CN115831979B - 阵列基板、制造方法、像素驱动电路及显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请属于显示技术领域，具体涉及阵列基板、制造方法、像素驱动电路及显示面板；在最小的像素单元内设置第一有机发光二极管和第二有机发光二极管，在驱动晶体管导通时，第一有机发光二极管进行显示发光，并向该存储电容进行充电；在驱动晶体管关闭时，该存储电容向第二有机发光二极管放电，使第二有机发光二极管进行显示发光；其中，在设定时间内，该驱动晶体管导通和关闭交替循环，以使该第一有机发光二极管与第二有机发光二极管交替显示，进而避免了单个有机发光二极管在长时间显示下造成老化受损而形成烧屏的现象。此外，驱动晶体管的导通和关闭交替循环，还可以降低驱动晶体管的使用时长，改善驱动晶体管阈值电压偏移而造成的残影现象。

Description

阵列基板、制造方法、像素驱动电路及显示面板

技术领域

本申请属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、制造方法、像素驱动电路及显示面板。

背景技术

有机发光二极管(OLED，Organic Light-Emitting Display)是一种可以电激发荧光有机化合物的发光显示装置，其具有自发光、响应速度快、对比度高、视角广等特点，因此，OLED得到广泛应用。

OLED显示的发光亮度与流过OLED器件的电流大小呈正比例关系。由于OLED在长时间处于同一画面显示之后，在切换画面时，OLED显示面板易出现亮度未消失的现象。并且在OLED显示面板驱动时开关会持续出现阈值偏移的情况，使其在同样驱动电压下产生不同的驱动电流，导致显示灰阶亮度不一致；OLED器件会随着使用时间的增长产生退化的效果，因为存在不同区域显示时间不一致而导致的退化程度不一样，会导致发光亮度不一致而形成残影的现象。

现有的为解决OLED残影的问题，通常采用像素补偿电路来补偿OLED驱动TFT阈值电压，使OLED驱动电流一致，以避免残影的产生。但是像素补偿需要提前收集开关的电性曲线，通过曲线来判定供给电压具体补偿多少；这种做法存在电路设计复杂、响应速度慢，集成难度高、影响OLED面板开口率等问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种阵列基板、制造方法、像素驱动电路及显示面板，防止在同一画面长时间显示，OLED器件老化受损而产生烧屏或残影的问题。

本申请第一方面提供了一种阵列基板，包括衬底基板以及形成于所述衬底基板上的多个阵列排布的像素单元；所述像素单元包括：

驱动晶体管，包括栅极、第一极和第二极，所述栅极设于所述衬底基板上，所述第一极和所述第二极同层且间隔设置，所述第一极和所述第二极设于所述栅极远离所述衬底基板的一侧，且所述第一极和所述第二极与所述栅极绝缘设置；

公共电极线，所述公共电极线与所述栅极同层且间隔设置；

第一有机发光二极管，包括第一阳极，所述第一阳极通过过孔与所述第一极连接；

第二有机发光二极管，所述第二有机发光二极管设于所述第一有机发光二极管靠近所述衬底基板的一侧，且所述第二有机发光二极管与所述第一极和所述第二极绝缘设置，所述第二有机发光二极管包括第二阳极，所述第二阳极搭接于所述公共电极线上；

其中，在所述驱动晶体管导通时，所述第一阳极与所述公共电极线之间形成存储电容，并向所述存储电容充电，在所述驱动晶体管关闭时，所述第一有机发光二极管关闭，所述存储电容向所述第二阳极放电，以使所述第二有机发光二极管打开，在设定时间内，所述驱动晶体管导通和关闭交替循环，以使所述第一有机发光二极管和所述第二有机发光二极管在所述设定时间内交替显示。

在本申请的一种示例性实施例中，所述公共电极线为线框结构，所述公共电极线在所述衬底基板上的正投影位于所述第二阳极在所述衬底基板上的正投影内。

在本申请的一种示例性实施例中，所述第二有机发光二极管在所述衬底基板上的正投影与所述第一极和所述第二极在所述衬底基板上的正投影不存在交叠。

在本申请的一种示例性实施例中，所述第一有机发光二极管还包括第一有机发光层和第一阴极，所述第一有机发光层和所述第一阴极在所述衬底基板上的正投影位于所述第一阳极在所述衬底基板的正投影内；

