CN1815536A - 显示装置及其驱动方法 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置及其控制方法，能提高显示装置的显示品质。该显示装置的像素包括发光元件、开关元件，该开关元件是向该发光元件提供电源的开关元件，由第1开关元件和第2开关元件构成，这些第1开关元件和第2开关元件，随着数据信号向像素内的输入，一个变为正偏压状态，另一个变为反偏压状态，并且，该偏压状态按照该数据信号的时序性输入，在该第1开关元件和第2开关元件之间交替切换，经由第1或第2开关元件向该发光元件提供电源。

Description

显示装置及其驱动方法
技术领域
本发明涉及显示装置及其驱动方法，例如有机EL显示装置及其驱动方法。
背景技术
有源矩阵型有机EL显示装置，由扫描信号选择在例如x方向并列设置的各像素，依照选择的定时向各像素提供数据信号。
进而，在被提供了数据信号的像素中，由电容元件存储该数据信号，由其所存储的电荷驱动开关元件(驱动开关元件)，通过该驱动开关元件，向有机EL元件提供电源。
该开关元件，通常是一个像素使用一个，但是，如例如下述各专利文献所示那样使用了多个开关元件的像素也已为人们所知。
这里，专利文献1公开了实现像素亮度均匀化的技术。专利文献2公开了将多个像素视为一个像素使用而实现冗余性的技术。专利文献3公开了即使发生对准偏移也能使寄生电容的总量恒定的技术。
[专利文献1]日本特开2003-84689号公报
[专利文献2]日本特开2001-202032号公报
[专利文献3]日本特开平8-328038号公报
发明内容
但是，上述那样构成的显示装置，因为在其动作中驱动开关元件总是被驱动，所以，产生了其Vth(阈值电压)发生变化这样的所谓Vth漂移。
尤其是在使用了N沟道型的元件作为驱动开关元件的情况下，由该Vth漂移造成的不良非常显著。
另外，在为驱动构成有源矩阵型有机EL显示装置的各像素的有机EL元件的驱动开关元件的情况下，该Vth漂移导致流过的电流的大小或流过的时间发生变化，因此有不能得到所要的亮度的可能性。
另外，该驱动开关元件，通常形成在像素区域的一部分上，为了确保足够的光量，形成驱动开关元件的区域受到限制，从而不能充分确保其迁移率。
尤其是在使用例如非晶硅作为驱动开关元件的半导体层的情况下，因为与使用多晶硅的情况相比，迁移率低，所以，需要提高其迁移率的对策。
本发明就是基于这样的情况而做出的，其目的在于，提供一种显示装置，通过控制驱动开关元件的Vth漂移，使得从各像素发出所要光量的光。
另外，本发明的另一目的在于，提供一种显示装置，在驱动开关元件中确保了足够的电流量以驱动有机EL元件得到预定的发光量，抑制了整个画面上的亮度不均。
以下，简单地说明本申请所公开的发明中有代表性的发明的概要。
(1)本发明的显示装置，例如，像素至少具有发光元件、开关元件，该开关元件是用于经由该开关元件向该发光元件提供电源的元件，由第1开关元件和第2开关元件构成，
该第1开关元件和第2开关元件，随着数据信号向像素内的输入，一个变为正偏压状态，另一个变为反偏压状态，并且，该偏压状态按照该数据信号的时序性输入，在该第1开关元件和第2开关元件之间交替切换，
经由第1开关元件和第2开关元件中的任意一个开关元件向该发光元件提供电源。
(2)本发明的显示装置，例如，以(1)的结构为前提，第1开关元件和第2开关元件的偏压状态的切换，是按依次输入的每一个数据信号进行的。
(3)本发明的显示装置，例如，作为向像素依次输入的数据信号，有第1数据信号和第2数据信号，该第1数据信号和第2数据信号具有彼此反转的关系，并且按时序反复反转；
该像素至少包括：
由来自栅极信号线的信号驱动的第3开关元件和第4开关元件；
经由第3开关元件存储与上述第1数据信号对应的电荷的第1电容元件和经由第4开关元件存储与上述第2数据信号对应的电荷的第2电容元件；
由第1电容元件所存储的电荷驱动的第1开关元件和由第2电容元件所存储的电荷驱动的第2开关元件；以及
发光元件，经由第1开关元件或第2开关元件向其提供电源。
(4)本发明的显示装置，例如，以(3)的结构为前提，第1数据信号经由第1数据信号线输入，第2数据信号经由第2数据信号线输入。
(5)本发明的显示装置，例如，以(3)的结构为前提，上述第1数据信号和第2数据信号的反转是按依次输入的每一个数据信号进行的。
(6)本发明的显示装置，例如，作为向像素依次输入的扫描信号，有第1扫描信号和第2扫描信号，第1扫描信号和第2扫描信号具有一个输入导通信号时另一个输入截止信号的关系，并且，它们在扫描过程中进行切换；
该像素至少包括：
发光元件和第1开关元件及第2开关元件，其中，经由该第1开关元件和第2开关元件的任意一个开关元件向该发光元件提供电源；
由上述第1扫描信号的导通信号驱动并且向第1开关元件的栅极电极提供第2扫描信号的截止信号的第5开关元件，和由第2扫描信号的导通信号驱动并且向第2开关元件的栅极电极提供第1扫描信号的截止信号的第6开关元件；
由第2扫描信号的导通信号驱动的第3开关元件和由第1扫描信号的导通信号驱动的第4开关元件；以及
经由第3开关元件存储与数据信号对应的电荷并且驱动上述第1开关元件的第1电容元件，和经由第4开关元件存储与上述数据信号对应的电荷并且驱动上述第2开关元件的第2电容元件。
