JP5127485B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Description
象が抑制され、開口率が大きくて明るい表示が可能なIPS(In-Plane Switching)モー
ドの性質を兼ね備えたフリンジ・フィールド・スィッチング(Fringe Field Switching:
以下、「FFS」という。)モードの液晶表示装置に関する。
)モード、MVA(Multi-domain Vertical Alignment)モード等の縦電界方式のものが
多く使用されているが、一方の基板にのみ電極を備えた横電界方式の液晶表示装置も知ら
れている、この横電界方式の液晶表示装置のうち、IPSモードの液晶表示装置の動作原
理を図8及び図9を用いて説明する(下記特許文献1及び2参照)。
画素分の模式平面図である。図9は図8のIX−IX線に沿った断面図である。
を備えている。アレイ基板ARは、第1の透明基板51の表面にそれぞれ平行に複数の走
査線52及びコモン配線53が設けられ、これら走査線52及びコモン配線53に交差す
る方向に複数の信号線54が設けられている。そして、各画素の中央部にコモン配線53
から帯状に、例えば櫛歯状の対向電極(「共通電極」ともいわれる)55が設けられ、こ
の対向電極55の周囲を挟むように同じく櫛歯状の画素電極56が設けられている。そし
て、この対向電極55及び画素電極56の表面は例えば窒化硅素からなる保護絶縁膜57
及びポリイミド等からなる配向膜58によって被覆されている。
Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)が形成されている。このTFTは、走査線5
2と信号線54との間に半導体層59が配置され、半導体層59上の信号線部分がTFT
のソース電極Sを構成し、半導体層59の下部の走査線12部分がゲート電極Gを構成し
、また、半導体層59の一部分と重なる導電性層がドレイン電極Dを構成しており、この
ドレイン電極Dは画素電極56に接続されている。
、オーバーコート層62及び配向膜63が設けられた構成を有している。そして、アレイ
基板ARの画素電極56及び対向電極55とカラーフィルタ基板CFのカラーフィルタ層
61側とが互いに対向するようにアレイ基板AR及びカラーフィルタ基板CFを対向させ
る。次いで、アレイ基板ARとカラーフィルタ基板CFの間に液晶LCを封入すると共に
、両基板のそれぞれ外側に偏光板64及び65を偏光方向が互いに交差する方向となるよ
うに配置することにより、IPSモードの液晶表示装置50が形成される。
極55との間に電界を形成すると、水平方向に配向していた液晶が水平方向に旋回するこ
とによりバックライトからの入射光の透過量を制御することができる。このIPSモード
の液晶表示装置50は、広視野角で、高コントラストであるという長所があるが、対向電
極55がコモン配線53ないし走査線52と同じ金属材料で形成されるために開口率及び
透過率が低いという問題点が存在する。また、図示省略したが、画素電極56と対向電極
55とが平面視で重複していないため、従来の縦電界方式の液晶表示装置の場合と同様に
、別途各画素に保持容量を形成する必要があり、この保持容量形成部分によって開口度が
低下するという問題点も存在している。
発されている(下記特許文献3及び4参照)。このFFSモードの液晶表示装置の動作原
理を図10及び図11を用いて説明する。
1画素分の模式平面図である。図11は図10のXI−XI線に沿った断面図である。
を備えている。アレイ基板ARは、第1の透明基板71の表面にそれぞれ平行に複数の走
査線72及びコモン配線73が設けられ、これら走査線72及びコモン配線73に交差す
る方向に複数の信号線74が設けられている。そして、走査線72及び信号線74で区画
された領域のそれぞれを覆うようにコモン配線73に接続されたITO(Indium Tin Oxi
de)やIZO(indium Zinc Oxide)等からなる透明材料で形成された対向電極75が設
けられている。この対向電極75の表面に絶縁膜76を介してストライプ状に複数のスリ
