JP3223383B2 - 液晶表示装置およびそれを用いた機器 - Google Patents
液晶表示装置およびそれを用いた機器Info
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- JP3223383B2 JP3223383B2 JP17305492A JP17305492A JP3223383B2 JP 3223383 B2 JP3223383 B2 JP 3223383B2 JP 17305492 A JP17305492 A JP 17305492A JP 17305492 A JP17305492 A JP 17305492A JP 3223383 B2 JP3223383 B2 JP 3223383B2
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- Japan
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- crystal display
- display device
- thin film
- gate
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマトリクス型液晶表示パ
ネルに光電変換素子等からなる画像読取部を一体に形成
した液晶表示装置およびそれを用いた機器に関する。
ネルに光電変換素子等からなる画像読取部を一体に形成
した液晶表示装置およびそれを用いた機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光信号から画像信号を読み出すＣ
ＣＤ等の光電変換素子を用いたエリアセンサと、画像信
号を表示する液晶表示装置とは別々に構成されていた。
その為、このようなエリアセンサの機能と液晶表示装置
の機能を有する電子機器は大型化する欠点があった。そ
こで、エリアセンサ一体型液晶表示装置が検討されてい
る。この場合、階調表示をするため液晶表示装置駆動用
のシフトレジスタや表示データ用の容量素子も一体化す
ると、コスト的に大きなメリットが生ずる。
ＣＤ等の光電変換素子を用いたエリアセンサと、画像信
号を表示する液晶表示装置とは別々に構成されていた。
その為、このようなエリアセンサの機能と液晶表示装置
の機能を有する電子機器は大型化する欠点があった。そ
こで、エリアセンサ一体型液晶表示装置が検討されてい
る。この場合、階調表示をするため液晶表示装置駆動用
のシフトレジスタや表示データ用の容量素子も一体化す
ると、コスト的に大きなメリットが生ずる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来はエリアセンサと
液晶表示装置の２つのデバイスが必要になり、高価にな
ると共に、装置が大型化する欠点があった。
液晶表示装置の２つのデバイスが必要になり、高価にな
ると共に、装置が大型化する欠点があった。
【０００４】本発明は上記の実情に鑑みてなされたもの
で、マトリクス型液晶表示パネルに光電変換素子等から
なる画像読取部を一体に形成することにより、安価で、
且つ装置を小形化し得る液晶表示装置およびそれを用い
た機器を提供することを目的とする。
で、マトリクス型液晶表示パネルに光電変換素子等から
なる画像読取部を一体に形成することにより、安価で、
且つ装置を小形化し得る液晶表示装置およびそれを用い
た機器を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、複数のデータ線と複数のアドレス線が交差
する各交差部付近にスイッチング素子と容量素子を形成
すると共に前記データ線に光電流を供給する光電変換素
子を設け、かつ前記各データ線上に前記容量素子を充電
するための表示データ用容量素子と、前記光電変換素子
から供給される光電流によって前記表示データ用容量素
子が充電されるのを防止する充電防止素子を設けて液晶
表示装置を構成することを特徴とするものである。又、
前記液晶表示装置を集光レンズを有する機器本体内に設
け読取りおよび表示可能となしたことを特徴とするもの
である。
するために、複数のデータ線と複数のアドレス線が交差
する各交差部付近にスイッチング素子と容量素子を形成
すると共に前記データ線に光電流を供給する光電変換素
子を設け、かつ前記各データ線上に前記容量素子を充電
するための表示データ用容量素子と、前記光電変換素子
から供給される光電流によって前記表示データ用容量素
