TWI551928B - 顯示面板及顯示裝置 - Google Patents

顯示面板及顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI551928B
TWI551928B TW104107061A TW104107061A TWI551928B TW I551928 B TWI551928 B TW I551928B TW 104107061 A TW104107061 A TW 104107061A TW 104107061 A TW104107061 A TW 104107061A TW I551928 B TWI551928 B TW I551928B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode pattern
pixel
connecting portion
data line
transistor
Prior art date
Application number
TW104107061A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201632969A (zh
Inventor
洪孟章
宋立偉
簡錦誠
Original Assignee
群創光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 群創光電股份有限公司 filed Critical 群創光電股份有限公司
Priority to TW104107061A priority Critical patent/TWI551928B/zh
Priority to US15/018,293 priority patent/US10700101B2/en
Publication of TW201632969A publication Critical patent/TW201632969A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI551928B publication Critical patent/TWI551928B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/13624Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H01L27/1266Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

顯示面板及顯示裝置
本發明係關於一種顯示面板及顯示裝置,特別關於一種具有較高顯示品質的顯示面板及顯示裝置。
隨著科技的進步,平面顯示面板已經廣泛地被運用在各種領域,因具有體型輕薄、低功率消耗及無輻射等優越特性,已經漸漸地取代傳統陰極射線管顯示裝置,而應用至許多種類之電子產品中,例如行動電話、可攜式多媒體裝置、筆記型電腦、液晶電視及液晶螢幕等等。
以液晶顯示面板為例,習知一種液晶顯示面板包含一薄膜電晶體基板、一彩色濾光基板及一液晶層,薄膜電晶體基板與彩色濾光基板係相對而設,而液晶層則夾置於兩基板之間。薄膜電晶體基板具有複數薄膜電晶體及複數畫素電極設置於一基板上,其中,可藉由控制薄膜電晶體而將資料電壓輸入對應的畫素電極,以透過畫素電極與共同電極之間的電壓差所形成的電場來控制液晶分子的轉向,藉此顯示影像。
當顯示面板的尺寸越做越大時,理論上,顯示區不同位置的畫素所具有的共同電壓必須為相同的電壓值,但是,於實際情況下,共同電壓可能會因電阻-電容負載(RC loading)或製程變異等問題造成不同位置的共同電壓值不相同,使得顯示區的共同電壓值產生電性不均的現象,進而導致顯示面板與電性相關的光學特性不佳而產生了亮暗紋(俗稱Mura現象),例如因液晶分子跨壓的不同所產生的閃爍(flicker)或串音(cross talk)現象等,而且此現象在顯示低灰階畫面時更加明顯。
因此,如何提供一種顯示面板及顯示裝置,可改善共同電壓電性不均所產生的Mura現象,進而改善顯示品質,已成為重要課題之一。
有鑑於上述課題,本發明之目的為提供一種可改善共同電壓 電性不均所產生的Mura現象,進而改善顯示品質之顯示面板及顯示裝置。
為達上述目的,依據本發明之一種顯示面板包括一第一基板、一第二基板以及至少一畫素。第二基板與第一基板相對而設。畫素配置於第一基板與第二基板之間,並具有一第一電晶體、一第二電晶體、一第一電極圖案及一第二電極圖案設置於第一基板上,第一電晶體具有一第一汲極,第一汲極與第一電極圖案電性連接,第二電晶體具有一第二汲極,第二汲極與第二電極圖案電性連接;其中,第一電極圖案具有一個第一連接部及一個第一突出部,第二電極圖案具有一個第二連接部及二個第二突出部,該些第二突出部連接於第二連接部之二側,並分別往第一連接部的方向延伸,第一突出部連接第一連接部,並往第二連接部的方向延伸至該些第二突出部之間;其中,第一突出部具有與第一連接部連接之一第一連接端及一第一末端,該些第二突出部的其中之一具有與第二連接部連接之一第二連接端及一第二末端,且第一連接端的寬度大於第一末端的寬度,第二連接端的寬度大於第二末端的寬度。
為達上述目的,依據本發明之一種顯示裝置包括一背光模組以及一顯示面板。顯示面板與背光模組相對而設,並包含一第一基板、一第二基板及至少一畫素,第二基板與第一基板相對而設,畫素配置於第一基板與第二基板之間,並具有一第一電晶體、一第二電晶體、一第一電極圖案及一第二電極圖案設置於第一基板上,第一電晶體具有一第一汲極,第一汲極與第一電極圖案電性連接,第二電晶體具有一第二汲極,第二汲極與第二電極圖案電性連接,第一電極圖案具有一個第一連接部及一個第一突出部,第二電極圖案具有一個第二連接部及二個第二突出部,該些第二突出部連接於第二連接部之二側,並分別往第一連接部的方向延伸,第一突出部連接第一連接部,並往第二連接部的方向延伸至該些第二突出部之間;其中,第一突出部具有與第一連接部連接之一第一連接端及一第一末端,該些第二突出部的其中之一具有與第二連接部連接之一第二連接端及一第二末端,且第一連接端的寬度大於第一末端的寬度,第二連接端的寬度大於第二末端的寬度。
