CN104765207A - 像素结构及具有该像素结构的液晶显示器 - Google Patents

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Abstract

本发明一方面提供了一种像素结构，其设置于一阵列基板上，且由一个或两个薄膜晶体管器件控制，所述像素结构包括若干凸起结构、若干突起状电极及一底部电极，所述突起状电极制作于所述凸起结构上，所述底部电极位于所述凸起结构下方，制作于所述凸起结构上的突起状电极之间产生水平电场，所述底部电极与制作于所述凸起结构上的突起状电极之间产生侧向水平电场。本发明还提供一种具有上述像素结构的液晶显示器。本发明的像素结构及具有该像素结构的液晶显示器可以减小竖直电场的分量和增大水平电场的目的，从而提升FFS和IPS模式的穿透率或者液晶的响应速度，更减弱了正性液晶的站立趋势。

Description

像素结构及具有该像素结构的液晶显示器
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，尤其是涉及一种像素结构及一种具有该像素结构的液晶显示器。
背景技术
随着液晶显示技术的不断发展，液晶显示装置如液晶显示面板(Lightemitting diode panel)作为显示部件已经广泛应用于移动电话、数码相机、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)等电子产品中。所述液晶显示装置大多具有上下两个光线透过的基板，即一上基板和一下基板，在该下基板上形成的电极阵列包括栅线及与该栅线垂直的数据线，所述栅线与数据线的交叉点位置有一薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)装置，其可将栅线的信号传输至像素电极上。下基板的像素区域包括公共电极和像素电极，该公共电极与像素电极位于同一面上。该上基板与下基板之间注有液晶，其在像素电极区域随电场的作用而移动。
现有的液晶显示器大多存在响应速度慢，可视角度小等问题，为了解决扭转向列型的窄视角问题，大多采用IPS(In-Plane Switching，平面转换)模式的液晶显示器及FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关)模式的液晶显示器，二者具有广视角等优点。然而，IPS模式和FFS模式的液晶显示装置在产生水平电场的同时，也会产生一个竖直方向的电场分量，而且像素电极与公共电极之间的电位差越大，该竖直方向的电场分量也会随之增大，如此会大大降低IPS模式和FFS模式的穿透率或响应时间，不能满足用户的使用要求。
发明内容
本发明提供一种像素结构及具有该像素结构的液晶显示器，其可减小竖直方向的电场分量同时增大水平方向的电场，提升IPS模式和FFS模式的穿透率或响应时间，满足了用户的使用要求。
本发明一方面提供了一种像素结构，设置于一阵列基板上，且由一个或两个薄膜晶体管器件控制，所述像素结构包括若干凸起结构、若干突起状电极及一底部电极，所述突起状电极制作于所述凸起结构上，所述底部电极位于所述凸起结构下方，制作于所述凸起结构上的突起状电极之间产生水平电场，所述底部电极与制作于所述凸起结构上的突起状电极之间产生侧向水平电场。
其中，每个所述像素结构由两个薄膜晶体管器件控制，每个突起状电极包括一第一像素电极及一第二像素电极，所述第一像素电极及所述第二像素电极提供有相对于所述底部电极电压极性相反的电压，且所述第一像素电极及所述第二像素电极分别制作于不同的凸起结构上形成了对应的突起状电极，或者，所述第一像素电极与第二像素电极制作于同一个凸起结构上，且该第一像素电极与所述第二像素电极之间间隔一预定的距离。
其中，每一所述突起状电极包括一像素电极和/或一公共电极，所述像素电极的位置对应于所述凸起结构的位置，且该像素电极制作于所述凸起结构的外表面上，所述公共电极的位置对应于所述凸起结构的位置，且该公共电极制作于对应的所述凸起结构的外表面上。
