JP4456806B2 - 液晶表示装置、電気光学装置とその製造方法、電子機器 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置、電気光学装置とその製造方法、電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、画素電極と当該画素電極を制御するためのＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）等のスイッチング素子とがマトリクス状に互いに交差する複数のデータ線及び走査線間に配列されるようにして構成された素子基板と、画素電極に対向する対向電極が形成された対向基板と、これら両基板の間に充填された液晶とからなる液晶表示パネル（表示部）を構成する。前記スイッチング素子は、画像信号を供給する前記データ線、及び、走査信号が順次印加される前記走査線に電気的に接続されている。また、液晶表示パネルの周辺の外側領域には、前記スイッチング素子の開閉や液晶表示を制御する走査線駆動回路及びデータ線駆動回路が設けられている。
【０００３】
また、液晶表示装置においては、前記液晶表示パネルの周辺の外側領域に、前記走査線駆動回路及び前記データ線駆動回路のみならず、種々のセンサー等の素子や各種回路（ＩＣ）等の各種の機能素子を外付けにより取り付けることが専ら行われていた（例えば、特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平５−８０３１４号公報 （第６頁、図１）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、液晶表示パネルの外部に外付けの形式で各種の部材を取り付けていこうとすると、基板として見たときの表示に寄与しない周辺の実装領域が大きくなってしまい、特定の限られた基板内での液晶表示装置の高機能化に限度があり、外付けのために液晶表示装置の集積化が困難であった。
【０００６】
また、機能素子も、液晶表示パネルの周辺の外側領域に搭載できるような種類の部材しか搭載できず、例えば、機能素子がマトリクス配置して同じ機能を均一に２次元配置した方がよいような部材である場合や占有面積の広いエリア型の部材である場合などはその機能素子を搭載することができず、搭載できる機能に限界があった。
【０００７】
さらに、前記液晶表示パネルに外付けの形式で機能素子を取り付ける場合には、液晶表示パネルと機能素子とが別部材であるために、液晶表示パネルを製造するプロセスと、機能素子を製造するプロセスとを各々行う必要があったために、工程数が増え、プロセスが長くなり、コストアップを招いていた。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、液晶表示パネルの周辺の外側領域に機能素子を外付けすることを要せずに、外側領域に搭載できないような種類の部材を含めて機能素子を搭載して、高集積化や高機能化を図ることができ、しかもコストアップを低減することのできる液晶表示装置、電気光学装置とその製造方法、電子機器を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る第１の液晶表示装置は、マトリクス状に配列された複数の画素と、この画素を駆動する駆動素子とを有する液晶表示装置であって、複数の前記画素からなる表示に供される領域（いわゆる画像表示領域）内に前記駆動素子の機能と異なる機能を備えた機能素子を配置したことを特徴としている。
【００１０】
上記本発明の第１の液晶表示装置によれば、液晶表示装置を構成する複数の画素からなる表示に供される領域内部に、機能素子を組み込む構成にできるので、表示に供される領域内部に種々の機能を内蔵でき、高機能化、高集積化を図ることができる。
【００１１】
また、上記目的を達成するために、本発明に係る第２の液晶表示装置は、マトリクス状に配列された複数の画素と、この画素を駆動する駆動素子及び前記画素を駆動するための信号の配線層とからなる表示に供される領域を有する液晶表示装置において、前記表示に供される領域内であって、前記駆動素子又は前記配線層に対して重なる位置に前記駆動素子の機能と異なる機能を備えた機能素子を配置したことを特徴としている。
【００１２】
上記本発明の第２の液晶表示装置によれば、配線層や駆動素子に対して重なる位置は、透過モードでの表示、反射モードでの表示のどちらにおいても表示を行う際の表示品位に影響しない位置であるので、この位置を利用して機能素子を表示に供される領域内に形成することにより、機能素子を内蔵して高機能化を図りながらも、表示品位が低下することはない。
【００１３】
また、上記目的を達成するために、本発明の第３の液晶表示装置は、各画素が所定の間隔でマトリクス状に配列された複数の画素と、この画素を駆動する駆動素子とを有する液晶表示装置であって、前記マトリクス状に配列された複数の画素と同一面内に前記駆動素子の機能と異なる機能を有する機能素子を複数設けると共に、この複数の機能素子の相互間の間隔を前記マトリクス状に配列された画素の間隔と異ならせたことを特徴としている。
【００１４】
上記本発明の第３の液晶表示装置によれば、複数の画素と複数の機能素子を同一平面内に形成し、複数の各機能素子の間隔と複数の各画素の間隔とを異ならせたことにより、複数の機能素子による光の透過の妨げをできるだけ低減しつつ、機能素子を組み込むことができ、画素を形成する製造プロセスと機能素子を製造する製造プロセスとを同一製造プロセス内で行い、かつ、高機能化を図りながらも、表示品位が低下しない。
【００１５】
上記構成の液晶表示装置においては、前記機能素子の間隔の方を広くすることが望ましい。
この構成によれば、画像表示領域内の機能素子の配設数が少なくなり、機能素子の平面的な占有領域を低減して、光が透過する表示に寄与する領域を広く形成でき、開口率の低下を最小にし、表示品位の低下を防止できる。
【００１６】
また、機能素子の配置については、機能素子を、液晶が挟持される一対の基板のうち前記駆動素子及び前記配線層が形成される一方の基板と対向する他方の基板に配設するようにしても良い。その場合、前記他方の基板に、前記駆動素子と対向する位置に配設される遮光層を設け、前記機能素子を、前記遮光層と前記他方の基板との間に介在させるように設けることができる。もしくは、前記機能素子を、前記遮光層の前記液晶に面する側に形成することもできる。もしくは、前記機能素子を、前記他方の基板の前記液晶に面する側と反対側の面に形成することもできる。また、前記機能素子を、液晶が挟持される一対の基板のうち前記駆動素子及び前記配線層が形成される一方の基板に配設しても良い。
【００１７】
また、上記目的を達成するために、本発明の第４の液晶表示装置は、各画素が所定の間隔でマトリクス状に配列された複数の画素と、この画素を駆動する駆動素子とを有する液晶表示装置であって、前記マトリクス状に配列された複数の画素と同一面内に前記駆動素子の機能と異なる機能を有する複数の機能素子を複数設けると共に、第１の機能を有する複数の機能素子の相互間の間隔を前記マトリクス状に配列された画素の間隔と異ならせ、かつ、前記第１の機能を有する複数の機能素子と重ならない位置で前記第１の機能と異なる機能を有する複数の機能素子の相互間の間隔を前記マトリクス状に配列された画素の間隔と異ならせたことを特徴としている。
【００１８】
本発明の第４の液晶表示装置によれば、異なる機能を有する少なくとも２種類の機能素子を搭載できるのと同時に、これら機能素子の配置間隔を画素間隔と異ならせたことにより、複数の機能素子を設けたことによる光透過の妨げをできるだけ低減しつつ、機能素子を組み込むことができる。
【００１９】
また、上記目的を達成するために、本発明の第５の液晶表示装置は、マトリクス状に配列された複数の画素と、この画素を駆動する駆動素子とを有する液晶表示装置であって、前記マトリクス状に配列された複数の画素と同一面内に前記駆動素子の機能と異なる機能を有する機能素子を複数設けると共に、前記画素の面積と機能素子の面積を異ならせたことを特徴としている。この場合、例えば前記画素の面積の方を大きくすることができる。
【００２０】
本発明の第５の液晶表示装置によれば、機能素子の機能や性能に応じて画素の占有面積とは独立して面積を設定できるので、設計の自由度が向上する。また、画素の面積の方を大きくした場合、機能素子を設けたことによる表示品位の低下を抑えることができる。
【００２１】