子が充電されるのを防止する充電防止素子を設けて液晶
表示装置を構成することを特徴とするものである。又、
前記液晶表示装置を集光レンズを有する機器本体内に設
け読取りおよび表示可能となしたことを特徴とするもの
である。
【０００６】
【作用】本発明は、マトリクス型液晶表示パネルに光電
変換素子等からなる画像読取部を一体に形成することに
より、装置を小形化することができ、しかも取扱いが容
易であり、また安価にすることができる。
変換素子等からなる画像読取部を一体に形成することに
より、装置を小形化することができ、しかも取扱いが容
易であり、また安価にすることができる。
【０００７】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に
説明する。
説明する。
【０００８】図１は本発明液晶表示装置の一実施例を示
す回路図である。即ち、駆動回路一体型のアクティブマ
トリクス液晶表示パネルは各データ線Ｌ１０１，１０２
……と共通電位ＶCOM との間にそれぞれスイッチング素
子の薄膜トランジスタＴＦＴ１及び容量素子Ｃ１が直列
に接続され、前記各薄膜トランジスタＴＦＴ１のゲート
はアドレス線のゲートラインＬ２０１，Ｌ２０２……に
接続される。このゲートラインＬ２０１，Ｌ２０２……
は垂直シフトレジスタ１に接続される。この垂直シフト
レジスタ１にはスタートパルスＳＰ２及び垂直用クロッ
ク信号ＣＰＶが加えられる。このスタートパルスＳＰ２
及び垂直用クロック信号ＣＰＶにより垂直シフトレジス
タ１は薄膜トランジスタＴＦＴ１をオンして容量素子Ｃ
１に信号電荷を蓄積する。前記各データ線Ｌ１０１，１
０２……はスイッチング素子の薄膜トランジスタＴＦＴ
２を介して充電防止素子のダイオードＤのカソードに接
続され、このダイオードＤのアノードは表示データ用容
量素子Ｃ２を介して接地されると共にスイッチング素子
の薄膜トランジスタＴＦＴ３を介して映像信号ラインＬ
３に接続される。前記映像信号ラインＬ３には映像信号
Ｓ１が加えられる。前記各薄膜トランジスタＴＦＴ３の
ゲートは水平シフトレジスタ２に接続されると共に論理
ゲートＬＧの一方の入力端に接続される。水平シフトレ
ジスタ２にはスタートパルスＳＰ１及び水平用クロック
信号ＣＰＨが加えられる。このスタートパルスＳＰ１及
び水平用クロック信号ＣＰＨにより水平シフトレジスタ
２は薄膜トランジスタＴＦＴ３をオンして表示データ用
容量素子Ｃ２に信号電荷を蓄積する。また、前記論理ゲ
ートＬＧの他方の入力端には制御信号ＣＴが供給される
制御信号ラインＬ５に接続され、この論理ゲートＬＧの
出力端は薄膜トランジスタＴＦＴ２のゲートに接続され
ている。
す回路図である。即ち、駆動回路一体型のアクティブマ
トリクス液晶表示パネルは各データ線Ｌ１０１，１０２
……と共通電位ＶCOM との間にそれぞれスイッチング素
子の薄膜トランジスタＴＦＴ１及び容量素子Ｃ１が直列
に接続され、前記各薄膜トランジスタＴＦＴ１のゲート
はアドレス線のゲートラインＬ２０１，Ｌ２０２……に
接続される。このゲートラインＬ２０１，Ｌ２０２……
は垂直シフトレジスタ１に接続される。この垂直シフト
レジスタ１にはスタートパルスＳＰ２及び垂直用クロッ
ク信号ＣＰＶが加えられる。このスタートパルスＳＰ２
及び垂直用クロック信号ＣＰＶにより垂直シフトレジス
タ１は薄膜トランジスタＴＦＴ１をオンして容量素子Ｃ
１に信号電荷を蓄積する。前記各データ線Ｌ１０１，１
０２……はスイッチング素子の薄膜トランジスタＴＦＴ
２を介して充電防止素子のダイオードＤのカソードに接
続され、このダイオードＤのアノードは表示データ用容
量素子Ｃ２を介して接地されると共にスイッチング素子
の薄膜トランジスタＴＦＴ３を介して映像信号ラインＬ
３に接続される。前記映像信号ラインＬ３には映像信号
Ｓ１が加えられる。前記各薄膜トランジスタＴＦＴ３の
ゲートは水平シフトレジスタ２に接続されると共に論理
ゲートＬＧの一方の入力端に接続される。水平シフトレ
ジスタ２にはスタートパルスＳＰ１及び水平用クロック
信号ＣＰＨが加えられる。このスタートパルスＳＰ１及
び水平用クロック信号ＣＰＨにより水平シフトレジスタ
２は薄膜トランジスタＴＦＴ３をオンして表示データ用
容量素子Ｃ２に信号電荷を蓄積する。また、前記論理ゲ
ートＬＧの他方の入力端には制御信号ＣＴが供給される
制御信号ラインＬ５に接続され、この論理ゲートＬＧの
出力端は薄膜トランジスタＴＦＴ２のゲートに接続され
ている。
【０００９】しかして、映像信号Ｓ１は映像信号ライン