ット77が形成されたITO等の透明材料からなる画素電極78が設けられている。そし
て、この画素電極78及び複数のスリット77部の表面は配向膜80により被覆されてい
る。
FTが形成されている。このTFTは、走査線72の表面に半導体層79が配置され、半
導体層79の表面の一部を覆うように信号線74の一部が延在されてソース電極Sを構成
し、半導体層79の下部の走査線部分がゲート電極Gを構成し、また、半導体層79の一
部分と重なる導電性層がドレイン電極Dを構成しており、このドレイン電極Dは画素電極
78に接続されている。
、オーバーコート層84及び配向膜85が設けられた構成を有している。そして、アレイ
基板ARの画素電極78及び対向電極75とカラーフィルタ基板CFのカラーフィルタ層
83とが互いに対向するように、アレイ基板AR及びカラーフィルタ基板CFを対向させ
る。次いで、アレイ基板ARとびカラーフィルタ基板の間に液晶LCを封入すると共に、
両基板のそれぞれ外側に偏光板86及び87を偏光方向が互いに直交する方向となるよう
に配置することにより、FFSモードの液晶表示装置70が形成される。
成すると、図11に示したように、この電界は画素電極78の両側で対向電極75に向か
う。そのため、スリット77に存在する液晶だけでなく画素電極78上に存在する液晶も
動くことができる。従って、FFSモードの液晶表示装置70は、IPSモードの液晶表
示装置50よりも広視野角かつ高コントラストであり、更に高透過率であるため明るい表
示が可能となるという特徴を備えている。加えて、FFSモードの液晶表示装置70は、
IPSモードの液晶表示装置50よりも平面視で画素電極78と対向電極75との重複面
積が大きいためにより大きな保持容量が副次的に生じ、別途補助容量線を設ける必要がな
くなるという長所も存在する。
。この焼き付きが生じる現象は、IPSモードの液晶表示装置の場合においてもFFSモ
ードの液晶表示装置の場合においても同様に生じる。しかしながら、上述のようなFFS
モードの液晶表示装置においては、焼き付き現象が従来のIPSモードの液晶表示装置に
比すると大きく表れることが見出されている。
する上電極が絶縁膜の表面に設けられているために段差が生じていることが挙げられる。
すなわち、IPSモードの液晶表示装置は、画素電極及び対向電極共に同一平面に形成さ
れているため、画素電極から液晶へ向かう電気力線の経路と液晶から対向電極へ向かう電
気力線の経路は対称となる。それに対し、FFSモードの液晶表示装置では、上電極から
液晶へ向かう電気力線の経路と液晶から下電極へ向かう電気力線の経路は非対称である。
この非対称性の存在に起因して直流成分が生じるため、FFSモードの液晶表示装置はI
PSモードの液晶表示装置よりも焼き付き現象が大きくなるのである。
焼き付き現象が少ないという特徴があるが、画素電極と対向電極とが平面視で重畳してい
ないために別途保持容量を形成する必要があるので、開口率が下がり、輝度が上がらない
という問題点が存在する。加えて、IPSモードの液晶表示装置は、画素電極及び対向電
極上の液晶がほとんど動かないため、この部分でも輝度低下を引き起こす。
ているところで容量が形成されるので、別途保持容量を形成する必要がなく、開口度を高
くできるので輝度を高くできる。しかも、FFSモードの液晶表示装置は、画素電極の表
面部分及びスリット部分の液晶も駆動されるため、より輝度が向上する。しかしながら、
FFSモードの液晶表示装置は、画素電極と対向電極との構成が非対称であるため、IP
Sモードの液晶表示装置と比すると焼き付き現象が生じやすく、また、保持容量は必ずし
も十分ではないので、フリッカも生じやすいという問題点が存在している。
ある。すなわち、本発明は、焼き付き現象やフリッカが生じ難く、開口率が大きくて明る
い表示が可能なIPSモードの性質を兼ね備えたFFSモードの液晶表示装置を提供する
ことを目的とする。
並んで形成されており、IPSモードの液晶表示装置の画素電極及び対向電極に対応する
。なお、本発明における「平行」とは、交差していなければ必ずしも完全に平行でなくて
