CN101714331B - 显示板模块和电子设备 - Google Patents

Abstract

自发光型显示板模块及其电子设备。该自发光型显示板模块使用：像素阵列部件，包括像素区域，其布置成在显示区域形成二维矩阵以作为均具有信号保持电容器、装置驱动晶体管和信号采样晶体管的像素区域；第一驱动部件；第二驱动部件；以及第三驱动部件。

Description

显示板模块和电子设备

技术领域

在本说明书中所描述的发明涉及用于驱动电流驱动型的自发光装置的技术。值得注意的是，本发明的一实施例被应用于显示板模块，而本发明的另一实施例被用于均使用显示板模块的多种电子设备。

背景技术

下面的描述说明作为典型显示板模块的结构的、采用有源矩阵驱动方法的有机EL(电致发光)板模块的结构，以及由有机EL板模块执行的典型操作。

图1是示出用作典型显示板模块1的有机EL板模块的典型系统结构的说明性块图。如该块图所示，显示板模块1使用像素阵列部件3、信号线驱动部件5、第一控制线驱动部件7和第二控制线驱动部件9。信号线驱动部件5、第一控制线驱动部件7和第二控制线驱动部件9中的每一个都是用于驱动像素阵列部件3的电路。

在像素阵列部件3，每一个像素用作白单元。这些像素布置在屏幕上以用垂直和水平方向上所规定的分辨率形成二维矩阵，其中该屏幕由像素阵列部件3形成。

图2是示出作为上述白单元的、包括子像素11的阵列(array)的像素的配置。在图2的块图中示出的配置的情况中，配置像素作为具有R(红色)子像素11、G(绿色)子像素11和B(蓝色)子像素11的装置。在像素阵列部件3上布置的子像素11的数量是M×N×3，此处参考标记N表示在二维矩阵的每一行上布置的子像素的数量，而参考标记M表示布置用以形成二维矩阵的这种行的数量。也就是说，整数M表示垂直方向(或Y方向)分辨率，而整数N表示水平方向(或X方向)分辨率。

图1示出在用于驱动像素阵列部件3的电路与每一个都用作组成像素阵列部件3的每一个像素的结构的最小单元的子像素11之间的互连接接。

信号线驱动部件5是用于在数据信号线DTL上维持表示像素数据Din的信号电势Vsig的驱动电路。每一条信号线DTL在垂直方向伸长(或Y方向)。在由像素阵列部件3形成的屏幕上，3N信号线DTL布置在水平方向上(或X方向)。

第一控制线驱动部件7是用于驱动写控制信号线WSL，以便逐线顺序控制用以写信号电势Vsig等到子像素11的操作的驱动电路。在图1的块图中示出的显示板模块1的情况中，第一控制线驱动部件7逐线顺序执行关于每一条水平线单元(或二维矩阵的每一行)的操作，以便详细指定用以写信号电势Vsig和偏置电势Vofs到子像素11的定时。

控制线驱动部件9是用于控制从通过点亮(lighting)控制信号线LSL将驱动功率供给子像素11的操作到不将驱动功率供给子像素11的操作的切换，反之亦然。更具体地说，第二控制线驱动部件9在点亮控制信号线LSL上维持高电平驱动电势Vcc或低电平驱动电势Vss。驱动电势Vcc也被称为发光电势，而地电势Vss被称为非发光电势。

在图1的块图中所示的显示板模块1的情况中，写控制信号线WSL和各点亮控制信号线LSL中的每一条都在X方向伸长(或水平方向)。布置3M条写控制信号线WSL在Y方向上(或垂直方向)。由于同样的原因，也布置3M条点亮控制信号线LSL在Y方向上(或垂直方向)。

图3是示出子像素11的结构的说明性电路图。如图3的电路图所示，子像素11使用信号采样晶体管N1、装置驱动晶体管N2、信号保持电容器Cs和有机EL装置OLED。信号采样晶体管N1、装置驱动晶体管N2均为薄膜晶体管。信号保持电容器Cs是用于保持由数据信号线DTL供给的灰度信息的电容器。

装置驱动晶体管N2的两个主电极之一与点亮控制信号线LSL连接，而装置驱动晶体管N2的另一主电极与有机EL装置OLED的阳极连接。

值得注意的是，在图3的电路图所示出的子像素11的情况中，信号采样晶体管N1、装置驱动晶体管N2均为N沟道型的薄膜晶体管。图3的电路图也示出利用虚线绘出的电容器Coled和Csub。装置电容器Coled表示有机EL装置OLED的电容，而寄生电容器Csub是存在于装置电容器Coled和衬底之间的寄生电容器。

专利文件1：

日本专利公告第2003-271095号

专利文件2：

日本专利公告第2003-255897号

专利文件3：

日本专利公告第2005-173434号

专利文件4：

日本专利公告第2006-215213号

发明内容

图4A到4E示出驱动上述子像素11的操作的说明性定时图。更具体地，图4A是示出表示在写控制信号线WSL上出现的驱动信号的变化的波形的定时图，而图4B是示出表示在数据信号线DTL上出现的驱动信号的变化的波形的定时图。图4C是示出表示在点亮控制信号线LSL上出现的驱动信号的变化的波形的定时图，而图4D是示出表示在装置驱动晶体管N2的栅极G上出现的栅极电势Vg的变化的波形的定时图。图4E是示出表示在装置驱动晶体管N2的源极S上出现的源极电势Vs的变化的波形的定时图。在这种情况下，在装置驱动晶体管N2的源极上出现的源极电势Vs是在发光时段出现在属于装置驱动晶体管N2的、作为源极的主电极上的电势。

如图4A到4E的定时图所示，在发光时段和非发光时段执行驱动子像素11的操作。存储信号电势Vsig到信号保持电容器Cs的操作开始于非发光时段。然而，如果薄膜晶体管N1和N2都通过执行低温多晶硅处理和/或非晶硅处理来制造，那么这些晶体管会展示阈值电压特性和迁移率特性的差异。也就是说，阈值电压特性和迁移率特性随晶体管而改变。

为了补偿装置驱动晶体管N2上述特性差异，设置在图4A到4E的定时图中由参考标记1H表示的水平扫描时段，以包括提供用来补偿装置驱动晶体管N2上述特性差异的两个操作时段。也就是说，由参考标记1H表示的非发光时段包括两个时段，其中在每一个时段中都将写控制信号线WSL设值在H(高)电平。

在在其期间将写控制信号线WSL设置在H(高)电平的第一时段，执行阈值电压补偿处理，而另一方面，在在其期间将写控制信号线WSL设置在H(高)电平的第二时段，执行迁移率补偿处理。值得注意的是，在阈值电压补偿处理的执行以前，执行初始化处理以便将在装置驱动晶体管N2的栅极与源极之间出现的栅极-源极电压Vgs增加到至少等于装置驱动晶体管N2的阈值电压Vth的量值。为了执行这种初始化操作，控制点亮控制信号线LSL以临时降低到L(低)电平(其为前面引用的地电势Vss的电平)。在初始化操作完成的时间点上，装置驱动晶体管N2的栅极-源极电压Vgs具有至少等于装置驱动晶体管N2的阈值电压Vth的量值。因此，当控制点亮控制信号线LSL以增加到H(高)电平(其为驱动电势Vcc的电平)时，驱动电流Ids开始流向装置驱动晶体管N2，开始提升装置驱动晶体管N2的源极上出现的源极电势Vs。

在初始化操作的结束以前，在装置驱动晶体管N2的栅极上出现的栅极电势Vg已被固定在偏置电势Vofs。装置驱动晶体管N2的源极上出现的源极电势Vs继续上升，直到在装置驱动晶体管N2的栅极与源极之间出现的栅极-源极电压Vgs降低到阈值电压Vth。这是因为，当装置驱动晶体管N2的栅极与源极之间出现的栅极-源极电压Vgs降低到阈值电压Vth时，装置驱动晶体管N2自动截止(turn off)。该操作被称为阈值电压补偿处理。

如上所述，在在其期间将写控制信号线WSL设置在H(高)电平的第二时段，执行迁移率补偿处理。值得注意的是，在该迁移补偿处理的执行期间，也同时执行存储信号电势Vsig到信号保持电容器Cs的操作。

在已在数据信号线DTL上维持了信号电势Vsig之后，通过将信号采样晶体管N1置于导通(turned-on)状态，来执行迁移率补偿处理。值得注意的是，迁移率μ表示生成装置驱动晶体管N2的容量的电流。即使具有相对大迁移率μ的驱动晶体管N2的栅极-源极电压Vgs被设置在等于具有相对小迁移率μ的驱动晶体管N2的栅极-源极电压Vgs，具有相对大迁移率μ的装置驱动晶体管N2也能够生成大于由具有相对小迁移率μ的装置驱动晶体管N2生成的驱动电流Ids的驱动电流Ids。因为这个原因，执行迁移率补偿处理，以便补偿装置驱动晶体管N2随晶体管改变的迁移率μ，致使驱动电流Ids也随晶体管改变。由于装置驱动晶体管N2的源极电压Vs的增加，装置驱动晶体管N2的栅极-源极电压Vgs降低这样的电势减少量：装置驱动晶体管N2的迁移率μ越大，则电势该减少量越大。因此，不考虑迁移率μ的差别，假设具有相对大迁移率μ的驱动晶体管N2的栅极-源极电压Vgs被设置在等于具有相对小迁移率μ的驱动晶体管N2的栅极-源极电压Vgs的量值，也就是说，假设将相同的信号电势Vsig施加到驱动晶体管N2的栅极，那么具有相对大迁移率μ的任何装置驱动晶体管N2都生成等于由具有相对小迁移率μ的驱动晶体管N2生成的驱动电流Ids的驱动电流Ids。

顺便，用来适当地执行迁移率补偿处理的时间t的长度依照信号电势Vsig的量值改变。

通常，在迁移率补偿处理的过程中流动的驱动电流Ids的量值由下面给出的等式(1)表达：

Ids＝k·μ·{Vsig/[1+(Vsig·k·μ·t)/C]}²    ...(1)

在以上给出的等式(1)中，参考标记k表示常量，而参考标记C表示像素电路的总电容。也就是说，参考标记C表示由下面的方程表达的电容：

C＝Cs+Coled+Csub

用来执行迁移率补偿处理的时间t的最佳长度由下面给出的等式(2)表达：

t＝C/(k·μ·Vsig)    ...(2)

将等式(2)代入等式(1)以作为时间t的替代，以便得到关于时间t的最佳长度的驱动电流Ids。关于时间t的最佳长度的驱动电流Ids由此而由以下给出的等式(3)表达：

Ids＝k·μ·{Vsig/2}²    ...(3)

等式(3)指由依据等式(2)的计算得到的最佳迁移率补偿时间是用来将装置驱动晶体管N2的源极电势Vs，提升等于信号电势Vsig的一半的电势增加量。换句话说，等式暗示了将栅极-源极电压Vgs提升迁移率补偿电压ΔV，该迁移率补偿电压ΔV等于信号电势Vsig的一半。

图5是示出在迁移率补偿电压ΔV与用来获得用于信号电势Vsig的不同量值的迁移率补偿电压ΔV的迁移率补偿时间之间的关系的说明性简图。当执行迁移率补偿处理时，在图5的简图中示出的粗曲线表示在最佳迁移率补偿时间段t与迁移率补偿电压ΔV之间的关系。

适当地调整在图4A的定时图中示出的第二H电平时段的下降沿的定时，以依据在图5的简图中示出的粗曲线而改变，以便可以在适当迁移率补偿时段期间执行迁移率补偿处理，关于信号电势Vsig的每一个量值导致不足补偿或过度补偿。

图6A到6D示出关于迁移率补偿处理的说明性定时图的典型实例。图6A到6D的定时图表示关于3V信号电势Vsig(当偏置电势被设置在0V时)的波形。更具体地，图6A是示出表示在写控制信号线WSL上出现的驱动信号的变化的波形的定时图，而图6B是示出表示在点亮控制信号线LSL上出现的驱动信号的变化的波形的定时图。图6C是示出表示在装置驱动晶体管N2的栅极G上出现的栅极电势Vg变化的波形的定时图，而图6D是示出表示在装置驱动晶体管N2的源极S上出现的源极电势Vs的变化的波形的定时图。

如图6D的定时图所示，在迁移率补偿时段t期间，装置驱动晶体管N2的栅极电势Vg提升1.5V。因此，装置驱动晶体管N2的栅极-源极电压Vgs等于4V+Vth-2V＝1.5V+Vth。

通过执行阈值电压补偿处理和最佳迁移率补偿处理，装置驱动晶体管N2可以补偿晶体管之间的阈值电压的差异和晶体管之间的迁移率的差异。结果，可以防止装置驱动晶体管N2的特性差异被认为在发光亮度上的差别。

