KR20130075528A - 박막 트랜지스터 액정표시장치 및 이의 제조방법 - Google Patents

박막 트랜지스터 액정표시장치 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 박막 트랜지스터 액정표시장치 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법은, 표시 영역과 비표시 영역으로 구분되는 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 금속막을 형성한 다음, 마스크 공정에 따라 표시 영역에 게이트 전극 및 게이트 배선을 형성하고, 비표시 영역에서는 게이트 패드를 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 등이 형성된 기판 상에 게이트 절연막, 채널층, 소스/드레인 전극, 데이터 배선 및 데이터 패드를 형성하는 단계; 상기 소스/드레인 전극이 형성된 기판 상에 제 1 보호막과 평탄막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 평탄막이 형성된 기판 상에 제 1 금속막 및 제 2 금속막을 형성하고, 하프톤 마스크 또는 회절마스크를 사용하는 마스크 고정에 따라 화소 영역에는 공통전극을 형성하고, 상기 소스/드레인 전극과 공통 배선 상에는 상기 공통전극과 일체로 형성된 확장부와 상기 확장부 상에 형성된 제 1 및 제 2 보조 공통배선을 형성하는 단계; 상기 공통 전극이 형성된 기판 상에 제 2 보호막을 형성한 다음, 상기 드레인 전극의 일부를 노출하는 콘택홀 공정을 진행하는 단계; 및 상기 콘택홀 공정을 진행한 기판 상에 투명성 도전물질로된 금속막을 형성한 다음, 마스크 공정에 따라 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

박막 트랜지스터 액정표시장치 및 이의 제조방법{THIN FILM TRANSISTOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
본 발명은 박막 트랜지스터 액정표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 컬럼스페이서의 유동을 방지하여 투과율을 개선한 박막 트랜지스터 액정표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
통상적으로 액정표시장치(Liquid Crystal Display)는 전계를 이용하여 유전 이방성을 갖는 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시한다. 액정표시장치는 주로 컬러필터 어레이가 형성되는 컬러필터 기판과 박막 트랜지스터(TFT: Thin Film Transistor) 어레이가 형성되는 박막 트랜지스터 어레이 기판이 액정을 사이에 두고 합착되어 형성된다.
최근에는 액정표시장치의 협소한 시야각 문제를 해결하기 위해 여러가지 새로운 방식을 채용한 액정표시장치가 개발되고 있다. 광시야각 특성을 갖는 액정표시장치는 횡전계 방식(IPS:in-plane switching mode), OCB 방식(optically compensated birefrigence mode) 및 FFS(Fringe Field Swithching) 방식 등이 있다.
이중 상기 횡전계 방식 액정표시장치는 화소 전극과 공통 전극을 동일한 기판 상에 배치하여 전극들 간에 수평 전계가 발생하도록 한다. 이로 인하여 액정 분자들의 장축이 기판에 대해서 수평 방향으로 배열되어 종래 TN(Twisted Nematic) 방식 액정표시장치에 비해 광시야각 특성이 있다.
또한, 종래 횡전계 방식 액정표시장치는 데이터 라인과 화소 영역에 형성되는 전극들 사이의 기생 커패시턴스를 줄이면서, 투과율을 개선하기 위해 포토아크릴(Photoacryl)과 같은 유기막을 기판의 전면에 형성하였다.
하지만, 박막 트랜지스터의 어레이 기판과 컬러필터기판을 합착할 때, 셀(Cell) 갭(Gap) 유지를 위해 형성하는 컬럼스페이서(Column Spacer)들이 시프트 되는 시프트(shift) 불량이 발생된다. 이와 같은, 컬럼스페이서의 시프트 불량은 두꺼운 유기막으로 인해 컬럼스페이서에 과도한 눌림 현상이 발생하기 때문이다.
상기와 같은 컬럼스페이서의 시프트 불량은 화소 영역의 배향막을 손상시켜 미세 휘점 불량을 야기한다(Red, Green or Blue eye 불량).
