KR20020055600A - 액정 표시 장치 - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 114
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 110
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 86
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 91
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 18
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 aluminum (Al) Chemical class 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100214497 Solanum lycopersicum TFT5 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Geometry (AREA)
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Abstract
어레이 기판(10)은, 인접하는 2개의 게이트 배선(1) 및 인접하는 2개의 소스 배선(2)에 의해 구획이 정해진 각 영역 내에 배치된 화소 전극(3)과, 게이트 배선(l)으로부터 입력된 신호 전압에 근거하여 소스 배선(2)으로부터 화소 전극(3)으로 인가된 전압을 스위칭하는 스위칭 소자(5)와, 인접하는 2개의 게이트 배선(1) 사이에 형성된 공통 배선(8)과, 공통 배선(8)에 전기적으로 접속되어, 전압이 인가된 화소 전극(3)과의 사이에 액정을 구동하는 전계를 생성시키는 공통 전극(4)과, 공통 배선(8)에 전기적으로 접속된 축적 용량 전극(20a)을 구비하고, 공통 배선(8) 및 축적 용량 전극(20a)은, 절연층(6a, 6b)을 거쳐서 화소 전극(3)의 적어도 일부를 협지하도록 적층되어 있는 액정 표시 장치이다.
Description
박막 트랜지스터(TFT: Thin Film Transistor)를 이용한 액티브 매트릭스형 액정 모니터는, 박형화, 경량화, 저 전압 구동 등이 가능하다는 장점으로 인해, TV, 캠코더, 퍼스널 컴퓨터, 퍼스널 워드 프로세서 등의 디스플레이로서 여러 가지의 분야에 이용되고 있으며, 큰 시장을 형성하고 있다.
특히 최근, 컴퓨터나 TV 등의 용도로서는, 대화면화에 대응하기 위해, 보다 넓은 시야각을 갖는 액정 표시 장치의 요구가 높아지고 있다. 이것에 대응하여, 액정 표시 장치의 시야각을 넓히는 방식으로서, 액정을 구동하기 위한 화소 전극 및 대향 전극을 동일 기판 상에 형성하고, 가로 방향의 전계를 인가하여 액정 분자를 동작시키는 IPS(In-Plane-Switching)방식이 제안되어 있다(일본국 특허 공개 평성 제 6-160878호 공보 등). 이 표시 방식은, 횡 전계 방식 또는 빗살형(櫛形) 전극 방식이라고도 불리고 있고, 이 표시 방식에서는 액정 분자의 장축(長軸)이 기판과 항상 거의 평행하기 때문에, 기판에 대하여 수직으로 상승하는 일이 없다. 따라서 보는 방향을 바꿀 때 명도의 변화가 작으므로, 넓은 시야각이 얻어진다.
이러한, 종래의 IPS 모드의 액정 표시 장치에 대해서, 도면을 참조하여 설명한다.
도 11은 종래의 액정 표시 장치에 있어서의 어레이 기판의 일 화소의 구성을 나타내는 평면도이며, 도 12(a) 및 12(b)는 각각 도 11에 있어서의 P-P' 및 Q-Q' 부분의 단면도이다. 도 l1에 있어서, 주사 신호를 공급하는 게이트 배선(1)과 영상 신호를 공급하는 소스 배선(2)은 대략 직교하도록 배치되어 있고, 게이트 배선(1)과 소스 배선(2)의 각 교차부 부근에, 반도체층을 갖는 박막 트랜지스터(TFT : Thin Film Transistor)(5)가 스위칭 소자로서 형성되어 있다. 또한, 소스 배선(2)에는 TFT(5)를 거쳐서 빗살형의 화소 전극(3)이 접속되어 있고, 화소 전극(3)에 맞물리도록, 전위의 기준이 되는 공통 전극(4)이 배치되어 있다. 이 공통 전극(4)은, 2개의 게이트 배선(1, 1) 사이에 평행하게 마련된 공통 배선(8)에 대하여 전기적으로 접속되어 있다.
도 11 및 도 12에 도시하는 바와 같이 게이트 배선(1), 공통 전극(4), 및 공통 배선(8)은, 어레이 기판(10) 상에 동일한 층으로서 형성되어 있고, 이들의 윗쪽에, 절연층(6a)을 거쳐서 소스 배선(2) 및 화소 전극(3)이 동일한 층으로서 형성되어 있다. 공통 배선(8)과 화소 전극(3)이 절연층(6a)을 거쳐서 겹친 부분에는, 축적 용량부(109)가 형성되어 있다. 상술한 배선이나 전극의 주성분은, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo) 등의 금속이다.
또한, 대향 기판(14)에 있어서의 어레이 기판(10)과 대향하는 면 상에는, 블랙 매트릭스(12) 및 컬러 필터(13)가 형성되어 있다. 블랙 매트릭스(12)는, 도 11에 2점 쇄선으로 도시하는 바와 같이, 게이트 배선(1) 또는 소스 배선(2)과 화소 전극(3) 또는 공통 전극(4) 사이에 발생하는 전계의 비제어 영역이나, TFT(5)를 피복하도록 배치되어 있다. 또한, 컬러 필터(13)는 블랙 매트릭스(12)의 개구부에 형성되어, 각 화소마다 적색, 녹색, 청색 중 어느 하나의 색층을 갖고 있고, 액정 표시 장치 전체로서는 이 3색을 반복하는 배열로 되어있다.
어레이 기판(10)과 대향 기판(14) 사이에는, 기판 상에 살포된 비즈(beads)에 의해서 보호되는 일정한 갭에 액정(도시하지 않음)이 봉입되어, 액정 표시 장치가 얻어진다.
이 액정 표시 장치에 의하면, 화소 전극(3)으로 공급된 전압과 기준 전위가 인가되는 공통 전극(4)의 전압과의 차이에 의해, 기판 면에 거의 평행한 방향의 전계가 발생하여, 전극 사이의 액정에 인가된다. 축적 용량부(109)는 TFT(5)의 온 기간에 전하가 축적됨으로써 TFT(5)의 오프 기간에 화소 전극(3)으로부터의 전하 누설이 발생하더라도, 누설된 분량의 전하를 보충하여 신호 전압을 유지할 수 있어, 이것에 의해서 액정의 동작을 유지한다.
상술의 액정 표시 장치는, 화소 전극(3), 공통 전극(4), 및 공통 배선(8)이 불투명한 금속으로 형성되어 있기 때문에, 이 영역은 광이 투과할 수가 없다. 여기서, 축적 용량부(109)를 형성하는 화소 전극(3) 및 공통 배선(8)의 대향 면적이 적으면, 축적 용량이 충분하지 않아서 플리커나 누화의 문제가 발생한다. 이 때문에, 축적 용량부(109)는 어느 정도의 크기가 필요하지만, 축적 용량부(109)를 크게 하면, 광의 비투과 영역이 확대된다. 또한,광이 투과 가능한 영역이더라도, 소스 배선 및 게이트 배선과 공통 전극 및 화소 전극 사이에 발생하는 틈 등에 있어서는 광 투과율을 소망하는 바와 같이 제어할 수 없기 때문에, 이 부분을 블랙 매트릭스(12)로 피복할 필요가 있다.
