CN111708229A - 显示面板及显示装置 - Google Patents

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    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement

Abstract

本发明提供一种显示面板及显示装置，显示面板包括:相对设置的第一基板以及第二基板、至少两个第一电极、至少一个第二电极以及液晶分子。通过在所述第二电极与所述阵列基板之间设有一支撑块，进而将第二电极的高度拔高，在第一电极与第二电极通电的时候，异性电极产生的电场线会覆盖更多的液晶分子，因此改变了电场分布，增加了液晶偏转效率，提高的面板的穿透率。

Description

显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是一种应用于IPS-VA的显示面板及显示装置。
背景技术
随着液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)产品市场发展，根据市场高频率高速动画的电竞产品需求，对LCD显示技术要求越来越高，需要电子产品的快的刷新频率，则在液晶材料显示需求快速响应的液晶需求才能匹配到产品的需求，而在现有开发的情况下材料的响应时间有限，有必要开发新的显示模式来改善液晶的响应时间。图1为现如今开发的新的显示模式，在新的显示模式中，正负电极为水平电极；液晶偏转的时候，虽然显示液晶可以改善效应时间，然而相邻电极之间液晶无偏转，导致这些区域的液晶无法实现其功能，并且模拟结果显示穿透率有缺失(如图2所示标记区域10处，对应图1中的电极中间未偏转的区域)。
因此，急需提供一种显示面板及显示装置，改善面板部分区域的偏转效果不理想，进而提高部分区域的穿透率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种显示面板及显示装置，改善面板部分区域的偏转效果不理想，进而提高部分区域的穿透率。
为解决上述问题，本发明提供一种显示面板，包括:相对设置的第一基板以及第二基板；至少两个第一电极，设于所述第一基板上；至少一个第二电极，设于所述第一基板上且设于所述两个第一电极之间，所述第一电极与所述第二电极的极性不同；液晶分子，阵列式的设于所述第一基板以及所述第二基板之间；其中，在所述第二电极与所述第一基板之间设有一支撑块。
进一步地，所述支撑块的高度大于所述第一电极的高度。
进一步地，所述支撑块的材料包括色阻。
进一步地，所述液晶分子为PSVA。
进一步地，所述第一电极为正极或负极；所述第二电极为负极或正极。
进一步地，第一配向膜，设于所述第一基板、所述第一电极以及所述第二电极上；第二配向膜，设于所述第二基板朝向所述液晶分子的一侧。
进一步地，所述第一电极的材料为氧化铟锡；和\或，所述第二电极的材料为氧化铟锡。
进一步地，所述第一电极的宽度为2um～3um；和\或，所述第二电极的宽度为2um～3um；和\或，所述第一电极与所述第二电极的间距为7um～12um。
进一步地，所述支撑块的高度为0.5um～1.5um。
本发明还提供一种显示装置，包括前文所述的显示面板。
本发明的有益效果是：本发明提供一种显示面板及显示装置，通过在所述第二电极与所述阵列基板之间设有一支撑块，进而将第二电极的高度拔高，在第一电极与第二电极通电的时候，异性电极产生的电场线会覆盖更多的液晶分子，因此改变了电场分布，增加了液晶偏转效率，提高的面板的穿透率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的描述。
图1为现有技术显示面板液晶偏转的结构示意图。
图2为现有显示面板对应于图1不同位置的穿透率测量模拟曲线图。
图3为本发明提供的显示面板液晶偏转的结构示意图。
图4为本发明提供的显示面板采用不同高度的支撑块的穿透率的测量模拟曲线图。
图5为本发明还提供的显示装置的结构示意图。
显示面板100；显示装置200；
第一基板101；第二基板102；第一电极104；
第二电极105；液晶分子103；支撑块106；
下偏光片201；上偏光片202；钝化层107；
第一配向膜109；第二配向膜108。
具体实施方式
为了更好地理解本发明的内容，下面通过具体的实施例对本发明作进一步说明，但本发明的实施和保护范围不限于此。
以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
如图3所示，本发明提供一种显示面板100，包括:相对设置的第一基板101以及第二基板102、至少两个第一电极104、至少一个第二电极105以及液晶分子103。
所述第一基板101为阵列基板，所述第二基板102为彩膜基板。
所述第一电极104设于所述第一基板101上。
所述第二电极105设于所述第一基板101上且设于所述两个第一电极104之间，所述第一电极104与所述第二电极105的极性不同。因而可以产生电场，用以使液晶分子103可以进行偏转。
所述显示面板100还包括：钝化层107、第一配向膜109以及第二配向膜108。
所述钝化层107设于所述第一基板101上。
所述第一配向膜109设于所述第一基板101、所述第一电极104以及所述第二电极105上。
所述第二配向膜108设于所述第二基板102朝向所述液晶分子103的一侧。
所述第一电极104为正极或负极；所述第二电极105为负极或正极。
所述第一电极104的材料为氧化铟锡；和\或，所述第二电极105的材料为氧化铟锡。
所述第一电极104的宽度为2um～3um；和\或，所述第二电极105的宽度为2um～3um；和\或，所述第一电极104与所述第二电极105的间距为7um～12um。
所述第一电极104与所述第二电极105皆为像素电极。