在一實施例中,第一突出部與該些第二突出部其中之一的間 距係介於8微米至30微米之間。
在一實施例中,第一電晶體與第二電晶體互為鏡像。
在一實施例中,第一汲極透過一第一通孔與第一電極圖案電連接,第二汲極透過兩個第二通孔與第二電極圖案電連接。
在一實施例中,該些第二通孔分別與該些第二突出部對應設置。
在一實施例中,畫素更具有一掃描線、一第一資料線及一第二資料線,第一電晶體更具有一第一閘極及一第一源極,第二電晶體更具有一第二閘極及一第二源極,掃描線分別與第一閘極及第二閘極連接,第一資料線與第一源極連接,且第二資料線與第二源極連接。
在一實施例中,畫素更具有一第三電極圖案,第三電極圖案環設於第一電極圖案及第二電極圖案的外圍。
在一實施例中,畫素更具有一第三電極圖案及一第一資料線,第一資料線位於畫素的一側,第三電極圖案配置於畫素的周緣,且部分的第三電極圖案與第一電極圖案及第一資料線為重疊設置。
在一實施例中,第一電極圖案之第一連接部具有一第一缺口,第三電極圖案具有一第二缺口,第一缺口與第三電極圖案重疊,且第二缺口鄰近於第一缺口,並與第一連接部部分重疊。
在一實施例中,顯示面板包括複數畫素,每一個該些畫素分別具有兩條資料線位於畫素的兩側,且於相鄰兩個該些畫素中,驅動相鄰兩條該些資料線的電壓訊號為同極性。
在一實施例中,畫素沿第一突出部的延伸方向之兩側的一開口區的形狀為鏡像對稱。
承上所述,因本發明之顯示面板及顯示裝置中,畫素的第一電極圖案具有一個第一連接部及一個第一突出部,畫素的第二電極圖案具有一個第二連接部及二個第二突出部,而該些第二突出部連接於第二連接部之二側,並分別往第一連接部的方向延伸,且第一突出部連接第一連接部,並往第二連接部的方向延伸至該些第二突出部之間。其中,第一突出部具有與第一連接部連接之一第一連接端及一第一末端,該些第二突出部 的其中之一具有與第二連接部連接之一第二連接端及一第二末端,且第一連接端的寬度大於第一末端的寬度,第二連接端的寬度大於第二末端的寬度。透過本發明的畫素佈局設計,並透過第一資料線傳送第一資料電壓至第一電極圖案,且透過第二資料線傳送第二資料電壓至第二電極圖案,使得第一電極圖案與第二電極圖案之間具有電壓差而形成驅動畫素之液晶分子的電場,使畫素可對應顯示影像,進而使顯示面板顯示影像畫面。藉此與習知相較,由於本發明之顯示面板與顯示裝置的畫素並不透過畫素電極與共同電極來建立驅動液晶分子的跨壓,因此,不會因顯示區的共同電壓的電性不均而產生Mura現象,故可改善顯示面板及顯示裝置的顯示品質。
1、1a、3‧‧‧顯示面板
11‧‧‧第一基板
12‧‧‧第二基板
13‧‧‧液晶層
14‧‧‧薄膜電晶體陣列
15‧‧‧彩色濾光陣列
2‧‧‧顯示裝置
4‧‧‧背光模組
A、B‧‧‧位置
A-A‧‧‧直線
d‧‧‧間距
D1‧‧‧第一汲極
D2‧‧‧第二汲極
DL1‧‧‧第一資料線
DL2‧‧‧第二資料線
DL3‧‧‧第三資料線
DL4‧‧‧第四資料線
E‧‧‧光線
E1‧‧‧第一電極圖案
E11‧‧‧第一連接部
E12‧‧‧第一突出部
E2‧‧‧第二電極圖案
E21‧‧‧第二連接部
E22、E23‧‧‧第二突出部
E3‧‧‧第三電極圖案
FL‧‧‧平坦化層
G1‧‧‧第一閘極
G2‧‧‧第二閘極
GI‧‧‧閘極介電層
IN‧‧‧絕緣層
L‧‧‧直線
M1‧‧‧第一金屬層
M2‧‧‧第二金屬層
O1‧‧‧第一缺口
O2‧‧‧第二缺口
S1‧‧‧第一源極
S2‧‧‧第二源極
SLa、SLb‧‧‧掃描線
T1‧‧‧第一電晶體
T2‧‧‧第二電晶體
P、P1、P2、Pa‧‧‧畫素
PS‧‧‧鈍化層
V1‧‧‧第一通孔
V2、V3‧‧‧第二通孔
Va、Vb‧‧‧電壓差
VE1‧‧‧第一資料電壓
VE2‧‧‧第二資料電壓
Vth1、Vth2、Vth3、Vth4‧‧‧電壓降
X‧‧‧第一方向
Y‧‧‧第二方向
Z‧‧‧第三方向
圖1為本發明較佳實施例之一種顯示面板的示意圖。
圖2A為圖1之顯示面板中,一個畫素的佈局示意圖。
圖2B為圖2A中,沿直線A-A的剖視示意圖。
圖3為圖2A之畫素的驅動波形示意圖。
圖4為一實施例之畫素陣列的示意圖。
圖5A為本發明不同實施態樣之顯示面板之畫素的佈局示意圖。
圖5B為圖5A中,沿直線B-B的剖視示意圖。
圖5C為圖5A之畫素的另一示意圖。
圖6為本發明較佳實施例之一種顯示裝置的示意圖。
以下將參照相關圖式,說明依本發明較佳實施例之顯示面板及顯示裝置,其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。
請參照圖1、圖2A及圖2B所示,其中,圖1為本發明較佳實施例之一種顯示面板1的示意圖,圖2A為圖1之顯示面板1中,一個畫素P的佈局示意圖,而圖2B為圖2A中,沿直線A-A的剖視示意圖。
本實施例的顯示面板1可為邊緣電場切換(Fringe Field Switching,FFS)型液晶顯示面板,或者為水平切換型(In Plane Switching,IPS)或者為扭轉向列型(Twisted Nematic,TN)液晶顯示面板,或者為垂 直配向型(Vertical Alignment,VA)型液晶顯示面板,於此,並不加以限定。另外,為了幫助了解圖示,於圖示中顯示一第一方向X、一第二方向Y及一第三方向Z,第一方向X、第二方向Y及第三方向Z實質上係兩兩相互垂直。其中,第一方向X可與顯示面板1之掃描線的延伸方向實質上平行,第二方向Y可與顯示面板1之資料線的延伸方向實質上平行,而第三方向Z為垂直第一方向X與第二方向Y之另一方向。
