CN114586091B - 像素驱动电路及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种像素驱动电路及显示面板，属于显示技术领域。本公开的像素驱动电路，其包括：数据写入子电路、阈值补偿子电路、驱动子电路、存储子电路及电压维持子电路；其中，所述数据写入子电路，被配置为响应于第一扫描信号，将数据电压信号传输至驱动子电路的第一端；所述阈值补偿子电路，被配置为响应于第二扫描信号，对所述驱动子电路的阈值电压进行补偿；所述存储子电路，被配置为对所述数据电压信号进行存储；所述驱动子电路，被配置为根据其第一端和控制端的电压为待驱动的发光器件提供驱动电流；所述电压维持子电路，被配置为在所述驱动子电路的第一端电压发生跳变时，维持所述驱动子电路的控制端电压。

Description

像素驱动电路及显示面板
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种像素驱动电路及显示面板。
背景技术
目前，微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)显示技术正在日新月异地发展，由于其突出的优点：体积微型、低耗电、高色彩饱和度、反应速度快、寿命长等吸引了广大科技工作者的投入研究。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种像素驱动电路及显示面板。
第一方面，本公开实施例提供一种像素驱动电路，其包括：数据写入子电路、阈值补偿子电路、驱动子电路、存储子电路及电压维持子电路；其中，
所述数据写入子电路，被配置为响应于第一扫描信号，将数据电压信号传输至驱动子电路的第一端；
所述阈值补偿子电路，被配置为响应于第二扫描信号，对所述驱动子电路的阈值电压进行补偿；
所述存储子电路，被配置为对所述数据电压信号进行存储；
所述驱动子电路，被配置为根据其第一端和控制端的电压为待驱动的发光器件提供驱动电流；
所述电压维持子电路，被配置为在所述驱动子电路的第一端电压发生跳变时，维持所述驱动子电路的控制端电压。
其中，所述电压维持子电路包括第一电容，所述第一电容的第一极板连接所述驱动子电路的控制端，所述第一电容的第二极板连接所述驱动子电路的第二端。
其中，所述电压维持子电路包括第一电容，所述第一电容的第一极板连接所述驱动子电路的控制端，所述第一电容的第二极板连接参考电压端。
其中，所述第一电容的容值为0.1pF-10pF。
其中，所述像素驱动电路还包括：
第一发光控制子电路，被配置为响应于第一发光控制信号，控制第一电压是否能够被写入所述驱动子电路的第一驱动子电路的第一端。
其中，所述第一发光控制子电路包括第一发光控制晶体管；
所述第一发光控制晶体管的第一极连接第一电源电压线，所述第一发光控制晶体管的第二极连接所述驱动子电路的第一端，所述第一发光控制晶体管的控制极连接第一发光控制线。
其中，所述的像素驱动电路还包括：
第一复位子电路，被配置为响应于第一复位控制信号，并通过第一初始化信号对驱动子电路的控制端的电压进行复位。
其中，第一复位子电路包括第一复位晶体管；
所述第一复位晶体管的第一极连接第一初始化信号端，所述第一复位晶体管的第二极连接所述驱动子电路的控制端，所述第一复位晶体管的控制极连接所述第一复位控制信号线。
其中，所述像素驱动电路还包括：
第二发光控制子电路，被配置为响应于第二发光控制信号，导通或断开所述驱动子电路和所述待驱动的发光器件之间的连接。
其中，所述第二发光控制子电路包括第二发光控制晶体管；
所述第二发光控制晶体管的第一极连接所述驱动子电路的第二端，所述第二发光控制晶体管的第二极连接所述待驱动的发光器件的第一电极，所述第二发光控制晶体管的控制极连接第二发光控制线。
其中，所述像素驱动电路还包括：
第二复位子电路，被配置为响应于第二复位控制信号，通过第二初始化信号对所述待驱动的发光器件进行初始化。
其中，所述第二复位子电路包括第二复位晶体管；
所述第二复位晶体管的第一极连接所述待驱动的所述发光器件的第一电极，所述第二复位晶体管的第二极连接第二初始化信号端，所述第二复位晶体管的控制极连接第二复位控制信号线。
其中，所述像素驱动电路还包括：时间控制子电路，被配置为响应于时间控制信号，并通过时间调制信号和第三发光控制信号控制所述待驱动的发光器件的发光时间。
其中，所述时间控制子电路包括第一时间调制晶体管、第二时间调制晶体管、第三发光控制晶体管及第二电容；
所述第一时间调制晶体管的第一极连接所述驱动子电路的第二端，所述第一时间调制晶体管的第二极连接所述第三发光控制晶体管的第一极，所述第一时间调制晶体管的控制极连接第三发光控制线；
所述第二时间调制晶体管的第一极连接时间调制信号端，所述第二时间调制晶体管的第二极连接所述第三发光控制晶体管的控制极，所述第二时间调制晶体管的控制极连接时间控制信号线；
所述第三发光控制晶体管的第二极连接待驱动的发光器件的第一电极，所述第三发光控制晶体管的控制极连接所述第二电容的第一极板；
所述第二电容的第二极板连接公共电压端。
其中，所述第三发光控制线被配置为在一帧显示时间内分多次写入工作电平信号，且每次所写入的工作电平时长不等。
其中，所述驱动子电路包括驱动晶体管，所述阈值补偿子电路包括阈值补偿晶体管，所述数据写入子电路包括数据写入晶体管，存储子电路包括存储电容；
所述驱动晶体管的第一极用作所述驱动子电路的第一端，所述驱动晶体管的第二极用作所述驱动子电路的第二端，所述驱动子电路的控制极用作所述驱动子电路的控制端；
所述驱动晶体管的第一极连接所述数据写入晶体管的第二极，所述驱动晶体管的第二极连接所述阈值补偿晶体管的第一极，所述驱动晶体管的控制极连接所述阈值补偿晶体管的第二极和所述存储电容的第一极板；
所述数据写入晶体管的第一极连接数据线，所述数据写入晶体管的控制极连接第一扫描线；
所述阈值补偿晶体管的控制极连接第二扫描线；
所述存储电容的第二极板连接第一电源电压线。
其中，所述存储电容的容值为0.1pF-10pF。
本公开实施例还提供一种像素驱动电路，其包括：数据写入子电路、阈值补偿子电路、驱动子电路、存储子电路、第一发光控制子电路、第二发光控制子电路、第一复位子电路、第二复位子电路及电压维持子电路；其中，
所述驱动子电路包括驱动晶体管，所述阈值补偿子电路包括阈值补偿晶体管，所述数据写入子电路包括数据写入晶体管，存储子电路包括存储电容，所述第一发光控制子电路包括第一发光控制晶体管，所述第二发光控制子电路包括第二发光控制晶体管，所述第一复位子电路包括第一复位晶体管，所述第二复位子电路包括第二复位晶体管，所述电压维持子电路包括第一电容；
所述驱动晶体管的第一极连接所述数据写入晶体管的第二极和所述第一发光控制晶体管的第二极，所述驱动晶体管的第二极连接所述阈值补偿晶体管的第一极，所述驱动晶体管的控制极连接所述阈值补偿晶体管的第二极、所述存储电容的第一极板和所述第一电容的第一极板；
所述数据写入晶体管的第一极连接数据线，所述数据写入晶体管的控制极连接第一扫描线；