따라서, 상기와 같은 미세 휘점 불량을 가리기 위해서는 컬러필터기판에 형성되는 블랙매트릭스(Black Matrix)의 폭을 화소 영역까지 확장해야 하는데, 이로 인하여 화소 투과율이 감소한다.
본 발명은, 박막 트랜지스터 상의 평탄막 상에 컬럼스페이서의 유동을 방지하기 위한 유동방지부를 형성하여 컬럼스페이서의 시프트 불량을 방지한 박막 트랜지스터 액정표시장치 및 이의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은, 어레이 기판의 평탄막 상에 형성되는 공통전극 상에 보조공통배선을 형성하여, 공통전압 안정화를 구현한 박막 트랜지스터 액정표시장치 및 이의 제조방법을 제공하는데 다른 목적이 있다.
또한, 본 발명은, 박막 트랜지스터 상의 평탄막 상에 컬럼스페이서의 유동을 방지하기 위한 유동방지부를 형성함으로써, 컬러필터기판의 블랙매트릭스 폭을 줄일 수 있어 투과율을 개선할 수 있는 박막 트랜지스터 액정표시장치 및 이의 제조방법을 제공하는데 또 다른 목적이 있다.
상기와 같은 종래 기술의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 박막 트랜지스터 액정표시장치는, 기판; 상기 기판 상에 화소 영역을 정의하기 위해 교차배열된 게이트 배선과 데이터 배선; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차 영역에 배치되어 있는 스위칭 소자; 상기 화소 영역에 상기 데이터 배선과 평행한 방향하고, 상기 화소 영역의 중앙을 중심으로 상하 서로 대칭 구조를 갖는 공통 전극; 및 상기 공통 전극과 데이터 배선 상부에 각각 배치되는 화소 전극 및 쉴드패턴을 포함하고, 상기 공통 전극과 일체로 형성되며 상기 스위칭 소자의 상부와 게이트 배선 영역까지 확장된 확장부 형성되고, 상기 확장부 상에는 제 1 및 제 2 보조 공통배선들이 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법은, 표시 영역과 비표시 영역으로 구분되는 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 금속막을 형성한 다음, 마스크 공정에 따라 표시 영역에 게이트 전극 및 게이트 배선을 형성하고, 비표시 영역에서는 게이트 패드를 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 등이 형성된 기판 상에 게이트 절연막, 채널층, 소스/드레인 전극, 데이터 배선 및 데이터 패드를 형성하는 단계; 상기 소스/드레인 전극이 형성된 기판 상에 제 1 보호막과 평탄막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 평탄막이 형성된 기판 상에 제 1 금속막 및 제 2 금속막을 형성하고, 하프톤 마스크 또는 회절마스크를 사용하는 마스크 고정에 따라 화소 영역에는 공통전극을 형성하고, 상기 소스/드레인 전극과 공통 배선 상에는 상기 공통전극과 일체로 형성된 확장부와 상기 확장부 상에 형성된 제 1 및 제 2 보조 공통배선을 형성하는 단계; 상기 공통 전극이 형성된 기판 상에 제 2 보호막을 형성한 다음, 상기 드레인 전극의 일부를 노출하는 콘택홀 공정을 진행하는 단계; 및 상기 콘택홀 공정을 진행한 기판 상에 투명성 도전물질로된 금속막을 형성한 다음, 마스크 공정에 따라 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 박막 트랜지스터 액정표시장치 및 이의 제조방법은, 박막 트랜지스터 상의 평탄막 상에 컬럼스페이서의 유동을 방지하기 위한 유동방지부를 형성하여 컬럼스페이서의 시프트 불량을 방지한 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 액정표시장치 및 이의 제조방법은, 어레이 기판의 평탄막 상에 형성되는 공통전극 상에 보조공통배선을 형성하여, 공통전압 안정화를 구현한 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 액정표시장치 및 이의 제조방법은, 박막 트랜지스터 상의 평탄막 상에 컬럼스페이서의 유동을 방지하기 위한 유동방지부를 형성함으로써, 컬러필터기판의 블랙매트릭스 폭을 줄일 수 있어 투과율을 개선할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 액정표시장치의 화소 구조를 도시한 평면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조 공정을 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명에 따라 컬럼스페이서의 유동방지부가 컬럼스페이서의 시프트 불량을 방지하는 모습을 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 컬럼스페이서의 유동방지부로 인하여 화소 영역의 투과율이 개선된 모습을 도시한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예들은 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시 예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
또한, 실시예의 설명에 있어서, 각 패턴, 층, 막, 영역 또는 기판 등이 각 패턴, 층, 막, 영역 또는 기판 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다.
