KR100481608B1 - 액정 표시 장치 - Google Patents
액정 표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100481608B1 KR100481608B1 KR10-2002-7006780A KR20027006780A KR100481608B1 KR 100481608 B1 KR100481608 B1 KR 100481608B1 KR 20027006780 A KR20027006780 A KR 20027006780A KR 100481608 B1 KR100481608 B1 KR 100481608B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- wiring
- common
- pixel electrode
- liquid crystal
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 116
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 98
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 91
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 18
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 aluminum (Al) Chemical class 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100214497 Solanum lycopersicum TFT5 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Geometry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
Claims (14)
- 삭제
- 어레이 기판과, 상기 어레이 기판에 대향하는 대향 기판과, 상기 어레이 기판과 상기 대향 기판 사이에 협지된 액정을 구비하되,상기 어레이 기판은,서로 교차하고 있는 복수 개의 게이트 배선 및 복수 개의 소스 배선과,인접하는 2개의 상기 게이트 배선 및 인접하는 2개의 상기 소스 배선에 의해 구획이 정해진 각 영역 내에 배치된 화소 전극과,상기 게이트 배선으로부터 입력된 신호 전압에 근거하여 상기 소스 배선으로부터 상기 화소 전극으로 인가되는 전압을 스위칭하는 스위칭 소자와,인접하는 2개의 상기 게이트 배선 사이에 형성된 공통 배선과,상기 공통 배선에 전기적으로 접속되어, 전압이 인가된 상기 화소 전극과의 사이에 상기 액정을 구동하는 전계를 생성시키는 공통 전극과,상기 공통 배선에 전기적으로 접속된 축적 용량 전극을 구비하며,상기 공통 배선 및 상기 축적 용량 전극은,절연층을 거쳐서 상기 화소 전극의 적어도 일부를 협지하도록 적층되어 있고,상기 화소 전극에 전기적으로 접속된 부가 축적 용량 전극을 더 구비하며,상기 화소 전극 및 상기 부가 축적 용량 전극은,절연층을 거쳐서 상기 공통 배선 또는 상기 축적 용량 전극의 적어도 일부를 협지하도록 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 어레이 기판과, 상기 어레이 기판에 대향하는 대향 기판과, 상기 어레이 기판과 상기 대향 기판 사이에 협지된 액정을 구비하되,상기 어레이 기판은,서로 교차하고 있는 복수 개의 게이트 배선 및 복수 개의 소스 배선과,인접하는 2개의 상기 게이트 배선 및 인접하는 2개의 상기 소스 배선에 의해 구획이 정해진 각 영역 내에 배치된 화소 전극과,상기 게이트 배선으로부터 입력된 신호 전압에 근거하여 상기 소스 배선으로부터 상기 화소 전극으로 인가되는 전압을 스위칭하는 스위칭 소자와,인접하는 2개의 상기 게이트 배선 사이에 형성된 공통 배선과,상기 공통 배선에 전기적으로 접속되어, 전압이 인가된 상기 화소 전극과의 사이에 상기 액정을 구동하는 전계를 생성시키는 공통 전극과,상기 공통 배선에 전기적으로 접속된 축적 용량 전극을 구비하며,상기 공통 배선 및 상기 축적 용량 전극은,절연층을 거쳐서 상기 화소 전극의 적어도 일부를 협지하도록 적층되어 있고,상기 공통 배선, 상기 화소 전극 및 상기 축적 용량 전극이, 이 순서대로 적층되어 있고, 상기 축적 용량 전극과 동일한 층에 해당 축적 용량 전극과 동일한 재료로 이루어지는 차광막이 해당 축적 용량 전극과는 분리하여 형성되고, 해당 차광막에 의해 상기 스위칭 소자가 덮여 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 어레이 기판과, 상기 어레이 기판에 대향하는 대향 기판과, 상기 어레이 기판과 상기 대향 기판 사이에 협지된 액정을 구비하되,상기 어레이 기판은,서로 교차하고 있는 복수 개의 게이트 배선 및 복수 개의 소스 배선과,인접하는 2개의 상기 게이트 배선 및 인접하는 2개의 상기 소스 배선에 의해 구획이 정해진 각 영역 내에 배치된 화소 전극과,상기 게이트 배선으로부터 입력된 신호 전압에 근거하여 상기 소스 배선으로부터 상기 화소 전극으로 인가되는 전압을 스위칭하는 스위칭 소자와,인접하는 2개의 상기 게이트 배선 사이에 형성된 공통 배선과,상기 공통 배선에 전기적으로 접속되어, 전압이 인가된 상기 화소 전극과의 사이에 상기 액정을 구동하는 전계를 생성시키는 공통 전극과,상기 공통 배선에 전기적으로 접속된 축적 용량 전극을 구비하며,상기 공통 배선 및 상기 축적 용량 전극은,절연층을 거쳐서 상기 화소 전극의 적어도 일부를 협지하도록 적층되어 있고, 상기 공통 배선은 상기 게이트 배선과 동일한 층에 형성되며, 상기 축적 용량 전극은 상기 공통 전극과 동일한 층에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 어레이 기판과, 상기 어레이 기판에 대향하는 대향 기판과, 상기 어레이 기판과 상기 대향 기판 사이에 협지된 액정을 구비하되,상기 어레이 기판은,서로 교차하고 있는 복수 개의 게이트 배선 및 복수 개의 소스 배선과,인접하는 2개의 상기 게이트 배선 및 인접하는 2개의 상기 소스 배선에 의해 구획이 정해진 각 영역 내에 배치된 화소 전극과,상기 게이트 배선으로부터 입력된 신호 전압에 근거하여 상기 소스 배선으로부터 상기 화소 전극으로 인가되는 전압을 스위칭하는 스위칭 소자와,인접하는 2개의 상기 게이트 배선 사이에 형성된 공통 배선과,상기 공통 배선에 전기적으로 접속되어, 전압이 인가된 상기 화소 전극과의 사이에 상기 액정을 구동하는 전계를 생성시키는 공통 전극과,상기 화소 전극에 전기적으로 