所述阈值补偿晶体管的控制极连接第二扫描线；
所述存储电容的第二极板连接第一电源电压线；
所述第一发光控制晶体管的第一极连接第一电源电压线，所述第一发光控制晶体管的控制极连接第一发光控制线；
所述第二发光控制晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的第二极，所述第二发光控制晶体管的第二极连接所述待驱动的发光器件的第一电极，所述第二发光控制晶体管的控制极连接第二发光控制线；
所述第一复位晶体管的第一极连接第一初始化信号端，所述第一复位晶体管的第二极连接所述驱动晶体管的控制极，所述第一复位晶体管的控制极连接所述第一复位控制信号线；
所述第二复位晶体管的第一极连接所述待驱动的所述发光器件的第一电极，所述第二复位晶体管的第二极连接第二初始化信号端，所述第二复位晶体管的控制极连接第二复位控制信号线；
所述第一电容的第二极板连接所述驱动晶体管的第二电极或者参考电压端。
本公开实施例还一种像素驱动电路，其包括：数据写入子电路、阈值补偿子电路、驱动子电路、存储子电路、第一发光控制子电路、第一复位子电路、时间控制子电路及电压维持子电路；其中，
所述驱动子电路包括驱动晶体管，所述阈值补偿子电路包括阈值补偿晶体管，所述数据写入子电路包括数据写入晶体管，存储子电路包括存储电容，所述第一发光控制子电路包括第一发光控制晶体管，所述第二发光控制子电路包括第二发光控制晶体管，所述第一复位子电路包括第一复位晶体管，所述第二复位子电路包括第二复位晶体管，所述时间控制子电路包括第一时间调制晶体管、第二时间调制晶体管、第三发光控制晶体管及第二电容，所述电压维持子电路包括第一电容；
所述驱动晶体管的第一极连接所述数据写入晶体管的第二极和所述第一发光控制晶体管的第二极，所述驱动晶体管的第二极连接所述阈值补偿晶体管的第一极，所述驱动晶体管的控制极连接所述阈值补偿晶体管的第二极、所述存储电容的第一极板和所述第一电容的第一极板；
所述数据写入晶体管的第一极连接数据线，所述数据写入晶体管的控制极连接第一扫描线；
所述阈值补偿晶体管的控制极连接第二扫描线；
所述存储电容的第二极板连接第一电源电压线；
所述第一发光控制晶体管的第一极连接第一电源电压线，所述第一发光控制晶体管的控制极连接第一发光控制线；
所述第一复位晶体管的第一极连接第一初始化信号端，所述第一复位晶体管的第二极连接所述驱动晶体管的控制极，所述第一复位晶体管的控制极连接所述第一复位控制信号线；
所述第一时间调制晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的第二极，所述第一时间调制晶体管的第二极连接所述第三发光控制晶体管的第一极，所述第一时间调制晶体管的控制极连接第三发光控制线；
所述第二时间调制晶体管的第一极连接时间调制信号端，所述第二时间调制晶体管的第二极连接所述第三发光控制晶体管的控制极，所述第二时间调制晶体管的控制极连接时间控制信号线；
所述第三发光控制晶体管的第二极连接待驱动的发光器件的第一电极，所述第三发光控制晶体管的控制极连接所述第二电容的第一极板；
所述第二电容的第二极板连接公共电压端。
第二方面，本公开实施例一种显示面板，其包括多个像素单元，所述多个像素单元中的每个包括像素驱动电路和发光器件；其中，所述像素驱动电路为上述的任一像素驱动电路。
其中，所述发光器件包括：微型无机发光二极管。
附图说明
图1为一种示例性的显示基板结构示意图。
图2为一种示例性的像素驱动电路示意图。
图3为图2所示的像素驱动电路的工作时序图。
图4为图2所示的像素驱动电路中驱动晶体管和存储电容的截面图。
图5为图2所示的像素驱动电路的各工作阶段驱动晶体管的源极电压Vs和栅极电压Vg变化仿真图。
图6为图2的像素驱动电路产生的驱动电流和时间对应关系图。
图7为本公开实施例的一种像素驱动电路的示意图。
图8为本公开实施例的另一像素驱动电路的示意图。
图9为本公开实施例的另一种像素驱动电路的示意图。
图10为图9所示的像素驱动电路的工作时序图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1为一种示例性的显示基板结构示意图；图2为一种示例性的像素驱动电路示意图；如图1和2所示，该显示基板包括呈阵列排布的多个像素单元，每个像素单元100中均包括像素驱动电路和发光器件D。各像素单元100中的像素驱动电路可以包括：第一复位子电路1、阈值补偿子电路2、驱动子电路3、数据写入子电路4、第一发光控制子电路5、第二发光控制子电路6、第二复位子电路7及存储子电路8。
其中，第一复位子电路1与驱动子电路3的控制端连接，且被配置为在第一复位信号的控制下对驱动子电路3的控制端进行复位。阈值补偿子电路2分别与驱动子电路3的控制端和第二端电连接，且被配置为对驱动子电路3进行阈值补偿。数据写入子电路4与驱动子电路3的第一端电连接，且被配置为在扫描信号的控制下将数据信号写入存储子电路。存储子电路8分别与驱动子电路3的控制端和第一电源电压线VDD电连接，且被配置为存储数据信号。第一发光控制子电路5分别与第一电源电压线VDD以及驱动子电路3的第一端相连，且被配置为实现驱动子电路3和第一电源电压线VDD间的连接导通或断开，第二发光控制子电路6分别与驱动子电路3的第二端和发光器件D的第一电极电连接，且被配置为实现驱动子电路3和发光器件D之间的连接导通或断开。第二复位子电路7与发光器件D的第一电极电连接，且被配置为在第二复位控制信号的控制下对驱动子电路3的控制端和发光器件D的第一电极进行复位。
继续参照图2，第一复位子电路包括第一复位晶体管T1，阈值补偿子电路2包括阈值补偿晶体管T2，驱动子电路3包括驱动晶体管T3，驱动子电路3的控制端包括驱动晶体管T3的控制极，驱动子电路3的第一端包括驱动晶体管T3的第一极，驱动子电路3的第二端包括驱动晶体管T3的第二极。数据写入子电路4包括数据写入晶体管T4，存储子电路7包括存储电容Cst，第一发光控制子电路5包括第一发光控制晶体管T5，第二发光控制子电路6包括第二发光控制晶体管T6，第二复位子电路7包括第二复位晶体管T7。
在此需要说明的是，按照晶体管的特性，晶体管可以分为N型晶体管和P型晶体管，为了清楚起见，本公开的实施例以晶体管为P型晶体管(例如，P型MOS晶体管)为例详细阐述了本公开的技术方案，也就是说，在本公开的描述中，驱动晶体管T3、数据写入晶体管T4、阈值补偿晶体管T2、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6、第一复位晶体管T1和第二复位晶体管T7等均可以为P型晶体管。然而本公开的实施例的晶体管不限于P型晶体管，本领域技术人员还可以根据实际需要利用N型晶体管(例如，N型MOS晶体管)实现本公开的实施例中的一个或多个晶体管的功能。