所述第二有机发光二极管还包括第二有机发光层和第二阴极，所述第二有机发光层和第二阴极在所述衬底基板上的正投影位于所述第二阳极在所述衬底基板的正投影内。

在本申请的一种示例性实施例中，所述像素单元还包括数据线、扫描线和连接晶体管，所述数据线在列方向上延伸设置，所述扫描线在行方向上延伸设置，所述连接晶体管的一端连接所述数据线，另一端连接所述驱动晶体管的第二极；所述连接晶体管在所述衬底基板上的正投影位于所述扫描线在所述衬底基板上的正投影内。

在本申请的一种示例性实施例中，所述第一阳极和所述第二阳极均为氧化铟锡。

本申请第二方面提供了一种制造如上述任一项所述的阵列基板的制造方法，包括：

在衬底基板上形成栅极和公共电极线；

在所述公共电极线上形成第二有机发光二极管；

在所述衬底基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极、所述公共电极线和所述第二有机发光二极管；

在所述第一绝缘层上形成半导体层、第一极和第二极，所述第一极和所述第二极同层且间隔设置，所述第一极和所述第二极搭接于所述半导体层的两端；

在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧制备第二绝缘层，并对所述第二绝缘层开设过孔，露出部分所述第一极；

在所述第二绝缘层上形成第一有机发光二极管，所述第一有机发光二极管的第一阳极通过所述过孔与所述第一极连接。

在本申请的另一种示例性实施例中，在所述公共电极线上形成第二有机发光二极管以及在所述第二绝缘层上形成第一有机发光二极管包括：

通过蒸镀的方式在所述公共电极线以及在所述第二绝缘层上分别形成所述第二有机发光二极管和所述第一有机发光二极管。

本申请第三方面提供了一种像素驱动电路，包括数据线、扫描线、驱动晶体管、存储电容、第一有机发光二极管和第二有机发光二极管，所述驱动晶体管包括第一端、第二端和控制端，所述驱动晶体管的第一端与所述数据线连接，所述控制端与所述扫描线连接，所述驱动晶体管的第二端与所述第一有机发光二极管连接，且所述第二端与所述存储电容的第一端连接，所述存储电容的第二端与所述第二有机发光二极管连接；

当所述驱动晶体管导通时，所述第一有机发光二极管进行显示，并对所述存储电容进行充电，所述第二有机发光二极管不显示；

当所述驱动晶体管关闭时，所述第一有机发光二极管不显示，所述存储电容进行放电，所述第二有机发光二极管进行显示；

在设定时间内，所述驱动晶体管导通和关闭交替循环，以使所述第一有机发光二极管和所述第二有机发光二极管在所述设定时间内交替显示。

本申请第四方面提供了一种显示面板，包括封装层和上述任一项所述的阵列基板，所述封装层设于第一有机发光二极管远离衬底基板的一侧。

本申请方案具有以下有益效果：

本申请方案包括阵列基板、制造方法、像素驱动电路及显示面板；其中，在最小的像素单元内设置第一有机发光二极管和第二有机发光二极管，在驱动晶体管导通时，第一有机发光二极管进行显示发光，并向该存储电容进行充电，在驱动晶体管关闭时，该存储电容向第二有机发光二极管放电，使第二有机发光二极管进行显示发光；其中，在设定时间内，该驱动晶体管导通和关闭交替循环，以使该第一有机发光二极管与第二有机发光二极管交替显示，进而避免了单个有机发光二极管在长时间显示下造成老化受损而形成烧屏的现象。此外，驱动晶体管的导通和关闭交替循环，还可以降低驱动晶体管的使用时长，改善驱动晶体管阈值电压偏移而造成的残影现象。

本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本申请的实践而习得。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本申请实施例一、实施例二或实施例四中提供的阵列基板的剖面结构示意图；