其中，所述像素电极与公共电极以及所述凸起结构均由氧化铟锡或者IXO系列的导电性物质制成，同一个像素电极制作于同一个凸起结构上形成一突起状电极，且同一个公共电极制作于同一个凸起结构上形成一突起状电极。
其中，所述凸起结构由树脂类聚合物、overcoat和SiNx系列中的任意一种制成，所述像素电极与所述公共电极由氧化铟锡或者IXO系列的导电性物质，且所述像素电极及所述公共电极同时制作于对应的同一个凸起结构的外表面上，且该像素电极与所述公共电极之间间隔有一预定的距离。
其中，所述像素电极及所述公共电极同时制作于对应的同一个凸起结构的外表面上，该像素电极与所述公共电极之间间隔有一预定的距离，且所述公共电极与位于所述凸起结构下方的公共电极电性连接，或者，所述像素电极及所述公共电极同时制作于对应的同一个凸起结构的外表面上，且该像素电极与所述公共电极之间间隔有一预定的距离，且所述像素电极与位于所述凸起结构下方的像素电极电性连接。
其中，所述凸起结构整体呈圆台状，其截面为梯形，该凸起结构的底面位于所述阵列基板上，或者，所述凸起结构整体为截面呈等腰三角形的直三棱柱，且该凸起结构的一个侧面位于所述阵列基板上。
其中，所述凸起结构的形状为圆台状、截面呈等腰三角形的直三棱柱、半椭圆形、半圆形及平行四边形中的任意一种。
其中，所述凸起结构的高度为大于等于1微米且小于等于5微米，所述凸起结构的倾斜角为大于等于15度且小于等于80度。
本发明另一方面提供了一种液晶显示器，其包括阵列基板及彩色滤光片，所述彩色滤光片位于所述阵列基板的一侧，并对准所述阵列基板，所述液晶显示器还包括上述的像素结构，所述像素结构位于所述阵列基板与所述彩色滤光片基板之间。
相较于现有技术，在本发明实施例的像素结构及液晶显示器中，由上述像素电极及公共电极等突起状电极与所述凸起结构设置布局可知，由于该像素电极及公共电极分别制作于对应的凸起结构上，且该凸起结构下方设有底部电极，基于此设计和布局，不但减小了该像素电极及公共电极的水平方向的面积，增大了斜向或者竖直方向的面积，而且对制作于凸起结构上的突起状电极与所述底部电极的信号进行不同定义，使得该凸起结构上的电极之间存在IPS/FIS模式的水平电场，凸起结构上的突起状电极与所述底部电极之间存在FFS模式的侧向水平电场，从而实现减小竖直电场的分量和增大水平电场的目的，从而提升FFS和IPS/FIS模式的穿透率或者液晶的响应速度，更减弱了正性液晶的站立趋势。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的液晶显示器的一种像素结构的示意图。
图2为本发明的实施例的液晶显示器的沿线I-I的截面结构示意图。
图3为本发明的像素结构的凸起结构的另一形状示意图。
图4为发明的液晶显示器的凸起结构的突起状电极之间形成IPS显示以及突起状电极与底部电极之间形成FFS显示的示意图。
图5为本发明的液晶显示器的另一种像素结构的示意图。
图6为本发明的液晶显示器的又一种像素结构的示意图。
图7为本发明另一实施例的液晶显示器一种像素结构的示意图。
图8为图7所示的像素结构的凸起结构的另一形状示意图。
图9为图7所示的液晶显示器的另一种像素结构的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
此外，以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明中所提到的方向用语，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等，仅是参考附加图式的方向，因此，使用的方向用语是为了更好、更清楚地说明及理解本发明，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸地连接，或者一体地连接；可以是机械连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。若本说明书中出现“工序”的用语，其不仅是指独立的工序，在与其它工序无法明确区别时，只要能实现该工序所预期的作用则也包括在本用语中。另外，本说明书中用“～”表示的数值范围是指将“～”前后记载的数值分别作为最小值及最大值包括在内的范围。在附图中，结构相似或相同的单元用相同的标号表示。