もよく、「く」字状ないしジグザグ状のもの等も含む意味で用いられている。
方と、前記第2電極は前記第3電極及び第2電極の他方と、それぞれ平面視で重なるよう
に形成されており、しかも、前記第3電極は前記第1電極及び第2電極の他方と、前記第
4電極は前記第1電極及び第2電極の一方と、それぞれ電気的に接続されている。そのた
め、本発明の液晶表示装置においては、絶縁膜を介して平面視で重畳している2組の電極
対は互いにFFSモードの液晶表示装置の場合と同様の配置関係になり、同一平面で隣り
合う電極対はIPSモードの液晶表示装置の場合と同様の配置関係になる。
また、第3電極及び第4電極は、幅がそれぞれ第1電極及び第2電極よりも狭くされていることにより、IPSモードの液晶表示装置の特性が強く出現するので、明るさは暗くなるが、印加電圧が小さくてもすむようになる。しかも、この液晶表示装置を製造する際には、マスクずれに対する許容度が大きくなるので、製造し易くなる。
方は透明導電性材料で形成されていることが好ましい。
性材料されているため、特にバックライトからの光が遮光されることがなくなるので、明
るい表示の液晶表示装置が得られる。なお、本発明においては、第3電極及び第4電極共
に透明導電性材料で形成した方が好ましく、更に、第1電極及び第2電極は、金属材料で
形成をすることもができるが、明るい表示が得られるようにするためには透明導電性材料
で形成した方が好ましい。なお、透明導電性材料としては、ITOないしIZO等の周知
のものを使用し得る。
電極と第4電極は、それぞれ互いに櫛歯状に形成されていることが好ましい。
域とが細分化されるため、見かけ上1画素内で均質に液晶が駆動された状態となるので、
表示画質が向上する。
電極と第4電極は、それぞれ互いに前記一方の基板上に形成された走査線又は信号線に沿
って伸びた櫛歯状に形成されていることが好ましい。
構造及びIPS構造を形成することができるため、無駄なく開口率を大きくすることがで
きるようになる。
された平坦化膜の表面に形成されていることが好ましい。
スイッチング素子等の存在による凹凸が均されて平らになるため、セルギャップが均一化
される。そのため、係る態様の液晶表示装置によれば、表示画質が良好な液晶表示装置が
得られる。
は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示装置を例示するものであって、本発明
をこの液晶表示装置に特定することを意図するものではなく特許請求の範囲に含まれるそ
の他の実施形態のものにも等しく適応し得るものである。また、この明細書における説明
のために用いられた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさ
とするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比
例して表示されているものではない。
素分の概略平面図である。図2は図1のII−II線に沿った断面図である。図3は図1のII
I−III線に沿った断面図である。図4は第2の実施形態に係る液晶表示装置のカラーフィ
ルタ基板を透視して表した1画素分の概略平面図である。図5は図4のV−V線に沿った
断面図である。図6は第3の実施形態に係る液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視し
て表した1画素分の概略平面図である。図7は図6のVII−VII線に沿った断面図である。
この第1の実施形態の液晶表示装置10Aは、アレイ基板(第1基板)ARと、カラー
フィルタ基板(第2基板)CFとを備えている。アレイ基板ARは、ガラス基板等の第1
の透明基板11の表示領域の表面には、マトリクス状に複数の走査線12及び信号線13
が互いにゲート絶縁膜14で絶縁された状態で交差するように形成されており、更に、表
示領域の周縁部にはコモン配線(図示省略)が形成されている。これらの走査線12及び
信号線13で囲まれたそれぞれの領域が各画素(「サブ画素」ともいう)を形成する。ま
た、第1の透明基板11には画素毎にスイッチング素子として例えばTFTが形成されて
