CN115312002B - 像素驱动电路、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供的一种像素驱动电路、显示面板及显示装置，所述像素驱动电路包括：驱动晶体管、稳压晶体管、存储电容，所述稳压晶体管形成控制端的栅极金属层与有源层形成沟道开态电容，所述沟道开态电容的面积与所述存储电容的电容值之比小于预设值栅极金属层与有源层正对的重叠面积栅极金属层与有源层正对的重叠面积，所述预设值基于驱动晶体管控制端的电压变动量与电位电压的比值确定，本申请通过对稳压晶体管的沟道开态电容和存储电容的关系进行设计，从而提供了一种新的电容配置方案，可以对引起电压波动的变量的控制，可以有效降低因制程波动而引起器件特性差异进一步导致电位的影响，从而实现最佳的显示品质效果。

Description

像素驱动电路、显示面板及显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种像素驱动电路、显示面板及显示装置。
背景技术
随着液晶显示领域的发展，有机发光显示器(Organic Light Emitting Display，OLED)显示技术的自主发光、轻薄等优势逐渐在TV、手机以及笔电等产品中得到了很大的应用，由于OLED属于电流驱动，当薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的阈值电压Vth发生偏移的时候，OLED的电流驱动将不会稳定，发生变化，进而造成亮度不均，目前通过驱动补偿电路来进行电流补偿，驱动补偿电路包括一个与像素元件连接的TFT和电容，TFT的控制端连接数据电压，输入端连接驱动电压，其输出端和控制端之间连接该电容，从而可以通过数据电压调控写入至像素元件的电压，该像素驱动电路的工作包括四个阶段，即复位、补偿、写入以及发光，由于制程存在波动，阈值电压的大小存在差异，即通过沟道的导通电流存在着差异，通过内部补偿电路即对器件形成的导通沟道本身的阈值电压影响进行消除，但是现有技术中对于电容的配置研究不足，缺少不同电容配置对补偿效果的影响研究，存在诸多不足。
发明内容
本申请提供一种像素驱动电路、显示面板及显示装置，旨在解决范例技术中常规利用三端器件的驱动开关补偿方案已经发展到一定程度，存在不可跨越的瓶颈，亟需提供一种能够跨过上述瓶颈的补偿方案的问题。
本申请第一方面实施例提供一种像素驱动电路，应用于显示面板，所述显示面板包括多个像素单元，每个像素单元包括多个子像素元件，所述像素驱动电路包括：
驱动补偿模块，所述驱动补偿模块包括驱动晶体管和存储电容，所述驱动晶体管的输入端与驱动电压端耦接，控制端与所述存储电容的一端耦接，所述存储电容的另一端和所述驱动晶体管的输出端共同与对应的子像素元件耦接；以及
稳压晶体管，所述稳压晶体管的输入端耦接一设定电压端，输出端耦接所述驱动晶体管的控制端，控制端耦接第一栅极控制信号线；其中，
所述稳压晶体管形成控制端的栅极金属层与有源层形成沟道开态电容，所述沟道开态电容的面积与所述存储电容的电容值之比小于预设值，所述预设值基于驱动晶体管控制端的电压变动量与电位电压的比值确定。
栅极金属层与有源层正对的重叠面积栅极金属层与有源层正对的重叠面积
在可选的实施例中，所述驱动晶体管控制端的电压变动量与电位电压的比值为5％，相对应地，所述预设值为3.74E-10。
在可选的实施例中，还包括：
数据写入模块，所述数据写入模块的输出端耦接在所述驱动晶体管的输出端以及对应子像素元件的输入端之间，用于在补偿写入阶段向所述驱动晶体管写入数据电压。
在可选的实施例中，所述数据写入模块包括：
写入控制晶体管，所述写入控制晶体管的控制端耦接第二栅极控制信号线，输入端耦接所述数据电压端，输出端耦接所述驱动晶体管的输出端。