如圖1所示,顯示面板1包括一第一基板11與第二基板12,兩者相對而設。第一基板11或第二基板12可為可透光材質所製成,其材料例如是玻璃、石英或類似物、塑膠、橡膠、玻璃纖維或其他高分子材料;或者,第一基板11或第二基板12也可為不透光材質所製成,並例如是金屬-玻璃纖維複合板、金屬-陶瓷複合板,或印刷電路板,或其它材料。在本實施例中,第一基板11與第二基板12的材質皆以可透光的玻璃為例。另外,顯示面板1更包括一液晶層13、一薄膜電晶體陣列14及一彩色濾光陣列15,薄膜電晶體陣列14設置於第一基板11面向第二基板12之一側,而彩色濾光陣列15可設置於第二基板12面向第一基板11之一側,或設置於第一基板11面向第二基板12之一側。於此,彩色濾光陣列15係設置於第二基板12面向第一基板11之一側。不過,當彩色濾光陣列15設置於第一基板11時,可使第一基板11成為一COA(color filter on array)基板。另外,液晶層13夾置於第一基板11與第二基板12之間,並位於薄膜電晶體陣列14與彩色濾光陣列15之間。其中,薄膜電晶體陣列14、彩色濾光陣列15及液晶層13可形成一畫素陣列,而畫素陣列包含至少一畫素(pixel,或稱次畫素,sub-pixel)P。於此,係以複數畫素P,並配置成矩陣狀為例。
如圖2A及圖2B所示,畫素P具有一第一電晶體T1、一第二電晶體T2、一第一電極圖案E1及一第二電極圖案E2,而第一電晶體T1、第二電晶體T2、第一電極圖案E1及第二電極圖案E2係設置於第一基板11上。另外,本實施例之畫素P更具有一掃描線SLa、一第一資料線DL1及一第二資料線DL2,第一資料線DL1及第二資料線DL2分別位於畫素P的兩側,並分別與掃描線SLa及相鄰畫素(未顯示)之掃描線SLb交錯設置。在本實施例中,第一電晶體T1與第二電晶體T2分別為一薄膜電晶體 (TFT),且第一電晶體T1與第二電晶體T2為同向。換言之,於畫素P中,第一電晶體T1與第二電晶體T2互為鏡像。藉由互為鏡像的第一電晶體T1與第二電晶體T2,可使第一電晶體T1與第二電晶體T2各自具有的儲存電容量相同(由製程的金屬層重疊(overlay)區域所產生),使得因製程變異時,畫素P之第一電晶體T1與第二電晶體T2所各自產生的前饋電壓(feedthrough voltage)亦相同。
其中,第一電晶體T1具有一第一閘極G1、一第一源極S1及一第一汲極D1,第二電晶體T2具有一第二閘極G2、一第二源極S2及一第二汲極D2。第一閘極G1與第二閘極G2的材質係為金屬(例如為鋁、銅、銀、鉬、或鈦)或其合金所構成的單層或多層結構,並不限定。本實施例的第一閘極G1與第二閘極G2係使用與掃描線SLa同層且同一製程之結構(俗稱的第一金屬層M1),並彼此連接。第一電晶體T1之第一源極S1與第一汲極D1分別設置於一第一主動層(圖未顯示)上,而且第一源極S1和第一汲極D1分別與第一主動層接觸。於薄膜電晶體T1之第一主動層未導通時,第一源極S1和第一汲極D1是電性分離。另外,第二電晶體T2之第二源極S2與第二汲極D2分別設置於一第二主動層(圖未顯示)上,而且第二源極S2和第二汲極D2分別與第二主動層接觸。於薄膜電晶體T2之第二主動層未導通時,第二源極S2和第二汲極D2是電性分離。其中,第一源極S1、第一汲極D1、第二源極S2與第二汲極D2之材質可為金屬(例如鋁、銅、銀、鉬、或鈦)或其合金所構成的單層或多層結構,亦不限定。於此,第一源極S1、第一汲極D1、第二源極S2與第二汲極D2係使用與第一資料線DL1與第二資料線DL2同層(俗稱的第二金屬層M2)且同一製程之結構,並且第一資料線DL1與第一源極S1連接,而第二資料線DL2與第二源極S2連接。
第一汲極D1與第一電極圖案E1電性連接,且第二汲極D2與第二電極圖案E2電性連接。第一電極圖案E1與第二電極圖案E2為可透光的電極層,其材質例如可為銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁鋅氧化物(AZO)、鎘錫氧化物(CTO)、氧化錫(SnO2)、或氧化鋅(ZnO)等透明導電材料,並不限定。其中,第一電極圖案E1具有一個第一連接部 E11及一個第一突出部E12,第二電極圖案E2具有一個第二連接部E21及二個第二突出部E22、E23,且該些第二突出部E22、E23連接於第二連接部E21之二側,並分別往第一連接部E11的方向延伸,而第一突出部E12連接第一連接部E11,並往第二連接部E21的方向延伸至該些第二突出部E22、E23之間。於此,第二突出部E22、E23分別位於第二連接部E21之二側,並分別往第一連接部E11的方向延伸,而第一突出部E12連接第一連接部E11的中間位置,並往第二連接部E21的方向延伸至該些第二突出部E22、E23之間。另外,第一突出部E12具有與第一連接部E11連接之一第一連接端及一第一末端(為免圖面太複雜,未標示),且該些第二突出部E22、E23的其中之一具有與第二連接部E21連接之一第二連接端及一第二末端(為免圖面太複雜,未標示)。其中,第一連接端的寬度大於第一末端的寬度,第二連接端的寬度大於第二末端的寬度。換言之,如圖2A所示,本實施例之第一突出部E12與第一連接部E11連接之處較寬,而第一突出部E12的尾端相對連接處而言則較細,且二個第二突出部E22、E23與第二連接部E21連接之處亦較寬,而第二突出部E22、E23的尾端相對其連接處而言亦較細。
另外,本實施例中,第一汲極D1透過一第一通孔V1與第一電極圖案E1電連接,且第二汲極D2透過兩個第二通孔V2、V3與第二電極圖案E2電連接。於此,第一通孔V1鄰近於第一突出部E12與第一連接部E11的連接處,且兩個第二通孔V2、V3位於第二連接部E21的兩側,並分別鄰近於第二突出部E22、E23與第二連接部E21的連接處。透過兩個第二通孔V2、V3位於第二連接部E21的兩側,可避免第二連接部E21因故斷線時產生對應的暗紋。其原因是:第二連接部E21若因故斷線時,第二汲極D2可透過個別的第二通孔V2、V3分別與斷線後的兩部分第二連接部E21電性連接,因此,不會有對應的暗紋產生。