请参阅图1及图2，图1为本发明的液晶显示器的一种像素结构的示意图，图2为本发明的实施例的液晶显示器的沿线I-I的截面结构示意图。如图1及图2所示，所述液晶显示器100包括背光模组10、阵列基板30、CF(color filter，即彩色滤光片)基板50及位于所述阵列基板30与所述CF基板50之间的液晶70与若干像素结构80。在本发明的实施例中，所述液晶显示器100及所述像素结构80可以应用于电子纸、液晶电视、移动电话、数码相框、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
在本发明的实施例中，所述背光模组10为该触摸面板100的关键零组件之一，其用于提供充足的亮度与分布均匀的光源，以使得所述触摸面板100可以正常显示影像。所述阵列基板30为TFT(thin film transistor，薄膜晶体管)阵列基板，其设置所述背光模组10上。该阵列基板30可产生控制所述液晶70的移动电场。在本发明的实施例中，所述阵列基板30包括第一表面31及与该第一表面31平行的第二表面33，该第一表面31正对并贴紧所述背光模组10。
所述CF基板50对准所述阵列基板30相对于所述背光模组10的一侧(即该阵列基板30的第二表面33)，该CF基板50是一种表现颜色的光学滤光片，其可通过精确选择预通过波段范围的光波，并反射掉其他不希望通过的波段范围的光波。在本发明的实施例中，所述CF基板50包括第一表面51及与该第一表面51平行的第二表面53，所述第一表面51为所述CF基板50的正面，其正对所述阵列基板30的第二表面33。所述第二表面53为该CF基板30的背面。
所述液晶70位于所述阵列基板30与所述CF基板50之间，具体地，该液晶位于所述阵列基板30的第二表面33与所述CF基板50的第一表面51之间。所述液晶70可在所述阵列基板30与所述CF基板50之间随着电场的作用而移动，所述背光模组10发出的光线可透过该液晶层照射到所述CF基板50上。
若干所述像素结构80排列设置于所述阵列基板30的第二表面33上，如图2所示，在本发明的实施例中，每一像素结构80包括两个数据线(Data)81、两个扫描线(Gate)82、凸起结构83、像素电极(pixel electrode)84及共用电极85，且每个像素结构80中由一个薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)器件(图未示)进行控制。
在本发明的实施例中，两个所述数据线81位于所述阵列基板30的第二表面33上，二者相互平行且间隔一定的距离(可设定该数据线81的方向为水平方向)，两个所述扫描线82位于所述阵列基板30的第二表面33上，二者相互平行且间隔一定的距离(可设定该扫描线82的为垂直方向)，并与所述数据线81垂直。所述数据线81与所述扫描线82垂直相交，从而形成了一电极阵列，且二者的交叉点位置设有一个TFT器件，该TFT器件可将该扫描线82上的信号传输至所述像素电极84上，具体为，该数据线81用于传送灰度信号，所述扫描线82用于传输扫描信号。
所述凸起结构83排列于所述阵列基板30的第二表面33上，在本发明的实施例中，所述凸起结构83整体大致呈圆台状，其截面为梯形，该凸起结构83的底面位于所述阵列基板30的第二表面33上。该凸起结构83可由透明绝缘体制作而成，具体地，该凸起结构83可由芳香族聚合物和脂肪族等树脂类聚合物、OC(overcoat，其为一种感光性树脂薄膜)、SiNx系列等材料制成。较佳地，所述凸起结构83的高度为1～5微米(μm)(即大于等于1微米且小于等于5微米)，该凸起结构83的倾斜角α(即圆台状凸起结构83的梯形截面的底角)为15～80度(即大于等于15度且小于等于80度)。
可以理解，该凸起结构83的形状并不局限于圆台状，在本发明的其他实施例中，该凸起结构83还可为其他形状。请参阅图3，图3为本发明的像素结构的凸起结构的另一形状示意图。如图3所示，所述凸起结构83整体大致呈三棱柱状，较佳地，该凸起结构83的形状为截面为等腰三角形的直三棱柱，且该凸起结构83的一个侧面位于所述阵列基板30的第二表面33上。此外，该凸起结构83的该可为半椭圆形、半圆形、平行四边形等形状。