이들 이유로부터, 종래의 IPS 모드의 액정 표시 장치는, 화소 내의 개구율, 즉, 화소 면적에 대한 유효 표시 면적이 차지하는 비율이 충분하지 않고, 패널의 휘도가 낮다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은, 액정 표시 장치에 관한 것으로, 특히, IPS(In-Plane-Switching) 모드의 액정 표시 장치에 관한 것이다.
도 1(a)는 본 발명의 실시예 1에 따른 액정 표시 장치에 있어서 어레이 기판의 일 화소의 구성을 나타내는 평면도, 도 1(b)는 이 도면에 있어서의 A-A' 부분의 단면도,
도 2(a)는 본 발명의 실시예 2에 따른 액정 표시 장치에 있어서 어레이 기판의 일 화소의 구성을 나타내는 평면도, 도 2(b)는 이 도면에 있어서의 B-B' 부분의 단면도,
도 3(a)는 본 발명의 실시예 3에 따른 액정 표시 장치에 있어서 어레이 기판의 일 화소의 구성을 나타내는 평면도, 도 3(b)는 이 도면에 있어서의 C-C' 부분의 단면도,
도 4(a)는 본 발명의 실시예 4에 따른 액정 표시 장치에 있어서 어레이 기판의 일 화소의 구성을 나타내는 평면도, 도 4(b)는 이 도면에 있어서의 D-D' 부분의단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예 4에 따른 시험 결과를 도시한 도면,
도 6은 본 발명의 실시예 4의 변형예를 나타내는 단면도,
도 7(a)는 본 발명의 실시예 5에 따른 액정 표시 장치에 있어서 어레이 기판의 일 화소의 구성을 나타내는 평면도, 도 7(b)는 이 도면에 있어서의 E-E' 부분의 단면도,
도 8(a)는 본 발명의 실시예 6에 따른 액정 표시 장치에 있어서 어레이 기판의 일 화소의 구성을 나타내는 평면도, 도 8(b)는 이 도면에 있어서의 F-F' 부분의 단면도,
도 9(a)는 본 발명의 실시예 7에 따른 액정 표시 장치에 있어서 어레이 기판의 일 화소의 구성을 나타내는 평면도, 도 9(b)는 이 도면에 있어서의 G-G' 부분의 단면도,
도 10(a)는 본 발명의 실시예 8에 따른 액정 표시 장치에 있어서 어레이 기판의 일 화소의 구성을 나타내는 평면도, 도 10(b)는 이 도면에 있어서의 H-H' 부분의 단면도,
도 11은 종래의 액정 표시 장치에 있어서 어레이 기판의 일 화소의 구성을 나타내는 평면도,
도 12(a)는 도 11에 있어서의 P-P' 부분의 단면도, 도 12(b)는 동 Q-Q' 부분의 단면도이다.
본 발명은, IPS 방식의 액정 패널에 있어서, 화소 내의 축적 용량부의 용량을 확보하면서 개구율을 증대시킴으로써, 밝고 표시 품질이 높은 액정 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. ·
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 액정 표시 장치는, 어레이 기판과, 상기 어레이 기판에 대향하는 대향 기판과, 상기 어레이 기판과 상기 대향 기판 사이에 협지된 액정을 구비하되, 상기 어레이 기판은, 서로 교차하고 있는 복수 개의 게이트 배선 및 복수 개의 소스 배선과, 인접하는 2개의 상기 게이트 배선 및 인접하는 2개의 상기 소스 배선에 의해 구획이 정해진 각 영역 내에 배치된 화소 전극과, 상기 게이트 배선으로부터 입력된 신호 전압에 근거하여 상기 소스 배선으로부터 상기 화소 전극으로 인가되는 전압을 스위칭하는 스위칭 소자와, 인접하는 2개의 상기 게이트 배선 사이에 형성된 공통 배선과, 상기 공통 배선에 전기적으로 접속되어, 전압이 인가된 상기 화소 전극과의 사이에 상기 액정을 구동하는 전계를 생성시키는 공통 전극과, 상기 공통 배선에 전기적으로 접속된 축적 용량 전극을 구비하며, 상기 공통 배선 및 상기 축적 용량 전극은, 절연층을 거쳐서 상기 화소 전극의 적어도 일부를 협지하도록 적층되어 있는 것을 특징으로 한다.
이 액정 표시 장치에 의하면, 공통 배선, 축적 용량 전극 및 화소 전극이 평면으로 볼 때 겹친 부분에 축적 용량 부가 형성되어, 공통 배선과 화소 전극 사이뿐만 아니라, 화소 전극과 축적 용량 전극 사이에도 전하를 축적할 수 있기 때문에, 종래에 비교하여 축적 용량부의 단위 면적당 용량을 크게할 수 있다. 따라서, 축적 용량부의 면적을 작게 하더라도 표시 품질을 양호하게 유지할 수 있고, 이것에 의하여 개구율을 향상시킬 수 있다.
이 액정 표시 장치는, 상기 화소 전극에 전기적으로 접속된 부가 축적 용량 전극을 더 구비할 수도 있고, 이 경우, 상기 화소 전극 및 상기 부가 축적 용량 전극은, 절연층을 거쳐서 상기 공통 배선 또는 상기 축적 용량 전극의 적어도 일부를 협지하도록 적층된다. 이 구성에 의하면, 공통 배선 또는 축적 용량 전극과 부가 축적 용량 전극 사이에도 전하를 축적할 수 있기 때문에, 축적 용량부의 단위 면적당 용량을 더욱 크게 할 수 있어, 이것에 의해서 개구율의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 이 액정 표시 장치에 있어서는, 상기 공통 배선, 상기 화소 전극 및 상기 축적 용량 전극을 이 순서대로 적층하고, 상기 축적 용량 전극과 동일한 층에 해당 축적 용량 전극과 동일한 재료로 이루어지는 차광막을 형성하여, 해당 차광막에 의해 상기 스위칭 소자를 피복 할 수 있다. 이 구성에 의하면, 백 라이트나 외부 광이 TFT 등의 스위칭 소자에 직접 닿는 것을 확실히 막을 수 있기 때문에, 스위칭 소자에 있어서의 리크 전류를 방지하여 누화나 플리커 등을 억제할 수 있어, 이것에 의해서, 표시 품질을 높일 수 있다. 이 차광막은, 축적 용량 전극과 동시에 형성할 수 있기 때문에, 새로운 공정을 추가할 필요가 없다.