顺便，现代显示板引起一个问题，没有分配足够的时间给迁移率补偿处理作为迁移率补偿时间。这个问题由显示板的更高清晰度/分辨率和在显示板上更高驱动频率的使用而导致。

如前所述，迁移率补偿时间由信号电势Vsig确定。因此，区域的灰度越低，那么用于如图5的简图中示出的区域的迁移率补偿时间越长。然后，如果关于低灰度的区域执行的迁移率补偿处理也不能完成，则关于该区域的迁移率补偿处理不能被认为已完成。

也就是说，像素电路的驱动时间不能被缩短到短于用来完成关于低灰度的区域而执行的迁移率补偿处理的时间。

因此，难以采取技术措施解决由显示板的更高清晰度/分辨率和在显示板上的更高驱动频率的使用而导致的问题。

为解决上述问题，本发明的发明者已革新了这样的自发光型显示板模块，其使用：

(a)像素阵列部件，包括像素区域，其布置成在显示区域中形成二维矩阵以作为均具有以下部分的像素区域：

信号保持电容器，

装置驱动晶体管，提供有与该信号保持电容器的两个电极中的特定一个连接的控制电极以及与该信号保持电容器的另一个电极连接的特定主电极，以作为用于提供具有根据在该信号保持电容器中存储的电压的量值的驱动电流给连接到该装置驱动晶体管的自发光装置的晶体管，和

信号采样晶体管，用于控制用以将信号电势供给该装置驱动晶体管的该控制电极的操作；

(b)第一驱动部件，配置为在数据信号线上维持该信号电势；

(c)第二驱动部件，配置为在与该信号采样晶体管的控制电极连接的第一控制线上维持电势写定时信号；和

(d)第三驱动部件，配置为将以下三个不同驱动电压不时地顺序提供给与该装置驱动晶体管的另一主电极连接的第二控制线：

第一驱动电压，其具有在非发光时段的初始时间与用于补偿该装置驱动晶体管特性差异的时段的开始之间的时间间隔期间的最低电势，

第二驱动电压，其具有在用于补偿该装置驱动晶体管的该时段的该开始与发光时段的初始部分之间的时间间隔期间的最高电势，和

第三驱动电压，其具有在该发光时段的该初始部分之后的中间电势。

另外，为解决上述问题，本发明的发明者已革新了这样的自发光型显示板模块，其使用：

(a)像素阵列部件，包括像素区域，其布置成在显示区域中形成二维矩阵以作为均具有以下部分的像素区域：

信号保持电容器，

装置驱动晶体管，提供有与该信号保持电容器的两个电极中的特定一个连接的控制电极以及与该信号保持电容器的另一个电极连接的特定主电极，以作为用于提供具有根据在该信号保持电容器中存储的电压的量值的驱动电流给连接到该装置驱动晶体管的自发光装置的晶体管，

信号采样晶体管，用于控制用以将信号电势供给该装置驱动晶体管的该控制电极的操作，和

耦合电容器，具有连接于该装置驱动晶体管的该控制电极的特定电极和连接于第三控制线的另一个电极；

(b)第一驱动部件，配置为在数据信号线上维持该信号电势；

(c)第二驱动部件，配置为在与该信号采样晶体管的控制电极连接的第一控制线上维持电势写定时信号；

(d)第三驱动部件，配置为控制用以将驱动电压供给该装置驱动晶体管的操作和用以停止用以将驱动电压供给该装置驱动晶体管的该操作的操作；和

(e)第四驱动部件，配置为将以下两个不同的驱动电压不时地顺序提供给该第三控制线：

高电平驱动电压，其具有在特性补偿时段的开始和发光时段的初始部分之间的时间间隔期间的相对高电势，和

低电平驱动电压，其具有在该发光时段的该初始部分之后的相对低电势。

在该显示板模块中，用于维持相应于像素灰度的每一个信号电势的时段T设置在短于关于信号电势计算出的迁移率补偿时间t的值。

顺便，以上说明的自发光型显示板模块也可以被描述为这样的显示板模块，其使用：

(a)像素阵列部件，包括像素区域，其布置成在显示区域中形成二维矩阵以作为均具有至少以下部分的像素区域：

信号保持电容器，

装置驱动晶体管，提供有与该信号保持电容器的两个电极中的特定一个连接的控制电极以及与该信号保持电容器的另一个电极连接的特定主电极，以作为用于提供具有根据在该信号保持电容器中存储的电压的量值的驱动电流给连接到该装置驱动晶体管的自发光装置的晶体管，和

信号采样晶体管，用于控制用以将信号电势供给该装置驱动晶体管的该控制电极的操作；

(b)第一驱动部件，配置为在数据信号线上维持该信号电势；

(c)第二驱动部件，配置为在与该信号采样晶体管的控制电极连接的第一控制线上维持电势写定时信号；和

(d)第三驱动部件，配置为通过在发光时段的初始部分之后行使的耦合效应，减小在该装置驱动晶体管的该控制电极上出现的电势。

另外，本发明的发明者还革新了包括使用上述部件的自发光型显示板模块的电子设备。

电子设备配置为使用显示板模块、系统控制部件和操作输入部件。该系统控制部件是用于控制在整个电子设备中执行的操作的部件。该操作输入部件是用于接收由用户输入到系统控制部件的操作输入的部件。

在由本发明的发明者革新了的发明的情况中，第三驱动部件通过在发光时段的开始之后行使的耦合效应，减小在装置驱动晶体管的控制电极上出现的电势，以便使装置驱动晶体管的栅极-源极电势最优。

也就是说，在信号电势写操作中，通过使用高于获得在发光时段盛行(prevail)的电势关系所要求的信号电势的信号电势，缩短迁移率补偿时间。另外，迁移率补偿量和信号电势之间的匹配由之后执行的耦合操作确保。

在本驱动方法的情况中，可根据耦合量调整迁移率补偿时间的减少量(decrease)。结果，可以保持板的更高清晰度/分辨率和在板中使用的更高驱动频率。

附图说明

这些和其它创新以及本发明的特性将从以下参照附图所给的优选实施例的描述变成更加清晰，在附图中：

图1是示出用作典型显示板模块的有机EL板模块的典型系统结构的说明性块图；

图2是示出包括子像素阵列(array)的像素的配置的说明性块图；

图3是示出子像素的结构的说明性电路图；

图4A到4E是示出用以驱动子像素的操作定时图的说明性定时图；

图5是示出由计算得到的最佳迁移率补偿曲线的说明性简图；

图6A到6D是示出装置驱动晶体管N2的栅极-源极电势的变化的定时图；

图7是示出有机EL板模块的典型外部配置的简图；

图8是示出根据第一实施例的有机EL板模块的典型系统配置的块图；

图9是示出用在第一实施例中的子像素的结构的说明性电路图；

图10是示出信号线驱动部件的典型配置的简图；

图11是示出表示关于施加到数据信号的视频信号的输入/输出特性的虚线与表示最终通过耦合操作实现的输入/输出特性的实线之间的关系的说明性简图；

图12是示出用于驱动写控制信号线的控制线驱动部件的典型部分配置的说明性简图；

图13是示出在第一实施例中用到的迁移率补偿曲线的形状的简图；

图14是示出关于驱动发点亮控制信号线的控制线驱动部件的典型部分配置的说明性简图；

图15A到15C是示出表示在图14的电路图中示出的控制线驱动部件中的驱动信号的变化的波形的定时图；

图16A到16E是示出表示根据第一实施例的驱动信号的变化的波形的定时图；

图17是示出作为表示在初始化处理的开始时子像素的状态的电路的子像素等效电路的说明性图表；

图18是示出在阈值电压补偿准备处理期间子像素的等效电路的说明性简图；

图19是示出作为表示在阈值电压准备处理期间子像素的状态的电路的子像素等效电路的说明性图表；

图20是示出作为表示在阈值电压补偿的结束处子像素的状态的电路的子像素等效电路的说明性图表；

图21是示出作为表示在信号电势写(write)处理和迁移率补偿处理的开始时子像素的状态的电路的子像素等效电路的说明性图表；

图22是示出在发光时段的初始部分期间盛行(prevail)的子像素的等效电路的电路图；

图23是示出关于在执行负方向耦合操作的情况的子像素的等效电路的电路图；

图24是示出发光时段的初始部分之后盛行的子像素的等效电路的电路图；

图25A到25D是示出在该实施例的驱动操作期间装置驱动晶体管的栅极-源极电势的变化的定时图；

图26是示出根据第二实施例的有机EL板模块的典型系统配置的块图；

图27是示出在第二实施例中使用的子像素的配置的说明性电路图；

图28是示出用于驱动点亮控制信号线的控制线驱动部件的部分配置的说明性电路图；

图29是示出用于驱动耦合控制线的控制线驱动部件的典型部分配置的电路图；

图30A到30F是示出表示根据第二实施例的驱动信号的变化的波形的定时图；

图31是示出作为表示在初始化的开始时子像素的状态的电路的子像素等效电路的说明性图表；

图32是示出在阈值电压补偿准备处理期间子像素的等效电路的说明性简图；

图33是示出作为表示在阈值电压补偿处理期间子像素的状态的电路的子像素等效电路的说明性图表；

图34是示出作为表示在阈值电压补偿处理的结束处子像素的状态的电路的子像素等效电路的说明性图表；

图35是示出作为表示在信号电势写处理和迁移率补偿处理的开始时子像素的状态的电路的子像素等效电路的说明性图表；

图36是示出在发光时段的初始部分期间盛行的子像素的等效电路的电路图；

图37是示出关于在执行负方向耦合操作的情况的子像素的等效电路的电路图；

图38是示出发光时段的初始部分之后盛行的子像素的等效电路的电路图；

图39是示出也适合驱动点亮控制信号线的控制线驱动部件的另一个配置的说明性电路图；

图40A到40D是在图39的电路图中所示的控制线驱动部件中的驱动信号的定时图；

图41是示出用于驱动写作控制信号线的控制线驱动部件的另一个典型电路配置的块图；

图42是示出表示电源电压脉冲的变化的典型波形的说明性简图；

图43是示出用于生成电源电压脉冲的电路的配置的块图；

图44是示出驱动功率生成器的典型电路的简图；

图45A和45B是示出信号采样晶体管的典型尺寸的说明性简图；

图46是在重叠量(overlap quantity)的描述中被参考到的说明性简图；

图47是示出子像素的另一个典型配置的电路图；

图48是示出子像素的进一步的典型配置的电路图；

图49A到49G是示出表示在图48的电路图中所示的子像素内的驱动信号的变化的波形的定时图；

图50是示出电子设备的典型概念性配置的块图；和

图51到55是每个示出该电子设备的示范性商业产品的简图。

具体实施方式

以下描述说明本发明应用于有源矩阵驱动型的有机EL板模块的情况。应当注意的是，对于既未在说明书中描述也未在说明书中包含的图中示出的实施例组件(members)，可以应用在与该组件相同领域中公知的技术和/或向公众公开为属于与该组件相同领域的技术的技术。另外，下述优选实施例只不过是本发明的典型实现。也就是说，本发明的实现绝不仅限于这些优选实施例。

(A)外部配置

在这个说明书中使用的术语“显示板模块”不仅指使用像素阵列部件和通过执行半导体处理而在与像素阵列部件相同的衬底(substrate)上制造的驱动电路的显示板模块，而且指诸如使用像素阵列部件和作为ASIC(专用集成电路)在与像素阵列部件相同的衬底上制造的驱动电路的显示板模块之类的其他显示板模块。

图7是示出有机EL板模块21的典型外部配置的简图。如图所示，有机EL板模块21具有其中在支撑衬底23的显示区域粘贴饰面衬底(facingsubstrate)25的结构。支撑衬底23用诸如玻璃或塑料之类的基础材料制成。饰面衬底25也用诸如玻璃或塑料之类的透明基础材料制成。

饰面衬底25的基础材料密封支撑衬底23的表面，把密封材料夹在饰面衬底25的基础材料和表面之间。应当注意的是，仅仅在光辐射边上需要确保饰面衬底25的基础材料的透明性。也就是说，在其他边，饰面衬底25的基础材料可以不透明。此外，有机EL板模块21也提供有用于接收外部信号和驱动功率的FPC(软性印刷电路)27。

(B)第一实施例

(B-1)系统配置

图8是示出根据第一实施例的有机EL板模块31的典型系统配置的块图。在图8的块图中，用与对应部分相同的参考号或相同的参考标记表示与它们各自在图1的块图中所示的对应部分相同的元件。

在图8的块图中所示的有机EL板模块31使用像素阵列部件3、信号线驱动部件33、第一控制线驱动部件35和第二控制线驱动部件37。信号线驱动部件33、第一控制线驱动部件35和第二控制线驱动部件37的每一个都是用于驱动像素阵列部件3的电路。