Ｌ３を通り薄膜トランジスタＴＦＴ３のうち、ゲート信
号が加えられてオンされた薄膜トランジスタＴＦＴ３を
通って、表示データ用容量素子Ｃ２に信号電荷を蓄積す
る。このようにして表示データ用容量素子Ｃ２に信号電
荷を蓄積する処理を全データ線Ｌ１０１，１０２……に
ついて逐次行い、１走査ライン分の表示データ用容量素
子Ｃ２に信号電荷を蓄積する処理を完了した時点で、論
理ゲートＬＧによって制御される薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ２をオンすると共に、これに同期して垂直シフトレジ
スタ１からゲートラインＬ２０１，Ｌ２０２……に水平
走査信号を加えて選択された画素すなわち薄膜トランジ
スタＴＦＴ１及び容量素子Ｃ１に信号電荷を伝送してい
る。論理ゲートＬＧの真理値表は図７に示され、また、
その回路の一例が図８に示される。これらの図におい
て、φは水平シフトレジスタ２の出力パルスである。ま
た、制御信号ＣＴは画像表示の場合と後述する画像読取
りの場合とでは異なる周期およびパルス幅を有するもの
であり、上述せる画像表示の場合には、データ容量素子
Ｃ２への信号電荷の蓄積が終了した時点で、容量素子Ｃ
１に信号電荷を伝送するに十分な時間制御信号ラインＬ
５に加えられる。
Ｌ３を通り薄膜トランジスタＴＦＴ３のうち、ゲート信
号が加えられてオンされた薄膜トランジスタＴＦＴ３を
通って、表示データ用容量素子Ｃ２に信号電荷を蓄積す
る。このようにして表示データ用容量素子Ｃ２に信号電
荷を蓄積する処理を全データ線Ｌ１０１，１０２……に
ついて逐次行い、１走査ライン分の表示データ用容量素
子Ｃ２に信号電荷を蓄積する処理を完了した時点で、論
理ゲートＬＧによって制御される薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ２をオンすると共に、これに同期して垂直シフトレジ
スタ１からゲートラインＬ２０１，Ｌ２０２……に水平
走査信号を加えて選択された画素すなわち薄膜トランジ
スタＴＦＴ１及び容量素子Ｃ１に信号電荷を伝送してい
る。論理ゲートＬＧの真理値表は図７に示され、また、
その回路の一例が図８に示される。これらの図におい
て、φは水平シフトレジスタ２の出力パルスである。ま
た、制御信号ＣＴは画像表示の場合と後述する画像読取
りの場合とでは異なる周期およびパルス幅を有するもの
であり、上述せる画像表示の場合には、データ容量素子
Ｃ２への信号電荷の蓄積が終了した時点で、容量素子Ｃ
１に信号電荷を伝送するに十分な時間制御信号ラインＬ
５に加えられる。
【００１０】次に、光電変換素子等からなる画像読取部
について説明する。各データ線Ｌ１０１，１０２……と
共通電位ＶCOM との間にはスイッチング素子の薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ４及び光電変換素子例えばａ−Ｓｉフォ
トダイオードＨＤが直列に接続され、前記各薄膜トラン
ジスタＴＦＴ４のゲートはゲートラインＬ２０２……に
接続される。前記各薄膜トランジスタＴＦＴ２とダイオ
ードＤとの接続点には出力ラインＬ４が接続され、この
出力ラインＬ４はビデオ増幅器３の入力端子に接続され
ると共に抵抗４を介してフォトダイオードプリチャージ
用電源５に接続される。なお、この実施例では前記ビデ
オ増幅器３，抵抗４，電源５を除く装置全体、すなわち
点線６内はすべて薄膜ディポジションにより形成され
る。
について説明する。各データ線Ｌ１０１，１０２……と
共通電位ＶCOM との間にはスイッチング素子の薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ４及び光電変換素子例えばａ−Ｓｉフォ
トダイオードＨＤが直列に接続され、前記各薄膜トラン
ジスタＴＦＴ４のゲートはゲートラインＬ２０２……に
接続される。前記各薄膜トランジスタＴＦＴ２とダイオ
ードＤとの接続点には出力ラインＬ４が接続され、この
出力ラインＬ４はビデオ増幅器３の入力端子に接続され
ると共に抵抗４を介してフォトダイオードプリチャージ
用電源５に接続される。なお、この実施例では前記ビデ
オ増幅器３，抵抗４，電源５を除く装置全体、すなわち
点線６内はすべて薄膜ディポジションにより形成され
る。
【００１１】即ち、垂直シフトレジスタ１からゲートラ
インＬ２０２……にゲート信号が供給されると、薄膜ト
ランジスタＴＦＴ４がオンして各フォトダイオードＨＤ
とデータ線Ｌ１０１，１０２……が導通する。画像読取
