CN113851083A - 像素驱动电路及显示面板 - Google Patents

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CN113851083A
CN113851083A CN202110898500.1A CN202110898500A CN113851083A CN 113851083 A CN113851083 A CN 113851083A CN 202110898500 A CN202110898500 A CN 202110898500A CN 113851083 A CN113851083 A CN 113851083A
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CN
China
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transistor
circuit
sub
node
pole
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卢江楠
刘利宾
单真真
史世明
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BOE Technology Group Co Ltd
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Abstract

本公开提供一种像素驱动电路及显示面板，属于显示技术领域。本公开的像素驱动电路包括：数据写入子电路、阈值补偿子电路、驱动子电路、存储子电路、第一复位子电路和第二复位子电路；驱动子电路和存储子电路的第二端之间的连接节点为第一节点；数据写入子电路和存储子电路的第二端之间的连接节点为第二节点；驱动子电路和阈值补偿子电路之间的连接节点为第三节点；第一复位子电路包括第一晶体管，其控制极连接第一复位信号线，第一极连接第一初始化信号线，第二极连接第一节点；阈值补偿子电路，包括第二晶体管，第二晶体管的第一极连接第一节点，第二极连接第二节点，控制极连接第二扫描线；第一晶体管和/或第二晶体管包括氧化薄膜晶体管。

Description

像素驱动电路及显示面板
技术领域
本公开属于显示技术领域，具体涉及一种像素驱动电路及显示面板。
背景技术
有源矩阵有机电极发光二极管显示面板(Active Matrix Organic LightEmittingDiode，简称：AMOLED)的应用越来越广泛。AMOLED的像素显示器件为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)，AMOLED能够发光是通过驱动薄膜晶体管在饱和状态下产生驱动电流，该驱动电流驱动发光器件发光。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种像素驱动电路及显示面板。
第一方面，本公开实施例提供一种像素驱动电路，其包括：数据写入子电路、阈值补偿子电路、驱动子电路、存储子电路、第一复位子电路和第二复位子电路；其中，所述驱动子电路和所述存储子电路的第二端之间的连接节点为第一节点；所述数据写入子电路和所述存储子电路的第二端之间的连接节点为第二节点；所述驱动子电路和所述阈值补偿子电路之间的连接节点为第三节点；
所述第一复位子电路，包括第一晶体管，所述第一晶体管的控制极连接第一复位信号线，第一极连接第一初始化信号线，第二极连接所述第一节点；
所述第二复位子电路，被配置为在第二复位信号的控制下，通过参考电压对所述第二节点的电位进行复位；
所述数据写入子电路，被配置为响应于第一扫描信号，将数据电压信号传输至所述第二节点，并通过所述存储子电路进行存储；
所述阈值补偿子电路，包括第二晶体管，所述第二晶体管的第一极连接所述第一节点，第二极连接所述第二节点，控制极连接第二扫描线；
所述驱动子电路，被配置为根据所述第一节点和所述第三节点的电位为待驱动的发光器件提供驱动电流；
所述存储子电路，被配置为对数据电压进行存储；其中，
所述第一晶体管和/或所述第二晶体管包括氧化薄膜晶体管。
其中，所述像素驱动电路还包括：第一发光控制子电路和第二发光控制子电路；
所述第一发光控制子电路，被配置为在第一发光控制信号的控制下，将所述驱动子电路生成的驱动电流传输给所述待驱动的发光器件；
所述第二发光控制子电路，被配置为在第二发光控制信号的控制下，将所述参考电压传输至所述第二节点。
其中，所述第一发光控制子电路包括第六晶体管；所述第二发光控制子电路包括第七晶体管；
所述第六晶体管的第一极连接所述第三节点，第二极连接所述待驱动的发光器件，控制极连接第一发光控制线；
所述第七晶体管的第一极连接参考电压线，第二极连接所述第二节点，控制极连接第二发光控制线。
其中，所述第六晶体管和所述第七晶体管的开关特性相同，且均与所述第一晶体管的开关特性相反。
其中，所述的像素驱动电路还包括：第三复位子电路；
所述第三复位子电路，被配置为在第三复位信号的控制线，通过第二初始化信号对所述待驱动的发光器件进行初始化。
其中，所述第三复位子电路包括第八晶体管；
所述第八晶体管的第一极连接所述待驱动的发光器件的第一极，第二极连接第二初始化信号线，控制极连接第三复位信号线。
其中，所述第八晶体管与所述第六晶体管的开关特性相反，所述第一发光控制线与所述第但复位信号线复用。
其中，所述第八晶体管包括氧化物薄膜晶体管。
其中，所述驱动子电路包括：第三晶体管；
所述第三晶体管的第一极连接所述第一电源电压线，第二极连接所述第三节点，控制极连接所述第一节点。
其中，所述第三晶体管与所述第一晶体管的开关特性相反。
其中，所述数据写入子电路包括：第四晶体管；