上記本発明の第２の液晶表示装置において、前記配線層は互いに交差する複数のデータ線と複数の走査線とを構成し、前記データ線と前記走査線とによって囲まれた領域に各々設けられた液晶駆動用の画素電極を有するとともに、前記機能素子は一対の電極を有し、前記一対の電極が、互いに平面的に交差するように、液晶が挟持される一対の基板の各々に設けられた構成としても良い。この構成は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置とパッシブマトリクス型の機能素子とを組み合わせた例である。
【００２２】
あるいは、マトリクス状に配列された複数の画素と、液晶駆動用の複数の走査電極および前記複数の走査電極と平面的に交差する複数のデータ電極とを有する液晶表示装置であって、表示に供される領域内に、互いに交差する複数のデータ線および複数の走査線に電気的に接続された機能素子用電極を有する機能素子が配置された構成としても良い。この構成は、パッシブマトリクス型の液晶表示装置とアクティブマトリクス型の機能素子とを組み合わせた例である。あるいは、表示に供される領域内に機能素子用電極を有する機能素子が配置され、液晶駆動用電極が前記機能素子用電極を兼ねる構成としても良い。
そして、前記機能素子は、複数種類の各機能部材を含んでもよい。
【００２３】
本発明の第１の電気光学装置は、マトリクス状に配列された複数の画素と、この画素を駆動する駆動素子とを有する電気光学装置であって、前記複数の画素からなる表示に供される領域内に前記駆動素子の機能と異なる機能を備えた機能素子を配置したことを特徴とする。
上では、本発明を液晶表示装置として説明したが、この種の機能素子を備えたものは液晶表示装置に限ることなく、本発明を画素駆動用素子を有する他の電気光学装置に適用することも可能である。その場合も、上記液晶表示装置の場合と同様の効果を得ることができる。
【００２４】
本発明の第２の電気光学装置は、マトリクス状に配列された複数の画素と、この画素を駆動する駆動素子及び前記画素を駆動するための信号の配線層とからなる表示に供される領域を有する電気光学装置であって、前記表示に供される領域内であって、前記駆動素子又は前記配線層に対して重なる位置に前記駆動素子の機能と異なる機能を備えた機能素子を配置したことを特徴とする。
【００２５】
本発明の第３の電気光学装置は、各画素が所定の間隔でマトリクス状に配列された複数の画素と、この画素を駆動する駆動素子とを有する電気光学装置であって、前記マトリクス状に配列された複数の画素と同一面内に前記駆動素子の機能と異なる機能を有する機能素子を複数設けると共に、この複数の機能素子の相互間の間隔を前記マトリクス状に配列された画素の間隔と異ならせたことを特徴とする。
【００２６】
本発明の第４の電気光学装置は、各画素が所定の間隔でマトリクス状に配列された複数の画素と、この画素を駆動する駆動素子とを有する電気光学装置であって、前記マトリクス状に配列された複数の画素と同一面内に前記駆動素子の機能と異なる機能を有する複数の機能素子を複数設けると共に、第１の機能を有する複数の機能素子の相互間の間隔を前記マトリクス状に配列された画素の間隔と異ならせ、かつ、前記第１の機能を有する複数の機能素子と重ならない位置で前記第１の機能と異なる機能を有する複数の機能素子の相互間の間隔を前記マトリクス状に配列された画素の間隔と異ならせたことを特徴とする。
【００２７】
本発明の第５の電気光学装置は、マトリクス状に配列された複数の画素と、この画素を駆動する駆動素子とを有する電気光学装置であって、前記マトリクス状に配列された複数の画素と同一面内に前記駆動素子の機能と異なる機能を有する機能素子を複数設けると共に、前記画素の面積と機能素子の面積を異ならせたことを特徴とする。
【００２８】
本発明の第１の電気光学装置の製造方法は、マトリクス状に配列された複数の画素と、この画素を駆動する駆動素子とを有する電気光学装置の製造方法であって、前記複数の画素からなる表示に供される領域内に前記駆動素子の機能と異なる機能を備えた機能素子を形成することを特徴とする。
【００２９】
本発明の第２の電気光学装置の製造方法は、マトリクス状に配列された複数の画素と、この画素を駆動する駆動素子及び前記画素を駆動するための信号の配線層とからなる表示に供される領域を有する電気光学装置の製造方法であって、前記表示に供される領域内であって、前記駆動素子又は前記配線層に対して重なる位置に前記駆動素子の機能と異なる機能を備えた機能素子を形成することを特徴とする。
【００３０】
本発明の第３の電気光学装置の製造方法は、各画素が所定の間隔でマトリクス状に配列された複数の画素と、この画素を駆動する駆動素子とを有する電気光学装置の製造方法であって、前記マトリクス状に配列された複数の画素と同一面内に前記駆動素子の機能と異なる機能を有する機能素子を複数形成すると共に、この複数の機能素子の相互間の間隔を前記マトリクス状に配列された画素の間隔と異ならせたことを特徴とする。
【００３１】
本発明の第４の電気光学装置の製造方法は、各画素が所定の間隔でマトリクス状に配列された複数の画素と、この画素を駆動する駆動素子とを有する電気光学装置の製造方法であって、前記マトリクス状に配列された複数の画素と同一面内に前記駆動素子の機能と異なる機能を有する複数の機能素子を複数形成すると共に、第１の機能を有する複数の機能素子の相互間の間隔を前記マトリクス状に配列された画素の間隔と異ならせ、かつ、前記第１の機能を有する複数の機能素子と重ならない位置で前記第１の機能と異なる機能を有する複数の機能素子の相互間の間隔を前記マトリクス状に配列された画素の間隔と異ならせたことを特徴とする。
【００３２】
本発明の第５の電気光学装置の製造方法は、マトリクス状に配列された複数の画素と、この画素を駆動する駆動素子とを有する電気光学装置の製造方法であって、前記マトリクス状に配列された複数の画素と同一面内に前記駆動素子の機能と異なる機能を有する機能素子を複数設けると共に、前記画素の面積と機能素子の面積を異ならせたことを特徴とする。
【００３３】
本発明の電子機器は、上記本発明の電気光学装置を備えたことを特徴とする。本発明によれば、表示品位に優れ、タッチキー、温度による表示補正機能など、多種の機能を備えた電子機器を実現することができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態の一例について、図面を参照して具体的に説明する。
【００３５】
［第１の実施の形態］
（液晶表示装置の全体構成）
先ず、本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の全体の概略構成について、図１を参照して以下説明する。図１は、液晶表示装置の全体の概略構成の一例を示す概略斜視図である。
【００３６】
本実施の形態の液晶表示装置１は、図１に示すように、例えばアクティブマトリクス型の液晶表示パネルであり、一面にマトリクス状に形成されたスイッチング素子（駆動素子）（図１では不図示であるが詳細は後述）及び画素電極１１が形成された素子基板２０と、前記素子基板２０に対向して配設された対向基板３０と、これら素子基板２０及び対向基板３０間に液晶を封入することにより形成される液晶層４０とから構成される。なお、対向基板３０の四辺の周縁であって、素子基板２０上には、前記対向基板３０の周縁に沿って不図示のシール材が形成され、この四辺のシール材により液晶を封入することが可能となる。
【００３７】
そして、図１の液晶表示装置１においては、対向基板３０の周辺の外側領域Ａと、複数の画素１０からなり表示に供される領域で、対向基板３０内においてほぼ同じ輪郭からなる画像表示可能な画像表示領域Ｂとを構成する。対向基板３０の周辺の外側領域Ａにおいては、前記スイッチング素子の開閉や表示制御のためのデータ線駆動回路３及び走査線駆動回路４が素子基板２０上に設けられており、データ線駆動回路３は素子基板２０の一辺に沿って、走査線駆動回路４はこの一辺に隣接する一辺に沿って設けられている。
【００３８】
なおここに、前記画像表示領域Ｂを構成するマトリクス状に形成される複数の画素１０のうち、一つの画素１０は、１つの画素を動作させるための構成要素を全部含めたものであり、画素電極、画像電極を選択するためのスイッチング素子、保持容量、画素電極に電位を与えるための走査線及びデータ線（いずれも図１では不図示であるが詳細は後述する）、液晶層４０などを含めた空間的なものである。また、一つの画素は、平面的には走査線とデータ線とにより区画された矩形の領域を言う。ただし、後述するＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の異なる色の色素層を含むカラーフィルターを有する液晶表示装置の場合には、上で言う画素が一つのドットとなり、Ｒ、Ｇ、Ｂの３つのドットで一つの画素を構成する。