또한, 각 구성요소의 상, 옆 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 액정표시장치의 화소 구조를 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 박막 트랜지스터 액정표시장치의 어레이 기판은 복수개의 화소 영역이 형성되는 표시 영역과 패드 영역이 형성되는 비표시 영역으로 구분되고, 게이트 라인(101)과 데이터 라인(103)이 교차 배열되어 화소 영역(sub-pixel region)을 정의한다.
상기 게이트 라인(101)과 데이터 라인(103)이 교차되는 영역에는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(TFT)가 배치되어 있다. 박막 트랜지스터는, 상기 게이트 라인(101)보다 폭이 넓게 화소 영역 방향으로 인출된 게이트 전극(도 2a의 101a), 소스/드레인 전극 및 채널층(미도시)을 포함한다.
상기 화소 영역에는 플레이트(plate) 구조를 갖는 공통 전극(129)이 상기 데이터 라인(103)과 평행한 방향으로 배치되어 있다. 또한, 상기 공통 전극(129) 상에는 다수개의 슬릿바 구조로 형성된 화소 전극(150)이 교대로 배치되어 있다. 또한, 화소 영역의 둘레에는 상기 화소 전극(150)과 일체로 형성된 쉴드패턴(151)이 상기 데이터 라인(103)과 오버랩되도록 배치되어 있다.
상기 화소 전극(150)은 제 2 콘택홀(232)을 통해 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 전기적으로 접속된다.
또한, 본 발명의 공통 전극(129)과 화소 전극(150)은 상기 게이트 라인(101)과 평행한 화소 중심선을 중심으로 상기 데이터 라인(103) 방향을 따라 상하 대칭되게 절곡된 구조로 형성된다. 또한, 상기 화소 전극(150)과 공통 전극(129)은 화소 중심선을 중심으로 상하 방향으로 각각 소정의 각도를 갖도록 형성된다.
또한, 상기 공통 전극(129)은 사각형 플레이트(plate) 형태로 형성되어 있지만, 이는 고정된 것이 아니다. 따라서, 상기 화소 전극(150)과 같이 다수개의 슬릿바 구조로 형성될 수 있다.
특히, 본 발명의 공통 전극(129)은 박막 트랜지스터 영역까지 확장된 확장부(129a)가 형성되어 있는데, 상기 확장부(129a)는 게이트 배선(101)을 포함한 박막 트랜지스터 상부까지 확장될 수 있다.
또한, 본 발명에서는 공통 전극(129)에 공급되는 공통전압을 안정화시키기 위해 상기 게이트 배선(101)과 중첩되도록 제 1 및 제 2 보조 공통배선(152a, 152b)이 형성되어 있다.
상기 제 1 및 제 2 보조 공통배선(152a, 152b)들은 각각의 화소 영역에서 확장 형성된 공통전극(129)의 확장부(129a)와 직접적으로 콘택되어 있다. 특히, 제 1 및 제 2 보조 공통배선(152a, 152b)들은 공통전극(129)와 달리 저저항 불투명 금속으로 형성되기 때문에 화소 영역까지 공통 전압이 안정적으로 공급될 수 있다.
또한, 본 발명에서는 어레이 기판과 컬러필터기판(미도시) 합착시 셀갭(cell gap) 유지를 위해 배치되는 다수개의 컬럼스페이서들의 시프트(유동) 방지를 위해 박막 트랜지스터 상부에 유동방지부가 형성된다.