下面的描述说明作为第一实施例专有配置的驱动电路的配置。

(a)像素阵列部件

在像素阵列部件3中，每一个像素作为白单元(White unit)。在由像素阵列部件3形成的屏幕上布置像素，以便以在垂直和水平方向上规定的分辨率形成二维矩阵。此外，如图9的简图中所示，配置在白单元中包括的子像素11，以使用薄膜晶体管N1、薄膜晶体管N2、用于存储灰度信息的信号保持电容器Cs、耦合电容器Cc和有机EL装置OLED。然而，在该实施例的情况中，在与薄膜晶体管N2的两个主电极之一连接的点亮控制信号线LSL上维持(assert)三个不同的驱动电压。三个不同驱动电压是一个截止电压(offvoltage)和两个不同的导通电压(on voltage)。

(b)信号线驱动部件的配置

信号线驱动部件33是用于在数据信号线DTL上维持表示像素数据Din的信号电势Vsig的驱动电路。

图10是示出信号线驱动部件33的典型内部配置的简图。如图所示，信号线驱动部件33使用移位寄存器41、锁存(latch)部件43、数字-模拟转换电路45和开关47。移位寄存器41是用于基于时钟信号CK生成指示在锁存部件43中用以锁存像素数据Din的定时的信号的电路。

锁存部件43是用于基于由移位寄存器41生成的定时信号在分配给像素数据Din的存储区域、存储像素数据Din的存储装置。

数字-模拟转换电路45是用于转换在锁存部件43锁存的像素数据Din成为用作信号电势Vsig的模拟信号电压的电路。应当注意的是，数字-模拟转换电路45的转换特性由H-电平参考电势VrefH和L-电平参考电势VrefL确定。

正如后面将描述，该实施例采用用于通过在发光时段的开始之后行使的耦合效应，降低在装置驱动晶体管N2的栅极G中出现的栅极电势Vg。

因此，数字-模拟转换电路45调整参考电势，以便获得关于将在耦合驱动时间上发生的假定电压降的信号幅度。更具体地说，将H-电平参考电势VrefH设置在高于由耦合电压在耦合效应之后实现的信号幅度的电势。不必说，耦合效应越大，则增加H-电平参考电势VrefH的重要性也越大。

图11是示出在本实施例中表示关于施加到数据信号线DTL的视频信号的输入/输出特性的虚线与表示最终通过耦合操作实现的输入/输出特性的实线之间的关系的说明性简图。在本实施例的情况中，数字-模拟转换电路45将H-电平参考电势VrefH设置在8V，以便最终获得与在施加7V的信号幅度的情况中相同的信号幅度。

通过这种方式，在数据信号线DTL上维持的信号电势Vsig的幅度大于最终所实现的信号幅度。因此，用来执行迁移率补偿处理的时间也短于用来执行关于不进行耦合操作的情况的迁移率补偿处理的时间。特别地，在低灰度的区域中的缩短了的迁移率补偿时间的作用很大。

开关47是用于选择与像素灰度相应的信号电势Vsig或用于阈值电压补偿处理的偏置(offset)电势Vofs，并用于将所选择的电势供给为所选择的电势提供的数据信号线DTL。更具体地说，开关47在阈值电压补偿期间输出偏置电压Vofs，或在其中同时执行存储信号电势Vsig的操作和迁移率补偿处理的时段期间输出信号电势Vsig。

(c)第一控制线驱动部件的配置

第一控制线驱动部件35是用于驱动写控制信号线WSL的驱动电路，以便逐线(on line-after-line basis)顺序地控制将信号电势Vsig等写到子像素11的操作。

图12是示出第一控制线驱动部件35的典型部分配置的说明性电路图。也就是说，图12的电路图示出关于一个水平线的配置。因此，每一个都在图12的电路图中示出的多种配置被布置在屏幕的垂直方向上。在垂直方向上布置的配置的数量表示在屏幕上显示的图像的垂直方向分辨率。

在图12的电路图中示出的部分配置的情况中，第一控制线驱动部件35使用P-沟道型的薄膜晶体管P11。在P-沟道型的薄膜晶体管P11中使用的两个主电极中的特定一个连接到电源线Vcc0，而其另一个主电极连接到写控制信号线WSL。这个写控制信号线WSL也与在N-沟道型的薄膜晶体管N11中使用的两个主电极中的特定一个连接。值得注意的是，N-沟道型的薄膜晶体管N11的另一个主电极连接到地电势VSS。

顺便，公共控制线号线Scnt1连接到P-沟道型的薄膜晶体管P11的栅极和N-沟道型的薄膜晶体管N11的栅极。因为P-沟道型的薄膜晶体管P11的特性与N-沟道型的薄膜晶体管N11的特性不同，因此当两个晶体管的特定一个导通时，另一个晶体管截止。也就是说，P-沟道型的薄膜晶体管P11和N-沟道型的薄膜晶体管N11通过相互互补的方式操作。

在本实施例的情况中，在公共控制线Scnt1上出现的电势由输出级(由在前级提供的移位寄存器作为输出级使用)供给的脉冲控制。

如上所述，操作第一控制线驱动部件35，以便在非发光时段的水平扫描期间生成两个H-level时段。第一个H-level时段被分配给阈值电压补偿处理，而第二个H-level时段被分配给迁移率补偿处理。

因此，在第二H-level时段，用来以等于在该时段期间在数据信号线DTL上维持的信号电势Vsig的一半的新电压充电信号保持(holding)电容器Cs的时间，是迁移率补偿处理所要求的时间。

然而，在本实施例的情况中，信号电势Vsig已被设置在略高于通过假定耦合效应引起的电压降而要求的电平的电平。因此，第一控制线驱动部件35提供的第二H-level时段被设置为用来将(信号电势Vsig-耦合电压)/2的电势充电给信号保持电容器Cs的时间。

图13是示出作为本实施例中使用的迁移率补偿曲线的、通过粗线表示的迁移率补偿曲线的形状的简图。值得注意的是，在本实施例的情况中，假定在数据信号DTL上维持的信号电势Vsig的最大幅度是8V，而耦合电压是1V。耦合电压定义为耦合操作引起的电压降。

因此，在图13的简图中示出的迁移率补偿曲线的情况中，即使在数据信号DTL上维持的信号电势Vsig是8V，用来产生3.5V的转变作为所生成的迁移率补偿量的时间也是迁移率补偿时间的最佳值。

出于同样的原因，即使在数据信号DTL上维持的信号电势Vsig是7V，用来产生3V的转变作为所生成的迁移率补偿量的时间也是迁移率补偿时间的最佳值。

同样，即使在数据信号DTL上维持的信号电势Vsig是6V，用来产生2.5V的转变作为所生成的迁移率补偿量的时间也是迁移率补偿时间的最佳值。

类似地，即使在数据信号DTL上维持的信号电势Vsig是5V，用来产生2V的转变作为所生成的迁移率补偿量的时间也是迁移率补偿时间的最佳值。

同样地，即使在数据信号DTL上维持的信号电势Vsig是4V，用来产生1.5V的转变作为所生成的迁移率补偿量的时间也是迁移率补偿时间的最佳值。

同样地，即使在数据信号DTL上维持的信号电势Vsig是3V，用来产生1V的转变作为所生成的迁移率补偿量的时间也是迁移率补偿时间的最佳值。

同样，即使在数据信号DTL上维持的信号电势Vsig是2V，用来产生0.5V的转变作为所生成的迁移率补偿量的时间也是迁移率补偿时间的最佳值。

作为粗线示出的迁移率补偿曲线是在迁移率补偿处理的结束处将由第一控制线驱动部件35在写控制信号线WSL上维持的驱动信号的波形。

通过比较在图13的简图中示出的迁移率补偿曲线与之前通过参照图5的简图说明的迁移率补偿曲线，很明显，与图5的简图中示出的迁移率补偿曲线相比，在图13的简图中示出的迁移率补偿曲线的情况中用于每一个信号电势Vsig的迁移率补偿时间短。

在例如表示发光亮度的2V信号电势Vsig的情况中，图5的简图中示出的迁移率补偿曲线的情况中迁移率补偿时间是约3.00微秒，而在图13的简图中示出的迁移率补偿曲线的情况中迁移率补偿时间是约0.9微秒。

在图5的简图中示出的迁移率补偿曲线的情况中，关于给定的2V的信号电势Vsig，迁移率补偿电压达到1V所需要的时间被取为最佳迁移率补偿时间。另一方面，在图13的简图中示出的迁移率补偿曲线的情况中，关于给定的3V的信号电势Vsig，假设考虑耦合驱动操作，则迁移率补偿电压达到1V所需要的时间被取为最佳迁移率补偿时间。

如上所述，存在有效的功能来缩短迁移率补偿时间约2微秒。换句话说，在100％显示的情况中，真正可以实现70％的缩短效果。

此外，在本实施例的情况中，由信号电势Vsig的差异导致的迁移率补偿时间差异很小。事实上，可以将迁移率补偿时间看作几乎不依赖于信号电势Vsig的差异。现实中，迁移率补偿时间的最大差异是约300ns。如果最大迁移率补偿时间差异有如此小的量值，则可以将相似的迁移率补偿曲线实现为驱动脉冲的瞬时波形。因为这样的原因，在本实施例的情况中，第二驱动脉冲的下降波形也被设计为矩形波。

(d)第二控制线驱动部件的配置

第二控制线驱动部件37是用于控制从通过点亮控制信号线LSL将驱动功率供给子像素11的操作，到不将驱动功率供给子像素11的操作(反之亦然)的切换的驱动电路。

图14是示出第二控制线驱动部件37的典型部分配置的说明性简图。也就是说，图14的简图示出关于一条水平线或一条点亮控制信号线LSL的配置。因此，每一个都在图14的简图中示出的多种配置被布置在屏幕的垂直方向上。在垂直方向上布置的配置的数量表示屏幕上显示的图像的垂直方向分辨率。

在图14的简图中作为控制线驱动部件37的配置示出的配置的情况中，设计为P-沟道型的晶体管的P-沟道型的薄膜晶体管P21的两个主电极中的特定一个连接到电源线Vccp，而P-沟道型的薄膜晶体管P11的另一个主电极连接到点亮控制信号线LSL。点亮控制信号线LSL也与设计为N-沟道型的晶体管的N-沟道型的薄膜晶体管N21的两个主电极中的特定一个连接。值得注意的是，N-沟道型的薄膜晶体管N21的另一个主电极连接到输送地电势VSS的地线。

顺便，公共控制线号线Scnt11连接到设计为P-沟道型的晶体管的薄膜晶体管P21的栅极和设计为N-沟道型的晶体管的薄膜晶体管N21的栅极。因为P-沟道型的薄膜晶体管P11的特性与N-沟道型的薄膜晶体管N11的特性不同，所以当它们中的特定一个被置于截止状态时，另一个被置于导通状态。也就是说，P-沟道型的薄膜晶体管P11和N-沟道型的薄膜晶体管N11相互互补地操作。

在第一实施例的情况中，在公共控制线Scnt11上出现的电势由在前级上提供的移位寄存器的相应输出级生成的输出脉冲(作为有两个二进制值(binary value)的脉冲)控制。

图15A到15C是示出第二控制线驱动部件37的信号的波形与像素电路操作时段之间的关系的定时图。更具体地说，图15A是示出表示在脉冲电源线Vccp上出现的驱动信号的变化的波形的定时图，而图15B是示出表示在控制信号线Scnt11上出现的驱动信号的变化的波形的定时图。图15C是示出表示在点亮控制信号线LSL上出现的电势的变化的波形的定时图。

如图15A到15C的定时图所示，在初始化时段，在控制信号线Scnt11上出现的控制信号保持在H电平。在这个初始化时段，驱动N-沟道型的薄膜晶体管N21进入导通状态，控制在点亮控制线LSL上出现的电势到L电平。在附属于本说明书的权利要求的范围内，L电平被称为第一驱动电压。

另外，公共控制信号线Scnt11改变到L电平，以便结束初始化时段。L电平的时段持续到下一帧的初始化时段的开始。在L电平的时段期间，P-沟道型的薄膜晶体管P21在导通状态下操作，在点亮控制信号线LSL上维持脉冲电源线Vccp的电势。

值得注意的是，如图15A的定时图所示，首先，控制在脉冲电源线Vccp上出现的电势到高电平导通电势Vcc12，其在附属于本说明书的权利要求的范围内被称为第二驱动电势。然后，随着落后于发光时段的开始的提前定时(early timing)，在脉冲电源线Vccp上出现的电势从高电平导通电势Vcc12改变到低电平导通电势Vcc11，其在附属于本说明书的权利要求的范围内被称为第三驱动电势。

因此，在脉冲电源线Vccp上出现的电势变化保持原样传递到在点亮控制信号线LSL上出现的电势。顺便，高电平导通电势Vcc 12与低电平导通电势Vcc11两者都被设置在预定电平，这些预定电平每一个都能够将装置驱动晶体管N2置于导通状态。