另外,第一突出部E12與該些第二突出部E22、E23其中之一的間距d係介於8微米至30微米之間。於此,如圖所示,第一突出部E12位於第二突出部E22、E23的中間位置,使得第一突出部E12與第二突出部E22之間、第一突出部E12與第二突出部E23之間的間距d可介於8微米 至30微米之間(8μm≦d≦30μm)。相較於習知的畫素之畫素電極通常具有相當多條的突出部(或稱分支電極)的設計,本實施例因具有較少的突出部(共只有三條),使得突出部之間(第一突出部E12與第二突出部E22之間與第一突出部E12與第二突出部E23之間)的間距d較大(習知的間距一般只有8μm~16μm),因此,當於製程中,電極的線寬或線距產生了局部變異(俗稱CD,critical dimension)時,對應產生的Pin Mura現象較少(較不容易出現Pin Mura)。另外,本實施例也因具有較少的突出部,相對產生的暗紋數量也較少(光線通過畫素P時,有電極之處會產生對應的暗紋),穿透率也較高。此外,相較於習知技術,本實施例之畫素P的電極轉折處較少(轉折處常發生液晶分子的的不連續區域),因此,液晶分子可具有較少的不連續區域,進而使得液晶的效率較高,相對的其對比性及穿透率也較高。
另外,本實施例之畫素P沿第一突出部E12的延伸方向之兩側的一開口區的形狀為鏡像對稱。於此,「開口區」係為:第一電極圖案E1與第二電極圖案E2之間沒有設置電極之區域(空的區域)。換言之,於本實施例之畫素P中,一直線L實質上平行第一方向X且通過第一突出部E12的中心,使得第一突出部E12的上、下兩側為鏡射對稱圖案,且位於直線L兩側的開口區之形狀亦為鏡像對稱。
本實施例之畫素P更具有一第三電極圖案E3,第三電極圖案E3環設於第一電極圖案E1及第二電極圖案E2的外圍。其中,第三電極圖案E3可與第一電極圖案E1及第二電極圖案E2為同製程及同材料製作(同一層)。可透過驅動顯示面板1之控制電路提供一共同電壓(Vcom)給第三電極圖案E3,但是本實施例並不透過該共同電壓與第一電極圖案E1的電壓或第二電極圖案E2的電壓形成跨壓來驅動液晶分子,以下將再說明。
此外,如圖2B所示,畫素P更包含一閘極介電層GI、一絕緣層IN及一平坦化層FL(為避免圖2A的佈局太複雜,圖2A並未顯示)。閘極介電層GI設置並覆蓋第一金屬層M1(掃描線SLa、第一閘極G1、第二閘極G2),且第二金屬層M2(第一資料線DL1、第二資料線DL2、第一汲極D1、第二汲極D2…)設置於閘極介電層GI上。另外,絕緣層IN設 置於第二金屬層M2上,且平坦化層FL設置於絕緣層IN。其中,閘極介電層GI、絕緣層IN及平坦化層FL的材料可為光阻材料、樹脂材料或是無機材料(例如SiOx/SiNx)等。藉由閘極介電層GI、絕緣層IN及平坦化層FL的設置,可避免第一金屬層M1、第二金屬層M2與第一電極圖案E1(或第二電極圖案E2,或第三電極圖案E3)之間的電性導通。
因此,如圖3所示,當顯示面板1所有的畫素P之掃描線SLa分別接收一掃描訊號時可分別使對應的第一電晶體T1與第二電晶體T2導通,並將對應畫素P之一第一資料電壓VE1藉由第一資料線DL1傳送至第一電極圖案E1,且將對應畫素P之一第二資料電壓VE2藉由第二資料線DL2傳送至第二電極圖案E2,使得第一電極圖案E1與第二電極圖案E2之間具有一電壓差而形成驅動畫素P的液晶分子之電場,使畫素P可對應顯示影像,進而使顯示面板1可顯示影像畫面。其中,由於畫素P之第一電晶體T1與第二電晶體T2為同向,因此,第一資料電壓VE1之正半週與負半週的前饋現象所造成的電壓降之和(Vth1+Vth2)與第二資料電壓VE2之負半週與正半週的前饋現象所造成的電壓降之和(Vth3+Vth4)相等,使得的第一電極圖案E1與第二電極圖案E2之正半週的電壓差Va與負半週的電壓差Vb亦相等,故畫素P不會因前饋電壓的不均而產生Mura現象。另外,由於本實施例之顯示面板1的所有畫素P並不透過習知之畫素電極與共同電極來建立驅動液晶分子的跨壓,因此,相較於習知技術,顯示面板1也不會因顯示區的共同電壓的電性不均而產生Mura現象,故可改善顯示品質。
另外,請參照圖4所示,其為一實施例之畫素陣列的示意圖。於此,特別標示兩相鄰的畫素P1、P2,不過,畫素P1、P2並未如上述一樣顯示完整的佈局,要了解其完整佈局可參照圖2A。
就液晶顯示面板而言,由於液晶分子之特性是不能夠一直固定在某一個電壓不變,否則時間一長,即使將電壓取消,液晶分子也會因為特性的破壞而無法再因應電場的變化來轉動以形成不同的灰階。因此每隔一段時間,就必須將電壓恢復原狀,以避免液晶分子的特性遭到破壞。於驅動技術中,一般可用行反轉(column inversion)(行反轉較省電)的驅 動方式驅動,以使面板內等效成點反轉(dot inversion)的效果,從而得到較好的顯示品質。
在圖4的複數畫素中,上下兩畫素與左右兩畫素都是水平翻轉設置(稱為flip pixel)。然而,當以習知技術驅動畫素時,例如以1+2列反轉(row inversion)的驅動方式來驅動時會發現,畫素會有局部位置較亮的情況。因此,本實施例係利用1+2行反轉(第一條資料線為正極性,第二、三條資料線為負極性,第四、五條資料線為正極性…,以此類推)來達到面板有點反轉的驅動效果。其中,每一個畫素分別具有兩條資料線位於畫素的兩側(例如圖4中的第一資料線DL1及第二資料線DL2位於畫素P1的兩側,第三資料線DL3及第四資料線DL4位於畫素P2的兩側,且於相鄰的該些畫素中,驅動相鄰兩條該些資料線的電壓訊號為同極性,亦即驅動相鄰畫素P1、P2的資料訊號中,輸入第二資料線DL2與第三資線DL3同樣為負極性(也可為正極性)的電壓訊號,藉此可淡化畫素陣列中局部較亮的狀況。其原因是:當因製程變異而例如使第二金屬層M2往右側偏移時,位置A處的第二資料線DL2將往右偏離底下的第一金屬層M1,故施加於第二資料線DL2的資料訊號對第一金屬層M1的耦合效應將變小;但是,位置B處的第三資料線DL3亦往右偏離,使得施加於第三資料線DL3的資料訊號對第一金屬層M1的耦合效應變大。因為位置A、B的資料訊號為相同極性,故整體而言,同一個極性偶合量總和不變,因此,畫素就比較不易造成局部較亮的現象(較平衡)。