상기 유동방지부는 박막 트랜지스터 상부에 형성되는 공통 전극(129)의 확장부(129a)와, 확장부(129a) 상에 형성된 제1 및 제2 보조 공통배선들(152a, 152b)로 이루어진다.
따라서, 상기 컬러필터기판과 어레이 기판이 합착 될 때, 컬럼스페이서들은 박막 트랜지스터 상부에 형성되는 공통전극(129)의 확장부(129a)와, 제 1 및 제 2 보조 공통배선들(152a, 152b)의 유동방지부에 의해 화소 영역 방향으로 시프트되지 않는다.
도 1에 도시된 바와 같이, 셀 갭 유지를 위해 각 화소 영역의 박막 트랜지스터 상부에 위치하는 컬럼스페이서(CS)는 제 1 및 제 2 보조 공통배선(152a, 152b)들에 의해 박막 트랜지스터 영역에 위치하는 것을 볼 수 있다.
즉, 상기 공통전극(129)의 확장부(129a)와, 제 1 및 제 2 보조 공통배선들(152a, 152b)은 박막 트랜지스터 상부의 평탄막 상에 형성되고, 상기 제 1 및 제 2 보조 공통배선들(152a, 152b)은 확장부(129a)로부터 수직 방향으로 돌출되기 때문에 컬럼스페이서(CS)가 외력을 받더라도 제 1 및 제 2 보조 공통배선들(152a, 152b)에 의해 이동 영역이 제한된다. 이에 대한 구체적인 설명은 도 2a 내지 도 2c와 도 3을 참조한다.
또한, 액정표시장치의 게이트 패드 영역에는 상기 게이트 라인(101)으로부터 연장된 게이트 패드(110)가 형성되고, 상기 게이트 패드(110) 상에는 제 1 콘택홀(231)을 통해 서로 전기적으로 콘택된 게이트 패드 콘택전극(310)이 형성된다.
또한, 액정표시장치의 데이터 패드 영역에는 상기 데이터 라인(103)으로부터 연장된 데이터 패드(120)가 형성되고, 상기 데이터 패드(120) 상에는 제 3 콘택홀(233)을 통해 서로 전기적으로 콘택된 데이터 패드 콘택전극(320)이 형성된다.
상기와 같이, 본 발명에서는 어레이 기판과 컬러필터기판 합착시 컬럼스페이서들이 눌림 현상으로 인하여 컬럼스페이서가 화소 영역으로 시프트되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에서는 어레이 기판의 박막 트랜지스터 상부에 컬럼스페이서들을 특정 영역에만 고정될 수 있도록 유동방지부가 형성되기 때문에 이와 대응되는 영역의 컬러필터기판 상에 형성되는 블랙매트릭스의 폭을 줄여 화소 투과율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에서는 공통전극 상에 게이트 배선과 오버랩되도록 저저항 금속으로된 제 1 및 제 2 보조 공통배선들을 형성하기 때문에 안정된 공통 전압을 화소 영역에 공급할 수 있다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조 공정을 도시한 도면이다.
도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 투명성 절연물질로 된 하부기판(100) 상에 금속막을 스퍼터링 방식으로 증착한 다음, 제 1 마스크 공정에 따라 표시 영역인 화소 영역에 게이트 전극(101a)을 형성하고, 비표시 영역인 패드 영역에 게이트 패드(110)를 형성한다.
제 1 마스크 공정에서는 증착된 금속막 상에 감광성 물질인 감광막(photo resist)을 형성한 다음, 마스크를 이용하여 노광 및 현상 공정으로 감광막 패턴을 형성하고, 감광막 패턴을 마스크로 하여 식각 공정을 진행한다.
상기와 같이, 제 1 마스크 공정에서는 게이트 전극(101a) 및 게이트 패드(110) 뿐 아니라 게이트 라인(도 1의 도면부호 101)도 함께 형성된다.