在可选的实施例中，还包括：
复位模块，所述复位模块响应于一复位响应电压线输出的复位响应电压，将所述存储电容耦接所述子像素元件的一端的电压拉低至复位电压。
在可选的实施例中，所述复位响应电压线为所述第一栅极控制信号线；和/或
所述复位模块包括复位控制晶体管，所述复位控制晶体管的控制端耦接所述复位响应电压线，输入端耦接基准直流电压端，输出端耦接所述驱动晶体管的输出端。
在可选的实施例中，还包括：
第一发光控制晶体管，所述第一发光控制晶体管的控制端耦接第一发光控制信号线，输入端耦接所述驱动电压端，输出端耦接所述驱动晶体管的输入端；和/ 或，
第二发光控制晶体管，所述第二发光控制晶体管的控制端耦接第二发光控制信号线，输入端耦接所述驱动晶体管的输出端，输出端耦接所述子像素元件。
在可选的实施例中，所述设定电压端为所述驱动电压端，或者为显示面板中的一直流信号端。
本申请第二方面实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括多个像素单元以及多个如上所述的像素驱动电路，每个像素单元包括多个子像素元件，多个子像素单元中的多个子像素元件与多个像素驱动电路一一对应。
本申请第三方面实施例提供一种显示装置，包括显示面板以及如上所述的像素驱动电路，所述显示面板包括多个像素单元，每个像素单元包括多个发光器件。
由上述技术方案可知，本申请提供的一种像素驱动电路、显示面板及显示装置，通过对稳压晶体管的沟道开态电容和存储电容的关系进行设计，从而提供了一种新的电容配置方案，可以对引起电压波动的变量的控制，可以有效降低因制程波动而引起器件特性差异进一步导致电位的影响，从而实现最佳的显示品质效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例中像素驱动电路的结构示意图。
图2是图1对应的时序控制示意图。
图3是图1中驱动开关的层结构示意图。
图4是本申请实施例中一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。需要说明的是，本申请公开的像素驱动电路、显示面板及显示装置可用于显示技术领域，也可用于除显示技术领域之外的任意领域，本申请公开的像素驱动电路、显示面板及显示装置的应用领域不做限定。
实施例1
图1是本申请实施例提供的一种像素驱动电路的结构示意图，可以知晓，本申请的像素驱动电路用于显示面板，所述显示面板包括多个像素单元，每个像素单元包括多个子像素元件M，本申请的每个像素驱动电路与每个子像素元件M一一对应，如图1所示，其具体包括：驱动补偿模块10，所述驱动补偿模块10包括驱动晶体管Tm和存储电容Cst，所述驱动晶体管Tm的输入端(如图2中Tm的 11)与驱动电压端VDD耦接，控制端(如图2中Tm的13)与所述存储电容Cst 的一端(图2中的cs1)耦接，所述存储电容的另一端(图2中的cs2)和所述驱动晶体管Tm的输出端(如图2中Tm的12)共同与对应的子像素元件M耦接；以及稳压晶体管T2，所述稳压晶体管T2的输入端21耦接一设定电压端(图1中复用驱动电压端VDD为该设定电压端)，输出端22耦接所述驱动晶体管Tm的控制端13，控制端23耦接第一栅极控制信号线Gn1。
请参见图3所示，本申请实施例中，沟道开态电容的面积即为所述稳压晶体管形成控制端的栅极金属层5与有源层4的正对的重叠面积，或者称之为“正投影的重叠面积”，所述栅极金属层与有源层正对的重叠面积与所述存储电容的电容值之间的关系为：S<Cst*K，其中S为所述栅极金属层与有源层正对的重叠面积，Cst为存储电容的电容值，K基于驱动晶体管控制端的电压变动量与电位电压的比值确定。