再一提的是,上述是利用1+2行反轉的驅動方式來達到面板有點反轉的效果。不過,本發明並不限定只可利用1+2行反轉來驅動,在其他的實施例中,也可利用行反轉或是利用1+2列反轉等驅動方式來驅動畫素,故可具有較大的驅動彈性。
另外,請參照圖5A所示,其為本發明不同實施態樣之顯示面板1a之畫素Pa的佈局示意圖,而圖5B為圖5A中,沿直線B-B的剖視示意圖。
如圖5A及圖5B所示,畫素Pa與圖2A的畫素P主要的不同在於,畫素Pa之第二電極圖案E2的兩個第二突出部E22、E23係由下往 上,並往第一連接部E11的方向延伸,且第一電極圖案E1之第一突出部E12係由上往下,並往第二連接部E21的方向延伸至第二突出部E22、E23之間。
另外,畫素Pa的第三電極圖案E3配置於畫素Pa的周緣(中間鏤空),而且部分位於第一電極圖案E1與第一資料線DL1之間,使得部分的第三電極圖案E3與第一電極圖案E1及第一資料線DL1於第三方向Z上為重疊設置。於此,第三電極圖案E3可部分位於第一電極圖案E1與第一資料線DL1之間、第二電極圖案E2與第二資料線DL2之間,且透過一鈍化層PS隔開第三電極圖案E3與第一電極圖案E1及第二電極圖案E2。其中,第三電極圖案E3的作用是遮蔽(shielding)其下方的資料線(或掃描線)所產生的電場,不要讓資料線或掃描線的訊號影響到第一電極圖案E1及第二電極圖案E2的跨壓,而且可當畫素的儲存電容之用。另外,本實施例亦將部分的第一電極圖案E1與第一資料線DL1重疊,部分的第二電極圖案E2與第二資料線DL2重疊,以提高畫素Pa的開口率(可適用於高PPI時)。
另外,本實施例之畫素Pa沿第一突出部E12的延伸方向之兩側的開口區的形狀亦為鏡像對稱。換言之,於本實施例之畫素Pa中,直線L實質上平行第二方向Y且通過第一突出部E12的中心,使得第一突出部E12的左、右兩側為鏡射對稱圖案,且位於直線L兩側的開口區之形狀亦為鏡像對稱。
此外,顯示面板1a之畫素Pa的其它技術特徵可參照顯示面板1之畫素P的相同元件,不再贅述。
另外,請參照圖5C所示,其為圖5A之畫素Pa的另一示意圖。為了清楚說明其特點,圖5C只顯示第一電極圖案E1、第二電極圖案E2及第三電極圖案E3的佈局。
於液晶顯示面板中,為了達到較佳的顯示品質,亦須減少畫素中前饋現象所造成的電性不佳現象。其中,畫素的前饋電壓可正比於Cgs/(Cst+Clc+Cgs),Cst為儲存電容值,Clc為液晶電容值,而Cgs為薄膜電晶體的閘極與源極所形成的電容值。當畫素佈局完成後,因金屬層的重疊 面積已固定,電容值亦決定,故Cgs/(Cst+Clc+Cgs)的比值亦固定。另外,製程變異時則Cgs/(Cst+Clc+Cgs)的比值亦產生變異。若要將前饋現象的變異減小的話,相對地也要降低Cgs/(Cst+Clc+Cgs)比值的變異。而要降低Cgs/(Cst+Clc+Cgs)比值的變異,則要降低金屬層重疊面積的變異才可達到。因此,可透過降低金屬層重疊面積的變異來達到因製程變異所造成的前饋電壓的變異程度(即降低前饋電壓變異程度)。
本實施例的作法是透過挖空電極圖案來增加電極周長、減少電極面積來達到製程變異時使Cgs/(Cst+Clc+Cgs)的比值變動的幅度變小的目的,進而降低前饋現象所造成的前饋電壓的變異。如圖5C所示,本實施例之第一電極圖案E1之第一連接部E11具有一第一缺口O1,第三電極圖案E3具有一第二缺口O2(O1、O2分別為矩形缺口),第一缺口O1與第三電極圖案E3重疊,且第二缺口O2鄰近於第一缺口O1,並與第一連接部E11部分重疊。其中,當製程產生變異時,第一電極圖案E1的第一缺口O1可補償第一電極圖案E1或第三電極圖案E3於製程中線寬或線距的變異(CD)所造成的前饋電壓的變異,使前饋電壓的變異較小。另外,第三電極圖案E3的第二缺口O2可補償第一電極圖案E1或第三電極圖案E3於製程中,因重疊面積的變異(即Cst及Cgs的變異)所造成的前饋電壓的變異,使前饋電壓的變異較小。因此,因製程變異時會造成Cst及Cgs變化,本實施例係以挖空電極的方式來降低前饋電壓所產生的變異,進而降低驅動畫素Pa之液晶分子之跨壓的變異。
另外,請參照圖6所示,其為本發明較佳實施例之一種顯示裝置2的示意圖。
顯示裝置2包括一顯示面板3以及一背光模組4(Backlight Module),顯示面板3與背光模組4相對設置。其中,顯示裝置2為一液晶顯示裝置,且顯示面板3可為上述之顯示面板1或1a,或其變化態樣,其具體技術內容可參照上述,不再多作說明。當背光模組4發出的光線E穿過顯示面板3時,可透過顯示面板3之各畫素顯示色彩而形成影像。
綜上所述,因本發明之顯示面板及顯示裝置中,畫素的第一電極圖案具有一個第一連接部及一個第一突出部,畫素的第二電極圖案具 有一個第二連接部及二個第二突出部,而該些第二突出部連接於第二連接部之二側,並分別往第一連接部的方向延伸,且第一突出部連接第一連接部,並往第二連接部的方向延伸至該些第二突出部之間。其中,第一突出部具有與第一連接部連接之一第一連接端及一第一末端,該些第二突出部的其中之一具有與第二連接部連接之一第二連接端及一第二末端,且第一連接端的寬度大於第一末端的寬度,第二連接端的寬度大於第二末端的寬度。透過本發明的畫素佈局設計,並透過第一資料線傳送第一資料電壓至第一電極圖案,且透過第二資料線傳送第二資料電壓至第二電極圖案,使得第一電極圖案與第二電極圖案之間具有電壓差而形成驅動畫素之液晶分子的電場,使畫素可對應顯示影像,進而使顯示面板顯示影像畫面。藉此與習知相較,由於本發明之顯示面板與顯示裝置的畫素並不透過畫素電極與共同電極來建立驅動液晶分子的跨壓,因此,不會因顯示區的共同電壓的電性不均而產生Mura現象,故可改善顯示面板及顯示裝置的顯示品質。
以上所述僅為舉例性,而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇,而對其進行之等效修改或變更,均應包含於後附之申請專利範圍中。