접속된 축적 용량 전극을 구비하며,상기 화소 전극 및 상기 축적 용량 전극은,절연층을 거쳐서 상기 공통 배선의 적어도 일부를 협지하도록 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 공통 배선에 전기적으로 접속된 부가 축적 용량 전극을 더 구비하되,상기 공통 배선 및 상기 부가 축적 용량 전극은,절연층을 거쳐서 상기 화소 전극 또는 상기 축적 용량 전극의 적어도 일부를 협지하도록 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 어레이 기판과, 상기 어레이 기판에 대향하는 대향 기판과, 상기 어레이 기판과 상기 대향 기판 사이에 협지된 액정을 구비하되,상기 어레이 기판은,서로 교차하고 있는 복수 개의 게이트 배선 및 복수 개의 소스 배선과,인접하는 2개의 상기 게이트 배선 및 인접하는 2개의 상기 소스 배선에 의해 구획이 정해진 각 영역 내에 배치된 화소 전극과,상기 게이트 배선으로부터 입력된 신호 전압에 근거하여 상기 소스 배선으로부터 상기 화소 전극으로 인가되는 전압을 스위칭하는 스위칭 소자와,인접하는 2개의 상기 게이트 배선 사이에 형성된 공통 배선과,상기 공통 배선에 전기적으로 접속되어, 전압이 인가된 상기 화소 전극과의 사이에 상기 액정을 구동하는 전계를 생성시키는 공통 전극을 구비하며,상기 화소 전극 및 상기 공통 전극은,소정 절연층을 거쳐서 상기 게이트 배선과는 별도의 층에 형성되어 있고, 상기 공통 전극은 상기 소스 배선과 거의 평행하게 되도록 상기 공통 배선으로부터 분기되고 있으며, 또한 상기 화소 전극의 일부가 상기 공통 전극과 평행하게 되어 있고, 상기 공통 전극과 평행한 부분의 상기 화소 전극의 말단 및 상기 공통 전극의 말단이 상기 게이트 배선에 중첩되어 있으며,상기 게이트 배선, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극이 이 순서대로 적층되어 있고, 상기 공통 전극과 동일한 층에 해당 공통 전극과 동일한 재료로 이루어지는 차광막이 해당 축적 용량 전극과는 분리하여 형성되며, 해당 차광막에 의해 상기 스위칭 소자가 덮여 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 공통 전극은,절연층을 거쳐서 상기 소스 배선과 별도의 층에 형성되어 있고, 적어도 일부가 상기 소스 배선과 길이 방향을 따라 서로 중첩되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 화소 전극 및 상기 공통 전극은,절연층을 거쳐서 서로 별도의 층에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 삭제
- 제 9 항에 있어서,상기 스위칭 소자의 적어도 일부가, 상기 게이트 배선 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 게이트 배선, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극이 이 순서대로 적층되어 있고, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 형성되는 절연층은, 0.5㎛ 이상의 두께를 갖는 유기막에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 2 내지 5 항, 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 화소 전극과 상기 공통 전극 중 어느 한쪽 또는 양쪽 모두는,투명 전극 재료에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 2 내지 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 축적 용량 전극은,상기 게이트 배선의 신호 입력측인 일단측으로부터 타단측을 향해 작아지도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2000-00293809 | 2000-09-27 | ||
JP2000293809 | 2000-09-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020055600A KR20020055600A (ko) | 2002-07-09 |
KR100481608B1 true KR100481608B1 (ko) | 2005-04-08 |
Family
ID=18776531
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2002-7006780A KR100481608B1 (ko) | 2000-09-27 | 2001-09-27 | 액정 표시 장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6850303B2 (ko) |
KR (1) | KR100481608B1 (ko) |
CN (1) | CN1164971C (ko) |
TW (1) | TWI284240B (ko) |
WO (1) | WO2002027392A1 (ko) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4456806B2 (ja) * | 2002-03-19 | 2010-04-28 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置、電気光学装置とその製造方法、電子機器 |
KR100895017B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2009-04-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 개구율이 향상된 횡전계모드 액정표시소자 |
KR100929675B1 (ko) * | 2003-03-24 | 2009-12-03 | 삼성전자주식회사 | 다중 도메인 액정 표시 장치 및 그 박막 트랜지스터 기판 |
KR101157223B1 (ko) | 2003-10-29 | 2012-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법 |
KR100595456B1 (ko) | 2003-12-29 | 2006-06-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 제조방법 |
JP4176722B2 (ja) * | 2004-01-20 | 2008-11-05 | シャープ株式会社 | 表示素子および表示装置 |
JP4275588B2 (ja) * | 2004-07-26 | 2009-06-10 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