おり、このTFTを含む第1の透明基板11の表面全体に亘って例えば窒化ケイ素層ない
し酸化ケイ素層からなるパッシベーション膜15で被覆されている。
ており、この平坦化膜16及びパッシベーション膜15にはTFTのドレイン電極Dに対
応する位置に第1のコンタクトホール17が形成されている。そして、平坦化膜16の表
面には、それぞれの画素に離間領域20aを挟んで互いに信号線13に沿って延びた櫛歯
状の一対の第1の下電極18a及び第2の下電極18bが形成されている。この第1の下
電極18aは本発明の第3電極に対応し、第2の下電極18bは本発明の第4電極に対応
する。これらの一対の第1の下電極18a及び第2の下電極18bのうちの一方はアルミ
ニウム等の金属材料からなっていても良いが、開口率が大きくなるようにするため、少な
くとも一方はITOないしIZO等の透明導電性材料からなるものとすることが好ましい
。
極Dに電気的に接続され、第2の下電極18bは隣接する画素の第2の下電極を経て表示
領域の周縁部に形成されたコモン配線に電気的に接続されている。従って、第1の実施形
態の液晶表示装置10Aにおいては、第1の下電極18aは画素電極として機能し、第2
の下電極18bは対向電極として機能する。
表面全体に亘って窒化ケイ素層ないし酸化ケイ素層からなる絶縁膜19が形成されている
。この絶縁膜19の表面には、それぞれの画素に離間領域20bを挟んで互いに信号線1
3に沿って延びた櫛歯状の一対の第1電極21a及び第2電極21bが、それぞれ平面視
で第2の下電極18b及び第1の下電極18aと重畳するように、形成されている。なお
、この第1電極21a及び第2電極21bは、開口率を大きくして明るい表示ができるよ
うにするためにはITOないしIZO等の透明導電性材料で形成することが好ましいが、
アルミニウム等の金属材料で形成することもできる。
び第2電極21bの幅よりも広くなるように形成されている。このような構成とすると、
絶縁膜19の表面にフォトリソグラフィー法によって第1電極21a及び第2電極21b
を形成する際のマスクの位置ずれの許容度が大きくなるので、製造が容易となる。なお、
特に第1の下電極18a及び第2の下電極18bの幅を互いに変えること及び第1電極2
1a及び第2電極21bの幅を互いに変えることに利点はない。そのため、第1の下電極
18a及び第2の下電極18bの幅は互いに実質的に同じとなるようにし、第1電極21
a及び第2電極21bの幅も互いに実質的に同じとなるように形成するとよい。
に電気的に接続されているとともに、第1の下電極18aとも電気的に接続されている。
また、第2電極21bは、第2のコンタクトホール23を経て第2の下電極18bと電気
的に接続されている。従って、第1の実施形態の液晶表示装置10Aにおいては、第1電
極21aは画素電極として機能し、第2電極21bは対向電極として機能する。なお、画
素電極として機能する第1電極21aと平面視で重畳する電極は対向電極として機能する
第2の下電極18bであり、対向電極として機能する第2電極21bと平面視で重畳する
電極は画素電極として機能する第1の下電極18aとする必要がある。
び第2電極21bと第1の下電極18aとからなる対は、互いにFFSモードの液晶表示
装置の場合と同様の配置関係になる。また、同一平面で隣り合う第1電極21aと第2電
極21bとからなる対及び第1の下電極18aと第2の下電極18bとからなる対は、互
いにIPSモードの液晶表示装置の場合と同様の配置関係になる。なお、第1電極21a
及び第2電極21bのうちどちらを画素電極となるようにするか、及び、第1の下電極1
8aと第2の下電極18bのどちらを画素電極となるようにするかは任意である。しかし
ながら、平面視で絶縁膜19を介して重畳する電極対は互いに画素電極と対向電極の対と
なるようにする必要があり、同一平面で隣り合う電極対も互いに画素電極と対向電極の対
となるようにする必要がある。更に、第1電極21a及び第2電極21bの表面を含み、
表示領域全体に亘って第1の配向膜24が形成されている。
板25の表面に、アレイ基板ARの走査線12、信号線13、第1のコンタクトホール1