具体的，Cgd的大小取决于T1的面积S与单位面积电容的乘积。基于平行板电容器的原理，C＝εS/4πkd，其中ε为相对介电常数，d为两个极板之间的距离， k为静电力常数，由于显示面板中，晶体管中各层结构的厚度一般已经达到最优设计，过薄容易形成电子击穿效应，厚度d过厚不利于工艺生产的时间和器件性能达标，因此一般设定d不变，由此可以推导出T1面积S与Cst需满足的数学关系。
基于上述原理，推导过程如下：Cgd/(Cgd+Cst)小于5％，则Cgd小于0.05/0.95Cst，于此同时，Cgd等于ε0εiS/2T，因此S小于0.05Cst/(0.95x2Tε0εi)，则 SX10-12(um2)小于0.05Cst/(0.95x2Tε0εi)x1200x10-10，最后推导出S<Cst*3.74E-10。
可以理解，本实施例中，ε0、εi以及T分别为：真空介电常数，相对介电常数以及厚度。
本申请实施例中，结合电路架构改变沟道开态电容的硬件配置参数，巧妙地通过改变沟道电容值来进行补偿，提高显示效果，同时探索出沟道开态电容的面积与存储电容的电容值的对应关系，两者配合消除了驱动晶体管在关闭的过程中因电容耦合导致的电压变动。
本实施例解决了目前为了提高显示效果，缺少电容设计相关的技术和论述的问题，在本申请实施例中，本申请发明人将电压变动量与电位电压的比值小于 5％，即Cgd/(Cgd+Cst)<5％，之后结合推导过程确定S<Cst*3.74E-10的计算公式，其中S为所述沟道开态电容的面积，即栅极金属层与有源层正对的重叠面积，Cst 为存储电容的电容值。
可以看出，本申请的发明人首先发现现有电路中，T1关闭过程中的电容耦合引起的电压变动，亦受到Cst存储电容的稳压作用的影响，目前尚未出现对T1的沟道开态电容进行设计的构思，而发明人进一步研究发现电容耦合可以通过对驱动晶体管的沟道电容的电容值的配置来克服这一问题，T1关闭过程中的电容耦合引起的电压变动，亦受到Cst存储电容的稳压作用的影响，而驱动TFT栅极连接的N1节点的电压变动也因不同灰阶，能结构的电压变动会有所不同。本申请将电压变动量与电位电压的比值小于5％，即Cgd/(Cgd+Cst)<5％，从而Cgd的大小取决于T1的面积S与单位面积电容的乘积，由此得到T1面积S与Cst需满足的数学关系，即S<Cst*3.74E-10。
可以理解，本申请中图1和图2的实施例中复用驱动电压端VDD为该设定电压端，在其他可选的实施例中，设定电压端可以为显示面板中的任意高电压端，本申请对此不做限制，只需该高电压端的电压值高于稳压晶体管的栅极控制电压的阈值(例如对于一般晶体管而言，0.7V以上即可导通，即仅需高电压端的电压值高于0.7V即可)。
下面针对本申请的稳压晶体管的具体结构进行详细说明，一般而言，稳压晶体管为常规tft器件，包括源漏极和栅极，栅极和有源层可以构成沟道开态电容。
在优选的实施例中，如图3示出了本申请实施例提供的一种稳压晶体管的结构示意图，包括：基板1；第一金属层2，形成于所述基板1一侧表面上；有源层 4，形成于所述第一金属层2远离所述基板1的一侧；开关元件结构，位于所述有源层4远离第一金属层2的一侧，包括由第二金属层5构成的栅极，以及位于所述第二金属层5两侧并与所述有源层4电接触的源极(图1中过孔72沉积金属形成)和漏极(图1中过孔71沉积金属形成)；其中，所述第一金属层2耦接一直流电压端。
在本申请实施例中，基板又称衬底，是具有特定晶面和适当电学，光学和机械特性的用于生长外延层的洁净单晶薄片，本申请在此不做赘述，可以理解的是，本申请是显示领域，因此其衬底一般为玻璃衬底，具有机械支撑作用，衬底上可以通过沉积等方式形成各个层结构。
本申请实施例中，第一金属层2形成在基板1一侧表面上，第一金属层2构成了本申请实施例中薄膜晶体管的底栅，本申请中底栅可以通过在过孔中沉积的导电金属9与外部的直流导线电连接，例如将直流导线的端部被焊接到过孔上的导电金属上。