TWI279010B (en) * | 2004-11-12 | 2007-04-11 | Innolux Display Corp | Storing capacitor and liquid crystal display device using it |
JP4639968B2 (ja) * | 2005-05-31 | 2011-02-23 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示装置 |
KR101222952B1 (ko) * | 2005-11-18 | 2013-01-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | Tft 어레이 기판 및 그 제조방법 |
JP4645488B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2011-03-09 | ソニー株式会社 | 液晶装置及び電子機器 |
CN100557806C (zh) * | 2006-09-11 | 2009-11-04 | 中华映管股份有限公司 | 像素结构 |
JP5235363B2 (ja) * | 2007-09-04 | 2013-07-10 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 液晶表示装置 |
JP2009145745A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
CN101893774B (zh) * | 2009-05-22 | 2014-12-10 | 上海天马微电子有限公司 | 液晶显示面板及其制造方法 |
US20110085121A1 (en) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | Hydis Technologies Co., Ltd. | Fringe Field Switching Mode Liquid Crystal Display Device and Method of Fabricating the Same |
JP5677923B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2015-02-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
JP5978001B2 (ja) * | 2012-05-22 | 2016-08-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
CN103913904A (zh) * | 2013-05-09 | 2014-07-09 | 上海中航光电子有限公司 | 像素结构、tft阵列基板、液晶显示面板和液晶显示装置 |
CN103488004A (zh) * | 2013-09-26 | 2014-01-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、液晶面板及显示装置 |
US11073734B2 (en) * | 2017-05-04 | 2021-07-27 | Chongqing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Array substrate and method of manufacturing the same, display panel and display device |
US20200124924A1 (en) * | 2018-10-23 | 2020-04-23 | HKC Corporation Limited | Array substrate, display panel and display device |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0435526A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-06 | Sony Corp | 積分型変換装置 |
JP2616160B2 (ja) * | 1990-06-25 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタ素子アレイ |
JPH05232509A (ja) | 1992-02-21 | 1993-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2940354B2 (ja) | 1992-09-18 | 1999-08-25 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
JP3289099B2 (ja) * | 1995-07-17 | 2002-06-04 | 株式会社日立製作所 | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 |
KR0158260B1 (ko) * | 1995-11-25 | 1998-12-15 | 구자홍 | 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 및 제조방법 |
US5852485A (en) * | 1996-02-27 | 1998-12-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for producing the same |
JP3486859B2 (ja) | 1996-06-14 | 2004-01-13 | 大林精工株式会社 | 液晶表示装置 |
JP3062090B2 (ja) * | 1996-07-19 | 2000-07-10 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
KR100697903B1 (ko) * | 1997-04-11 | 2007-03-20 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정표시장치 |
KR100257369B1 (ko) * | 1997-05-19 | 2000-05-15 | 구본준 | 횡전계방식액정표시장치 |
US20010055074A1 (en) * | 1997-07-22 | 2001-12-27 | Hiroshi Komatsu | In-plane switching mode lcd with specific arrangement of common bus line, data electrode, and common electrode |
JP3378177B2 (ja) * | 1997-08-21 | 2003-02-17 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
JP4130490B2 (ja) | 1997-10-16 | 2008-08-06 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置 |