图2示出了本申请实施例一或实施例三中提供的像素驱动电路的电路图；

图3示出了本申请实施例一、实施例二、实施例三或实施例四提供的在设定时间内第一有机发光二极管和第二有机发光二极管交替显示的时序图；

图4示出了本申请实施例一、实施例二、实施例三或实施例四中提供的第一有机发光二极管和第二有机发光二极管的结构示意图；

图5示出了本申请实施例一、实施例二、实施例三或实施例四中提供的阵列基板的平面结构示意图；

图6示出了本申请实施例二中提供的制造阵列基板的流程示意图；

图7示出了本申请实施例一或实施例二提供的公共电极线和扫描线的结构示意图；

图8示出了本申请实施例二提供的公共电极线和扫描线设于衬底基板上的结构示意图；

图9示出了本申请实施例一或实施例二提供的第二阳极设于公共电极线上的结构示意图；

图10示出了本申请实施例二提供的第二有机发光二极管设于公共电极线上的结构示意图；

图11示出了本申请实施例二提供的衬底基板上还设有第一绝缘层的结构示意图；

图12示出了本申请实施例一或实施例二提供的驱动晶体管通过连接晶体管连接数据线的结构示意图；

图13示出了本申请实施例二提供的衬底基板上还设有第一极、第二极和半导体层的结构示意图；

图14示出了本申请实施例二提供的衬底基板上设有开设过孔的第二绝缘层；

图15示出了本申请实施例四提供的阵列基板和封装层结构示意图。

附图标记说明：

1、显示面板；10、阵列基板；101、衬底基板；102、驱动晶体管；1021、栅极；1022、第一极；1023、第二极；1024、半导体层；1025、第一绝缘层；1026、第二绝缘层；1027、过孔；103、公共电极线；104、第一有机发光二极管；1041、第一阳极；1042、第一空穴传输层；1043、第一有机发光层；1044、第一电子传输层；1045、第一阴极；105、第二有机发光二极管；1051、第二阳极；1052、第二空穴传输层；1053、第二有机发光层；1054、第二电子传输层；1055、第二阴极；106、数据线；107、扫描线；108、连接晶体管；20、封装层；C、存储电容。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本申请将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。

在本申请中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“装配”、“连接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本申请的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本申请的各方面。

实施例一

参见图1所示，本实施例一提供了一种阵列基板10，其包括衬底基板101以及形成于衬底基板101上的多个阵列排布的像素单元。

其中，在本实施例中衬底基板101可以采用玻璃、石英或者其他适合材料。

进一步地，参见图1和图2所示，该像素单元包括驱动晶体管102、公共电极线103、第一有机发光二极管104和第二有机发光二极管105。该第一有机发光二极管104能够在驱动晶体管102的导通下进行显示，并在驱动晶体管102导通时，公共电极线103与第一有机发光二极管104的第一阳极1041形成存储电容C，并在驱动晶体管102导通时进行充电；当驱动晶体管102关闭时，该第一有机发光二极管104不进行显示，此时，存储电容C向第二有机发光二极管105充电，使第二有机发光二极管105进行显示。这样，在该像素单元处于长时间显示状态时，可通过切换驱动晶体管102导通或关闭的状态，来切换第一有机发光二极管104和第二有机发光二极管105的显示，进而实现该第一有机发光二极管104和第二有机发光二极管105进行交替显示，以避免单一有机发光二极管在长时间处于显示状态时造成老化受损而形成烧屏的问题，以及通过驱动晶体管102的导通和关闭交替循环能降低驱动晶体管102的使用时长，改善驱动晶体管102阈值电压偏移造成的残影现象。