有源层形成在所述第一金属层2远离所述基板1的一侧，即位于第一金属层 2上方，在具体制作时，可以在有源层4和第一金属层2之间设置缓冲层3，一方面起到电气隔离的作用，另一方面提供一定机械支撑和缓冲。
第二金属层5形成在有源层4上方，第二金属层5构成顶栅，第二金属层5 与有源层4之间可以配置栅极绝缘膜(GI)层6。
此外，在有源层4上沉积层间介质8，之后对层间介质8进行曝光和掩膜工艺，可以在有源层上形成一对过孔71和72，之后在过孔71和72上沉积金属，从而形成位于所述第二金属层5两侧并与所述有源层4电接触的源极和漏极，由此本申请的开关元件结构即形成，其具体包括：在该一对过孔中沉积形成的金属作为源极和漏极，第二金属层作为栅极。
本实施例中，通过上述结构的薄膜晶体管的层结构配置，由于第一金属层耦接直流电压端，因此第一金属层的电压稳定为该直流电压端的电压，从而在第一金属层和有源层之间形成一个电容Cgd2，在第二金属层和有源层之间形成另一个电容Cgd，可以理解，由于电容与形成电容的极板面积呈正比，而作为底栅的第一金属层的大小可以不受限制(在底栅位置处没有其他器件或层结构干扰)，因此极端而言，作为底栅的第一金属层可以覆盖整个基板，当然实际使用时一般控制第一金属层覆盖区域小于整个基板区域。
进一步的，针对本申请的图1中的电路，在电路制作时将第一金属层2和第二金属层5延伸形成两个相互靠近并且相互暴露的表面，这样可以在第一金属层和第二金属层之间形成电容Cst。
可以看出，在本申请中，通过配置第一金属层以及第一金属层耦接直流电压端，从而相较于范例技术的3端TFT而言，新增了一个电容Cgd2，并且Cgd2的极板面积可以在相对不受限的环境下进行配置，从而一方面电容Cgd2可以做大，另一方面可以灵活调节Cgd2的电容值，从而本申请将TFT制作成4端器件，在器件底端绝缘层的对侧利用一层金属作为器件的底栅，底栅连接到电路中一个直流信号，底栅与器件源漏极之间将形成一个电容Cgs2,因为底栅的面积通常覆盖整个器件其他电极，新形成的Cgs2电容值较大，当发生电容耦合效应时，驱动晶体管控制端的电位变化取决于写入控制晶体管的寄生电容与驱动晶体管的控制端的存储电容大小以及新形成的Cgd2的电容值，因此Cgd、Cgs2可以作为一个固定的稳压电容以有效抵消Cgd、Cgs的电容馈通效应影响，进一步保证像素显示效果。
如图1和图2所示，驱动晶体管T1，所述驱动晶体管T1的输入端与驱动电压端VDD耦接，输出端与待补偿像素驱动电路耦接；稳压晶体管T2，所述稳压晶体管T2为如实施例1中所述的薄膜晶体管，并且所述稳压晶体管T2的第二金属层耦接第一栅极控制信号线Gn1，第一金属层耦接一直流信号线，源极耦接驱动晶体管T1的输入端，漏极耦接驱动晶体管T1的控制端，这样在具体使用时，驱动晶体管T1随着时间推移，T1控制端的电压逐渐衰减，此时在复位和补偿阶段导通T2，将VDD线上的驱动电压接入到T2中，给Cgd、Cgd2“充电”，之后当断开T2时，若T1的控制端电压衰减，则通过Cgd、Cgd2补偿T1的控制端电压，于此同时，T1的控制端电压也被Cst补偿，也即本申请实施例中若T1控制端电压衰减，可以通过Cst、Cgd和Cgd2补偿，从而使得T1的控制端电压衰减更难，同时Cgd、Cgs2可以作为一个固定的稳压电容以有效抵消Cgd、Cgs的馈通 (feedthrough)效应影响，进一步保证像素显示效果。
在本申请的具体实施例中，请继续参加图1，本申请的像素驱动电路进一步包括：数据写入模块30，所述数据写入模块30的输出端耦接在所述驱动晶体管T1的输出端22以及对应子像素元件M的输入端之间，用于在补偿写入阶段向驱动晶体管写入数据电压。