りの場合、制御信号ＣＴは水平シフトレジスタ２から出
力される出力パルスφに同期して制御信号ラインＬ５に
加えられるようになっており、この状態において、水平
シフトレジスタ２から出力パルスφが出力されると、薄
膜トランジスタＴＦＴ２のゲートにゲート信号が供給さ
れることになり、薄膜トランジスタＴＦＴ２が順次オン
して、フォトダイオードＨＤに光電変換により発生した
１画素づつのデータがビデオ増幅器３に入力される。こ
の場合、薄膜トランジスタＴＦＴ４およびＴＦＴ２を介
して出力ラインＬ４に伝送された光電流は、充電防止阻
止のダイオードＤに阻止されるので、表示データ用容量
素子Ｃ２に充電されることはない。
インＬ２０２……にゲート信号が供給されると、薄膜ト
ランジスタＴＦＴ４がオンして各フォトダイオードＨＤ
とデータ線Ｌ１０１，１０２……が導通する。画像読取
りの場合、制御信号ＣＴは水平シフトレジスタ２から出
力される出力パルスφに同期して制御信号ラインＬ５に
加えられるようになっており、この状態において、水平
シフトレジスタ２から出力パルスφが出力されると、薄
膜トランジスタＴＦＴ２のゲートにゲート信号が供給さ
れることになり、薄膜トランジスタＴＦＴ２が順次オン
して、フォトダイオードＨＤに光電変換により発生した
１画素づつのデータがビデオ増幅器３に入力される。こ
の場合、薄膜トランジスタＴＦＴ４およびＴＦＴ２を介
して出力ラインＬ４に伝送された光電流は、充電防止阻
止のダイオードＤに阻止されるので、表示データ用容量
素子Ｃ２に充電されることはない。
【００１２】図２は本発明液晶表示装置の一実施例に係
る電極構成を示す平面図、図３は図２のＡ−Ａ′線断面
図であり、蒸着スパッタ、プラズマＣＶＤ、エッチング
等によって薄膜積層されて形成される。即ち、ガラス基
板１１の上には絶縁膜１２が積層して形成され、この絶
縁膜１２上には透明なアノード電極１３，絶縁膜１４
１，１４２及びシリコン半導体層１５が所定のパターン
に積層して形成される。前記アノード電極１３上にはｐ
+ ａ−Ｓｉ層１６，ｉａ−Ｓｉ層１７及びｎ+ ａ−Ｓｉ
層１８が順次が積層して形成される。前記シリコン半導
体層１５上にはソース電極１９，ドレイン電極２０及び
絶縁膜２１，２２が所定のパターンに積層して形成さ
れ、この絶縁膜２１上にはゲート電極２３が積層して形
成される。前記ｎ+ ａ−Ｓｉ層１８及び絶縁膜１４１の
上にはカソード電極２４が積層して形成され、カソード
電極２４とソース電極１９は接続される。前記絶縁膜１
４２上にはデータ線Ｌ１が積層して形成され、データ線
Ｌ１とドレイン電極２０は接続される。前記カソード電
極２４，ソース電極１９，データ線Ｌ１及びドレイン電
極２０の上には絶縁膜２５が積層して形成され、この絶
縁膜２５上には例えばＣｒ等の遮光マスク２６が積層し
て形成される。前記絶縁膜２１，ゲート電極２３，シリ
コン半導体層１５，ソース電極１９及びドレイン電極２
０は薄膜トランジスタＴＦＴ４を構成し、前記カソード
電極２４，ｎ+ ａ−Ｓｉ層１８、ｉａ−Ｓｉ層１７，ｐ
+ ａ−Ｓｉ層１６及びアノード電極１３はフォトダイオ
ードＨＤを構成する。図２中、Ｌ２はゲートライン、２
７は透明画素電極、２８は薄膜トランジスタＴＦＴ１の
ソース電極、２９は薄膜トランジスタＴＦＴ１のシリコ
ン半導体層、３０は薄膜トランジスタＴＦＴ１のドレイ
ン電極である。
る電極構成を示す平面図、図３は図２のＡ−Ａ′線断面
図であり、蒸着スパッタ、プラズマＣＶＤ、エッチング
等によって薄膜積層されて形成される。即ち、ガラス基
板１１の上には絶縁膜１２が積層して形成され、この絶
縁膜１２上には透明なアノード電極１３，絶縁膜１４
１，１４２及びシリコン半導体層１５が所定のパターン
に積層して形成される。前記アノード電極１３上にはｐ
+ ａ−Ｓｉ層１６，ｉａ−Ｓｉ層１７及びｎ+ ａ−Ｓｉ
層１８が順次が積層して形成される。前記シリコン半導
体層１５上にはソース電極１９，ドレイン電極２０及び
絶縁膜２１，２２が所定のパターンに積層して形成さ
れ、この絶縁膜２１上にはゲート電極２３が積層して形
成される。前記ｎ+ ａ−Ｓｉ層１８及び絶縁膜１４１の
上にはカソード電極２４が積層して形成され、カソード
電極２４とソース電極１９は接続される。前記絶縁膜１
４２上にはデータ線Ｌ１が積層して形成され、データ線
Ｌ１とドレイン電極２０は接続される。前記カソード電
極２４，ソース電極１９，データ線Ｌ１及びドレイン電
極２０の上には絶縁膜２５が積層して形成され、この絶