所述第四晶体管的第一极连接数据线，第二极连接所述第二节点，控制极连接第一扫描线。
其中，所述第四晶体管与所述第一晶体管的开关特性相反。
其中，所述第二复位子电路包括：第五晶体管；
所述第五晶体管的第一极连接参考电压线，第二极连接所述第二节点，控制极连接第二复位信号线。
其中，所述第五晶体管与所述第一晶体管的开关特性相反。
其中，所述存储子电路包括存储电容，所述存储电容的第一端连接所述第二节点。第二端连接所述第一节点。
本公开实施例还提供一种像素驱动电路，其包括：数据写入子电路、阈值补偿子电路、驱动子电路、存储子电路、第一复位子电路、第二复位子电路、第三复位子电路、第一发光控制子电路和所述第二发光控制子电路；其中，所述驱动子电路和所述存储子电路的第二端之间的连接节点为第一节点；所述数据写入子电路和所述存储子电路的第一端之间的连接节点为第二节点；所述驱动子电路和所述阈值补偿子电路之间的连接节点为第三节点；
所述第一复位子电路，包括第一晶体管，所述第一晶体管的第一极连接第一初始化信号线，第二极连接所述第一节点，控制极连接第一复位信号线；
所述第二复位子电路包括，第五晶体管，所述第五晶体管的第一极连接参考电压线，第二极连接所述第二节点，控制极连接第二复位信号线；
所述驱动子电路包括，第三晶体管，所述第三晶体管的第一极连接第一电源电压线，第二极连接所述第三节点，控制极连接所述第一节点；
所述数据写入子电路包括：第四晶体管，所述第四晶体管的第一极连接数据线，第二极连接所述第二节点，控制极连接第一扫描线；
所述阈值补偿子电路，包括第二晶体管，所述第二晶体管的第一极连接所述第一节点，第二极连接所述第二节点，控制极连接第二扫描线；
所述第一发光控制子电路包括第六晶体管，所述第六晶体管的第一极连接所述第三节点，第二极连接所述待驱动的发光器件，控制极连接第一发光控制线；
所述第二发光控制子电路，包括第七晶体管，所述第七晶体管的第一极连接参考电压线，第二极连接所述第二节点，控制极连接第二发光控制线；
所述第三复位子电路，包括第八晶体管，所述第八晶体管的第一极连接所述待驱动的发光器件的第一极，第二极连接第二初始化信号线，控制极连接第三复位信号线；
所述存储子电路，包括存储电容，所述存储电容的第一端连接所述第二节点，第二端连接所述第一节点；
所述第一晶体管和/或所述第二晶体管包括氧化薄膜晶体管。
其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第八晶体管的开关特性相同；
所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管和所述第七晶体管的开关特性相同；且所述第一晶体管与所述第三晶体管的开关特性相反。
第二方面，本公开实施例提供一种显示面板，其包括上述任一所述的像素驱动电路。
附图说明
图1为一种示例性的显示基板结构示意图。
图2为一种示例性的像素驱动电路的示意图。
图3为本公开实施例的一种像素驱动电路的示意图。
图4为图3所示的像素驱动电路的一种工作时序图。
图5为图3所示的像素驱动电路的一种工作时序图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1为一种示例性的显示基板结构示意图；图2为一种示例性的像素驱动电路的示意图；如图1和2所示，该显示基板包括呈阵列排布的多个像素单元，每个像素单元100中均包括像素驱动电路和发光器件D。各像素单元100中的像素驱动电路可以包括：第一复位子电路11、阈值补偿子电路121、驱动子电路13、数据写入子电路14、第一发光控制子电路15、第二发光控制子电路16、第二复位子电路17及存储子电路18。
其中，第一复位子电路11与驱动子电路13的控制端连接，且被配置为在第一复位信号的控制下对驱动子电路13的控制端进行复位。阈值补偿子电路12 分别与驱动子电路13的控制端和第二端电连接，且被配置为对驱动子电路13 进行阈值补偿。数据写入子电路14与驱动子电路13的第一端电连接，且被配置为在扫描信号的控制下将数据信号写入存储子电路。存储子电路8分别与驱动子电路13的控制端和第一电源电压线VDD11电连接，且被配置为存储数据信号。第一发光控制子电路15分别与第一电源电压线VDD11以及驱动子电路 13的第一端相连，且被配置为实现驱动子电路13和第一电源电压线VDD11间的连接导通或断开，第二发光控制子电路16分别与驱动子电路13的第二端和发光器件D的第一电极电连接，且被配置为实现驱动子电路13和发光器件D 之间的连接导通或断开。第二复位子电路17与发光器件D的第一电极电连接，且被配置为在第二复位控制信号的控制下对驱动子电路13的控制端和发光器件 D的第一电极进行复位。
继续参照图2，第一复位子电路包括第一复位晶体管T11，阈值补偿子电路 12包括阈值补偿晶体管T12，驱动子电路13包括驱动晶体管T13，驱动子电路 13的控制端包括驱动晶体管T13的控制极，驱动子电路13的第一端包括驱动晶体管T13的第一极，驱动子电路13的第二端包括驱动晶体管T13的第二极。数据写入子电路14包括数据写入晶体管T14，存储子电路18包括存储电容Cst11，第一发光控制子电路15包括第一发光控制晶体管T15，第二发光控制子电路16 包括第二发光控制晶体管T16，第二复位子电路17包括第二复位晶体管T17。
在此需要说明的是，按照晶体管的特性，晶体管可以分为N型晶体管和P 型晶体管，为了清楚起见，图2中的像素驱动电路以晶体管为P型晶体管(例如，P型MOS晶体管)为例详细阐述了本公开的技术方案，也就是说，在本公开的描述中，驱动晶体管T13、数据写入晶体管T14、阈值补偿晶体管T12、第一发光控制晶体管T15、第二发光控制晶体管T16、第一复位晶体管T11和第二复位晶体管T17等均可以为P型晶体管。然而本公开的实施例的晶体管不限于P 型晶体管，本领域技术人员还可以根据实际需要利用N型晶体管(例如，N型 MOS晶体管)实现本公开的实施例中的一个或多个晶体管的功能。
