发明内容
本发明的目的之一在于提供一种补偿晶体管特性差异的新型电子电路等。
本发明的目的另一目的在于在有关电子电路中,通过在一个动作中进行Vth补偿和反向偏置的施加,实现动作设计上的灵活性的提高。
为解决有关课题,本发明的第1电子电路的驱动方法,包含:第1步骤,对于具有第1端子、第2端子、配置在上述第1端子和上述第2端子之间的沟道区域的驱动晶体管,在该驱动晶体管的栅极与上述第1端子之间电连接的状态下,在上述第1端子和上述第2端子之间的产生电位差,以便让上述第1端子作为上述驱动晶体管的漏极的功能作用;和第2步骤,将与上述驱动晶体管的导通状态对应的驱动电压及驱动电流中的至少任一个向被驱动元件提供,以便让上述第2端子作为上述驱动晶体管的漏极的功能作用,上述驱动晶体管的导通状态通过将数据信号供给上述驱动晶体管的上述栅极而被设定。
在上述电子电路的驱动方法中,上述第1端子和上述第2端子之间相对的电位关系,根据步骤等而变动,由此对上述驱动晶体管施加正向偏置和反向偏置(或者非正向偏置),可以抑制上述驱动晶体管的特性变化和恶化。
这里所谓“漏极”,是根据晶体管的导电型相对的电位关系定义的。例如,晶体管为n型时,夹着沟道区域配置的两端中,高电位侧的端子定义为“漏极”,而晶体管是p型时,夹着沟道区域配置的两个端子中,低电压侧的端子定义为“漏极”。
在上述电子电路的驱动方法中,也可以是:以上述第1步骤为契机,在上述第1端子和上述第2端子之间,流过初始化电流,将上述驱动晶体管的栅极电压设定成与上述驱动晶体管的阈值对应的偏置电平。
这里所谓的“作为契机”意味着将上述第1步骤作为初始动作进行,上述偏置电平的设定处理,在上述第1步骤进行之后,或者也可以在上述第1步骤进行期间进行。
在上述电子电路的驱动方法中,也可以是:上述电子电路包含电容器,其具备第1电极和第2电极,同时在上述第1电极和上述第2电极之间形成电容;上述栅极连接在上述第1电极上;上述第1步骤被执行后,使上述栅极处于浮置状态,上述数据信号通过上述电容器的电容耦合供给上述栅极,设定上述导通状态。
在上述电子电路的驱动方法中,优选:在第2步骤被执行期间的至少一部分期间中,切断上述第1端子和上述驱动晶体管的上述栅极之间的电连接。
这里“切断电连接”,意味着上述第1端子和上述栅极不处于导通状态,也可以是电容器等介于上述第1端子和上述栅极之间。
在上述电子电路的驱动方法中,上述被驱动元件也可以具备:连接在上述第1端子上的动作电极、对向电极、配置在上述动作电极和上述对向电极之间的功能层;在上述第1步骤和上述第2步骤被执行期间,至少要将上述对向电极的电压固定在给定电压电平。
在上述电子电路的驱动方法中,也可以是:在上述第1步骤执行的至少一部分期间中,将上述第2端子的电压电平设定成低于上述给定电压电平。这样,例如,可以对上述驱动晶体管或者上述被驱动元件施加非正向偏置。
在上述电子电路的驱动方法中,也可以进一步包含第3步骤,将上述第1端子的电压电平设定成比上述给定电压电平低的电压电平上;在上述第3步骤被执行期间,将上述对向电极的电压固定在上述给定电压电平。这样,例如,可以对上述被驱动元件施加非正向偏置。
在本发明的第2电子电路的驱动方法中,上述电子电路包括:驱动晶体管,具有第1端子、第2端子、配置在上述第1端子和上述第2端子之间的沟道区域;和补偿晶体管,具有第3端子、第4端子、配置在上述第3端子和上述第4端子之间的沟道区域,将自身的栅极和上述第3端子连接。上述电子电路的驱动方法包括:第1步骤,在上述第3端子和上述第4端子之间产生电位差,以便让上述第3端子作为上述补偿晶体管的漏极的功能作用;和第2步骤,将与上述驱动晶体管的导通状态对应的驱动电压及驱动电流中的至少任一个向被驱动元件提供,上述驱动晶体管的导通状态通过将数据信号供给上述驱动晶体管的上述栅极而被设定;在上述第2步骤被执行的期间的至少一部分期间中,将上述第4端子的电压电平,设定成与在执行上述第1步骤期间的上述第4端子电压电平不同的电压电平上。
在上述电子电路的驱动方法中,也可以是:以上述第1步骤为契机,在上述第3端子和上述第4端子之间流过初始化电流,将上述驱动晶体管的栅极设定成与上述补偿晶体管的阈值对应的偏置电平。
这里所谓的“作为契机”意味着将上述第1步骤作为初始动作进行,上述偏置电平的设定处理,在上述第1步骤进行之后,或者也可以在上述第1步骤进行期间进行。
在上述电子电路的驱动方法中,优选:在上述第2步骤执行期间的至少一部分期间中,将上述第3端子和上述第4端子之间的电连接实质性切断。这样,例如,可以将上述驱动晶体管的上述栅极浮置,上述栅极的栅极电压可以维持在按照上述数据信号的电压电平。
在上述电子电路的驱动方法中,优选:在执行上述第1步骤的期间的至少一部分期间中,将上述第1端子的电压电平,设定成比上述第2端子的电压电平高;在执行上述第2步骤的期间的至少一部分期间中,将上述第2端子的电压电平,设定成比上述第1端子的电压电平高。
在上述电子电路的驱动方法中,也可以是,上述被驱动元件具备:连接在上述第1端子上的动作电极、对向电极、配置在上述动作电极和上述对向电极之间的功能层;至少在上述第1步骤及上述第2步骤被执行的期间,将上述对向电极的电压电平固定在给定电平上。
在上述电子电路的驱动方法中,优选:在上述第1步骤被执行的至少一部分期间,将上述第2端子的电压电平设定成低于上述给定电压电平。
在上述电子电路的驱动方法中,优选:进一步包含第3步骤,将上述第1端子的电压电平设定成比上述给定电压电平低的电压电平上;在上述第3步骤被执行期间,将上述对向电极的电压固定在上述给定电压电平。
在上述电子电路的驱动方法中,也可以是:上述第4端子的电压电平,通过上述第1步骤及上述第2步骤,被设定成与上述第2端子相同的电压电平。
本发明的第1电子电路,用于驱动被驱动元件,包含:驱动晶体管,具备第1端子和第2端子,在上述第1端子和上述第2端子之间具有沟道区域;第1电容器,具备第1电极和第2电极,同时在上述第1电极和上述第2电极之间形成电容;和第1晶体管,配置在上述第1端子和上述驱动晶体管的栅极之间,控制上述第1端子和上述栅极之间的电连接;上述第1电极与上述栅极连接,上述第2电极与上述第1端子连接。
在上述电子电路中,也可以进一步包括:第2电容器,具备第3电极和第4电极,同时在上述第3电极和上述第4电极之间形成电容;和第2晶体管,具有第3端子、第4端子、配置在第3端子和第4端子之间的沟道区域;上述驱动晶体管的上述栅极连接在上述第3电极上;在上述第4电极上连接上述第3端子。