另外，本公开的实施例中采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应晶体管或其他特性相同的开关器件，薄膜晶体管可以包括氧化物半导体薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管或多晶硅薄膜晶体管等。对于每个晶体管其均包括第一极、第二极和控制极；其中，控制极作为晶体管的栅极，第一极和第二极中的一者作为晶体管的源极，另一者作为晶体管的漏极；而晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的，所以其源极、漏极在物理结构上可以是没有区别的。在本公开的实施例中，为了区分晶体管，除作为控制极的栅极，直接描述了其中第一极为源极，第二极为漏极，所以本公开的实施例中全部或部分晶体管的源极和漏极根据需要是可以互换的。
继续参照图2，数据写入晶体管T4漏极的与驱动晶体管T3的源极电连接，数据写入晶体管T4的源极被配置为与数据线Data电连接以接收数据信号，数据写入晶体管T4的栅极被配置为与第一扫描信号线Ga1电连接以接收扫描信号；存储电容Cst的第二极板与第一电源电压线VDD电连接，存储电容Cst的第一极板与驱动晶体管T3的栅极电连接；阈值补偿晶体管T2的源极与驱动晶体管T3的栅极电连接，阈值补偿晶体管T2的漏极与驱动晶体管T3的漏极电连接，阈值补偿晶体管T2的栅极被配置为与第二扫描信号线Ga2电连接以接收补偿控制信号；第一复位晶体管T1的源极被配置为与第一复位电源端Vinit1电连接以接收第一复位信号，第一复位晶体管T1的漏极与驱动晶体管T3的栅极电连接，第一复位晶体管T1的栅极被配置为与第一复位控制信号线Rst1电连接以接收第一复位控制信号；第二复位晶体管T7的漏极被配置为与第一复位电源端Vinit1电连接以接收第一复位信号，第二复位晶体管T7的源极与发光器件D的第一电极电连接，第二复位晶体管T7的栅极被配置为与第二复位控制信号线Rst2电连接以接收第二复位控制信号；第一发光控制晶体管T5的源极与第一电源电压线VDD电连接，第一发光控制晶体管T5的漏极与驱动晶体管T3的源极电连接，第一发光控制晶体管T5的栅极被配置为与第一发光控制信号线EM1电连接以接收第一发光控制信号；第二发光控制晶体管T6的源极与驱动晶体管T3的漏极电连接，第二发光控制晶体管T6的漏极与发光器件D的第一电极D1电连接，第二发光控制晶体管T6的栅极被配置为与第二发光控制信号线EM2电连接以接收第二发光控制信号；发光器件D的第二电极与第二电源端VSS电连接。
例如，第一电源电压线VDD和第二电源端VSS之一为高压端，另一个为低压端。例如，如图8所示的实施例中，第一电源电压线VDD为电压源以输出恒定的第一电压，第一电压为正电压；而第二电源端VSS可以为电压源以输出恒定的第二电压，第二电压为负电压等。例如，在一些示例中，第二电源端VSS可以接地。
继续参照图2，扫描信号和补偿控制信号可以相同，即，数据写入晶体管T4的栅极和阈值补偿晶体管T2的栅极可以电连接到同一条信号线，例如第一扫描信号线Ga1，以接收相同的信号(例如，扫描信号)，此时，显示基板可以不设置第二扫描信号线Ga2，减少信号线的数量。又例如，数据写入晶体管T4的栅极和阈值补偿晶体管T2的栅极也可以分别电连接至不同的信号线，即数据写入晶体管T4的栅极电连接到第一扫描信号线Ga1，阈值补偿晶体管T2的栅极电连接到第二扫描信号线Ga2，而第一扫描信号线Ga1和第二扫描信号线Ga2传输的信号相同。
需要说明的是，扫描信号和补偿控制信号也可以不相同，从而使得数据写入晶体管T4的栅极和阈值补偿晶体管T2可以被分开单独控制，增加控制像素电路的灵活性。在本公开实施例中以数据写入晶体管T4的栅极和阈值补偿晶体管T2的栅极电连接第一扫描信号线Ga(A)为例进行说明。
继续参照图2，第一发光控制信号和第二发光控制信号可以相同，即，第一发光控制晶体管T5的栅极和第二发光控制晶体管T6的栅极可以电连接到同一条信号线，例如第一发光控制信号线EM1，以接收相同的信号(例如，第一发光控制信号)，此时，显示基板可以不设置第二发光控制信号线EM2，减少信号线的数量。又例如，第一发光控制晶体管T5的栅极和第二发光控制晶体管T6的栅极也可以分别电连接至不同的信号线，即，第一发光控制晶体管T5的栅极电连接到第一发光控制信号线EM1，第二发光控制晶体管T6的栅极电连接到第二发光控制信号线EM2，而第一发光控制信号线EM1和第二发光控制信号线EM2传输的信号相同。
需要说明的是，当第一发光控制晶体管T5和第二发光控制晶体管T6为不同类型的晶体管，例如，第一发光控制晶体管T5为P型晶体管，而第二发光控制晶体管T6为N型晶体管时，第一发光控制信号和第二发光控制信号也可以不相同，本公开的实施例对此不作限制。在本公开实施例中以第一发光控制晶体管T5和第二发光控制晶体管T6的栅极均连接发光控制线EM为例进行说明。
例如，第一复位控制信号和第二复位控制信号可以相同，即，第一复位晶体管T1的栅极和第二复位晶体管T7的栅极可以电连接到同一条信号线，例如第一复位控制信号线Rst1，以接收相同的信号(例如，第一子复位控制信号)，此时，显示基板可以不设置第二复位控制信号线Rst2，减少信号线的数量。又例如，第一复位晶体管T1的栅极和第二复位晶体管T7的栅极也可以分别电连接至不同的信号线，即第一复位晶体管T1的栅极电连接到第一复位控制信号线Rst1，第二复位晶体管T7的栅极电连接到第二复位控制信号线Rst2，而第一复位控制信号线Rst1和第二复位控制信号线Rst2传输的信号相同。需要说明的是，第一复位控制信号和第二复位控制信号也可以不相同。在本公开实施例中以第一复位晶体管T1的栅极和第二复位晶体管T7的栅极均电连接到复位控制信号线Rst为例。
例如，在一些示例中，第二复位控制信号可以与扫描信号相同，即第二复位晶体管T7的栅极可以电连接到扫描信号线Ga(A)以接收扫描信号作为第二子复位控制信号。
例如，第一复位晶体管T1的源极和第二复位晶体管T7的漏极分别连接到第一复位电源端Vinit1和第二复位电源端Vinit2，第一复位电源端Vinit1和第二复位电源端Vinit2可以为直流参考电压端，以输出恒定的直流参考电压。第一复位电源端Vinit1和第二复位电源端Vinit2可以相同，例如第一复位晶体管T1的源极和第二复位晶体管T7的漏极连接到同一复位电源端。第一复位电源端Vinit1和第二复位电源端Vinit2可以为高压端，也可以为低压端，只要其能够提供第一复位信号和第一复位信号以对驱动晶体管T3的栅极和发光元件的第一电极D1进行复位即可，本公开对此不作限制。例如，第一复位晶体管T1的源极和第二复位晶体管T7的漏极可以均连接至复位电源信号线Init。
需要说明的是，在本公开实施例中，以第一复位晶体管T1的栅极和第二复位晶体管的T7的栅极均电连接Rst1；第一复位晶体管T1的源极和第二复位晶体管的T7的漏极均电连接复位电源信号线Init为例进行说明。另外，图2所示的像素电路中的驱动子电路、数据写入子电路、存储子电路、阈值补偿子电路和复位子电路仅为示意性的，驱动子电路、数据写入子电路、存储子电路、阈值补偿子电路和复位子电路等子电路的具体结构可以根据实际应用需求进行设定，本公开的实施例对此不作具体限定。