另外，本公开的实施例中采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应晶体管或其他特性相同的开关器件，薄膜晶体管可以包括氧化物半导体薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管或多晶硅薄膜晶体管等。对于每个晶体管其均包括第一极、第二极和控制极；其中，控制极作为晶体管的栅极，第一极和第二极中的一者作为晶体管的源极，另一者作为晶体管的漏极；而晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的，所以其源极、漏极在物理结构上可以是没有区别的。在本公开的实施例中，为了区分晶体管，除作为控制极的栅极，直接描述了其中第一极为源极，第二极为漏极，所以本公开的实施例中全部或部分晶体管的源极和漏极根据需要是可以互换的。
继续参照图2，数据写入晶体管T14漏极的与驱动晶体管T13的源极电连接，数据写入晶体管T14的源极被配置为与数据线Data11电连接以接收数据信号，数据写入晶体管T14的栅极被配置为与第一扫描信号线Ga11电连接以接收扫描信号；存储电容Cst11的第二极板与第一电源电压线VDD11电连接，存储电容Cst11的第一极板与驱动晶体管T13的栅极电连接；阈值补偿晶体管T12 的源极与驱动晶体管T13的栅极电连接，阈值补偿晶体管T12的漏极与驱动晶体管T13的漏极电连接，阈值补偿晶体管T12的栅极被配置为与第二扫描信号线Ga12电连接以接收补偿控制信号；第一复位晶体管T11的源极被配置为与第一初始化信号线VInit11电连接以接收第一复位信号，第一复位晶体管T11的漏极与驱动晶体管T13的栅极电连接，第一复位晶体管T11的栅极被配置为与第一复位控制信号线Rst11电连接以接收第一复位控制信号；第二复位晶体管T17 的漏极被配置为与第一初始化信号线VInit11电连接以接收第一复位信号，第二复位晶体管T17的源极与发光器件D的第一电极电连接，第二复位晶体管T17 的栅极被配置为与第二复位控制信号线Rst12电连接以接收第二复位控制信号；第一发光控制晶体管T15的源极与第一电源电压线VDD11电连接，第一发光控制晶体管T15的漏极与驱动晶体管T13的源极电连接，第一发光控制晶体管T15 的栅极被配置为与第一发光控制信号线EM11电连接以接收第一发光控制信号；第二发光控制晶体管T16的源极与驱动晶体管T13的漏极电连接，第二发光控制晶体管T16的漏极与发光器件D的第一极电连接，第二发光控制晶体管T16 的栅极被配置为与第二发光控制信号线EM12电连接以接收第二发光控制信号；发光器件D的第二电极与第二电源端VSS11电连接。
例如，第一电源电压线VDD11和第二电源端VSS11之一为高压端，另一个为低压端。例如，如图2所示，第一电源电压线VDD11为电压源以输出恒定的第一电压，第一电压为正电压；而第二电源端VSS11可以为电压源以输出恒定的第二电压，第二电压为负电压等。例如，在一些示例中，第二电源端VSS11 可以接地。
继续参照图2，扫描信号和补偿控制信号可以相同，即，数据写入晶体管 T14的栅极和阈值补偿晶体管T12的栅极可以电连接到同一条信号线，例如第一扫描信号线Ga11，以接收相同的信号(例如，扫描信号)，此时，显示基板可以不设置第二扫描信号线Ga12，减少信号线的数量。又例如，数据写入晶体管 T14的栅极和阈值补偿晶体管T12的栅极也可以分别电连接至不同的信号线，即数据写入晶体管T14的栅极电连接到第一扫描信号线Ga11，阈值补偿晶体管 T12的栅极电连接到第二扫描信号线Ga12，而第一扫描信号线Ga11和第二扫描信号线Ga12传输的信号相同。
需要说明的是，扫描信号和补偿控制信号也可以不相同，从而使得数据写入晶体管T14的栅极和阈值补偿晶体管T12可以被分开单独控制，增加控制像素电路的灵活性。在本公开实施例中以数据写入晶体管T14的栅极和阈值补偿晶体管T12的栅极电连接第一扫描信号线Ga(A)为例进行说明。
继续参照图2，第一发光控制信号和第二发光控制信号可以相同，即，第一发光控制晶体管T15的栅极和第二发光控制晶体管T16的栅极可以电连接到同一条信号线，例如第一发光控制信号线EM11，以接收相同的信号(例如，第一发光控制信号)，此时，显示基板可以不设置第二发光控制信号线EM12，减少信号线的数量。又例如，第一发光控制晶体管T15的栅极和第二发光控制晶体管T16的栅极也可以分别电连接至不同的信号线，即，第一发光控制晶体管T15 的栅极电连接到第一发光控制信号线EM11，第二发光控制晶体管T16的栅极电连接到第二发光控制信号线EM12，而第一发光控制信号线EM11和第二发光控制信号线EM12传输的信号相同。
需要说明的是，当第一发光控制晶体管T15和第二发光控制晶体管T16为不同类型的晶体管，例如，第一发光控制晶体管T15为P型晶体管，而第二发光控制晶体管T16为N型晶体管时，第一发光控制信号和第二发光控制信号也可以不相同，本公开的实施例对此不作限制。在本公开实施例中以第一发光控制晶体管T15和第二发光控制晶体管T16的栅极均连接发光控制线EM为例进行说明。
例如，第一复位控制信号和第二复位控制信号可以相同，即，第一复位晶体管T11的栅极和第二复位晶体管T17的栅极可以电连接到同一条信号线，例如第一复位信号线Rst11，以接收相同的信号(例如，第一子复位控制信号)，此时，显示基板可以不设置第二复位信号线Rst12，减少信号线的数量。又例如，第一复位晶体管T11的栅极和第二复位晶体管T17的栅极也可以分别电连接至不同的信号线，即第一复位晶体管T11的栅极电连接到第一复位信号线Rst11，第二复位晶体管T17的栅极电连接到第二复位信号线Rst12，而第一复位控制信号线Rst11和第二复位信号线Rst12传输的信号相同。需要说明的是，第一复位信号和第二复位信号也可以不相同。在本公开实施例中以第一复位晶体管T11 的栅极和第二复位晶体管T17的栅极均电连接到复位控制信号线Rst为例。