상기 제 1 마스크 공정에서 형성하는 금속막은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 이들의 조합으로부터 형성되는 합금 또는 투명성 도전물질인 ITO, IZO 및 ITZO 중 적어도 하나 이상을 적층하여 형성할 수 있다.
도면에서는 게이트 전극(101a)과 게이트 패드(110)가 두 개의 금속층이 적층된 구조로 형성되어 있지만, 이것은 고정된 것이 아니므로 단일 금속층 또는 3개 이상의 금속층으로 적층하여 형성할 수 있다.
상기와 같이, 게이트 전극(101a) 등이 하부 기판(100) 상에 형성되면, 게이트 절연막(102), 비정질 실리콘막 및 도핑된 비정질 실리콘막(n+ 또는 p+)으로 구성된 반도체층과 소스/드레인 금속막을 순차적으로 형성한 다음, 회절마스크 또는 하프톤 마스크를 이용한 제 2 마스크 공정을 진행한다.
제 2 마스크 공정에 따라 게이트 전극(101a) 상부에 채널층(114)과 소스/드레인 전극(117a, 117b)으로 구성된 박막 트랜지스터가 완성되고, 게이트 라인과 교차하는 데이터 라인(103)과 패드 영역에는 데이터 패드(120)가 형성된다.
상기 회절마스크 또는 하프톤 마스크를 이용하여 채널층(114)과 소스/드레인 전극(117a, 117b)이 동시에 형성되기 때문에 상기 데이터 라인(103)과 데이터 패드(120) 하부에는 채널층패턴(114a)이 남아 있다.
상기 소스/드레인 금속막은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 이들의 조합으로부터 형성되는 합금 중 어느 하나를 이용할 수 있다. 또한, ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명성 도전물질을 사용할 수 있다. 또한, 도면에서는 단일 금속막으로 형성되어 있지만 경우에 따라서는 적어도 2개 이상의 금속막들을 적층하여 형성할 수 있다.
상기와 같이, 소스/드레인 전극(117a, 117b)이 형성되면, 상기 하부기판(100) 전면에 제1 보호막(119)을 형성한 다음, 도 2b에 도시된 바와 같이, 제 1 보호막(119) 상에 포토아크릴과 같은 유기물질로된 평탄막(250)을 형성한다.
상기와 같이, 하부기판(100)의 전면에 평탄막(250)이 형성되면, 하부기판(100)의 전면에 투명성 도전물질(ITO, IZO, ITZO)로된 제1 금속막과 불투명 금속으로된 제 2 금속막을 순차적으로 형성한다. 상기 제 1 금속막 상에 적층되는 제 2 금속막은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 이들의 조합으로부터 형성되는 합금일 수 있다.
상기와 같이, 하부기판(100)의 평탄막(250) 상에 제 1 및 제 2 금속막이 형성되면, 회절마스크 또는 하프톤 마스크를 이용한 제 3 마스크 공정에 따라 식각 공정을 진행하여, 화소 영역에 공통전극(129)을 형성하고, 박막 트랜지스터와 게이트 배선 영역에 공통전극(129)과 일체로 형성된 확장부(129a)를 형성한다.
또한, 상기 도 1의 게이트 배선(101)과 오버랩되면서 소정 거리 이격된 제 1 및 제 2 보조 공통배선(152a, 152b)을 형성한다. 상기 제 1 및 제 2 보조 공통배선들(152a, 152b)은 상기 공통 전극(129)의 확장부(129a) 상에 직접 콘택된 구조로 형성된다.
특히, 본 발명에서는 박막 트랜지스터 상부의 평탄막(250) 상에 형성된 확장부(129a)와, 제 1 및 제 2 보조 공통배선들(152a, 152b)은 컬럼스페이서(CS)의 유동을 방지하기 위한 유동방지부로 기능한다.
또한, 상기 제 1 및 제 2 보조 공통배선(152a, 152b)은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 이들의 조합으로부터 형성되는 합금과 같이 저저항 금속으로 형성되기 때문에 화소 영역까지 공통 전압이 안정적으로 공급될 수 있다.