在上述电子电路中,也可以是:在通过上述第1晶体管让上述第1端子和上述驱动晶体管的上述栅极成为电连接状态的第1期间的至少一部分期间中,设定上述第1端子和上述第2端子中至少一方的电压电平,以便让上述第1端子作为上述驱动晶体管的漏极的功能作用;在上述第1端子和上述驱动晶体管的上述栅极之间成为电隔离状态的第2期间的至少一部分期间中,设定上述第1端子和上述第2端子中的至少一方的电压电平,以便让上述第2端子作为上述驱动晶体管的漏极的功能作用。
本发明的第2电子电路,用于驱动被驱动元件,包含:驱动晶体管,具备第1端子和第2端子,在上述第1端子和上述第2端子之间具有沟道区域;和第1晶体管,配置在上述第1端子和上述驱动晶体管的栅极之间,控制上述第1端子和上述栅极之间的电气连接;在通过上述第1晶体管让上述第1端子和上述驱动晶体管的上述栅极成为电连接状态的第1期间的至少一部分期间中,设定上述第1端子和上述第2端子中至少一方的电压电平,以便让上述第1端子作为上述驱动晶体管的漏极的功能作用;在上述第1端子和上述驱动晶体管的上述栅极之间成为电隔离状态的第2期间的至少一部分期间中,设定上述第1端子和上述第2端子中的至少一方的电压电平,以便让上述第2端子作为上述驱动晶体管的漏极的功能作用。
在上述电子电路中,也可以是:以上述第1期间为契机,上述驱动晶体管的上述栅极的电压电平,设定成与上述驱动晶体管的阈值电压对应的偏置电平;在上述第2期间的至少一部分期间中,将与上述驱动晶体管的上述导通状态对应的驱动电压或者驱动电流供给上述被驱动元件。
这里,上述偏置电平的设定处理,在上述第1期间经过之后,或者也可以在上述第1期间执行中进行。
本发明的第2电子电路,用于驱动被驱动元件,包含:驱动晶体管,具备第1端子和第2端子,且在上述第1端子和上述第2端子之间具有沟道区域;补偿晶体管,具备第3端子、第4端子、配置在上述第3端子和上述第4端子之间的沟道区域,上述第3端子和自身的栅极连接;上述第3端子和上述第4端子中的任一方连接在上述驱动晶体管的上述栅极上;上述第3端子和上述第4端子的电压,可以分别设定成多个电压电平。
在上述电子电路中,也可以是:在第1期间,设定上述第3端子和上述第4端子的至少任一方的电压电平,以便让上述第3端子作为上述补偿晶体管的漏极的功能作用;在第2期间,设定上述第3端子和上述第4端子中至少任一方的电压电平,以便切断上述第3端子和上述第4端子之间的电连接;在上述第2期间的至少一部分期间中,将与数据信号供给时而设定的上述驱动晶体管的导通状态所对应的驱动电压或者驱动电流供给上述被驱动元件;在上述第1期间的上述第4端子的电压电平、和在上述第2期间的上述第4端子的电压电平互不相同。
在上述电子电路中,优选:上述电子电路进一步包含电容器,其具备第1电极、第2电极,在上述第1电极和上述第2电极之间形成电容;上述第1电极连接在上述驱动晶体管的上述栅极上;以上述第1期间为契机,通过在上述补偿晶体管的上述第3端子和上述第4端子之间流过初始化电流,在将上述驱动晶体管的上述栅极的电压电平设定成与上述补偿晶体管的阈值电压所对应的偏置电平之后,通过将与上述数据信号对应的数据电压施加在上述第2电极上,通过电容器的电容耦合,将上述驱动晶体管的上述栅极设定成与上述偏置电平和上述数据电压对应的电压电平,设定上述导通状态。
在上述电子电路中,优选:上述第4端子和上述第3端子中的任一方电压电平,通过上述第1期间和上述第2期间,设定成与上述第2端子相同的电压电平。
本发明的电子装置,具备:多个上述电子电路;和对于上述电子电路的每一个而设定的上述被驱动元件。
本发明的第1电光学装置,包含:多条数据线;多条扫描线;多条第1电源线;和多个像素电路,其与上述多条数据线和上述多条扫描线的交叉部对应设置;上述多个像素电路每一个具备:电光学元件;驱动晶体管,具备第1端子、第2端子,在上述第1端子和上述第2端子之间具有沟道区域;和第1开关晶体管,配置在上述第1端子和上述驱动晶体管的栅极之间,控制上述第1端子和上述栅极之间的电连接;根据通过多条数据线中的一条数据线供给的数据信号,设定上述驱动晶体管的导通状态;向上述电光学元件供给与上述驱动晶体管的上述导通状态对应的驱动电压或者驱动电流;在通过上述第1开关晶体管让上述第1端子和上述驱动晶体管的栅极之间电连接的期间的至少一部分期间,设定上述第1端子和上述第2端子中的至少任一方的电压电平,以便让上述第1端子作为漏极的功能作用;在将上述驱动电压或者上述驱动电流向上述电光学元件供给的期间的至少一部分期间中,设定上述第1端子和上述第2端子中的至少任一方的电压电平,以便让上述第2端子作为漏极的功能作用。
在上述电光学装置中,也可以是:上述多个像素电路的每一个进一步包含:第1电容器,具备第1电极和第2电极,同时在上述第1电极和上述第2电极之间形成电容;和第2开关晶体管,控制上述一条数据线和上述第2电极之间的电连接;上述驱动晶体管的上述栅极连接在上述第1电极上;在上述第1端子作为上述驱动晶体管漏极作用的期间的至少一部分期间中,在上述第1端子和上述第2端子之间流过初始化电流,上述驱动晶体管的上述栅极,设定成与上述驱动晶体管阈值对应的偏置电平;上述偏置电平设定之后,上述第2开关晶体管供给的上述数据信号,通过上述第1电容器的电容耦合,将上述驱动晶体管的上述栅极电压设定成与上述偏置电平和上述数据信号对应的电压电平。
在上述电光学装置中,也可以是:上述多个像素电路的每一个进一步具备第2电容器,其具有第3电极和第4电极,同时在上述第3电极和上述第4电极之间形成电容;上述第3电极连接在上述驱动晶体管的上述栅极上,上述第4电极连接在上述第1端子上。这样,例如,通过上述第2电容器的电容耦合,对上述第1端子的电压电平的变动,可以自动调整上述驱动晶体管的上述栅极的电压电平。
在上述电光学装置中,优选:上述第2端子,被连接在上述多条电源线的一条电源线上;上述一条电源线可以设定成多个电压电平。
本发明的第2电光学装置,包含:多条数据线;多条扫描线;多条电源线;和多个像素电路,其与上述多条数据线和上述多条扫描线的交叉部对应设置;上述多个像素电路每一个具备:电光学元件;驱动晶体管,具备第1端子、第2端子,在上述第1端子和上述第2端子之间具有沟道区域;和补偿晶体管,具备第3端子、第4端子、配置在上述第3端子和上述第4端子之间的沟道区域,将上述第3端子和自身的栅极连接;根据通过多条数据线中的一条数据线供给的数据信号,设定上述驱动晶体管的导通状态;上述第3端子和上述第4端子中的任一方,连接在上述多个电源线中的一条电源线上;将与上述驱动晶体管的上述导通状态对应的驱动电压或者驱动电流向上述电光学元件供给;上述一条电源线的电压,可以设定成多个电压电平。