또한, 이 액정 표시 장치에 있어서는, 상기 공통 배선을 상기 게이트 배선과 동일한 층에 형성하여, 상기 축적 용량 전극을 상기 공통 전극과 동일한 층에 형성할 수 있다. 이 구성에 의하면, 게이트 배선이 절연층을 거쳐서 공통 전극 및 화소 전극과 다른 층에 형성되어 있기 때문에, 게이트 배선이 공통 전극 또는 화소 전극과 쇼트될 우려가 없고, 공통 전극 및 화소 전극의 단부를 게이트 배선까지 연장시킬 수 있다. 이것에 의해, 구동을 제어할 수 있는 액정의 영역을 넓힐 수 있어, 개구율을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 다른 액정 표시 장치는, 어레이 기판과, 상기 어레이 기판에 대향하는 대향 기판과, 상기 어레이 기판과 상기 대향 기판 사이에 협지된 액정을 구비하되, 상기 어레이 기판은, 서로 교차하고 있는 복수 개의 게이트 배선 및 복수 개의 소스 배선과, 인접하는 2개의 상기 게이트 배선 및 인접하는 2개의 상기 소스 배선에 의해 구획이 정해진 각 영역 내에 배치된 화소 전극과, 상기 게이트 배선으로부터 입력된 신호 전압에 근거하여 상기 소스 배선으로부터 상기 화소 전극으로 인가되는 전압을 스위칭하는 스위칭 소자와, 인접하는 2개의 상기 게이트 배선의 사이에 형성된 공통 배선과, 상기 공통 배선에전기적으로 접속되어, 전압이 인가된 상기 화소 전극과의 사이에 상기 액정을 구동하는 전계를 생성시키는 공통 전극과, 상기 화소 전극에 전기적으로 접속된 축적 용량 전극을 구비하며, 상기 화소 전극 및 상기축적 용량 전극은, 절연층을 거쳐서 상기 공통 배선의 적어도 일부를 협지하도록 적층되어 있는 것을 특징으로 한다.
이 액정 표시 장치에 의하면, 화소 전극, 축적 용량 전극 및 공통 배선이 평면으로 볼 때 겹친 부분에 축적 용량 부가 형성되어, 공통 배선과 화소 전극 사이뿐만 아니라, 공통 배선과 축적 용량 전극 사이에도 전하를 축적할 수 있기 때문에, 종래와 비교하여 축적 용량부의 단위 면적당 용량을 크게 할 수 있다. 따라서, 축적 용량부의 면적을 작게 하더라도 표시 품질을 양호하게 유지할 수 있어, 이것에 의해서 개구율을 향상시킬 수 있다.
이 액정 표시 장치는, 상기 공통 배선에 전기적으로 접속된 부가 축적 용량 전극을 더 구비할 수도 있고, 이 경우, 상기 공통 배선 및 상기 부가 축적 용량 전극은, 절연층을 거쳐서 상기 화소 전극 또는 상기 축적 용량 전극의 적어도 일부를 협지하도록 적층된다. 이 구성에 의하면, 화소 전극 또는 축적 용량 전극과 부가 축적 용량 전극 사이에도 전하를 축적할 수 있기 때문에, 축적 용량부의 단위 면적 당 용량을 더욱 크게할 수 있어, 이것에 의해서 개구율의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 또 다른 액정 표시 장치는, 어레이 기판과, 상기 어레이 기판에 대향하는 대향 기판과, 상기 어레이 기판과 상기 대향 기판 사이에 협지된 액정을 구비하되, 상기 어레이 기판은, 서로 교차하고 있는 복수 개의 게이트 배선 및 복수 개의 소스 배선과, 인접하는 2개의 상기 게이트 배선 및 인접하는 2개의 상기 소스 배선에 의해 구획이 정해진 각 영역 내에 배치된 화소 전극과, 상기 게이트 배선으로부터 입력된 신호 전압에 근거하여 상기 소스 배선으로부터 상기 화소 전극으로 인가되는 전압을 스위칭하는 스위칭 소자와, 인접하는 2개의 상기 게이트 배선 사이에 형성된 공통 배선과, 상기 공통 배선에 전기적으로 접속되어, 전압이 인가된 상기 화소 전극과의 사이에 상기 액정을 구동하는 전계를 생성시키는 공통 전극을 구비하며, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극은, 모두 절연층을 거쳐서 상기 게이트 배선과는 별도의 층에 형성되어 있고, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극의 단부가 상기 게이트 배선에 겹쳐 있는 것을 특징으로 한다. 예컨대, 이 액정 표시 장치에 있어서, 상기 게이트 배선을 제 1 도전층으로부터 형성하고, 상기 화소 전극 및 공통 전극을 제 2 도전층으로부터 형성할 수 있다.
이 구성에 의하면, 화소 전극 및 공통 전극의 단부가 게이트 배선에 겹쳐있기 때문에, 화소 전극 또는 공통 전극과 게이트 배선 사이에서 광 누설을 발생할 우려가 없다. 따라서, 이 겹쳐진 부분에 대응하는 다른 쪽의 기판 상의 위치에 블랙 매트릭스를 형성할 필요가 없고, 이것에 의해서 개구율을 향상시킬 수 있다. 화소 전극 또는 공통 전극이 게이트 배선과 겹친 부분의 길이는, 화소 전극 또는 공통 전극의 길이 방향을 따르고 1∼5㎛인 것이 바람직하다.
또한, 상기 공통 전극은, 절연층을 거쳐서 상기 소스 배선과 별도의 층에 형성되어 있는 것이 바람직하고, 적어도 일부가 상기 소스 배선과 길이 방향을 따라 겹쳐 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해서, 상기 소스 배선과 공통 전극의 틈으로부터의 광 누설을 방지할 수 있기 때문에, 다른 쪽 기판 상에 블랙 매트릭스의 형성이 필요한 영역을 보다 작게 하여, 개구율을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극은, 양자 사이에서의 쇼트를 확실히 방지하기 위해서, 절연층을 거쳐서 서로 별도의 층에 형성하더라도 좋다. 예컨대, 상기 게이트 배선을 제 1 도전층으로부터 형성하고, 상기 화소 전극을 제 2 도전층으로부터 형성하며, 상기 공통 전극을 제 3 도전층으로부터 형성하여, 상기 제 1∼제 3 도전층의 각 층 사이를 제 1 및 제 2 절연층으로 절연할 수 있다.
또한, 상기 게이트 배선, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극을 이 순서대로 적층하되, 상기 공통 전극과 동일한 층에 해당 공통 전극과 동일한 재료로 이루어지는 차광막을 형성함으로써, 해당 차광막에 의해 상기 스위칭 소자를 피복하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 차광막을 공통 전극과 동시에 형성할 수 있기 때문에, 새로운 공정을 추가하지 않고, 표시 품질의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 스위칭 소자에 대응하는 대향 기판 상의 위치에는 블랙 매트릭스를 형성할 필요가 없기 때문에, 개구율을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 대향 기판 상에 블랙 매트릭스를 전혀 형성하지 않을 수도 있어, 제조 공정을 단축할 수 있게 된다. 스위칭 소자 근방으로부터의 광 누설을 방지하기 위해서, 상기 스위칭 소자는 상기 게이트 배선 상에 형성되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 상기 게이트 배선, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극을 이 순서대로 적층한 경우, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 형성되는 절연층은, 0.5㎛ 이상의 두께를 갖는 것이 바람직하고, 유기막에 의해 형성되어 있는 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해, 게이트 배선과 공통 전극이 겹친 부분에 발생하는 기생 용량을 충분히 작게 하여, 표시 품질을 보다 향상시킬 수 있다.
이상의 각 액정 표시 장치에 있어서는, 상기 화소 전극 및/또는 상기 공통 전극을 투명 전극 재료로 형성할 수 있어, 이것에 의해서, 개구율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 축적 용량 전극은, 상기 게이트 배선의 신호 입력측인 한쪽 단부측에서 다른쪽 단부측을 향해서 작아 되도록 형성하더라도 좋고, 이것에 의해서 플리커를 억제할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 단지, 이후의 설명에 있어서는, 상술한 종래의 액정 표시 장치와 동일한 구성 부분에는 동일한 부호를 부여하고, 반복되는 설명을 생략한다.