縁膜２５上には例えばＣｒ等の遮光マスク２６が積層し
て形成される。前記絶縁膜２１，ゲート電極２３，シリ
コン半導体層１５，ソース電極１９及びドレイン電極２
０は薄膜トランジスタＴＦＴ４を構成し、前記カソード
電極２４，ｎ+ ａ−Ｓｉ層１８、ｉａ−Ｓｉ層１７，ｐ
+ ａ−Ｓｉ層１６及びアノード電極１３はフォトダイオ
ードＨＤを構成する。図２中、Ｌ２はゲートライン、２
７は透明画素電極、２８は薄膜トランジスタＴＦＴ１の
ソース電極、２９は薄膜トランジスタＴＦＴ１のシリコ
ン半導体層、３０は薄膜トランジスタＴＦＴ１のドレイ
ン電極である。
【００１３】図４は図１〜図３の画像読取部を一体に形
成した液晶表示装置を用いた電子カメラの一例を示す構
成図である。即ち、入射光は集光レンズ３１で集光され
て後、ハーフミラー３２で反射されて図１〜図３の画像
読取部を一体に形成した液晶表示装置３３に入力され
る。この液晶表示装置３３では入射された画像を読取っ
てメモリに記憶する。前記ハーフミラー３２の後部には
バックライト３６が設けられる。又、液晶表示装置３３
に表示された画像は反射板３４で反射されて後、拡大用
接眼レンズ３５を通して肉眼で見る事ができる。
成した液晶表示装置を用いた電子カメラの一例を示す構
成図である。即ち、入射光は集光レンズ３１で集光され
て後、ハーフミラー３２で反射されて図１〜図３の画像
読取部を一体に形成した液晶表示装置３３に入力され
る。この液晶表示装置３３では入射された画像を読取っ
てメモリに記憶する。前記ハーフミラー３２の後部には
バックライト３６が設けられる。又、液晶表示装置３３
に表示された画像は反射板３４で反射されて後、拡大用
接眼レンズ３５を通して肉眼で見る事ができる。
【００１４】図５は図１〜図３の画像読取部を一体に形
成した液晶表示装置を用いたテレビ電話の一例を示す構
成図である。即ち、通話者の画像は集光レンズ４１で集
光されて後、反射板４２及びハーフミラー４６で反射さ
れて図１〜図３の画像読取部を一体に形成した液晶表示
装置４３１に入力される。この液晶表示装置４３１では
入射された画像を読取って相手側に送信すると共に表示
する。一方、相手側からの画像は液晶表示装置４３２に
表示される。４４はバックライト、４５は自在継手であ
る。
成した液晶表示装置を用いたテレビ電話の一例を示す構
成図である。即ち、通話者の画像は集光レンズ４１で集
光されて後、反射板４２及びハーフミラー４６で反射さ
れて図１〜図３の画像読取部を一体に形成した液晶表示
装置４３１に入力される。この液晶表示装置４３１では
入射された画像を読取って相手側に送信すると共に表示
する。一方、相手側からの画像は液晶表示装置４３２に
表示される。４４はバックライト、４５は自在継手であ
る。
【００１５】図６は図１〜図３の画像読取部を一体に形
成した液晶表示装置を用いたハンディコピーの一例を示
す構成図である。即ち、原稿５１は接紙ローラ５２によ
り走行され、この接紙ローラ５２の外周にはアイドラ５
３を介してスリット付円板５４の回転軸が連結され、ス
リット付円板５４は接紙ローラ５２の回転に比例した回
転をする。このスリット付円板５４の回転数はフォトカ
プラ５５で検出されエンコーダ出力信号Ｓとして出力さ
れる。前記スリット付円板５４及びフォトカプラ５５は
エンコーダを構成する。前記原稿５１にはＬＥＤアレイ
５６からの光が照射され、原稿５１からの反射光は集光
レンズ５７及び反射板５８を介して図１〜図３の画像読
取部を一体に形成した液晶表示装置５９のフォトダイオ
ードＨＤ等よりなる画像読取部に入力される。液晶表示
装置５９の駆動回路一体型のアクティブマトリクス液晶
表示パネルの後部には反射板６０が設けられる。
成した液晶表示装置を用いたハンディコピーの一例を示
す構成図である。即ち、原稿５１は接紙ローラ５２によ
り走行され、この接紙ローラ５２の外周にはアイドラ５
３を介してスリット付円板５４の回転軸が連結され、ス
リット付円板５４は接紙ローラ５２の回転に比例した回
転をする。このスリット付円板５４の回転数はフォトカ
プラ５５で検出されエンコーダ出力信号Ｓとして出力さ
れる。前記スリット付円板５４及びフォトカプラ５５は
エンコーダを構成する。前記原稿５１にはＬＥＤアレイ
５６からの光が照射され、原稿５１からの反射光は集光
レンズ５７及び反射板５８を介して図１〜図３の画像読
取部を一体に形成した液晶表示装置５９のフォトダイオ
ードＨＤ等よりなる画像読取部に入力される。液晶表示
装置５９の駆動回路一体型のアクティブマトリクス液晶