示例地，参见图2和图3所示，该驱动晶体管102在设定时间内导通和关闭交替进行，在t1阶段时，该驱动晶体管102导通，该第一有机发光二极管104进行显示，并对存储电容C进行充电，第二有机发光二极管105不进行显示；在t2阶段时，该驱动晶体管102关闭，第一有机发光二极管104不进行显示，存储电容C反向充电，使第二有机发光二极管105进行显示；然后进入t3阶段，该驱动晶体管102再次导通，第一有机发光二极管104再次进行显示，并再次对存储电容C进行充电，第二有机发光二极管105不进行显示；进入t4阶段，该驱动晶体管102关闭，第一有机发光二极管104不进行显示，存储电容C反向充电，使第二有机发光二极管105进行显示。这样，第一有机发光二极管104和第二有机发光二极管105进行交替循环显示，可以防止单个OLED显示面板1在长时间持续显示过程中造成的烧屏和残影异常等问题。

值得一提的是，在另一些实施例中，也可通过像素补偿电路补偿OLED驱动晶体管102的阈值电压，使OLED驱动电流一致，以解决OLED残影的问题。本申请实施例相较于采用像素补偿电路来解决OLED残影的问题来讲，采用的电路更加简单、响应速度快、集成更加简单而且还不影响OLED面板开口率。

进一步地，参见图1所示，驱动晶体管102包括栅极1021、第一极1022和第二极1023，栅极1021设于衬底基板101上，该第一极1022和第二极1023设于栅极1021远离衬底基板101的一侧，该第一极1022和第二极1023同层且间隔设置。除此之外，该驱动晶体管102还包括半导体层1024和第一绝缘层1025，该第一极1022和第二极1023搭接在该半导体层1024上，以用于导通第一极1022和第二极1023，该半导体层1024和栅极1021之间设有该第一绝缘层1025，以使栅极1021和半导体层1024之间相互绝缘，该第一绝缘层1025可采用无机材料制成，例如：氧化硅、氮化硅等无机材料。

需要说明的是，第一极1022和第二极1023采用同层设置，在本申请中，除非另有说明，所采用的术语“同层设置”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过同一构图工艺形成，并且，这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。

在本申请中，除非另有说明，表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。

此外，该栅极1021可采用金属材料或者合金材料制成，例如包括钼、铝、铜及钛等，以保证其良好的导电性能。第一绝缘层1025形成在衬底基板101上并覆盖栅极1021，此第一绝缘层1025可采用无机材料制作而成，例如：氧化硅、氮化硅等无机材料。半导体层1024形成在第一绝缘层1025背离衬底基板101的一侧，半导体层1024可包括氢化非晶硅(a-Si：H)层和形成在氢化非晶硅层两端高浓度掺杂的N型导电层；第一极1022和第二极1023分别与半导体层1024两端的高浓度掺杂的N型导电层连接，该第一极1022和第二极1023可包括金属材料或者合金材料，例如由钼、铝、铜及钛等形成的金属单层或多层结构，例如，该多层结构为多金属层叠层，例如钛、铝、铜、钛三层金属叠层(Al/Ti/Cu/Al)等。

值得一提的是，该第一极1022和第二极1023可根据驱动晶体管102的类型确定源极和漏极；举例而言，驱动晶体管102为底栅型时，第一极1022为源极，第二极1023为漏极。

此外，该公共电极线103与栅极1021同层且间隔设置。应当理解的是，该公共电极线103采用与栅极1021同样的材料制成，例如钼、铝、铜及钛等。

进一步地，参见图1和图4所示，第一绝缘层1025上还覆盖有第二绝缘层1026，该第二绝缘层1026可采用与第一绝缘层1025相同的材质制成。其中，该第二绝缘层1026还覆盖有第一极1022、第二极1023和半导体层1024；该第一有机发光二极管104包括在衬底基板101厚度方向上依次设置的第一阳极1041、第一空穴传输层1042、第一有机发光层1043、第一电子传输层1044和第一阴极1045。其中，该第一阳极1041通过第二绝缘层1026上的过孔1027与第一极1022连接，以便于在驱动晶体管102导通时，第一极1022向第一阳极1041输送空穴，第一阳极1041通过第一空穴传输层1042传输至第一有机发光层1043中，并且该第一阴极1045通过第一电子传输层1044向第一有机发光层1043输送电子，在空穴和电子在第一有机发光层1043中相遇，形成激子并使发光分子激发，从而实现第一有机发光二极管104进行显示；并且在驱动晶体管102导通时，该第一阳极1041与公共电极线103之间形成存储电容C，并对该存储电容C进行充电。