例如，在一些示例中，第二复位控制信号可以与扫描信号相同，即第二复位晶体管T17的栅极可以电连接到扫描信号线Ga(A)以接收扫描信号作为第二子复位控制信号。
例如，第一复位晶体管T11的源极和第二复位晶体管T17的漏极分别连接到第一初始化信号线VInit11和第二初始化信号线VInit12，第一初始化信号线 VInit11和第二初始化信号线初始化信号线VInit12可以为直流参考电压端，以输出恒定的直流参考电压。第一初始化信号线VInit11和第二初始化信号线初始化信号线VInit12可以相同，例如第一复位晶体管T11的源极和第二复位晶体管 T17的漏极连接到同一初始化信号线。第一初始化信号线VInit11和第二初始化信号线初始化信号线VInit12可以为高压信号线，也可以为低压信号线，只要其能够提供第一复位信号和第一复位信号以对驱动晶体管T13的栅极和发光元件的第一极进行复位即可，本公开对此不作限制。例如，第一复位晶体管T11的源极和第二复位晶体管T17的漏极可以均连接至复位电源信号线Init。
需要说明的是，在本公开实施例中，以第一复位晶体管T11的栅极和第二复位晶体管的T17的栅极均电连接Rst11；第一复位晶体管T11的源极和第二复位晶体管的T17的漏极均电连接复位电源信号线Init为例进行说明。另外，图2 所示的像素电路中的第一复位子电路11、阈值补偿子电路12、驱动子电路13、数据写入子电路14、第一发光控制子电路15、第二发光控制子电路16、第二复位子电路17及存储子电路8仅为示意性的，第一复位子电路11、阈值补偿子电路12、驱动子电路13、数据写入子电路14、第一发光控制子电路15、第二发光控制子电路16、第二复位子电路17及存储子电路8等子电路的具体结构可以根据实际应用需求进行设定，本公开的实施例对此不作具体限定。
需要说明的是，在本公开实施例中，子像素的像素电路除了可以为图2所示的7T1C(即七个晶体管和一个电容)结构之外，还可以为包括其他数量的晶体管和电容的电路结构，如7T12C结构、6T1C结构、6T12C结构或者9T12C 结构，本公开实施例对此不作限定。
在发明实施例中的发光器件D可以是有机电致发光二极管(Organic LightEmitting Diode，OLED)。当然，发光器件D还可以是微型无机发光二极管，进一步地，可以为电流型发光二极管，如微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)或者迷你发光二极管(Mini Light Emitting Diode，Mini LED)。发光器件D的第一电极和第二极中的一者为阳极，另一者为阴极；在本发明实施例中以发光器件D的第一极为阳极，第二极为阴极为例进行说明。
发明人发现，通常像素驱动电路中的各晶体管均采用低温多晶硅晶体管，且其中的第一复位晶体管的漏极和阈值补偿晶体管的源极均连接驱动晶体管的栅极，因此，第一复位晶体管和阈值补偿晶体管漏电时，会影响驱动晶体管的栅极电压，造成显示异常的问题。
针对上述问题，在本公开实施例中提供如下技术方案。
第一方面，图3为本公开实施例的一种像素驱动电路的示意图；如图3所示，本公开实施例提供一种像素驱动电路，其包括：数据写入子电路24、阈值补偿子电路22、驱动子电路23、存储子电路29、第一复位子电路21和第二复位子电路25；其中，驱动子电路23和存储子电路29的第二端之间的连接节点为第一节点N1；数据写入子电路24和存储子电路29的第二端之间的连接节点为第二节点N2；驱动子电路23和阈值补偿子电路22之间的连接节点为第三节点N3。在本公开实施例中，第一复位子电路21，被配置为在所述第一复位信号的控制下，通过第一初始化信号对第一节点N1的电位进行初始化(也即复位)。第二复位子电路25被配置为在第二复位信号的控制下，将参考电压写入第二节点N2，以对第二节点N2进行复位。数据写入子电路24被配置为响应于第一扫描信号，将数据电压信号传输至第二节点N2，并通过存储子电路29进行存储；阈值补偿子电路22被配置为响应于第二扫描信号，将阈值电压写入第一节点 N1。驱动子电路23被配置为根据第一节点N1和第三节点N3的电位为待驱动的发光器件D提供驱动电流。存储子电路29被配置为数据电压进行存储。
其中，在本公开实施例中第一复位子电路21可以包括第一晶体管T21，阈值补偿子电路22可以包括第二晶体管T22。第一晶体管T21的源极连接第一初始化信号线Init21，第一晶体管T21的漏极连接第一节点N1，第一晶体管T21 的栅极连接第一复位信号线Rst21。第二晶体管T22的源极连接第一节点N1，第二晶体管T22的漏极连接第三节点N3，第二晶体管T22的栅极连接第二扫描线Ga2。特别的是，第一晶体管T21和第二晶体管T22中至少一者为氧化物薄膜晶体管。由于第一晶体管T21的漏极和第二晶体管T22的源极均连接第一节点N1，此时，若第一晶体管T21采用氧化物薄膜晶体管，可以有效的避免第一晶体管T21漏电而影响第一节点N1的电位，同理，若第二晶体管T22采用氧化物薄膜晶体管，可以有效的避免第二晶体管T22漏电而影响第一节点N1的电位。需要说明的是，为尽可能的保证像素驱动电路的性能，在本公开实施例中优选的第一晶体管T21和第二晶体管T22均采用氧化物薄膜晶体管。在以下描述中也均以第一晶体管T21和第二晶体管T22均采用氧化物薄膜晶体管为例进行描述。