下面提供一种数据写入模块的具体结构示意图，如图4所示，本申请实施例数据写入模块30包括写入控制晶体管T3，所述写入控制晶体管T3的控制端耦接第二栅极控制信号线Gn2，输入端耦接所述数据电压端Data，输出端耦接所述驱动晶体管T1的输出端，具体在数据写入时，驱动晶体管T1的控制端13对Vdata 放电，放电至Vdata+自身阈值电压Vth(例如0.7V)即停止，此时相对T1而言即写入了Vdata信号。
此外，请继续结合图1和2所示，在优选的实施例中，本申请实施例还包括：复位模块40，所述复位模块响应于一复位响应电压线输出的复位响应电压，将所述存储电容耦接所述子像素元件的一端的电压拉低至复位电压。
示例性的，所述复位响应电压线为所述第一栅极控制信号线，当然也可以为其他高电平线，仅需时序满足要求即可，即在复位阶段和补偿阶段为高即可。
示例性的，本申请的复位模块40，具体包括：复位控制晶体管T4，所述复位控制晶体管T4的控制端耦接所述第一栅极控制信号线Gn1，输入端耦接基准直流电压端int，输出端耦接所述驱动晶体管T1的输出端11。
更进一步的是，本申请实施例还包括：第一发光控制晶体管T5，所述第一发光控制晶体管T5的控制端耦接第一发光控制信号线EM2，输入端耦接所述驱动电压端VDD，输出端耦接所述驱动晶体管T1的输入端11。
此外，本申请实施例还包括：第二发光控制晶体管T2，所述第二发光控制晶体管T2的控制端耦接第二发光控制信号线EM1，输入端耦接所述驱动晶体管T1 的输出端12，输出端耦接所述子像素元件M。
本申请中第一发光控制晶体管T5和第二发光控制晶体管T2用于切换时序控制阶段，从而配合器件结构可以形成复位、补偿、写入以及发光阶段的电路控制方法，具体参加下述说明。
本申请中，结合图2所示的时序图，请结合时序图对本发明的补偿过程/驱动过程进行详细说明。
具体使用时像素补偿模块进行补偿操作通常会经历复位、补偿、写入和发光四个阶段。
首先在复位阶段通过控制线EM1跳变至低电位，使T2关闭，关断发光路径；控制线EM2和扫描线Gn1将T5与T1和T4打开，对存储电容Cst第一端和第二端分别进行充电到初始电位VDD和Int；
在此电路中补偿和写入为一个阶段，在此阶段通过扫描线Gn2打开晶体管T3，晶体管Tm的源极连接Data信号，晶体管T3通过自放电的方式将Data信号和晶体管Tm的阈值电压存储在晶体管Tm的栅极。
在发光阶段Gn1和Gn2跳变至低电位，T1、T3和T4将关闭，T5、Tm、T2 和OLED形成导通通路，从而可以消除晶体管的阈值电压对像素显示灰阶的影响。
具体的，本申请实施例中，子像素元件M为有机自发光薄膜器件，每个子像素元件M可以是红绿蓝三个子像素中的一个，具体的，三个子像素元件M组合形成一个完整的像素单元，通过调节像素单元中各子像素元件M的驱动电压来进行颜色调节。
可以理解的是，在本申请中，像素单元是构成像素排列的最小集成单元，像素排列构成了整个显示面板(即本申请的待补偿面板)，也即像素排列包括了多个按照特定排布方式排布的像素单元，每个像素单元通过一独立驱动线电连接驱动IC(integrated circuit，集成电路)，通过驱动IC驱动像素单元中的子像素通电而发出颜色光。
可以知晓，正如上述所述，一个像素单元一般包括蓝色子像素、红色子像素以及绿色子像素，在可选的实施例中，像素单元还可以包括其他颜色子像素，该其他颜色可以与红色、蓝色以及绿色均不同，如该其他颜色可以包括白色、黄色或青色。需要说明的是，若该其他颜色为白色，则可以提高该像素排列结构所在的显示装置的显示亮度；若该其他颜色为其他颜色，则可以增大该像素排列结构所在的显示装置的色域，在此不作赘述。