另外，在本实施例的情况中，高电平导通电势Vcc12与低电平导通电势Vcc11之间的差别被设置在1V。

(B-2)驱动操作

下面的描述说明由根据第一实施例的有机EL板模块31执行的典型驱动操作。

图16A到16E是示出在子像素11内的电势变化的说明性定时图。更具体地说，图16A是示出表示在写控制信号线WSL上出现的驱动信号的变化的波形的定时图，而图16B是示出表示在数据信号线DTL上出现的驱动信号的变化的波形的定时图。图16C是示出表示在点亮控制信号线LSL上出现的驱动信号的变化的波形的定时图，而图16D是示出表示在装置驱动晶体管N2的栅极上出现的栅极电势Vg的变化的波形的定时图。图16E是示出表示在装置驱动晶体管N2的源极上出现的源极电势Vs的变化的波形的定时图。

(a)初始化处理

当控制在点亮控制线LSL上出现的电势以改变到地电势Vss的L电平时，发光时段结束并且非发光时段开始。当非发光时段开始时，执行子像素11的初始化处理，以便为新处理存储信号电势Vsig到信号保持电容器Cs中做准备。严格地说，如图16D到16E的定时图分别示出的一样，执行子像素81的初始化处理，以便降低装置驱动晶体管N2的栅极电势Vg和装置驱动晶体管N2的源极电势Vs。

图17是示出作为表示在非发光时段的开始或初始化处理的开始时子像素11的状态的电路的子像素11的等效电路的说明性简图。如图17的电路图中所示，信号采样晶体管N1已置于截止状态。

当如上所述，在点亮控制线LSL上出现的驱动信号被设置在地电势Vss的L电平时，在如图17的电路图所示的装置驱动晶体管N2的栅极和点亮控制线LSL之间出现的电压Vgs变成比装置驱动晶体管N2的阈值电压Vth更大。因此，装置驱动晶体管N2置于导通状态，如在图17的电路图中示出的虚线箭头所示，吸引(draw)在信号保持电容器Cs中累积的电荷。吸引在信号保持电容器Cs中累积的电荷，导致装置驱动晶体管N2的源极电势Vs减少到与地电势VSS相等的电平。另外，装置驱动晶体管N2的栅极电势Vg也因为源极电势Vs的减少引起的耦合效应而降低。

(b)阈值电压补偿准备处理和阈值电压补偿处理

当上述初始化过程结束时，信号采样晶体管N1通过提升在写控制信号线WSL上出现的驱动信号到H电平而置于导通状态，以便将使用为参考电势的偏置电压Vofs施加到装置驱动晶体管N2的栅极。

图18是示出作为表示这种状态的电路的子像素11的等效电路的说明性简图。在阈值电压补偿准备处理期间，控制信号保持电容器Cs进入具有(Vofs-VSS)的量值的电压的状态。地电势Vss和偏置电压Vofs被设置在这样的值：具有(Vofs-VSS)的量值的电压大于装置驱动晶体管N2的阈值电压Vth。当出现在信号保持电容器Cs的各电极之间的电压超过装置驱动晶体管N2的阈值电压Vth时，可以说阈值电压补偿准备处理已经结束了。

在电势的这种状态下，在点亮控制线LSL上出现的电势变成高电平导通电势Vcc12，它是可施加于点亮控制信号线LSL的三个电势中的最高电势。如上所述，高电平导通电势Vcc12在附属于本说明书的权利要求的范围内被称为第二驱动电势

图19是示出子像素11的等效电路的说明性简图。在阈值电压准备处理的开始时，出现在信号保持电容器Cs的各电极之间的电压超过装置驱动晶体管N2的阈值电压Vth，也就是说，装置驱动晶体管N2的栅极-源极电压Vgs大于装置驱动晶体管N2的阈值电压Vth。因此，装置驱动晶体管N2置于导通状态，导致驱动电流Ids沿着从点亮控制信号线LSL到信号保持电容器Cs的方向流动。沿着从点亮控制信号线LSL到信号保持电容器Cs的方向流动的驱动电流Ids中和在信号保持电容器Cs中累积的电荷，导致装置驱动晶体管N2的源极电压Vs开始上升。

当在信号保持电容器Cs中累积的电荷被中和时，出现在信号保持电容器Cs的各电极之间的电压变成等于装置驱动晶体管N2的阈值电压Vth(N2)。在出现在信号保持电容器Cs的各电极之间的电压变成等于装置驱动晶体管N2的阈值电压Vth(N2)的时间点，驱动电流Ids停止流动。这是因为装置驱动晶体管N2自动进入切断状态(cut-off state)。将装置驱动晶体管N2的栅极-源极电压Vgs设置在装置驱动晶体管N2的阈值电压Vth的处理被称为阈值电压补偿处理。

如图20所示，当假定阈值电压补偿处理已经结束时，控制信号采样晶体管N1进入截止状态。因此，装置驱动晶体管N2的栅极置于浮置状态。

(c)信号电势写处理和迁移率补偿处理

在阈值电压补偿处理已经结束后的时间点，在数据信号线DTL上出现的电势从偏置电压Vofs改变到信号电势Vsig。然后，控制写控制信号线WSL从L电平上升到H电平，以便将信号采样晶体管N1置于导通状态。

图21是示出作为表示在信号电势写(write)处理和迁移率补偿处理的开始时子像素11的状态的电路的子像素11的等效电路的说明性简图。因为信号采样晶体管N1处于导通状态，所以将在数据信号线DTL上出现的信号电势Vsig存储在信号保持电容器Cs中，以便信号保持电容器Cs的电压再次超过阈值电压Vth(N2)。结果，控制装置驱动晶体管N2进入导通状态。信号保持电容器Cs中存储在数据信号线DTL上出现的信号电势Vsig的处理被称为信号电势写处理。

因此，开始将驱动电流Ids提供给有机EL装置OLED的操作。然而，值得注意的是，驱动电流Ids充电有机EL装置OLED的寄生电容器(parasiticcapacitor)Cel和其它电容器，代替流过有机EL装置OLED。因此，在有机EL装置OLED的阳极上出现的电势升高迁移率补偿电压ΔV。在有机EL装置OLED的阳极上出现的电势正是在装置驱动晶体管N2的源极S出现的源极电势Vs。值得注意的是，在其期间生成驱动脉冲的迁移率补偿时间T对信号电势Vsig的所有电平是通用的。另外，真实的驱动脉冲的波形示表明了电线电容器和其它电容器的效果(effect)引起的、像图13的简图中所示的瞬时部分。

因为这个原因，低亮度灰度的迁移率补偿时间长于高亮度灰度的迁移率补偿时间。在任意一种情况下，使用到的迁移率补偿时间T被设置在低于由关于事实上存储在信号保持电容器Cs的信号电势Vsig、根据等式(2)的计算得到的迁移率补偿时间t的值。

另外，迁移率补偿电压ΔV具有小于在数据信号线DTL上维持的信号电势Vsig的一半的值。

不必说，迁移率补偿电压ΔV被加到的电势(Vofs-Vth(N2)+ΔV)故意设置在这样的值，使得该电势不超过有机EL装置OLED的阈值电压Vth(oeld)。

因此，有机EL装置OLED在迁移率补偿处理期间并不操作。也就是说，有机EL装置OLED在迁移率补偿处理期间呆在非发光状态。

(d)发光处理(包括耦合操作)

迁移率补偿处理在控制信号采样晶体管N1进入截止状态时结束。图22是示出作为在控制信号采样晶体管N1已经被置于截止状态后的时间点盛行的等效电路的子像素11的等效电路的电路图。

通过将维持在连接到信号采样晶体管N1的写控制信号线WSL上的驱动脉冲从在电源线Vcc0上出现的H电平电势改变到L电平的地电势VSS，把信号采样晶体管N1置于截止状态。

将维持在连接到信号采样晶体管N1的写控制信号线WSL上的驱动脉冲从在电源线Vcc0上出现的H电平电势改变到L电平的地电势VSS的变化，控制信号采样晶体管N1以进入截止状态。信号采样晶体管N1进入截止状态，从数据信号线DTL电气断开装置驱动晶体管N2的栅极。也就是说，装置驱动晶体管N2的栅极被置于浮置状态。

同时，装置驱动晶体管N2保持将驱动电流Ids供给有机EL装置OLED。因此，驱动电流Ids保持充电有机EL装置OLED的寄生电容器Cel。结果，在有机EL装置OLED的阳极上出现的电势上升。

当在有机EL装置OLED的阳极上出现的电势上升时，在装置驱动晶体管N2的源极S上出现的源极电势Vs也增加。另外，当在装置驱动晶体管N2的源极S上出现的源极电势Vs增加时，由于自举操作(bootstrapoperation)，在装置驱动晶体管N2的栅极G上出现的栅极电势Vg也上升。

然后，在装置驱动晶体管N2的源极S上出现的源极电势Vs达到有机EL装置OLED的阈值Vth(oled)。在装置驱动晶体管N2的源极S上出现的源极电势Vs达到有机EL装置OLED的阈值Vth(oled)的时间点，有机EL装置OLED被置于导通状态。利用置于导通状态的有机EL装置OLED，将由装置驱动晶体管N2生成的驱动电流Ids流经有机EL装置OLED，导致有机EL装置OLED以由驱动电流Ids的量值确定的亮度级别(luminance level)发光。

值得注意的是，在该发光时段期间由有机EL装置OLED发出的光的亮度级别是由实际上在数据信号线DTL上维持的信号电势Vsig的量值确定的亮度级别。也就是说，在该发光时段期间由有机EL装置OLED发出的光的亮度级别与所设想的亮度级别不同。因此，在初始时段中执行的发光处理越短，则结果越好。然后，在点亮控制信号线LSL上出现的电势变成低电平导通电势Vcc11(其在附加在本说明书的权利要求的范围内被称为第三驱动电压)，以便结束发光时段的初始部分。

图23是示出作为在发光时段的初始部分的结束处盛行的等效电路的子像素11的等效电路的电路图。

在这个时间点，在点亮控制信号线LSL上出现的电势从高电平导通电势Vcc12改变到低电平导通电势Vcc11。因为装置驱动晶体管N2的栅极G已经置于浮置状态，所以在装置驱动晶体管N2的漏极上出现的电势的这种变化通过在装置驱动晶体管N2的栅极与漏极之间存在的寄生电容器Cc传递到装置驱动晶体管N2的栅极G上。

也就是说，在装置驱动晶体管N2的栅极G上出现的栅极电势Vg从信号电势Vx降落到(Vx-ΔVg)的电势。另一方面，将在装置驱动晶体管N2的源极S上出现的源极电势Vs固定在这样的电势，由装置驱动晶体管N2生成的驱动电流Ids已充电有机EL装置OLED的寄生电容器等到该电势。

因此，作为耦合操作的结果，在装置驱动晶体管N2的栅极(G)和源极(S)之间出现的栅极-源极电压Vgs’从Vgs改变到(Vgs-ΔVg)。

图24是示出作为在装置驱动晶体管N2的栅极(G)和源极(S)之间出现的栅极-源极电压Vgs’由于耦合操作而从Vgs改变到(Vgs-ΔVg)后盛行的等效电路的子像素11的等效电路的电路图。

如图24中的电路图所示，在发光时段，在装置驱动晶体管N2的栅极(G)和源极(S)之间出现的栅极-源极电压Vgs’已经由于耦合操作而从Vgs改变到(Vgs-ΔVg)后，驱动电流Ids’流向有机EL装置OLED，以便继续以在迁移率补偿处理后获得的亮度级别发光的光传导状态。流向有机EL装置OLED的驱动电流Ids’具有由在耦合操作之后的装置驱动晶体管N2的栅极(G)和源极(S)之间出现的栅极-源极电压Vgs确定的量值。

最终，参照图25A到25D的定时图，以下描述说明这样的事实：在基于耦合操作的迁移率补偿处理的执行之后获得的电势关系与在已执行合适的迁移率补偿处理后盛行的电势关系相同。

图25A是示出表示在写控制信号线WSL上出现的驱动信号的变化的波形的定时图，而图25B是示出表示在点亮控制信号线LSL上出现的驱动信号的变化的波形的定时图。图25C是示出表示在装置驱动晶体管N2的栅极G上出现的栅极电势Vg的变化的波形的定时图，而图25D是示出表示在装置驱动晶体管N2的源极S上出现的源极电势Vs的变化的波形的定时图。

值得注意的是，在图25A到25D的定时图中，将实际上在数据信号线DTL上维持的信号电势Vsig假定为4V，或者将本质上执行的信号电势Vsig假定为3V。

控制作为后来脉冲的宽度的、在图25A的定时图中示出的迁移率补偿时间T，将其设置在短于根据信号电势Vsig、由基于等式(2)的计算得到的迁移率补偿时间t的值。对4V信号电势Vsig，由基于等式(2)的计算得到的迁移率补偿电压是2V。然而，在这种情况下，迁移率补偿时段结束于迁移率补偿电压达到1.5V的时间点。在该时间点，在装置驱动晶体管N2的栅极(G)和源极(S)之间出现的栅极-源极电压Vgs是(2.5V+Vth)。