A-A‧‧‧直線
d‧‧‧間距
D1‧‧‧第一汲極
D2‧‧‧第二汲極
DL1‧‧‧第一資料線
DL2‧‧‧第二資料線
E1‧‧‧第一電極圖案
E11‧‧‧第一連接部
E12‧‧‧第一突出部
E2‧‧‧第二電極圖案
E21‧‧‧第二連接部
E22、E23‧‧‧第二突出部
E3‧‧‧第三電極圖案
G1‧‧‧第一閘極
G2‧‧‧第二閘極
L‧‧‧直線
M1‧‧‧第一金屬層
M2‧‧‧第二金屬層
S1‧‧‧第一源極
S2‧‧‧第二源極
SLa、SLb‧‧‧掃描線
T1‧‧‧第一電晶體
T2‧‧‧第二電晶體
P‧‧‧畫素
V1‧‧‧第一通孔
V2、V3‧‧‧第二通孔
X‧‧‧第一方向
Y‧‧‧第二方向
Z‧‧‧第三方向

Claims (20)

  1. 一種顯示面板,包括:一第一基板;一第二基板,與該第一基板相對而設;以及至少一畫素,配置於該第一基板與該第二基板之間,並具有一第一電晶體、一第二電晶體、一第一電極圖案及一第二電極圖案設置於該第一基板上,該第一電晶體具有一第一汲極,該第一汲極與該第一電極圖案電性連接,該第二電晶體具有一第二汲極,該第二汲極與該第二電極圖案電性連接,該第一電極圖案具有一個第一連接部及一個第一突出部,該第二電極圖案具有一個第二連接部及二個第二突出部,該些第二突出部連接於該第二連接部之二側,並分別往該第一連接部的方向延伸,該第一突出部連接該第一連接部,並往該第二連接部的方向延伸至該些第二突出部之間,其中,該第一突出部具有與該第一連接部連接之一第一連接端及一第一末端,該些第二突出部的其中之一具有與該第二連接部連接之一第二連接端及一第二末端,且該第一連接端的寬度大於該第一末端的寬度,該第二連接端的寬度大於該第二末端的寬度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板,其中該第一突出部與該些第二突出部其中之一的間距係介於8微米至30微米之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板,其中該第一電晶體與該第二電晶體互為鏡像。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板,其中該第一汲極透過一第一通孔與該第一電極圖案電連接,該第二汲極透過兩個第二通孔與該第二電極圖案電連接。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之顯示面板,其中該些第二通孔分別與該些第二突出部對應設置。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板,其中該畫素更具有一掃描線、一第一資料線及一第二資料線,該第一電晶體更具有一第一閘極及一第 一源極,該第二電晶體更具有一第二閘極及一第二源極,該掃描線分別與該第一閘極及該第二閘極連接,該第一資料線與該第一源極連接,且該第二資料線與該第二源極連接。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板,其中該畫素更具有一第三電極圖案,該第三電極圖案環設於該第一電極圖案及該第二電極圖案的外圍。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板,其中該畫素更具有一第三電極圖案及一第一資料線,該第一資料線位於該畫素的一側,該第三電極圖案配置於該畫素的周緣,且部分的該第三電極圖案與該第一電極圖案及該第一資料線為重疊設置。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之顯示面板,其中該第一電極圖案之該第一連接部具有一第一缺口,該第三電極圖案具有一第二缺口,該第一缺口與該第三電極圖案重疊,且該第二缺口鄰近於該第一缺口,並與該第一連接部部分重疊。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板,其包括複數畫素,每一個該些畫素分別具有兩條資料線位於該畫素的兩側,且於相鄰兩個該些畫素中,驅動相鄰兩條該些資料線的電壓訊號為同極性。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板,其中該畫素沿該第一突出部的延伸方向之兩側的一開口區的形狀為鏡像對稱。
  12. 一種顯示裝置,包括:一背光模組;以及一顯示面板,與該背光模組相對而設,並包含一第一基板、一第二基板及至少一畫素,該第二基板與該第一基板相對而設,該畫素配置於該第一基板與該第二基板之間,並具有一第一電晶體、一第二電晶體、一第一電極圖案及一第二電極圖案設置於該第一基板上,該第一電晶體具有一第一汲極,該第一汲極與該第一電極圖案電性連接,該第二電晶體具有一第二汲極,該第二汲極與該第二電極圖案電性連接,該第一電極圖案具有一個第一連接部及一個第一突出部,該第二電極圖案具有一個第二連接部及二個第二突出部,該些 第二突出部連接於該第二連接部之二側,並分別往該第一連接部的方向延伸,該第一突出部連接該第一連接部,並往該第二連接部的方向延伸至該些第二突出部之間,其中,該第一突出部具有與該第一連接部連接之一第一連接端及一第一末端,該些第二突出部的其中之一具有與該第二連接部連接之一第二連接端及一第二末端,且該第一連接端的寬度大於該第一末端的寬度,該第二連接端的寬度大於該第二末端的寬度。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置,其中該第一突出部與該些第二突出部其中之一的間距係介於8微米至30微米之間。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置,其中該第一汲極透過一第一通孔與該第一電極圖案電連接,該第二汲極透過兩個第二通孔與該第二電極圖案電連接。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之顯示裝置,其中該些第二通孔分別與該些第二突出部對應設置。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置,其中該畫素更具有一掃描線、一第一資料線及一第二資料線,該第一電晶體更具有一第一閘極及一第一源極,該第二電晶體更具有一第二閘極及一第二源極,該掃描線分別與該第一閘極及該第二閘極連接,該第一資料線與該第一源極連接,且該第二資料線與該第二源極連接。