在本申请实施例中，本申请中的像素驱动电路用于OLED显示器，相对应的是，驱动晶体管和本申请作为稳压晶体管的薄膜晶体管在优选的实施例中可以是低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon，LTPS)薄膜晶体管或者是其他氧化物 (Oxide)薄膜晶体管，本申请对此不做限制。
此外进一步的，本申请的开关元件，例如驱动晶体管T1等均为薄膜晶体管，具体实施时，薄膜晶体管可以是氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide，IGZO)薄膜晶体管等，本申请对此不做限制。
此外需要说明的是，本申请实施例中的“耦接”可以指直接电连接或者间接电连接，例如A与B耦接，则可以是A与B直接通过导线或者无线信号传输通道进行电连接，也可以是A与B通过C形成电连接，例如A与B直接通过导线连接有C，或者A将信号传输给C，C将信号传输给B，则A与B形成间接电连接。
可以理解，本申请提供的一种像素驱动电路，通过对稳压晶体管的沟道开态电容和存储电容的关系进行设计，从而提供了一种新的电容配置方案，可以对引起电压波动的变量的控制，可以有效降低因制程波动而引起器件特性差异进一步导致电位的影响，从而实现最佳的显示品质效果。
实施例2
本申请实施例进一步提供一种显示面板，所述显示面板包括多个像素单元，每个像素单元包括多个子像素，显示面板进一步包括上述的像素驱动电路，每个像素驱动电路耦接一个子像素，用于控制子像素上的电压，从而调节亮度。
一般而言，像素单元呈现阵列排布，当然像素单元的排布方式也可以基于实际需求确定，本申请不限于此。
实施例3
如图4所示，本申请实施例中一种显示装置20，包括显示面板以及如实施例 1中的像素驱动电路22，所述显示面板包括多个像素单元，像素驱动电路与每个像素单元中的各个子像素通过导线21耦接。
在具体实施时，本发明实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解，本申请提供的一种显示面板，其像素驱动电路中通过对稳压晶体管的沟道开态电容和存储电容的关系进行设计，从而提供了一种新的电容配置方案，可以对引起电压波动的变量的控制，可以有效降低因制程波动而引起器件特性差异进一步导致电位的影响，从而实现最佳的显示品质效果。
实施例3
本申请实施例进一步提供一种显示装置的驱动方法，应用于显示面板，所述显示面板包括多个像素单元，每个像素单元包括多个子像素元件，所述像素驱动方法具体包括：利用上述所述的像素驱动电路对每个所述像素元件进行驱动。
下面结合图1和图2的实施例对本申请上述步骤进行详细说明。
图1为图1实施例对应的时序图，如图2所示，整个过程分为四个区间：
首先在复位阶段通过控制线EM1跳变至低电位，使T2关闭，关断发光路径；控制线EM2和扫描线Gn1将T5与T1和T4打开，对存储电容Cst第一端和第二端分别进行充电到初始电位VDD和Int；
在此电路中补偿和写入为一个阶段，在此阶段通过扫描线Gn2打开晶体管T3，晶体管Tm的源极连接Data信号，晶体管T3通过自放电的方式将Data信号和晶体管Tm的阈值电压存储在晶体管Tm的栅极。
在发光阶段Gn1和Gn2跳变至低电位，T1、T3和T4将关闭，T5、Tm、T2 和OLED形成导通通路，从而可以消除晶体管的阈值电压对像素显示灰阶的影响。
从上述方案可以看出，本申请实施例提供的驱动方法，通过对稳压晶体管的沟道开态电容和存储电容的关系进行设计，从而提供了一种新的电容配置方案，可以对引起电压波动的变量的控制，可以有效降低因制程波动而引起器件特性差异进一步导致电位的影响，从而实现最佳的显示品质效果。
