面形状可以为半圆形、三角形或其它任意形状。
例如，如图2A所示，阵列基板100还可以包括位于下电极层50和上电极层60之间的第二绝缘层80，第二绝缘层80的上表面81包括平面部分，该平面部分至少对应于第一上电极条61、第二上电极条62、以及第一上电极条61和第二上电极条62之间的区域。通过形成该平面部分，有利于保证上、下电极层形成的电场的均匀性。
例如，第一凸起部510的顶端510a和第二凸起部520的顶端520a到上电极层60的下表面60a的距离d大于或等于1000埃。以图2A所示的结构为例，第二绝缘层80在凸起41的顶部对应的位置处的厚度大于或等于1000埃。这样有利于避免像素电极条71和公共电极条72影响上、下电极层之间形成的边缘电场。
下面结合TechWiz LCD软件对于本公开的至少一个实施例的模拟结果，对各电极层包括的电极的尺寸的示例进行说明。
示例1
如图2A所示，第一下电极条51和第二下电极条52的宽度W5＝7μm，第一下电极条51和第二下电极条52之间的距离W7＝1μm，第一上电极条61的宽度W61＝第二上电极条62的宽度W62＝2μm，第一上电极条61和第二上电极条62之间的距离W6＝6μm；梯形截面的凸起41的上底宽度D2、下底宽度D1和高度H(图2A中未标出D2、D1和H)分别为：D2＝1μm，D1＝2μm，H＝0.5μm。如图1所示的液晶显示装置作为对比项，如图1所示，条状电极06的宽度为2μm且条状电极06之间的距离为6μm。
在该示例中，如图2A所示结构与如图1所示结构的电光特性曲线(VT曲线)的对比曲线如图3A所示。从图3A可以看出，如图2A所示结构的透过率比如图1所示结构有明显提升，整个显示装置的透过率由0.333提高到0.36，提升幅度大约8％。
示例2
对于如图2A所示结构，W5＝7μm，W7＝1μm，W61＝W62＝2μm，W6＝6μm；D2＝1μm，D1＝2μm，H＝0.3～0.5μm。
在该示例中，如图2A所示结构具有不同高度的凸起时的电光特性曲线(VT曲线)如图3B所示。从图3B可以看出，随着凸起高度的提升，驱动电压略微下降，透过率略有上升，但差异不大。
实施例二
在本公开实施例中，下电极层50包括第一下电极条51和第二下电极条52，并且像素电极条71和公共电极条72分别为下电极层50的第一下电极条51和第二下电极条52的一部分。
如图4所示，下电极层50包括的第一下电极条51和第二下电极条52分别为下像素电极条和下公共电极条，上电极层60包括的第一上电极条61和第二上电极条62分别为上公共电极条和上像素电极条。本实施例与实施例一的主要区别在于：第一下电极条51和第二下电极条52不包括凸起部，即整个第一下电极条51和整个第二下电极条52都是平坦的；在该实施例中，第一下电极条51的靠近第二下电极条52的部分作为像素电极条71，第二下电极条52的靠近第一下电极条51的部分作为公共电极条72，像素电极条71和公共电极条72与第一、二下电极条并排位于同一层中并且像素电极条71和公共电极条72之间形成IPS电场。
实施例三
在本公开实施例中，如图5所示，下电极层50包括第一下电极条51、第二下电极条52并且还包括与第一、二下电极条都间隔开的像素电极条71和公共电极条72，整个像素电极条71和整个公共电极条72都对应于第一上电极条61和第二上电极条62之间的区域。
例如，下电极层50包括的第一下电极条51和第二下电极条52分别为下像素电极条和下公共电极条，上电极层60包括的第一上电极条61和第二上电极条62分别为上公共电极条和上像素电极条；或者，下电极层50包括的第一下电极条51和第二下电极条52都为下公共电极条，并且上电极层60的第一上电极条61和第二上电极条62都为上像素电极条；或者，下电极层50包括的第一下电极条51和第二下电极条52都为下像素电极条，并且上电极层60的第一上电极条61和第二上电极条62都为上公共电极条。这样，在上电极层60和下电极层50之间可以形成边缘电场。
实施例四
在本公开实施例中，下电极层50包括板状电极并且像素电极条71和公共电极条72都位于上电极层60中。
如图6A所示，下电极层50包括板状电极，上电极层60包括与该板状电极交叠的第一上电极条61和第二上电极条62。上电极层60还包括位于第一上电极条61和第二上电极条62之间且与二者之间形成间隙的像素电极条71和公共电极条72，以形成IPS电场。
例如，下电极层50包括的板状电极为像素电极并且上电极层60包括的第一、二上电极条为公共电极；或者，下电极层50包括的板状电极为公共电极并且上电极层60包括的第一、二上电极条为像素电极。这样可以在上、下电极层之间形成边缘电场。
由于第一、二上电极条都为像素电极或者都为公共电极，因此二者可以彼此连接。例如，如图6B所示，上电极层还包括上连接部65，上连接部65沿第一上电极条61和第二上电极条62的排列方向延伸并且与第一上电极条61和第二上电极条62连接。