在上述电光学装置中,也可以是:在上述第3端子作为上述补偿晶体管漏极作用的期间的至少一部分期间,将上述一条电源线的电压电平设定成第1电压电平;在将上述驱动电压或者上述驱动电流向上述电光学元件供给的至少一部分期间,将上述一条电源线的电压电平设定成第2电压电平;上述第1电压电平和上述第2电压电平相互不同。
在上述电光学装置中,也可以是:在上述第3端子作为上述补偿晶体管漏极作用的期间的至少一部分期间,上述驱动晶体管的上述栅极电压电平设定成与上述补偿晶体管的阈值电压对应的偏置电平。
在上述电光学装置中,也可以是:上述第4端子连接在上述一条电源线上;上述第1电压电平比上述第2电压电平低。
在上述电光学装置中,上述第1端子和上述第2端子也可以均连接在上述一条电源线上。
这样,例如,可以减少每一个像素电路的布线数。
在上述电光学装置中,也可以是:上述第1端子和上述第2端子的任一方,连接在上述多条电源线中的、与上述一条电源线不同的另一条电源线上。
在上述电光学装置中,优选:上述多条电源线,在与上述多条数据线交叉的方向上延伸。
在上述电光学装置中,优选:包含在上述多个像素电路中的晶体管的数目只有3个。
这样,可以提高开口率。
本发明的电子设备,安装了上述电光学装置。
本发明的电子装置的驱动方法,具有:第1步骤,将驱动晶体管的栅极和一方端子连接,通过对上述驱动晶体管施加非正向偏置,将连接在上述驱动晶体管的栅极上的节点电压,设定成与上述驱动晶体管的阈值对应的偏置电平;第2步骤,通过向与上述节点电容耦合的数据线供给的来自可变电压源的电压,对连接在上述节点上的电容器,进行以上述偏置电平作为基准的数据写入;和第3步骤,通过对上述驱动晶体管施加正向偏置,按照保持在上述电容器上的数据产生电流,将该电流向电流检测电路供给。
本发明的第2电子装置的驱动方法,对于具有第1端子、第2端子、配置在上述第1端子和第2端子之间的沟道区域的驱动晶体管,在对其特性分散偏差进行补偿的步骤被执行的期间的至少一部分期间,使上述第1端子的电压电平高于上述第2端子的电压电平;在对上述被驱动元件供给与上述驱动驱动晶体管的导通状态对应的驱动电压或者驱动电流的期间的至少一部分期间,使上述第1端子的电压电平低于上述第2端子的电压电平。
在上述电子装置的驱动方法中,优选:在上述第1端子和上述驱动晶体管的栅极连接的状态下,进行上述补偿步骤。
有关本发明的像素电路的驱动方法,具有:第1步骤,将驱动晶体管的栅极和自身一方端子连接,通过对驱动晶体管施加非正向偏置,将与在驱动晶体管的栅极上连接的节点电压设定与驱动晶体管的阈值对应的偏置电平;第2步骤,提供向与节点电容耦合的数据线供给规定像素灰度的数据电压,对连接在节点上的电容器,进行以偏置电平为基准的数据的写入;和第3步骤,通过对驱动晶体管施加正向偏置,产生与保持在电容器上的数据对应的驱动电流,通过将该驱动电流向连接在驱动晶体管上的电光学元件供给,设定电光学元件的亮度。
在上述像素电路的驱动方法中,驱动晶体管的另一方端子,也可以连接在电压可变设定的电源线上。这时,上述第1步骤,包含将电源线的电压设定成第1电压的步骤,上述第3步骤,优选包括将电源线电压设定成比第1电压更高的第2电压上的步骤。另外,上述第2步骤,优选包括将电源线的电压设定成第1电压的步骤。
在上述像素电路的驱动方法中,优选:第1电压,比施加非正向偏置时的驱动晶体管一方端子的电压低,第2电压,比施加正向偏置时的驱动晶体管一方端子的电压高。另外,优选在电光学元件的对向电极中,固定施加规定电压。
在上述像素电路的驱动方法中,也可以进一步具有第4步骤,通过将电源线的电压设定成比规定电压更低的第3电压,对电光学元件施加非正向偏置。另外,也可以进一步具有第5步骤,通过向连接驱动晶体管和电光学元件的节点施加比规定电压更低的第3电压,对电光学元件施加非正向偏置。
本发明第2像素电路的驱动方法,具有:第1步骤,通过对将自身的栅极和自身的一方端子连接的补偿晶体管施加规定偏置,形成正向的二极管连接,同时对与该补偿晶体管不同的驱动晶体管施加非正向偏置,将连接在补偿晶体管的栅极上的节点的电压设定成与补偿晶体管的阈值对应的偏置电平;第2步骤,通过在将与规定偏置相反方向的偏置施加在补偿晶体管上之后,向与节点电容耦合的数据线供给规定像素灰度的数据电压,对连接在节点上的电容器,进行以偏置电压为基准的数据的写入;和第3步骤,通过对驱动晶体管施加正向偏置,产生与保持在电容器的数据对应的驱动电流,通过将该驱动电流向连接在驱动晶体管的一方端子上的电光学元件供给,设定电光学元件的亮度。
在上述像素电路的驱动方法中,也可以将驱动晶体管的另一方端子连接在电压可变设定的第1电源线上,将补偿晶体管的另一方端子连接在电压可变设定的第2电源线上。这时,优选:上述第1步骤包含将第1电源线的电压设定成第1电压的步骤、和将第2电源线的电压设定成第2电压的步骤,上述第2步骤包含将第2电源线的电压设定成比第2电压更高的第3电压的步骤,上述第3步骤包含将第1电源线的电压设定成比第1电压更高的第4电压的步骤。另外优选:上述第2步骤包含将第1电源线的电压设定成第1电压的步骤;第3步骤包含将第2电源线的电压设定成第3电压的步骤。
在上述像素电路的驱动方法中,优选:第1电源电压低于施加非正向偏置时的驱动晶体管的一方端子的电压;第2电压低于施加非正向偏置时的补偿晶体管的一方端子的电压;第3电压高于施加正向偏置时的补偿晶体管的一方端子的电压;第4电压高于施加正向偏置时的驱动晶体管的一方端子的电压。另外优选:对电光学元件的对向电极固定施加规定电压。
在上述像素电路的驱动方法中,也可以进一步具有第4步骤,通过将电源线的电压设定成低于规定电压的第5电压,对电光学元件施加非正向偏置。
本发明的第1像素电路,具有:电光学元件,其根据流过自身的驱动电流设定亮度;驱动晶体管,其将一方端子连接在电压可变设定的电源线上,另一方端子连接在电光学元件上,同时根据栅极电压生成驱动电流;第1电容器,其将一方电极连接在驱动晶体管的栅极上;第2电容器,其将一方电极连接在驱动晶体管的栅极上,另一方电极连接在驱动晶体管的另一方端子上;第1开关晶体管,其将一方端子连接在第1电容器的另一方端子上,另一方端子连接在数据线上;和第2开关晶体管,其将一方端子连接在驱动晶体管的栅极上,另一方端子连接在驱动晶体管的的另一方端子上。