【００３９】
そして、本実施の形態においては、さらに、前記画像表示領域Ｂ内の任意の空間内に、前記スイッチング素子とは異なる機能を有する機能素子１８を任意の個数設けている。すなわち、従来、外側領域Ａに配設されていた部材などを画像表示領域Ｂの空間内に配設するようにしている。以下、より詳細に、液晶表示装置の平面構造における機能素子の配設位置、液晶表示装置の断面構造における機能素子の配設位置に関して説明する。
【００４０】
（液晶表示装置の平面構造）
先ず、液晶表示装置１の平面構造について、図２を参照して説明する。図２は、本実施の形態の液晶表示装置においてマトリクス状に形成された複数の画素からなる画像表示領域の一部において、素子基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板の側（図１のＣ１方向）からみた（図１のＣ２領域部分の）平面図であり、素子基板の相隣接する複数の画素群の各種素子、配線層、画素電極等を示す。
【００４１】
液晶表示装置１の素子基板２０上には、図２に示すように、マトリクス状に配列された複数の画素電極１１と、前記画素電極１１と対応するようにマトリクス状に配列されて当該画素電極１１に所定の電位を供給するためのスイッチング駆動可能な複数のスイッチング素子１２（本発明にいう「駆動素子」）と、マトリクス状に配列された複数の前記スイッチング素子１２を選択するための配線層である複数の走査線１３ａと、当該走査線１３ａの走査信号によってオン状態にされたスイッチング素子１２を介して画素電極１１に対して通電するための配線層である複数のデータ線１４ａと、液晶層４０にて保持された所定の電圧のリークを防止する蓄積容量を構成するための配線層である容量線１３ｂと、画素電極１１が配設されるべき領域にて画素電極１１に代えて配設され、前記スイッチング素子１２の機能と異なる機能を備えた機能素子１８と、を含んで構成される。
【００４２】
ここで、機能素子１８は、画素電極１１と同様に、走査線１３ａ、容量線１３ｂ、データ線１４ａ・１４ｂによって囲まれる領域に配置される。すなわち、機能素子１８は、従来画素電極１１が形成されていた領域を、画素電極１１を機能素子１８に置き換えることにより配設される。また、機能素子１８が複数の画素電極１１のうちいずれの画素電極１１に代えて配設されるかは任意である。
【００４３】
なお、本実施の形態においては、機能素子１８を動作させるための配線として、前記スイッチング素子１２を選択するための走査線１３ａを、機能素子１８を選択するための「機能素子用の走査線」として兼用する一方、スイッチング素子１２を選択するためのデータ線１４ａとは別に、機能素子用のデータ線１４ｂを設けている。前記走査線１３ａは、前記図１に示した走査線駆動回路４に、前記データ線１４ａ、１４ｂは前記図１に示したデータ線駆動回路３に各々接続されている。
【００４４】
画素電極１１は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜等の透明導電性薄膜から形成され、コンタクトホール１２ｃを通じてスイッチング素子１２を構成するトランジスタのチャネル領域となる半導体層１２ａと電気的に接続されている。
【００４５】
なお、本実施の形態においては、画素電極１１と、走査線１３ａ・データ線１４ａ・データ線１４ｂ・容量線１３ｂなどの配線層とが平面視して重ならないように、前記画素電極１１が配置されている場合を想定しており、このために、表示に寄与する領域Ｐと画素電極１１の輪郭とはほぼ等しく構成される。なおまた、配線層と画素電極を同層に形成するか異なる層に形成するかは問わない。
【００４６】
スイッチング素子１２は、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）等にて形成され、トランジスタのチャネル領域である半導体層１２ａの一部の上に構成される。ゲート膜を介して走査線１３ａと電気的に接続されるとともに、データ線１４ａとコンタクトホール１２ｂを介して電気的に接続されている。
【００４７】
また、スイッチング素子１２を構成する半導体層１２ａが画素電極１１とコンタクトホール１２ｃを介して電気的に接続されることで、スイッチング素子１２と画素電極１１との導通を可能としている。
【００４８】
走査線１３ａは、パルス的に所定のタイミングで走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・を例えば線順次で順次印加するための配線層であり、スイッチング素子１２に電気的に接続されるとともに、機能素子１８にも電気的に接続されている。
【００４９】
データ線１４ａは、画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・を例えば線順次に供給するための配線層であり、スイッチング素子１２と電気的に接続されている。これにより、走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・によりスイッチング素子１２を一定期間だけ開けることにより、データ線１４から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・を所定のタイミングで書き込むようにしている。
【００５０】
データ線１４ｂは、信号Ｓ１´、・・を供給または読み出すものであり、機能素子１８と電気的に接続されている。これにより、走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・により機能素子１８のスイッチを一定期間だけ開けることにより、データ線１４から機能素子１８の情報を読み出したり、書き込んだりする。本実施の形態においては、画素電極用のデータ線１４ａと、機能素子用のデータ線１４ｂを構成しており、信号Ｓ１、Ｓ１´、Ｓ２、・・のように供給、読み出されることとなる。
【００５１】
ここで、画素電極１１に代えて機能素子１８を設ける場合に、「機能素子用の走査線」と「機能素子用のデータ線」の配線の仕方としては、画素電極１１の走査線１３ａと画素電極１１のデータ線１４ａとに各々重複する形で３次元的に配設するような構成であってもよいが、工程を長くしないために、機能素子１８のデータ線１４ｂのみ画素電極１１のデータ線１４ｂと独立に設けて、機能素子の走査線１３ａは、画素電極１１のスイッチング素子１２を選択する走査線１３ａと同じものを利用することが好ましいのである。
【００５２】
容量線１３ｂは、半導体層１２ａとの間で容量を形成するための配線であり、画素電極１１を介して液晶層４０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・が一定期間保持され、保持された画像信号がリークするのを防ぐために蓄積容量を構成するものである。
【００５３】
機能素子１８は、スイッチング素子１２と異なる機能を有する各種素子、各種部材、各種半導体回路であれば、あらゆる種類の素子であってよい。例えば、表示用の電極を用いて保持している電位の変化を検出するタッチパネル等の（２次元配置の）センサー、フォトダイオード、画素のフィードバック回路、各画素の温度補正が可能な温度補正回路、各種演算回路、各種メモリ素子、各種撮像素子等が挙げられる。
【００５４】
なお、機能素子１８の平面的な占有領域は、その種類によっても変わるが、例えば、前記占有領域が増大するような部材に関しては、当該部材の膜厚を厚くして平面的な占有領域を最小限にするような構成としてもよい。
【００５５】
本実施の形態の機能素子１８は、例えば、センサー等にて形成され、センサー用電極１８ａと、前記センサー用電極１８ａを選択するためのセンサー用スイッチング素子のチャネル領域である半導体層１９ａとを含んで構成される。また、センサー用電極１８ａが形成される領域内には、容量線１３ｂが延在形成される。
【００５６】