(실시예 1)
도 1(a)는 실시예 1의 액정 표시 장치에 있어서의 어레이 기판의 일 화소의 구성을 나타내는 평면도이며, 도 1(b)는 도 1(a)에 있어서의 A-A' 부분의 단면도이다.
본 실시예에 있어서의 액정 표시 장치는, 상술한 종래의 액정 표시 장치와 같이 공통 배선(8)과 화소 전극(3)이 절연층(6a)을 거쳐서 겹친 부분에 축적 용량부(9a)가 형성되어 있다. 그리고, 이 축적 용량부(9a)에서, 화소 전극(3)의 윗쪽에 축적 용량 전극(20a)이 형성되어 있는 점에서 종래의 액정 표시 장치와 서로 다른다.
즉, 절연층(6a) 상의 동일층에 형성된 소스 배선(2) 및 화소 전극(3)의 위에 절연층(6b)이 형성되어, 이 절연층(6b)의 위에 축적 용량 전극(20a)이 형성되어 있고, 축적 용량 전극(20a)은, 절연층(6a, 6b)에 형성된 콘택트 홀(30a, 30b)을 거쳐서 공통 배선(8)과 전기적으로 접속되어 있다. 이렇게 해서, 축적 용량부(9a)는, 축적 용량 전극(20a) 및 공통 배선(8)이 절연층(6a, 6b)을 거쳐서 화소 전극(3)의 일부를 협지함으로써, 형성되어 있다.
본 실시예의 액정 표시 장치는, 예컨대 다음과 같이 제조할 수 있다. 우선, 어레이 기판(10)으로 되는 유리 상에, 알루미늄(Al) 등을 주성분으로 하는 제 1 도전층을 스퍼터링법 등으로 성막한 후, 포토리소그래피법으로 동일한 평면형상으로 패턴을 형성하여, 게이트 배선(1), 공통 전극(4), 및 공통 배선(8)을 얻는다.
이어서, CVD법 등에 의해 질화규소(SiNx)등으로 이루어지는 제 1 절연층(6a)을 퇴적시켜, a-Si 등으로 이루어지는 반도체층을 CVD법 및 포토 리소그래피법등으로 형성한 후, 상기 제 1 도전층과 동일한 공정으로 제 2 도전층을 형성하여 패터닝함으로써, 소스 배선(2), 화소 전극(3), 및 스위칭 소자인 TFT(5)를 얻는다. 화소 전극(3) 및 공통 전극(4)의 폭은, 예컨대 3∼8㎛이며, 양자 간격은, 예컨대 10∼15㎛이다.
다음에, 제 1 절연층(6a)과 동일한 공정으로 제 2 절연층(6b)을 형성한 후, 제 1 절연층(6a) 및 제 2 절연층(6b)에 포토리소그래피법으로 콘택트 홀(30a, 30b)을 형성한다.
이 다음, 상기 제 1 도전층과 동일한 공정으로 제 3 도전층을 형성하여 패터닝함으로써 축적 용량 전극(20a)을 얻는 동시에, 콘택트 홀(30a, 30b)을 거쳐서 공통 배선(8)과 전기적 접속을 한다. 또한, 이와 같이 형성된 어레이 기판의 가장 표면에는, TFT나 전극 등을 보호하기 위해서, 다시제 4 절연층을 형성해도 좋다.
또한, 상술한 제 1∼제 3 도전층은, 특별히 한정되는 것이 아니지만, 알루미늄(Al)계열 금속과 같이 배선 저항이 낮은 금속 재료로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한,각 도전층은, 단층막 또는 다층막중 어떤 것이라도 좋다.
한편, 대향 기판(14)으로 유리 기판 상에는, 금속 크롬(Cr)을 스퍼터링 등에 의해서 성막한 후, 포토리소그래피법으로 패턴을 형성함으로써, 도전성 블랙 매트릭스(2)를 형성한다. 다음에, RGB(3색)의 각각의 색소를 갖는 수지를 화소가 되는 부분에 순서대로 패턴 형성하여, 도트 형상으로 배치된 컬라 필터(13)를 얻는다. 또한, 크롬 등에 의한 액정층으로의 오염을 막기 위해서, 이 다음 아크릴 등의 수지에 의해 컬러 대향 기판 전체에 오버 코팅층을 형성하더라도 좋다. 또한, 블랙 매트릭스는 수지 재료를 이용하여 형성하더라도 좋으며, 이 경우는 스핀 코팅이나 인쇄 등 도포에 의한 성막 공정을 이용할 수 있기 때문에, 설비 비용을 저감할 수 있다.
이와 같이 제작된 2개의 기판(10, 14)의 서로 대향하는 면에 배향막(도시하지 않음)을 도포한 후, 소정의 방향으로 연마를 실행하여, 기판 사이에 수지 스페이서를 사이에 둔 상태로 주변부를 밀봉(seal)제로 접착한다. 최후에 액정(도시하지 않음)을 봉입하여, 액정 표시 장치가 얻어진다.
이 액정 표시 장치의 주변부에서는, 게이트 배선(1)의 단부에 게이트 구동 회로를 접속하고, 소스 배선(2)의 단부에 소스 신호 구동 회로를 접속함으로써, 각각의 구동 회로가, 콘트롤러로부터의 입력에 근거하여 액정 표시 장치를 작동시킨다. 이 액정 표시 장치의 작동을 이하에 설명한다.
우선, 외부 회로부터 공급된 주사 신호가 각 게이트 배선(1)으로 공급되고, 영상 신호가 각 소스 배선(2)으로 공급된다. 게이트 배선(1)을 거쳐서 공급된 주사 신호에 의해서, 게이트 배선(1)에 접속된 TFT(5)가 선택적으로 스위칭됨으로써 TFT(5)의 온 기간에 소스 배선(2)을 통해서 공급되는 영상 신호가 화소 전극(3)으로 공급된다. 이 화소 전극(3)과 공통 전극(4)의 전위차에 의해 전계가 발생하여, 전극 사이에 배향시킨 액정의 움직임의 제어가 행하여진다. 액정 패널의 어레이 기판측에는 냉음극관으로 이루어지는 백 라이트(도시하지 않음)가 배치되어 있고, 액정의 구동 제어에 의해 계조 표시를 할 수 있다.
TFT(5)가 오프 상태가 되면, 화소 전극(3)으로의 신호 전압의 공급이 정지되지만, 축적 용량(9a)에 축적된 전하에 의해 액정의 동작이 유지된다. 본 실시예에 있어서의 축적 용량부(9a)는, 공통 배선(8)과 화소 전극(3) 사이, 및 화소 전극(3)과 축적 용량 전극(20a) 사이의 각각에서 전위차가 발생하여, 전하를 축적시킬 수 있기 때문에, 상기 종래의 액정 표시 장치의 축적 용량부(109)와 비교하여 단위 면적당 용량이 높아져, 전극의 대향 면적을 약 절반으로 할 수 있다. 이 결과, 화소의 개구율을 향상시킬 수 있게 되어, 높은 표시 휘도를 얻을 수 있다.