在上述像素电路中,优选:在让第1开关晶体管截止、第2开关晶体管导通的初始化期间中,通过将电源线电压设定成第1电压,对驱动晶体管施加非正向偏置,同时将驱动晶体管的栅极电压设定成与驱动晶体管的阈值对应的偏置电平。另外,也可以在比初始化期间之后的期间,即让第1开关晶体管导通、第2开关晶体管截止的数据写入期间中,通过对数据线供给规定像素灰度的数据电压,对第1电容器和第2电容器,进行以偏置电平为基准的数据写入。也可以在比数据写入期间之后的期间,即让第1开关晶体管和第2开关晶体管都截止的驱动期间,通过将电源线电压设定成高于第1电压的第2电压,对驱动晶体管施加正向偏置,同时向电光学元件供给与保持在第1电容器和第2电容器上的数据对应的驱动电流,设定电光学元件的亮度。
本发明的第2像素电路,具有:电光学元件,其根据流过自身的驱动电流设定亮度;驱动晶体管,其将一方端子连接在电压可变设定的第1电源线上,另一方端子连接在电光学元件上,同时根据栅极电压生成驱动电流;第1电容器,其将一方电极连接在驱动晶体管的栅极上;第2电容器,其将一方电极连接在驱动晶体管的栅极上,另一方电极连接在驱动晶体管的另一方端子上;开关晶体管,其将一方端子连接在第1电容器的另一方端子上,另一方端子连接在数据线上;和补偿晶体管,其将自身的栅极和自身的一方端子和驱动晶体管的栅极连接,另一方端子连接在电压可变控制的第2电源线上。
在上述像素电路中,优选:在让开关晶体管截止的初始化期间,通过将第1电源线的电压设定成第1电压,对驱动晶体管施加非正向偏置,通过将第2电源线的电压设定成第2电压,补偿晶体管形成正向的二极管连接,同时将驱动晶体管的栅极电压设定成与补偿晶体管的阈值对应的偏置电压。另外,也可以在比初始化期间之后的期间,即让开关晶体管导通的数据写入期间中,通过将第2电源线的电压设定成高于第2电压的第3电压,让施加在补偿晶体管上的偏置变成与初始化期间相反的方向,同时对第1电容器和第2电容器,进行以偏置电平为基准的数据写入。也可以在比数据写入期间之后的期间,即让开关晶体管截止的驱动期间,通过将第1电源线电压设定成高于第1电压的第4电压,对驱动晶体管施加正向偏置,同时向电光学元件供给与保持在第1电容器和第2电容器上的数据对应的驱动电流,设定电光学元件的亮度。
本发明的第3像素电路,具有:电光学元件,其根据流过自身的驱动电流设定亮度;驱动晶体管,其将一方端子连接在电压可变设定的第1电源线上,根据栅极电压生成驱动电流;第1电容器,其将一方电极连接在驱动晶体管的栅极上;第2电容器,其将一方电极连接在驱动晶体管的栅极上,另一方电极连接在驱动晶体管的另一方端子上;第1开关晶体管,其将一方端子连接在第1电容器的另一方端子上,另一方端子连接在数据线上;第2开关晶体管,其将一方端子连接在驱动晶体管的栅极,另一方端子连接在驱动晶体管的的另一方端子;第3开关晶体管,其将一方端子连接在驱动晶体管的另一方端子上,另一方端子连接在电压可变设定的第2电源线上;和第4开关晶体管,其将一方端子连接在驱动晶体管的另一方端子上,另一方端子连接在电光学元件上。
在上述像素电路中,优选:在让第1开关晶体管截止、第2开关晶体管导通、第3开关晶体管在一部分期间内导通、第4开关晶体管截止的初始化期间中,通过将第1电源线的电压设定成第1电压,将第2电源线电压设定成第2电压,对驱动晶体管施加非正向偏置,同时将驱动晶体管的栅极电压设定成与驱动晶体管的阈值对应的偏置电压。也可以在初始化期间之后的期间,即让第1开关晶体管导通、第2开关晶体管截止、第3开关晶体管截止、第4开关晶体管截止的数据写入期间,通过向数据线将供给规定像素灰度的数据电压,对第1电容器和第2电容器,进行以偏置电平为基准的数据写入。进一步,也可以在数据写入期间之后的期间,即让第1开关晶体管截止、第2开关晶体管截止、第3开关晶体管截止、第4开关晶体管导通的驱动期间中,通过将第1电源线电压设定成高于第1电压的第3电压,对驱动晶体管施加正向偏置,同时向电光学元件供给与保持在第1电容器和第2电容器上的数据对应的驱动电流,从而设定电光学元件的亮度。而且,优选:在比驱动期间之后的期间,即让第1开关晶体管截止、第2开关晶体管截止、第3开关晶体管导通、第4开关晶体管导通的反向偏置期间,通过将第2电源线的电压设定成低于第2电压的第4电压,对电光学元件施加非正向偏置。
本发明的第4像素电路,具有:电光学元件,其根据流过自身的驱动电流设定亮度;驱动晶体管,其将一方端子连接在电压可变设定的电源线上,另一方端子连接在电光学元件上,同时根据栅极电压生成驱动电流;电容器,其将一方电极连接在驱动晶体管的栅极上;第1开关晶体管,其将一方端子连接在电容器的另一方端子上,另一方端子连接在数据线上;和第2开关晶体管,其将一方端子连接在驱动晶体管的栅极上,另一方端子连接在驱动晶体管的的另一方端子上。
在上述像素电路中,在让第1开关晶体管截止、第2开关晶体管导通的初始化期间中,通过将电源线的电压设定成第1电压,对驱动晶体管施加非正向偏置,并将驱动晶体管的栅极电压设定成与驱动晶体管阈值对应的偏置电平。
另外,也可以在初始化期间之后的期间中,即让第1开关晶体管导通,第2开关晶体管截止的数据写入期间中,通过向数据线供给规定像素灰度的数据电压,对电容器,进行以偏置电压为基准的数据写入。进一步,也可以在数据写入期间之后的期间,即让第1开关晶体管和第2开关晶体管都截止的驱动期间,通过将电源线的电压设定成高于第1电压的第2电压,对驱动晶体管施加正向偏置,同时向电光学元件供给与保持在电容器上的数据对应的驱动电流,设定电光学元件的亮度。
由上述像素电路构成的电光学装置也可以做成电子设备。
作为发明的效果之一,根据将晶体管的特性补偿的步骤和施加非正向偏置在一个动作处理中进行,可以实现提高动作设计上的灵活性。
具体实施方式
(第1实施方式)
图1表示有关本实施方式的电光学装置的构成框图。表示部1,例如由TFT(Thin Film Transistor)驱动电光学元件的有源矩阵型显示板。在该表示部1中,m点×n行的像素组排列成矩阵形(二维平面)。在表示部1中,设置分别在水平方向延伸的扫描线组Y1~Yn,和分别在垂直方向延伸的数据线组X1~Xm,对应这些交叉点配置像素2(像素电路)。电源线L1~Ln与扫描线Y1~Yn对应设置,在与数据线X1~Xm交叉的方向,换言之,在扫描线Y1~Yn的延伸方向延伸。电源线L1~Ln的每一条,和一条扫描线Y的延伸方向所对应的像素行(m点)共同连接。而且,在本实施方式中,虽然以1个像素2作为图像的最小显示单位,但对于彩色面板,也可以采用RGB的3个子像素构成1个像素2。