需要说明的是，在本公开实施例中，子像素的像素电路除了可以为图2所示的7T1C(即七个晶体管和一个电容)结构之外，还可以为包括其他数量的晶体管和电容的电路结构，如7T2C结构、6T1C结构、6T2C结构或者9T2C结构，本公开实施例对此不作限定。
发光器件D可以是微型无机发光二极管，进一步地，可以为电流型发光二极管，如微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)或者迷你发光二极管(MiniLight Emitting Diode，Mini LED)，当然，在发明实施例中的发光器件D还可以是有机电致发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)。发光器件D的第一电极和第二电极中的一者为阳极，另一者为阴极；在本发明实施例中以发光器件D的第一电极为阳极，第二电极为阴极为例进行说明。
图3为图2所示的像素驱动电路的工作时序图；如图2和3所示，上述的像素驱动电路的驱动方法可以包括如下阶段：
复位阶段(t1)：复位控制信号线Rst写入低电平信号，扫描线Ga(A)和发光控制线EM写入高电平信号；第一复位晶体管T1和第二复位晶体管T7打开，驱动晶体管T3栅极的被复位电源信号线Init写入的初始电压Vinit，为下一帧写入数据电压Vdata的写入做准备。发光器件D的阳极通过第二复位晶体管T7写入初始化电压(Vinit≤VSS)，使发光器件D不再处于正向导通状态，使发光器件D内杂质离子定向移动形成的内部电场逐渐消失，从而恢复发光器件D的特性。
数据写入及阈值补偿阶段(t2)：扫描线Ga(A)写入为低电平信号，复位控制信号线Rst和第一发光控制线EM写入高电平信号；数据写入晶体管T4和阈值补偿晶体管T2打开。驱动晶体管T3被阈值补偿晶体管T2连成二极管结构，数据线Data上写入的数据电压Vdata通过数据写入晶体管T4和阈值补偿晶体管T2写入驱动晶体管T3的栅极，直到驱动晶体管T3截止。驱动晶体管T3的栅极电压为Vdata+Vth(Vth＜0，Vth为驱动晶体管T3的阈值电压)，并存储在存储电容Cst中。存储电容Cst的第一极板和第二极板的电压分别为Vdata+Vth和Vd。
发光阶段(t3)：发光控制线EM写入低电平信号，扫描线Ga(A)与复位控制信号线Rst写入高电平信号，第一发光控制晶体管T5和第二发光控制晶体管T6均打开，驱动晶体管T3的源极与第一电源电压线VDD连接，驱动晶体管T3的源极电压由上一阶段的Vdata瞬时变化为Vdd。发光器件D在驱动晶体管T3的驱动下发光，此时驱动晶体管T3工作在饱和区，驱动晶体管T3的栅极电压为Vdata+Vth，驱动晶体管T3的源极电压为Vdd，故，驱动晶体管T3的栅源电压为：Vgs＝(Vdata+Vth)-Vdd，直到下一帧的复位阶段。
发光器件D的发光电流等于流过驱动晶体管T3的电流，其表达式如下：
图4为图2所示的像素驱动电路中的驱动晶体管和存储电容的截面图；如图4所示，驱动晶体管T3采用顶栅型薄膜晶体管，在基底101上形成有缓冲层102，驱动晶体管的有源层201形成在缓冲层102背离基底101的一侧，在驱动晶体管的有源层201背离基底101的一侧形成第一栅极绝缘层103，驱动晶体管的栅极202和存储电容Cst的第一极板301形成在缓冲层102背离基底101的一侧，在驱动晶体管的栅极202背离基底101的一侧形成第二栅极绝缘层104；在第二栅极绝缘层104背离基底101的一侧形成存储电容Cst的第二极板302；在存储电容Cst的第二极板302背离基底的一侧形成层间绝缘层105，驱动晶体管T3的源极203和漏极204形成在层间绝缘层105背离基底101的一侧。发明人发现，当采用微型无机发光二极管作为发光器件时，像素驱动电路的驱动电流需要μA级或者mA级，此时像素驱动电路中的驱动晶体管T3预生成较为稳定的输出电流，则需要沟道宽度和长度的尺寸较大的驱动晶体管T3，而随着沟道宽度和长度的尺寸增大，驱动晶体管T3的栅极202和源极203所形成的耦合电容Cgs及栅极202和漏极204所形成耦合电容Cgd均会增大。图5为图2所示的像素驱动电路的各工作阶段驱动驱动晶体管的源极电压Vs和栅极电压Vg变化仿真图。如图5所示，当Cgs增大后，一旦驱动晶体管T3的源极的电压Vs发生较大的变化(例如：从数据写入及阈值补偿阶段t2的Vdata到发光阶段t3的Vdd)，由于Cgs的电压保持作用，驱动晶体管T3的栅极电压Vg将会随着源极的电压Vs发生变化，导致驱动晶体管T3的栅源电压Vgs降低，进而导致驱动晶体管T3产生的输出电流降低，发光器件的发光亮度随之降低。为避免上述问题发生，一种解决方案是增大存储电容Cst，但是存储电容Cst增加后，由于存储电容Cst的第二极板302与第一电源电压线VDD连接，数据线Data和第一电源电压线VDD相邻且并排设置，二者之间存在一定的耦合电容，这样一来，在数据线Data上电压跳变时，数据线Data上电压跳变时，第一电源电压线VDD因电容耦合电压跳变，而由于存储电容Cst较大，在存储电容Cst的自举作用下，驱动晶体管T3的栅极电压将会发生跳变，进而导致电流Id变化(如图6中t11时刻Id跳变ΔId)，故存储电容Cst增加需同时考虑第一电源电压线VDD的跳变影响，即Cst增加存在上限。
针对上述技术问题，在本公开实施例中提供以下技术方案。
第一方面，图7为本公开实施例的一种像素驱动电路的示意图；如图4所示，本公开实施例提供一种像素驱动电路，其可以包括上述的数据写入子电路4、阈值补偿子电路2、驱动子电路3、存储子电路8，特别的是，该像素驱动电路还包括电压维持子电路9。该电压维持子电路9与驱动子电路3的第一端电连接，且被配置为在驱动子电路3的第一端电压发生跳变时，维持驱动子电路3的控制端电压。
在一些实施例中，驱动子电路3可以包括驱动晶体管T3，驱动晶体管T3的源极用作驱动子电路3的第一端，驱动晶体管T3的漏极用作驱动子电路3的第二端，驱动晶体管T3的栅极用作驱动子电路3的控制端。本公开实施例中的电压维持子电路9被配置为维持驱动子电路3的控制端电压，也即维持驱动晶体管T3的栅极的电压。在本公开实施例中以驱动子电路3包括驱动晶体管T3为例进行描述。
具体的，当在数据写入和阈值补偿阶段，数据写入子电路4和阈值补偿子电路2均在扫描信号的控制下工作，此时驱动晶体管T3的栅极和漏极被阈值补偿子电路2连接，驱动晶体管T3的源极被写入数据电压信号Vdata，在该阶段驱动晶体管T3的栅极的电压为Vdata+Vth(Vth＜0，Vth为驱动晶体管T3的阈值电压)。在发光阶段阶段，驱动晶体管T3的源极的电压变为第一电压Vdd，也就是说，从数据写入和阈值补偿阶段到发光阶段驱动晶体管T3的源极电压由Vdata跳变至Vdd，发生较大的瞬时变化，在本公开实施例中通过设置电压维持子电路9，使得驱动电极管的栅极不会在其源极的电压发生较大瞬时变化时，发生较大变化，从而使得发光阶段驱动晶体管T3可以输出的电流稳定，以保证待驱动的发光器件D正常发光。