在一些示例中，第一晶体管T21和第二晶体管T22不仅均采用氧化物薄膜晶体管，而且二者开关特性相同，在该种情况下，可以在形成第一晶体管T21 的同时形成第二晶体管T22，故不会增加工艺步骤和成本。在本公开实施例中，以第一晶体管T21和第二晶体管T22均采用N型晶体管为例。
在一些示例中，继续参照图3，本公开实施例中像素驱动电路不仅包括上述结构，而且还可以包括第一发光控制子电路26和第二发光控制子电路27。第一发光控制子电路26被配置为在第一发光控制信号的控制下，将驱动子电路23 生成的驱动电流传输给待驱动的发光器件D；第二发光控制子电路27被配置为在第二发光控制信号的控制下，将参考电压传输至所述第二节点N2。
例如：第一发光控制子电路26包括第六晶体管T26，第二发光控制子电路 27包括第七晶体管T27。第六晶体管T26的源极连接第三节点N3，第六晶体管 T26的漏极连接待驱动的发光器件D的阳极，第六晶体管T26的栅极连接发光控制线EM第一发光控制线EM21。第七晶体管T27的源极连接参考电压线，第七晶体管T27的漏极连接第二节点N2，第七晶体管T27的栅极连接发光控制线 EM第二发光控制线EM22。在一些示例中，由于第一发光控制子电路26(第六晶体管T26)和第二发光控制子电路27(第七晶体管T27)均发光阶段工作，也即二者的工作时序相同故用以控制第一发光控制子电路26的发光控制线 EM第一发光控制线EM21和用以控制第二发光控制子电路27的发光控制线EM 第二发光控制线EM22可以为同一发光控制线EM。在下述描述中，以发光控制线EM第一发光控制线EM21和发光控制线EM第二发光控制线EM22为同一发光控制线EM为例，也即发光控制线EM第一发光控制线EM21和发光控制线EM第二发光控制线EM22均称之为发光控制线EM。在一些示例中，第六晶体管T26和第七晶体管T27的开关特性可以相同，且可以与第一晶体管T21的开关特性，也即第一晶体管T21采用N型晶体管，此时第六晶体管T26和第七晶体管T27均采用P型晶体管，否则反之。在一些示例中，第六晶体管T26和第七晶体管T27可以为低温多晶硅薄膜晶体管也可以为氧化物薄膜晶体管。在本公开实施例中以第六晶体管T26和第七晶体管T27均采用低温多晶硅薄膜晶体管为例。
具体的，在初始化阶段，第一复位信号线Rst21写入高电平信号，第一晶体管T21打开，通过第一初始化信号线Init21上所写入的第一初始化信号对第一节点N1的电位进行初始化。与此同时，第二复位信号为工作电平信号，第二复位子电路25工作，并将参考电压写入第二节点N2，以对第二节点N2的电位进行初始化。数据电压写入及阈值补偿阶段，第一扫描信号为工作电平信号，数据写入子电路24工作，数据电压信号经由数据写入子电路24写入第二节点N2，也即第二节点N2的电位为Vdata21；与此同时，第二扫描线Ga2被写入高电平信号，第二晶体管T22开启，阈值电压Vth经由第二晶体管T22写入第一节点N1，此时第一节点N1的电位第一电源电压VDD21和阈值电压Vth之和，也即第一节点N1的电位为VDD21+Vth。在发光阶段，给发光控制线EM写入低电平信号，第六晶体管T26和第七晶体管T27同时打开，第二节点N2的电位由 Vdata21跳变为参考电压Vref，在存储子电路29的作用下，将第二节点N2的跳变电压写入第一节点N1，此时第一节点N1的电位为 VDD21+Vth+Vref-Vdata21。此时，驱动子电路23根据第一节点N1和第三节点 N3的产生的驱动电流，驱动发光器件D发光。
在一些示例中，继续参照图3，本公开实施例中像素驱动电路不仅包括上述结构，而且还可以包括第三复位子电路28。该第三复位子电路28被配置为在第三复位信号的控制线，通过第二初始化信号对发光器件D的阳极的电位进行复位。在本公开实施例中，对第一节点N1采用第一复位子电路21进行复位，对发光器件D的阳极采用第二复位子电路25进行复位；也即，对第一节点N1的复位电路和对发光器件D的阳极的复位电路是两个不同复位电路。在该种情况下，相较于现有产品对于发光器件D的阳极的复位可以单独控制，此时，对于发光器件D在显示不同灰阶时，可以采用不同的初始化电压进行复位，而且不仅可以在刷新每一帧画面时的初始化阶段通过第三复位子电路28对发光器件D 的阳极进行初始化，而且还可以在保持帧时通过第三复位子电路28进行初始化。其中，保持帧是指刷新两帧画面之间的时段。这样一来，可以有效的改善刷新帧和保持帧的亮度差异，降低显示面板出现闪烁(Flicker)的概率。
例如：第三复位子电路28可以包括第八晶体管T28，该第八晶体管T28的源极连接待驱动的发光器件D阳极，第八晶体管T28的漏极连接第二初始化信号线Init22，第八晶体管T28的栅极连接第三复位信号线Rst23。
在一些示例中，第八晶体管T28的开关特性可以与第一晶体管T21的开关特性相同，也即第一发光控制电路中的第六晶体管T26的开关特性相反。此时，发光控制线EM可以复用为第三复位信号线Rst23。例如：采用PWM调制信号作为发光控制信号，以一个周期(刷新一帧的时间+保持帧的时间)发光控制线 EM插入四个脉冲信号为例。在初始化阶段，给发光控制线EM写入的发光控制信号为高电平信号，第八晶体管T28打开，通过第二初始化线所写入的第二初始化信号对发光器件D的阳极进行复位。在发光阶段，给发光控制线EM写入的发光控制信号为低电平信号，第六晶体管T26打开，驱动子电路23产生的驱动电流经由第六晶体管T26传输给发光器件D，以驱动发光器件D发光。当发光控制线EM和第三复位信号线Rst23复用时，可以有效的减少控制信号线条数，有助于提高应用该像素驱动电路的显示基板的像素开口率。当然，采用单独的第三复位信号线Rst23对第八晶体管T28进行控制也是可行的，此时第八晶体管T28也可以不与第一晶体管T21的开关特性相同，可以采用与第六晶体管T26 的开关特性相同的薄膜晶体管。