而且,关于后述的各个实施方式的像素电路构成之间的关系,图1所示的一条扫描线Y有时表示一条扫描线(图6),有时表示多条扫描线的集合(图2,9,11)。同样,图1所示的一条电源线L有时表示一条电源线(图2,11),有时表示多条电源线的集合(图6,9)。
控制电路5,根据图中未画出的上位装置输入的垂直同步信号Vs、水平同步信号Hs、点时钟信号DCLK及灰度数据D等,同步控制扫描线驱动电路3、数据线驱动电路4及电源线控制电路6。该同步控制下,这些电路3、4、6互相协调动作,进行显示部1的显示控制。
扫描线驱动电路3,以移位寄存器、输出电路等为主体构成,通过对扫描线Y1~Yn输出扫描信号SEL,对扫描线Y1~Yn依次进行扫描。扫描信号SEL,取高电位电平(以下称“H电平”)或者低电位电平(以下称“L”电平)的2值信号电平,成为数据写入对象的像素行所对应的扫描线Y设定为H电平,这以外的扫描线Y分别设定为L电平。扫描线驱动电路3,在每一个显示1帧图像期间(1F),以规定的选择顺序(一般按照由最上到最下的方向)依次选择各个扫描线Y而进行依次扫描。另外,数据线驱动电路4,以移位寄存器、行锁存电路、输出电路等为主体构成。
数据线驱动电路4,在相当于选择1条扫描线Y的期间的1个水平扫描期间(1H)中,同时进行写入当次数据的像素行的数据电压Vdata一齐输出,与下一个1H中进行写入的像素行的相关数据的点依次锁存。在某个1H中,与数据线X的条数相当的m个数据依次锁存。而且,在下一个1H中锁存的m个数据电压Vdata,一齐输出到对应的数据线X1~Xm。
另一方面,电源线控制电路6,以移位寄存器、输出电路等为主体构成,和扫描线驱动电路3的线依次扫描同步,将电源线L1~Ln的电压以像素行单位可变地设定。
图2表示有关本实施方式的电压跟随型电压编程方式的像素电路图。关于该像素电路,图1所示的1条扫描线Y,包含供给第1扫描信号SEL1的第1扫描线Ya,和供给第2扫描信号SEL2的第2扫描线Yb。1个像素电路,由被驱动元件的一方式的有机EL元件OLED、3个晶体管T1~T3、保持数据的两个电容器C1、C2构成。而且,在本实施方式中,由非晶硅形成TFT,所以其沟道型都是n型,但是并不局限于这样(关于后述的各个实施方式也同样)。另外,在本说明书中,关于具有源极、漏极、栅极的三个端子型的元件的晶体管,将源极或者漏极的一方称为“一方端子”,而另一方称为“另一方端子”。
第1开关晶体管T1,将栅极连接在供给第1扫描信号SEL1的第1扫描线Ya上,由该扫描信号SEL1控制导通。该晶体管T1的一方端子连接在数据线X上,其另一方端子连接在第1电容器C1的一方电极。该电容器C1的另一方电极连接在节点N1上。该节点N1,除了第1电容器C1之外还同时连接有驱动晶体管T3的栅极,第2开关晶体管T2的一方端子,第2电容器C2的一方电极。驱动晶体管T3的一方端子连接在电源线L上,其另一方端子连接在节点N2上。该节点N2上,除了驱动晶体管T3之外,还同时连接有机EL元件OLED的阳极,第2开关晶体管T2的另一方端子,第2电容器C2的另一方电极。有机EL元件OLED的阴极,即在对向电极上,固定施加低于电源电压Vdd的基准电压Vss(例如0V)。第2电容器C2,设置在驱动晶体管T3的栅极和节点N2之间,根据这样,构成电压跟随型电路。第2开关晶体管T2和第2电容器C2并联设置。该开关晶体管T2,将栅极连接在供给第2扫描信号SEL2的第2扫描线Yb上,根据该扫描信号SEL2控制导通。
图3表示图2所示的像素电路的动作时序图。与上述1F相当的t0~t3期间的一连串动作处理大致分为,在最初期间t0~t1的初始化处理、接在这之后的期间t1~t2的数据写入处理、及最后期间t2~t3的驱动处理。
首先,在初始化期间t0~t1,同时进行对驱动晶体管T3的反向偏置的施加和Vth补偿。具体地说,第1扫描信号SEL1为L电平,第1开关晶体管T1截止,第1电容器C1和数据线X之间被电隔离。与此相呼应,第2扫描信号SEL2为H电平,第2开关晶体管T2导通。这里,电源线L被设定VL=Vss,节点N2的电压V2,根据前面的1F的驱动处理,至少是高于Vss+Vth的电压(其具体值是依赖于前面的1F中的数据、驱动晶体管T3的特性、有机EL元件OLED等)。根据这样的电压关系,对驱动晶体管T3,施加与后述驱动电流Ioled流动方向相反的反向偏置,将自身的栅极和自身的漏极(节点N2侧的端子)之间按照正向连接,成为二极管连接。根据这样,如图4(a)所示,节点N2的电压V2(及和它连接的节点N1的电压V1)在到达与驱动晶体管T3的Vth对应的偏置电平(Vss+Vth)之前,从节点N2向电源线L,流动与在驱动期间t2~t3流过的驱动电流Ioled相反方向的电流I。连接在节点N1上的电容器C1、C2,在数据写入之前,设定在节点N1的电压V1成为偏置电平(Vss+Vth)那样的电荷状态。这样,在数据写入之前,通过将节点N1的电压预先偏置到偏置电平(Vss+Vth),可以补偿驱动晶体管T3的阈值Vth。
接着,在数据写入期间t1~t2,以初始化期间t0~t1设定的偏置电平(Vss+Vth)为基准,对电容器C1、C2进行数据写入。具体地说,将第2扫描信号SEL2降至L电平,第2开关晶体管T2截止,解除驱动晶体管T3的二极管连接。与该扫描信号SEL2的下降“同步”,将第1扫描信号SEL1上升到H电平,第1开关晶体管T1导通。根据这样,数据线X和第1电容器C1电连接。在本说明书中,“同步”该术语不仅包括同一时刻的情况,也包括允许由于设计上的余量等原因多少产生的时间偏差的意思。而且,从时刻t1开始经过规定的时间后的时刻内,数据线X的电压Vx从基准电压Vss升至数据电压Vdata(规定像素2的显示灰度的电压电平数据)。如图4(b)所示,数据线X及节点N1,通过第1电容器C1电容耦合。因此该节点N1的电压V1,如式1所示,按照数据线X的电压变化量ΔVdata(=Vdata-Vss),以偏置电压(Vss+Vth)为基准,只升高了α·ΔVdata。而且,在该式中,系数α,是根据第1电容器C1的电容Ca和第2电容器C2的电容Cb之间的电容比而特定的系数(α=Ca/(Ca+Cb))。
(式1)
V1=Vss+Vth+α·ΔVdata
=Vss+Vth+α·(Vdata-Vss)
在电容器C1,C2中,将相当于由式1计算出的电压V1的电荷作为数据写入。节点N1、N2虽然是通过第2电容器C2电容耦合,但是如果将该电容器C2的电容设定成足够小于有机EL元件OLED的电容,那么在期间t1~t2,节点N2的电压V2,几乎不受节点N1的电压变动的影响,大致维持在Vss+Vth。而且,在期间t1~t2,通过将电源线L设定成VL=Vss,不流过驱动电流Ioled,可以限制有机EL元件OLED的发光。