7、第2のコンタクトホール23及びTFTに対応する位置を被覆するように遮光膜26
が形成されている。更に、遮光膜26で囲まれた第2の透明基板25の表面には、所定の
色のカラーフィルタ層27が形成されている。また、遮光膜26及びカラーフィルタ層2
7の表面を被覆するようにオーバーコート層28が形成されている。そして、オーバーコ
ート層28の表面には第2の配向膜29が形成されている。
Fのカラーフィルタ層27とが互いに対向するように、アレイ基板ARとカラーフィルタ
基板CFが対向され、その間に液晶30が封入されている。更に、アレイ基板ARの外側
に第1の偏光板31及びバックライト装置(図示省略)が配置され、カラーフィルタ基板
CFの外側に第2の偏光板32が配置されて第1の実施形態の液晶表示装置10Aが完成
される。
置10Aは、第1電極21a及び第1の下電極18aが画素電極として機能し、第2電極
21b及び第2の下電極18bが対向電極として作動する。そして、第1電極21aと第
2の下電極18bとが平面視で絶縁膜19を介して重畳しており、第2電極21bと第1
の下電極18aとが平面視で絶縁膜19を介して重畳している。そのため、液晶表示装置
10Aが作動状態とされると、図3に示したように、第1電極21aと第2電極21bと
の間に電界E1が、第1電極21aと第2の下電極18bとの間には電界E2が印加され
る。更に、第1の下電極18aと第2電極21bとの間には前記電界E2とは逆方向の電
界E3が印加される。
図9に示した従来例のIPSモードの液晶表示装置50の場合と同様である。また、第1
電極21aと第2の下電極18bとの間に印加された電界E2による動作及び第1の下電
極18aと第2電極21bとの間に印加された電界E3による動作は、図9及び図11に
示した従来例のFFSモードの液晶表示装置70の場合と同様である。従って、第1の実
施形態の液晶表示装置10Aは、第1電極21aと第2電極21bとの間でIPSモード
の液晶表示装置として作動し、第1電極21aと第2の下電極18bとの間及び第2電極
21bと第1の下電極18aとの間でFFSモードの液晶表示装置として作動することに
なる。
b及び第2電極21bと第1の下電極18aとが共に平面視で絶縁膜19を介して重畳し
ているので、平面視で重なり合う2組の電極対のそれぞれにおいて容量が形成され、しか
もこれらの容量が並列に接続された状態となる。そのため、第1の実施形態の液晶表示装
置10Aでは、結果的に従来例のFFSモードの液晶表示装置よりも大きな保持容量が形
成されるので、別途保持容量を形成する必要がなくなるとともに、フリッカが少ない液晶
表示装置10Aが得られる。
置のように駆動されるため、IPSモードの液晶表示装置の場合よりも輝度が上昇する。
加えて、電極の対称性についてはIPSモード及びFFSモードの中間の構成となるから
、直流成分が発生することが低減され、焼き付き現象も改善される。従って、第1の実施
形態の液晶表示装置10Aによれば、IPSモード及びFFSモードの両者の利点を兼ね
備えた明るい表示の液晶表示装置が得られる。
18bの幅が第1電極21a及び第2電極21bの幅よりも広くなるように形成されてい
るため、FFSモードの特性が強く出るようになり、従来のIPSモードの液晶表示装置
の場合と比すると、印加電圧が高くなるが、明るい表示が可能となる。また、第1の実施
形態の液晶表示装置10Aにおいては、第1〜第4電極21a、21b、18a及び18
bがそれぞれ信号線13に沿って伸びる櫛歯状とされた例を示したが、走査線12に沿っ
て伸びる櫛歯状としても同様の作用効果を奏する。
次に、第2の実施形態の液晶表示装置10Bを図4及び図5を用いて説明する。なお、
図4及び図5においては、図1〜図3に示した第1の実施形態の液晶表示装置10Aと同
一の構成部分には同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。また、図4にお
ける図1のII−II線に対応する部分の断面図は、図2と同様であるので、図示省略した。