进一步的，当本公开实施例中的第三复位子电路28中的第八晶体管T28采用与第一复位子电路21中的第一晶体管T21开关特性相同的薄膜晶体管时，第八晶体管T28优选的采用氧化物薄膜晶体管，这样一来，在形成第一晶体管T21 的同时可以形成第八晶体管T28，不会增加工艺步骤和成本。当然，第八晶体管 T28采用其他类型的薄膜晶体管也是可行的，例如采用低温多晶硅薄膜晶体管。在一些示例中，在本公开实施例中，无论上述任一像素驱动电路，其中的驱动子电路23包括第三晶体管T23，该第三晶体管T23的源极连接第一电源电压线 VDD21，第三晶体管T23的漏极连接第三节点N3，第三晶体管T23的栅极连接第一节点N1。
例如：在发光阶段，该第三晶体管T23则可以根据其栅极(第一节点N1) 和源极(VDD)的电位产生相应的驱动电流，以驱动发光器件D发光。在一些示例中，第三晶体管T23的开关特性与第一开关晶体管的开关特性相反，也即第三晶体管T23采用P型晶体管。
在一些示例中，继续参照图3，在本公开实施例中，无论上述任一像素驱动电路，其中的数据写入子电路24可以包括第四晶体管T24，该第四晶体管T24 的源极连接数据线Data21，第四晶体管T24的漏极连接第二节点N2，第四晶体管T24的栅极连接第一扫描线Ga1。
例如：第四晶体管T24的开关特性与第一复位子电路21中的第一晶体管 T21的开关特性相反，也即第四晶体管T24采用P型晶体管。具体的，在数据写入及阈值补偿阶段，第一扫描线Ga1写入低电平信号，第四晶体管T24打开，数据线Data21上写入的数据电压信号通过第四晶体管T24被写入第二节点N2，并通过存储子电路29进行存储。当然，第四晶体管T24也可以与第一复位子电路21中的第一晶体管T21的开关特性相同，也即第四晶体管T24也可以采用N 型晶体管，此时第四晶体管T24则在第一扫描线Ga1写入高电平信号时工作。另外，本公开实施例中的第四晶体管T24可以为氧化物薄膜晶体管也可以低温多晶体硅薄膜晶体管，或者其他类型的薄膜晶体管，本公开实施例中以第四晶体管T24采用低温多晶硅薄膜晶体管为例。
在一些示例中，继续参照图3，在本公开实施例中，无论上述任一像素驱动电路，其中的第二复位子电路25可以包括第五晶体管T25，该第五晶体管T25 的源极连接参考电压线，第五晶体管T25的漏极连接第二阶段，第五晶体管T25 的栅极连接第二复位信号线Rst22。
例如：第五晶体管T25与第一复位子电路21中的第一晶体管T21的开关特性相反时，也即，第五晶体管T25采用P型晶体管。具体的，在初始化阶段，可以通过给第二复位信号线Rst22写入低电平信号，第五晶体管T25打开，此时通过参考电压线上写入的参考电压对第二节点N2的电位进行初始化，也即完成第二节点N2的复位。当然，第五晶体管T25也可以与第一复位子电路21中的第一晶体管T21的开关特性相同，也即第五晶体管T25也可以采用N型晶体管，此时第五晶体管T25则在第一扫描线Ga1写入高电平信号时工作。另外，本公开实施例中的第五晶体管T25可以为氧化物薄膜晶体管也可以低温多晶体硅薄膜晶体管，或者其他类型的薄膜晶体管，本公开实施例中以第五晶体管T25 采用低温多晶硅薄膜晶体管为例。
在一些示例中，继续参照图3在本公开实施例中，无论上述任一像素驱动电路，其中的存储子电路29可以包括存储电容Cst21，该存储电容Cst21的第一端连接第二节点N2，存储电容Cst21的第二端连接第一节点N1。对于存储电容Cst21在像素驱动电路中的具体功能，在下述像素驱动电路的驱动方法中进行详细描述。
如图3所示，本公开实施例提供一种像素驱动电路，数据写入子电路24、阈值补偿子电路22、驱动子电路23、存储子电路29、第一复位子电路21、第二复位子电路25、第三复位子电路28、第一发光控制子电路26和所述第二发光控制子电路27；其中，驱动子电路23和存储子电路29的第二端之间的连接节点为第一节点N1；数据写入子电路24和所述存储子电路29的第一端之间的连接节点为第二节点N2；驱动子电路23和所述阈值补偿子电路22之间的连接节点为第三节点N3；第一复位子电路21包括第一晶体管T21；第二复位子电路 25包括第五晶体管T25；驱动子电路23包括第三晶体管T23；数据写入子电路 24包括第四晶体管T24；阈值补偿子电路22包括第二晶体管T22；第一发光控制子电路26包括第六晶体管T26；第二发光控制子电路27包括第七晶体管T27；第三复位子电路28包括第八晶体管T28；存储子电路29包括存储电容Cst21。其中，第一晶体管T21和第二晶体管T22中的至少一者采用氧化薄膜晶体管，在下述描述中以第一晶体管T21和第二晶体管T22均采用氧化物薄膜晶体管为例。另外，第八晶体管T28也可以采用氧化物薄膜晶体管，且为了减少工艺步骤，第一晶体管T21、第二晶体管T22和第八晶体管T28的开关特性相同，在本公开实施例中以第一晶体管T21、第二晶体管T22和第八晶体管T28采用N 型晶体管为例。第三晶体管T23、第四晶体管T24、第五晶体管T25、第六晶体管T26和第七晶体管T27的开关特性与第一晶体管T21的开关特性相反，也即第三晶体管T23、第四晶体管T24、第五晶体管T25、第六晶体管T26和第七晶体管T27为P型晶体管，另外，在本公开实施例中第三晶体管T23、第四晶体管T24、第五晶体管T25、第六晶体管T26和第七晶体管T27均可以采用低温多晶硅薄膜晶体管，当然第三晶体管T23、第四晶体管T24、第五晶体管T25、第六晶体管T26和第七晶体管T27也可以采用氧化物薄膜晶体管或者其他类型的薄膜晶体管，在本公开实施例中以第三晶体管T23、第四晶体管T24、第五晶体管T25、第六晶体管T26和第七晶体管T27采用低温多晶硅薄膜晶体管为例。