然后,在期间t2~t3,向有机EL元件OLED供给相当于驱动晶体管T3的沟道电流的驱动电流Ioled,有机EL元件OLED发光。具体地说,第1扫描信号SEL1再次为L电平,第1开关晶体管T1截止。根据这样,供给数据电压Vdata的数据线X和第1电容器C1之间被电隔离,驱动晶体管T3的栅极N1继续施加与在电容器C1、C2上保持的数据对应的电压。而且,与第1扫描信号SEL1下降同步,将电源线L设为VL=Vdd。其结果,如图4(c)所示,在从电源线L向有机EL元件OLED的阴极侧的方向上形成驱动电流Ioled的路径。此时,节点N2和夹着驱动晶体管T3的沟道区域的相反侧端子作为驱动晶体管T3的漏极发挥功能。以驱动晶体管T3在饱和区域动作为前提,流过有机EL元件OLED的驱动电流Ioled(驱动晶体管T3的沟道电流Ids)根据式2计算。在该式中Vgs是驱动晶体管的栅极—源极之间的电压。另外,放大系数β是由驱动晶体管T3的载流子的移动度μ、栅极电容A、沟道宽度W、沟道长度L而特定的系数(β=μAW/L)。
(式2)
Ioled=Ids
=β/2(Vgs-Vth)2
这里作为驱动晶体管T3的栅极电压Vg,用式1计算的V1带入,式2可以变为式3。
(式3)
Ioled=β/2(Vg-Vs-Vth)2
=β/2{(Vss+Vth+α·ΔVdata)-Vs-Vth}2
=β/2(Vss+α·ΔVdata-Vs)2
在式3中应该留意一点,驱动晶体管T3生成的驱动电流Ioled,由Vth相抵消,不依赖于驱动晶体管T3的阈值Vth。因此,对电容器C1、C2的数据写入以Vth为基准进行,由于制造上的分散差异、随时间的变化等,在Vth上即使存在差别,也不会受其影响,仍可以生成驱动电流Ioled。
有机EL元件OLED的发光亮度,由与数据电压Vdata(电压变化量ΔVdata)对应的驱动电流Ioled决定,由此设定像素2的灰度。而且,在图4(c)所示的路径流过驱动电流Ioled,驱动晶体管T3的源极电压V2,由于有机EL元件OLED的自身阻抗等原因,高于当初的Vss+Vth。但是,驱动晶体管T3的栅极N1和节点N2之间通过第2电容器C2电容耦合,因为栅极电压V1也随源极电压V2的上升而上升,所以某种程度,可以降低栅极—源极间电压Vgs的源极电压变动的影响。
这样,在本实施方式中,电源线L的电压VL可变,在初始化期间t0~t1,Vss可以分别设定得比驱动期间t2~t3的Vdd更高。在初始化期间t0~t1中设定的电压Vss,为了在驱动晶体管T3上施加反向偏置,需要是比连接晶体管T3和有机EL元件OLED之间的节点N2的电压V2更低的电压。另外,在驱动期间t2~t3的设定电压Vdd,为了对驱动晶体管T3施加正向偏置,允许形成驱动电流Ioled的路径,需要施加比节点N2的电压V2更高的电压。在初始化期间t0~t1,通过让VL=Vss,对驱动晶体管T3施加反向偏置,在该偏置状态下可以对Vth进行补偿。通过进行Vth补偿,可以降低Vth的偏差对驱动电流Ioled的影响。另外,通过施加反向偏置,在驱动晶体管T3的Vth漂移,即可以有效抑制Vth随时间变化的现象。而且,通过Vth补偿和施加反向偏置在同一动作处理(初始化期间t0~t1)中进行,可以达到提高动作设计上灵活性的目的。
而且,在本实施方式中,在初始化期间t0~t1,通过将电源线L的电压VL降落至基准电压Vss,对驱动晶体管T3施加反向偏置。但是,也可以把期间t0~t1的电压VL设定成比Vss更低的电压Vrvs。这时,因为电源线L的电压Vrvs比有机EL元件OLED的对向电极侧的电压Vss更低,所以不仅对驱动晶体管T3,而且对有机EL元件OLED上也可以施加反向偏置。其结果,可以达到有机EL元件OLED的长寿命化的目的。另外,如果扩展本实施方式的概念,在驱动晶体管T3上不是正向偏置的状态,即通过在施加非正向偏置的基础上进行Vth补偿,也可以达到上述效果。因此,虽然非正向偏置之一的反向偏置是优选实施方式,但是本发明并不局限于此。而且对于这一点,在后述的各实施方式中也相同。
(第2实施方式)
本实施方式是有关在图2所示的像素电路中,对驱动晶体管T3更积极施加反向偏置的方法。关于该像素电路的构成,和上述的电路构成一样,所以在此省略说明。
图5是本实施方式的动作时序图。在本实施方式中,在驱动期间t2~t3的后半期设置反向偏置期间t2′~t3,在该期间t2′~t3,电源线L的电压VL设定成比基准电压Vss(对向电极的电压)更低的Vrvs。根据这样,停止有机EL元件OLED的发光,有机EL元件OLED及驱动晶体管T3双方均被施加反向偏置。
根据本实施方式,除了具有与上述第1实施方式同样的效果之外,因为在反向偏置期间t2′~t3,对有机EL元件OLED更有效施加反向偏置,所以还可以达到有机EL元件OLED的长寿命化的目的。
(第3实施方式)
图6表示有关本实施方式的电压跟随型电压编程方式的像素电路图。关于该像素电路,在图1所示的1条电源线L包含第1电源线La和第2电源线Lb。1个像素电路由有机EL元件OLED、3个n沟道型晶体管T1~T3、保持数据的2个电容器C1、C2构成。而且补偿晶体管T2的阈值Vth2,设定成和驱动晶体管T3的阈值Vth1大致相等。关于在同一过程中制造的,在显示部1上非常接近配置的晶体管T2、T3,在实际的产品中,也可以将这些电特性设定成几乎一样。
开关晶体管T1的栅极,连接在供给扫描信号SEL的扫描线Y上。该晶体管T1的一方端子,连接在数据线X上,其另一方端子连接在第1电容器C1的一方电极上。该电容器C1的另一方电极连接在节点N1上。该节点N1上,除了第1电容器C1之外,还与驱动晶体管T3的栅极、补偿晶体管T2的另一方端子(及其栅极),第2电容器C2的一方电极共同连接。驱动晶体管T3的一方端子连接在第1电源线La上,其另一方端子连接在节点N2上。在该节点N2上,除了驱动晶体管T3之外,还与有机EL元件OLED的阴极,第2电容器C2的另一方电极共同连接。在有机EL元件OLED的阴极上固定施加基准电压Vss。第2电容器C2设在驱动晶体管T3的栅极和节点N2之间,由此构成电压跟随型电路。补偿晶体管T2的另一方端子连接在第2电源线Lb上。
图7表示图6所示的像素电路的动作时序图。与第1实施方式一样,相当于1F的期间t0~t3大致分为初始化期间t0~t1、数据写入期间t1~t2及驱动期间t2~t3。