  17. 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置,其中該畫素更具有一第三電極圖案,該第三電極圖案環設於該第一電極圖案及該第二電極圖案的外圍。
  18. 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置,其中該畫素更具有一第三電極圖案及一第一資料線,該第一資料線位於該畫素的一側,且該第三電極圖案配置於該畫素的周緣,並且部分位於該第一電極圖案與該第一資料線之間,且部分的該第三電極圖案與該第一電極圖案及該第一資料線重疊設置。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之顯示裝置,其中該第一電極圖案之該第一連接部具有一第一缺口,該第三電極圖案具有一第二缺口,該第一 缺口與該第三電極圖案重疊,且該第二缺口鄰近於該第一缺口,並與該第一連接部部分重疊。
  20. 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置,其中該畫素沿該第一突出部的延伸方向之兩側的一開口區的形狀為鏡像對稱。
TW104107061A 2015-03-05 2015-03-05 顯示面板及顯示裝置 TWI551928B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW104107061A TWI551928B (zh) 2015-03-05 2015-03-05 顯示面板及顯示裝置
US15/018,293 US10700101B2 (en) 2015-03-05 2016-02-08 Display panel and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW104107061A TWI551928B (zh) 2015-03-05 2015-03-05 顯示面板及顯示裝置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201632969A TW201632969A (zh) 2016-09-16
TWI551928B true TWI551928B (zh) 2016-10-01

Family

ID=56850916

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104107061A TWI551928B (zh) 2015-03-05 2015-03-05 顯示面板及顯示裝置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10700101B2 (zh)
TW (1) TWI551928B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI610286B (zh) * 2016-12-07 2018-01-01 友達光電股份有限公司 顯示面板及其控制方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200632492A (en) * 2005-01-26 2006-09-16 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display
JP2006292854A (ja) * 2005-04-07 2006-10-26 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置、駆動方法および電子機器
CN101726893A (zh) * 2008-10-28 2010-06-09 乐金显示有限公司 水平电场液晶显示器
US20100207846A1 (en) * 2009-02-18 2010-08-19 Byoung-Sun Na Thin-film transistor panel

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070071012A (ko) 2005-12-29 2007-07-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 이의 제조 방법
US7557879B2 (en) * 2006-02-22 2009-07-07 Tpo Displays Corp Transflective liquid crystal display, flat panel display device, and electronic apparatus
KR101288427B1 (ko) * 2006-08-07 2013-08-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 그 제조방법
CN101183196B (zh) 2006-11-13 2010-06-16 中华映管股份有限公司 像素
CN101191915B (zh) * 2006-11-24 2010-05-19 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示面板
TWI390275B (zh) * 2007-11-29 2013-03-21 Au Optronics Corp 液晶顯示器以及液晶驅動方法