在一些实施例中，电压维持子电路9包括第一电容C1，该第一电容C1的第一极板与驱动晶体管T3的栅极连接，且被配置为在驱动晶体管T3的源极电压发生跳变时，维持驱动晶体管T3的栅极电压。在本公开实施例中，通过第一电容C1维持驱动晶体管T3的栅极电压稳定，可以保证在显示阶段的发光器件D可以正常发光，而且较相关技术通过增大存储电容Cst来维持驱动晶体管T3的栅极稳定而言，通过增加第一电容C1，可以降低存储电容Cst的大小(减小存储电容Cst的两个极片的面积)，因此可以减小像素驱动电路的面积，从而提高应用该像素驱动电路的显示面板的分辨率，与此同时，也可以避免存储电容Cst增加后，第一电源电压线VDD的电容增加，数据线Data跳变时VDD因电容耦合跳变导致电流变化的问题。
在一个示例中，继续参照图7，第一电容C1的第一极板连接驱动晶体管T3的栅极，第一电容C1的第二极板连接驱动晶体管T3的漏极。之所以如此连接是因为，在数据写入和阈值补偿阶段，驱动晶体管T3的漏极电压为Vdata+Vth，在发光阶段，驱动晶体管T3的漏极电压为Vdd+Vds，Vds表示发光阶段驱动晶体管T3导通后其源极和漏极之间的跨压，其中，Vdata的值取决于发光器件D待显示的灰阶值，Vds电压值取决于发光器件D待显示的灰阶值所对应的驱动电流。在一些实施例中Vds大约在-3V到-5V左右，Vth大约在-0.7V到-1.3V左右，而Vdd与Vdata的最大电压差不超过5V。因此，(Vdd+Vds)-(Vdata+Vth)大约在1V左右，故在在第一电容C1的自举作用下，驱动晶体管T3的漏极电压由数据写入和阈值补偿阶段到发光阶段变化相对很小，因此在第一电容C1的作用下，驱动晶体管T3的栅极也不会发生较大幅度的变化，故可以有效的维持驱动晶体管T3的栅极电压，以保证在发光阶段驱动晶体管T3的稳定性，从而使得发光器件D可以正常发光。
需要说明的是，在本公开实施例中是以第一电容C1的第一极板连接驱动晶体管T3的栅极，第一电容C1的第二极板连接驱动晶体管T3的漏极，此时可以在形成驱动晶体管T3的栅极的同时形成第一电容C1的第一极板，在形成驱动晶体管T3的漏极的同时形成第一电容C1的第二极板。这样一来，不会增加应该像素驱动电路的显示面板的厚度，也会增加工艺步骤。当然，也可以通过两层单独的金属分别形成第一极板和第二基板。
在另一个示例中，图8为本公开实施例的另一像素驱动电路的示意图；如图8所示，与图7所示的像素驱动电路，第一电容C1的第一极板连接驱动晶体管T3的栅极，第一电容C1的第二极板连接参考电压端Vref。例如：参考电压端Vref被持续写入一固定的参考电压，也就是说，在任何阶段第一电容C1的第二极板的电位均保持参考电压，因此，即使在数据写入及阈值补偿阶段到发光阶段驱动晶体管T3的栅极电压发生较大瞬时变化，也可以通过第一电容C1来维持驱动晶体管T3的栅极电压保持不变，以避免驱动晶体管T3的栅极和源极之间形成耦合电容Cgs而影响驱动晶体管T3的栅极电压。
需要说明的是，在下述描述中以第一电容C1的第一极板连接驱动晶体管T3的栅极，第一电容C1的第二极板连接驱动晶体管T3的漏极为例进行说明的，但这并不构成对本公开实施例的保护范围的限制。
例如：继续参照图7，在本公开实施例的像素驱动电路中，不仅包括上述的数据写入子电路4、阈值补偿子电路2、驱动子电路3、存储子电路8、第一电容C1，还可以包括第一复位子电路1、第二复位子电路7第二复位子电路72、第一发光控制子电路5、第二发光控制子电路6中的至少一者。以下以像素驱动电路包括第一复位子电路1、第二复位子电路7第二复位子电路72、第一发光控制子电路5及第二发光控制子电路6为例进行说明。其中，对于数据写入子电路4、阈值补偿子电路2、驱动子电路3、存储子电路8、第一复位子电路1、第二复位子电路7第二复位子电路72、第一发光控制子电路5及第二发光控制子电路6均可以与图2中所示的结构相同，故在此不在重复描述。对于第一电容C1的第一极板连接驱动晶体管T3的栅极和阈值补偿晶体管T2的漏极，第一电容C1的第二极板则连接驱动晶体管T3的漏极和阈值补偿晶体管T2源极。以下对本公开实施例的像素驱动电路的驱动方法进行说明，以便清楚了解本公开实施例的像素驱动电路的各部分功能。
同样参照图3所示的工作时序图；如图3和7所示，本公开实施例的像素驱动电路的驱动方法包括如下阶段：
复位阶段(t1)：复位控制信号线Rst写入低电平信号，扫描线Ga(A)和发光控制线EM写入高电平信号；第一复位晶体管T1和第二复位晶体管T7打开，驱动晶体管T3栅极的被复位电源信号线Init写入的初始电压Vinit，为下一帧写入数据电压Vdata的写入做准备。发光器件D的阳极通过第二复位晶体管T7写入初始化电压(Vinit≤VSS)，使发光器件D不再处于正向导通状态，使发光器件D内杂质离子定向移动形成的内部电场逐渐消失，从而恢复发光器件D的特性。
数据写入及阈值补偿阶段(t2)：扫描线Ga(A)写入为低电平信号，复位控制信号线Rst和第一发光控制线EM写入高电平信号；数据写入晶体管T4和阈值补偿晶体管T2打开。驱动晶体管T3被阈值补偿晶体管T2连成二极管结构，数据线Data上写入的数据电压通过数据写入晶体管T4和阈值补偿晶体管T2写入驱动晶体管T3的栅极，直到驱动晶体管T3截止。驱动晶体管T3的栅极电压为Vdata+Vth(Vth＜0，Vth为驱动晶体管T3的阈值电压)，并存储在存储电容Cst中。存储电容Cst的第一极板和第二极板的电压分别为Vdata+Vth和Vdd；第一电容C1的第一极板和第二极板的电压分均为Vdata+Vth。
发光阶段(t3)：发光控制线EM写入低电平信号，扫描线Ga(A)与复位控制信号线Rst写入高电平信号，第一发光控制晶体管T5和第二发光控制晶体管T6均打开，驱动晶体管T3的源极与第一电源电压线VDD连接，驱动晶体管T3的源极电压由上一阶段的Vdata瞬时变化为Vdd。驱动晶体管T3的漏极电压由上一阶段的Vdata+Vth变为Vdd+Vds，其中，Vdata的值取决于发光器件D待显示的灰阶值，Vds为驱动晶体管T3的源极和漏极之间的跨压，该电压值取决于发光器件D待显示的灰阶值所对应的驱动电流。在一些实施例中，Vds大约在-3V到-5V左右，Vth大约在-0.7V到-1.3V左右，而Vdd与Vdata的最大电压差不超过5V，(Vdd+Vds)-(Vdata+Vth)大约在1V左右，故在在第一电容C1的自举作用下，驱动晶体管T3的栅极电压与上一阶段的电压Vdata+Vth也仅变化了1V左右，近似为Vdata+Vth，也就是说，即使驱动晶体管T3的栅极和源极之间存在较大的耦合电容Cgs，在驱动晶体管T3的源极发生较大瞬时变化时，由于第一电容C1的存在，此时驱动晶体管T3的栅极电压也不会发生较大的瞬时变化。
另外，发光器件D在驱动晶体管T3的驱动下发光，此时驱动晶体管T3工作在饱和区，驱动晶体管T3的栅极电压为Vdata+Vth，驱动晶体管T3的源极电压为Vdd，故，驱动晶体管T3的栅源电压为：Vgs＝(Vdata+Vth)-Vdd，直到下一帧的复位阶段。