具体的，第一晶体管T21的源极连接第一初始化信号线Init21，第一晶体管T21 的漏极连接第一节点N1，第一晶体管T21的栅极连接第一复位信号线Rst21。第五晶体管T25的源极连接参考电压线，第五晶体管T25的漏极连接第二节点 N2，第五晶体管T25的栅极连接第二复位信号线Rst22。第三晶体管T23的源极连接第一电源电压线VDD21，第三晶体管T23的漏极连接第三节点N3，第三晶体管T23的栅极连接所述第一节点N1。第四晶体管T24的源极连接数据线Data21，第四晶体管T24的漏极连接所述第二节点N2，第四晶体管T24的栅极连接第一扫描线Ga1。第二晶体管T22的源极连接第一节点N1，第二晶体管T22 的漏极连接所述第二节点N2，第二晶体管T22的栅极连接第二扫描线Ga2。第六晶体管T26的源极连接第三节点N3，第六晶体管T26的漏极连接所述待驱动的发光器件D，第六晶体管T26的栅极连接发光控制线EM。第七晶体管T27 的源极连接参考电压线，第七晶体管T27的漏极连接第二节点N2，第七晶体管 T27的栅极连接发光控制线EM。第八晶体管T28的源极连接待驱动的发光器件D的阳极，第八晶体管T28的漏极连接第二初始化信号线Init22，第八晶体管 T28的栅极连接第三复位信号线Rst23，由于第八晶体管T28和第六晶体管T26 的开关特性不同，故第八晶体管T28的控制极还可以连接发光控制线EM。存储电容Cst21的第一端连接第二节点N2，存储电容Cst21的第二端连接第一节点 N1。
为了更清楚理解本公开实施例中的像素驱动电路，以下结合该像素驱动电路驱动方法进行说明。其中，图4为图3所示的像素驱动电路的一种工作时序图，图5为图3所示的像素驱动电路的一种工作时序图。其中，图4和图5的区别仅在于第八晶体管T28由第三复位控制线控制还是由发光控制线EM控制，无论是图4的时序还是图5的时序工作原理大致形同，以下以在图5的时序的控制下为例进行说明。需要说明的是，由于第八晶体管T28的栅极和第六晶体管T26的栅极句连接发光控制线EM，此时发光控制线EM所写入的发光控制信号为PWM调制信号，以一个周期(刷新一帧的时间+保持帧的时间)发光控制线EM插入四个脉冲信号为例。
初始化阶段(T1)：第一复位信号线Rst21写入的第一复位信号为高电平信号，第二复位信号线Rst22写入的第二复位信号为低电平信号，发光控制线EM 写入的发光控制信号为高电平信号，此时第一晶体管T21、第五晶体管T25和第八晶体管T28均打开，第一初始化信号线Init21上写入的第一初始化信号通过第一晶体管T21写入第一节点N1，也即第一节点N1的电位为Vint1；参考电压线上写入的参考电压通过第五晶体管T25写入第二节点N2，也即第二节点 N2的电位为Vref；第二初始化信号线Init22上写入的第二初始化信号通过第八晶体管T28写入待驱动的发光器件D的阳极，也即待驱动的发光器件D的阳极的电位为Vint22。需要说明的是，Vint21为第三晶体管T23的栅极的复位电压，一般取值在-1V～-5V之间，具体设定值可以结合补偿效果和黑画面下的亮度情况设定。Vint2可以对随待驱动的发光器件D的阴极电压VSS21进行设置，也可为脉冲信号，一般Vint2设置接近VSS21，或者恰好可以保证发光器件D不开启的电压(例如-2V～-6V之间)。
数据写入及阈值补偿阶段(T2)：第一扫描信号线写入低电平信号，第二扫描信号写入高电平信号，此时第二晶体管T22和第四晶体管T24打开，数据线 Data21上写入的数据电压信号经由第四晶体管T24写入第二节点N2，也即第二节点N2的电位为Vdata21；与此同时，由于第二晶体管T22开启，阈值电压 Vth经由第二晶体管T22写入第一节点N1，此时第一节点N1的电位第一电源电压VDD21和阈值电压Vth之和，也即第一节点N1的电位为VDD21+Vth。
发光阶段(T3)：发光控制线EM写入低电平信号，第六晶体管T26和第七晶体管T27同时打开，第二节点N2的电位由Vdata跳变为参考电压Vref，在存储电容Cst21的作用下，将第二节点N2的跳变电压写入第一节点N1，此时第一节点N1的电位为VDD21+Vth+Vref-Vdata21。此时，第三晶体管T23产生的驱动电流驱动发光器件D发光。
另外，在每一帧画面刷新完成之后进入帧保持阶段，此时，发光控制信号为高电平信号，第八晶体管T28打开，通过第二初始化信号线Init22上写入的第二初始化信号对发光器件D的阳极电压进行复位，以保证在显示基板中的各发光器件D阳极电压在下一帧画面刷新的起始时刻的电压一直，从而有效的提升发光器件D的响应时间的一致性，有利于改善低灰阶Mura和Flicker。
第二方面，本发明实施例还提供一种显示面板，其包括上述的任意一种像素驱动电路，因此，本实施例的显示面板的显示效果较佳。
其中，显示面板可以为液晶显示装置或者电致发光显示装置，例如：OLED 面板、Micro LED面板，Mini LED面板，手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (18)

1.一种像素驱动电路，其包括：数据写入子电路、阈值补偿子电路、驱动子电路、存储子电路、第一复位子电路和第二复位子电路；其中，所述驱动子电路和所述存储子电路的第二端之间的连接节点为第一节点；所述数据写入子电路和所述存储子电路的第二端之间的连接节点为第二节点；所述驱动子电路和所述阈值补偿子电路之间的连接节点为第三节点；
所述第一复位子电路，包括第一晶体管，所述第一晶体管的控制极连接第一复位信号线，第一极连接第一初始化信号线，第二极连接所述第一节点；
所述第二复位子电路，被配置为在第二复位信号的控制下，通过参考电压对所述第二节点的电位进行复位；
所述数据写入子电路，被配置为响应于第一扫描信号，将数据电压信号传输至所述第二节点，并通过所述存储子电路进行存储；