首先在初始化期间t0~t1,对补偿晶体管T2及驱动晶体管T3双方同时进行反向偏置的施加和Vth补偿。具体地说,扫描信号SEL变为L电平,开关晶体管T1截止,第1电容器C1和数据线X之间被电隔离。这里,第2电源线Lb的电压VLb设定成Vss,根据前面的1F的驱动处理,比节点N1的电压V1更低。根据这样的电位关系,夹着补偿晶体管T2的沟道区域配置的两个端子中的和自身栅极连接的端子作为漏极发挥功能,形成在正方向被偏置(如果将驱动期间t2~t3的偏置关系作为正向偏置,则为反向偏置)的二极管连接。
根据这样,如图8(a)所示,节点N1的电压V1到达偏置电平(Vss+Vth1)之前,从节点N1向第2电源线Lb流过成为初始化电流的电流I1。连接在节点N1上的电容器C1、C2,在数据写入之前,设定在节点N1的电压V1到达偏置电平(Vss+Vth)那样的电荷状态。
另外,将第1电源线La的电压VLa也设定在Vss,根据前面的1F的驱动处理,比节点N2的电压V2要低。因此在驱动晶体管T3上也施加反向偏置,从节点N2向第1电源线La流过电流I2。电流I2有助于抑制驱动晶体管T3特性变化和恶化。
在数据写入期间t1~t2,以在初始化期间t0~t1中设定的偏置电平(Vss+Vth1)为基准,对电容器C1、C2进行数据写入。具体地说,首先,第2电源线Lb的电压VLb从Vss升至Vdd,电压VLb变成高于节点N1的电压V1。由于这样,与初始化期间t0~t1反向的偏置(如果将驱动期间t2~t3的偏置关系作为正向,则为正向)施加在补偿晶体管T2上,节点N1和第2电源线Lb之间被电隔离。与该电压VLb上升同步,扫描信号SEL上升至H电平,开关晶体管T1导通。根据这样,数据线X和第1电容器C1电连接。而且,从时刻t1经过规定时间后的时刻,数据线X的电压Vx从基准电压Vss上升到数据电压Vdata。如图8(b)所示,数据线V及节点N1通过第1电容器C1电容耦合。因此,该节点N1的电压V1,如式4所示,以偏置电平(Vss+Vth1)为基准,只上升α·ΔVdata。电容器C1、C2设定在如式4计算的电压V1那样的电荷状态。而且,在该t1~t2期间中,因为第1电源线La的Vla设定成Vla=Vss,所以不流动驱动电流Ioled,有机EL元件OLED不发光。
(式4)
V1=Vss+Vth1+α·ΔVdata
=Vss+Vth1+α·(Vdata-Vss)
在驱动期间t2~t3中,与驱动晶体管T3的沟道电流Ids相当的驱动电流Ioled流过有机EL元件OLED,有机EL元件OLED发光。具体地说,扫描信号SEL再次变为L电平,开关晶体管T1截止。根据这样,供给数据电压Vdata的数据线X和第1电容器C1之间被电隔离。但是,在驱动晶体管T3的栅极N1上,继续施加与在电容器C1、C2上保持的数据对应的栅极电压Vg。然后,与扫描信号SEL下降同步,第1电源线La的电压VLa=Vdd。其结果,如图8(c)所示那样,在从第1电源线La向有机EL元件OLED阴极侧的方向上形成驱动电流Ioled的路径。以驱动晶体管T3在饱和区域动作为前提,流过有机EL元件OLED的驱动电流Ioled,根据式5计算出来。
(式5)
Ioled=Ids
=β/2(Vgs-Vth2)2
这里,作为驱动晶体管T3的栅极电压Vg,使用式1计算出的V1带入,式5可以变形为式6。
(式6)
Ioled=β/2(Vg-Vs-Vth2)2
=β/2{(Vss+Vth1+α·ΔVdata)-Vs-Vth2}2
在本实施方式中,补偿晶体管T2的阈值Vth1和驱动晶体管T3的阈值Vth2设定成几乎相等。因此同样的式中,Vth1和Vth2之间抵消,所以结果可以推导为式7。从该式中可以知道,有机EL元件OLED根据不依赖晶体管T2、T3的阈值Vth1、Vth2的驱动电流Ioled而发光,这样,可以设定像素2的灰度。
(式7)
Ioled=β/2(Vss+α·ΔVdata-Vs)2
象这样,根据本实施方式,在进行Vth补偿时,进行对补偿晶体管T2和驱动晶体管T3双方均施加反向偏置。根据这样,由于和第1实施方式同样的理由,Vth补偿和Vth漂移的抑制可以在同一动作处理(初始化期间t0~t1)进行,可以实现提高在动作设计上的灵活性的目的。
而且,在本实施方式中,也是因为和第2实施方式同样的理由,在t2~t3的后半部设置反向偏置期间t2′~t3,在该期间t2′~t3中,也可以将电源线La、Lb的电压VLa、VLb均设定成Vrvs。
另外,也可以将驱动晶体管T3和补偿晶体管T2不按照本实施方式那样,分别接在不同的第1电源线La和第2电源线Lb,而接在同一电源线上。即也可以将夹着补偿晶体管T2的自身沟道区域配置的两个端子中任一方端子的电压电平,与夹着驱动晶体管T3的自身沟道区域而配置的两个端子中的任一方端子的电压电平设为同一电平那样。根据这样,可以减少每一个像素电路的配线数。
(第4实施方式)
图9表示有关本实施方式的电压跟随型电压编程方式的像素电路图。关于该像素电路,图1所示的1条扫描线Y,包含分别供给扫描信号SEL1~SEL4的4条扫描线Ya~Yb,同时图1所示的1条电源线L含有两条电源线La、Lb。1个像素电路,具有有机EL元件OLED、5个n沟道型晶体管T1~T5、保持数据的两个电容器C1、C2。该像素电路,是以图2所示像素电路为基础,在其上附加两个晶体管T4、T5构成的。
具体地说,第1开关晶体管T1的栅极,连接在供给第1扫描信号SEL1的第1扫描线Ya上。该晶体管T1的一方端子连接在数据线X上,其另一方端子连接在第1电容器C1的一方电极上。该电容器C1的另一方电极连接在节点N1上。在该节点N1上,除了第1电容器C1之外,还同时连接着驱动晶体管T3的栅极、第2开关晶体管T2的一方端子、第2电容器C2的一方电极。驱动晶体管T3的一方端子,连接在第1电源线La上,其另一方端子连接在节点N2上。在该节点N2上,除了驱动晶体管T3之外,还同时连接着第2开关晶体管T2的另一方端子、第2电容器C2的另一方电极、第3开关晶体管T4的一方端子、通过第4开关晶体管T5与有机EL元件OLED的阳极连接。在有机EL元件OLED的阴极上,固定施加基准电压Vss。第2电容器C2设置在驱动晶体管T3的栅极和节点N2之间。由此构成电压跟随型电路。第2开关晶体管T2设置为与第2电容器C2并联,其栅极连接在供给第2扫描信号SEL2的第2扫描线Yb上。第3开关晶体管T4的另一方端子连接在第2电源线Lb上,其栅极连接在供给第3扫描信号SEL3的第3扫描线Yc上。另外,第4开关晶体管T5的栅极,连接在供给第4扫描信号SEL4的第4扫描线Yd上。