更进一步地，参见图1和图4所示，该第二有机发光二极管105设于该第一有机发光二极管104靠近衬底基板101的一侧，且该第二有机发光二极管105与第一极1022和第二极1023之间绝缘设置，该第二有机发光二极管105包括在衬底基板101厚度方向上依次设置的第二阳极1051、第二空穴传输层1052、第二有机发光层1053、第二电子传输层1054和第二阴极1055，该第二阳极1051搭接于公共电极线103上，在驱动晶体管102关闭时，存储电容C进行反向充电，以使得公共电极线103向第二阳极1051输送空穴，第二阳极1051通过第二空穴传输层1052传输至第一有机发光层1043中，并且该第二阴极1055通过电子传输层向第二有机发光层1053输送电子，在空穴和电子在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，从而实现第二有机发光二极管105进行显示。

这样，在设定时间内，该驱动晶体管102导通和关闭交替循环，以使第一有机发光二极管104和第二有机发光二极管105在所述设定时间内交替显示，以避免单一有机发光二极管在长时间处于显示状态时造成老化受损而形成烧屏的问题，以及通过驱动晶体管102的导通和关闭交替循环能降低驱动晶体管102的使用时长，改善驱动晶体管102阈值电压偏移造成的残影现象。

需要说明的是，该第一有机发光二极管104和第二有机发光二极管105的开和关时间保持一致，以保证两个有机发光二极管的显示时间一致，避免其中一个显示时间过长而导致显示效果不同，确保两者的显示效果相同，进而显示面板1的显示效果相同。

此外，该第一阳极1041和第二阳极1051可为可采用ITO(氧化铟锡)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等透明材料制作而成。

值得一提的是，参见图1和图5所示，第一有机发光层1043和第一阴极1045在衬底基板101上的正投影位于第一阳极1041在所述衬底基板101的正投影内；第二有机发光层1053和第二阴极1055在衬底基板101上的正投影位于第二阳极1051在所述衬底基板101的正投影内。这样，第一阳极1041和第二阳极1051中的空穴能够完全进入该第一有机发光层1043和第二有机发光层1053中，保证第一有机发光二极管104和第二有机发光二极管105的发光显示。

进一步地，该第一绝缘层1025还覆盖该第二有机发光二极管105，以避免第一极1022和第二极1023影响第二有机发光二极管105。

更进一步地，参见图5所示，该公共电极线103为线框结构，该公共电极线103在衬底基板101上的正投影位于该第二阳极1051在衬底基板101上的正投影内，以使得公共电极线103能够完全向该第二阳极1051输送空穴，保证第二有机发光二极管105的正常显示。

可以理解的是，在本申请实施例中，该第一有机发光二极管104和第二有机发光二极管105为底发射显示，在不同实施例中，该第一有机发光二极管104和第二有机发光二极管105也可以为顶发射显示。

其中，参见图1所示，该第二有机发光二极管105在衬底基板101上的正投影与第一极1022和第二极1023在衬底基板101上的正投影不存在交叠，以避免第一极1022和第二极1023遮挡该第一有机发光二极管104或第一有机发光二极管104的发光，保证第一有机发光二极管104和第二有机发光二极管105的发光效果。

此外，该第一有机发光二极管104和第二有机发光二极管105在衬底基板101上的正投影完全重叠，以保证在交替切换时，第一有机发光二极管104和第二有机发光二极管105的发光效果相同，进而保证显示面板1的显示效果。

进一步地，参见图5所示，该像素单元还包括数据线106、扫描线107和连接晶体管108，该扫描线107沿行方向上进行延伸，数据线106沿列方向上进行延伸，并与扫描线107相互垂直交叉排列；其中，该扫描线107与栅极1021同层设置并连接，数据线106与第一极1022和第二极1023同层设置，此处的同层设置与上述同层设置相同，在此不再一一赘述。该数据线106与连接晶体管108连接然后在与驱动晶体管102连接，该连接晶体管108的第一极1022与数据线106连接，第二极1023与驱动晶体管102的第二极1023连接，并且该连接晶体管108在衬底基板101上的正投影位于扫描线107在衬底基板101上的正投影内。这样，以保证数据线106信号通过连接晶体管108传入驱动晶体管102内，由于OLED显示面板1是通过电流驱动显示，因此该驱动晶体管102通过连接晶体管108连接于数据线106，以防止信号直接从数据线106进入第一阳极1041中，能够降漏电。