所述阈值补偿子电路，包括第二晶体管，所述第二晶体管的第一极连接所述第一节点，第二极连接所述第二节点，控制极连接第二扫描线；
所述驱动子电路，被配置为根据所述第一节点和所述第三节点的电位为待驱动的发光器件提供驱动电流；
所述存储子电路，被配置为对数据电压进行存储；其中，
所述第一晶体管和/或所述第二晶体管包括氧化薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其中，还包括：第一发光控制子电路和第二发光控制子电路；
所述第一发光控制子电路，被配置为在第一发光控制信号的控制下，将所述驱动子电路生成的驱动电流传输给所述待驱动的发光器件；
所述第二发光控制子电路，被配置为在第二发光控制信号的控制下，将所述参考电压传输至所述第二节点。
3.根据权利要求2所述像素驱动电路，其中，所述第一发光控制子电路包括第六晶体管；所述第二发光控制子电路包括第七晶体管；
所述第六晶体管的第一极连接所述第三节点，第二极连接所述待驱动的发光器件，控制极连接第一发光控制线；
所述第七晶体管的第一极连接参考电压线，第二极连接所述第二节点，控制极连接第二发光控制线。
4.根据权利要求3所述的像素驱动电路，其中，所述第六晶体管和所述第七晶体管的开关特性相同，且均与所述第一晶体管的开关特性相反。
5.根据权利要求4所述的像素驱动电路，其中，还包括：第三复位子电路；
所述第三复位子电路，被配置为在第三复位信号的控制线，通过第二初始化信号对所述待驱动的发光器件进行初始化。
6.根据权利要求5所述的像素驱动电路，其中，所述第三复位子电路包括第八晶体管；
所述第八晶体管的第一极连接所述待驱动的发光器件的第一极，第二极连接第二初始化信号线，控制极连接第三复位信号线。
7.根据权利要求6所述的像素驱动电路，其中，所述第八晶体管与所述第六晶体管的开关特性相反，所述第一发光控制线与所述第但复位信号线复用。
8.根据权利要求6所述的像素驱动电路，其中，所述第八晶体管包括氧化物薄膜晶体管。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的像素驱动电路，其中，所述驱动子电路包括：第三晶体管；
所述第三晶体管的第一极连接所述第一电源电压线，第二极连接所述第三节点，控制极连接所述第一节点。
10.根据权利要求9所述的像素驱动电路，其中，所述第三晶体管与所述第一晶体管的开关特性相反。
11.根据权利要求1-8中任一项所述的像素驱动电路，其中，所述数据写入子电路包括：第四晶体管；
所述第四晶体管的第一极连接数据线，第二极连接所述第二节点，控制极连接第一扫描线。
12.根据权利要求11所述的像素驱动电路，其中，所述第四晶体管与所述第一晶体管的开关特性相反。
13.根据权利要求1-8中任一项所述的像素驱动电路，其中，所述第二复位子电路包括：第五晶体管；
所述第五晶体管的第一极连接参考电压线，第二极连接所述第二节点，控制极连接第二复位信号线。
14.根据权利要求13所述的像素驱动电路，其中，所述第五晶体管与所述第一晶体管的开关特性相反。
15.根据权利要求1-8中任一项所述的像素驱动电路，其中，所述存储子电路包括存储电容，所述存储电容的第一端连接所述第二节点。第二端连接所述第一节点。
16.一种像素驱动电路，其包括：数据写入子电路、阈值补偿子电路、驱动子电路、存储子电路、第一复位子电路、第二复位子电路、第三复位子电路、第一发光控制子电路和所述第二发光控制子电路；其中，所述驱动子电路和所述存储子电路的第二端之间的连接节点为第一节点；所述数据写入子电路和所述存储子电路的第一端之间的连接节点为第二节点；所述驱动子电路和所述阈值补偿子电路之间的连接节点为第三节点；
所述第一复位子电路，包括第一晶体管，所述第一晶体管的第一极连接第一初始化信号线，第二极连接所述第一节点，控制极连接第一复位信号线；
所述第二复位子电路包括，第五晶体管，所述第五晶体管的第一极连接参考电压线，第二极连接所述第二节点，控制极连接第二复位信号线；
所述驱动子电路包括，第三晶体管，所述第三晶体管的第一极连接第一电源电压线，第二极连接所述第三节点，控制极连接所述第一节点；
所述数据写入子电路包括：第四晶体管，所述第四晶体管的第一极连接数据线，第二极连接所述第二节点，控制极连接第一扫描线；
所述阈值补偿子电路，包括第二晶体管，所述第二晶体管的第一极连接所述第一节点，第二极连接所述第二节点，控制极连接第二扫描线；
所述第一发光控制子电路包括第六晶体管，所述第六晶体管的第一极连接所述第三节点，第二极连接所述待驱动的发光器件，控制极连接第一发光控制线；
所述第二发光控制子电路，包括第七晶体管，所述第七晶体管的第一极连接参考电压线，第二极连接所述第二节点，控制极连接第二发光控制线；
所述第三复位子电路，包括第八晶体管，所述第八晶体管的第一极连接所述待驱动的发光器件的第一极，第二极连接第二初始化信号线，控制极连接第三复位信号线；
所述存储子电路，包括存储电容，所述存储电容的第一端连接所述第二节点，第二端连接所述第一节点；
所述第一晶体管和/或所述第二晶体管包括氧化薄膜晶体管。
17.根据权利要求16所述的像素驱动电路，其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第八晶体管的开关特性相同；
所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管和所述第七晶体管的开关特性相同；且所述第一晶体管与所述第三晶体管的开关特性相反。
18.一种显示面板，其包括权利要求1-17中任一项所述的像素驱动电路。
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