发光器件D的发光电流等于流过驱动晶体管T3的电流，其表达式如下：
如上述公式(1)所示，在发光阶段发光器件D的电流与驱动晶体管T3的阈值电压无关，从而避免驱动晶体管T3的阈值电压对显示面板的显示均一性造成影响。另外，下述表一和表二为发明人对本公开实施图7和相关技术图2所示的像素驱动电路的仿真结果。其中，Vg表示驱动晶体管T3的栅极电压，Id表示驱动晶体管T3的发光阶段产生的驱动电流。
表一
表二
具体的，由表一可以看出的是，图7和图2所示的的像素驱动电路图在发光阶段均驱动晶体管T3的栅极电压Vg为0.409V，驱动晶体管所产生的驱动电流Id为75.5μA时，也即在相同的电流(亮度)基准下，本公开实施例图4所示的像素驱动电路，由于增加了第一电容C1，因此较图2所示的像素驱动电路其可以选用相对较小的存储电容Cst，具体的图4所示的像素驱动电路中的C1为1.5pF时，存储电容Cst为1.53pF，而要达到相同的效果，图2所示的像素驱动电路则需要选用3.1pF的存储电容Cst。可以看出的是，应用本公开实施例的中像素驱动电路的显示面板的开口率和分辨率均能够有多提高。
由表二可以看出的是，当本公开实施图7和相关技术图2所示的像素驱动电路中存储电容Cst相同，由于公开实施图4所示的像素驱动电路中具有第一电容C1，在发光阶段驱动晶体管T3的栅极电压Vg受到的影响明显小于图2所示的像素驱动电路，而且公开实施图4所示的像素驱动电路的所产生的驱动电流明显大于图2所示的像素驱动电路。例如：本公开实施图4和相关技术图2所示的像素驱动电路中存储电容Cst均为3.1pF，第一电容为1.5pF，在发光阶段，图4所示的像素驱动电路的驱动晶体管T3的栅极电压Vg为-0.116V，驱动电流Id为98.5；图2所示的像素驱动电路的驱动晶体管T3的栅极电压Vg为0.409V，驱动电流Id为75.5。
在一些实施例中，图9为本公开实施例的另一种像素驱动电路的示意图；如图9所示，该像素电路不仅包括上述的数据写入子电路4、阈值补偿子电路2、驱动子电路3、存储子电路8、第一电容C1、第一复位子电路1及第一发光控制子电路5；而且还包括时长控制子电路，该时长控制子电路被配置为响应于时间控制信号，并通过时间调制信号和第三发光控制信号控制待驱动的发光器件D的发光时间。这样一来，当驱动晶体管T3输出一定的电流时，则可以通过时间调制信号和第三发光控制信号，该驱动电路写入至发光器件D的时间，以实现不同灰阶的显示。
在一个示例中，继续参照图9，发光时长控制子电路10可以包括第一时间调制晶体管T8、第二时间调制晶体管T9、第三发光控制晶体管T10及第二电容C2；其中，第一时间调制晶体管T8的源极连接驱动晶体管T3的漏极，第一时间调制晶体管T8的漏极连接第三发光控制晶体管T10的源极，第一时间调制晶体管T8的栅极连接第三发光控制线EM3；第二时间调制晶体管T9的源极连接时间调制信号端Data-T，第二时间调制晶体管T9的漏极连接第三发光控制晶体管T10的栅极，第二时间调制晶体管T9的栅极连接时间控制信号线Ga(B)；第三发光控制晶体管T10的漏极连接待驱动的发光器件D的阳极，第三发光控制晶体管T10的栅极连接第二电容C2的第一极板；第二电容C2的第二极板连接公共电压端Vcom。
在一些实施例中，控制第三发光控制线EM3在一帧显示时间内被写入低电平的时长，如控制第三发光控制线EM3被写入的信号的占空比，以控第一时间调制晶体管T8导通时长，从而控制驱动晶体管T3输出至发光器件D的驱动电流的时长。
在一个示例中，第三发光控制线EM3被配置为在一帧显示时间内分多次被写入低电平信号，且每次被写入的低电平信号的时长不同。例如：第三发光控制线EM3在一帧显示时间内被写入低电平的次数为N，N为大于或者2的整数，第三发光控制线EM3在第1至N次扫描周期被写入的低电平时间分别用t1、t2......tn表示，time1＝T、time2＝T/2......timeN＝T/2(N-1)，也即t(m-1)＝2tm，m取1到N的整数。在一帧显示时间内，时间控制信号线Ga(B)在第三发光控制线EM3的每一次扫描周期均会被写入一定时间的低电平信号，此时，对于每个像素而言，时间调制信号端Data-T所输入的低电平信号(有效电平)的次数p和该像素能够实现的发光时长的种类K的关系为：K＝2p，1≤p≤N。而对于每个像素的发光时长则由时间调制信号端Data-T所输入的低电平信号(有效电平)的次数h和第1至N个扫描周期，第三发光控制线EM3被写入的低电平时间时长决定。可以看出的是，在本公开实施例中，由于增加了发光时长控制子电路10，可以实现对每个像素实现2p种发光时长的控制。
在此需要说明的是，对于时间控制信号线Ga(B)第1次被写入低电平的时间，与数据写入及阈值补偿阶段扫描线Ga(A)被写入工作电平的时间存在部分交叠，也即Ga(B)第1次被写入低电平的时间的起始时间在数据写入及阈值补偿阶段。
继续参照图9，在该像素电路中，数据写入子电路4、阈值补偿子电路2、驱动子电路3、存储子电路8、第一复位子电路1及第一发光控制子电路5均可以与图2中所示的结构相同。同时，在本公开实施例中，以该像素电路中的数据写入子电路4、阈值补偿子电路2、驱动子电路3、存储子电路8、第一复位子电路1及第一发光控制子电路5均可以与图2中所示的结构相同为例进行说明。
需要说明的是，第一发光控制线EM1和第三发光控制线EM3所写入的控制信号可以相同，也就是说，第一时间调制晶体管T8的栅极和第一发光控制晶体管T5的栅极连接同一条发光控制线EM。当然，第一发光控制线EM1也可以与第三发光控制线EM3所写入的控制信号可以不同，例如在整个发光阶段给第一发光控制线EM1均写入低电平信号，也即在发光阶段第一发光控制晶体管T5一直处于开启状态。在本公开实施例中以第一发光控制线EM1和第三发光控制线EM3所写入的控制信号相同，也即第一时间调制晶体管T8的栅极和第一发光控制晶体管T5的栅极连接一条发光控制线EM为例进行说明。
图10为图9所示的像素驱动电路的工作时序图；如图7和8所示，其中，以发光控制线EM在一帧显示时间内，时间调制信号端Data-T在time1、time2、timeN三个扫描周期被写入低电平信号为例。
本公开实施例的像素驱动电路的驱动方法包括如下阶段：
复位阶段(t1)：复位控制信号线Rst写入低电平信号，扫描线Ga(A)和发光控制线EM写入高电平信号；第一复位晶体管T1打开，驱动晶体管T3栅极的被复位电源信号线Init写入的初始电压Vinit，为下一帧写入数据电压Vdata的写入做准备。
数据写入及阈值补偿阶段(t2)：扫描线Ga(A)写入为低电平信号，复位控制信号线Rst和发光控制线EM写入高电平信号；数据写入晶体管T4和阈值补偿晶体管T2打开。驱动晶体管T3被阈值补偿晶体管T2连成二极管结构，数据线Data上写入的数据电压通过数据写入晶体管T4和阈值补偿晶体管T2写入驱动晶体管T3的栅极，直到驱动晶体管T3截止。驱动晶体管T3的栅极电压为Vdata+Vth(Vth＜0，Vth为驱动晶体管T3的阈值电压)，并存储在存储电容Cst中。存储电容Cst的第一极板和第二极板的电压分别为Vdata+Vth和Vdd；第一电容C1的第一极板和第二极板的电压均为Vdata+Vth。