例如，如图6B所示，在第一、二上电极条都为公共电极的情况下，公共电极条72也可以与上连接部65连接。例如，在第一、二上电极条都为像素电极的情况下，像素电极条72也可以与上连接部65连接。
例如，上电极层65可以包括多个像素电极条71以及连接部710，连接部710沿该多个像素电极条71的排列方向延伸并且与该多个像素电极条71连接。在这种情况下，如图6B所示，相邻的第一上电极条61和第二上电极条62之间设置有一组像素电极条71和公共电极条72。
在本公开实施例中，考虑到制作难度，像素电极条71的宽度、公共电极条72的宽度以及二者之间的距离不宜太小；此外，为了更好地提高第一上电极条61和第二上电极条62之间区域的透过率，像素电极条71和公共电极条72之间的距离也不宜太大。综合考虑，例如，像素电极条71的宽度、公共电极条72的宽度、以及像素电极条71与公共电极条72之间的距离之和与第一上电极条61和第二上电极条62之间的距离之比为1/4～1/3。
实施例五
本公开实施例提供一种阵列基板100的制作方法，以如图2A和图2B所示的阵列基板为例，该方法包括：在衬底基板10上形成下电极层50；形成位于下电极层50上方的上电极层60，使其包括第一上电极条61和第二上电极条62。在该方法中，在垂直于衬底基板10的上表面10a的方向上，下电极层50包括与第一上电极条61和第二上电极条62都不交叠的部分；阵列基板100包括由通过同一薄膜形成的像素电极条71和公共电极条72，并且像素电极条71和公共电极条72都对应于第一上电极条61和第二上电极条62之间的区域。
例如，该制作方法还可以包括形成包括凸起41的第一绝缘层40。在该方法中，形成下电极层50包括形成第一下电极条51和第二下电极条52；第一下电极条51包括形成在凸起41上的第一凸起部510，第一凸起部510包括像素电极条71；第二下电极条52包括形成在凸起41上的第二凸起部520，第二凸起部520包括公共电极条72。
例如，该制作方法还包括：在形成上电极层60之前，形成覆盖下电极层50的第二绝缘层80。在该方法中，第二绝缘层80的上表面81包括平面部分，该平面部分至少对应于第一上电极条61、第二上电极条62、以及第一上电极条61和第二上电极条62之间的区域。
例如，如图7A至图7E所示，如图2A和图2B所示的阵列基板的制作方法包括以下步骤S71至步骤S74。
步骤S71：如图7A所示，形成包括多个凸起41的第一绝缘层40。
步骤S72：如图7B所示，形成覆盖凸起41的下电极薄膜50’，并且对其进行图案化处理后形成如图7C所示的下电极层50，使下电极层50中相邻的第一下电极条51和第二下电极条52分别至少形成在同一凸起41的两个侧壁上，以得到像素电极条71和公共电极条72。
步骤S73：如图7D所示，形成覆盖下电极层50的第二绝缘层80。
步骤S74：如图7E所示，形成覆盖第二绝缘层80的上电极薄膜60’，并且对其进行图案化处理后形成如图2A和图2B所示的上电极层60，使像素电极条71和公共电极条72对应于上电极层包括的第一上电极条61、第二上电极条62之间的区域。
实施例六
本公开的至少一个实施例还提供一种显示装置，其包括根据以上任一项实施例所述的阵列基板100。
例如，如图8所示，本公开实施例的显示装置可以包括阵列基板100与对置基板200，阵列基板100与对置基板200彼此对置且通过封框胶以形成液晶盒，在液晶盒中设置有液晶层300并且在液晶层300两侧设置有配向膜09。该对置基板200例如为彩膜基板。阵列基板100的每个像素单元的像素电极用于施加电场以对液晶材料的旋转程度进行控制从而进行显示操作。在一些实施例中，该显示装置还包括为阵列基板100提供背光的背光源。
例如，该显示装置可以为：液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
有以下几点需要说明：(1)本公开实施例附图中，只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计；(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度并非按照实际比例绘制，而是被一定程度放大；(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
以上所述仅是本公开的示范性实施方式，而非用于限制本公开的保护范围，本公开的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (14)

1.一种阵列基板，包括：
衬底基板；
上电极层，其位于所述衬底基板上并且包括第一上电极条和第二上电极条；