(7)本发明的显示装置，例如，以(6)的结构为前提，第1扫描信号经由第1栅极信号线输入，第2扫描信号经由第2栅极信号线输入。
(8)本发明的显示装置，例如，以(6)的结构为前提，第1扫描信号和第2扫描信号的导通、截止信号的切换按每帧进行。
(9)本发明的显示装置的驱动方法，例如，像素包括：发光元件和第1开关元件及第2开关元件，其中，经由该第1开关元件和第2开关元件的任意一个开关元件向该发光元件提供电源，
在向像素内依次输入数据信号的过程中，使第1开关元件和第2开关元件中的一个为正偏压状态，另一个为反偏压状态，并且，使该偏压状态在该第1开关元件和第2开关元件之间交替切换。
(10)本发明的显示装置的驱动方法，例如，以(9)的结构为前提，第1开关元件和第2开关元件的偏压状态的交替切换，按向像素内输入的每一个数据信号进行。
(11)本发明的显示装置，例如，以(1)、(2)、(3)、(6)中的任意一个结构为前提，第1开关元件和第2开关元件各自的沟道区域形成为蛇行状的图案。
(12)本发明的显示装置，例如，以(1)、(2)、(3)、(6)中的任意一个结构为前提，第1开关元件和第2开关元件形成在发光层的下层侧，并且，被形成在该发光层的上层的一个电极由透光性的导电层形成。
(13)本发明的显示装置，例如，以(1)、(2)、(3)、(6)(11)、(12)中的任意一个的结构为前提，第1开关元件和第2开关元件都是N沟道型的。
(14)本发明的显示装置，例如，以(1)、(2)、(3)、(6)(11)、(12)中的任意一个的结构为前提，第1开关元件和第2开关元件的半导体层都由非晶硅形成。
另外，本发明并不限于以上的结构，在不脱离本发明的技术思想的范围内可作各种变更。
附图说明
图1是表示本发明显示装置的像素结构的一个实施例的等效电路图。
图2是图1所示的等效电路图的动作时序图。
图3是表示具有图1所示的等效电路的像素结构的一个实施例的俯视图。
图4是表示本发明的显示装置的像素结构的其它实施例的等效电路图。
图5是图4所示的等效电路图的动作时序图。
图6是表示具有图4所示的等效电路的像素结构的一个实施例的俯视图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的显示装置及其驱动方法的实施例。
[实施例1]
图1是表示本发明显示装置的像素结构的一个实施例的等效电路图。作为显示装置的一个实施例，列举了例如有源矩阵型有机EL显示装置。
因此，各像素配置成矩阵状，在其x方向并列设置的各像素的像素群共用后述的栅极信号线GL，在y方向并列设置的各像素的像素群共用后述的第1数据信号线DL1和第2数据信号线DL2。
另外，用于该电路的第1开关元件Tr1至第4开关元件Tr4构成为例如N沟道型的MIS(Metal Insulator Semiconductor)晶体管。
在图1中，首先，具有第3开关元件Tr3，该第3开关元件Tr3通过提供来自栅极信号线(像素选择信号线)GL的扫描信号Vselect而导通。
通过第1数据信号线DL 1向第3开关元件Tr3提供第1数据信号Vdatal，该第1数据信号Vdatal通过该第3开关元件Tr3的导通，被储存在一端连接在公共电压信号线CL上的第1电容元件C1中。
另外，具有由存储在上述第1电容元件C1中的电荷导通的第1开关元件Tr1，电流经由该第1开关元件Tr1流入一端连接在电源供给信号线PL上的有机EL元件EL，并且该电流由上述公共电压信号线CL引导。另外，在该公共电压信号线CL上施加有公共电压Vcommon。
另一方面，具有通过提供来自上述栅极信号线GL的信号而导通的第4开关元件Tr4，通过第2数据信号线DL2向该第4开关元件Tr4提供第2数据信号Vdata2。
上述第2数据信号Vdata2，由于上述第4开关元件Tr4的导通而被存储在一端连接在上述公共电压信号线CL上的第2电容元件C2中。
另外，具有由存储在上述第2电容元件C2中的电荷导通的第2开关元件Tr2，电流经由该第2开关元件Tr2流入上述有机EL元件EL，并且该电流由上述公共电压信号线CL引导。
这里，第1开关元件Tr1和第2开关元件Tr2被称为所谓的驱动开关元件。
图2是表示上述等效电路的动作的信号时序图。
在图2中，(a)表示扫描信号Vselect的波形，(b)表示第1数据信号Vdatal的波形，(c)表示第2数据信号Vdata2的波形，(d)表示公共电压Vcommon。
当扫描信号Vselect根据其Von而被输入时，第3开关元件Tr3和第4开关元件Tr4同时导通。
向导通了的第3开关元件Tr3提供第1数据信号Vdatal，该第1数据信号Vdatal被存储(写入)在第1电容元件C1中，向导通了的第4开关元件Tr4提供第2数据信号Vdata2，该第2数据信号Vdata2被存储(写入)在第2电容元件C2中。
此时的第1数据信号Vdatal和第2数据信号Vdata2，如图2的(b)和(c)所示，例如，在第1帧中，第1数据信号Vdatal相对于公共电压为正时，第2数据信号Vdata2相对于该公共电压为负，它们是反转了的关系。