这样，通过在设定时间内切换驱动晶体管102的导通或关闭，可以切换第一有机发光二极管104和第二有机发光二极管105进行交替开启，防止单个OLED显示面板1在长时间持续显示过程中造成的烧屏和残影异常等问题。

实施例二

参见图6所示，本申请实施例二提供了一种如实施例一的阵列基板10的制造方法，其包括如下步骤：

步骤S100，在衬底基板101上形成栅极1021和公共电极线103；

参见图6、图7和图8所示，在衬底基板101上通过溅射(sputter)得到第一金属层，并对第一金属层进行曝光、显影制作出栅极1021、扫描线107和公共电极线103。

步骤200，在公共电极线103上形成第二有机发光二极管105；

参见图9所示，首先在公共电极线103上涂布一层氧化铟锡(ITO)，以制备第二阳极1051，作为第二有机发光二极管105的基底导电层；参见图10所示，然后通过蒸镀的方式制备第二有机发光二极管105的第二空穴传输层1052、第二有机发光层1053、第二电子传输层1054和第二阴极1055，以此完成第二有机发光二极管105的制备。

步骤S300，在衬底基板101上形成第一绝缘层1025，第一绝缘层1025覆盖栅极1021、公共电极线103和第二有机发光二极管105；

参见图11所示，通过化学气相沉积(CVD)镀膜，在第一金属层远离衬底基板101的一侧形成第一绝缘层1025；该第一绝缘层1025完全覆盖栅极1021、公共电极线103和第二有机发光二极管105。

步骤S400，在第一绝缘层1025上形成半导体层1024、第一极1022和第二极1023，第一极1022和第二极1023同层且间隔设置，第一极1022和第二极1023搭接于半导体层1024的两端；

参见图12和图13所示，在第一绝缘层1025上通过涂布一层氢化非晶硅(a-Si：H)，并通过曝光、显影制作出该半导体层1024；然后，再通过溅射(sputter)得到第二金属层，在对第二金属层进行曝光、显影制作出第一极1022、第二极1023和数据线106。

步骤S500，在第一绝缘层1025远离衬底基板101的一侧制备第二绝缘层1026，并对第二绝缘层1026开设过孔1027，露出部分第一极1022；

参见图14所示，在第一绝缘层1025上涂布一层第二绝缘层1026，该第二绝缘层1026覆盖数据线106、第一极1022、第二极1023和半导体层1024，并通过曝光、显影开设过孔1027，以露出部分第一极1022。

步骤S600，在第二绝缘层1026上形成第一有机发光二极管104，第一有机发光二极管104的第一阳极1041通过过孔1027与第一极1022连接。

参见图1和图5所示，首先在第二绝缘层1026上涂布一层氧化铟锡(ITO)，制作第一阳极1041，作为基底导电层。其中，该氧化铟锡(ITO)通过过孔1027与第一极1022连接，以便于能传输空穴进入第一有机发光层1043；然后通过蒸镀的方式制备第一有机发光二极管104的第一空穴传输层1042、第一有机发光层1043、第一电子传输层1044和第一阴极1045，以此完成第一有机发光二极管104的制备。

此外，为了避免数据线106将信号直接传入驱动晶体管102内，其在制造驱动晶体管102的第一极1022和第二极1023时，还包括制造连接驱动晶体管102的第一极1022和第二极1023，其中连接晶体管108的第一极1022与数据线106连接，第二极1023与驱动晶体管102的第二极1023连接，并且该连接晶体管108在衬底基板101上的正投影位于扫描线107在衬底基板101上的正投影内。这样，以保证数据线106信号通过连接晶体管108传入驱动晶体管102内，由于OLED显示面板1是通过电流驱动显示，因此该驱动晶体管102通过连接晶体管108连接于数据线106，以防止信号直接从数据线106进入第一阳极1041中，能够降漏电。