相違する点は、第1の下電極18a及び第2の下電極18bの幅が第1電極21a及び第
2電極21bの幅と実質的に同一となるようにした点である。このような構成の第2の実
施形態の液晶表示装置10Bによれば、第1電極21a及び第2電極21bをフォトリソ
グラフィー法により形成する際のマスクずれに対する許容度が小さくなるが、印加電圧は
低くてもすみ、しかも、全ての電極においてフリンジフィールドが発生するため、明るい
表示の液晶表示装置10Bが得られる。
次に、第3の実施形態の液晶表示装置10Cを図6及び図7を用いて説明する。なお、
図6及び図7においては、図1〜図3に示した第1の実施形態の液晶表示装置10Aと同
一の構成部分には同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。また、図6にお
ける図1のII−II線に対応する部分の断面図は、図2と同様であるので、図示省略した。
相違する点は、第1の下電極18a及び第2の下電極18bの幅が逆に第1電極21a及
び第2電極21bの幅よりも狭くなるようにした点である。このような構成の第3の実施
形態の液晶表示装置10Cによれば、IPSモードの液晶表示装置の特性が強く出現する
ので、明るさは暗くなるが、印加電圧が小さくてもすむようになる。しかも、第1電極2
1a及び第2電極21bをフォトリソグラフィー法により形成した際のマスクずれに対す
る許容度が大きくなるので、製造し易くなる。
8b及び第1電極21aと第2電極21bとして共に櫛歯状とした例を示したが、これら
の櫛歯状部分は必ずしも直線状となっている必要はない。すなわち、これらの櫛歯状部分
は、交差していなければ必ずしも完全に平行でなくても曲がっていてもよく、例えば互い
に「く」字状ないしジグザグ状に曲がっていても良い。このような構成とすると、得られ
る液晶表示装置の表示画質の視角依存性が低下する。
14:ゲート絶縁膜 15:パッシベーション膜 16:平坦化膜 17:第1のコンタ
クトホール 18a:第1の下電極(第3電極) 18b:第2の下電極(第4電極)1
9:絶縁膜 20a、20b:離間領域 21a:第1電極 21b:第2電極 23:
第2のコンタクトホール 24:第1の配向膜 25:第2の透明基板 26:遮光膜
27:カラーフィルタ層 28:オーバーコート層 29:第2の配向膜 30:液晶
31:第1の偏光板 32:第2の偏光板
Claims (5)
- 液晶層を挟持して対向配置された一対の基板を有する液晶表示装置において、
前記一対の基板の一方には、独立して駆動される画素が複数形成され、
前記各画素内に、離間領域を挟んで平行に並んで形成されている第1電極及び第2電極と、前記第1電極及び第2電極より基板側に絶縁層を介して、離間領域を挟んで平行に並んで形成されている第3電極及び第4電極とを備え、
前記第1電極は前記第3電極及び第4電極の一方と、前記第2電極は前記第3電極及び第4電極の他方と、それぞれ平面視で重なるように形成されており、
前記第1電極は前記第3電極及び第4電極の他方と、前記第2電極は前記第3電極及び第4電極の一方と、それぞれ電気的に接続され、
前記第3電極及び第4電極は、幅がそれぞれ前記第1電極及び第2電極よりも狭くされている液晶表示装置。 - 前記第3電極及び第4電極の少なくとも一方は透明導電性材料で形成されている請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第1電極と第2電極、及び、前記第3電極と第4電極は、それぞれ互いに櫛歯状に形成されている請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第1電極と第2電極、及び、前記第3電極と第4電極は、それぞれ互いに前記一方の基板上に形成された走査線又は信号線に沿って伸びた櫛歯状に形成されている請求項3に記載の液晶表示装置。
- 前記第3電極及び第4電極は前記各画素に形成された平坦化膜の表面に形成されている請求項1〜4の何れかに記載の液晶表示装置。
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