然后，上述第1数据信号Vdatal和第2数据信号Vdata2，在下一帧中，第1数据信号Vdatal相对于公共电压Vcommon变为负，第2数据信号Vdata2相对于该公共电压Vcommon变为正，在再下一帧中，第1数据信号Vdatal相对于公共电压Vcommon变为正，第2数据信号Vdata2相对于该公共电压Vcommon变为负，它们在以下的帧中，如上述那样依次反复地反转。
当例如，在第1帧中输入了上述第1数据信号Vdatal和第2数据信号Vdata2时，相对于公共电压Vcommon为正的第1数据信号Vdatal起到驱动有机EL元件EL的像素信息的作用，相对于公共电压Vcommon为负的第2数据信号Vdata2不具有像素信息的功能。
在下一帧中，相对于公共电压Vcommon为负的第1数据信号Vdatal不具有像素信息的功能，相对于公共电压Vcommon为正的第2数据信号Vdata2起到像素信息的作用。
例如，在第1数据信号Vdatal相对于公共电压Vcommon为正时，经由第1电容元件C1被施加电荷的第1开关元件Tr1呈正偏压状态，在第2数据信号Vdata2相对于公共电压Vcommon为负时，经由第2电容元件C2被施加电荷的第2开关元件Tr2呈负(反)偏压状态，它们按每个帧周期交替改变。
这里，所谓第1开关元件Tr1呈正偏压状态是指：相对于向该第1开关元件Tr1的连接在公共电压信号线CL上的电极施加的电压，向栅极电极施加的电压为正；所谓第2开关元件Tr2呈负偏压状态是指：相对于向该第2开关元件Tr2的连接在公共电压信号线CL上的电极施加的电压，向栅极电极施加的电压为负。
因此，正偏压状态的开关元件Tr被驱动，使得电流流入有机EL元件EL，而负偏压状态的开关元件Tr的驱动呈停止状态，在此期间，由于施加反偏压而消除了在1帧前面的阶段驱动时的Vth漂移。并且，这一步骤在每次帧的切换时交替反复。
因此，能够大幅地抑制分别在第1开关元件Tr1和第2开关元件Tr2中产生的Vth漂移。
由此可知，第1开关元件Tr1和第2开关元件Tr2的各自偏压状态的切换并不限于按每一帧进行，显然，按多个帧进行切换也能得到同样的效果。
总之，在向像素内依次写入数据信号Vdatal和Vdata2的过程中，最好进行第1开关元件Tr1和第2开关元件Tr2的各自偏压状态的切换。
图3是表示具有图1所示的等效电路的像素具体结构的一个实施例的俯视图。在图3中，一个像素构成在这样的区域内，即、由在x方向延伸、在y方向并列设置的一对栅极信号线GL和在y方向延伸、在x方向并列设置的第1数据信号线DL1和第2数据信号线DL2所包围的区域。
另外，图3所示的薄膜晶体管TFT1至TFT4的各半导体层PS1至PS4分别使用了例如多晶硅。
另外，省略画出了有机EL层(有机EL元件)EL和电源供给信号线PL。以避免附图复杂化。
图3中，薄膜晶体管TFT1对应于图1所示的第1开关元件Tr1，薄膜晶体管TFT2对应于图1所示的第2开关元件Tr2，薄膜晶体管TFT3对应于图1所示的第3开关元件Tr3，薄膜晶体管TFT4对应于图1所示的第4开关元件Tr4。
在图3中，在例如玻璃等的绝缘基板的主表面，首先，在图中x方向延伸地形成有栅极信号线GL。
另外，覆盖该栅极信号线GL地在绝缘基板的表面形成有第1绝缘膜(未图示)。该第1绝缘膜具有后述的薄膜晶体管TFT3、TFT4的栅极绝缘膜的功能，因此按此设定膜厚。
在上述第1绝缘膜的上面，与上述栅极信号线GL的一部分重叠地形成有半导体层PS3和PS4。在接近后述的第1数据信号线DL1的一侧形成有半导体层PS3，在接近后述的第2数据信号线DL2的一侧形成有半导体层PS4。
半导体层PS3构成为后述薄膜晶体管TFT3的半导体层，半导体层PS4构成为后述薄膜晶体管TFT4的半导体层。
并且，形成有第1数据信号线DL1和第2数据信号线DL2。第1数据信号线DL1与上述半导体层PS3的一部分重叠形成，在其重叠部位该第1数据信号线DL1构成薄膜晶体管TFT3的漏极电极。另外，第2数据信号线DL2与上述半导体层PS4的一部分重叠形成，在其重叠部位该第2数据信号线DL2构成薄膜晶体管TFT4的漏极电极。
另外，形成有在形成例如第1数据信号线DL1和第2数据信号线DL2的同时设置的薄膜晶体管TFT3的源极电极ST3和薄膜晶体管TFT4的源极电极ST4。因为各源极电极ST3、ST4分别通过通孔与后述的薄膜晶体管TFT1的栅极电极GT1和薄膜晶体管TFT2的栅极电极GT2连接，所以形成为略向像素区域的中央一侧延伸一些。
另外，形成有在形成例如第1数据信号线DL1和第2数据信号线DL2的同时设置的公共电压信号线CL。该公共电压信号线CL通过像素区域的大致中央，在y方向延伸地形成。
该公共电压信号线CL，在像素区域内，形成为从其两侧边向与其伸展方向交叉的方向延伸的突出部PJ在该伸展方向并列设置而形成的图案(鱼骨图案)。这些突出部PJ，在图中右侧构成为后述的薄膜晶体管TFT1的一个电极(电极群)，在图中左侧构成为后述的薄膜晶体管TFT2的一个电极(电极群)。
另外，薄膜晶体管TFT1和薄膜晶体管TFT2的另一个电极在形成例如上述第1数据信号线DL1和第2数据信号线DL2的同时形成。薄膜晶体管TFT1的另一个电极，构成为夹着该薄膜晶体管TFT1的上述一个电极群的各电极(上述突出部PJ)配置各电极的电极群，并且，为了使它们电连接而形成梳齿状的图案。同样，薄膜晶体管TFT2的另一个电极，构成为夹着该薄膜晶体管TFT2的上述一个电极群的各电极(上述突出部PJ)配置各电极的电极群，并且，为了使它们电连接而形成梳齿状的图案。