(실시예 2)
도 2(a)는 실시예 2의 액정 표시 장치에 있어서의 어레이 기판의 일 화소의 구성을 나타내는 평면도이며, 도 2(b)는, 도 2(a)에 있어서의 B-B' 부분의 단면도이다.
실시예 2의 액정 표시 장치는, 공통 배선, 화소 전극 및 축적 용량 전극에 의해 축적 용량부가 구성되어 있는 점에서 실시예 1과 마찬가지이고, 축적 용량 전극이 화소 전극과 전기적으로 접속되어 있는 점에서, 실시예 1과 서로 다르다.
즉, 어레이 기판(10) 상에 축적 용량 전극(20b)이 형성되고, 이 위에 절연층(6a)을 거쳐서 게이트 배선(1), 공통 전극(4), 및 공통 배선(8)이 형성되며, 이들 상에 절연층(6b)을 거쳐서 소스 배선(2), 화소 전극(3), 및 TFT(5)가 형성되어 있다. 공통 배선(8)의 일부에는 개구(81)가 형성되어 있고, 이 개구(81)의 대략 중심을 통과하도록 절연층(6a, 6b)에 형성된 콘택트 홀(30c)을 거쳐서, 축적 용량 전극(20b)과 화소 전극(3)이 전기적으로 접속되어 있다. 이렇게 해서, 축적 용량부(9b)는, 축적 용량 전극(20b) 및 화소 전극(3)이 절연층(6a, 6b)을 거쳐서 공통 배선(8)의 일부를 협지함으로써 형성되어 있다.
본 실시예의 축적 용량부(9b)에 의하면, 축적 용량 전극(20b)과 공통 배선(8) 사이, 및, 공통 배선(8)과 화소 전극(3) 사이의 각각에서 전위차가 발생하여, 전하를 축적시킬 수 있기 때문에, 상기 종래의 액정 표시 장치의 축적 용량부(109)와 비교하여 단위 면적당 용량이 높아져, 전극의 대향 면적을 대략 절반으로 할 수 있다. 그 결과, 화소의 개구율을 향상시킬 수 있게 되어, 높은 표시 휘도를 얻을 수 있다.
(실시예 3)
도 3(a)는 실시예 3의 액정 표시 장치에 있어서의 어레이 기판의 일 화소의 구성을 나타내는 평면도이며, 도 3(b)는 도 3(a)에 있어서의 C-C' 부분의 단면도이다.
실시예 3의 액정 표시 장치는, 실시예 1의 액정 표시 장치에 있어서, 부가 축적 용량 전극을 더 구비하는 것이고, 그 밖의 점에 관해서는 실시예 1과 마찬가지다.
즉, 축적 용량 전극(20a)의 위에 절연층(6c)이 형성되고, 이 절연층(6c) 위에 부가 축적 용량 전극(20d)이 형성되어 있고, 부가 축적 용량 전극(20d)은 절연층(6b, 6c)에 형성된 콘택트 홀(30d)을 거쳐서 화소 전극(3)에 전기적으로 접속되어 있다. 이렇게 해서, 축적 용량부(9c)는 공통 배선(8), 화소 전극(3), 축적 용량 전극(20a), 및 부가 축적 용량 전극(20d)이 평면으로 볼 때 겹친 부분에 형성되어 있다.
본 실시예의 축적 용량부(9c)에 의하면, 공통 배선(8)과 화소 전극(3) 사이, 화소 전극(3)과 축적 용량 전극(20a) 사이, 및, 축적 용량 전극(20a)과 부가 축적 용량 전극(20d) 사이의 각각에서 전위차가 발생하여, 전하를 축적시킬 수 있기 때문에, 실시예 1 및 실시예 2의 축적 용량부에 비교하여 단위 면적당 용량을 더욱 높일 수 있다. 이 결과, 화소의 개구율을보다 향상시킬 수 있게 되어, 높은 표시 휘도를 얻을 수 있다.
또한, 본 실시예의 액정 표시 장치에 있어서는, 부가 축적 용량 전극(20d)의 윗쪽에, 별도의 축적 용량 전극을 적층할 수도 있다. 즉, 제 1 축적 용량 전극은, 상기 공통 배선(8)에 전기적으로 접속되고, 또한, 제 2 축적 용량 전극은 상기 화소 전극(3)에 전기적으로 접속되도록, 각각 절연층을 거쳐서 교대로 적층함으로써, 축적 용량부의 단위 면적당 용량을 보다 높일 수 있다.
또한, 실시예 2에 나타내는 액정 표시 장치에 대하여도, 화소 전극 위에 절연층을 거쳐서 부가 축적 용량 전극을 형성할 수 있고, 이 부가 축적 용량 전극과 공통 배선(8)을 콘택트 홀을 거쳐서 전기적으로 접속함으로써, 본 실시예와 같은 효과를 얻을 수 있다.
(실시예 4)
도 4(a)는 실시예 4의 액정 표시 장치에 있어서의 어레이 기판의 일 화소의 구성을 나타내는 평면도이며, 도 4(b)는 도 4(a)에 있어서의 D-D' 부분의 단면도이다.
실시예 4에 있어서의 액정 표시 장치는, 실시예 1의 액정 표시 장치에 있어서, 축적 용량 전극(20a)과 동일한 층에 축적 용량 전극(20a)과 동일한 재료로 이루어지는 차광막(15a)이 형성된 것이며, 그 밖의 구성에 관해서는 실시예 1과 마찬가지다.
이 구성에 의하면, 차광막(15a)을 축적 용량 전극(20a)과 동시에 형성할 수 있기 때문에, 차광막(15a) 형성을 위한 공정을 새롭게 추가할 필요가 없다. 그리고, 이 차광막(15a)에 의해 TFT(5)의 윗쪽이 피복되어 있기 때문에, 백 라이트나 외광 등에 의한 TFT 특성의 악화를 방지할 수 있다.
도 5는 차광막을 마련한 경우 및 마련하지 않는 경우의 각각에 있어서, 게이트·드레인 전압과 소스·드레인 전류와의 관계를 나타내는 그래프이다. 동 도면에 도시하는 바와 같이, 차광막(15a)을 마련하지 않는 경우에는, 게이트·드레인전압이 0볼트 이하, 즉, TFT의 오프 기간에 있어서도 소스·드레인 전류가 흐른다. 이 결과, 화소 전위가 변동하여, 누화에 의한 화질 열화 등의 문제를 발생한다.
이것에 대하여, 차광막(15a)을 마련한 경우에는, 게이트·드레인 전압이 0볼트 이하, 즉, TFT의 오프 기간에 있어서는, 소스·드레인 전류가 거의 흐리지 않기 때문에, 상술한 문제가 해소되어 표시 품질을 높일 수 있게 된다.
이 차광막(15a)은, 도 6에 도시하는 바와 같이 실시예 1에 있어서의 절연층(6b) 상에, CVD법 등에 의해 질화규소(SiNx) 등으로 이루어지는 평탄화막(22a)을 형성하여, 평평한 표면 상에 축적 용량 전극(20a)과 같이 형성하더라도 좋다. 이와 같이 평탄화막(22a)을 형성한 경우에는, 차광막(15a)과 TFT(5) 사이에 형성되어버리는 기생 용량을 작게 할 수 있기 때문에, TFT(5)의 부하가 작아져, TFT(5)의 동작을 안정시킬 수 있다. 또한, 봉입한 액정의 배향의 흐트러짐이 줄어들므로, 표시 품질을 보다 향상시킬 수 있게 된다.