在该状态下，在点亮控制信号线LSL上出现的电势的变化借助于装置驱动晶体管N2的寄生电容器传递到装置驱动晶体管N2的栅极G上。在本实施例的情况中，不考虑信号电势Vsig的量值，在点亮控制信号线LSL上出现的电势的变化是1V。

也就是说，由于耦合驱动操作的效果，在装置驱动晶体管N2的栅极G上出现的栅极电势Vg降落1V。另一方面，在装置驱动晶体管N2的源极S上出现的源极电势Vs几乎不降落。

结果，在装置驱动晶体管N2的栅极(G)和源极(S)之间出现的栅极-源极电压Vgs从(2.5V+Vth)下降到(1.5V+Vth)。

对于从开始以在数据信号线DTL上维持的3V信号电势Vsig执行的迁移率补偿处理的情况，电势的这种状态完全等同于在图6A到6D的定时图中示出的电势状态。

(B-3)实施例的效果

本实施例采用用于将已经在发光时段的初始部分的结束处存储在信号保持电容器Cs中的栅极-源极电压Vgs，降低到低于通过利用存在于装置驱动晶体管N2和点亮控制信号线LSL之间的寄生电容元件在迁移率补偿时间获得的电平的电平的驱动方法。

通过采用该驱动方法，可以使得在数据信号线DTL上维持的信号电势Vsig的量值大于关于在不考虑耦合操作的情况的信号电势Vsig的量值。结果，可以使得迁移率补偿时间短于关于不考虑耦合操作的情况的迁移率补偿时间。

此外，迁移率补偿电压一定要通过假定电势关系在耦合操作的执行之后实现，在迁移率补偿时段期间生成。因此，用来获得必要的迁移率补偿电压的时间，与用来获得关于所有电平的信号电势Vsig、由基于等式(2)的计算得到的迁移率补偿电压的时间相比，变成相当短。结果，可以使得迁移率补偿时间短于关于不考虑耦合操作的情况的迁移率补偿时间。

另一种结果，可以将有机EL板实现来用作这样的有机EL板，其使得其易于实现板的高清晰度/分辨率以及板中的更高驱动频率的使用。

除此而外，因为可以使得迁移率补偿时间更短，所以可以将用于提供迁移率补偿时间的驱动脉冲再现为矩形脉冲的瞬时部分。

因此，可以使得用于驱动写控制信号线WSL的第一控制线驱动部件35的电路配置简单。另外，可以通过利用在与像素阵列部件3中的子像素相同的板上的相同处理，制造第一控制线驱动部件35。

因此，进一步降低有机EL板的成本并且降低有机EL板的功率消耗是可以的。

另外，因为在写控制信号线WSL上出现的驱动脉冲的下降瞬时部分具有陡峭形状，所以可以降低由迁移率补偿差异以及迁移率补偿处理的延时转变(time-lapse shift)导致的图像质量退化。也是根据这种观点，可以实现能够稳定所显示的图像质量和亮度级别的显示板。

(C)第二实施例

(C-1)系统配置

图26是示出根据第二实施例的有机EL板模块51的典型系统配置的块图。在图26的块图中，与在图1和8的块图中示出的其相应的对等部分的等同的元件都用与对等部分相同的参考号或相同的参考标记表示。

在图26的块图中示出的有机EL板模块51使用像素阵列部件53、信号线驱动部件33、第一控制线驱动部件35、第二控制线驱动部件9和第三控制线驱动部件55。信号线驱动部件33、第一控制线驱动部件35、第二控制线驱动部件9和第三控制线驱动部件55中的每一个都是用于驱动像素阵列部件53的电路。

下面描述第二实施例的典型配置。

(a)像素阵列部件

在第二实施例的情况中，像素阵列部件53具有每一个作为白单位、布置以形成二维矩阵的子像素61。

图27是示出子像素61的配置的说明性电路图。值得注意的是，在图27的电路图中，与在图3的电路图中示出的配置中使用的其相应对等部分等同的元件都用与该对等部分相同的参考号或相同的参考标记表示。

如在图27的电路图中所示，子像素61使用信号采样晶体管N1、装置驱动晶体管N2、用以保持信号电势Vsig的信号保持电容器Cs、专用耦合电容器Cc和有机EL装置OLED。

在第二实施例中使用的子像素61不同于在第一实施例中使用的子像素11，其不同在于子像素61具有专用耦合电容器Cc。

耦合电容器Cc是用于在发光操作期间在装置驱动晶体管N2的栅极G上叠加耦合电压的电容器。因为这个原因，耦合电容器Cc的两极中的特定一个与装置驱动晶体管N2的栅极G连接，而另一极与耦合控制线CSL连接。不必说，将一条耦合控制线CSL加到作为二维矩阵的行的每一条水平线上。

值得注意的是，可以增加耦合电容器Cc的电容到大于关于使用装置驱动晶体管N2的寄生电容器作为耦合电容器的情况的电容的值。因此，可以使得在耦合控制信号线CSL上出现的电势的变化小于在第一实施例中使用的点亮控制信号线LSL上出现的电势的变化。

(b)信号线驱动部件的配置

在本实施例中使用的信号线驱动部件33等同于在第一实施例中使用的信号线驱动部件33。这是因为，本实施例也采用用于在发光时段的初始部分的结束之后，执行负方向耦合操作的驱动方法。因为这个原因，本实施例也将在数据信号线DTL上维持的信号电势Vsig的量值增加到比基本驱动电压高了的事先确定的耦合电压的值。

(c)第一控制信号驱动部件的配置

由于相同的原因，在本实施例中使用的第一控制线驱动部件35执行与第一实施例中使用的第一控制线驱动部件35相同的操作。也就是说，在本实施例中使用的第一控制线驱动部件35也执行用以控制由子像素61执行的阈值电压补偿处理和迁移率补偿处理的操作。也是在本实施例的情况中，第一控制线驱动部件35在数据信号线DTL上维持这样的驱动信号，其可以具有事先确定的两个值中的任一个。更详细地，第一控制线驱动部件35设置在写控制信号线WSL上出现的电势，在电源线Vcc0上出现的H电平电势，以便将信号采样晶体管N1置于导通状态。另一方面，第一控制线驱动部件35设置在写控制信号线WSL上出现的电势，在L电平的地电势VSS，以便将信号采样晶体管N1置于截止状态。

不用说，就像在第一实施例中的情况一样，本实施例中的迁移率补偿时段也被设置在短于由基于等式(2)的计算得到的迁移率补偿时段的值。另外，控制提供定时以结束迁移率补偿时段的驱动脉冲的波形，以展示陡峭下降部分。

(d)第二控制信号驱动部件的配置

利用设置在事先确定的两个电压中的特定一个的点亮控制信号线LSL，借助于点亮控制信号线LSL将驱动功率供给子像素11。另一方面，利用设置在事先确定的两个电压中的另一个的点亮控制信号线LSL，不借助于点亮控制信号线LSL向子像素11供给驱动功率。

图28是示出第二控制信号驱动部件9的典型部分配置的电路图。也就是说，图28的电路图仅示出关于作为二维矩阵的行的一条水平线的配置。因此，每一个都在图28的简图中示出的多种配置被布置在屏幕的垂直方向上。在垂直方向上布置的配置的数量表示屏幕上显示的图像的垂直方向分辨率。

在图28的电路图中所示的部分配置的情况中，第二控制信号驱动部件9使用P-沟道型的薄膜晶体管P31。P-沟道型的薄膜晶体管P31的两个主电极的特定一个连接到电源线Vcc21，而其另一个主电极连接到点亮控制信号线LSL。点亮控制信号线LSL也连接到N-沟道型的薄膜晶体管N31的两个主电极中的特定一个。值得注意的是，N-沟道型的薄膜晶体管N31的另一个主电极连接到地电势Vss。

顺便，P-沟道型的薄膜晶体管P31的栅极和N-沟道型的薄膜晶体管N31的栅极都与公共控制线Scnt21连接。

因为P-沟道型的薄膜晶体管P31的特性不同于N-沟道型的薄膜晶体管N31的特性，所以当它们中的特定一个被置于截止状态时，它们中的另一个被置于导通状态。也就是说，P-沟道型的薄膜晶体管P31和N-沟道型的薄膜晶体管N31相互互补地操作。

在第二实施例的情况中，在公共控制线Scnt21上出现的电势由在前级提供的移位寄存器的相应输出级所生成的输出脉冲(作为具有两个二进制值的脉冲)控制。

例如，在非发光时段的初始部分与发光时段的截止部分之间的时间间隔中，第二控制信号驱动部件9驱动点亮控制信号线LSL到L电平的地电势VSS。另一方面，在其它时间间隔中，第二控制信号驱动部件9驱动点亮控制信号线LSL到在电源线Vcc21上出现的H电平电势。

(e)第三控制信号驱动部件的配置

第三控制信号驱动部件55是这样的驱动装置，其用于通过在耦合控制线CSL维持可以具有上事先确定的两个值的任一个的信号来控制耦合信号CSL。耦合控制线CSL是专用于本实施例的控制线。在本说明书所附的权利要求的范围内，耦合控制线CSL被称为第三控制线。如前所述，耦合控制线CSL是用于降低在发光时段的开始之后在装置驱动晶体管N2的栅极G出现的栅极电势Vg的控制线。

图29是示出第三控制信号驱动部件55的典型部分配置的电路图。也就是说，图29的电路图仅示出关于作为二维矩阵的行的一条水平线的配置。因此，每一个在图29的简图中示出的多种配置被布置在屏幕的垂直方向上。在垂直方向上布置的配置的数量表示屏幕上显示的图像的垂直方向分辨率。

在图29的电路图中示出的部分配置的情况中，第三控制信号驱动部件55使用P-沟道型的薄膜晶体管P41。P-沟道型的薄膜晶体管P41的两个主电极的特定一个连接到电源线Vcc31，而其另一个主电极连接到耦合控制信号线CSL。

这种耦合控制信号线CSL也连接到N-沟道型的薄膜晶体管N41的两个主电极中的特定一个。值得注意的是，N-沟道型的薄膜晶体管N41的另一个主电极连接到地电势Vss。

顺便，P-沟道型的薄膜晶体管P41的栅极和N-沟道型的薄膜晶体管N41的栅极都与公共控制线Scnt31连接。因为P-沟道型的薄膜晶体管P41的特性不同于N-沟道型的薄膜晶体管N41的特性，所以当两个晶体管中的特定一个导通时，另一个晶体管截止，并且当该特定晶体管截止时，另一个晶体管导通。也就是说，P-沟道型的薄膜晶体管P41和N-沟道型的薄膜晶体管N41以相互互补的方式操作。

在本实施例的情况中，在公共控制线Scnt31上出现的电势由在前级上提供的移位寄存器使用的输出级(作为相应于第三控制信号驱动部件55的输出级)供给的脉冲控制。

在例如非发光时段的初始部分与发光时段的初始部分的完成点之间的时间间隔中，第三控制信号驱动部件55将耦合控制信号线CSL设置到在电源线Vcc31上出现的H电平电势。另一方面，在其它时间间隔中，第三控制信号驱动部件55驱动耦合控制信号线CSL到L电平的地电势VSS。

(C-2)驱动操作

以下描述说明由根据第二实施例的有机EL板模块71执行的典型驱动操作。

图30A到图30F是示出子像素81内的电势的变化的说明性定时图。更详细地说，图30A是示出表示在写控制信号线WSL上出现的驱动信号的变化的波形的定时图，而图30B是示出表示在数据信号线DTL上出现的驱动信号的变化的波形的定时图。图30C是示出表示在点亮控制信号线LSL上出现的驱动信号的变化的波形的定时图，而图30D是示出表示在耦合控制信号线CSL上出现的驱动信号的变化的波形的定时图。图30E是示出表示在装置驱动晶体管N2的栅极电势Vg的变化的波形的定时图，而图30F是示出表示装置驱动晶体管N2的源极电势Vs的变化的波形的定时图。值得注意的是，在本实施例的情况中，包括在发光时段的开始之后执行的基础操作也等同于第一实施例的那些。

(a)初始化处理

当发光时段结束，非发光时段开始。当非发光时段开始，执行子像素61的初始化处理，以便为新处理存储信号电势Vsig做准备。另外，在点亮控制信号线LSL上出现的电势被设置在地电势VSS。

图31是示出在初始化时间时操作的子像素61的等效电路的电路图。如在图31的电路图中所示，已控制信号采样晶体管N1进入截止状态。

此时，在装置驱动晶体管N2的栅极G和点亮控制信号线LSL之间出现的电压大于装置驱动晶体管N2的阈值电压Vth。因此，将装置驱动晶体管N2置于导通状态，吸引已经在信号保持电容器Cs中累积的电荷。因为从信号保持电容器Cs中吸引在信号保持电容器Cs中累积的电荷，所以在装置驱动晶体管N2的源极S出现的源极电势Vs降落，变成与地电势VSS相等。另外，在装置驱动晶体管N2的栅极G出现的栅极电势Vg也由于源极电势Vs的下降而降落。如先前所述，因为装置驱动晶体管N2的源极S与有机EL装置OLED的阳极连接，所以在该源极S上出现的源极电势Vs正是在该阳极上出现的电势。