表示パネルの後部には反射板６０が設けられる。
【００１６】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、マト
リクス型液晶表示パネルに光電変換素子等からなる画像
読取部を一体に形成することにより、装置を小形化する
ことができ、しかも取扱いが容易であり、また安価にす
ることができる。
リクス型液晶表示パネルに光電変換素子等からなる画像
読取部を一体に形成することにより、装置を小形化する
ことができ、しかも取扱いが容易であり、また安価にす
ることができる。
【図１】本発明に係る液晶表示装置の一実施例を示す回
路図である。
路図である。
【図２】本発明に係る液晶表示装置の一実施例に係る電
極構成を示す平面図である。
極構成を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ′線断面図である。
【図４】本発明に係る電子カメラの一例を示す構成図で
ある。
ある。
【図５】本発明に係るテレビ電話の一例を示す構成図で
ある。
ある。
【図６】本発明に係るハンディコピーの一例を示す構成
図である。
図である。
【図７】図１に示された論理ゲートＬＧの真理値表であ
る。
る。
【図８】論理ゲートＬＧの一例を示す回路図である。
【符号の説明】 １…垂直シフトレジスタ、２…水平シフトレジスタ、３
…ビデオ増幅器、４…抵抗、５…フォトダイオードプリ
チャージ用電源、ＴＦＴ１〜ＴＦＴ４…スイッチング用
薄膜トランジスタ、Ｃ１…容量素子、Ｃ２…表示データ
用容量素子、ＨＤ…フォトダイオード、Ｄ…ダイオー
ド。
…ビデオ増幅器、４…抵抗、５…フォトダイオードプリ
チャージ用電源、ＴＦＴ１〜ＴＦＴ４…スイッチング用
薄膜トランジスタ、Ｃ１…容量素子、Ｃ２…表示データ
用容量素子、ＨＤ…フォトダイオード、Ｄ…ダイオー
ド。
Claims (2)
- 【請求項１】 複数のデータ線と複数のアドレス線が交
差する各交差部付近にスイッチング素子と容量素子を形
成すると共に前記データ線に光電流を供給する光電変換
素子を設け、かつ前記各データ線上に前記容量素子を充
電するための表示データ用容量素子と、前記光電変換素
子から供給される光電流によって前記表示データ用容量
素子が充電されるのを防止する充電防止素子を設けたこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の液晶表示装置を集光レン
ズを有する機器本体内に設け読取りおよび表示可能とな
したことを特徴とする液晶表示装置を用いた機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17305492A JP3223383B2 (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 液晶表示装置およびそれを用いた機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17305492A JP3223383B2 (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 液晶表示装置およびそれを用いた機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0622250A JPH0622250A (ja) | 1994-01-28 |
| JP3223383B2 true JP3223383B2 (ja) | 2001-10-29 |
Family
ID=15953365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17305492A Expired - Lifetime JP3223383B2 (ja) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 液晶表示装置およびそれを用いた機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3223383B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69837874T2 (de) * | 1997-04-22 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Flüssigkristallanzeige mit bildeinlesefunktion, bildeinleseverfahren und herstellungsverfahren |