センサー用電極１８ａは、コンタクトホール１９ｃを介してセンサー用スイッチング素子を構成するための半導体層１９ａと電気的に接続される。また、センサー用スイッチング素子を構成するための半導体層１９ａは、コンタクトホール１９ｂを介してデータ線１４ｂと電気的に接続される。これによって、データ線１４ｂとセンサー用電極１８ａとがセンサー用スイッチング素子を構成するための前記半導体層１９ａを介して導通可能となる。
【００５７】
上記のような構成を有する液晶表示装置１において、走査線駆動回路４が、走査線１３ａを介してスイッチング素子１２に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・を印加して当該スイッチング素子１２を導通状態とし、データ線１４ａを介して前記画素電極１１に階調に応じた電圧の画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・を印加することで、当該液晶層４０に画像信号の電圧に応じた電界が印加され、表示が行われる。
【００５８】
一方、機能素子１８は、走査線駆動回路４およびデータ線駆動回路３の駆動制御により走査線１３ａ、データ線１４ｂにより動作する。例えば、機能素子１８がセンサーであれば、検出可能な状態となる。
【００５９】
このように、前記液晶表示装置の平面構造においては、図２に示すように、データ線１４、走査線１３ａ、容量線１３ｂなどの配線層が格子状に形成され、これらの配線層による格子の間隙に画素電極１１もしくは機能素子１８が各々位置することで、画像表示領域内部に機能素子１８の配設が可能となる。
【００６０】
図１１は、本実施の形態の液晶表示装置の等価回路図である。４つの領域のうちの表示に寄与する３つの領域Ｐにスイッチング素子１２および画素電極１１が設けられており、表示に寄与しない領域Ｏにはセンサー用電極１８ａを含む機能素子１８が設けられている。走査線１３ａは走査線駆動回路４に接続される一方、データ線１４ａはデータ線駆動回路３に接続されている。また、機能素子１８と電気的に接続されたデータ線１４ｂは検出回路５１に接続されており、機能素子１８に生じた電荷等の変化がデータ線１４ｂを通じて読み出される構成となっている。さらに、走査線駆動回路４、データ線駆動回路３、および検出回路５１に接続されたコントローラ５２が設けられ、コントローラ５２の作用により機能素子１８はデータの読み出しのみならず、データの書き込みも行えるようになっている。
【００６１】
（液晶表示装置の断面構造）
次に、前記液晶表示装置の断面構造について、図４（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明する。図４（Ａ）は、図２のＤ―Ｄ断面図であり、図４（Ｂ）は、図２のＥ−Ｅ断面図である。
【００６２】
前記液晶表示装置のスイッチング素子１２が形成される領域の断面構造においては、図４（Ａ）に示すように、前記画素電極１１およびスイッチング素子１２並びに走査線１３ａ及びデータ線１４等が構成されたＴＦＴアレイ基板である素子基板２０と、画素電極１１に対向する対向電極３２が形成された対向基板３０と、これらの素子基板２０及び対向基板３０間に充填された液晶層４０と、を含んで構成されている。
【００６３】
一対の基板のうち少なくとも一方が透明な基板である構成であって、素子基板２０は、例えばガラス基板や石英基板、Ｓｉ基板等にて形成され、他方の対向基板３０は、例えばガラス基板や石英基板等の透明な部材にて形成される。素子基板２０上には、素子基板２０上に配設された半導体層１２ａと、走査線１３ａと半導体層１２ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜１６と、前記絶縁膜１６上に各々離間して形成された走査線１３ａおよび容量線１３ｂと、前記走査線１３ａ・容量線１３ｂ・絶縁膜１６・素子基板２０を覆うように形成された第１の層間絶縁層２１と、前記第１の層間絶縁層２１上の前記半導体層１２ａが形成される領域に配設されたデータ線１４ａと、前記データ線１４ａおよび第１の層間絶縁層２１を覆う領域に亘って形成された第２の層間絶縁層２２と、前記第２の層間絶縁層２２上に形成された画素電極１１とが構成されている。
【００６４】
また、第１の層間絶縁層２１及び絶縁膜１６を貫通するコンタクトホール１２ｂが形成されて、データ線１４ａと半導体層１２ａとの電気的接続を可能としている。また、第２の層間絶縁層２２、第１の層間絶縁層２１、及び絶縁膜１６を貫通するコンタクトホール１２ｃが形成されて、画素電極１１と半導体層１２ａとの電気的接続を可能としている。
【００６５】
対向電極３２は、素子基板２０の画素電極１１と同様、ＩＴＯ膜等の透明導電性薄膜から形成されて、対向基板３０には、前記対向基板３０の液晶層４０側の表面上であって素子基板２０上のデータ線１４、走査線１３ａ、スイッチング素子１２の形成領域に対向する領域、すなわち各画素の非表示領域Ｏに形成された遮光層３３と、前記遮光層３３を覆うように全面に亘って形成された対向電極３２（共通電極）とが構成されている。
【００６６】
遮光層３３は、コントラストの向上、色材の混色防止などの機能、いわゆるブラックマトリックスとしての機能を有している。さらに、遮光層３３は、対向基板３０の側からの入射光を遮光し、素子基板２０の半導体層１２ａのチャネル領域や低濃度ソース領域、低濃度ドレイン領域への光の侵入による誤動作を防止するものである。
【００６７】
なお、液晶表示装置１は、素子基板２０および対向基板３０の全面にわたって不図示の配向膜が設けられている。
【００６８】
これら素子基板２０と対向基板３０は、画素電極１１と対向電極３２とが対向するように配置され、これら基板により囲まれた空間に液晶が封入され、液晶層４０が形成される。
【００６９】
ここで、図４（Ａ）は、図２のＤ―Ｄ断面図であり、図４（Ｂ）は、図２のＥ−Ｅ断面図であり、この図４（Ａ）においては、断面に画素電極が形成されるが、図４（Ｂ）では、断面に機能素子が形成される。すなわち、画素電極が形成される部分の断面構造と、機能素子が形成される部分の断面構造とは異なる。
【００７０】
機能素子１８は、例えばセンサー等にて形成され、図４（Ｂ）に示すように、素子基板２０上に配設される。この機能素子１８が配設される領域において、素子基板２０上には、該素子基板２０上に配設されたセンサー用のスイッチング素子を形成するためのトランジスタのチャネル領域である半導体層１９ａと、ゲート絶縁膜を含む絶縁膜１９ｄと、前記絶縁膜１９ｄ上に延在形成された容量線１３ｂと、容量線１３ｂ・絶縁膜１６・素子基板２０を覆うように形成された第１の層間絶縁層２１と、前記第１の層間絶縁層２１を覆う領域に亘って形成された第２の層間絶縁層２２と、前記第２の層間絶縁層２２上に形成されたセンサー用電極１８ａとが構成されている。
【００７１】
また、第２の層間絶縁層２２、第１の層間絶縁層２１、及び絶縁膜１９ｄを貫通するコンタクトホール１９ｃが形成されて、センサー用電極１８ａと半導体層１９ａとの電気的接続を可能としている。これにより、機能素子用のスイッチング素子を構成するトランジスタを形成するためのチャネル領域である半導体層１９ａを利用することで、機能素子１８のセンサー用電極１８ａを選択して情報の検出を行うことができる。
【００７２】
なお、図４（Ａ）に示すスイッチング素子１２や配線層が形成される領域Ｏにおいては、遮光層３３を形成し、画素電極１１の表示に寄与する領域Ｐにおいては、遮光層３３を形成しない構成を基本とするが、図４（Ｂ）に示すように、機能素子１８が配設される領域Ｐ´においては必要に応じて遮光層３３を形成するようにしてもかまわない。
【００７３】
上記のような平面構造及び断面構造からなる液晶表示装置１においては、図２及び図４（Ａ）に示すように、画素電極１１の表示に寄与する領域Ｐと、走査線１３ａ・データ線１４ａ・データ線１４ｂ・容量線１３ｂなどの配線層及びスイッチング素子１２による表示に寄与しない非表示の領域Ｏとが形成され、表示に寄与する領域Ｐを構成する画素電極１１のうちいずれかを犠牲にして画素電極１１に代えて機能素子１８を配設している。
【００７４】
すなわち、平面構造において、画素電極１１による表示に寄与する領域Ｐと、表示に寄与しない領域Ｏとは、図３に示すように形成され、この表示に寄与しない領域Ｏに含まれる領域Ｐ´を利用して機能素子１８を配設するのである。
【００７５】
この際、例えば、対向基板３０から入射する光は、領域Ｐにおいては透過し、領域Ｏ、Ｐ´においては透過しない。
【００７６】