즉, 상기 공통전극(129)을 저항이 큰 투명성 도전물질로 형성할 경우, 구동부에서 공급되는 공통 전압이 높은 저항으로 인하여, 각각의 화소 영역까지 안정된 공통 전압을 공급할 수 없다.
하지만, 본 발명에서는 화소 영역의 개구 영역에 형성된 공통전극(129)을 제외하고, 비개구 영역에 형성되는 공통전극(129)의 확장부(129a)에 저저항 금속으로된 보조 공통배선들이 형성되어 있어, 안정적으로 공통 전압을 공급할 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 보조 공통배선들(152a, 152b)은 제 3 마스크 공정에서 1차적으로 공통전극(129)과 확장부(129a)가 패터닝되고, 상기 확장부(129a) 상에 적층되었던 제 2 금속막이 2차 식각되면서 형성된다.
상기와 같이, 하부기판(100) 상에 공통전극(129)과 컬럼스페이서의 유동방지부가 형성되면, 도 2c에 도시한 바와 같이, 하부기판(100)의 전면에 제 2 보호막(139)을 형성하고, 제 4 마스크 공정에 따라 게이트 패드(110) 영역에 제 1 콘택홀(231), 박막 트랜지스터의 드레인 전극(117b) 영역에 제 2 콘택홀(232), 데이터 패드(120) 영역에 제 3 콘택홀(233)을 형성한다.
그런 다음, 하부기판(100)의 전면에 투명성 도전물질(ITO, IZO, ITZO)로 금속막을 형성한 다음, 제 5 마스크 공정에 따라 제 2 보호막(139) 상에 화소 전극(150)과 쉴드패턴(151), 게이트 패드(110)와 전기적으로 콘택되는 게이트 패드 콘택전극(310) 및 데이터 패드(120)와 전기적으로 콘택되는 데이터 패드 콘택전극(320)을 형성한다.
도면에 도시된 바와 같이, 박막트랜지스터 상부의 평탄막(250) 상에 형성된 컬럼스페이서의 유동방지부는 확장부(129a) 상에 형성된 제 1 및 제 2 보조 공통배선들(152a, 152b)이 돌출부 역할을 하여 컬럼스페이서(CS)가 제 1 및 제 2 보조 공통배선들(152a, 152b) 외측으로 이동하는 것을 방지한다.
본 발명에 따른 박막 트랜지스터 액정표시장치 및 이의 제조방법은, 박막 트랜지스터 상의 평탄막 상에 컬럼스페이서의 유동을 방지하기 위한 유동방지부를 형성하여 컬럼스페이서의 시프트 불량을 방지한 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 액정표시장치 및 이의 제조방법은, 어레이 기판의 평탄막 상에 형성되는 공통전극 상에 보조공통배선을 형성하여, 공통전압 안정화를 구현한 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 액정표시장치 및 이의 제조방법은, 박막 트랜지스터 상의 평탄막 상에 컬럼스페이서의 유동을 방지하기 위한 유동방지부를 형성함으로써, 컬러필터기판의 블랙매트릭스 폭을 줄일 수 있어 투과율을 개선할 수 있는 효과가 있다.
도 3은 본 발명에 따라 컬럼스페이서의 유동방지부가 컬럼스페이서의 시프트 불량을 방지하는 모습을 도시한 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 어레이 기판 상에는 셀 합착 공정시 셀갭 유지를 위해 배치되는 컬럼스페이서가 화소 영역으로 밀려 이동(shift)하지 않도록 박막 트랜지스터의 상부에 컬럼스페이서의 유동방지부가 형성되어 있다.
상기 유동방지부는 공통전극의 확장부(129a)와 공통전압 안정화를 위해 게이트 배선과 중첩되도록 형성한 제 1 및 제 2 보조 공통배선들(152a, 152b)로 구성된다.
도면에 도시된 바와 같이, 컬럼스페이서(CS)가 모두 컬럼스페이서의 유동방지부 영역에 고정되어 있고, 제 1 및 제 2 보조 공통배선들(152a, 152b)이 컬럼스페이서(CS)가 유동되지 않도록 소정 높이의 턱 역할을 하고 있다.