| JP3838393B2 (ja) | 1997-09-02 | 2006-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | イメージセンサを内蔵した表示装置 |
| JPH1184426A (ja) * | 1997-09-12 | 1999-03-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサを内蔵した液晶表示装置 |
| JP4271268B2 (ja) | 1997-09-20 | 2009-06-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | イメージセンサおよびイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置 |
| JP4044187B2 (ja) | 1997-10-20 | 2008-02-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型表示装置およびその作製方法 |
| JPH11326954A (ja) | 1998-05-15 | 1999-11-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US6507010B1 (en) | 1999-05-11 | 2003-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact area sensor |
| JP4651785B2 (ja) * | 1999-07-23 | 2011-03-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2008003640A (ja) * | 2002-03-19 | 2008-01-10 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置、電気光学装置とその製造方法、電子機器 |
| JP4456806B2 (ja) * | 2002-03-19 | 2010-04-28 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置、電気光学装置とその製造方法、電子機器 |
| KR100997977B1 (ko) | 2004-01-12 | 2010-12-02 | 삼성전자주식회사 | 광센서 및 이를 이용한 표시 장치 |
| JP4700659B2 (ja) * | 2007-07-24 | 2011-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP4550096B2 (ja) * | 2007-09-10 | 2010-09-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2009229502A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Sony Corp | 表示装置、および、その製造方法 |
| JP4674291B2 (ja) * | 2008-07-04 | 2011-04-20 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | タッチセンス機能付きアクティブマトリクスディスプレイ装置 |
| JP4999979B2 (ja) * | 2010-12-09 | 2012-08-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | イメージセンサ及び電子機器 |
| CN110543847B (zh) | 2019-08-29 | 2021-04-02 | 维沃移动通信有限公司 | 显示模组及电子设备 |
-
1992
- 1992-06-30 JP JP17305492A patent/JP3223383B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0622250A (ja) | 1994-01-28 |
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