值得注意的是，在本实施例的情况中，在初始化处理时段期间，控制耦合控制线CSL从L电平的地电势VSS变化到在电源线Vcc31上出现的H电平电势。因此，因为装置驱动晶体管N2的栅极G已经置于浮置状态，所以在栅极G上出现的栅极电势Vg也由于通过耦合电容器Cc在栅极G上行使的耦合操作而上升。然而，因为重新安排装置驱动晶体管N2的栅极G上出现的栅极电势Vg的提升为阈值电压补偿处理中的偏置电压Vofs，所以栅极电势Vg的上升对阈值电压补偿处理没有效果。

(b)阈值电压补偿准备处理和阈值电压补偿处理

上述初始化处理结束，并且把信号采样晶体管N1置于导通状态，以便将用作参考电势的偏置电压Vofs施加到装置驱动晶体管N2的栅极上。图32示出示子像素61的等效电路的等效电路图。在阈值电压补偿准备处理的结束处，装置驱动晶体管N2的信号保持电容器Cs等于高于装置驱动晶体管N2的阈值电压Vth的差值(Vofs-VSS)。该处理被称为阈值电压补偿准备处理。

事实上，当假定出现在信号保持电容器Cs的各电极之间的电压已超过装置驱动晶体管N2的阈值电压Vth时，点亮控制信号线LSL改变到导通电势(on electric potential)Vcc21。图33示出示出子像素61的等效电路的等效电路图。此时，在装置驱动晶体管N2的漏极和源极之间出现的漏-源极电压Vds增加。因此，装置驱动晶体管N2置于导通状态，导致驱动电流Ids沿着从点亮控制信号线LSL到信号保持电容器Cs的方向流动。结果，中和了在信号保持电容器Cs中累积的电荷。当驱动电流Ids沿着从点亮控制信号线LSL到信号保持电容器Cs的方向流动时，装置驱动晶体管N2的源极电势Vs开始上升。

值得注意的是，源极电势Vs上升，以使在信号保持电容器Cs的各电极之间出现的电压变成等于装置驱动晶体管N2的阈值电压Vth(N2)。在该时间点，驱动电流Ids停止流动。这是因为装置驱动晶体管N2自动进入切断状态。

当假定如图34所显示的阈值电压补偿处理已经结束时，控制信号采样晶体管N1改变到截止状态。也就是说，将作为截止电势的地电势VSS施加到写控制信号线WSL。

(c)信号电势写处理和迁移率补偿处理

在阈值电压补偿处理已经结束之后的时间，在数据信号线DTL上显示的电势从偏置电压Vofs改变到了信号电势Vsig。然后，为了将信号采样晶体管N1置于导通状态，控制写控制信号线WSL进入导通状态。图35示出子像素61的等效电路的电路图。

将信号电势Vsig存储在信号保持电容器Cs中，以便装置驱动晶体管N2的栅极-源极电势Vgs再次超过阈值电势Vth(N2)。结果，控制装置驱动晶体管N2进入导通状态。

因此，开始向有机EL装置OLED供给驱动电流Ids的操作。然而，值得注意的是，驱动电流Ids充电有机EL装置OLED的寄生电容器Cel和其它电容器，代替流过有机EL装置OLED。作为结果，在有机EL装置OLED的阳极上出现的电势上升迁移率补偿电势ΔV。正如上述所述，在有机EL装置OLED的阳极出现的电势正是在装置驱动晶体管N2的源电极S上出现的源极电势Vs，原因是有机EL装置OLED的阳极连接到装置驱动晶体管N2的源电极S。值得注意的是，在其期间生成驱动脉冲的迁移率补偿时间T对所有电平的信号电势Vsig是通用的。除此之外，实际的驱动脉冲的波形显示金属电容器(wire capacitor)和其它电容器的效果引起的、与图13中所显示的那种相似的瞬时部分。

因为此原因，低亮度灰度的迁移率补偿时间比高亮度灰度的迁移率补偿时间要长。不必说，把迁移率补偿时间设置在关于在负方向耦合驱动操作之后施加到数据信号线DTL的信号电势Vsig优化的值。

因此，在这种情况下，可以使得迁移率补偿时间T比由关于实际应用于数据信号线DTL的信号电势Vsig、由基于等式(2)的计算得到的迁移率补偿时间t更短。

除此之外，通过考虑这之后执行的耦合操作，迁移率补偿电压ΔV可以具有小于实际施加到数据信号线DTL的信号电势Vsig的一半的量值。

不必说，确定迁移率补偿电压ΔV，以便表达式(Vofs-Vth(N2)+ΔV)的值不超过有机EL装置OLED的阈值电压Vth(oled)。

因此，在迁移率补偿处理过程中，绝不将有机EL装置OLED置于导通状态。也就是说，也是在迁移率补偿处理期间，有机EL装置OLED保持在原有的截止状态。

(d)发光操作(包括耦合操作)

控制采样晶体管N1进入截止状态，以结束迁移率补偿处理。图36是示出信号采样晶体管N1置于截止状态的时间点时子像素61的等效电路的电路图。通过将维持在写控制信号线WSL上的驱动脉冲从在电源线Vcc0上出现的H电平电势改变到L电平的地电势VSS，将信号采集晶体管N1置于截止状态。

也就是说，当维持在写控制信号线WSL上的驱动脉冲从在电源线Vcc0上出现的H电平电势改变到L电平的地电势VSS时，控制信号采集晶体管N1进入截止状态，电气断开装置驱动晶体管N2的栅极G。换句话说，控制信号采样晶体管N1进入截止状态，以便将装置驱动晶体管N2的栅极G置于浮置状态。

同时，装置驱动晶体管N2继续用以将驱动电流Ids供给有机EL装置OLED的操作。因为这个原因，用以充电有机EL装置OLED的寄生电容器的操作也继续。作为结果，在有机EL装置OLED的阳极上出现的电势上升。

因为有机EL装置OLED的阳极连接到装置驱动晶体管N2的源极S，所以当在有机EL装置OLED的阳极上出现的电势上升时，在源极S出现的源极电势Vs也上升。另外，当在装置驱动晶体管N2的源极S出现的源极电势Vs增加时，由于自举操作，在装置驱动晶体管N2的栅极G出现的栅极电势Vg也上升。

然后，在装置驱动晶体管N2的源极S出现的源极电势Vs达到有机EL装置OLED的阈值电压Vth(oled)。在这个时间点，有机EL装置OLED置于导通状态。利用被置于导通状态的有机EL装置OLED，由装置驱动晶体管N2生成的驱动电流Ids流经有机EL装置OLED，导致有机EL装置OLED以由驱动电流Ids的量值确定的亮度级别发光。

值得注意的是，在该发光时段期间由有机EL装置OLED发出的光的亮度级别是由实际上在数据信号线DTL上维持的信号电势Vsig的量值确定的亮度级别。也就是说，在该发光时段期间由有机EL装置OLED发出的光的亮度级别不同于假定的亮度级别。因此，在初始时段执行的发光处理越短，则结果越好。然后，将在耦合控制线CSL上出现的电势改变到作为截止电势的地电势VSS。

图37是示出作为在出现在耦合控制线CSL上的电势从H电平电势改变到地电势VSS的时间点时盛行的等效电路的子像素61的等效电路的电路图。更详细地说，在该时间点，出现在耦合控制线CSL上的电势从出现在电源线Vcc31上的H电平电势改变到L电平的地电势VSS。如上所述，借助于耦合电容器Cc，将出现在耦合控制线CSL上的电势的变化传递到装置驱动晶体管N2的栅极G，原因是装置驱动晶体管N2的栅极G已经置于浮置状态。

也就是说，在装置驱动晶体管N2的栅极G出现的栅极电势Vg从信号电势Vx降落到(Vx-ΔVg)的电势。另一方面，在装置驱动晶体管N2的源极S出现的源极电势Vs固定于这样的电势，由装置驱动晶体管N2生成的驱动电流Ids已经充电有机EL装置OLED的寄生电容器等到该电势。

因此，作为耦合操作的结果，在装置驱动晶体管N2的栅极G和源极S之间出现的栅极-源极电压Vgs’从Vgs改变到(Vgs-ΔVg)。

图38是示出作为在通过执行耦合操作减小在装置驱动晶体管N2的栅极G和源极S之间出现的栅极-源极电压Vgs’的处理完成之后盛行的等效电路的子像素61的等效电路的电路图。

如图38的电路图所示，在发光时段，当在装置驱动晶体管N2的栅极G和源极S之间出现的栅极-源极电压Vgs’由于耦合操作而从Vgs改变到(Vgs-ΔVg)之后，驱动电流Ids’流向有机EL装置OLED，以便继续以在迁移率补偿处理后获得的亮度级别发光的光传导状态。流向有机EL装置OLED的驱动电流Ids’具有由耦合操作后在装置驱动晶体管N2的栅极G和源极S之间出现的栅极-源极电压Vgs’确定的量值。

不必说，与第一实施例的情况一样，在基于耦合操作的迁移率补偿处理之后获得的电势关系与在已执行适当的迁移率补偿处理之后盛行的电势关系相同。

(C-3)实施例的效果

在本实施例的情况中，将耦合电容器Cc和作为用于驱动耦合电容器Cc的线的耦合控制线CSL添加为新元件。因此，可以简化用于驱动用作电源线的点亮控制信号线LSL的驱动电路的配置。

另外，通过使用耦合电容器Cc作为新元件，与基于寄生电容器执行耦合操作的配置相比，可以更容易执行设置迁移率补偿电压ΔV的操作。

(D)其它实施例

(D-1)第二控制线驱动部件的第一其它典型配置

在上述第一实施例的情况中，具有如图14的电路图中示出的配置的第二控制线驱动部件37作用为用于驱动点亮控制信号线LSL的部件。

然而，第二控制线驱动部件可以具有另一个电路配置。图39是示出同样适用于驱动点亮控制信号线LSL的第二控制线驱动部件37的另一个配置的说明性电路图。

在图39的电路图中示出的第二控制线驱动部件37的情况中，为将施加到点亮控制信号线LSL的三个电势Vss、Vcc11和Vcc12的每一个提供开关。每一个开关都是典型的薄膜晶体管。

在图39的电路图中示出的第二控制线驱动部件37的情况中，P-沟道型的薄膜晶体管P51和P52与点亮光控制信号线LSL并联连接。

第一P-沟道薄膜晶体管P51的两个主电极的特定一个连接到在其上维持了低电平导通电势Vcc11的电源线，而第一P-沟道薄膜晶体管P51的另一个主电极与点亮控制信号线LSL连接。另一方面，第二P-沟道薄膜晶体管P52的两个主电极的特定一个连接到在其上维持了高电平导通电势Vcc12的电源线，而第二P-沟道薄膜晶体管P52的另一个主电极与点亮控制信号线LSL连接。

被设计为N-沟道型的晶体管的薄膜晶体管N51的两个主电极的特定一个串联连接到在两个薄膜晶体管P51和P52上，而N-沟道薄膜晶体管N51的另一个主电极连接到地电势VSS。

在图39的电路图所示的第二控制线驱动部件37的情况中，第一P-沟道薄膜晶体管P51的栅极、第二P-沟道薄膜晶体管P52和N-沟道薄膜晶体管N51分别与专用控制信号线Scnt41、Scnt42和Scnt43连接。

更具体地说，第一P-沟道薄膜晶体管P51的栅极连接到专用控制信号线Scnt41，第二P-沟道薄膜晶体管P52的栅极连接到专用控制信号线Scnt42，并且N-沟道薄膜晶体管N51的栅极与专用控制信号线Scnt43连接。

在专用控制信号线Scnt41、专用控制线Scnt42和专用控制信号线Scnt43中的每一个上出现的电势都是由通过在前级上提供的移位寄存器的相应输出级所生成的输出脉冲(作为具有两个二进制值的脉冲)控制。

图40A到40D是示出在图39中示出的第二控制线驱动部件中的驱动信号的波形与像素电路的操作时段之间的关系的说明性定时图。更具体地说，图40A是示出在专用控制信号线Scnt41上所维持的驱动信号的波形的定时图，而图40B是示出在专用控制信号线Scnt42上所维持的驱动信号的波形的定时图。图40C是示出在专用控制信号线Scnt43上所维持的驱动信号的波形的定时图，而图40D是示出在点亮控制信号线LSL上出现的驱动信号的电势的波形的定时图。

首先，在电路配置的情况中，当专用控制信号线Scnt43的电势被设置在H电平时，N-沟道型的薄膜晶体管N51置于导通状态，控制在点亮控制信号线LSL上出现的电势到L电平(VSS)。