所述液晶分子103阵列式地设于所述第一基板101以及所述第二基板102之间。所述液晶分子103为聚合物稳定的垂直排列液晶(PSVA)。
所述液晶分子103为椭圆状，其长轴与所述第一基板101以及所述第二基板102垂直。
在所述第二电极105与所述阵列基板之间设有一支撑块106。
所述支撑块106的高度大于所述第一电极104的高度。所述支撑块106的材料包括色阻。所述支撑块106的高度为0.5um～1.5um。
本发明通过在所述第二电极105与所述阵列基板之间设有一支撑块106，进而将第二电极105的高度拔高，在第一电极104与第二电极105通电的时候，异性电极产生的电场线会覆盖更多的液晶分子103，因此改变了电场分布(图3中的电场线分布)，增加了液晶偏转效率，提高面板的穿透率。
本发明显示面板的穿透率相较于现有显示面板的穿透率能够从14.5％提升到17.6％。而驱动电压(7V)从21.0％提升到23.1％(驱动电压10V)。
图4表示出本发明显示面板采用不同高度的支撑块106时其穿透率的测量模拟曲线图110、120、130，对比现有显示面板穿透率的测量模拟曲线图(虚线表示)，本发明显示面板在如图2所示的标记区域10的穿透率正常，可见图3中的对应图2标记区域10发生偏转。
曲线110对应支撑块106高度0.6um，曲线120对应支撑块106高度1um；曲线130对应支撑块106高度0.6um，曲线120对应支撑块106高度1.5um。
如图5所示，本发明还提供一种显示装置200，包括一显示面板100、上偏光片202以及下偏光片201，所述显示面板100设于所述上偏光片202以及所述下偏光片201之间。
所述显示面板100包括:相对设置的第一基板101以及第二基板102、至少两个第一电极104、至少一个第二电极105以及液晶分子103。
所述第一基板101为阵列基板，所述第二基板102为彩膜基板。
所述第一电极104设于所述阵列基板上。
所述第二电极105设于所述阵列基板上且设于所述两个第一电极104之间，所述第一电极104与所述第二电极105的极性不同。因而可以产生电场，用以使液晶分子103可以进行偏转。
所述第一电极104为正极或负极；所述第二电极105为负极或正极。
所述第一电极104的材料为氧化铟锡；和\或，所述第二电极105的材料为氧化铟锡。
所述第一电极104的宽度为2um～3um；和\或，所述第二电极105的宽度为2um～3um；和\或，所述第一电极104与所述第二电极105的间距为7um～12um。
所述液晶分子103阵列式地设于所述第一基板101以及所述第二基板102之间。所述液晶分子103为PSVA。
所述液晶分子103为椭圆状，其长轴与所述第一基板101以及所述第二基板102垂直。
在所述第二电极105与所述阵列基板之间设有一支撑块106。
所述支撑块106的高度大于所述第一电极104的高度。所述支撑块106的材料包括色阻。所述支撑块106的高度为0.5um～1.5um。
本发明通过在所述第二电极105与所述阵列基板之间设有一支撑块106，进而将第二电极105的高度拔高，在第一电极104与第二电极105通电的时候，异性电极产生的电场线会覆盖更多的液晶分子103，因此改变了电场分布(图3中的电场线分布)，增加了液晶偏转效率，提高的面板的穿透率。
应当指出，对于经充分说明的本发明来说，还可具有多种变换及改型的实施方案，并不局限于上述实施方式的具体实施例。上述实施例仅仅作为本发明的说明，而不是对本发明的限制。总之，本发明的保护范围应包括那些对于本领域普通技术人员来说显而易见的变换或替代以及改型。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括:
相对设置的第一基板以及第二基板；
至少两个第一电极，设于所述第一基板上；
至少一个第二电极，设于所述第一基板上且设于所述两个第一电极之间，所述第一电极与所述第二电极的极性不同；
液晶分子，阵列式的设于所述第一基板以及所述第二基板之间；
其中，在所述第二电极与所述第一基板之间设有一支撑块。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述支撑块的高度大于所述第一电极的高度。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述支撑块的材料包括色阻。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述液晶分子为PSVA。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电极为正极或负极；
所述第二电极为负极或正极。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
第一配向膜，设于所述第一基板、所述第一电极以及所述第二电极上；
第二配向膜，设于所述第二基板朝向所述液晶分子的一侧。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电极的材料为氧化铟锡；和\或，
所述第二电极的材料为氧化铟锡。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电极的宽度为2um～3um；和\或，
所述第二电极的宽度为2um～3um；和\或，
所述第一电极与所述第二电极的间距为7um～12um。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述支撑块的高度为0.5um～1.5um。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的显示面板。
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