따라서, 본 발명에서는 종래 기술에서와 같이 셀 합착 공정에서 컬럼스페이서의 눌림 현상으로 인하여 화소 영역의 가장자리 영역까지 컬럼스페이서가 밀려나가지 않아 화소 영역의 배향막 손상을 방지할 수 있다.
도 4는 본 발명의 컬럼스페이서의 유동방지부로 인하여 화소 영역의 투과율이 개선된 모습을 도시한 도면으로서, 실질적으로 도 4는 도 1의 박막 트랜지스터 영역을 확대한 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 화소 영역의 박막 트랜지스터 영역에는 공통전극(129)으로부터 확장된 확장부(129a)와, 상기 확장부(129a) 상에 형성되며 게이트 배선(101)과 중첩되도록 형성된 제 1 및 제 2 보조 공통배선들(152a, 152b)이 형성되어 있다.
어레이 기판과 컬러필터기판의 합착시, 셀갭 유지를 위한 컬럼스페이서(CS)가 제 1 및 제 2 보조 공통배선들(152a, 152b) 사이에 고정되어 있음을 볼 수 있다.
따라서, 종래 컬럼스페이서의 시프트 불량을 가리기 위해 컬러필터기판 상에 형성된 블랙매트릭스를 화소 영역의 일부까지 확장하였으나, 본 발명에서는 컬럼스페이서의 유도방지부에 의해 게이트 배선(101)과 대응되는 영역까지 블랙매트릭스(BM)의 폭을 줄일 수 있다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에서는 컬럼스페이서가 컬럼스페이서의 유동방지부에 의해 박막 트랜지스터 상에만 존재하기 때문에 블랙 매트릭스의 폭을 게이트 라인(101)과 박막 트랜지스터의 전극영역까지로 줄인 것을 볼 수 있다.(본 발명의 BM: ━). 이로 인하여, 화소 투과율이 종래보다 증가한다.
본 발명에 따른 박막 트랜지스터 액정표시장치 및 이의 제조방법은, 박막 트랜지스터 상의 평탄막 상에 컬럼스페이서의 유동을 방지하기 위한 유동방지부를 형성하여 컬럼스페이서의 시프트 불량을 방지한 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 액정표시장치 및 이의 제조방법은, 어레이 기판의 평탄막 상에 형성되는 공통전극 상에 보조공통배선을 형성하여, 공통전압 안정화를 구현한 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 액정표시장치 및 이의 제조방법은, 박막 트랜지스터 상의 평탄막 상에 컬럼스페이서의 유동을 방지하기 위한 유동방지부를 형성함으로써, 컬러필터기판의 블랙매트릭스 폭을 줄일 수 있어 투과율을 개선할 수 있는 효과가 있다.
100: 하부기판 102: 게이트 절연막
114: 채널층 117a: 소스 전극
117b: 드레인 전극 119: 제 1 보호막
250: 평탄막 129: 공통전극
129a: 확장부 152a: 제 1 보조 공통배선
152b: 제 2 보조배선 150: 화소전극

Claims (11)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 화소 영역을 정의하기 위해 교차배열된 게이트 배선과 데이터 배선;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차 영역에 배치되어 있는 스위칭 소자;
    상기 화소 영역에 상기 데이터 배선과 평행한 방향하고, 상기 화소 영역의 중앙을 중심으로 상하 서로 대칭 구조를 갖는 공통 전극; 및
    상기 공통 전극과 데이터 배선 상부에 각각 배치되는 화소 전극 및 쉴드패턴을 포함하고,
    상기 공통 전극과 일체로 형성되며 상기 스위칭 소자의 상부와 게이트 배선 영역까지 확장된 확장부 형성되고, 상기 확장부 상에는 제 1 및 제 2 보조 공통배선들이 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 공통전극과 공통 전극의 확장부는 상기 스위칭 소자 상에 형성되어 있는 평탄막 상에 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 스위칭 소자 상부에 형성된 상기 공통전극의 확장부와, 제 1 및 제 2 보조 공통배선들은 셀갭 유지를 위해 위치하는 컬럼스페이서의 유동을 방지하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 보조 공통배선은 상기 게이트 배선과 서로 오버랩되면서 평행하게 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 보조 공통배선은 상기 공통전극과 일체로 형성된 확장부와 직접 콘택되어 화소 영역에 공급되는 공통전압을 안정화시키는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치.