然后，专用控制信号线Scnt43的电势从H电平变回L电平。与改变专用控制信号线Scnt43的电势的操作联锁，专用控制信号线Scnt42的电势也从H电平改变到L电平，以便将P沟道型的第一薄膜晶体管P52置于导通状态，输出高电平导通电势Vcc12到点亮控制信号线LSL。

然后，在专用控制信号线Scnt42上出现的电势从L电平变回H电平。与该操作联锁，在专用控制信号线Scnt41上出现的电势从H电平改变到L电平，以便将P沟道型的第一薄膜晶体管P51置于导通状态，输出低电平的低电平导通电势Vcc11到点亮控制信号线LSL。通过执行该操作，可以实现与图14的简图中示出的那些电路配置完全相同的电势变化。

(D-2)控制线驱动部件的第二其它典型配置

在上述本实施例的情况中，请求迁移率补偿处理的执行的控制脉冲的下降波形设计为矩形波。

然而，如果想要提升迁移率补偿处理的精确度，也可以控制该控制脉冲的下降波形，以便获得在图13的简图中示出的迁移率补偿曲线。后面的描述说明能够生成用于获得这种型的迁移率补偿曲线的驱动脉冲的第一控制线驱动部件35的典型配置。

图41是示出控制线驱动部件35的典型部分配置的说明性简图。也就是说，图41的简图示出关于一条水平线或一条控制信号线WSL的配置。因此，在屏幕的垂直方向上布置每一个都在图41的简图中示出的多种配置。在垂直方向上布置的配置的数量表示在屏幕上显示的图像的垂直方向分辨率。

在下面的描述中，在图41的简图中示出其配置的局部电路也被称为控制线驱动部件35，以便使说明更简单。如图所示，控制线驱动部件35使用移位寄存器71、在前级提供的倒相电路73、在后级提供的倒相电路75、电平转换器77和单级倒相电路79。前级倒相电路73和后级倒相电路75用作缓冲器。

迁移率补偿曲线由单级倒相电路79、依照供给单级倒相电路79的电源电压脉冲WSP的波形的电平生成。

图42是示出表示电源电压脉冲WSP变化的波形的说明性简图。

如图42的简图所示，关于水平线的迁移率补偿曲线部分设置在相同步于关于该水平线的迁移率补偿时段的定时。

在本实施例的情况中，设置迁移率补偿曲线使其具有这样的形状，使得执行关于所施加的信号电势Vsig的额外迁移率补偿处理。也就是说，设置在图13中示出的迁移率补偿曲线使其具有这样的形状，使得在比依照等式(2)计算出的迁移率补偿时间短的迁移率补偿时段期间，关于每一个所施加的信号电势Vsig执行额外迁移率补偿处理。

图43是示出用于生成前述电源电压脉冲WSP并且将电源电压脉冲WSP供给控制线驱动部件35的电路的配置的块图。

如在图14的块图所示，电源电压脉冲WSP由定时脉冲生成器81和驱动功率生成器83生成。定时脉冲生成器81是一电路，其用于生成每个都具有不仅是供给第一控制线驱动部件35，而且也供给其他控制线驱动部件和驱动功率生成器83的矩形波形的驱动脉冲。值得注意的是，驱动脉冲的下降沿的定时比迁移率补偿时段的开始定时落后定时事先确定的延迟时间。

驱动功率生成器83是一电路，其用于基于从定时脉冲生成器81所接收到的驱动脉冲生成电源电压脉冲WSP，作为具有矩形波形的驱动脉冲。电源电压脉冲WSP具有拥有以两级折叠和弯曲(bent)的下降部分的波形。

图44是示出驱动功率生成器83的典型电路的简图。在图44的电路图中示出的驱动功率生成器83是具有用于生成接近迁移率补偿曲线的假电源电压脉冲WSP的配置的典型脉冲生成器。如图44的简图所示，驱动功率脉冲生成器83使用两个晶体管、一个电容器、每一个都具有固定电阻的三个电阻器和每一个都具有可变电阻的两个电阻器

驱动功率生成器83关于所输入的驱动脉冲执行模拟处理，以便生成具有拥有以两级折叠和弯曲的下降部分的波形的电源电压脉冲WSP。在第一级折叠和弯曲的波形下降部分具有很大梯度，而在第二级折叠和弯曲的波形下降部分具有小梯度。当然，通过以几个级折叠和弯曲电源电压脉冲WSP的波形的下降部分，可以生成接近理想迁移率补偿曲线的电源电压脉冲WSP。级数越大，电源电压脉冲WSP越接近理想迁移率补偿曲线。

(D-3)线信号驱动部件的其它典型配置

在本实施例的前面的说明中，假定负方向耦合电压改变，使得由信号线驱动部件33中使用的数字/模拟转换电路45生成的信号的量值，大于最终想要的信号的量值。然而，普遍使用的现代信号线驱动部件5的配置可以原样地用作信号线驱动部件33的配置。

(D-4)子像素的第一其它结构

在前述第一实施例的情况中，在装置驱动晶体管N2的栅极和主电极之间存在的寄生电容器用于将在点亮控制信号线LSL上出现的导通电势的变化传递到装置驱动晶体管N2的栅极G。

值得注意的是，在装置驱动晶体管N2的栅极和主电极之间存在的寄生电容器的电容越大，则在点亮控制信号线LSL上出现的导通电势的变化到装置驱动晶体管N2的栅极G的转移(transfer)越有效。

通常，通过增加比率W/L，可以提升在装置驱动晶体管N2的栅极和主电极之间存在的寄生电容器的电容。比率W/L是薄膜晶体管的沟道的长度L与薄膜晶体管的沟道的宽度W的比率。因此，通过增加装置驱动晶体管N2的比率W/L，至少可以执行有效的耦合操作。图45A和45B是每个都示出子像素中使用的薄膜晶体管的典型配置的多个说明性简图。

更具体地说，图45A是示出信号采样晶体管N1的典型尺寸的说明性简图，而图45B是示出装置驱动晶体管N2的典型尺寸的说明性简图。图45A和45B示出典型例子，其中装置驱动晶体管N2的大小大于信号采样晶体管N1的大小。

(D-5)子像素的第二其他结构

在前述第一实施例的情况中，在装置驱动晶体管N2的栅极和主电极之间存在的寄生电容器用于传递在点亮控制信号线LSL上出现的导通电势的变化到装置驱动晶体管N2的栅极G。

值得注意的是，在装置驱动晶体管N2的栅极和主电极之间存在的寄生电容器的电容越大，则在点亮控制信号线LSL上出现的导通电势的变化到装置驱动晶体管N2的栅极G的转移越有效。

例如，通过增加在装置驱动晶体管N2中的栅极和漏/源极之间的重叠的长度，也可以增加在装置驱动晶体管N2的栅极和主电极之间存在的寄生电容器的电容。以下描述重叠长度。图46是示出作为底-栅(bottom-gate)型的薄膜晶体管的装置驱动晶体管N2的横截面部件的典型结构的简图。

装置驱动晶体管N2具有这样一种结构，其中在夹层绝缘薄膜上制造在绝缘衬底91(例如，用夹层绝缘薄膜覆盖的玻璃板)的表面上形成的栅极93的表面和沟道区域95、源极区域97以及漏极区域99。源极区域97与金属线101连接，而极漏区域99连接到金属线103，以便金属线101和103在两个区域重叠于沟道区域95。在每个区域的重叠的大小被称为重叠长度。不必说，也可以提供其中仅在栅极和连接于点亮控制信号线LSL的主电极之间制造重叠的装置驱动晶体管N2的配置。

(D-6)子像素的第三其他结构

在前述第一实施例的情况中，在装置驱动晶体管N2的栅极和主电极之间存在的寄生电容器用于传递在点亮控制信号线LSL上出现的导通电势的变化到装置驱动晶体管N2的栅极G。

然而，用于补充寄生电容器的耦合电容器Cc可以连接于装置驱动晶体管N2的栅极G和装置驱动晶体管N2中包括的、作为如图47的电路图所示地连接于点亮控制信号线LSL的电极的主电极之间。

(D-7)子像素的第四其他结构

在前述第二实施例的情况中，组成子像素电路的薄膜晶体管的数量是2。然而，子像素的配置绝不仅限于第二实施例。例如，组成子像素电路的薄膜晶体管的数量也可以是3或者大于3的整数。

图48是示出使用四个薄膜晶体管的子像素的典型配置的电路图。值得注意的是，在图48的电路图中所示的典型配置中，与在图27的电路图中示出的配置中使用的其对等部分的相同的元件均用与对等部分相同的参考标记表示。图48的电路图中示出的典型配置包括三个新配置特征。

第一配置特征是这样的事实，驱动功率通过固定电源线VCC供给装置驱动晶体管N2。第二配置特征是这样的事实，点亮控制晶体管N61连接于固定电源线VCC和装置驱动晶体管N2之间，与装置驱动晶体管N2一起形成串联电路。

在图48的电路图中所示的典型配置的情况中，制造点亮控制晶体管N61用作N-沟道型的薄膜晶体管。通过点亮控制信号线LSL，控制点亮控制晶体管N61进入导通或截止状态。当点亮控制晶体管N61置于导通状态时，借助于点亮控制晶体管N61，将驱动功率从固定电源线VCC供给装置驱动晶体管N2。另一方面，当点亮控制晶体管N61置于截止状态时，暂停将驱动功率从固定电源线VCC借助于点亮控制晶体管N61供给装置驱动晶体管N2的操作。在非发光时段和发光时段的截止部分选择性地执行将点亮控制晶体管N61置于截止状态的控制。

第三配置特征是这样的事实，重置晶体管N63并联连接于有机EL装置OLED。也制造重置晶体管N63用作N-沟道型的薄膜晶体管。通过重置控制线RSL，控制重置晶体管N63进入导通或截止状态。控制重置晶体管N63在初始时间进入导通状态。另一方面，在其它时段控制重置晶体管N63进入截止状态。

图49A到49G是示出在图48的电路图中示出的子像素的结构内生成的电势的变化的定时图。更具体地说，图49A是示出表示在写控制信号线WSL上出现的驱动信号的变化的波形的定时图，而图49B是示出表示在数据信号线DTL上出现的驱动信号的变化的波形的定时图。图49C是示出表示在点亮控制信号线LSL上出现的驱动信号的变化的波形的定时图，而图49D是示出表示在重置控制线RSL上出现的驱动信号的变化的波形的定时图。图49E是示出表示在耦合控制信号线CSL上出现的驱动信号的变化的波形的定时图。图49F是示出表示在装置驱动晶体管N2的栅极G上出现的栅极电势Vg变化的波形的定时图，而图49G是示出表示在装置驱动晶体管N2的源极S上出现的源极电势Vs变化的波形的定时图。

在图48的电路图中示出的第四其它典型配置的基本驱动操作等同于由第二实施例所执行的基本驱动操作。专用于在图48的电路图中示出的第四其它典型配置的操作是由点亮控制晶体管N61执行的、控制将驱动功率供给装置驱动晶体管N2的操作的操作，以及由重置晶体管N63在初始时间执行的操作。

由在图48的电路图中示出的第四其它典型配置执行的操作通过仅关注第四其它典型配置与第二实施例之间的差别来说明。例如在初始时间，控制点亮控制晶体管N61进入截止状态，而控制重置晶体管N63进入导通状态。在那时，信号保持电容器Cs的特定电极连接于传输地电势VSS的线，以便在放电过程中吸引在信号保持电容器Cs中累积的电荷到传输地电势VSS的线。通过这种方式执行初始化处理。

然后，控制点亮控制晶体管N61进入导通状态，以便结束初始化处理。在那时，控制重置晶体管N63进入截止状态。那以后，由具有如图48的电路图中示出的等效电路的第四其它典型配置执行的操作都等同于由第二实施例执行的操作。

(D-8)产品实例

(a)电子设备

目前所给的描述已经说明了有机EL板模块。有机EL板模块也被在市场上用作以多种电子设备实现的商业产品。以下描述说明有机EL板模块在某些电子设备中的典型实现。

图50是示出电子设备111的典型概念性配置的块图。如图所示，电子设备111使用包括到目前为止描述的驱动电路的显示板模块113、系统控制部件115和操作输入部件117。由系统控制部件115执行的处理依赖电子设备111的功能。操作输入部件117是用于接收由用户输入到系统控制部件115的操作输入的部件。操作输入部件117包括机械接口和/或图形界面。机械接口的典型实例是开关和按钮。

图51是示出用作TV接收器121的电子设备111的典型外观的简图。TV接收器121的壳前面包括具有面板123和滤光镜125的显示屏幕127。显示屏幕127对应于在图50的块图中示出的显示板模块113。

另外，电子设备111也可假定为数字照相机131。图52A和52B是均示出数字照相机131的典型外观的简图。更具体地说，图52A是示出数字照相机131的前侧(或被摄体一侧)的典型外观的简图，而图52B是示出数字照相机131的后侧(或摄影师一侧)的典型外观的简图。

如图所示，数字照相机131使用防护罩133、摄影镜头135、显示屏幕137、控制开关139和快门按钮141。显示屏幕137对应于在图50的块图中示出的显示板模块113。