较佳地，所述凸起结构83的高度为1～5微米(μm)，该凸起结构83的倾斜角α(即圆台状凸起结构83的正三角形的内角)为15～80度。
在本发明的实施例中，所述像素电极84的位置对应于所述凸起结构83的位置，且该像素电极84制作于所述凸起结构83的外表面上。该像素电极84用于根据灰度信号驱动像素。较佳地，所述像素电极84可由具有良好透明性的导电性物质制成，较佳地，该像素电极84可为ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)或者IXO系列的导电性物质，其可以使用溅射和化学气相沉积等方法制备而成。因此，所述像素电极84与所述凸起结构83由不同的材料制成，同一个像素电极84制作于同一个凸起结构83上形成一突起状电极。可以理解，所述凸起结构83也可以采用与所述像素电极84相同的材料制成，即，该凸起结构83可由ITO或者IXO系列的导电性物质制成，则此时，所述凸起结构83与突起状电极构成一个整体。
在本发明的实施例中，所述公共电极85的位置对应于所述凸起结构83的位置，且该公共电极85制作于对应的所述凸起结构83的外表面上。该公共电极85用于向像素提供共电极电压。较佳地，所述公共电极85可由具有良好透明性的导电性物质制成，较佳地，该公共电极85可为ITO或者IXO系列的导电性物质，其可以使用溅射和化学气相沉积等方法制备而成。因此，所述公共电极85与所述凸起结构83由不同的材料制成，且同一个公共电极85制作于同一个凸起结构83上形成一突起状电极。可以理解，所述凸起结构83也可以采用与所述公共电极85相同的材料制成，即，该凸起结构83可由ITO或者IXO系列的导电性物质制成，则此时，所述凸起结构83与突起状电极构成一个整体。
请参阅图4，图4为发明的液晶显示器的凸起结构的突起状电极之间形成IPS显示以及突起状电极与底部电极之间形成FFS显示的示意图。由上述像素电极84及公共电极85与所述凸起结构83设置布局可知，由于该像素电极84及公共电极85分别制作于对应的凸起结构83上，且该凸起结构83下方设有底部电极，该底部电极在本发明中可设置为公共电极85，基于此设计布局，不但减小了该像素电极84及公共电极85的水平方向的面积，增大了斜向或者竖直方向的面积，而且对制作于凸起结构83上的像素电极54及公共电极85与所述底部电极的信号进行不同定义，使得该凸起结构83上的电极之间存在IPS模式的水平电场，凸起结构83上的电极与所述底部电极之间存在FFS模式的侧向水平电场，从而实现减小竖直电场的分量和增大水平电场的目的，从而提升FFS和IPS模式的穿透率或者响应时间。
请参阅图5，图5为本发明的液晶显示器的另一种像素结构的示意图。如图5所示，为了便于说明和描述，在本发明的实施例中，组成该实施例的像素结构810的构成与所述图1至图4所示的像素结构80的构成相同，本实施例的像素结构810包括两个数据线(Data)81、两个扫描线(Gate)82、凸起结构83、像素电极(pixel electrode)84及共用电极85，且每个像素结构80中由一个薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)器件(图未示)进行控制。本实施例中以圆台状的凸起结构83为例加以说明，但并不局限于该圆台状，例如，还可为截面为等腰三角形的直三棱柱。
本实施例的像素结构810与上述图1至图4所示的像素结构100的不同之处在于：同一个凸起结构83上制作有不同种类的突起状电极，且不同种类的突起状电极之间间隔一预定的距离，即，所述像素电极84及所述公共电极85同时制作于对应的同一个凸起结构83的外表面上，且该像素电极84与所述公共电极85之间间隔有一预定的距离，则该凸起结构83采用与所述像素电极84及公共电极85不同的材料制成。