在一个像素的区域内，以通过其中央并在y方形延伸的假想线段为界，分别彼此分离地在其左侧的区域形成有半导体层PS1，在右侧的区域形成有半导体层PS2。
该半导体层PS1和半导体层PS2，虽然未图示，但是例如，分别形成在与用后述的栅极电极GT1和栅极电极GT2表示的区域(图中，用虚线包围的区域)相当的部分。
半导体层PS1构成为后述的薄膜晶体管TFT1的半导体层，半导体PS2构成为后述的薄膜晶体管TFT2的半导体层。
另外，覆盖各半导体层PS1和PS2地在绝缘基板的表面形成有第2绝缘膜(未图示)。该第2绝缘膜具有薄膜晶体管TFT1和TFT2的栅极绝缘膜的功能，因此按此设定膜厚。
在第2绝缘膜的表面，形成有薄膜晶体管TFT1的栅极电极GT1、薄膜晶体管TFT2的栅极电极GT2。薄膜晶体管TFT1的栅极电极GT1与形成了上述半导体层PS1的区域重叠地形成，在其延伸的一部分通过形成在下层的第2绝缘膜上的通孔TH3与薄膜晶体管TFT3的源极电极ST3连接。同样，薄膜晶体管TFT2的栅极电极GT2与形成了上述半导体层PS2的区域重叠地形成，在其延伸的一部分通过形成在下层的第2绝缘膜上的通孔TH4与薄膜晶体管TFT4的源极电极ST4连接。
覆盖各栅极电极GT1和GT2地在绝缘基板的表面中间隔着第3绝缘膜(未图示)形成有像素电极PX。为了提高所谓的像素开口率，该像素电极PX在像素区域的大致整个区域形成，通过贯穿其下层的第3绝缘膜和第2绝缘膜形成的通孔TH连接在薄膜晶体管TFT1、TFT2的另一个电极(与和公共电压信号线CL一体地形成的电极不同的电极)上。这种情况下，为了避免在上述通孔TH的各形成部位露出栅极电极GT1和GT2，在该栅极电极GT1和GT2的相应部位形成有预先形成了缺口的图案。这是为了避免像素电极PX和各栅极电极GT1和GT2电连接。另外，本实施例的有源矩阵型有机EL显示装置采用了这样的构造，即、从形成了有源元件的基板的形成面(上面)发出光的顶部发光构造。因此，该像素电极PX是金属电极或在金属电极上形成了IZO或ITO这样的透明导电膜的层叠膜。
另外，在像素电极PX和薄膜晶体管TFT1、TFT2的一个电极(与公共电压信号线CL一体地形成的电极)之间形成以第2绝缘膜和第3绝缘膜为电介质膜的电容元件C1和C2。
在像素电极PX的上面在整个区域形成有有机EL层(未图示)。这种情况下，也可以包括有机EL层地层叠形成电荷传输层或电子传输层。即、可以仅由有机EL层构成，也可以由有机EL层和电荷传输层的层叠体构成，也可以由有机EL层和电子传输层的层叠体构成，还可以由有机EL层、电荷传输层以及电子传输层的层叠体构成。另外，在本说明书中，有时将这样的结构统称为发光层。
并且，在该发光层的上面形成有电源供给信号线PL。该电源供给信号线PL在各像素区域公共地、即在由各像素的集合体构成的显示部的整个区域形成。另外，该电源供给信号线PL形成为透光性的导电层，该透光性的导电层，作为其材料，由例如ITO(Indium Tin Oxide)或IZO(Indium Zinc Oxide)等构成。这是因为，如前所述，本实施例是使来自该发光层的光向附图纸面的正面照射的构造(顶部发光构造)。
另外，像这样将电源供给信号线PL形成在层构造的上层的结构被称为所谓的顶部阳极构造，是易于提高所谓的像素开口率(发光面积占1个像素的面积的比率)的结构。
另外，在上述结构中，薄膜晶体管TFT3、TFT4是使栅极电极(栅极信号线GL)处于其半导体层PS3、PS4的下层的所谓逆交错(stagger)构造，但并不限于此，显然，也可以是使该栅极电极形成于半导体层PS3、PS4的上层的交错构造。
同样，将薄膜晶体管TFT1、TFT2构成为交错构造，但显然，也可以构成为逆交错构造。
另外，薄膜晶体管TFT1、TFT2与像素内的发光区域、即形成了有机EL层的区域重叠形成，但并不限于此，显然，在俯视观察时，也可以在与发光区域不同的其它区域内形成。
另外，薄膜晶体管TFT1和TFT2分别形成为占像素区域的大约一半，所以较大。并且，它们的沟道区域(一对电极之间的区域)形成为蛇行状的图案，因此沟道的宽度构成得较大。因此，能够增大迁移率，大幅提高导通电流。
尤其是在作为它们的半导体层PS1和PS2使用了例如非晶硅的情况下，该非晶硅的迁移率小，因此，通过采用上述的结构能够消除该不良状况。
通常，流过驱动开关元件的电流为200～300A/m2，例如，每100×300μm的像素为7.5μA左右，在该驱动开关元件的半导体层由非晶硅构成的情况下，迁移率为0.5左右。
因此，为了在施加到栅极电极的电压为15V、源极-漏极电极间的电压为10V左右时流过上述7.5μA的电流，作为驱动开关元件的薄膜晶体管TFT1和TFT2的每一者，只要沟道宽对沟道长的比为50左右就足够了。
在沟道长为6μm的情况下，薄膜晶体管TFT1和TFT2的半导体层PS 1、PS2的宽最好约为300μm，这个长度大致相当于像素的长度。
上述实施例中所示的像素的结构是顶部阳极构造，所以薄膜晶体管TFT1和TFT2能够在像素的大致整个区域形成，即使该薄膜晶体管TFT1和TFT2是非晶硅，也能够流过足够的驱动电流。