(실시예 5)
도 7(a)는 실시예 5의 액정 표시 장치에 있어서의 어레이 기판의 일 화소의 구성을 나타내는 평면도이며, 도 7(b)는 도 7(a)에 있어서의 E-E' 부분의 단면도이다. ·
실시예 1에 있어서의 액정 표시 장치의 공통 전극이 공통 배선과 동일한 층에 형성되어 있는 데 비하여, 실시예 5에 있어서의 액정 표시 장치는, 공통 전극이 축적 용량 전극과 동일한 층에 형성되어 있는 점에서 서로 다르고, 그 밖의 구성에관해서는 실시예 1과 마찬가지다.
즉, 게이트 배선(1) 및 공통 배선(8)은, 어레이 기판(10) 상에 동일한 층으로서 형성되어 있고, 이들의 윗쪽에 절연층(6a)을 거쳐서 소스 배선(2) 및 화소 전극(3)이 동일한 층으로서 형성되어 있다. 그리고, 이들의 윗쪽에 절연층(6b)을 거쳐서 축적 용량 전극(20a) 및 공통 전극(4)이 형성되어 있다. 공통 전극(4)은, 축적 용량 전극(20a) 및 절연층에 형성된 콘택트 홀(30a, 30b)을 거쳐서 공통 배선(8)과 전기적으로 접속되어 있다.
이 구성에 의하면, 실시예 1과 같이 종래의 축적 용량부(9)와 비교하여 전극의 대향 면적을 대략 절반으로 할 수 있어, 화소의 개구율을 향상시킬 수 있다. 또한, 화소 전극(3) 및 공통 전극(4)이, 게이트 배선(1)과는 절연층(6a, 6b)을 거쳐서 다른 층에 형성되어 있기 때문에, 화소 전극(3) 또는 공통 전극(4)이 게이트 배선(1)과의 사이에서 쇼트될 우려가 없으므로 화소 전극(3) 및 공통 전극(4)의 단부를 게이트 배선(1)까지 연장할 수 있어, 화소에 있어서의 액정 구동의 제어 가능 영역을 넓힐 수 있다. 따라서, 이것에 의해서도 개구율을 향상시킬 수 있다.
화소 전극(3) 및 공통 전극(4)의 단부를 게이트 배선(1)에 겹친 경우에는, 도 7(a)에 있어서 2점 쇄선의 폭으로 도시하는 바와 같이, 블랙 매트릭스(12)를 게이트 배선(1)을 따라 형성할 필요가 없다. 이 경우, 화소 전극(3) 및 공통 전극(4)의 단부가 게이트 배선(1)과 겹치는 부분의 길이는, 정렬 오차를 고려하면 1㎛ 이상인 것이 바람직한 한편, 중첩이 지나치게 크면 기생 용량이 커져 게이트 배선(1)의 신호 왜곡이 발생할 우려가 있기 때문에 5㎛ 이하인 것이 바람직하다.
(실시예 6)
도 8(a)는 실시예 6의 액정 표시 장치에 있어서의 어레이 기판의 일 화소의 구성을 나타내는 평면도이며, 도 8(b)는 도 8(a)에 있어서의 F-F' 부분의 단면도이다.
실시예 5에 있어서의 액정 표시 장치의 축적 용량 전극(20a) 및 공통 전극(4)이 절연층(6b) 상에 형성되어 있는 데 대하여, 실시예 6에 있어서의 액정 표시 장치는, 절연층(6b) 상에 형성된 평탄화막(22b) 상에 축적 용량 전극(20a) 및 공통 전극(4)이 형성되어 있다. 그 밖의 구성에 관해서는, 실시예 5와 마찬가지다.
이 구성에 의하면, 쇼트의 공통 전극(4)이 길이 방향을 따라 소스 배선(2)의 일부와 겹치도록 구성하는 것이 용이하며, 소스 배선(2)과 공통 전극(4)의 틈으로부터 광 누설이 발생될 우려가 없다. 따라서, 액정 구동의 제어 가능 영역이 더욱 넓어져, 개구율을 향상시킬 수 있다. 이 경우, 이 겹친 부분에 대응하는 대향 기판(14) 상의 위치에, 블랙 매트릭스를 형성할 필요가 없다.
본 실시예에 있어서는, 실시예 4와 동일하게 하여, 도 8(a)에 2점 쇄선으로 도시하는 바와 같이, 축적 용량 전극(20a) 및 공통 전극(4)과 동일한 층에 차광막(15b)을 더 형성해도 좋다. 이러한 구성에 의하면, 표시 품질이 높은 액정 표시 장치가 얻어질뿐만 아니라, 대향 기판(14)에 블랙 매트릭스를 형성할 필요가 전혀 없어, 제조 공정의 단축을 도모할 수 있다. 또한, TFT(5) 근방으로부터의 광 누설을 방지하기 위해서, 도 8(a)에 도시하는 바와 같이 TFT(5)를 게이트 배선(1)상에 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 평탄화막(22b)은, 실리콘 산화막이나 실리콘 질화막 등으로 형성할 수도 있지만, 게이트 배선(1)과 공통 전극(4)이 겹친 부분에 발생하는 기생 용량을 충분히 줄이기 위해서는, 감광성 아크릴 수지 등의 유기막에 의해 형성하는 것이 바람직하고, 또한, 막 두께를 0.5㎛ 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해 누화 등의 문제가 저감되어, 표시 품질을 보다 향상시킬 수 있다. 평탄화막(22b)의 평균적인 두께는, 3㎛ 정도가 적당하다.
(실시예 7)
도 9(a)는 실시예 6의 액정 표시 장치에 있어서의 어레이 기판의 일 화소의 구성을 나타내는 평면도이며, 도 9(b)는 도 9(a)에 있어서의 G-G' 부분의 단면도이다.
도 11 및 도 12에 나타내는 상기 종래의 액정 표시 장치의 공통 전극(4)이 공통 배선(8)과 동일한 층에 형성되어 있는 데 대하여, 실시예 7에 있어서의 액정 표시 장치는, 공통 전극(4)이 공통 배선(8)과는 별도의 층에, 또한, 화소 전극(3)과 동일한 층에 형성되어 있는 점에서 서로 다르다. 그 밖의 구성에 관해서는, 상기 종래의 액정 표시 장치와 마찬가지다.
즉, 게이트 배선(1) 및 공통 배선(8)은, 어레이 기판(10)상에 동일한 층으로서 형성되어 있고, 이들의 윗쪽에, 절연층(6a)을 거쳐서 소스 배선(2), 화소 전극(3) 및 공통 전극(4)이 동일한 층으로서 형성되어 있다. 공통 전극(4)은, 절연층(6a)에 형성된 콘택트 홀(30e)을 거쳐서 공통 배선(8)과 전기적으로 접속되어 있고, 화소 전극(3)과 공통 배선(8)이 절연층(6a)을 거쳐서 겹친 부분에 축적 용량부(9d)가 형성되어 있다.