下电极层，其位于所述衬底基板与所述上电极层之间，其中，在垂直于所述衬底基板的上表面的方向上，所述下电极层包括第一下电极条和第二下电极条，在垂直于所述衬底基板的上表面的方向上，所述第一下电极条对应于所述第一上电极条，所述第二下电极条对应于所述第二上电极条，所述第一下电极条和所述第二下电极条都包括与所述第一上电极条和所述第二上电极条都不交叠的部分，
其中，所述阵列基板包括同层设置的像素电极条和公共电极条，所述像素电极条和所述公共电极条都对应于所述第一上电极条和所述第二上电极条之间的区域。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一上电极条和所述第二上电极条之间的区域的中心位置对应于所述像素电极条和所述公共电极条之间的区域，所述中心位置到所述第一上电极条和所述第二上电极条的相互靠近的边缘的距离相等。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其中，
所述第一下电极条为下像素电极条，所述第二下电极条为下公共电极条；
所述第一上电极条为上公共电极条，所述第二上电极条为上像素电极条。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，
所述第一下电极条的一部分作为所述像素电极条，所述第二下电极条的一部分作为所述公共电极条。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，
所述第一下电极条包括凸向所述上电极层的第一凸起部，所述第一凸起部作为所述像素电极条；
所述第二下电极条包括凸向所述上电极层的第二凸起部，所述第二凸起部作为所述公共电极条。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，还包括：
第一绝缘层，其包括凸起，所述凸起支撑所述第一凸起部和所述第二凸起部。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，还包括位于所述下电极层和所述上电极层之间的第二绝缘层，
其中，所述第二绝缘层的上表面包括平面部分，所述平面部分至少对应于所述第一上电极条、所述第二上电极条、以及所述第一上电极条和所述第二上电极条之间的区域。
8.根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述第一凸起部的顶端和所述第二凸起部的顶端到所述上电极层的下表面的距离都大于或等于1000埃。
9.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其中，所述像素电极条和所述公共电极条位于所述下电极层中并且与所述第一下电极条和所述第二下电极条都间隔开。
10.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其中，所述像素电极条和所述公共电极条位于所述上电极层中并且与所述第一上电极条和所述第二上电极条都间隔开。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其中，所述像素电极条的宽度、所述公共电极条的宽度、以及所述像素电极条与所述公共电极条之间的距离之和与所述第一上电极条和所述第二上电极条之间的距离之比为1/4-1/3。
12.一种阵列基板的制作方法，包括：
在衬底基板上形成下电极层；
形成位于所述下电极层上方的上电极层，使其包括第一上电极条和第二上电极条，其中，在垂直于所述衬底基板的上表面的方向上，所述下电极层包括第一下电极条和第二下电极条，在垂直于所述衬底基板的上表面的方向上，所述第一下电极条对应于所述第一上电极条，所述第二下电极条对应于所述第二上电极条，所述第一下电极条和所述第二下电极条都包括与所述第一上电极条和所述第二上电极条都不交叠的部分，其中，所述阵列基板包括由通过同一薄膜形成的像素电极条和公共电极条，并且所述像素电极条和所述公共电极条都对应于所述第一上电极条和所述第二上电极条之间的区域；以及
形成包括凸起的第一绝缘层，其中，
形成所述下电极层包括形成所述第一下电极条和所述第二下电极条；所述第一下电极条包括形成在所述凸起上的第一凸起部，所述第一凸起部包括所述像素电极条；所述第二下电极条包括形成在所述凸起上的第二凸起部，所述第二凸起部包括所述公共电极条。
13.根据权利要求12所述的制作方法，还包括：
在形成所述上电极层之前，形成覆盖所述下电极层的第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层的上表面包括平面部分，所述平面部分至少对应于所述第一上电极条、所述第二上电极条、以及所述第一上电极条和所述第二上电极条之间的区域。
14.一种显示装置，包括根据权利要求1-11中任一项所述的阵列基板。
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