そして、機能素子１８が配設される領域Ｐ´も表示に寄与しない領域となるが、画像表示領域全体で見た場合に機能素子１８による表示への影響が無視できる場合を想定している。このような場合には、前記の領域Ｐ、Ｏに関わらずあるいは規則性のあるものに限らず任意に機能素子１８を構成できる。
【００７７】
このように、従来の周辺の外側領域に配設された部材、あるいは配設できなかった部材等の機能素子（例えば、表示機能以外の回路やセンサー等のあらゆる機能の機能素子）を、画像表示領域という広い領域を使って表示以外の機能を付加していくことができ、画像表示領域、表示空間の有効利用を図ることができ、新たな種々の機能も追加でき、多機能化が図れるとともに、液晶表示装置に集積する上で有利である。
【００７８】
（製造工程について）
次に、上述のような構成における液晶表示装置の製造工程について、図４（Ａ）、（Ｂ）を参照しつつ説明する。
【００７９】
先ず、石英基板、ハードガラス基板、シリコン基板等の素子基板２０を用意する。ここで、好ましくは、不活性ガス雰囲気下で高温にてアニール処理し、後に実施される高温プロセスにおける基板に生じる歪みが少なくなるように前処理（熱処理）を行う。
【００８０】
次に、素子基板２０上に、比較的低温環境中で減圧ＣＶＤにより、アモルファスシリコン膜を形成し、その後、このアモルファスシリコン膜に対して窒素雰囲気中でアニール処理を施すことにより、ポリシリコン膜を特定の厚さとなるまで固層成長させる。これにより、スイッチング素子１２の半導体層１２ａや機能素子１８の半導体層１９ａの構成を行う。
【００８１】
そして、スイッチング素子１２を構成する半導体層１２ａを所定の温度により熱酸化して薄い厚さの熱酸化シリコン膜を形成し、さらに減圧ＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜や窒化シリコン膜を比較的薄い厚さに堆積し、多層構造を持つ絶縁膜１６を形成する。ここで、半導体層１２ａの形成方法として、レーザーアニールによるポリシリコン形成方法を用いてもよいし、単結晶シリコンを基板に貼り合わせて形成してもよい。また、絶縁膜１６の形成にはＰＥＣＶＤ法などによる低温形成可能な方法を用いてもよい。
【００８２】
次いで、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を堆積した後、リン等を熱拡散し、ポリシリコン膜を導電化する。そして、ポリシリコン膜をパターニングし、図２に示したような所定パターンの走査線１３ａと容量線１３ｂを形成する。ここで、ポリシリコン膜の代わりに、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、およびそれらの合金をスパッタ法などにより形成してメタルゲートを用いてもよい。
【００８３】
次に、スイッチング素子１２をＬＤＤ構造を持つｎチャネル型のＴＦＴとする場合、半導体層１２ａに、低濃度ソース領域および低濃度ドレイン領域を形成するために、走査線１３ａの一部となるゲート電極を拡散マスクとして、不純物イオンを低濃度でドープする。これにより、走査線１３ａ下の半導体層１２ａは、チャネル領域となる。
【００８４】
続いて、スイッチング素子１２を構成する高濃度ソース領域および高濃度ドレイン領域を形成するために、走査線１３ａよりも幅の広いマスクでレジスト層を走査線１３ａ上に形成した後、不純物イオンを高濃度でドープする。
【００８５】
そして、このような各工程を繰り返すようにして、スイッチング素子１２を構成する半導体層１２ａをポリシリコン膜で形成すれば、スイッチング素子１２の形成時にほぼ同一工程で、機能素子や他のデータ線駆動回路および走査線駆動回路を形成することができ、製造上有利である。
【００８６】
次に、スイッチング素子１２における走査線１３ａと容量線１３ｂを覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等により酸化シリコン膜等からなる第１の層間絶縁層２１を形成する。
【００８７】
そして、高濃度ソース領域および高濃度ドレイン領域を活性化するためにアニール処理を行った後、半導体層１２ａに対するデータ線１４のコンタクトホールを、エッチングにより形成する。
【００８８】
また、走査線１３ａや容量線１３ｂを図示しない配線層と接続するためのコンタクトホールも第１の層間絶縁層２１に開孔する。なお、機能素子１８に対する配線などに必要なコンタクトホールも同様にして形成する。
【００８９】
次に、第１の層間絶縁層２１の上に、スパッタリング等により、遮光性のＡｌ等の低抵抗金属や金属シリサイド等を金属膜を堆積し、さらに、フォトリソグラフィー工程、エッチング工程等により、金属膜をパターニングしてデータ線１４を形成する。続いて、データ線１４上を覆うように、例えば、ＰＥＣＶＤ法により酸化シリコン膜等からなる第２の層間絶縁層２２を形成する。
【００９０】
次いで、スイッチング素子１２において、画素電極１１と高濃度ドレイン領域とを電気的に接続するためのコンタクトホール１２ｃを、エッチングにより形成する。さらに、第２の層間絶縁層２２の上に、スパッタリング等により、ＩＴＯ膜等の透明導電性薄膜を堆積し、これをパターンニングして画素電極１１を形成する。
【００９１】
他方、対向基板３０については、ガラス基板等が先ず用意され、遮光層３３を、例えば金属クロムをスパッタリングした後、フォトリソグラフィー工程、エッチング工程を経て形成する。
【００９２】
その後、対向基板３０の全面にスパッタリング等により、ＩＴＯ等の透明導電性薄膜を堆積することにより、対向電極３２を形成する。以上の製造方法は、一例にすぎず、公知の低温ポリシリコンＴＦＴ製造プロセスや高温ポリシリコンＴＦＴ製造プロセス、バルクシリコン製造プロセス、ＳＯＩ製造プロセスなどを適用できることは言うまでもない。
【００９３】
最後に、上述のように各層が形成された素子基板２０と対向基板３０とを所定のラビング方向に交差するように配置し、所定のセル厚となるように貼り合わせ、空パネルを作製する。液晶をパネル内に封入して本実施の形態の液晶表示装置を作製する。
【００９４】
このように、本実施の形態においては、図４（Ａ）（Ｂ）に示すように、スイッチング素子１２の半導体層１２ａと機能素子１８の半導体層１９ａとは同一層に形成されることから、同一のプロセス工程にて形成されるので、従来のような機能素子と液晶表示装置とを別々に製造することを要しないので、機能素子内蔵型の液晶表示装置の製造時のコストダウンを図ることができる。
【００９５】
以上のように本実施の形態によれば、従来のような外付けによらずに、液晶表示装置を構成する複数の画素からなる表示に供される画像表示領域内部に、スイッチング素子と異なる機能を有する機能素子を組み込む構成にできるので、種々の機能を内蔵でき、高機能化、高集積化を図ることができる。
【００９６】
また、従来のように液晶表示装置の製造プロセスと各種機能素子の製造プロセスを別々に行う必要がなく、液晶表示装置の製造するプロセス内に前記機能素子を製造するプロセスが含まれ、特に、基板プロセスと同じ工程で各種機能素子を製造することができるので、製造工程の簡略化、製造時のコストダウンを図ることができる。
【００９７】
なお、図２においては、表示に寄与する４つの領域Ｐのうちの一つを用いて機能素子１８を配置する構成の例を示した。カラー表示が可能な液晶表示装置を実現する場合には、この構成に代えて、図１２に示す構成とすることが望ましい。すなわち、表示に寄与する領域Ｐを縦長の矩形状とし、隣接する３つのドットにカラーフィルターのＲ、Ｇ、Ｂの異なる色素層を割り当てる。これら３つのドットがカラー表示が可能な一つの画素を構成する。そして、図１２における各ドットの下側に、表示に寄与する領域Ｐよりも小さい面積の表示に寄与しない領域Ｏを設け、各領域Ｏ内に機能素子１８を配置する。なお、この場合は機能の異なる機能素子を複数配置してもよい。
【００９８】
このように、イメージセンサー等の機能素子１８を画像表示領域Ｂ内に２次元的に配置する場合、表示に寄与する領域Ｐと表示に寄与しない領域Ｏの面積比を変えて設計することが望ましい。これにより開口率の低下が抑えられ、機能素子１８を設けたことによる表示品位の低下が抑制できるからである。
【００９９】
あるいは、図１２のように各ドットに対応して一つずつの機能素子１８を設けるのではなく、図１３に示すように、Ｒ、Ｇ、Ｂの３つのドットに対して１つの機能素子１８を設ける構成としても良い。
【０１００】
［第２の実施の形態］