发光阶段(t3)：在第1个扫描周期内，时间控制信号线Ga(B)被写入低电平，时间调制信号端Data-T输入低电平信号，发光控制线EM写入低电平信号的时间time1＝T，扫描线Ga(A)与复位控制信号线Rst写入高电平信号，第一发光控制晶体管T5、第一时间调制晶体管T8、第二时间调制晶体管T9、第三发光控制晶体管T10均打开，发光器件D的在第一行扫描周期内的发光时长为T；在第2个扫描周期内，时间控制信号线Ga(B)被写入低电平，时间调制信号端Data-T输入低电平信号，发光控制线EM写入低电平信号的时间time2＝T/2，扫描线Ga(A)与复位控制信号线Rst写入高电平信号，第一发光控制晶体管T5、第一时间调制晶体管T8、第二时间调制晶体管T9、第三发光控制晶体管T10均打开，发光器件D的在第2个扫描周期内的发光时长为T/2；在第N个扫描周期内，时间控制信号线Ga(B)被写入低电平，时间调制信号端Data-T输入低电平信号发光控制线EM写入低电平信号的时间timeN＝T/2(n -1)，扫描线Ga(A)与复位控制信号线Rst写入高电平信号，第一发光控制晶体管T5、第一时间调制晶体管T8、第二时间调制晶体管T9、第三发光控制晶体管T10均打开，发光器件D的在第N个扫描周期内的发光时长为T/2(n-1)；在第3行至第n-1行扫描周期时间调制信号端Data-T被写入高电平信号，第三发光控制晶体管T10关断，发光器件D不发光，也即在一帧显示时间该发光器件D的发光总时长为T+T/2+T/2(n-1)。与此同时，在发光阶段驱动晶体管T3的源极与第一电源电压线VDD连接，驱动晶体管T3的源极电压由上一阶段的Vdata瞬时变化为Vdd。驱动晶体管T3的漏极电压由上一阶段的Vdata+Vth变为Vdd+Vds，其中，Vdata的值取决于发光器件D待显示的灰阶值，Vds为驱动晶体管T3的源极和漏极之间的跨压，该电压值取决于发光器件D待显示的灰阶值所对应的驱动电流。在一些实施例中，Vds大约在-3V到-5V左右，Vth大约在-0.7V到-1.3V左右，而Vdd与Vdata的最大电压差不超过5V，(Vdd+Vds)-(Vdata+Vth)大约在1V左右，(Vdd+Vds)-(Vdata+Vth)大约在1V左右，故在在第一电容C1的自举作用下，驱动晶体管T3的栅极电压与上一阶段的电压Vdata+Vth也仅变化了1V左右，近似为Vdata+Vth，也就是说，即使驱动晶体管T3的栅极和源极之间存在较大的耦合电容Cgs，在驱动晶体管T3的源极发生较大瞬时变化时，由于第一电容C1的存在，此时驱动晶体管T3的栅极电压也不会发生较大的瞬时变化。
另外，发光器件D在驱动晶体管T3的驱动下发光，此时驱动晶体管T3工作在饱和区，驱动晶体管T3的栅极电压为Vdata+Vth，驱动晶体管T3的源极电压为Vdd，故，驱动晶体管T3的栅源电压为：Vgs＝(Vdata+Vth)-Vdd，直到下一帧的复位阶段。
发光器件D的发光电流等于流过驱动晶体管T3的电流，其表达式如下：
如上述公式(1)所示，在发光阶段发光器件D的电流与驱动晶体管T3的阈值电压无关，从而避免驱动晶体管T3的阈值电压对显示面板的显示均一性造成影响。
综上所述，本公开实施例中像素驱动电路中发光器件D在一图像帧内的有效发光亮度可以由一图像帧内扫描周期的个数、每个扫描周期的时长、第一数据电压Vdata_A、第二数据电压Vdata_B、发光控制信号线EM提供的发光控制信号多个因素决定，从而可以使得具有像素驱动电路的子像素显示的灰阶值更多，显示面板显示的画面更加的丰富、细腻。
第二方面，本发明实施例还提供一种显示面板，其包括上述的任意一种像素驱动电路，因此，本实施例的显示面板的显示效果较佳，且可以实现高分辨率的显示。
其中，显示面板可以为液晶显示装置或者电致发光显示装置，例如液晶面板、OLED面板、Micro LED面板，Mini LED面板，手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (20)

1.一种像素驱动电路，其包括：数据写入子电路、阈值补偿子电路、驱动子电路、存储子电路及电压维持子电路；其中，
所述数据写入子电路，被配置为响应于第一扫描信号，将数据电压信号传输至驱动子电路的第一端；
所述阈值补偿子电路，被配置为响应于第二扫描信号，对所述驱动子电路的阈值电压进行补偿；
所述存储子电路，被配置为对所述数据电压信号进行存储；
所述驱动子电路，被配置为根据其第一端和控制端的电压为待驱动的发光器件提供驱动电流；
所述电压维持子电路，被配置为在所述驱动子电路的第一端电压发生跳变时，维持所述驱动子电路的控制端电压；
所述电压维持子电路包括第一电容，所述第一电容的第一极板连接所述驱动子电路的控制端，所述第一电容的第二极板连接所述驱动子电路的第二端。
2.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其中，所述电压维持子电路包括第一电容，所述第一电容的第一极板连接所述驱动子电路的控制端，所述第一电容的第二极板连接参考电压端。
3.根据权利要求1或2所述的像素驱动电路，其中，所述第一电容的容值为0.1pF-10pF。
4.根据权利要求1或2所述的像素驱动电路，其中，还包括：
第一发光控制子电路，被配置为响应于第一发光控制信号，控制第一电压是否能够被写入所述驱动子电路的第一驱动子电路的第一端。
5.根据权利要求4所述的像素驱动电路，其中，所述第一发光控制子电路包括第一发光控制晶体管；
所述第一发光控制晶体管的第一极连接第一电源电压线，所述第一发光控制晶体管的第二极连接所述驱动子电路的第一端，所述第一发光控制晶体管的控制极连接第一发光控制线。
6.根据权利要求1或2所述的像素驱动电路，其中，还包括：
第一复位子电路，被配置为响应于第一复位控制信号，并通过第一初始化信号对驱动子电路的控制端的电压进行复位。
7.根据权利要求6所述的像素驱动电路，其中，第一复位子电路包括第一复位晶体管；
所述第一复位晶体管的第一极连接第一初始化信号端，所述第一复位晶体管的第二极连接所述驱动子电路的控制端，所述第一复位晶体管的控制极连接第一复位控制信号线。
8.根据权利要求1或2所述的像素驱动电路，其中，还包括：
第二发光控制子电路，被配置为响应于第二发光控制信号，导通或断开所述驱动子电路和所述待驱动的发光器件之间的连接。
9.根据权利要求8所述的像素驱动电路，其中，所述第二发光控制子电路包括第二发光控制晶体管；
所述第二发光控制晶体管的第一极连接所述驱动子电路的第二端，所述第二发光控制晶体管的第二极连接所述待驱动的发光器件的第一电极，所述第二发光控制晶体管的控制极连接第二发光控制线。
10.根据权利要求1或2所述的像素驱动电路，其中，还包括：