  6. 표시 영역과 비표시 영역으로 구분되는 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 금속막을 형성한 다음, 마스크 공정에 따라 표시 영역에 게이트 전극 및 게이트 배선을 형성하고, 비표시 영역에서는 게이트 패드를 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극 등이 형성된 기판 상에 게이트 절연막, 채널층, 소스/드레인 전극, 데이터 배선 및 데이터 패드를 형성하는 단계;
    상기 소스/드레인 전극이 형성된 기판 상에 제 1 보호막과 평탄막을 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 평탄막이 형성된 기판 상에 제 1 금속막 및 제 2 금속막을 형성하고, 하프톤 마스크 또는 회절마스크를 사용하는 마스크 고정에 따라 화소 영역에는 공통전극을 형성하고, 상기 소스/드레인 전극과 공통 배선 상에는 상기 공통전극과 일체로 형성된 확장부와 상기 확장부 상에 형성된 제 1 및 제 2 보조 공통배선을 형성하는 단계;
    상기 공통 전극이 형성된 기판 상에 제 2 보호막을 형성한 다음, 상기 드레인 전극의 일부를 노출하는 콘택홀 공정을 진행하는 단계; 및
    상기 콘택홀 공정을 진행한 기판 상에 투명성 도전물질로된 금속막을 형성한 다음, 마스크 공정에 따라 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 확장부와 제 1 및 제 2 보조 공통 배선은 직접 콘택되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제 1 금속막은 ITO, ITZO 및 IZO 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 제 2 금속막은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 이들의 조합으로부터 형성되는 합금 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 보조 공통배선은 상기 게이트 배선과 서로 오버랩되면서 평행하게 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법.
  11. 제6항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극 상부의 평탄막 상에 확장부와 제 1 및 제 2 보조 공통배선은 셀갭 유지를 위해 위치하는 컬럼스페이서의 유동을 방지하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9477122B2 (en) 2014-01-20 2016-10-25 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR20170070413A (ko) * 2015-12-14 2017-06-22 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판
CN107656402A (zh) * 2017-09-25 2018-02-02 惠科股份有限公司 显示面板及显示面板的制作方法
KR20180047558A (ko) * 2016-10-31 2018-05-10 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20180066621A (ko) * 2016-12-09 2018-06-19 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
CN109254447A (zh) * 2018-11-14 2019-01-22 成都中电熊猫显示科技有限公司 液晶显示面板、显示装置及液晶显示面板的制造方法
US10209585B2 (en) 2016-08-01 2019-02-19 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and method of manufacturing the same

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9477122B2 (en) 2014-01-20 2016-10-25 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR20170070413A (ko) * 2015-12-14 2017-06-22 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판
US11092857B2 (en) 2015-12-14 2021-08-17 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate
US11899319B2 (en) 2015-12-14 2024-02-13 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate including multi-level transparent electrodes having slits
US10209585B2 (en) 2016-08-01 2019-02-19 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and method of manufacturing the same
KR20180047558A (ko) * 2016-10-31 2018-05-10 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20180066621A (ko) * 2016-12-09 2018-06-19 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
CN107656402A (zh) * 2017-09-25 2018-02-02 惠科股份有限公司 显示面板及显示面板的制作方法
CN107656402B (zh) * 2017-09-25 2020-09-11 惠科股份有限公司 显示面板及显示面板的制作方法
CN109254447A (zh) * 2018-11-14 2019-01-22 成都中电熊猫显示科技有限公司 液晶显示面板、显示装置及液晶显示面板的制造方法

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