请参阅图6，图6为本发明的液晶显示器的又一种像素结构的示意图。如图6所示，为了便于说明和描述，在本发明的实施例中，组成该实施例的像素结构820的构成与所述图1至图5所示的像素结构80及810的构成相同，本实施例的像素结构820包括两个数据线(Data)81、两个扫描线(Gate)82、凸起结构83、像素电极(pixel electrode)84及共用电极85，且每个像素结构80中由一个薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)器件(图未示)进行控制。本实施例中以圆台状的凸起结构83为例加以说明，但并不局限于该圆台状，例如，该凸起结构83还可为截面为等腰三角形的直三棱柱。
本实施例的像素结构820与上述图1至图5所示的像素结构80及810的不同之处在于：同一个凸起结构83上制作有不同种类的突起状电极，且不同种类的突起状电极之间间隔一预定的距离，即，所述像素电极84及所述公共电极85同时制作于对应的同一个凸起结构83的外表面上，且该像素电极84与所述公共电极85之间间隔有一预定的距离，且所述公共电极85与所述底部电极(如图6所示的位于所述凸起结构83下的公共电极85)电性连接，而且该凸起结构83采用与所述像素电极84及公共电极85不同的材料制成。
请参阅图7及图8，图7为本发明另一实施例的液晶显示器一种像素结构的示意图，图8为图7所示的像素结构的凸起结构的另一形状示意图。如图7及图8所示，为了便于说明和描述，在本发明的实施例中，组成该实施例的像素结构830的构成与所述图1至图6所示的像素结构80、810及820的构成基本相同，本实施例的像素结构830包括两个数据线(Data)81、两个扫描线(Gate)82、凸起结构83、第一像素电极(pixel electrode)84a、第二像素电极84b及共用电极85。本实施例的像素结构830与上述图1至图6所示的像素结构80、810及820的不同之处在于：每个像素结构80中由两个薄膜晶体管(thin filmtransistor，TFT)器件(图未示)进行控制，所述第一像素电极84a及第二像素电极84b加载或提供有相对于公共电极85电压极性相反的电压，且二者分别制作于不同的凸起结构83上形成了突起状电极，即所述第一像素电极84a制作于一凸起结构83上，所述第二像素电极84b制作于另一个凸起结构83。本实施例中以圆台状的凸起结构83为例加以说明，但并不局限于该圆台状，例如，该凸起结构83还可为截面为等腰三角形的直三棱柱。
请参阅图9，图9为图7所示的液晶显示器的另一种像素结构的示意图。图9所示的像素结构840的构成与所述图7及图8所示的像素结构830的构成相同。其不同之处在于：同一个凸起结构83上具有两个极性相反的像素电极，以形成了突起状电极，且极性相反的像素电极之间间隔一预定的距离，即，所述第一像素电极84a与第二像素电极84b制作于同一个凸起结构83上，且该第一像素电极84a与所述第二像素电极84b之间间隔一预定的距离。
上述图1至图6中的各个实施例中的说明、描述以及所述凸起结构83与制作于该凸起结构83上的突起状电极(即像素电极84和/或公共电极85)关系均适用于图7至图9所示的像素结构830及840。在上述实施例的像素电极830及840中，由于第一像素电极84a和第二像素电极84b上加载或提供有相对于公共电极85电压极性相反的电压，当第一像素电极84a和第二像素电极84b制作于同一个凸起结构83或不同的凸起结构83上时，则该凸起结构83之前存在FIS模式的电场，而且凸起结构83与所述底部电极(即公共电极85)之间存在FFS模式的电场，进而可实现减小竖直电场的分量和增大水平电场的目的。
可以理解，本发明的上述各个实施例中，所述像素电极84及所述公共电极85的位置及定义可以互换。
综上所述，在本发明实施例的像素结构及液晶显示器中，由上述像素电极84及公共电极85等突起状电极与所述凸起结构83设置布局可知，由于该像素电极84及公共电极85分别制作于对应的凸起结构83上，且该凸起结构83下方设有底部电极，基于此设计和布局，不但减小了该像素电极84及公共电极85的水平方向的面积，增大了斜向或者竖直方向的面积，而且对制作于凸起结构83上的突起状电极与所述底部电极的信号进行不同定义，使得该凸起结构83上的电极之间存在IPS/FIS模式的水平电场，凸起结构83上的突起状电极与所述底部电极之间存在FFS模式的侧向水平电场，从而实现减小竖直电场的分量和增大水平电场的目的，从而提升FFS和IPS/FIS模式的穿透率或者液晶的响应速度，更减弱了正性液晶的站立趋势。