第二复位子电路，被配置为响应于第二复位控制信号，通过第二初始化信号对所述待驱动的发光器件进行初始化。
11.根据权利要求10所述的像素驱动电路，其中，所述第二复位子电路包括第二复位晶体管；
所述第二复位晶体管的第一极连接所述待驱动的所述发光器件的第一电极，所述第二复位晶体管的第二极连接第二初始化信号端，所述第二复位晶体管的控制极连接第二复位控制信号线。
12.根据权利要求1或2所述的像素驱动电路，其中，还包括：时间控制子电路，被配置为响应于时间控制信号，并通过时间调制信号和第三发光控制信号控制所述待驱动的发光器件的发光时间。
13.根据权利要求12所述的像素驱动电路，其中，所述时间控制子电路包括第一时间调制晶体管、第二时间调制晶体管、第三发光控制晶体管及第二电容；
所述第一时间调制晶体管的第一极连接所述驱动子电路的第二端，所述第一时间调制晶体管的第二极连接所述第三发光控制晶体管的第一极，所述第一时间调制晶体管的控制极连接第三发光控制线；
所述第二时间调制晶体管的第一极连接时间调制信号端，所述第二时间调制晶体管的第二极连接所述第三发光控制晶体管的控制极，所述第二时间调制晶体管的控制极连接时间控制信号线；
所述第三发光控制晶体管的第二极连接待驱动的发光器件的第一电极，所述第三发光控制晶体管的控制极连接所述第二电容的第一极板；
所述第二电容的第二极板连接公共电压端。
14.根据权利要求13所述的像素驱动电路，其中，所述第三发光控制线被配置为在一帧显示时间内分多次写入工作电平信号，且每次所写入的工作电平时长不等。
15.根据权利要求1或2所述的像素驱动电路，其中，所述驱动子电路包括驱动晶体管，所述阈值补偿子电路包括阈值补偿晶体管，所述数据写入子电路包括数据写入晶体管，存储子电路包括存储电容；
所述驱动晶体管的第一极用作所述驱动子电路的第一端，所述驱动晶体管的第二极用作所述驱动子电路的第二端，所述驱动子电路的控制极用作所述驱动子电路的控制端；
所述驱动晶体管的第一极连接所述数据写入晶体管的第二极，所述驱动晶体管的第二极连接所述阈值补偿晶体管的第一极，所述驱动晶体管的控制极连接所述阈值补偿晶体管的第二极和所述存储电容的第一极板；
所述数据写入晶体管的第一极连接数据线，所述数据写入晶体管的控制极连接第一扫描线；
所述阈值补偿晶体管的控制极连接第二扫描线；
所述存储电容的第二极板连接第一电源电压线。
16.根据权利要求15所述的像素驱动电路，其中，所述存储电容的容值为0.1pF-10pF。
17.一种像素驱动电路，其包括：数据写入子电路、阈值补偿子电路、驱动子电路、存储子电路、第一发光控制子电路、第二发光控制子电路、第一复位子电路、第二复位子电路及电压维持子电路；其中，
所述驱动子电路包括驱动晶体管，所述阈值补偿子电路包括阈值补偿晶体管，所述数据写入子电路包括数据写入晶体管，存储子电路包括存储电容，所述第一发光控制子电路包括第一发光控制晶体管，所述第二发光控制子电路包括第二发光控制晶体管，所述第一复位子电路包括第一复位晶体管，所述第二复位子电路包括第二复位晶体管，所述电压维持子电路包括第一电容；
所述驱动晶体管的第一极连接所述数据写入晶体管的第二极和所述第一发光控制晶体管的第二极，所述驱动晶体管的第二极连接所述阈值补偿晶体管的第一极，所述驱动晶体管的控制极连接所述阈值补偿晶体管的第二极、所述存储电容的第一极板和所述第一电容的第一极板；
所述数据写入晶体管的第一极连接数据线，所述数据写入晶体管的控制极连接第一扫描线；
所述阈值补偿晶体管的控制极连接第二扫描线；
所述存储电容的第二极板连接第一电源电压线；
所述第一发光控制晶体管的第一极连接第一电源电压线，所述第一发光控制晶体管的控制极连接第一发光控制线；
所述第二发光控制晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的第二极，所述第二发光控制晶体管的第二极连接待驱动的发光器件的第一电极，所述第二发光控制晶体管的控制极连接第二发光控制线；
所述第一复位晶体管的第一极连接第一初始化信号端，所述第一复位晶体管的第二极连接所述驱动晶体管的控制极，所述第一复位晶体管的控制极连接第一复位控制信号线；
所述第二复位晶体管的第一极连接所述待驱动的所述发光器件的第一电极，所述第二复位晶体管的第二极连接第二初始化信号端，所述第二复位晶体管的控制极连接第二复位控制信号线；
所述第一电容的第二极板连接所述驱动晶体管的第二电极或者参考电压端。
18.一种像素驱动电路，其包括：数据写入子电路、阈值补偿子电路、驱动子电路、存储子电路、第一发光控制子电路、第二发光控制子电路、第一复位子电路、第二复位子电路、时间控制子电路及电压维持子电路；其中，
所述驱动子电路包括驱动晶体管，所述阈值补偿子电路包括阈值补偿晶体管，所述数据写入子电路包括数据写入晶体管，存储子电路包括存储电容，所述第一发光控制子电路包括第一发光控制晶体管，所述第二发光控制子电路包括第二发光控制晶体管，所述第一复位子电路包括第一复位晶体管，所述第二复位子电路包括第二复位晶体管，所述时间控制子电路包括第一时间调制晶体管、第二时间调制晶体管、第三发光控制晶体管及第二电容，所述电压维持子电路包括第一电容；
所述驱动晶体管的第一极连接所述数据写入晶体管的第二极和所述第一发光控制晶体管的第二极，所述驱动晶体管的第二极连接所述阈值补偿晶体管的第一极，所述驱动晶体管的控制极连接所述阈值补偿晶体管的第二极、所述存储电容的第一极板和所述第一电容的第一极板；
所述数据写入晶体管的第一极连接数据线，所述数据写入晶体管的控制极连接第一扫描线；
所述阈值补偿晶体管的控制极连接第二扫描线；
所述存储电容的第二极板连接第一电源电压线；
所述第一发光控制晶体管的第一极连接第一电源电压线，所述第一发光控制晶体管的控制极连接第一发光控制线；
所述第一复位晶体管的第一极连接第一初始化信号端，所述第一复位晶体管的第二极连接所述驱动晶体管的控制极，所述第一复位晶体管的控制极连接第一复位控制信号线；
所述第一时间调制晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的第二极，所述第一时间调制晶体管的第二极连接所述第三发光控制晶体管的第一极，所述第一时间调制晶体管的控制极连接第三发光控制线；
所述第二时间调制晶体管的第一极连接时间调制信号端，所述第二时间调制晶体管的第二极连接所述第三发光控制晶体管的控制极，所述第二时间调制晶体管的控制极连接时间控制信号线；
所述第三发光控制晶体管的第二极连接待驱动的发光器件的第一电极，所述第三发光控制晶体管的控制极连接所述第二电容的第一极板；
所述第二电容的第二极板连接公共电压端。
19.一种显示面板，其包括多个像素单元，所述多个像素单元中的每个包括像素驱动电路和发光器件；其中，所述像素驱动电路包括权利要求1-18中任一项所述的像素驱动电路。
20.根据权利要求19所述的显示面板，其中，所述发光器件包括：微型无机发光二极管。
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