另外，在N沟道型的、半导体层为多晶硅时的驱动开关元件的情况下，迁移率为100左右，所以能够缩小该元件的大小。
[实施例2]
图4是表示本发明显示装置的像素结构的其它实施例的等效电路图，是与图1对应的图。
与图1的情况相比不同的结构在于，首先，在各像素中，使数据信号线DL为1条，而使栅极信号线GL为2条。
在彩色显示的情况下，例如，使在栅极信号线GL的布线方向邻接的3个像素发出红(R)、绿(G)、蓝(B)的各色光，将这些像素构成为彩色显示的单位像素，在图1的等效电路中每个该单位像素需要一共6条数据信号线DL。但是，在上述各像素中增加一条公共形成的栅极信号线GL，会起到在整体上大幅减少信号线的数目的效果。
如图4所示，设两条栅极信号线GL中的一条栅极信号线为第1栅极信号线GL1，另一条栅极信号线为第2栅极信号线GL2，新设置了由来自第1栅极信号线GL 1的扫描信号Vselect1导通的第5开关元件Tr5、由来自第2栅极信号线GL2的扫描信号Vselect2导通的第6开关元件Tr6。
另外，与图1的情况不同，第3开关元件Tr3由来自第2栅极信号线GL2的扫描信号Vselect2导通，第4开关元件Tr4由来自第1栅极信号线GL1的扫描信号Vselect1导通。
上述第5开关元件Tr5，其一端连接在第3开关元件Tr3的栅极电极(被提供来自第2栅极信号线GL2的扫描信号Vselect2的电极)上，另一端连接在第1开关元件Tr1的栅极电极(被施加第1电容元件C1的电荷的电极)上。第6开关元件Tr6，其一端连接在第4开关元件Tr4的栅极电极(被提供来自第1栅极信号线GL1的扫描信号Vselect1的电极)上，另一端连接在第2开关元件Tr2的栅极电极(被施加第2电容元件C2的电荷的电极)上。
另外，第1电容元件C1、第1开关元件Tr1、第2电容元件C2、第2开关元件Tr2、有机EL元件EL，以及提供公共电压Vcommon的端子的各自的连接关系与图1的情况相同。
这里，图1的情况是输入到像素的数据信号包括彼此反转的第1数据信号Vdatal和第2数据信号Vdata2，但在本实施例中，仅有一种数据信号Vdata，该数据信号Vdata经由第3开关元件Tr3存储在第1电容元件C1中，并且，经由第4开关元件Tr4存储在第2电容元件C2中。
图5是表示上述等效电路的动作的信号时序图。
在图5中，(a)表示第1扫描信号Vselect1的波形，(b)表示第2扫描信号Vselect2的波形，(c)表示数据信号Vdata的波形，(d)表示公共电压Vcommon。
另外，该时序图列举了这样的例子，例如，在最初的帧中，向第1栅极信号线GL1提供扫描信号Vselect1的导通信号Von(这时，不向第2栅极信号线GL2提供扫描信号Vselect2的导通信号Von)，在下一帧中，向第2栅极信号线GL2提供扫描信号Vselect2的导通信号Von(这时，不向第1栅极信号线GL1提供扫描信号Vselect1的导通信号Von)。
在最初的帧中，当扫描信号Vselect1根据其Von而被输入时，第4开关元件Tr4、第5开关元件Tr5导通。
其间向第4开关元件Tr4提供数据信号Vdara，该数据信号Vdata被存储(写入)在第2电容元件C2中。
存储在第2电容元件C2中的电荷使第2开关元件Tr2导通，经由该第2开关元件Tr2向有机EL元件EL提供公共电压Vcommon，电流从电源供给信号线PL流入该有机EL元件EL。
该动作进行过程中，不向第2栅极信号线GL2提供扫描信号Vselect2的导通信号Von，此时的截止信号Voff经由由上述扫描信号Vselect1导通了的第5开关元件Tr5施加给第1开关元件Tr1的栅极电极。
另外，不会向该第1开关元件Tr1的栅极电极施加与数据信号Vdata对应的第1电容元件C1的电荷。这是因为向第3开关元件Tr3的栅极电极提供了由截止信号Voff组成的第2扫描信号Vselect2。
在下一帧中，当扫描信号Vselect2根据其Von而被输入时，第3开关元件Tr3、第6开关元件Tr6导通。
其间向第3开关元件Tr3提供数据信号Vdata，该数据信号Vdata被存储(写入)在第1电容元件C1中。
存储在第1电容元件C1中的电荷使第1开关元件Tr1导通，经由该第1开关元件Tr1向有机EL元件EL提供公共电压Vcommon，电流从电源供给信号线PL流入该有机EL元件EL。
该动作进行过程中，不向第1栅极信号线GL1提供扫描信号Vselect2的导通信号Von，此时的截止信号Voff经由由上述扫描信号Vselect1导通了的第6开关元件Tr6施加给第2开关元件Tr2的栅极电极。
另外，不会向该第2开关元件Tr2的栅极电极施加与数据信号Vdata对应的第2电容元件C2的电荷。这是因为向第4开关元件Tr4的栅极电极提供了由截止信号Voff组成的第1扫描信号Vselect1。
在该实施例的情况下，有这样的效果：在第1开关元件Tr1和第2开关元件Tr2之间，一方处于动作中时另一方停止，处于停止中的的开关元件，即使在此前动作而产生Vth漂移，也能在停止期间复原。
图6是表示具有图4所示的等效电路的像素的具体结构的一个实施例的俯视图。另外，在该图6中，一个像素构成在这样的区域内，即、由在x方向延伸、在y方向并列设置的第1栅极信号线GL1和第2栅极信号线GL2与在y方向延伸、在x方向并列设置的一对公共电压信号线CL所包围的区域。