次に、本発明にかかる第２の実施の形態について、図５ないし図７に基づいて説明する。なお、以下には、前記第１の実施の形態の実質的に同様の構成に関しては説明を簡略し、異なる部分に関する事項を主として述べる。図５は、本実施の形態の液晶表示装置を示す平面図である。
【０１０１】
上述の第１の実施の形態では、画素電極が形成される領域を犠牲にして機能素子を配設する構成としたが、本実施の形態では、画素電極を犠牲にせずに、配線層又はスイッチング素子が配設される領域を利用して当該領域と平面視して概ね重なるように配置する場合を開示している。
【０１０２】
具体的には、液晶表示装置１００の平面構造においては、図５に示すように、走査線１１３ａ・容量線１１３ｂ・データ線１１４などの配線層がマトリクス状に形成され、これらの走査線１１３ａ・データ線１１４の各交差に画素電極１１１が配設されることで、画素電極１１１が各々マトリクス状に構成される。
【０１０３】
また、これらのデータ線１１４及び走査線１１３ａと平面から見て重なるようにして画素電極１１１を選択するためのスイッチング素子１１２を構成するトランジスタを形成するための半導体層１１２ａが形成され、さらに、データ線１１４・走査線１１３ａなどの配線層又は前記スイッチング素子１１２と平面から視て概ね重なる位置に機能素子１１８を配設している。
【０１０４】
なお、スイッチング素子１１２は、半導体層１１２ａを利用することで、データ線１１４と電気的に接続されるとともに、画素電極１１１と電気的に接続されているものとする。
【０１０５】
上記のような構成を有する液晶表示装置１００にあっては、図５及び図６に示すように、画素電極１１１による表示に寄与する領域Ｐと、走査線１１３ａ・データ線１１４・容量線１１３ｂによる表示に寄与しない非表示の領域Ｏとが形成され、図６に示す表示に寄与しない領域Ｏを利用して機能素子を配設するようにしている。この表示に寄与しない領域Ｏは、元来光が透過しない領域であることから、機能素子を配設しても表示品位は低下しない。
【０１０６】
また、液晶表示装置１００の断面構造においては、図７に示すように、前記画素電極１１１およびスイッチング素子１１２並びに走査線１１３ａ及びデータ線１１４等が構成された素子基板１２０と、機能素子１１８・絶縁層１３１・遮光層１３３、対向電極１３２が形成された対向基板１３０と、これらの素子基板１２０及び対向基板１３０問に充填された液晶層１４０と、を含んで構成されている。
【０１０７】
すなわち、機能素子１１８は、図５の平面構成では、データ線１１４・走査線１１３ａなどの配線層又は前記スイッチング素子１１２と平面から視て重なる位置に配設されるが、図７に示す断面構成にあっては、前記対向基板１３０の液晶層１４０側の表面上であって前記スイッチング素子１１２に対応する領域に形成される。
【０１０８】
なお、絶縁層１３１は、前記機能素子１１８および対向基板１３０を覆うように形成され、遮光層１３３は、前記スイッチング素子１１２に対応する領域の絶縁層１３１の下層に形成され、対向電極１３２は、前記遮光層１３３および絶縁層１３１を覆うように形成される。さらに、遮光層１３３は、対向基板１３０側にある場合、対向基板１３０側及び素子基板１２０側にある場合、素子基板１２０側にある場合などいずれの場合であってもよい。この際、入射光は、素子基板１２０、対向基板１３０のいずれから入光してもよいが、対向基板１３０側からの光を遮光層１３３により遮光する場合には、前記遮光層１３３が対向基板１３０側に配設されることが好ましい。また、機能素子１１８に関する配線層は、省略してあるが、対向基板１３０側に設けることが好ましい。なお、機能素子１１８は、遮光層１３３と液晶層１４０の間に相当する位置に形成してもよい。
【０１０９】
この際、図７に示すように、画素電極１１１が形成され表示に寄与する領域Ｐは、素子基板１２０上でのデータ線１１４、走査線１１３ａ、および容量線１１３ｂなどの配線幅や前記スイッチング素子１１２の大きさ等による制約を受けるが、光が透過することのできる開口領域を構成する。すなわち、前記画素電極１１１が形成される以外の各画素電極１１１間が非表示領域である表示に寄与しない領域Ｏとなる。
【０１１０】
そして、このような表示に寄与しない領域Ｏのいずれかの位置に、本実施の形態の機能素子１１８を配置するのである。なお、機能素子が重なる位置は、走査線・容量線・データ線・スイッチング素子のうち少なくともいずれか１つに全体もしくは部分的に重なる構成であればよい。
【０１１１】
ここで、前記第１の実施の形態においては、画像表示領域内の任意の空間に機能素子を配置させるので、開口率の低下等の問題が考えられ、開口率が低下する分暗くなることが予想される。
【０１１２】
これに対して、本実施の形態では、表示に寄与しない領域である平面視して配線層又はスイッチング素子と重なる位置に機能素子を配設しているので、開口率の低下による表示品位の低下は生じ得ない。これにより、ＰＤＡや携帯電話等の携帯型情報端末のディスプレイとして利用される液晶表示装置などのような透過窓が小さくなる環境で表示を見るような場合に有利になる。
【０１１３】
また、機能素子は、対向基板側の遮光層と重なる領域に設けられているので、光を通さない領域に構成できる。さらに、機能素子が対向基板側に設けてあるので、素子基板側に配設される場合に比して、素子密度が低く、歩留まりが良くなる。
【０１１４】
またさらに、機能素子１８を例えば温度補正回路にて構成した場合には、温度補正回路を画像表示領域Ｂ内に何個か設けることで、実際の画像表示領域Ｂ内の温度を補正することができる。
【０１１５】
以上のように本実施の形態によれば、従来のような外付けによらずに、液晶表示装置を構成する配線又はスイッチング素子と重なる形で機能素子を内部に組み込む構成にできるので、高集積化を図ることができ、この際、機能素子は、配線及びスイッチング素子と重なる位置に形成されるので、画素電極の表示に寄与する領域（開口領域）を妨げることはないので、表示品位の低下はない。
【０１１６】
［第３の実施の形態］
次に、本発明にかかる第３の実施の形態について、図８（Ａ）（Ｂ）に基づいて説明する。図８（Ａ）（Ｂ）は、本発明に係る第３の実施の形態を示す平面図である。
【０１１７】
本実施の形態では、画像表示領域に形成される機能素子の数を画素電極の数に対して少なくなるように構成した場合の例を開示している。
【０１１８】
具体的には、本実施の形態の液晶表示装置２００の平面構造においては、図８（Ａ）に示すように、走査線２１３ａ・容量線２１３ｂ・画素電極用のデータ線２１４ａ・機能素子用のデータ線２１４などの配線層がマトリクス状に形成され、これらの走査線２１３ａ・データ線２１４ａ・２１４ｂの各交差に画素電極２１１が配設されることで、画素電極２１１が各々マトリクス状に構成される。
【０１１９】
また、これらのデータ線２１４ａ・２１４ｂ・走査線２１３ａ・容量線２１３ｂと平面から見て重なるようにして画素電極２１１を選択するためのスイッチング素子２１２を構成するトランジスタを形成するための半導体層２１２ａが形成される。
【０１２０】
さらに、データ線２１４ｂと、走査線２１３ａ及び容量線２１３ｂとが交差する領域であって、互いに隣り合う４つの各画素電極２１１間に、機能素子２１８が配設されている。
【０１２１】
本実施の形態では、機能素子２１８は、素子基板の画素電極２１１と同層（同一平面）に配設しているため、機能素子２１８の形状に対応するように、画素電極２１１の対応部分を切り欠いた構成としている。また、本実施の形態においては、機能素子２１８は、機能素子用のデータ線２１４ｂと走査線２１３ａとが交差する、表示に寄与しない非表示の領域を利用して配設されている。
【０１２２】
このように構成することにより、図８（Ｂ）に示すように、各機能素子２１８の相互間の間隔ｄ１を、各画素電極２１１相互間の間隔ｄ２よりも広く構成して、密度差つまり、画像表示領域に対する機能素子２１８の密度を低下させている。
【０１２３】
このように、機能素子２１８の配設数を少なくすることにより、機能素子２１８の平面的な占有領域を低減して、画素電極２１１における表示に寄与する領域の妨げを低下し、光が透過する表示に寄与する領域を広く形成でき、開口率の低下を最小にし、表示品位の低下を防止できる。
【０１２４】
また、機能素子と画素電極とは略同層に形成されるので、同一の製造工程で行うことも可能であり、製造におけるスループットの向上並びにコストダウンを図ることができる。さらに、機能素子の数も少ないので、歩留まりも向上する。