另外，电子设备91也可被假定为录像机151。图53是示出录像机151的典型外观的简图。

如图所示，录像机151包括主单元153、图像拍摄镜头155、摄影开始/停止开关157和显示屏幕139。在主单元153上提供图像拍摄镜头155，用作用于拍摄视频摄影的被摄体的图像的镜头。显示屏幕159对应于在图50的块图中示出的显示板模块113。

另外，电子设备11也可被假定为便携式终端。图54A和54B是均示出作为折叠型的手机161的便携式终端的典型外观的简图。更具体地说，图54A是示出其壳打开的手机161的典型外观的简图，而图54B是示出其壳折叠的手机161的典型外观的简图。

如图所示，手机161使用上壳163、下壳165、链接部件167、显示屏幕169、辅助显示屏171、画面灯173和图像拍摄镜头175。在手机161的情况中，链接部件167是铰链。显示屏幕169和辅助显示屏幕171对应于在图50的块图中示出的显示板模块113。

另外，电子设备111也可以被假定为计算机。图55是示出实现为笔记本计算机181(的形式)的计算机的典型外观的简图。

如图所示，笔记本计算机181使用上壳185、下壳183、键盘187和显示屏幕189。显示屏幕189对应于图50的块图中示出的显示板模块113。

另外，电子设备111也可以被假定为除上述电子设备以外的设备。其它电子设备的典型实例有音频再现设备、游戏机、电子笔记本和电子词典。

(D-9)其它典型显示装置

每一个上述实施方式都应用本发明到有机EL板模块。

然而，上述信号和控制线驱动部件的配置也可以应用于另一种发光型的显示板模块。

例如，信号和控制线驱动部件的配置也可应用于使用布置以形成二维矩阵的LED(发光二极管)的显示设备。另外，信号和控制线驱动部件的配置也可以应用于使用布置在显示屏幕上作为每一个均具有二极管结构的装置的发光装置的显示板模块。除此而外，信号和控制线驱动部件的配置也可以应用于非有机EL板。

(D-10)其它

每一个上述实施例都可以改变到本发明的实质范围内的、各种可想象的改进的版本。另外，也可以想象基于在本说明书中的描述通过创作和/或组合而获得的多种变化/应用。

本发明包含与公开在2008年9月29日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2008-251711中的主题有关的主题，特此全文引用以供参考。

Claims (8)

1.一种自发光型显示板模块，包括：

像素阵列部件，包括像素区域，其布置成在显示区域中形成二维矩阵以作为均具有以下部分的像素区域：

信号保持电容器，

装置驱动晶体管，提供有与所述信号保持电容器的两个电极中的特定一个连接的控制电极以及与所述信号保持电容器的另一个电极连接的特定主电极，以作为用于提供具有根据在所述信号保持电容器中存储的电压的量值的驱动电流给连接到所述装置驱动晶体管的自发光装置的晶体管，和

信号采样晶体管，用于控制用以将表示像素灰度的信号电势供给所述装置驱动晶体管的所述控制电极的操作；

第一驱动部件，配置为在用于补偿所述装置驱动晶体管迁移率的时段已经结束后的时间点，在数据信号线上维持所述信号电势一预定时段；

第二驱动部件，配置为在非发光时段的初始时间之后在与所述信号采样晶体管的控制电极连接的第一控制线上维持用于驱动写控制信号线的电势写定时信号，以便将信号采样晶体管置于导通状态；和

第三驱动部件，配置为将以下三个不同驱动电压顺序提供给与所述装置驱动晶体管的另一主电极连接的第二控制线：

第一驱动电压，其在非发光时段的初始时间与用于补偿所述装置驱动晶体管迁移率的时段的开始之间的时间间隔期间具有作为地电势的低电势，

第二驱动电压，其在用于补偿所述装置驱动晶体管迁移率的所述时段的所述开始与发光时段的初始部分之间的时间间隔期间具有能够导通所述装置驱动晶体管的预定高电势，和

第三驱动电压，其在所述发光时段的所述初始部分之后具有能够导通所述装置驱动晶体管的预定中间电势，所述预定中间电势低于所述预定高电势而高于所述低电势。

2.根据要求1的显示板模块，其中将用于在数据信号线上维持相应于所述像素灰度的每一个所述信号电势的所述预定时段T设置成短于关于所述信号电势V_sig计算出的迁移率补偿时间t的值，所述迁移率补偿时间t满足：

t＝C/(k·μ·Vsig)

其中参考标记k表示常量，参考标记C表示相应像素的总电容，而参考标记μ表示所述装置驱动晶体管的迁移率。

3.一种自发光型显示板模块，包括：

像素阵列部件，包括像素区域，其布置成在显示区域中形成二维矩阵以作为均具有以下部分的像素区域：

信号保持电容器，

装置驱动晶体管，提供有与所述信号保持电容器的两个电极中的特定一个连接的控制电极以及与所述信号保持电容器的另一个电极连接的特定主电极，以作为用于提供具有根据在所述信号保持电容器中存储的电压的量值的驱动电流给连接到所述装置驱动晶体管的自发光装置的晶体管，

信号采样晶体管，用于控制用以将表示像素灰度的信号电势供给所述装置驱动晶体管的所述控制电极的操作，和

耦合电容器，具有连接于所述装置驱动晶体管的所述控制电极的特定电极和连接于第三控制线的另一个电极；

第一驱动部件，配置为在用于补偿所述装置驱动晶体管迁移率的时段已经结束后的时间点，在数据信号线上维持所述信号电势一预定时段；

第二驱动部件，配置为在非发光时段的初始时间之后在与所述信号采样晶体管的控制电极连接的第一控制线上维持用于驱动写控制信号线的电势写定时信号，以便将信号采样晶体管置于导通状态；

第三驱动部件，配置为控制用以将驱动电压供给所述装置驱动晶体管的操作和用以停止用以将驱动电压供给所述装置驱动晶体管的所述操作的操作；和

第四驱动部件，配置为将以下两个不同的驱动电压顺序提供给所述第三控制线：

高电平驱动电压，其在所述装置驱动晶体管迁移率补偿时段的开始和发光时段的初始部分之间的时间间隔期间具有能够导通所述装置驱动晶体管的预定高电势，和

低电平驱动电压，其在所述发光时段的所述初始部分之后具有能够导通所述装置驱动晶体管的预定低电势。

4.根据要求3的显示板模块，其中将用于维持相应于像素灰度的每一个信号电势的时段T设置在短于关于所述信号电势计算出的迁移率补偿时间t的值。

5.一种自发光型显示板模块，包括：

像素阵列部件，包括像素区域，其布置成在显示区域中形成二维矩阵以作为均具有以下部分的像素区域：

信号保持电容器，

装置驱动晶体管，提供有与所述信号保持电容器的两个电极中的特定一个连接的控制电极以及与所述信号保持电容器的另一个电极连接的特定主电极，以作为用于提供具有根据在所述信号保持电容器中存储的电压的量值的驱动电流给连接到所述装置驱动晶体管的自发光装置的晶体管，和

信号采样晶体管，用于控制用以将表示像素灰度的信号电势供给所述装置驱动晶体管的所述控制电极的操作；

第一驱动部件，配置为在用于补偿所述装置驱动晶体管迁移率的时段已经结束后的时间点，在数据信号线上维持所述信号电势一预定时段；

第二驱动部件，配置为在非发光时段的初始时间之后在与所述信号采样晶体管的控制电极连接的第一控制线上维持用于驱动写控制信号线的电势写定时信号，以便将信号采样晶体管置于导通状态；和

第三驱动部件，配置为通过在发光时段的初始部分之后行使的耦合效应，减小在所述装置驱动晶体管的所述控制电极上出现的电势。

6.一种电子设备，包括：

自发光型显示板模块，具有

像素阵列部件，包括像素区域，其布置成在显示区域中形成二维矩阵以作为均具有以下部分的像素区域：

信号保持电容器，

装置驱动晶体管，提供有与所述信号保持电容器的两个电极中的特定一个连接的控制电极以及与所述信号保持电容器的另一个电极连接的特定主电极，以作为用于提供具有根据在所述信号保持电容器中存储的电压的量值的驱动电流给连接到所述装置驱动晶体管的自发光装置的晶体管，和

信号采样晶体管，用于控制用以将表示像素灰度的信号电势供给所述装置驱动晶体管的所述控制电极的操作；

第一驱动部件，配置为在用于补偿所述装置驱动晶体管迁移率的时段已经结束后的时间点，在数据信号线上维持所述信号电势一预定时段；

第二驱动部件，配置为在非发光时段的初始时间之后在与所述信号采样晶体管的控制电极连接的第一控制线上维持用于驱动写控制信号线的电势写定时信号，以便将信号采样晶体管置于导通状态；和

第三驱动部件，配置为将以下三个不同驱动电压顺序提供给与所述装置驱动晶体管的另一主电极连接的第二控制线：

第一驱动电压，其在非发光时段的初始时间与用于补偿所述装置驱动晶体管迁移率的时段的开始之间的时间间隔期间具有作为地电势的低电势，

第二驱动电压，其在用于补偿所述装置驱动晶体管迁移率的所述时段的所述开始与发光时段的初始部分之间的时间间隔期间具有能够导通所述装置驱动晶体管的预定高电势，和

第三驱动电压，其在所述发光时段的所述初始部分之后具有能够导通所述装置驱动晶体管的预定中间电势，所述预定中间电势低于所述预定高电势而高于所述低电势；

系统控制部件，配置为控制所述电子设备的整个系统的控制操作；和

操作输入部件，配置为接收输入到所述系统控制部件的操作输入。

7.一种电子设备，包括：

自发光型显示板模块，具有

像素阵列部件，包括像素区域，其布置成在显示区域中形成二维矩阵以作为均具有以下部分的像素区域：

信号保持电容器，

装置驱动晶体管，提供有与所述信号保持电容器的两个电极中的特定一个连接的控制电极以及与所述信号保持电容器的另一个电极连接的特定主电极，以作为用于提供具有根据在所述信号保持电容器中存储的电压的量值的驱动电流给连接到所述装置驱动晶体管的自发光装置的晶体管，

信号采样晶体管，用于控制用以将表示像素灰度的信号电势供给所述装置驱动晶体管的所述控制电极的操作，和

耦合电容器，具有连接于所述装置驱动晶体管的所述控制电极的特定电极和连接于第三控制线的另一个电极；

第一驱动部件，配置为在用于补偿所述装置驱动晶体管迁移率的时段已经结束后的时间点，在数据信号线上维持所述信号电势一预定时段；

第二驱动部件，配置为在非发光时段的初始时间之后在与所述信号采样晶体管的控制电极连接的第一控制线上维持用于驱动写控制信号线的电势写定时信号，以便将信号采样晶体管置于导通状态；

第三驱动部件，配置为控制用以将驱动电压供给所述装置驱动晶体管的操作和用以停止用以将驱动电压供给所述装置驱动晶体管的所述操作的操作；和

第四驱动部件，配置为将以下两个不同的驱动电压顺序提供给所述第三控制线：

高电平驱动电压，其在所述装置驱动晶体管迁移率补偿时段的开始和发光时段的初始部分之间的时间间隔期间具有能够导通所述装置驱动晶体管的预定高电势，和

低电平驱动电压，其在所述发光时段的所述初始部分之后具有能够导通所述装置驱动晶体管的预定低电势；

系统控制部件，配置为控制所述电子设备的整个系统的操作；和

操作输入部件，配置为接收输入到所述系统控制部件的操作输入。

8.一种电子设备，包括：

自发光型显示板模块，具有

像素阵列部件，包括像素区域，其布置成在显示区域中形成二维矩阵以作为均具有至少以下部分的像素区域：

信号保持电容器，

装置驱动晶体管，提供有与所述信号保持电容器的两个电极中的特定一个连接的控制电极以及与所述信号保持电容器的另一个电极连接的特定主电极，以作为用于提供具有根据在所述信号保持电容器中存储的电压的量值的驱动电流给连接到所述装置驱动晶体管的自发光装置的晶体管，和

信号采样晶体管，用于控制用以将表示像素灰度的信号电势供给所述装置驱动晶体管的所述控制电极的操作；

第一驱动部件，配置为在用于补偿所述装置驱动晶体管迁移率的时段已经结束后的时间点，在数据信号线上维持所述信号电势一预定时段；

第二驱动部件，配置为在非发光时段的初始时间之后在与所述信号采样晶体管的控制电极连接的第一控制线上维持用于驱动写控制信号线的电势写定时信号，以便将信号采样晶体管置于导通状态；和

第三驱动部件，配置为通过在发光时段的初始部分之后行使的耦合效应，减小在所述装置驱动晶体管的所述控制电极上出现的电势；

系统控制部件，配置为控制所述电子设备的整个系统的操作；和

操作输入部件，配置为接收输入到所述系统控制部件的操作输入。

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