并且，省略了有机EL层EL和电源供给信号线PL，以避免附图复杂化。
另外，在图6中，薄膜晶体管TFT1至薄膜晶体管TFT6分别与图4所示的第1晶体管元件Tr1至第6晶体管元件Tr6对应。
并且，与实施例1的情况相同，薄膜晶体管TFT1至TFT6的各半导体层使用了例如多晶硅。
在图6中，在例如玻璃等的绝缘基板的主表面，首先，形成了在图中x方向延伸、在y方向并列设置的第1栅极信号线GL1、第2栅极信号线GL2。
另外，覆盖这些第1栅极信号线GL1、第2栅极信号线GL2地在绝缘基板的表面形成有第1绝缘膜(未图示)。该第1绝缘膜具有后述的薄膜晶体管TFT4至TFT6的栅极绝缘膜的功能，因此按此设定膜厚。
在上述绝缘膜的上面，与上述第1栅极信号线GL1、第2栅极信号线GL2的一部分重叠地分别形成有半导体层PS4和PS5。该半导体层PS4和PS5分别构成为薄膜晶体管TFT4、TFT5的半导体层。并且，该半导体层PS4和PS5都形成在后述的数据信号线DL的不同侧，并且形成到数据信号线DL的形成区域，这是为了谋求在这些半导体层PS4和PS5的一端与该数据信号线DL进行连接。该数据信号线DL是在像素的中央在y方向延伸形成的。
另外，在第1绝缘膜上，与栅极信号线GL1重叠地形成有半导体层PS3，与栅极信号线GL2重叠地形成有半导体层PS6。该半导体层PS3和PS6分别构成为薄膜晶体管TFT3、TFT6的半导体层。半导体层PS3和上述半导体层PS4夹着后述的数据信号线DL形成在数据信号线DL的不同侧，半导体层PS6和上述半导体层PS5夹着后述的数据信号线DL形成在数据信号线DL的不同侧。
半导体层PS3、半导体层PS6，例如在形成上述半导体层PS4、半导体层PS5的同时形成。
并且，形成有数据信号线DL和公共电压信号线CL。数据信号线DL在像素的中央在y方向延伸形成，公共电压信号线CL分别形成在上述数据信号线DL的两侧，使得将该像素与邻接的像素划分开。在图6中，将位于数据信号线DL的左侧的公共电压信号线CL用公共电压信号线CL1表示，将位于数据信号线DL的右侧的公共电压信号线CL用公共电压信号线CLr表示。但是，这些公共电压信号线CL1和公共电压信号线CLr并不表示分开的信号线，而是构成为在作为像素集合的显示部的外侧区域相互连接。
这种情况下，数据信号线DL与上述半导体层PS4、PS5的各一个端边重叠地形成。这是因为该数据信号线DL的重叠部分要构成为薄膜晶体管TFT4、TFT5的一个电极(漏极电极)。
另外，薄膜晶体管TFT4、TFT5的另一个电极例如在形成该数据信号线DL的同时形成，该另一个电极形成为略微延伸到像素区域中一些的图案。薄膜晶体管TFT4的另一个电极通过通孔与后述的薄膜晶体管TFT2的栅极电极GT2连接，薄膜晶体管TFT5的另一个电极通过通孔与后述的薄膜晶体管TFT1的栅极电极GT1连接。
另外，在形成数据信号线DL时，同时形成薄膜晶体管TFT3、TFT6的各电极。即、薄膜晶体管TFT3的一个电极形成为略微延伸到像素区域中一些的图案。通过通孔与后述的薄膜晶体管TFT1的栅极电极GT1连接。薄膜晶体管TFT3的另一个电极一直延伸，直到与和该像素邻接的其它像素的第2栅极信号线GL2(与该像素的第1栅极信号线GL1邻接)重叠，在其延伸端通过预先形成在下层的第1绝缘膜上的通孔连接在该第2栅极信号线GL2上。
另外，薄膜晶体管TFT6的一个电极形成为略微延伸到像素区域中一些的图案。通过通孔与后述的薄膜晶体管TFT2的栅极电极GT2连接。薄膜晶体管TFT6的另一个电极一直延伸，直到与和该像素邻接的其它像素上的第1栅极信号线GL1(邻接该像素的第2栅极信号线GL2)重叠，在其延伸端通过预先形成在下层的第1绝缘膜上的通孔连接在该第1栅极信号线GL1上。
另外，公共电压信号线CL1和公共电压信号线CLr的每一个，在像素区域内都形成有突出部PJ，该突出部PJ在与公共电压信号线的伸展方向交叉的方向延伸，并在该伸展方向并列设置。在邻接的像素区域内也同样地形成有该突出部PJ，所以整体上形成为所谓的鱼骨图案。该突出部PJ在公共电压信号线CL1侧构成为薄膜晶体管TFT1的一个电极(电极群)，在公共电压信号线CLr侧构成为薄膜晶体管TFT2的一个电极(电极群)。
另外，薄膜晶体管TFT1、TFT2的另一个电极例如在形成公共电压信号线CL的同时形成。薄膜晶体管TFT1的另一个电极，构成为夹着该薄膜晶体管TFT1的上述一个电极群的各电极(上述突出部PJ)配置各电极的电极群，并且，为了使它们电连接而形成梳齿状的图案。同样，薄膜晶体管TFT2的另一个电极，构成为夹着该薄膜晶体管TFT2的上述一个电极群的各电极(上述突出部PJ)配置各电极的电极群，并且，为了使它们电连接而形成梳齿状的图案。
在像素内，以上述数据信号线DL为界，分别彼此分离地在其左侧的区域形成了半导体层PS1，在右侧的区域形成了半导体层PS2。
该半导体层PS1和半导体层PS2，虽然未图示，但是例如，分别形成在相当于用后述的栅极电极GT1和栅极电极GT2表示的区域(图中，用虚线包围的区域)的部分。
半导体层PS1构成为后述的薄膜晶体管TFT1的半导体层，半导体层PS2构成为后述的薄膜晶体管TFT2的半导体层。