因此，通过上述步骤完成该阵列基板10的制作，以实现第一有机发光二极管104和第二有机发光二极管105进行交替显示，以避免单一有机发光二极管在长时间处于显示状态时造成老化受损而形成烧屏的问题，以及通过驱动晶体管102的导通和关闭交替循环能降低驱动晶体管102的使用时长，改善驱动晶体管102阈值电压偏移造成的残影现象。

实施例三

参见图2所示，本实施例三提供了一种像素驱动电路，其包括数据线106、扫描线107、驱动晶体管102、存储电容C、第一有机发光二极管104和第二有机发光二极管105，驱动晶体管102包括第一端、第二端和控制端，驱动晶体管102的第一端通过连接晶体管108与数据线106连接，控制端与扫描线107连接，驱动晶体管102的第二端与第一有机发光二极管104连接，且第二端与存储电容C的第一端连接，存储电容C的第二端与第二有机发光二极管105连接；也就是说，第一有机发光二极管104的第二端与第一阳极1041连接，以控制第一有机发光二极管104进行显示；公共电极线103与第二有机发光二极管105连接，以控制第二有机发光二极管105进行显示。

当驱动晶体管102导通时，第一有机发光二极管104进行显示，并对存储电容C进行充电，第二有机发光二极管105不显示；

当驱动晶体管102关闭时，第一有机发光二极管104不显示，存储电容C进行放电，第二有机发光二极管105进行显示；

在设定时间内，驱动晶体管102导通和关闭交替循环，以使第一有机发光二极管104和第二有机发光二极管105在设定时间内交替显示。

这样，通过该驱动晶体管102导通和关闭交替循环，以使该第一有机发光二极管104与第二有机发光二极管105交替显示，进而避免了单个有机发光二极管在长时间处于同一显示下造成老化受损而形成烧屏的现象。此外，还通过驱动晶体管102的导通和关闭交替循环能降低驱动晶体管102的使用时长，改善驱动晶体管102阈值电压偏移造成的残影现象。

实施例四

参见图15所示，本实施例四提供了一种显示面板1，其包括封装层20和实施例一中的阵列基板10，封装层20可以采用等离子体增强化学气相沉积的方式形成于第一有机发光二极管104远离衬底基板101的一侧。其封装层20基材可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二乙基砜、聚对苯二甲酸丁二醇酯中的任一种材料制成，以上材料可以较好的隔绝外界中的水分，避免水分渗透到OLED显示面板1内部。

其中，参见图1所示，通过实施例一中的阵列基板10，可以通过该驱动晶体管102导通和关闭交替循环，以使该第一有机发光二极管104与第二有机发光二极管105交替显示，进而避免了单个有机发光二极管在长时间处于同一显示下造成老化受损而形成烧屏的现象。此外，还通过驱动晶体管102的导通和关闭交替循环能降低驱动晶体管102的使用时长，改善驱动晶体管102阈值电压偏移造成的残影现象。

此外，该显示装置可以是手机、电脑显示器、手表、电视等具有显示功能的设备，通过采用实施例一中的阵列基板10可以通过在设定时间内切换驱动晶体管102的导通或关闭，可以切换第一有机发光二极管104和第二有机发光二极管105进行交替开启，防止单个OLED显示面板在长时间持续显示过程中造成的烧屏和残影异常等问题。

在本说明书的描述中，参考术语“一些实施例”、“示例地”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，故但凡依本申请的权利要求和说明书所做的变化或修饰，皆应属于本申请专利涵盖的范围之内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括衬底基板以及形成于所述衬底基板上的多个阵列排布的像素单元；其特征在于，所述像素单元包括：

驱动晶体管，包括栅极、第一极和第二极，所述栅极设于所述衬底基板上，所述第一极和所述第二极同层且间隔设置，所述第一极和所述第二极设于所述栅极远离所述衬底基板的一侧，且所述第一极和所述第二极与所述栅极绝缘设置；