JP3484363B2 (ja) * | 1998-11-24 | 2004-01-06 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
-
2001
- 2001-09-26 TW TW090123748A patent/TWI284240B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-09-27 CN CNB018029027A patent/CN1164971C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-27 KR KR10-2002-7006780A patent/KR100481608B1/ko active IP Right Grant
- 2001-09-27 WO PCT/JP2001/008414 patent/WO2002027392A1/ja active IP Right Grant
- 2001-09-27 US US10/148,131 patent/US6850303B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6850303B2 (en) | 2005-02-01 |
TWI284240B (en) | 2007-07-21 |
US20020171779A1 (en) | 2002-11-21 |
WO2002027392A1 (fr) | 2002-04-04 |
CN1392965A (zh) | 2003-01-22 |
CN1164971C (zh) | 2004-09-01 |
KR20020055600A (ko) | 2002-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100481608B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
US6862067B2 (en) | Active-matrix addressing liquid-crystal display device using lateral electric field and having two storage capacitors | |
US6335771B1 (en) | Liquid crystal display device, and methods of manufacturing and driving same | |
US6791633B2 (en) | Liquid crystal display and manufacturing method of same | |
US7259820B2 (en) | Active matrix type liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
JP4162890B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP4731206B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
US7859616B2 (en) | Liquid crystal display apparatus | |
US7206050B2 (en) | IPS type LCD and method for fabricating the same | |
US6801275B2 (en) | TFT-LCD device comprising test pixels, black matrix elements, common voltage line formed within a particular dummy region | |
US20040017521A1 (en) | Active matrix type liquid crystal display apparatus | |
US8810757B2 (en) | Liquid crystal display device including a light-blocking member | |
US7460192B2 (en) | Liquid crystal display, thin film diode panel, and manufacturing method of the same | |
WO2000020918A1 (fr) | Dispositif a cristaux liquides et appareil electronique | |
US7385661B2 (en) | In-plane switching mode liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
JP6369801B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JPWO2011132452A1 (ja) | 液晶表示パネルおよび液晶表示装置 | |
US20040119900A1 (en) | Array substrate for liquid crystal display substrate having high aperture ratio and method for fabricating the same | |
KR100355403B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
US20040109119A1 (en) | In-plane switching liquid crystal display with high aperture ratio | |
KR20060092712A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
US10718982B2 (en) | Liquid crystal display devices | |
JP2004004725A (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
JP3554977B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
US20190196283A1 (en) | Substrate for display device and display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130228 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140303 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150302 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160304 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170302 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180316 Year of fee payment: 14 |