另外，覆盖这些半导体层PS1和PS2地在绝缘基板的表面形成有第2绝缘膜(未图示)。该第2绝缘膜具有薄膜晶体管TFT1和TFT2的栅极绝缘膜的功能，因此按此设定膜厚。
在第2绝缘膜的表面，形成有薄膜晶体管TFT1的栅极电极GT1、薄膜晶体管TFT2的栅极电极GT2。薄膜晶体管TFT1的栅极电极GT1与形成了上述半导体层PS1的区域重叠形成，在其延伸的一部分通过形成在下层的第2绝缘膜上的通孔TH3与薄膜晶体管TFT3的源极电极ST3连接，并且，通过通孔TH5与薄膜晶体管TFT5的源极电极ST5连接。同样，薄膜晶体管TFT2的栅极电极GT2与形成了上述半导体层PS2的区域重叠形成，在其延伸的一部分通过形成在下层的第2绝缘膜上的通孔TH4与薄膜晶体管TFT4的源极电极ST4连接，并且，通过通孔TH6与薄膜晶体管TFT6的源极电极ST6连接。
覆盖各栅极电极GT1和GT2地在绝缘基板的表面中间隔着第3绝缘膜(未图示)形成有像素电极PX。为了提高所谓的像素开口率，该像素电极PX在像素区域的大致整个区域形成，通过贯穿其下层的第3绝缘膜和第2绝缘膜形成的通孔TH连接在薄膜晶体管TFT1、TFT2的另一个电极(与和公共电压信号线CL一体地形成的电极不同的电极)上。这种情况下，为了避免在上述通孔的各形成部位露出栅极电极GT1和GT2，在上述栅极电极GT1和GT2的相应部位形成有预先形成了缺口的图案。这是为了避免像素电极PX和各栅极电极GT1和GT2电连接。
另外，在像素电极PX和薄膜晶体管TFT1、TFT2的一个电极(与公共电压信号线一体地形成的电极)之间形成以第2绝缘膜和第3绝缘膜为电介质膜的电容元件C1和C2。
在像素电极PX的上面，在其整个区域形成有有机EL层EL(未图示)。这种情况下，也可以包括有机EL层EL地层叠形成电荷传输层或电子传输层，这与实施例1的情况相同。
并且，在该发光层的上面形成有电源供给信号线PL。该电源供给信号线PL在各像素的区域公共地、即在由各像素的集合体构成的显示部的整个区域形成。另外，该电源供给信号线PL形成为透光性的导电层，该透光性的导电层，作为其材料，由例如ITO(Indium TinOxide)或IZO(Indium Zinc Oxide)等构成。使来自该发光层的光照射到附图纸面的正面。
另外，在上述结构中，薄膜晶体管TFT3至TFT6是使栅极电极(栅极信号线GL)位于薄膜晶体管TFT3至TFT6的半导体层的下层的所谓逆交错构造，但并不限于此，也可以是该栅极电极形成于半导体层的上层的交错构造，这与实施例1的情况相同。
同样地将薄膜晶体管TFT1、TFT2构成为交错构造，但也可以构成为逆交错构造，这与实施例1的情况相同。
另外，薄膜晶体管TFT1、TFT2是与像素内的发光区域、即形成了有机EL层EL的区域重叠地形成的，但并不限于此，在俯视观察时，也可以在与发光区域不同的其它区域内形成，这与实施例1的情况相同。
另外，薄膜晶体管TFT1和TFT2能够大幅提高导通电流，在作为它们的半导体层PS 1和PS2使用了例如非晶硅的情况下，因为该非晶硅的迁移率较小，所以通过采用上述结构能够消除该不良状况，这也与实施例1的情况相同。
在上述各实施例中，成为驱动开关元件TFT1和TFT2的源极电极和漏极电极之一的公共电压信号线的突出部，前端为矩形的凸部，其间为矩形的凹部，成为另一个电极的梳齿电极的前端为矩形的凸部，其间为矩形的凹部，因此，严格地说，一个电极(凸部)的角和另一个电极间的凹陷(凹部)的角之间的距离，与在公共电压信号线和梳齿电极之间实质上平行排列的区域中的电极间的距离不同(简单计算的话，宽度为 倍)。即、沟道宽度宽了，特别是在电极宽度宽的情况下，不能说沟道长度是恒定的。
因此，通过使这些凹部的底部形状和凸部的前端形状为对应(严格地说是边缘形状相同)的曲线形状(凸形半圆的前端形状、凹形半圆的凹陷形状等)，能够使电极间、即沟道长度恒定。
另外，并不是必须将凹凸双方加工成曲线状，在凸部的前端宽度窄的情况下，其前端可被视为点，而与其严格的形状无关，即使只使凹部的形状呈半圆或部分椭圆那样的曲线形状，也能够极大改善TFT的驱动特性。
上述各实施例可分别单独、或组合使用。这是因为能够单独或相乘地得到各实施例中的效果的缘故。

Claims (22)

1.一种显示装置，其特征在于：
像素至少具有发光元件、开关元件，
该开关元件是用于经由该开关元件向该发光元件提供电源的元件，由第1开关元件和第2开关元件构成，
该第1开关元件和第2开关元件，随着数据信号向像素内的输入，一个变为正偏压状态，另一个变为反偏压状态，并且，该偏压状态按照该数据信号的时序性输入，在该第1开关元件和第2开关元件之间交替切换，
在1帧内，经由第1开关元件和第2开关元件中的任意一个开关元件向该发光元件提供电源。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
第1开关元件和第2开关元件的偏压状态的切换，是按依次输入的每一个数据信号进行的。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
第1开关元件和第2开关元件各自的沟道区域以蛇行状的图案形成。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