【０１２５】
なお、本実施の形態においては、画素電極が４個に対して１個の機能素子を配設する場合を例に説明したが、この配分は問わない。例えば画像電極が９個に対して機能素子が１個の構成であってもよい。本実施の形態は機能の異なる複数の機能素子を配設するときに好適である。すなわち、機能の異なる複数の機能素子をずらして同様に配置すれば、多機能で高性能な液晶表示装置を提供できる。
また、機能素子の数を画素電極の数より少なくするような場合について説明したが、画素電極の数が機能素子の数より少ない場合であってもよく、要は画素電極の間隔と機能素子の間隔とが異なればよい。
【０１２６】
また、変形例として、配線層と画素電極が一部重なるような領域が形成されるような場合には、走査線の上層に容量線を形成する構成とすることにより、さらに開口率を向上させることもできる。
【０１２７】
なお、本発明にかかる装置と方法は、そのいくつかの特定の実施の形態に従って説明してきたが、当業者は本発明の主旨および範囲から逸脱することなく本発明の本文に記述した実施の形態に対して種々の変形が可能である。
【０１２８】
例えば、前記第２の実施の形態では、機能素子が遮光層と対向基板との間に介在される場合を示したが、これに限らず、図９に示すように、対向基板１３０の液晶層１４０に面する側と反対側の面Ｍに保護層１３４を形成し、この保護層１３４内に遮光層１３３及び遮光層１３５と重なる位置に機能素子１３６を配設する構成であってもよい。なお、保護層１３４は、例えば、チッ化膜や酸化膜などが用いられる。
【０１２９】
また、素子基板上のスイッチング素子及び配線層の上層に積層するようにして、機能素子及び機能素子の配線層を設けるように構成してもよい。
【０１３０】
具体的には、図１０に示すように、液晶表示装置４００の断面構造においては、スイッチング素子４１２並びに走査線４１３ａ及びデータ線４１４並びに画素電極４１１等が構成された素子基板４２０と、対向電極４３２が形成された対向基板４３０と、これらの素子基板４２０及び対向基板４３０問に充填された液晶層４４０と、を含んで構成されている。
【０１３１】
素子基板４２０上には、該素子基板４２０上に配設された画素電極４１１選択用のスイッチング素子４１２のトランジスタを形成するための半導体層４１２ａと、前記半導体層４１２ａと走査線４１３ａとを絶縁するためのゲート絶縁膜を含む絶縁膜４１６と、前記絶縁膜４１６上に各々離間して形成された走査線４１３ａおよび容量線４１３ｂと、前記走査線４１３ａ・容量線４１３ｂ・絶縁膜４１６・素子基板４２０を覆うように形成された第１の層間絶縁層４２１と、前記第１の層間絶縁層４２１を覆う領域に亘って形成された第２の層間絶縁層４２２と、前記半導体層４１２ａが形成される領域において前記第１の層間絶縁層４２１及び前記第２の層間絶縁層４２２を貫通するように配設されたデータ線４１４と、前記第２の層間絶縁層４２２上であって、前記半導体層４１２ａが形成される領域Ｏ内にてデータ線４１４に接するように形成された機能素子４５２と、を含んで構成される。
【０１３２】
ここで、機能素子４５２においては、前記第２の層間絶縁層４２２及びデータ線４１４上に形成された機能素子用のスイッチング素子を構成するトランジスタを形成するための半導体層４５２ａと、前記半導体層４５２ａと機能素子用の走査線４５３とを絶縁するためのゲート絶縁膜を含む絶縁膜４５２ｂと、前記機能素子用の半導体層４５２ａと電気的に接続される電極４５５とが構成される。
【０１３３】
そして、素子基板４２０においては、前記絶縁膜４５２ｂ上に形成された機能素子用の走査線４５３と、前記走査線４５３・絶縁膜４５２ｂ・第２の層間絶縁層４２２を覆うように形成された第３の層間絶縁層４２３と、前記第３の層間絶縁層４２３上の前記半導体層４５２ａが形成される領域に配設された機能素子用のデータ線４５４と、データ線４５４及び第３の層間絶縁層４２３を覆う領域に亘って形成されるとともに、電極４５５の形成領域において開口するように形成された第４の層間絶縁層４２４と、前記半導体層４１２ａが形成される領域Ｏを回避するように前記第４の層間絶縁層４２４上に形成された画素電極４１１とが構成されている。
【０１３４】
また、第２の層間絶縁層４２２、第１の層間絶縁層４２１、絶縁膜４１６を貫通するコンタクトホールが形成されて、データ線４１４と半導体層４１２ａ、及びデータ線４１４と半導体層４５２ａとの電気的接続を可能としている。また、第４の層間絶縁層４２４、第３の層間絶縁層４２３、第２の層間絶縁層４２２、第１の層間絶縁層４２１、及び絶縁膜４１２ｂを貫通するコンタクトホールが形成されて、画素電極４１１と半導体層４１２ａとの電気的接続を可能としている。
【０１３５】
さらに、第３の層間絶縁層４２３、絶縁膜４５２ｂを貫通するコンタクトホールが形成されて、機能素子用のデータ線４５４と機能素子用の半導体層４５２ａとの電気的接続を可能としている。さらにまた、第３の層間絶縁層４２３及び絶縁膜４５２ｂを貫通するコンタクトホールが形成されて、電極４５５と半導体層４５２ａとの電気的接続を可能としている。つまり、画素電極を選択するための画素電極用のデータ線４１４と機能素子用のデータ線４５４は、電気的に接続しており入出力端子が共通化されている。ここで、データ線４１４と半導体層４５２ａを電気的に接続しないように形成することで画素電極を選択するためのスイッチング素子と機能素子とを独立で入出力できる。
【０１３６】
対向基板４３０は、素子基板４２０の画素電極４１１と同様、ＩＴＯ膜等の透明導電性薄膜から形成されて、全面に亘って形成された対向電極４３２（共通電極）とが構成されている。
【０１３７】
このような構成の液晶表示装置４００では、上記各実施の形態と同様の作用効果を奏しながらも、スイッチング素子４１２の走査線４１３ａ及びデータ線４１４と、機能素子４５２の走査線４５３及びデータ線４５４とが各々独立して重ねて配置される構成を採用することができる。
【０１３８】
なお、上記各実施の形態では、１種類の機能素子を設ける場合を主として構成する場合を例に説明したが、機能素子として複数種類の異なる機能部材を設けた場合であってもよい。
【０１３９】
また、上記各本実施の形態では、アクティブマトリクス型の液晶として構成したが、アクティブマトリクス型の液晶でなくてもよい。すなわち、コラム線が一方の基板に、ロウ線が他方の基板上にあるパッシブマトリクス型のように、画素電極がストライプのように上下の基板にクロスするような場合に、互いのコラム線及びロウ線を選択してそれぞれに電圧を印加することで、印加している間液晶が動き、選択期間となるような構成であってもよい。この場合、画像表示領域Ｂ内に、互いに交差する複数のデータ線および複数の走査線に電気的に接続されたセンサー用電極（機能素子用電極）を有する機能素子を配置した構成とすることができる。これは、パッシブマトリクス型の液晶表示装置とアクティブマトリクス型の機能素子とを組み合わせた構成となる。
【０１４０】
一方、図１４、図１５に示すように、液晶駆動側は、互いに交差する複数のデータ線１４ａと複数の走査線１３ａと、データ線１４ａと走査線１３ａとに囲まれた領域に各々設けられた液晶駆動用の画素電極１１を有する構成とする。一方、機能素子１８側は素子基板２０側のセンサー用電極１８ａと対向基板３０側の電極（図示せず）からなる一対の電極を有する構成とする。そして、素子基板２０側は図１４に示すコラム選択回路５３でセンサー用電極１８ａを選択し、対向基板３０側は図１５に示すコラム側と直交する方向のロウ選択回路５４に接続されたロウ線５５で対向基板側の電極を選択し、双方で選択された電極に対応する画素において、検出回路５１によりデータの読み出しを行う構成としても良い。この構成により、アクティブマトリクス型の液晶表示装置とパッシブマトリクス型の機能素子とを組み合わせたものが実現できる。いずれの組み合わせにしても、片方をパッシブマトリクス型とすると、構成が簡単になり、低価格とすることができる。
【０１４１】
あるいは、図１６に示すように、表示に寄与する領域Ｐ内に機能素子が配置され、電極５６が液晶駆動用電極と機能素子用電極を兼ね、かつスイッチング素子５７が液晶駆動用電極に電圧を印加するためのスイッチング素子と機能素子にデータの書き込みや読み出しを行うためのスイッチング素子を兼ねる構成としても良い。この場合、データ線駆動回路３に対して検出回路５１とこれを制御するためのコントローラ５２が必要となる。
【０１４２】