需要说明的是，本发明实施例提供的驱动电路实施例、显示装置实施例和其驱动方法和调试方法实施例均可以相互参考，本发明实施例对此不做限定。本发明实施例提供的显示面板的制造方法实施例的步骤能够根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本申请的保护范围之内，因此不再赘述。
以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种像素驱动电路，应用于显示面板，所述显示面板包括多个像素单元，每个像素单元包括多个子像素元件，其特征在于，所述像素驱动电路包括：
驱动补偿模块，所述驱动补偿模块包括驱动晶体管和存储电容，所述驱动晶体管的输入端与驱动电压端耦接，控制端与所述存储电容的一端耦接，所述存储电容的另一端和所述驱动晶体管的输出端共同与对应的子像素元件耦接；以及
稳压晶体管，所述稳压晶体管的输入端耦接一设定电压端，输出端耦接所述驱动晶体管的控制端，控制端耦接第一栅极控制信号线；其中，
所述稳压晶体管形成控制端的栅极金属层与有源层形成沟道开态电容，所述沟道开态电容的面积与所述存储电容的电容值之比小于预设值栅极金属层与有源层正对的重叠面积栅极金属层与有源层正对的重叠面积，所述预设值基于驱动晶体管控制端的电压变动量与电位电压的比值确定；
所述驱动晶体管控制端的电压变动量与电位电压的比值为5％，相对应地，所述预设值为3.74E-10。
2.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，还包括：
数据写入模块，所述数据写入模块的输出端耦接在所述驱动晶体管的输出端以及对应子像素元件的输入端之间，用于在补偿写入阶段向所述驱动晶体管写入数据电压。
3.根据权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述数据写入模块包括：
写入控制晶体管，所述写入控制晶体管的控制端耦接第二栅极控制信号线，输入端耦接所述数据电压端，输出端耦接所述驱动晶体管的输出端。
4.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，还包括：
复位模块，所述复位模块响应于一复位响应电压线输出的复位响应电压，将所述存储电容耦接所述子像素元件的一端的电压拉低至复位电压。
5.根据权利要求4所述的像素驱动电路，其特征在于，所述复位响应电压线为所述第一栅极控制信号线；和/或
所述复位模块包括复位控制晶体管，所述复位控制晶体管的控制端耦接所述复位响应电压线，输入端耦接基准直流电压端，输出端耦接所述驱动晶体管的输出端。
6.根据权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，还包括：
第一发光控制晶体管，所述第一发光控制晶体管的控制端耦接第一发光控制信号线，输入端耦接所述驱动电压端，输出端耦接所述驱动晶体管的输入端；和/或，
第二发光控制晶体管，所述第二发光控制晶体管的控制端耦接第二发光控制信号线，输入端耦接所述驱动晶体管的输出端，输出端耦接所述子像素元件。
7.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述设定电压端为所述驱动电压端，或者为显示面板中的一直流信号端。
8.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括多个像素单元以及多个如权利要求1-7任一项所述的像素驱动电路，每个像素单元包括多个子像素元件，多个子像素单元中的多个子像素元件与多个像素驱动电路一一对应。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7任意一项所述的像素驱动电路。
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