이 구성에 의하면, 실시예 5와 같이, 화소 전극(3) 및 공통 전극(4)의 단부를 게이트 배선(1)에 겹칠 수 있고, 이것에 의해서 액정 구동 제어가 가능한 영역을 확대할 수 있다. 따라서, 이 겹친 부분에 대응하는 대향 기판(14) 상의 위치에는 블랙 매트릭스를 형성할 필요가 없고, 이것에 의해서 개구율을 향상시킬 수 있다. 화소 전극(3) 및 공통 전극(4)의 단부가 게이트 배선(1)과 겹치는 부분의 길이는, 실시예 5와 같은 이유로 인해 1∼5㎛인 것이 바람직하다,
(실시예 8)
도 10(a)는 실시예 8의 액정 표시 장치에 있어서의 어레이 기판의 일 화소의 구성을 나타내는 평면도이며, 도 10(b)는 도 10(a)에 있어서의 H-H' 부분의 단면도이다.
실시예 7의 액정 표시 장치는, 화소 전극(3) 및 공통 전극(4)이 소스 배선(2)과 동일한 층에 형성되어 있는 데 대하여, 실시예 8의 액정 표시 장치는, 화소 전극(3) 및 공통 전극(4)이 평탄화막(22c)을 거쳐서 소스 배선(2)과 다른 층에 형성되어 있는 점에서 서로 다르다. 그 밖의 구성에 관해서는 실시예 7과 마찬가지다.
즉, 어레이 기판(10) 상에 형성된 게이트 배선(1) 및 공통 배선(8)의 윗쪽에절연층(6a)을 거쳐서 소스 배선(2)이 형성되어 있고, 이 위쪽에, 평탄화막(22c)을 거쳐서 화소 전극(3) 및 공통 전극(4)이 동일한 층으로서 형성되어 있다. TFT(5)의 드레인측은, 콘택트 홀(30f)를 거쳐서 화소 전극(3)에 접속되어 있다.
이 구성에 의하면, 공통 전극(4)의 적어도 일부를 길이 방향을 따라 소스 배선(2)에 겹칠 수 있기 때문에, 소스 배선(2)과 공통 전극(4)의 틈으로부터 광 누설이 발생할 우려가 없다. 따라서, 이 부분에 대응하는 대향 기판(14) 상의 위치에 블랙 매트릭스를 형성할 필요가 없기 때문, 개구율을보다 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예 4와 같이 하여, 도 10(a)에 2점 쇄선으로 도시하는 바와 같이, 화소 전극(3) 및 공통 전극(4)과 동일한 층에 차광막(15c)을 형성하더라도 좋다. 이러한 구성에 의하면, 표시 품질이 높은 액정 표시 장치가 얻어질 뿐만 아니라, 대향 기판(14)에 블랙 매트릭스를 전혀 형성하지 않더라도 좋기 때문에, 제조 공정의 단축을 도모할 수 있다.
또한, 화소 전극(3) 및 공통 전극(4)은, 절연층을 거쳐서 서로 별도의 층이 되도록 형성해도 좋으며, 이것에 의해서, 화소 전극(3)과 공통 전극(4) 사이의 쇼트를 확실히 방지할 수 있다.
(그 밖의 실시예)
이상, 본 발명의 각 실시예에 대하여 상술했지만, 본 발명이 구체적인 형태가 상기 실시예로 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 상기 각 실시예에 있어서, 공통 전극 및 화소 전극은 금속 전극이라고 하고있지만, ITO(Indium-Tin-Oxide) 등의 투명 전극으로 형성할 수도 있다. 이러한 구성에 의하면, 개구율을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 각 실시예에 있어서, 각 화소마다의 축적 용량부를 평면으로 볼때의 크기는, 게이트 배선의 신호 입력측인 한쪽 단부측에서 다른쪽 단부측을 향해서 작아지도록 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 주요 배선이나 전극 형상 등을 변경하지 않더라도, 액정에 인가하는 전압을 각 화소에서 거의 일정하게 할 수 있다. 따라서, 단선 등의 불량을 회피하면서 플리커의 발생을 억제할 수 있어, 표시 품질의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 매트릭스 형상으로 마련된 복수 개의 게이트 배선 및 복수 개의 소스 배선에 의해서 구획 결정되는 각 화소 영역의 형상은, 반드시 직사각형 형상인 것으로 한정되지 않고, 서로의 형태에 가까운 형상이더라도 좋다.
Claims (14)
- 어레이 기판과, 상기 어레이 기판에 대향하는 대향 기판과, 상기 어레이 기판과 상기 대향 기판 사이에 협지된 액정을 구비하되,상기 어레이 기판은,서로 교차하고 있는 복수 개의 게이트 배선 및 복수 개의 소스 배선과,인접하는 2개의 상기 게이트 배선 및 인접하는 2개의 상기 소스 배선에 의해 구획이 정해진 각 영역 내에 배치된 화소 전극과,상기 게이트 배선으로부터 입력된 신호 전압에 근거하여 상기 소스 배선으로부터 상기 화소 전극으로 인가되는 전압을 스위칭 하는 스위칭 소자와,인접하는 2개의 상기 게이트 배선 사이에 형성된 공통 배선과,상기 공통 배선에 전기적으로 접속되어, 전압이 인가된 상기 화소 전극과의 사이에 상기 액정을 구동하는 전계를 생성시키는 공통 전극과,상기 공통 배선에 전기적으로 접속된 축적 용량 전극을 구비하며,상기 공통 배선 및 상기 축적 용량 전극은,절연층을 거쳐서 상기 화소 전극의 적어도 일부를 협지하도록 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 화소 전극에 전기적으로 접속된 부가 축적 용량 전극을 더 구비하되,상기 화소 전극 및 상기 부가 축적 용량 전극은, 절연층을 거쳐서 상기 공통 배선 또는 상기 축적 용량 전극의 적어도 일부를 협지하도록 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 공통 배선, 상기 화소 전극 및 상기 축적 용량 전극이, 이 순서대로 적층되어 있고, 상기 축적 용량 전극과 동일한 층에 해당 축적 용량 전극과 동일한 재료로 이루어지는 차광막이 형성되어, 해당 차광막에 의해 상기 스위칭 소자가 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 공통 배선은 상기 게이트 배선과 동일한 층에 형성되고, 상기 축적 용량 전극은 상기 공통 전극과 동일한 층에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 어레이 기판과, 상기 어레이 기판에 대향하는 대향 기판과, 상기 어레이 기판과 상기 대향 기판 사이에 협지된 액정을 구비하되,상기 어레이 기판은,서로 교차하고 있는 복수 개의 게이트 배선 및 복수 개의 소스 배선과,인접하는 2개의 상기 게이트 배선 및 인접하는 2개의 상기 소스 배선에 의해 구획이 정해진 각 영역 내에 배치된 화소 전극과,상기 게이트 배선으로부터 입력된 신호 전압에 근거하여 상기 소스 배선으로부터 상기 화소 전극으로 인가되는 전압을 스위칭하는 스위칭 소자와,인접하는 2개의 상기 게이트 배선 사이에 형성된 공통 배선과,상기 공통 배선에 전기적으로 접속되어, 전압이 인가된 상기 화소 전극과의 사이에 상기 액정을 구동하는 전계를 생성시키는 공통 전극과,상기 화소 전극에 전기적으로 접속된 축적 용량 전극을 구비하며,상기 화소 전극 및 상기 축적 용량 전극은,절연층을 거쳐서 상기 공통 배선의 적어도 일부를 협지하도록 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 공통 배선에 전기적으로 접속된 부가 축적 용량 전극을 더 구비하되,상기 공통 배선 및 상기 부가 축적 용량 전극은,절연층을 거쳐서 상기 화소 전극 또는 상기 축적 용량 전극의 적어도 일부가협지되도록 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 어레이 기판과, 상기 어레이 기판에 대향하는 대향 기판과, 상기 어레이 기판과 상기 대향 기판 사이에 협지된 액정을 구비하되,상기 어레이 기판은,서로 교차하고 있는 복수 개의 게이트 배선 및 복수 개의 소스 배선과,인접하는 2개의 상기 게이트 배선 및 인접하는 2개의 상기 소스 배선에 의해 구획이 정해진 각 영역 내에 배치된 화소 전극과,상기 게이트 배선으로부터 입력된 신호 전압에 근거하여 상기 소스 배선으로부터 상기 화소 전극으로 인가되는 전압을 스위칭하는 스위칭 소자와,인접하는 2개의 상기 게이트 배선 사이에 형성된 공통 배선과,상기 공통 배선에 전기적으로 접속되어, 전압이 인가된 상기 화소 전극과의 사이에 상기 액정을 구동하는 전계를 생성시키는 공통 전극을 구비하며,상기 화소 전극 및 상기 공통 전극은,모두 절연층을 거쳐서 상기 게이트 배선과는 별도의 층에 형성되어 있고, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극의 단부가 상기 게이트 배선에 겹쳐있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 공통 전극은,절연층을 거쳐서 상기 소스 배선과 별도의 층에 형성되어 있고, 적어도 일부가 상기 소스 배선과 길이 방향을 따라 겹쳐 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 화소 전극 및 상기 공통 전극은,절연층을 거쳐서 서로 별도의 층에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 게이트 배선, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극이 이 순서대로 적층되어 있고, 상기 공통 전극과 동일한 층에 해당 공통 전극과 동일한 재료로 이루어지는 차광막이 형성되어, 해당 차광막에 의해 상기 스위칭 소자가 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 스위칭 소자의 적어도 일부가, 상기 게이트 배선 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 게이트 배선, 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극이 이 순서대로 적층되어 있고, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 형성되는 절연층은, 0.5㎛ 이상의 두께를 갖는 유기막에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 1 항, 5 항 또는 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 화소 전극 및/또는 상기 공통 전극은,투명 전극 재료에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 1 항 또는 5 항에 있어서,상기 축적 용량 전극은,상기 게이트 배선의 신호 입력측인 일 단부측으로부터 타 단부측으로 향하여작아지도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2000-00293809 | 2000-09-27 | ||