さらに、図１の液晶表示装置の素子基板上には、さらに製造途中や出荷時に当該液晶表示装置の品質、欠陥および走査線駆動回路を素子基板の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、素子基板の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。
【０１４３】
また、対向基板の投射光が入射する側および素子基板の出射光が出射する側には、各々、例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光手段などが所定の方向で配置されるようにしてもよい。
【０１４４】
さらに、透過型の液晶表示装置に限らず、反射型の液晶表示装置、双方を兼ね備えたハイブリッド型の液晶表示装置であってもよい。この際、実施の形態における液晶表示装置は、例えば、携帯型情報端末等の電子機器に適用することが好ましい。その場合、表示品位に優れ、タッチキー等の多種の機能を備えた電子機器を実現することができる。
【０１４５】
さらに、対向基板上に１画素に１個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい液晶表示装置が実現できる。さらにまた、対向基板上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付対向基板によれば、より明るいカラー液晶表示装置が実現ができる。
【０１４６】
また、各画素に設けられるスイッチング素子としては、正スタガ型又はコプラナー型のポリシリコンＴＦＴや、逆スタガ型のＴＦＴやアモルファスシリコンＴＦＴやＳＯＩ―ＭＯＳＦＥＴ等の他の形式のＴＦＴやバルクシリコンＭＯＳＦＥＴ、バイポーラトランジスタなどに対しても、各実施の形態は有効である。
【０１４７】
さらに、上記実施形態には種々の段階が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。つまり、上述の各実施の形態同士、あるいはそれらのいずれかと各変形例のいずれかとの組み合わせによる例をも含むことは言うまでもない。また、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除された構成であってもよい。例えば、上述した説明にあっては、電気光学装置を、液晶装置として説明したが、本発明はこれに限るものではなく、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、或いは、プラズマ発光や電子放出による蛍光等を用いた様々な電気光学素子を用いた電気光学装置、および該電気光学装置を備えた電子機器に対しても適用可能であるということは言うまでもない。
【０１４８】
そして、これまでの記述は、本発明の実施の形態の一例のみを開示しており、所定の範囲内で適宜変形及び／又は変更が可能であるが、各実施の形態は例証するものであり、制限するものではない。
【０１４９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、従来のような外付けによらずに、液晶表示装置を構成する複数の画素からなる表示に供される領域内部に、駆動素子と異なる機能を有する機能素子を組み込む構成にできるので、種々の機能を内蔵でき、高機能化、高集積化を図ることができる。
【０１５０】
また、従来のように液晶表示装置の製造プロセスと機能素子の製造プロセスを別々に行う必要がなく、液晶表示装置を製造するプロセス内に前記機能素子を製造するプロセスが含まれるので製造時のコストダウンを図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施の形態に係る液晶表示装置の全体の概略構成の一例を示す概略斜視図である。
【図２】 図１の液晶表示装置の一部分の領域を示す平面図である。
【図３】 図２の液晶表示装置の平面構造のうち、表示に寄与する領域と表示に寄与しない非表示の領域とを説明するための説明図である。
【図４】 同図（Ａ）は、図２の液晶表示装置のＤ―Ｄ断面を示す断面図であり、同図（Ｂ）は、図２の液晶表示装置のＥ―Ｅ断面を示す断面図である。
【図５】 本発明の他の実施の形態に係る液晶表示装置の構成の一例を示す平面図である。
【図６】 図５の液晶表示装置の平面構造のうち、表示に寄与する領域と表示に寄与しない非表示の領域とを説明するための説明図である。
【図７】 図５の液晶表示装置のＦ―Ｆ断面を示す断面図である。
【図８】 同図（Ａ）（Ｂ）は、本発明の他の実施の形態に係る液晶表示装置の構成の一例を示す平面図である。
【図９】 本発明の他の実施の形態に係る液晶表示装置の構成の一例を示す断面図である。
【図１０】 本発明の他の実施の形態に係る液晶表示装置の構成の一例を示す断面図である。
【図１１】 本発明の第１の実施の形態に係る液晶表示装置の等価回路図である。
【図１２】 本発明の実施の形態に係る液晶表示装置の機能素子の配置の変形例である。
【図１３】 同、他の変形例である。
【図１４】 本発明の他の実施の形態に係る液晶表示装置の一例を示す等価回路図である。
【図１５】 同、液晶表示装置の概略構成図である。
【図１６】 本発明のさらに他の実施の形態に係る液晶表示装置の一例を示す等価回路図である。
【符号の説明】
１…液晶表示装置、１０…画素、１２…スイッチング素子（駆動素子）、１８…機能素子

Claims (8)

1. マトリクス状に配列された複数の画素電極と、この画素電極と接続された駆動素子とが形成された表示領域を有する液晶表示装置であって、
   前記表示領域内にセンサー素子をマトリクス状に複数配置し、
   前記駆動素子および前記センサー素子は半導体層を有し、前記駆動素子の半導体層と前記センサー素子の半導体層とが同一層に形成されており、
   前記表示領域内に、行方向又は列方向に隣り合う４つの前記画素電極と、平面視でこれら４つの前記画素電極に囲まれた中央に設けられた前記センサー素子とからなる領域が、周期的に配列されていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記画素電極の面積と前記センサー素子の面積を異ならせたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記画素電極の面積の方を大きくすることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
4. マトリクス状に配列された複数の画素電極と、この画素電極と接続された駆動素子とが形成された表示領域を有する電気光学装置であって、
   前記表示領域内にセンサー素子をマトリクス状に複数配置し、
   前記駆動素子および前記センサー素子は半導体層を有し、前記駆動素子の半導体層と前記センサー素子の半導体層とが同一層に形成されており、
   前記表示領域内に、行方向又は列方向に隣り合う４つの前記画素電極と、平面視でこれら４つの前記画素に囲まれた中央に設けられた前記センサー素子とからなる領域が、周期的に配列されていることを特徴とする電気光学装置。
5. 前記画素電極の面積と前記センサー素子の面積を異ならせたことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
6. マトリクス状に配列された複数の画素電極と、この画素電極と接続された駆動素子とが形成された表示領域を有する電気光学装置の製造方法であって、
   前記表示領域内にセンサー素子をマトリクス状に複数形成し、前記駆動素子および前記センサー素子が半導体層を有し、前記駆動素子の半導体層と前記センサー素子の半導体層を同一層に形成する工程を有し、
   前記表示領域内に、行方向又は列方向に隣り合う４つの前記画素と、平面視でこれら４つの前記画素に囲まれた中央に設けられた前記センサー素子とからなる領域を周期的に配列することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
7. 前記画素電極の面積と前記センサー素子の面積を異ならせたことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
8. 請求項４又は５に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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