图10表示图9所示的像素电路的动作时序图。在本实施方式中,相当于1F的期间t0~t3中,在初始化期间t0~t1,数据写入期间t1~t2及驱动期间t2~t2′的基础上,还设置了对有机EL元件OLED施加反向偏置的反向偏置期间t2′~t3。
在初始化期间t0~t1中,对驱动晶体管T3同时进行反向偏置的施加和Vth补偿。具体地说,扫描信号SEL1,SEL4变为L电平,开关晶体管T1、T5同时截止。由于这样,第1电容器C1和数据线X之间被电隔离,并且有机EL元件OLED和节点N2之间被电隔离。另外,第2扫描信号SEL2变为H电平,第2开关晶体管T2导通。而且在初始化期间t0~t1的一部分期间(前半部分)中,第3扫描信号SEL3变为H电平,第3开关晶体管T4导通。这里,第1电源线La的电压VLa设定为VLa=Vss,第2电源线Lb的电压VLb设定为VLb=Vdd。根据这样的电压关系,对驱动晶体管T3,施加与驱动电流Ioled流向相反的反向偏置,自身的栅极和自身的漏极(节点N2侧的端子)正向连接,成为二极管连接。然后,在第3扫描信号SEL3下降至L电平,第3开关晶体管T4截止,节点N2的电压V2(及和该节点直接连接的节点N1的电压V1)设定在偏置电平(Vss+Vth)上。连接在节点N1上的电容器C1、C2,在数据写入之前,设定成按照节点N1电压V1成为偏置电平(Vss+Vth)那样的电荷状态。
在数据写入期间t1~t2,以初始化期间t0~t1设定的偏置电平(Vss+Vth)为基准,对电容器C1、C2进行数据写入。具体地说,在第2扫描信号SEL2下降为L电平,第2开关晶体管T2截止,解除驱动晶体管T3的二极管连接。与该扫描信号SEL2的降低同步,第1扫描信号SEL1升至H电平,第1开关晶体管T1导通。根据这样,数据线X和第1电容器C1之间电连接。而且,从时刻t1经过规定时间后的时刻,数据线X的电压Vx从基准电压Vss上升到数据电压Vdata。通过第1电容器C1的电容耦合,节点N1的电压V1,以偏置电平(Vss+Vth)为基准,只上升α·ΔVdata,与此对应的数据被写入电容器C1、C2。而且,在该期间t1~t2中,第4开关晶体管T5截止,所以不流过驱动电流Ioled,有机EL元件OLED不发光。
在驱动期间t2~t2′,第1扫描信号SEL1下降至L电平,第1开关晶体管T1截止,而且与该下降同步,第4扫描信号SEL4升至H电平,第4开关晶体管T5导通,并且第1电源线La的电压VLa变为VLa=Vdd。根据这样,驱动电流Ioled流过有机EL元件OLED,有机EL元件OLED发光。由于上述原因,驱动晶体管Ioled,几乎不依赖驱动晶体管T3的阈值Vth。
在反向偏置期间t2′~t3中,第3扫描信号SEL3升至H电平,并且第1电源线La的电压VLa从Vdd降到Vss。另外,在该期间t2′~t3中,第2电源线Lb的电压VLb变为VLb=Vrvs。因此,对节点N2直接施加第2电源线Lb的电压Vrvs,因为V2=Vrvs,所以有机EL元件OLED被施加反向偏置。
根据本实施方式,和上述各实施方式一样,可以将Vth补偿和Vth漂移的抑制在同一动作处理中(初始化期间t0~t1)进行,可以实现提高动作设计上的灵活性的目的。另外,在反向偏置期间t2′~t3,因为对有机EL元件OLED施加反向偏置,所以可以实现有机EL元件OLED的长寿命化的目的。
(第5实施方式)
图11表示有关本实施方式的电压编程方式的像素电路图。该像素电路,与上述各个实施方式不同,不是电压跟随型。1个像素电路,由有机EL元件OLED、3个n沟道型晶体管T1~T3、保持数据的1个电容器C1构成。
第1开关晶体管T1的栅极,连接在供给第1扫描信号SEL1的第1扫描线Ya上。该晶体管T1的一方端子连接在数据线X上,其另一方端子连接在第1电容器C1的一方电极上。该电容器C1的另一方电极连接在节点N1上。在该节点N1上,除了第1电容器C1之外,还连接着驱动晶体管T3的栅极、第2开关晶体管T2的一方端子。驱动晶体管T3的一方端子连接在电源线L上,其另一方端子连接在节点N2上。在该节点N2上,除了驱动晶体管T3之外,还连接着有机EL元件OLED的阳极、以及第2开关晶体管T2的另一方端子。在有机EL元件OLED的阴极上固定施加比电源电压Vdd更低的基准电压Vss(例如0V)。第2开关晶体管T2的栅极连接在供给第2扫描信号SEL2的第2扫描线Yb上。
该像素电路的动作,按照图3所示的时序,除去没有介入第2电容器C2以外,其余和第1实施方式同样,在此省略其说明。
根据本实施方式,即使在不是电压跟随型的电压编程方式的像素电路中,也可以将Vth补偿和Vth漂移的抑制在同一动作处理(初始化期间t0~t1)中进行。其结果可以达到提高象这样的像素电路的动作设计上的灵活性的目的。
另外,在上述实施方式中,作为电光学元件,使用有机EL元件OLED为例进行说明的。但是,本发明并不局限于此,对于按照驱动电流设定亮度的电光学元件(无机LED显示装置、场致发射显示装置等),或者,呈现与驱动电流对应的透过率·反射率的电光学装置(电致彩色显示装置、电泳显示装置)也都可以适用。
另外,关于上述实施方式的电光学装置,可以安装在例如,包含电视机、投影仪、移动电话机、便携式终端、移动型计算机、个人计算机等各种电子设备中。这些电子设备中如果安装上述电光学装置,可以进一步提高电子设备的商品价值,在市场上提高电子设备的产品吸引力。
而且,本发明的特征在于,将驱动晶体管Vth补偿和对此的反向偏置的施加在同一动作处理中进行。因此,本发明的概念,也广泛适用电光学装置以外的电子电路,例如,特开平8-305832号公报所公布的指纹传感器,或者,本申请人的在先申请特愿2003-107936号公布的生物芯片这样的以高灵敏度进行各种感测的装置。电子电路的基本构成,除了将关于上述各实施方式的像素电路的电光学元件(有机EL元件OLED)用电流检测电路代替之外,其他都相同。作为该电子电路的动作,首先,连接驱动晶体管的栅极和一方端子,对驱动晶体管施加非正向偏置。由于这样,把连接在驱动晶体管的栅极上的节点的电压设定在偏置电平(Vss+Vth)。接着,对节点和电容耦合的数据线供给来自可变电压源的电压,这样对连接在节点上的电容器,进行以偏置电平(Vss+Vth)为基准的数据写入。而且,根据对驱动晶体管施加正向偏置,产生与保持在电容器上数据对应的电流,将该电流供给电流检测电路。电流检测电路,检测流经驱动晶体管的电流的电流量。