公共电极线，所述公共电极线与所述栅极同层且间隔设置；

第一有机发光二极管，包括第一阳极，所述第一阳极通过过孔与所述第一极连接；

第二有机发光二极管，所述第二有机发光二极管设于所述第一有机发光二极管靠近所述衬底基板的一侧，且所述第二有机发光二极管与所述第一极和所述第二极绝缘设置，所述第二有机发光二极管包括第二阳极，所述第二阳极搭接于所述公共电极线上；

其中，在所述驱动晶体管导通时，所述第一阳极与所述公共电极线之间形成存储电容，并向所述存储电容充电，在所述驱动晶体管关闭时，所述第一有机发光二极管关闭，所述存储电容向所述第二阳极放电，以使所述第二有机发光二极管打开，在设定时间内，所述驱动晶体管导通和关闭交替循环，以使所述第一有机发光二极管和所述第二有机发光二极管在所述设定时间内交替显示。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极线为线框结构，所述公共电极线在所述衬底基板上的正投影位于所述第二阳极在所述衬底基板上的正投影内。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有机发光二极管在所述衬底基板上的正投影与所述第一极和所述第二极在所述衬底基板上的正投影不存在交叠。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有机发光二极管还包括第一有机发光层和第一阴极，所述第一有机发光层和所述第一阴极在所述衬底基板上的正投影位于所述第一阳极在所述衬底基板的正投影内；

所述第二有机发光二极管还包括第二有机发光层和第二阴极，所述第二有机发光层和第二阴极在所述衬底基板上的正投影位于所述第二阳极在所述衬底基板的正投影内。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括数据线、扫描线和连接晶体管，所述数据线在列方向上延伸设置，所述扫描线在行方向上延伸设置，所述连接晶体管的一端连接所述数据线，另一端连接所述驱动晶体管的第二极；所述连接晶体管在所述衬底基板上的正投影位于所述扫描线在所述衬底基板上的正投影内。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一阳极和所述第二阳极均为氧化铟锡。

7.一种制造如权利要求1-6任一项所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成栅极和公共电极线；

在所述公共电极线上形成第二有机发光二极管；

在所述衬底基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极、所述公共电极线和所述第二有机发光二极管；

在所述第一绝缘层上形成半导体层、第一极和第二极，所述第一极和所述第二极同层且间隔设置，所述第一极和所述第二极搭接于所述半导体层的两端；

在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧制备第二绝缘层，并对所述第二绝缘层开设过孔，露出部分所述第一极；

在所述第二绝缘层上形成第一有机发光二极管，所述第一有机发光二极管的第一阳极通过所述过孔与所述第一极连接。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述公共电极线上形成第二有机发光二极管以及在所述第二绝缘层上形成第一有机发光二极管包括：

通过蒸镀的方式在所述公共电极线以及在所述第二绝缘层上分别形成所述第二有机发光二极管和所述第一有机发光二极管。

9.一种像素驱动电路，其特征在于，包括数据线、扫描线、驱动晶体管、存储电容、第一有机发光二极管和第二有机发光二极管，所述驱动晶体管包括第一端、第二端和控制端，所述驱动晶体管的第一端与所述数据线连接，所述控制端与所述扫描线连接，所述驱动晶体管的第二端与所述第一有机发光二极管连接，且所述第二端与所述存储电容的第一端连接，所述存储电容的第二端与所述第二有机发光二极管连接；

当所述驱动晶体管导通时，所述第一有机发光二极管进行显示，并对所述存储电容进行充电，所述第二有机发光二极管不显示；

当所述驱动晶体管关闭时，所述第一有机发光二极管不显示，所述存储电容进行放电，所述第二有机发光二极管进行显示；

在设定时间内，所述驱动晶体管导通和关闭交替循环，以使所述第一有机发光二极管和所述第二有机发光二极管在所述设定时间内交替显示。

10.一种显示面板，其特征在于，包括封装层和权利要求1-6任一项所述的阵列基板，所述封装层设于第一有机发光二极管远离衬底基板的一侧。