| JP2000293809 | 2000-09-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020055600A true KR20020055600A (ko) | 2002-07-09 |
| KR100481608B1 KR100481608B1 (ko) | 2005-04-08 |
Family
ID=18776531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-7006780A KR100481608B1 (ko) | 2000-09-27 | 2001-09-27 | 액정 표시 장치 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6850303B2 (ko) |
| KR (1) | KR100481608B1 (ko) |
| CN (1) | CN1164971C (ko) |
| TW (1) | TWI284240B (ko) |
| WO (1) | WO2002027392A1 (ko) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4456806B2 (ja) * | 2002-03-19 | 2010-04-28 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置、電気光学装置とその製造方法、電子機器 |
| KR100895017B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2009-04-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 개구율이 향상된 횡전계모드 액정표시소자 |
| KR100929675B1 (ko) * | 2003-03-24 | 2009-12-03 | 삼성전자주식회사 | 다중 도메인 액정 표시 장치 및 그 박막 트랜지스터 기판 |
| KR101157223B1 (ko) | 2003-10-29 | 2012-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR100595456B1 (ko) | 2003-12-29 | 2006-06-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 제조방법 |
| JP4176722B2 (ja) * | 2004-01-20 | 2008-11-05 | シャープ株式会社 | 表示素子および表示装置 |
| JP4275588B2 (ja) * | 2004-07-26 | 2009-06-10 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| TWI279010B (en) * | 2004-11-12 | 2007-04-11 | Innolux Display Corp | Storing capacitor and liquid crystal display device using it |
| JP4639968B2 (ja) * | 2005-05-31 | 2011-02-23 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示装置 |
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| JP4645488B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2011-03-09 | ソニー株式会社 | 液晶装置及び電子機器 |
| CN100557806C (zh) * | 2006-09-11 | 2009-11-04 | 中华映管股份有限公司 | 像素结构 |
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| JP5978001B2 (ja) * | 2012-05-22 | 2016-08-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
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| CN103488004A (zh) * | 2013-09-26 | 2014-01-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、液晶面板及显示装置 |
| US11073734B2 (en) * | 2017-05-04 | 2021-07-27 | Chongqing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Array substrate and method of manufacturing the same, display panel and display device |
| US20200124924A1 (en) * | 2018-10-23 | 2020-04-23 | HKC Corporation Limited | Array substrate, display panel and display device |
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| JP2616160B2 (ja) | 1990-06-25 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタ素子アレイ |
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| JP2940354B2 (ja) | 1992-09-18 | 1999-08-25 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| JP3289099B2 (ja) * | 1995-07-17 | 2002-06-04 | 株式会社日立製作所 | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 |
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| US5852485A (en) * | 1996-02-27 | 1998-12-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for producing the same |
| JP3486859B2 (ja) * | 1996-06-14 | 2004-01-13 | 大林精工株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3062090B2 (ja) * | 1996-07-19 | 2000-07-10 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
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| KR100257369B1 (ko) * | 1997-05-19 | 2000-05-15 | 구본준 | 횡전계방식액정표시장치 |
| US6335770B1 (en) * | 1997-07-22 | 2002-01-01 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode LCD with specific arrangement of common bus line, data electrode, and common electrode |
| JP3378177B2 (ja) | 1997-08-21 | 2003-02-17 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| JP4130490B2 (ja) | 1997-10-16 | 2008-08-06 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3484363B2 (ja) | 1998-11-24 | 2004-01-06 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
-
2001
- 2001-09-26 TW TW090123748A patent/TWI284240B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-09-27 US US10/148,131 patent/US6850303B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-27 CN CNB018029027A patent/CN1164971C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-27 WO PCT/JP2001/008414 patent/WO2002027392A1/ja active IP Right Grant
- 2001-09-27 KR KR10-2002-7006780A patent/KR100481608B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1392965A (zh) | 2003-01-22 |
| CN1164971C (zh) | 2004-09-01 |
| TWI284240B (en) | 2007-07-21 |
| WO2002027392A1 (fr) | 2002-04-04 |
| US20020171779A1 (en) | 2002-11-21 |
| KR100481608B1 (ko) | 2005-04-08 |
| US6850303B2 (en) | 2005-02-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130228 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140303 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150302 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160304 Year of fee payment: 12 |
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