第1开关元件和第2开关元件形成在发光层的下层侧，并且，被形成在该发光层的上层的一个电极由透光性的导电层形成。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
第1开关元件和第2开关元件都是N沟道型的。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
第1开关元件和第2开关元件的半导体层都是由非晶硅形成的。
7.一种显示装置，作为向像素依次输入的数据信号，有第1数据信号和第2数据信号，该第1数据信号和第2数据信号具有彼此反转的关系，并且按时序反复反转；该显示装置的特征在于：
该像素至少包括
由来自栅极信号线的信号驱动的第3开关元件和第4开关元件；
经由第3开关元件存储与上述第1数据信号对应的电荷的第1电容元件，和经由第4开关元件存储与上述第2数据信号对应的电荷的第2电容元件；
由第1电容元件所存储的电荷驱动的第1开关元件和由第2电容元件所存储的电荷驱动的第2开关元件；以及
发光元件，经由第1开关元件或第2开关元件向其提供电源。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于：
第1数据信号经由第1数据信号线输入，第2数据信号经由第2数据信号线输入。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于：
上述第1数据信号和第2数据信号的反转，是按依次输入的每一个数据信号进行的。
10.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于：
第1开关元件和第2开关元件各自的沟道区域以蛇行状的图案形成。
11.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于：
第1开关元件和第2开关元件形成在发光层的下层侧，并且，被形成在该发光层的上层的一个电极由透光性的导电层形成。
12.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于：
第1开关元件和第2开关元件都是N沟道型的。
13.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于：
第1开关元件和第2开关元件的半导体层都由非晶硅形成。
14.一种显示装置，作为向像素依次输入的扫描信号，有第1扫描信号和第2扫描信号，该第1扫描信号和第2扫描信号具有一个输入导通信号时另一个输入截止信号的关系，并且，它们在扫描过程中切换；该显示装置的特征在于：
该像素至少包括
发光元件和第1开关元件及第2开关元件，其中，经由该第1开关元件和第2开关元件的任意一个开关元件向该发光元件提供电源；
由上述第1扫描信号的导通信号驱动并且向第1开关元件的栅极电极提供第2扫描信号的截止信号的第5开关元件，和由第2扫描信号的导通信号驱动并且向第2开关元件的栅极电极提供第1扫描信号的截止信号的第6开关元件；
由第2扫描信号的导通信号驱动的第3开关元件和由第1扫描信号的导通信号驱动的第4开关元件；以及
经由第3开关元件存储与数据信号对应的电荷并且驱动上述第1开关元件的第1电容元件，和经由第4开关元件存储与上述数据信号对应的电荷并且驱动上述第2开关元件的第2电容元件。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于：
第1扫描信号经由第1栅极信号线输入，第2扫描信号经由第2栅极信号线输入。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于：
第1扫描信号和第2扫描信号的导通、截止信号的切换按每帧进行。
17.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于：
第1开关元件和第2开关元件各自的沟道区域以蛇行状的图案形成。
18.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于：
第1开关元件和第2开关元件形成在发光层的下层侧，并且，被形成在该发光层的上层的一个电极由透光性的导电层形成。
19.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于：
第1开关元件和第2开关元件都是N沟道型的。
20.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于：
第1开关元件和第2开关元件的半导体层都是由非晶硅形成的。
21.一种显示装置的驱动方法，其特征在于：
像素包括发光元件和第1开关元件及第2开关元件，其中，经由该第1开关元件和第2开关元件的任意一个开关元件向该发光元件提供电源，
在数据信号向像素内依次输入的过程中，使第1开关元件和第2开关元件中的一个为正偏压状态，另一个为反偏压状态，并且，使该偏压状态在该第1开关元件和第2开关元件之间交替切换。
22.根据权利要求20所述的显示装置的驱动方法，其特征在于：
第1开关元件和第2开关元件的偏压状态的交替切换，按向像素内输入的每一个数据信号进行。
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