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种像素结构，设置于一阵列基板上，且由一个或两个薄膜晶体管器件控制，其特征在于，所述像素结构包括若干凸起结构、若干突起状电极及一底部电极，所述突起状电极制作于所述凸起结构上，所述底部电极位于所述凸起结构下方，制作于所述凸起结构上的突起状电极之间产生水平电场，所述底部电极与制作于所述凸起结构上的突起状电极之间产生侧向水平电场。
2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，每个所述像素结构由两个薄膜晶体管器件控制，每个突起状电极包括一第一像素电极及一第二像素电极，所述第一像素电极及所述第二像素电极提供有相对于所述底部电极电压极性相反的电压，且所述第一像素电极及所述第二像素电极分别制作于不同的凸起结构上形成了对应的突起状电极，或者，所述第一像素电极与第二像素电极制作于同一个凸起结构上，且该第一像素电极与所述第二像素电极之间间隔一预定的距离。
3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，每一所述突起状电极包括一像素电极和/或一公共电极，所述像素电极的位置对应于所述凸起结构的位置，且该像素电极制作于所述凸起结构的外表面上，所述公共电极的位置对应于所述凸起结构的位置，且该公共电极制作于对应的所述凸起结构的外表面上。
4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极与公共电极以及所述凸起结构均由氧化铟锡或者IXO系列的导电性物质制成，同一个像素电极制作于同一个凸起结构上形成一突起状电极，且同一个公共电极制作于同一个凸起结构上形成一突起状电极。
5.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述凸起结构由树脂类聚合物、overcoat和SiNx系列中的任意一种制成，所述像素电极与所述公共电极由氧化铟锡或者IXO系列的导电性物质，且所述像素电极及所述公共电极同时制作于对应的同一个凸起结构的外表面上，且该像素电极与所述公共电极之间间隔有一预定的距离。
6.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极及所述公共电极同时制作于对应的同一个凸起结构的外表面上，该像素电极与所述公共电极之间间隔有一预定的距离，且所述公共电极与位于所述凸起结构下方的公共电极电性连接，或者，所述像素电极及所述公共电极同时制作于对应的同一个凸起结构的外表面上，且该像素电极与所述公共电极之间间隔有一预定的距离，且所述像素电极与位于所述凸起结构下方的像素电极电性连接。
7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述凸起结构整体呈圆台状，其截面为梯形，该凸起结构的底面位于所述阵列基板上，或者，所述凸起结构整体为截面呈等腰三角形的直三棱柱，且该凸起结构的一个侧面位于所述阵列基板上。
8.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述凸起结构的形状为圆台状、截面呈等腰三角形的直三棱柱、半椭圆形、半圆形及平行四边形中的任意一种。
9.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述凸起结构的高度为大于等于1微米且小于等于5微米，所述凸起结构的倾斜角为大于等于15度且小于等于80度。
10.一种液晶显示器，其包括阵列基板及彩色滤光片，所述彩色滤光片位于所述阵列基板的一侧，并对准所述阵列基板，其特征在于，所述液晶显示器还包括如权利要求1至9任意一项所述的像素结构，所述像素结构位于所述阵列基板与所述彩色滤光片基板之间。
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