KR101479996B1 (ko) * 2008-02-21 2015-01-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 제조 방법
JP5207175B2 (ja) * 2008-03-31 2013-06-12 Nltテクノロジー株式会社 表示装置、電子機器、光学部材、表示パネル、コントローラ、及び表示パネルの駆動制御方法
CN201298129Y (zh) 2008-12-04 2009-08-26 上海广电光电子有限公司 多畴垂直取向液晶显示面板
KR101827340B1 (ko) * 2010-07-14 2018-02-09 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20120104777A (ko) * 2011-03-14 2012-09-24 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
TWI515493B (zh) 2013-07-19 2016-01-01 友達光電股份有限公司 畫素結構

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200632492A (en) * 2005-01-26 2006-09-16 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display
JP2006292854A (ja) * 2005-04-07 2006-10-26 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置、駆動方法および電子機器
CN101726893A (zh) * 2008-10-28 2010-06-09 乐金显示有限公司 水平电场液晶显示器
US20100207846A1 (en) * 2009-02-18 2010-08-19 Byoung-Sun Na Thin-film transistor panel

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI610286B (zh) * 2016-12-07 2018-01-01 友達光電股份有限公司 顯示面板及其控制方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10700101B2 (en) 2020-06-30
TW201632969A (zh) 2016-09-16
US20160260738A1 (en) 2016-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9835886B2 (en) Liquid crystal display with switchable viewing angle and method of viewing angle control
US10274793B2 (en) COA array substrate and display device
US7477347B2 (en) Liquid crystal device and electronic apparatus
US7580022B2 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same
GB2550307A (en) Capacitive voltage-division low-colour-cast pixel circuit
KR100481608B1 (ko) 액정 표시 장치
TWI567451B (zh) 陣列基板以及平面轉換液晶顯示面板
US9835895B2 (en) Display panel and display device
JP2008090279A (ja) 液晶表示装置及び電子機器
WO2010131552A1 (ja) 液晶表示装置
US9690139B2 (en) Display panel
US7808565B2 (en) Liquid crystal display and active matrix substrate thereof
JP2009223167A (ja) 液晶表示装置
JP2007334177A (ja) 液晶装置及び電子機器
JP2008216859A (ja) 電気光学装置の駆動方法、電気光学装置、及び電子機器
CN105988251A (zh) 显示面板及显示装置
US7855771B2 (en) Liquid crystal display panel and active matrix substrate thereof
JP7191596B2 (ja) 液晶表示装置
TWI551928B (zh) 顯示面板及顯示裝置
JP2008083208A (ja) 液晶装置及びその製造方法、並びに電子機器
US10222661B2 (en) Liquid crystal display panel and liquid crystal display device
US9147371B2 (en) Liquid crystal display panel used in normally black mode and display apparatus using the same
TWI402584B (zh) 影像顯示系統
US20210405483A1 (en) Display panel and display device
US20160225347A1 (en) Liquid crystal display panel

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees