CN1825176A

CN1825176A - 液晶显示器及其测试方法

Info

Publication number: CN1825176A
Application number: CNA2006100576488A
Authority: CN
Inventors: 金东奎
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2005-02-22
Filing date: 2006-02-22
Publication date: 2006-08-30
Anticipated expiration: 2026-02-22
Also published as: CN100549772C; KR101209050B1; KR20060093818A

Abstract

本发明提供了一种液晶显示器，其包括多个像素电极，该像素电极呈矩阵排列并且具有大小彼此不同的第一子像素和第二子像素。第一开关元件和第二开关元件分别连接至所述第一子像素电极和第二子像素电极。第一栅极线和第二栅极线分别连接至第一开关元件和第二开关元件。数据线连接至第一开关元件和第二开关元件，以传输数据电压。第一栅极短路棒和第二栅极短路棒分别连接至第一栅极线和第二栅极线。将连接至各个子像素的栅极线连接至两个或者四个栅极短路棒，以进行阵列测试和视觉检测测试，由此以简便的方法检测各个相邻子像素电极之间的电桥。

Description

液晶显示器及其测试方法

本申请要求2005年2月22日提交的韩国专利申请第2005-0014578号以及2005年6月2日提交的韩国专利申请第2005-0047262号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器，以及一种该液晶显示器的测试方法。更具体地，本发明涉及一种液晶显示器及其测试方法，该方法可很容易地检测出液晶显示器的子像素电极之间以及数据线之间形成的电桥。

背景技术

液晶显示器(“LCD”)是一种被广泛应用的平板显示装置，其包括在其上安装有诸如像素电极和共电极的场致电极的两个显示面板以及夹置在电极之间的液晶层。LCD通过向场致电极施加电压来在LC层中产生电场，并且排列液晶层中的液晶分子，以调节射入的光的极化，从而显示想要得到的图像。

应该进行各种测试，以检测LCD制造过程中的断线或短路，例如开路/短路(“OS”)测试、阵列测试、视觉检测测试(“VI”)、粗测试(gross test)以及模块测试。

在制造薄膜晶体管(“TFT”)的工艺过程中，LCD中的第一面板上的源电极和漏电极彼此分离时，进行OS测试，通过施加预定电压来检测信号线的断线或者TFT的短路。在将素玻璃(motherglass)分成多个单元之前，进行阵列测试，以通过施加预定电压并识别存在或不存在输出电压，来检测显示信号线的断线。将素玻璃分成多个单元并且将上部面板与下部面板彼此组合之后，进行VI测试，以通过施加预定电压从视觉上检测显示信号线的断线。在安装驱动电路之前，进行粗测试，以通过施加与实际驱动电压相同的电压并识别显示屏幕的状态来检测显示图像的质量和显示信号线的断线。在安装驱动电路之后，进行模块测试，以最终检测驱动电路的最佳运转。

垂直定向(“VA”)模式的LCD是在没有施加电场的情况下液晶分子定向(director)垂直于上部面板和下部面板的LCD，其提供了高对比度和宽基准视角。基准视角是指具有1∶10对比度的视角或者中间灰度亮度反转临界角。

根据VA模式的LCD，可在场致电极上形成切口或突起，以实现宽视角。由于倾斜的液晶分子的方向由切口或突起确定，所以使液晶分子的倾斜方向不同，由此使基准视角变宽。

然而，与其前面的可视性相比，VA模式LCD在其侧面具有很差的可视性。例如，在具有切口的图案化(patterned)垂直定向(“PVA”)模式LCD的情况下，其亮度在到达其边侧面时增强，严重的时候，消除了高灰度之间的亮度差，从而显示图像可能出现失真。

为了增强边侧面的可视性，已经提出应该将每个像素分成两个子像素，同时每个像素中的子像素接收不同的电压。然而，在LCD的制造工艺的过程中当将子像素的电极被图案化时，可能形成电桥，从而该电桥将子像素电极或者相邻的数据线互连。从电路的角度观察，这意味着那些电极或数据线彼此短路。由此，将相同的电压，而不是不同的电压施加给各个子像素，从而，降低了显示图像的质量。

发明内容

当电极或数据线通过连接而短路时，应该通过进行各种测试检测出形成的电桥。因此，本发明提供了一种液晶显示器(“LCD”)以及一种LCD的测试方法，该方法可很容易地检测出子像素电极之间以及数据线之间形成的电桥。

本发明提供一种具有下列特征的LCD及其测试方法。

根据本发明的示例性实施例，LCD包括多个呈矩阵排列的像素电极，每个像素电极均具有尺寸不同的第一子像素和第二子像素；以及分别连接至第一子像素电极和第二子像素电极的第一开关元件和第二开关元件。第一栅极线和第二栅极线分别连接至第一开关元件和第二开关元件。数据线连接至第一开关元件和第二开关元件并传输数据电压。第一栅极短路棒和第二栅极短路棒分别连接至第一栅极线和第二栅极线。

彼此不同的第一栅极测试信号和第二栅极测试信号可分别被施加给第一栅极短路棒与第二栅极短路棒。

正数据电压可在施加第一栅极测试信号的情况下被施加给数据线，负数据电压可在施加第二栅极测试信号的情况下被施加给数据线。

正数据电压和负数据电压可具有基本相同的大小。

数据短路棒可连接至数据线，并且可以与第一栅极线和第二栅极线形成在LCD的同一层中。

屏蔽电极可与数据线重叠，并且可设置在两个相邻像素电极之间。

屏蔽电极可与第一栅极线和第二栅极线中的至少一条重叠。

施加给第一子像素电极和第二子像素电极的数据电压的大小可以彼此不同，并且可以从一个图像信息组中获得。

第一子像素电极的尺寸可大于第二子像素电极的尺寸，并且施加给第一子像素电极的数据电压的大小可以小于施加给第二子像素电极的数据电压的大小。

第一和第二栅极短路棒可与数据线形成在液晶显示器的同一层中，并且可基本上平行于数据线。

第一栅极短路棒和第二栅极短路棒可处于LCD显示面板边缘的外部。

LCD可进一步包括分别连接至第一栅极线和第二栅极线的栅极焊盘(pad)和将栅极焊盘分别连接至第一栅极短路棒和第二栅极短路棒的栅极延伸线。

根据本发明的其它示例性实施例，LCD包括多个呈矩阵排列的像素电极，每个像素电极均具有彼此大小不同的第一子像素和第二子像素；以及分别连接至第一子像素和第二子像素的第一开关元件和第二开关元件。第一栅极线和第二栅极线分别连接至第一开关元件和第二开关元件。数据线连接至第一开关元件和第二开关元件并传输数据电压。第一栅极短路棒和第二栅极短路棒连接至在奇数像素行的第一栅极线和第二栅极线。第三栅极短路棒和第四栅极短路棒连接至在偶数像素行的第一栅极线和第二栅极线。

第一至第四栅极测试信号可分别施加给第一至第四栅极短路棒。

正数据电压可在施加第一栅极测试信号和第四栅极测试信号的情况下被施加给数据线，而负数据电压可在施加第二栅极测试信号和第三栅极测试信号的情况下被施加给数据线。

根据本发明的其它示例性实施例，提供了一种LCD的测试方法，该LCD包括：多个像素电极，其具有第一子像素电极和第二子像素电极；第一开关元件和第二开关元件，分别连接至第一子像素电极和第二子像素电极；第一栅极线和第二栅极线，分别连接至第一开关元件和第二开关元件；以及连接至第一开关元件和第二开关元件的数据线。该测试方法包括：提供第一栅极短路棒和第二栅极短路棒，其分别连接至第一栅极线和第二栅极线；提供数据短路棒，其连接至数据线；向数据短路棒施加正数据电压；向第一栅极短路棒施加第一栅极测试信号，以向第一子像素电极施加正数据电压；向数据短路棒施加负电压；以及向第二栅极短路棒施加第二栅极测试信号，以向第二子像素电极施加负数据电压。

该方法可进一步包括诸如通过进行阵列测试来检测第一子像素电极和第二子像素电极的极性。

该方法可进一步包括识别第一子像素电极和第二子像素电极之间电桥的存在，其中，具有电桥的第一子像素电极和第二子像素电极的正像素电压与负像素电压在施加正数据电压和负数据电压的情况下无法连续地提供。

该方法可进一步包括诸如通过进行视觉检测测试来检测LCD的亮度均匀性。

该方法可进一步包括当具有电桥的第一子像素和第二子像素的像素的亮度不同于其它不具有电桥的像素的亮度时，识别第一子像素电极和第二子像素电极之间电桥的存在。

该方法可进一步包括识别第一子像素电极与屏蔽电极之间电桥的存在。

该方法可进一步包括将第一栅极短路棒、第二栅极短路棒与第一栅极线、第二栅极线分离，并且将数据短路棒与数据线分离。

根据本发明的其它示例性实施例，提供了一种LCD的测试方法，该LCD包括：多个像素电极，其具有第一子像素电极和第二子像素电极；第一开关元件和第二开关元件，分别连接至第一子像素电极和第二子像素电极；第一栅极线和第二栅极线，分别连接至第一开关元件和第二开关元件；以及连接至第一开关元件和第二开关元件的数据线。该测试方法包括：提供第一栅极短路棒和第二栅极短路棒，其分别连接至在奇数像素行的第一栅极线和第二栅极线；提供第三栅极短路棒和第四栅极短路棒，其分别连接至在偶数像素行的第一栅极线和第二栅极线；提供数据短路棒，其连接至数据线；向数据短路棒施加正数据电压；向第一栅极短路棒施加第一栅极测试信号，以向在奇数像素行的第一子像素电极施加正数据电压；向数据短路棒施加负数据电压；向第二栅极短路棒和第三栅极短路棒施加第二栅极测试信号和第三栅极测试信号，以向在奇数像素行的第二子像素电极和在偶数像素行的第一子像素电极施加负数据电压；并且向第四栅极短路棒施加第四栅极测试信号，以向在偶数像素行的第二子像素电极施加正数据电压。

该方法可进一步包括检测第一子像素电极和第二子像素电极的极性。

该方法可进一步包括识别第一子像素电极与第二子像素电极之间电桥的存在。

该方法可进一步包括识别相邻电极的第一子像素电极之间电桥的存在。

正数据电压和负数据电压可具有基本相同的大小。

该方法可进一步包括检测LCD的亮度均匀性。

该方法可进一步包括将第一和第二栅极短路棒与在奇数像素行的第一和第二栅极线分离，将第三和第四栅极短路棒与在偶数像素行的第一和第二栅极线分离，以及将数据短路棒与数据线分离。

根据本发明的示例性实施例，LCD包括多个呈矩阵排列的像素电极，每个像素电极均具有彼此大小不同的第一子像素电极和第二子像素电极；以及分别连接至第一子像素电极和第二子像素电极的第一开关元件和第二开关元件。栅极线连接至第一开关元件和第二开关元件。第一数据线和第二数据线与栅极线交叉并且分别连接至第一开关元件和第二开关元件。第一数据短路棒和第二数据短路棒分别连接至第一数据线和第二数据线。

彼此极性不同的数据电压可施加给第一数据短路棒和第二数据短路棒。

彼此极性不同的数据电压可具有基本相同的大小。

栅极短路棒可连接至栅极线。

第一子像素电极的尺寸可大于第二子像素电极的尺寸，并且施加给第一子像素电极的数据电压的大小小于施加给第二子像素电极的数据电压的大小。

第一数据短路棒和第二数据短路棒可与栅极线形成在液晶显示器的同一层中。

第一数据短路棒和第二数据短路棒可基本上平行于栅极线。

第一数据短路棒和第二数据短路棒可处于LCD显示面板边缘的外部。

根据本发明的其它示例性实施例，提供了一种LCD的测试方法，该LCD包括：多个像素电极，其具有第一子像素电极和第二子像素电极；第一开关元件和第二开关元件，分别连接至第一子像素电极和第二子像素电极；栅极线，分别连接至第一开关元件和第二开关元件；以及第一数据线和第二数据线，分别连接至第一开关元件和第二开关元件。该测试方法包括：提供第一数据短路棒和第二数据短路棒，其连接至第一数据线和第二数据线；提供栅极短路棒，其连接至栅极线；向第一数据短路棒施加正数据电压；向第二数据短路棒施加负数据电压；向栅极短路棒施加栅极测试信号，以向第一子像素电极施加正数据电压并向第二子像素电极施加负数据电压。

该方法包括检测LCD的亮度均匀性。

该方法可进一步包括识别第一数据线与第二数据线之间电桥的存在。

正数据电压和负数据电压具有基本相同的大小。

该方法可进一步包括将第一和第二数据短路棒与第一和第二数据线分离，以及将栅极短路棒与栅极线分离。

附图说明

通过参照附图详细描述实施例，本发明将变得更加显而易见，其中：

图1是根据本发明的LCD的示例性实施例的示意图；

图2是根据本发明的LCD的示例性实施例的示例性像素的等效电路图；

图3是根据本发明的LCD的示例性实施例的示例性子像素的等效电路图；

图4是根据本发明的LCD的示例性实施例的平面图；

图5和6是沿图4的V-V’线和VI-VI’线截取的LCD的示例性

实施例的横截面图；

图7是图1所示LCD的示例性实施例的示例性栅极短路棒的放大图；

图8是沿图7的VIII-VIII’线截取的LCD的示例性实施例的横截面图；

图9是根据本发明的LCD的示例性实施例的测试波形图；

图10示出根据本发明LCD的示例性实施例的示例性像素的极性；

图11是根据本发明的LCD的另一示例性实施例的示意图；

图12是图11所示LCD的示例性实施例的示例性栅极短路棒的放大图；

图13是根据本发明的LCD的另一示例性实施例的测试波形图；

图14示出根据本发明LCD的另一示例性实施例的像素的极性；

图15是根据本发明的LCD的另一示例性实施例的示意图；

图16是根据本发明的LCD的另一示例性实施例的示例性像素的等效电路图；

图17是根据本发明的LCD的另一示例性实施例的平面图；

图18是沿图17的XVIII-XVIII’线截取的LCD的示例性实施例的横截面图；

图19是图15所示LCD的示例性实施例的示例性数据短路棒的放大图；

图20是沿图19的XX-XX’线截取的LCD的示例性实施例的横截面图；

图21是根据本发明的LCD的另一示例性实施例的测试波形图；以及

图22示出根据本发明LCD的另一示例性实施例的示例性像素的极性。

具体实施方式

下面将参照附图更加全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的实施例。然而，本发明可以多种不同的方式来实现而不局限于在此描述的实施例。相反地，所提供的这些实施例，对本领域的技术人员来说，使得本发明充分公开并且完全覆盖本发明的范围。在整个说明书附图中，相同的标号表示相同的元件。附图中，为清楚起见，扩大了层和区域的厚度。

应当理解，当元件或层被指出“位于”另一个元件上时，该元件可直接位于另一个元件上，或者也可在其间存在插入元件。相反地，当元件被指出“直接位于”另一个元件上时，是指在元件之间不存在插入元件。正如在此所应用的，术语“和/或”包括任何的以及所有的一个或多个相关所列术语的结合。

应当理解，尽管在此可能使用术语第一、第二等来描述不同的元件、部件、区域、层、和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层、和/或部分并不局限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层、或部分另一个区域、层、或部分相区分。因此，在不背离本发明宗旨的情况下，下文所述的第一元件、组件、区域、层、或部分可以称为第二元件、组件、区域、层、或部分。

在此使用的术语仅用于描述特定实施例而不是限制本发明。正如在此使用的，单数形式的“一个”、“这个”也包括复数形式，除非文中有其它明确指示。应当进一步理解，当在本申请文件中使用术语“包括”和/或“包含”时，是指存在所声称的特征、整数、步骤、操作、元件、和/或部件，但是并不排除还存在或附加一个或多个其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件、和/或其组合。

为了便于说明，在此可能使用诸如“在...之下”、“在...下面”、“下面的”、“在...上面”、以及“上面的”等的空间关系术语，以描述如图中所示的一个元件或机构与另一元件或机构的关系。应当理解，除图中所示的方位之外，空间关系术语将包括使用或操作中的装置的各种不同的方位。例如，如果翻转图中所示的装置，则被描述为在其他元件或机构“下面”或“之下”的元件将被定位为在其他元件或机构的“上面”。因此，示例性术语“在...下面”包括在上面和在下面的方位。装置可以以其它方式定位(旋转90度或在其他方位)，并且在此所描述的空间关系可相应地进行解释。

除非另有限定，在此所采用的所有的术语(包括技术和科技术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常所理解的相同意思。对该术语的进一步理解，例如，字典中通常采用的限定术语应该被解释为与相关技术上下文中的意思相一致的意思，并且除非在此进行特别限定，其不应被解释为理想的或者过于正式的解释。

在此，参考作为本发明的理想实施例的示意图的横截示意图描述本发明的实施例。同样，可以预料诸如制造技术和/或公差可以导致示意图的变化。因此，本发明的实施例不应该被理解为局限于在此示出的特定形状，而且包括例如由于制造而导致的形状的偏差。例如，被显示或描述为平坦的区域，典型地可能具有粗糙和/或非线性特性。此外，所示的锐角可以为圆角。因此，在图中示出的区域实际上是示意性的，并且形状并不用于描述区域的准确形状，并且不用于限定本发明的范围。

下面，将参照附图描述根据本发明的LCD的示例性实施例以及其测试方法。

图1是根据本发明的LCD的示例性实施例的示意图，图2是根据本发明的LCD的示例性实施例的示例性像素的等效电路图，图3是根据本发明的LCD的示例性实施例的示例性子像素的等效电路图。

如图1所示，LCD的示例性实施例包括液晶面板组件，从等效电路的角度观察，其具有多条显示信号线G1a-Gnb和D1-Dm；以及多个像素PX，其大概以矩阵形式排列并连接至显示信号线G1a-Gnb和D1-Dm。根据图3所示的结构，液晶显示面板组件包括下部面板100和上部面板200以及位于面板100和200之间的液晶层3。下部面板100也可称为薄膜晶体管(“TFT”)面板或第一面板，并且上部面板200也可称为共电极面板、滤色器面板、或第二面板。

显示信号线G1a-Gnb和D1-Dm设置在下部面板100，其具有多条用于传输栅极信号(也被称为“扫描信号”)的栅极线G1a-Gnb和用于传输数据信号的数据线D1-Dm。栅极线G1-Gn沿像素行的方向延伸，其在第一方向基本上互相平行，并且数据线D1a-Dmb沿像素列的方向延伸，其在第二方向基本上互相平行。第一方向可基本上垂直于第二方向。

液晶显示面板组件进一步包括分别连接至栅极线G1a-Gnb的栅极焊盘(pad)PG1a-PGnb和分别连接至数据线D1-Dm的数据焊盘PD1-PDm。也就是说，每条栅极线G1a-Gnb均连接至一个栅极焊盘PG，并且每条数据线D1-Dm均连接至一个数据焊盘PD。第一栅极短路棒320a和第二栅极短路棒320b连接至相应的栅极焊盘PG1-PGnb，并且数据短路棒310连接至各个数据焊盘PD1-PDm。

第一栅极短路棒320a通过第一栅极延伸线(gate extension line)321a、322a、323a、...连接至第一栅极焊盘PG1a、PG2a、PG3a、...，并且第二栅极短路棒320b通过第二栅极延伸线321b、322b、...连接至第二栅极焊盘PG1b、PG2b、...。第一栅极短路棒320a和第二栅极短路棒320b可基本上垂直于栅极线G1a-Gnb并基本上平行于数据线D1-Dm延伸。数据短路棒310通过数据延伸线311、312、313、...连接至数据焊盘PD1、PD2、PD3、...。数据短路棒310可基本上垂直于数据线D1-Dm并基本上平行于栅极线G1a-Gnb延伸。由此，各条第一栅极线G1a-Gna通过第一栅极短路棒320a彼此连接，并且各条第二栅极线G1b-Gnb通过第二栅极短路棒320b彼此连接。此外，各条数据线D1-Dm通过数据短路棒310彼此连接。

在栅极短路棒320a和320b、以及数据短路棒310的端部设置单独的焊盘(未示出)，以施加各种测试信号，以下将对其进行进一步的描述。

栅极短路棒320a和320b、以及数据短路棒310经过若干测试，随后沿其LX线去除。也就是说，保留LX边缘的内部中的元件用于LCD，并且去除LX边缘外部的元件，例如第一栅极短路棒320a、第二栅极短路棒320b、以及数据短路棒310。因此，通过去除短路棒320a、320b和310，将各条栅极线G1a-Gnb与数据线D1-Dm彼此分离。栅极驱动器(未示出)和数据驱动器(未示出)外部连接至栅极焊盘PG1a-PGnb和数据焊盘PD1-PDm，以分别向栅极线G1a-Gnb和数据线D1-Dm施加栅极信号和数据信号。然而，在栅极驱动器集成于液晶面板组件的情况下，在从栅极驱动器伸出栅极延伸线321a、321b、322a、322b、...时，可以省略栅极焊盘。

图2示出显示信号线和示例性像素PX的等效电路图，其中，显示信号线包括由GLa和GLb表示的栅极线、由DL表示的数据线、以及几乎平行于栅极线GLa和GLb延伸并将像素Px分割的存储电极线SL。

各个像素Px均包括一对子像素Pxa和Pxb，每一个均具有连接至相应栅极线GLa和GLb以及数据线DL的开关元件Qa和Qb；液晶电容器C_Lca和C_LCb，其连接至开关元件Qa和Qb；存储电容器C_STa和C_STb，其连接至开关元件Qa和Qb；以及存储电极线SL。在可选实施例中，可以省略存储电容器C_STa和C_STb，并且在这种情况下，可以省略存储电极线SL。

如图1和2所示，所有的第一栅极线GLa均连接至第一栅极短路棒320a，并且所有的第二栅极线GLb均连接至第二栅极短路棒320b。由此，可将相同的信号施加给各个第一子像素Pxa，并且可将相同的信号施加给各个第二子像素Pxb，然而，施加给第一子像素Pxa的信号可不同于施加给第二子像素Pxb的信号，下面将对其进行进一步的描述。

如图3所示，各个子像素Pxa和Pxb的开关元件Q形成有在下部面板100形成的TFT，该TFT为三极管装置，其具有连接至栅极线GL的控制端(栅极)、连接至数据线DL的输入端(源极)、以及连接至液晶电容器C_LC和存储电容器C_ST的输出端(漏极)。而图3中仅示出了一个子像素Pxb，应该理解的是，每个像素PX还包括如前面图2所示的子像素Pxa。

液晶电容器C_LC采用下部面板100的子像素电极PE和上部面板200的共电极CE作为两个端子。位于两个电极PE和CE之间的液晶层3起到电介质的作用。子像素电极PE连接至开关元件Q，并且共电极CE形成在上部面板200的整个表面、或者基本整个表面上，以接收共电压Vcom。可选地，共电极CE也可设置在下部面板100，在这种情况下，两个电极PE和CE中的至少一个形成线或棒的形状。

关于辅助液晶电容器的存储电容器C_ST，在夹置绝缘体时，设置在下部面板100的存储电极线SL和像素电极PE彼此重叠，并且将诸如共电压Vcom的预定电压施加给存储电极线SL。可选地，在夹置绝缘体时，可通过将子像素电极PE与最接近的前端栅极线重叠，形成存储电容器。

为了使液晶面板组件显示颜色，各个像素均可固有地呈现出原(主)色中的一种(空间分割)，或者选择地按时间顺序呈现出原色(时间分割)，从而可以通过原色的空间和时间上的总和看到期望的颜色。原色优选地包括红色、绿色、和蓝色，然而，可选的颜色也宰这些实施例的范围中。图3示出了时间分割的实例，其中，每个像素在上部面板200的区域均具有呈现出原色之一的滤色器CF。在可选的实施例中，滤色器CF可形成在下部面板100的子像素电极PE之上或之下。

参照图4至图6，将进一步描述LCD的结构。

图4是根据本发明的LCD的示例性实施例的平面图，图5和6是沿图4的V-V’线和VI-VI’线截取的LCD示例性实施例的横截面图。

图4至6中所示的LCD包括下部面板100、面向下部面板100的上部面板200、以及位于面板100和200之间的液晶层3。

首先，将进一步描述下部面板100。

基于透明玻璃或塑料的绝缘基板110由多对第一栅极线121a和第二栅极线121b以及多条存储电极线131覆盖。

栅极线121a和121b沿诸如横向或第一方向水平延伸，并且彼此物理-电(physico-electrically)分离，以传输栅极信号。第一栅极线121a和第二栅极线121b包括多个部分，这些部分偏离第一栅极线121a和第二栅极线121b的纵向并且具有左侧宽区域的端部129a和129b，用于将多个从第一栅极线121a和第二栅极线121b突出的第一栅电极124a和124b连接至另一层或外部驱动电路。可选地，端部129a和129b可设置在左右两侧，例如交替设置、或者都只设置在右侧。

存储电极线131也基本上平行于第一栅极线121a和第二栅极线121b水平延伸，并且相比于第二栅极线121b，更靠近第一栅极线121a。各条存储电极线131包括多个存储电极137，其从存储电极线131中突出并具有宽区域。存储电极137可为矩形形状并且与存储电极线131对称。向存储电极线131施加预定电压，例如施加给LCD的上部面板200的共电极270的共电压。

栅极线121a和121b以及存储电极线131由诸如铝(Al)和铝合金的基于铝的金属材料、诸如银(Ag)和银合金的基于银的金属材料、铜(Cu)和铜合金的基于铜的金属材料、钼(Mo)和钼合金的基于钼的金属材料、铬(Cr)、钛(Ti)或钽(Ta)形成。可选地，栅极线121a和121b以及存储电极线131可具有多层结构，其带有物理特性不同的两个导电层(未示出)。如果采用多层结构，导电层中的一层可由诸如基于铝的金属材料、基于银的金属材料、以及基于铜的金属材料的低电阻率的金属材料形成，由此可以降低栅极线121a和121b以及存储电极线131的信号延迟或电压降。相反地，多层结构中的另一导电层可由相对于诸如氧化铟锡(“ITO”)或氧化铟锌(“IZO”)的其它材料具有良好接触特性的材料形成，例如基于钼的金属材料、铬、钛、以及钽。这种组合的实例包括具有基于铬的下部面板和基于铝的上部面板的结构，以及基于铝的下部面板和基于钼的上部面板的结构。虽然已经描述了特定实施例和实例，栅极线121a和121b以及存储电极线131也可由多种其它金属材料和导体形成。

栅极线121a和121b以及存储电极线131的侧面相对于绝缘基板110的表面倾斜，其倾斜角优选地在约30°至约80°之间。

栅极绝缘层140形成在栅极线121a和121b以及存储电极线131上，并且可进一步形成在绝缘基板110的露出部分之上。栅极绝缘层140可由氮化硅(SiNx)或类似材料形成。

具有氢化非晶硅(“a-Si”)的多个岛状半导体154a、154b和156形成在栅极绝缘层140上。半导体154a和154b分别形成在栅电极124a和124b上。半导体156形成在栅极线121a和121b以及存储电极线131上。

具有n+氢化a-Si的多个岛状欧姆接触件163a、165a和166形成在半导体154a、154b和156上，在n+氢化a-Si中，掺杂诸如硅化物和磷的高浓度n型杂质。一对第一欧姆接触件163a和165a以及一对第二欧姆接触件(未示出)分别设置在半导体154a和154b上并且彼此分离，以在半导体154a和154b上形成沟道。

半导体154a、154b和156以及欧姆接触件163a、165a和166的侧面相对于绝缘基板110的表面倾斜，并且其倾斜角优选地在约30°至约80°的范围内。

多条数据线171和多对与数据线171分离的漏电极175a和175b形成在欧姆接触件163a、165a、166以及栅极绝缘层140上。

数据线171诸如沿纵向或第二方向垂直延伸，从而与栅极线121a和121b以及存储电极线131交叉，以将数据电压传输到此。通过设置在栅极线121a与121b之间的栅极绝缘层140将数据线171与栅极线绝缘。各条数据线171包括多个分别向第一漏电极175a和第二漏电极175b延伸的第一源电极173a和第二源电极173b以及宽度扩大的端部179，该端部用于与另一层或诸如数据驱动电路的外部装置连接。

第一漏电极175a和第二漏电极175b沿第一方向和第二方向从位于半导体154a和154b之上的棒状端部向存储电极137延伸，并且具有与存储电极137重叠的宽延伸部(extension)177a和177b。将各个源电极173a和173b弯曲，以使它们包围漏电极175a和175b的棒状端部。第一栅电极124a和第二栅电极124b、第一源电极173a和第二源电极173b、以及第一漏电极175a和第二漏电极175b与半导体154a和154b一起形成第一薄膜晶体管(“TFT”)Qa和第二薄膜晶体管Qb。TFT Qa和Qb的沟道形成在第一和第二源电极173a、173b与第一和第二漏电极175a、175b之间以及岛状欧姆接触件163a和165a之间的半导体154a和154b上。

数据线171和漏电极175a、175b优选地由基于铬的金属材料、基于钼的金属材料、或者诸如钽和钛的难熔金属材料形成，并且可具有多层结构，该多层结构包括基于难熔金属的下部层(未示出)和在下部层上由低电阻材料形成的上部层(未示出)。除了具有基于铬或钼的下部层和基于铝的上部层的双层结构外，多层结构的实例还包括具有钼层-铝层-钼层的三层结构，但并不局限于该结构。然而，数据线171和漏电极175a、175b可由各种金属或导体制成。

如与栅极线121a和121b以及存储电极线131一样，数据线171和漏电极175a以及175b的侧面具有相对于绝缘基板110表面的倾斜的边外形，并且其倾斜角在约30°至约80°之间。

欧姆接触件163a、163b、165a、165b和166只介于下层半导体154a、154b和156与上覆(overlying)数据线171和漏电极175a、175b之间，以降低其间的接触电阻。半导体154a和154b具有通过源电极173a和173b以及漏电极175a和175b露出的部分。此外，如上所述，半导体156形成在栅极线121a、121b与存储电极线131和数据线171交叉的区域以及漏电极175a、175b与存储电极137交叉的区域，以使在那些交叉区域的外型平滑并防止数据线171和漏电极175a、175b相交。

钝化层180形成在数据线171、漏电极175a、175b以及半导体154a与154b的露出部分上。如图所示，钝化层180可进一步形成在栅极绝缘层140的露出部分上。钝化层180由基于氮化硅或氧化硅的无机材料、具有良好平整特性(flattening characteristics)和感光性的有机材料、或者通过等离子增强型化学气相沉积(“PECVD”)形成的诸如a-Si:C:O和a-Si:O:F的低介电绝缘材料形成。可选地，钝化层180可具有双层结构，该双层结构具有下部无机层和上部无机层，以在确保有机层的良好特性的同时保护半导体154a和154b的露出部分。

多个接触孔182、187a和187b形成在钝化层180处，以露出数据线171的端部179以及漏电极175a、175b的延伸部177a和177b。多个接触孔181a和181b形成在钝化层180和栅极绝缘层140处，以露出栅极线121a和121b的端部129a和129b。

多个具有第一子像素190a和第二子像素190b的像素电极190、多个屏蔽电极88、以及多个接触辅助件81a、81b、和82形成在钝化层180上。像素电极190、屏蔽电极88、以及接触辅助件81a、81b、和82由诸如ITO或IZO的透明导电材料形成，或者由诸如铝的用于反射型LCD的反射导电材料形成。

第一子像素电极190a和第二子像素电极190b通过接触孔187a和187b物理-电连接至第一漏电极175a和第二漏电极175b，以接收来自第一漏电极175a和第二漏电极175b的数据电压。相对于一个输入图像信号，将彼此不同的预定电压施加给一对子像素电极190a和190b，并且根据子像素电极190a和190b的形状和大小确定其大小(dimension)。此外，子像素电极190a和190b的区域可以彼此不同。例如，第二子像素电极190b接收高于第一子像素电极190a的电压，并具有小于第一子像素电极190a的区域。

根据接收数据电压，子像素电极190a和190b与提供有共电压的对置面板200的共电极270一起产生电场，并调整在两个电极190a和190b与共电极270之间的液晶层3中的液晶分子。

如上所述，子像素电极190a和190b与共电极270形成液晶电容器C_LCa和C_LCb，以即使在TFT Qa和Qb关闭后仍保持施加到此的电压。存储电容器C_STa和C_STb平行于液晶电容器C_LCa和C_LCb设置，以增强电压存储容量。通过将第一子像素电极190a、第二子像素电极190b与漏电极175a、175b和连接至此的存储电极137重叠，形成存储电容器C_STa和C_STb。

各个像素电极190在其右边角被斜切或者被切边(edge-cut)，并且切脚(cut-leg)相对于栅极线121a和121b的角度约为45°。

在插入间隙(gap)94时，形成一个像素电极190的一对第一子像素电极190a和第二子像素电极190b彼此接合，并且像素电极190的外形大概呈矩形形状。第二子像素电极190b的形状为旋转的的等边梯形，其具有梯形的凹底面。第二子像素电极190b大部分由第一子像素电极190a包围，也就是说，第二子像素电极190b落入第一子像素电极190a中。第一子像素电极190a由上部梯形、下部梯形、以及在其左侧彼此相连的中部梯形形成。第一子像素190a具有一对切口(cutout)91a和91b，其从上部梯形的顶侧和下部梯形的底侧向其右侧延伸。切口91a在与第一栅极线121a接合的区域由两个彼此分离的子切口形成。第一子像素电极190a的中部梯形安装在第二子像素电极190b的凹底面中。第一子像素电极190a具有沿存储电极线131延伸的切口92，并且切口92在邻近数据线171的第一子像素电极190a的左侧具有用于像素的入口、以及从入口水平伸出的水平部分。切口92的入口具有一对与存储电极线131成约45°角的脚(leg)。在第一子像素电极190a和第二子像素电极190b之间的间隙94具有两对与第一栅极线121a和第二栅极线121b成约45°角的具有相同宽度的上部倾斜部分和下部倾斜部分、以及三个基本具有相同宽度的垂直部分。为了便于说明，间隙94也可称为切口。

像素电极190具有切口91a、91b和92，并且通过切口91a、91b和92以及间隙94被分隔成多个区域。切口91a、91b和92倾斜地从像素电极190的左侧向其右侧延伸，并且与存储电极线131镜面对称。切口与栅极线121a和121b成约45°角。切口91a以及设置在像素电极190上半部分上的间隙94的倾斜部分基本上垂直于切口91b和设置在像素电极190下半部分上的间隙94的倾斜部分。

由此，通过切口91a、91b和92以及间隙94将像素190的上半部分和下半部分分别分成四个区域。虽然已经说明和描述了特定的布置，但是分隔区域或切口的数量也可以根据设计因素而改变，例如像素尺寸、像素190的水平边到垂直边的长度比、以及液晶层3的类型或特性。

像素电极190与相邻的栅极线121重叠以增加开口率。

屏蔽电极88沿着数据线171和栅极线121b延伸，并且位于数据线171之上的部分完全覆盖数据线171。屏蔽电极88位于栅极线121b之上的部分位于栅极线121b的边界内，其具有小于栅极线121b的宽度。设置在相邻两个像素电极190之间的数据线171由屏蔽电极88完全覆盖。然而，可以控制屏蔽电极88的宽度，以使其小于数据线171的宽度，或者具有位于栅极线121b的边界外部的边界。向屏蔽电极88施加共电压。为此，屏蔽电极88通过钝化层180和栅极绝缘层140内的接触孔(未示出)连接至存储电极线131，或者连接至短路点(未示出)，在此处，共电压从下部面板100施加给上部面板200。优选地使开口率最小化，以尽可能地缩短屏蔽电极88与像素电极190之间的距离。

当接收共电压的屏蔽电极88位于数据线171之上时，屏蔽电极88屏蔽形成在数据线171与像素电极190之间以及数据线171与共电极270之间的电场，从而降低像素电极190的电压失真以及数据线171所传输的数据电压的信号延迟和失真。

此外，像素电极190和屏蔽电极88应该彼此分开足够的距离，以防止其短路。因此，像素电极190从数据线171伸出足够远，从而减小它们之间的寄生电容。此外，由于液晶层3的介电常数高于钝化层180的介电常数，所以数据线171与屏蔽电极88之间的寄生电容小于在没有屏蔽电极88的情况下数据线171与共电极270之间的寄生电容。

由于像素电极190和屏蔽电极88由同一层形成，它们之间的距离保持一致，因此它们之间的介电常数保持不变。

接触辅助件81a、81b和82分别通过接触孔181a、181b和182连接至栅极线121a和121b的端部129a和129b以及数据线171的端部179。接触辅助件81a、81b和82用来增强栅极线121a和121b的露出端部129a和129b以及数据线171的露出端部179与外部装置之间的附着力，并保护它们。

定向层(alignment layer)11形成在像素电极190、屏蔽电极88、接触辅助件81a、81b和82以及钝化层180上，以使液晶层3定向。定向层11可以为水平定向层。

下面，将描述共电极面板200。

遮光件220也被称为黑色矩阵，形成在基于透明玻璃或塑料的绝缘基板210上，以防止光的泄漏。遮光件220面向像素电极190并且具有多个与像素电极190形状相同的开口部分。可选地，遮光件220可由对应于数据线171的部分和对应于TFT Qa和Qb的部分形成。然而，遮光件220可形成有不同的形状，以防止像素电极190以及TFT Qa和Qb周围光的泄漏。

多个滤色器230形成在基板210上。滤色器230大部分设置在由遮光件220包围的区域内，并且相对于像素电极190水平和垂直地延伸。滤色器230可呈现出红、绿、蓝的三种颜色中的一种，尽管其它颜色也在这些实施例的范围内。

覆盖层或保护层(overcoat)250形成在滤色器230和遮光件220上，以防止滤色器230露出，并且提供平坦的表面。覆盖层250可以由有机绝缘体制成。

共电极270形成在覆盖层250上，其由透明导电材料形成，例如，但不限定于ITO和IZO。

共电极270具有多组切口271-274b。

每组切口271-274b均面向一个像素电极190，并且包括中部切口271和272、上部切口273a和274a、以及下部切口273b和274b。切口271-274b设置在共电极270上，对应于相邻像素电极190的切口91a、91b、92和94之间的位置以及像素电极190的脚和周围切口91a和91b之间的位置。此外，各个切口271-274b均包括至少一个平行于像素电极190的切口91a、91b、92和间隙94延伸的倾斜部分。

下部切口和上部切口273a-274b包括倾斜部分、水平和垂直部分，该倾斜部分沿共电极270从对应于像素电极190右侧的位置向其下侧和上侧延伸，并且当水平和垂直部分与像素电极的侧面重叠并相对于倾斜部分成钝角时，其从对应于倾斜部分的各个端部的位置沿像素电极190的侧面伸出。

第一中部切口271具有中心水平部分，其位于共电极270上，从对应于像素电极190的左侧的位置水平伸出；一对倾斜部分，当相对于中心水平部分倾斜时，从对应于中心水平部分的端部的位置向像素电极190的左侧伸出；以及垂直端部，当与像素电极190的左侧重叠并与倾斜部分成钝角时，从对应于倾斜部分的端部的位置伸出。第二中部切口272包括垂直部分，其位于共电极270上，当与第二子像素电极重叠时，沿对应于第二子像素电极190b的右侧的位置延伸；一对倾斜部分，从对应于垂直部分的各个端部的位置向像素电极190的左侧伸出；以及垂直端部，当与第二子像素电极重叠重叠并与倾斜部分成钝角时，从对应于倾斜部分的端部的位置沿第二子像素电极190b的左侧伸出。

三角形的凹口(notch)形成在切口271-274b的倾斜部分。可选地，每个凹口的形状可为矩形、梯形、或者半圆形的形状，并且可以凸起或者凹入。凹口决定位于对应切口271-274b区域的边缘的液晶分子3的排列。

虽然已经说明和描述了特定的布置，但是切口271-274b的数量可以根据设计因素而改变，并且遮光件220可与切口271-274b重叠，以防止切口271-274b周围的光泄漏。

由于将相同的电压施加给共电极270和屏蔽电极88，共电极270和屏蔽电极88之间不存在电场。因此，设置在共电极270与屏蔽电极88之间的液晶分子持续地保持其最初的垂直排列状态，并且截断入射至此的光。

将定向层21涂布在共电极270和覆盖层250上，以使液晶层3定向。定向层21可以为水平定向层。

偏振板(polarizing plate)12和22设置在面板100和200的外表面上，并且两个偏振板12和22的透光轴彼此垂直。两个偏振板12和22中的一个透光轴(或者光吸收轴)沿水平方向延长。在反射型LCD的情况下，可省略两个偏振板12和22中的一个。

液晶层3具有负的介电各向异性，并且在未施加电压时，液晶层3的液晶分子具有相对于两个面板表面垂直排列的定向(director)。

当将共电极施加给共电极270并且将数据电压施加给像素电极190时，产生几乎垂直于面板100和200表面的电场。电极190和270的切口91a-94和271-274b破坏该电场，并且形成与切口91a-94和271-274b的侧面垂直的分量。

由此，电场相对于垂直于面板100和200表面的方向倾斜。液晶分子响应电场排列，以使其定向垂直于电场。这时，形成在切口91a-94和271-274b以及像素电极190的侧面周围的电场没有平行于液晶分子的定向，而是与它们成预定的角度。因此，液晶分子在位于定向与在该方向上的电场之间的面板上转动很短的移动距离。由此，一组切口91a-94和271-274b以及像素电极190的侧面将位于像素电极190上的液晶层3分成多个区域(domain)，在其中，液晶分子的倾斜方向彼此不同，因此增大了基准视角。

切口91a-94和271-274b中的至少一个可以被突起或者凹的部分代替，并且可以改变切口91a-94和271-274b的形状和设置。

下面，将参照附图7和8进一步描述根据本发明的LCD的示例性实施例的示例性栅极短路棒。

图7是图1所示LCD示例性实施例的示例性栅极短路棒的放大图，图8是沿图7的VIII-VIII’线截取的LCD示例性实施例的横截面图。

栅极焊盘PG1a-PGnb形成在绝缘基板110上，并且基于与栅极线121a和121b相同的材料的栅极延伸线321a、321b、322a、322b、...从栅极焊盘PG1a-PGnb水平伸出。栅极焊盘PG1a-PGnb以及栅极延伸线321a、321b、322a、322b、...可在与栅极线121a和121b相同的制造工艺过程中形成。栅极绝缘层140形成在其上，并且当沿垂直方向延长时，栅极短路棒320a和320b由与数据线171相同的材料形成在栅极绝缘层140上。栅极短路棒320a和320b可在与数据线171相同的制造工艺过程中形成。钝化层180形成在栅极短路棒320a和320b上。

用于露出第一栅极短路棒320a的接触孔351a、352a、...以及用于露出第二栅极短路棒320b的接触孔351b、352b、...通过钝化层180形成。用于露出栅极延伸线321a、321b、322a、322b、...的接触孔361a、361b、362a、362b、...通过钝化层180和栅极绝缘层140形成。

连接器341a、341b、342a、342b、...由ITO或IZO形成在钝化层180上。连接器341a、341b、342a、342b、...可在与像素电极190相同的制造工艺过程中形成。第一连接器341a、342a、...通过第一接触孔351a和361a以及352a和362a、...将第一栅极短路棒320a分别物理-电连接至第一栅极延伸线321a、322a、...。第二连接器341b、342b、...通过第二接触孔351b和361b以及352b和362b、...将第二栅极短路棒320b分别物理-电连接至第二栅极延伸线321b、322b、...。

同时，栅极延伸线321a、321b、322a、322b、...可在栅极短路棒320a和320b之上延伸，并到达防静电辅助线(static preventionsubsidiary line，未示出)，并且连接到此。

将参照图9和10描述根据本发明的LCD的示例性实施例的阵列测试和VI测试。

图9是根据本发明的LCD的示例性实施例的示例性测试波形图，图10示出根据本发明的LCD的示例性实施例的示例性像素的极性。

如图9所示，以T2为周期，向栅极短路棒320a和320b施加栅极测试信号Vga和Vgb。栅极测试信号Vga和Vgb包括180°的相位差(phase difference)。以T2为周期，交替地向数据短路棒310施加正数据电压V+和负数据电压V-。正负极性表示数据电压Vdata相对于共电压Vcom的极性，并且正数据电压V+和负数据电压V-的大小相等，或者至少基本上相等。换句话说，正数据电压V+和负数据电压V-均具有相同或者基本上相同的偏离共电压Vcom的量。在施加正数据电压V+的情况下，施加第一栅极测试信号Vga，以开启第一开关元件Qa。在施加负数据电压V-的情况下，施加第二栅极测试信号Vgb，以开启第二开关元件Qb。

随后，如图10所示，在第一子像素电极190a充有正像素电压，并且在第二子像素电极190b充有负像素电压。在第一子像素电极190a和第二子像素电极190b分别连续地提供正像素电压和负像素电压。

然而，如图10的上部右侧上的像素所示，在夹置电桥ST1的第一子像素电极和第二子像素电极交替地充有与图9中所示的电压V_PST1一样的正像素电压和负像素电压。由此，图10中所示的电桥ST1、或者位于每个像素的第一子像素与第二子像素之间的任何其它电桥均可以通过阵列测试检测各个子像素电极的极性来很容易地识别。

同时，当适当地控制栅极测试信号Vga和Vgb的脉冲宽度，以降低数据电压的充电速度时，在具有电桥的第一子像素电极和第二子像素电极充有小于正数据电压V+和负数据电压V-的电压。换句话说，在具有电桥的第一子像素电极和第二子像素电极所充的电压的大小小于正数据电压V+和负数据电压V-的大小。然而，由于将正数据电压V+和负数据电压V-持续施加给正常的第一子像素电极和第二子像素电极，所以在那里维持与正数据电压V+和负数据电压V-相同的电压。由此，通过VI测试检测像素与其它像素亮度的不同，可以很容易地识别第一子像素电极190a与第二子像素电极190b之间的电桥。

如果在第一子像素电极190a与屏蔽电极88之间形成电桥，并且向屏蔽电极88施加共电压Vcom，那么在第一像素电极190a不会充有正常的正像素电压。由此，通过VI测试和阵列测试，可以很容易地识别在第一子像素电极190a与屏蔽电极88之间电桥的存在。

将参照图11至14进一步描述根据本发明的LCD的另一示例性实施例及其测试方法。

图11是根据本发明的LCD的另一示例性实施例的示意图，并且图12是图11所示LCD的示例性实施例的示例性栅极短路棒的放大图。图13是根据本发明的LCD的另一示例性实施例的测试波形图，图14示出根据本发明LCD的另一示例性实施例的示例性像素的极性。

参照图11至14所描述的LCD的示例性实施例与前一实施例的LCD非常相似，因此，只对与前一实施例不同的部分进行进一步地描述。

如图11所示，位于LX线内部的LCD的部分与前一实施例的LCD的部分基本相同。对于根据本实施例的LCD，省略了图4中所示的屏蔽电极88，因此，第一像素电极190a和第二像素电极190b可与数据线171重叠，由此提高了其开口率。

此外，根据本实施例的数据短路棒310与根据前一实施例的数据短路棒相同。然而，根据本实施例的LCD包括四个连接至栅极焊盘PG1a-PGnb的栅极短路棒420a-420d，而不是前一实施例中的两个栅极短路棒320a和320b。

栅极焊盘PG1a-PGnb顺序连接至四个栅极短路棒420a-420d。也就是说，栅极焊盘PG1a、PG1b、PG2a和PG2b通过栅极延伸线421a、421b、421c和421d分别连接至栅极短路棒420a、420b、420c和420d。下一组栅极焊盘PG3a、...通过栅极延伸线422a、...以同样的方式分别连接至栅极短路棒420a、420b、420c和420d，对于剩余的栅极焊盘PG也如此进行。

如图12所示，除了栅极短路棒420a-420d的数量增加到四个以及其与栅极焊盘PG1a-PGnb的连接顺序不同以外，栅极短路棒420a-420d以及栅极延伸线的互连结构与图7和8中所示栅极短路棒320a和320b以及栅极延伸线的互连结构基本相同。换句话说，每条第四栅极延伸线连接至相同的栅极短路棒。

如图13所示，以T4为周期，向栅极短路棒420a-420d施加栅极测试信号Vga-Vgd，由此向栅极线施加该栅极测试信号。栅极测试信号Vga-Vgd包括90°的相位差。以T4为周期，交替地向数据短路棒310施加正数据电压V+和负数据电压V-，由此，向数据线施加该正数据电压和负数据电压。

在向数据线施加正数据电压V+和负数据电压V-的情况下，将第一栅极测试信号Vga和第四栅极测试信号Vgd施加给栅极线，以开启在奇数像素行的第一开关元件Qa和在偶数像素行的第二开关元件Qb，而在向数据线施加负数据电压V-的情况下，将第二栅极测试信号Vgb和第三栅极测试信号Vgc施加给栅极线，以开启在奇数像素行的第二开关元件Qb和在偶数像素行的第一开关元件Qa。

随后，如图14所示，在奇数像素行的第一子像素电极190a充有正像素电压，并且在奇数像素行的第二子像素电极190b充有负像素电压。此外，在偶数像素行的第一子像素电极190a充有负像素电压，并且在偶数像素行的第二子像素电极190b充有正像素电压。在没有任何电桥夹置于其上的各个子像素电极190a和190b持续地维持曾经所充的正像素电压或负像素电压。

然而，如图14的右边顶部所示，在夹置电桥ST2的相邻像素中的两个第一子像素电极190a交替地充有与图13中所示的电压V_PST2一样的正电压和负电压。此外，如图14的右边底部所示，在夹置电桥ST3的相同像素中的第一子像素电极190a和第二子像素电极190b交替地充有与图13中所示的电压V_PST3一样的正电压和负电压。由此，如图14所示的电桥ST3或者可在每个像素的第一子像素电极190a与第二子像素电极190b之间存在的任何其它电桥、以及如图14所示的电桥ST2或者相邻两个第一子像素电极190a之间存在的任何其它电桥都可以通过阵列测试检测各个子像素电极的极性来很容易地识别。

当适当地控制栅极测试信号Vga-Vgd的脉冲宽度T3，以降低数据电压的充电速度时，在具有电桥的两个第一子像素电极190a充有小于正数据电压V+和负数据电压V-的电压，并且在具有电桥的第一子像素电极190a和第二子像素电极190b也充有小于正数据电压V+和负数据电压V-的电压。换句话说，在具有电桥的第一子像素电极和第二子像素电极所充的电压的大小小于正数据电压V+和负数据电压V-的大小。由此，通过VI测试检测像素与其它像素亮度的不同，可以很容易地识别第一子像素电极190a之间以及第一子像素190a与第二子像素电极190b之间任何其它的电桥。

虽然，已经描述了根据本发明的LCD的示例性实施例具有一个数据短路棒，应该可以理解，LCD可选地包括多个数据短路棒，例如两个或者三个数据短路棒。如同包括多个栅极短路棒的LCD的实施例，也可以在具有多个数据短路棒的LCD的实施例中进行阵列测试和VI测试。

下面，将参照图15和16描述根据本发明的LCD的另一示例性实施例。

图15是根据本发明的LCD的另一示例性实施例的示意图，图16是根据本发明的LCD的另一示例性实施例的示例性像素的等效电路图。

如图15所示，LCD包括液晶面板组件，从等效电路的角度观察，该面板组件包括多条显示信号线G1-Gn和D1a-Dmb以及多个连接至显示信号线并以矩阵形式排列的像素PX。

显示信号线G1-Gn和D1a-Dmb包括多条用于传输栅极信号的栅极线G1-Gn和多条用于传输数据信号的数据线D1a-Dmb。栅极线G1-Gn沿像素行的方向延伸，其在第一方向基本上互相平行，并且数据线D1a-Dmb沿像素列的方向延伸，其在第二方向基本上互相平行。第一方向可基本上垂直于第二方向。

液晶面板组件包括分别连接至栅极线G1-Gn的栅极焊盘PG1-PGn和分别连接至数据线D1a-Dmb的数据焊盘PD1a-PDmb，以使每条栅极线G1-Gn均连接至一个栅极焊盘PG，并且每条数据线D1a-Dmb均连接至一个数据焊盘PD。栅极短路棒320以及数据短路棒310a和310b分别连接至栅极线G1-Gn和数据线D1a-Dmb。

栅极短路棒320通过栅极延伸线321、322...连接至栅极焊盘PG1、PG2、...。由此，各条栅极线G1-Gn通过栅极短路棒320彼此连接。栅极短路棒320可基本上垂直于栅极线G1-Gn并基本上平行于数据线D1a-Dmb延伸。

第一数据短路棒310a通过第一数据延伸线311a、312a、313a、...连接至第一数据焊盘PD1a、PD2a、PD3a、...，并且第二数据短路棒310b通过第二数据延伸线311b、312b、...连接至第二栅极焊盘PD1b、PD2b、...。由此，各条第一数据线D1a-Dma通过数据短路棒310a彼此连接，并且各条第二数据线D1b-Dmb通过数据短路棒彼此连接。数据短路棒310a和310b可基本垂直于数据线D1a-Dmb并基本上平行于栅极线G1-Gn延伸。

在栅极短路棒320和数据短路棒310a和310b的端部设置单独的焊盘(未示出)，以施加各种测试信号，以下将对其进行进一步的描述。

在栅极短路棒320以及数据短路棒310a和310b经过若干测试之后，将它们沿LX线去除。也就是说，保留LX边缘的内部中的元件用于LCD，并且去除LX边缘外部的元件，例如栅极短路棒320以及数据短路棒310a和310b。因此，通过去除短路棒320、310a和310b，栅极线G1-Gn和数据线D1a-Dmb彼此分离。栅极驱动器(未示出)和数据驱动器(未示出)作为外部装置连接至栅极焊盘PG1-PGn和数据焊盘PD1a-PDmb，以向栅极线G1-Gn和数据线D1a-Dmb施加栅极信号和数据信号。然而，在将栅极驱动器集成在液晶面板组件上的情况下，可以省略栅极焊盘，并且栅极延伸线321、322...从栅极驱动器伸出。

图16示出显示信号线和位于一个示例性像素PX的等效电路图。显示信号线包括由GL表示的栅极线、由DLa和DLb表示的数据线、以及基本上平行于栅极线GL延长的存储电极线SL。因此，与每个像素包括两条栅极线GLa和GLb以及单一一条数据线DL的前一实施例相比，本实施例的每个像素包括单一一条栅极线GL和一对数据线DLa和DLb。

各个像素PX均包括一对子像素PXc和PXd，并且每个PXc和PXd均包括连接至相应栅极线GL和数据线DLa和DLb的开关元件Qc和Qd、以及连接至那些开关元件的液晶电容器C_LCc和C_LCd与存储电容器C_STc和C_STd。在可选实施例中，可以省略存储电容器C_STc和C_STd，并且在这种情况下，可以省略存储电极线SL。

如图15和16所示，所有的栅极线GL连接至栅极短路棒320，所有的第一数据线DLa连接至第一数据短路棒310a，并且所有的第二数据线DLb连接至第二数据短路棒。由此，可以将相同的信号施加给各个第一子像素PXc，并且可以将相同的信号施加给各个第二子像素PXd，该信号与施加给第一子像素PXc的信号不同。

由于各个子像素PXc和PXd与图3中所示的子像素基本相同，将省略对其详细的描述。

下面，将参照图17和图18进一步描述LCD的结构。

图17是根据本发明的LCD的另一个示例性实施例的平面图，图18是沿图17的XVIII-XVIII’线截取的LCD示例性实施例的横截面图。

如图17和18所示，LCD包括下部面板101、面向下部面板101的上部面板201、以及位于面板101和201之间的液晶层3。下部面板101也可被称为TFT面板或第一面板，并且上部面板201也可被称为共电极面板、滤色器面板或者第二面板。

首先，将描述下部面板101。

在基于透明玻璃或塑料的绝缘基板110上形成多条栅极线121和多条存储电极线131a。

栅极线121沿诸如横向或第一方向水平延伸，并且彼此分离，以传输栅极信号。各条栅极线121具有多个用于形成栅电极124c和124d的突起以及连接其它层或外部装置的宽区域的端部129。

存储电极线131a也基本平行于栅极线121水平延伸，并且具有多个突起，用于形成存储电极133a和133b。存储电极133a和133b可为矩形形状并与存储电极线131a对称。

栅极绝缘层140形成在栅极线121以及存储电极线131a上，并且可进一步形成在绝缘基板110的露出部分之上。栅极绝缘层140可由氮化硅(SiNx)或类似材料制成。

多个岛状半导体154c、154d、156b和157b由氢化a-Si或多晶硅形成在栅极绝缘层140上。半导体154c和154d分别位于栅电极124c和124d上。

具有n+氢化a-Si的多个岛状欧姆接触件163c、163d、165c、165d、166b和167形成在半导体154c、154d、156b和157b上，在n+氢化a-Si中，掺杂诸如硅化物和磷的高浓度n型杂质。多对欧姆接触件163c和165c以及欧姆接触件163d和165d位于半导体154c和154d上，而其它欧姆接触件166b和167分别位于半导体156b和157b上。

多条数据线171a和171b以及与数据线171a和171b分离的漏电极175c和175d形成在栅极绝缘层140和欧姆接触件163c、163d、165c、165d、166b和167上。

数据线171a和171b沿诸如纵向或第二方向垂直延伸，从而与栅极线121和存储电极线131a交叉，以传输数据电压。通过设置在栅极线与数据线之间的栅极绝缘层140，将数据线171a和171b与栅极线121分离。数据线171a和171b包括多个源电极173c和173d以及具有扩大宽度的端部179a和179b，该端部用于连接其其它层或者外部装置。

第一漏电极175c和第二漏电极175d与数据线171a和171b分离，并分别面向栅电极124c和124d周围的源电极173c和173d。第一漏电极175c和第二漏电极175d具有棒状的端部，其位于半导体154c和154d之上；以及宽区域的延伸部177c和177d，其从棒状端部伸出并与存储电极133a和133b重叠。漏电极175c和175d的棒状端部由U形弯曲的源电极173c和173d部分地包围。

第一栅电极124c和第二栅电极124d、第一源电极173c和第二源电极173d、第一漏电极175c和第二漏电极175d连同半导体154c和154d一起形成第一TFT Qc和第二TFT Qd。TFT Qc和Qd的沟道形成在第一源电极173c和第二源电极173d与第一漏电极175c和第二漏电极175d之间以及欧姆接触件163c、163d和165c、165d之间的半导体154c和154d上。

欧姆接触件163c、163d、165c、165d、166b和167仅夹置在下层半导体154c，154d、156b和157b与上覆数据线171a、171b以及漏电极175a、175b之间，以降低其间的接触电阻。岛状半导体154c和154d具有通过源电极173c和173d以及漏电极175c和175d露出的部分，并且半导体156b和157b使得栅极线121和存储电极线131a上的外形平滑，从而防止数据线171a和171b以及漏电极175c和175d相交。

钝化层180形成在数据线171a、171b、漏电极175c、175d以及半导体154c与154d的露出部分上。如图所示，钝化层180可进一步形成在栅极绝缘层140的露出部分上。

多个接触孔185c、185d、182a、以及182b通过钝化层180形成，以分别露出漏电极175c、175d的延伸部177c、177d和数据线171a、171b的端部179a和179b。多个接触孔181通过钝化层180和栅极绝缘层140形成，以露出栅极线121的端部129。

多个具有第一子像素191a和第二子像素191b的像素电极191、多个屏蔽电极88a、以及多个辅助接触件(接触辅助件)81、82a、和82b形成在钝化层180上。多个像素电极191、多个屏蔽电极88a以及多个辅助接触件81、82a、和82b可由诸如ITO或IZO的透明导电材料制成，或者由诸如铝的用于反射型LCD中的反光导电材料制成。

第一子像素电极191a和第二子像素电极191b通过接触孔185c和185d物理-电连接至第一漏电极175c和第二漏电极175d，以接收来自第一漏电极175c和第二漏电极175d的数据电压。相对于一个输入图像信号，向像素电极191a和191b施加彼此不同的预定电压，并且可根据子像素电极191a和191b的形状和大小确定电压的大小。此外，子像素电极191a和191b的区域可彼此相同。与第一子像素电极191a相比，第二子像素电极191b接收更高的电压，并且其区域小于第一子像素电极190a的区域。

用于接收数据电压的子像素电极191a和191b与提供有共电压的对置面板200的共电极270结合产生电场，从而确定位于两个电极191与270之间的液晶层3的液晶分子的排列。

各个子像素电极191a和191b以及共电极270形成液晶电容器C_LCc和C_LCd，并且即使在TFT Qc和Qd关闭后仍保持施加的电压。通过将第一子像素电极191a、第二子像素电极191b以及连接至此的漏电极175c、175d的延伸部177c、177d与存储电极133a和133b重叠而形成存储电容器C_STc和C_STd，其并联至液晶电容器C_LCc和C_LCd，以增强电压存储容量。

在其间插入间隙(gap)93时，形成像素电极191的一对第一子像素电极191a和第二子像素电极191b彼此接合，并且像素电极191的外形大概呈矩形。第二子像素电极191b大概形成旋转的的等边梯形，其具有梯形的凹底面，并且第二子像素电极大部分由第一子像素电极191a包围，也就是说，第二子像素电极191b落入第一子像素电极191a中。第一子像素电极191a具有上部梯形部分、下部梯形部分、以及在其左侧彼此相连的中部梯形。第一子像素电极191a的中部梯形部分安装到第二子像素电极191b的凹底面中。位于第一子像素电极191a和第二子像素电极191b之间的间隙93大概具有两对与栅极线121成约45°角具有均匀宽度的上部倾斜部分和下部倾斜部分、以及三个具有基本均匀宽度的垂直部分。为了便于说明，间隙93也可被称为切口。

第一子像素191a具有切口96a、96b、97a和97b，该切口从上部梯形部分的顶面和下部梯形部分的底面向其右侧延伸。第一子像素电极191a具有沿存储电极线131a延伸的切口91和92a，并且切口91和92a具有从其中心水平延伸的水平部分和两个与存储电极线131a成约45°角的脚。第二子像素电极191b具有从左侧向右侧延伸的切口94a和94b。切口91、92a、94a、94b、96a、96b、97a和97b与存储电极线131a镜面对称，并且当与栅极线121成约45°角时彼此基本上垂直或者平行地延伸。也就是说，在像素电极191的上半部分上的切口彼此平行设置，在像素电极191的下半部分上的切口彼此平行设置，而且在上半部分上的切口垂直于下半部分上的切口。像素电极191的上半部分和下半部分通过切口91-97b被分成八个区域。

虽然已经说明和描述了特定的布置，但是分隔区域或切口的数量也可以根据设计因素而改变，例如像素尺寸、像素191的水平边到垂直边的长度比、以及液晶层3的类型或特性。

屏蔽电极88a具有沿数据线171a和171b延伸的垂直部分和沿栅极线121延伸的水平部分。垂直部分完全覆盖数据线171a和171b，并且水平部分完全覆盖栅极线121。

屏蔽电极88a屏蔽数据线171a和171b与像素电极191之间以及数据线171a和171b与共电极270之间的电场，以减小像素电极191的电压失真以及由数据线171a和171b传输的数据电压的信号延迟。此外，像素电极191和屏蔽电极88a应该彼此相隔足够的距离，以防止其短路电路。因此，由于像素电极191从数据线171a和171b以及栅极线121延伸足够远，所以降低了它们之间的寄生电容。

辅助接触件81、82a和82b分别连接至栅极线121的端部129以及数据线171a和171b的端部179a和179b。辅助接触件81、82a和82b起到增强栅极线121的露出端部129以及数据线171a和171b的露出端部179a和179b与外部装置之间的附着力，并保护它们。

定向层11形成在像素电极191、辅助接触件81、82a和82b以及钝化层180上，以使液晶层3定向。

接下来，将描述上部面板201。

遮光件220(也称为黑色矩阵)、多个滤色器230、覆盖层250、以及共电极270顺序地形成在基于透明玻璃或塑料的绝缘基板210上。

共电极270具有多组切口71、72、73a、74a、75c、75d、76c、76d、77a、77b、78a和78b。

每组切口71-78面向一个像素电极191并且包括中部切口71、72、73a和74a、上部切口75c、76c、77a和78a以及下部切口75d、76d、77b和78b。切口71-78b设置在共电极270上，其对应于像素电极191左侧中心，在像素电极191的相邻切口之间，并在最外侧切口97a和97b与像素电极191的角落之间的位置。此外，切口72-78b包括至少一个平行于像素电极191的切口91-97b延长的倾斜部分。

下部切口和上部切口75c-78b包括倾斜部分以及水平部分和垂直部分，该倾斜部分从对应于像素电极191右侧的位置沿共电极270向底面或顶面延伸，并且当水平和垂直部分与像素电极的侧面重叠并相对于倾斜部分成钝角时，其从对应于倾斜部分的各个端部的位置沿像素电极191的侧面伸出。

第一中部切口71具有位于共电极270上的垂直部分，当与像素电极重叠时，沿对应于像素电极191左侧的位置延伸；以及水平部分，其从垂直部分的中心沿存储电极线131a伸出。第二和第三中部切口72和73a包括位于共电极270上的水平部分，其沿对应于存储电极线131a的位置延伸；一对倾斜部分，其从水平部分向对应于像素电极191左侧的位置伸出并倾斜于存储电极线131a；以及垂直端部，当其与像素电极的左侧重叠并与倾斜部分成钝角时，从倾斜部分端部沿对应于像素电极191左侧的位置伸出。第四中部切口74a包括位于共电极270上的垂直部分，当与像素电极重叠时，沿对应于像素电极191右侧的位置延伸；一对倾斜部分，从垂直部分的各个端部向对应于像素电极191左侧的位置延伸；以及垂直端部，当与像素电极重叠并与倾斜部分成钝角时，从倾斜部分的端部沿共电极270上对应于第二子像素电极191b左侧的位置延伸。

三角形的凹口形成在切口72-77b的倾斜部分上。可选地，每个凹口的形状可为矩形、梯形、或者半圆形的形状，并且具有突起或者凹入的形状。

虽然已经说明和描述了特定的布置，但是共电极270上的切口的数量可以根据设计因素而改变。

定向层21形成在共电极270和覆盖层250上，以使液晶层3定向。

偏振板12和22附着到显示面板101和201的外表面。在反射型LCD的情况下，可省略两个偏振板12和22中的一个。

参照图4至6所描述的LCD的前实施例的许多特征可以应用于图17和18中所示的LCD。

将参照图19和20进一步描述根据本实施例的示例性数据短路棒。

图19是图15所示的LCD示例性实施例的示例性数据短路棒的放大图，图20是沿图19的XX-XX’线截取的LCD的示例性实施例的横截面图。

数据短路棒310a和310b形成在绝缘基板110上，由与栅极线121相同的材料形成，并且栅极绝缘层140形成在其上。数据短路棒310a和310b可以在与栅极线121相同的制造工艺过程中形成。数据焊盘PD1a-PDmb形成在栅极绝缘层140上，并且数据延伸线311a、311b、312a、312b、...从数据焊盘垂直伸出，其由与数据线171a和171b相同的材料形成。数据焊盘PD1a-PDmb以及数据延伸线311a、311b、312a、312b、...可在与数据线171a和171b相同的制造工艺过程中形成。钝化层180形成在数据延伸线311a、311b、312a、312b、...上。

接触孔381a、381b、382a、382b、...通过钝化层180形成，以露出数据延伸线311a、311b、312a、312b、...。用于露出第一栅极短路棒310a的接触孔391a、392a、...和用于露出第二栅极短路棒310b的接触孔391b、392b、...通过钝化层180和栅极绝缘层140形成。

连接器371a、371b、372a、372b，...由ITO或IZO形成在钝化层180上。连接器371a、371b、372a、372b，...可以在与像素电极191相同的制造工艺过程中形成。第一连接器371a、372a、...通过第一接触孔381a、391a、382a、392a、...分别与第一数据短路棒310a和数据延伸线311a、312a、...物理-电互连，而第二连接器371b、372b、...通过第二接触孔381b、391b、382b、392b、...分别与第二数据短路棒310b和数据延伸线311b、312b、...物理-电互连。

同时，数据延伸线311a、311b、312a、312b、...可在数据短路棒310a和310b之上延伸，从而它们连接至防静电辅助线(未示出)。

下面，将参照图21和22描述用于根据本发明的LCD的示例性实施例的VI测试。

图21是根据本发明的LCD的另一示例性实施例的示例性测试波形图，图22示出根据本发明LCD的另一示例性实施例的像素极性。

如图2所示，根据T6的周期，向栅极短路棒320施加栅极测试信号Vg。向第一栅极短路棒310a施加正数据电压V+，并向第二栅极短路棒310b施加负数据电压V-。正数据电压V+和负数据电压V-的大小相等，或者至少基本上相等。换句话说，正数据电压V+和负数据电压V-均具有相同或者基本相同的偏离共电压的量。由于施加栅极测试信号，开关元件Qc和Qd开启，以使第一子像素电极191a充有正像素电压，并且第二子像素电压191b充有负像素电极。在第一子像素电极191a和第二子像素电极190b持续地提供正像素电压和负像素电压。

然而，如图22所示，在数据线D2b和D3a之间形成电桥ST4的情况下，将小于正数据电压V+和负数据电压V-的电压V_PST4(例如，共电压)施加给与其相连的第一子像素电极和第二子像素电极。也就是说，连接至数据线D2b和D3a的子像素电极施加有诸如共电压的电压V_PST4，其具有小于正数据电压V+和负数据电压V-的大小，这是由于它没有像正数据电压V+和负数据电压V-偏离共电压过多。因此，通过VI测试检测像素列与相邻列之间的不同亮度，可以很容易地识别第一数据线171a和第二数据线171b之间的电桥。

此外，即使当第一子像素电极191a和第二子像素电极191b之间形成电桥ST5时，在子像素电极充有小于正数据电压V+和负数据电压V-的电压V_PST5。因此，通过VI测试检测像素与相邻像素之间不同的亮度，可以很容易地识别第一数据线191a和第二数据线191b之间的电桥。

如上所描述的，通过本发明的结构，将连接至各个子像素的栅极线与两个或者四个栅极短路棒连接，并且完成阵列测试和VI测试。由此，可以很容易地检测到各个相邻子像素电极之间的电桥。

此外，将连接至各个子像素的数据线与两个或者四个数据短路棒连接，并且完成阵列测试和VI测试。由此，可以很容易地检测到各个相邻数据线之间以及各个相邻子像素电极之间的电桥。

虽然已经参照优选实施例对本发明进行了详细的描述，但是正如所附的权利要求所述，对于本领域的技术人员而言，在不背离本发明的精神和保护范围的前提下，可以对本发明进行各种修改和等同替换。

Claims

1.一种液晶显示器，包括：

多个像素电极，呈矩阵排列，每个像素电极具有彼此尺寸不同的第一子像素电极和第二子像素电极；

第一开关元件和第二开关元件，分别连接至所述第一子像素电极和所述第二子像素电极；

第一栅极线和第二栅极线，分别连接至所述第一开关元件和所述第二开关元件；

数据线，连接至所述第一开关元件和所述第二开关元件并传输数据电压；以及

第一栅极短路棒和第二栅极短路棒，分别连接至所述第一栅极线和所述第二栅极线。

2.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，彼此不同的第一栅极测试信号和第二栅极测试信号分别被施加给所述第一栅极短路棒和所述第二栅极短路棒。

3.根据权利要求2所述的液晶显示器，其中，正数据电压在施加所述第一栅极测试信号的情况下被施加给所述数据线，并且负数据电压在施加所述第二栅极测试信号的情况下被施加给数据线。

4.根据权利要求3所述的液晶显示器，其中，所述正数据电压和所述负数据电压具有基本相同的大小。

5.根据权利要求1所述的液晶显示器，进一步包括连接至所述数据线的数据短路棒。

6.根据权利要求5所述的液晶显示器，其中，所述数据短路棒与所述第一栅极线和所述第二栅极线形成在所述液晶显示器的同一层中。

7.根据权利要求1所述的液晶显示器，进一步包括屏蔽电极，其与所述数据线重叠并设置在两个相邻的像素电极之间。

8.根据权利要求7所述的液晶显示器，其中，所述屏蔽电极与所述第一栅极线和所述第二栅极线中的至少一条重叠。

9.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，施加给所述第一子像素电极和所述第二子像素电极的数据电压的大小彼此不同，并且所述数据电压从一组图像信息中获取。

10.根据权利要求9所述的液晶显示器，其中，所述第一子像素电极在尺寸上大于所述第二子像素电极，并且施加给所述第一子像素电极的所述数据电压的大小小于施加给所述第二子像素电极的所述数据电压的大小。

11.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述第一和第二栅极短路棒与所述数据线形成在所述液晶显示器的同一层中。

12.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述第一栅极短路棒和所述第二栅极短路棒基本上平行于所述数据线。

13.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述第一栅极短路棒与所述第二栅极短路棒处于所述液晶显示器的显示面板边缘的外部。

14.根据权利要求1所述的液晶显示器，进一步包括分别连接至所述第一栅极线和所述第二栅极线的栅极焊盘以及分别连接至所述第一栅极短路棒和所述第二栅极短路棒的栅极延伸线。

15.一种液晶显示器，包括：

多个像素电极，呈矩阵排列，每个像素电极具有彼此尺寸不同的第一子像素电极和第二子像素电极。

第一开关元件和第二开关元件，分别连接至所述第一子像素电极和第二子像素电极；

数据线，连接至所述第一开关元件和所述第二开关元件并传输数据电压；

第一栅极短路棒和第二栅极短路棒，连接至奇数像素行的所述第一栅极线和所述第二栅极线；以及

第三栅极短路棒和第四栅极短路棒，连接至偶数像素行的所述第一栅极线和所述第二栅极线。

16.根据权利要求15所述的液晶显示器，其中，第一至第四栅极测试信号分别被施加给所述第一至第四栅极短路棒。

17.根据权利要求16所述的液晶显示器，其中，正数据电压在施加所述第一和第四栅极测试信号的情况下被施加给所述数据线，负数据电压在施加所述第二和第三栅极测试信号的情况下被施加给所述数据线。

18.一种液晶显示器的测试方法，所述液晶显示器包括多个具有第一子像素电极和第二子像素电极的像素；分别连接至所述第一子像素电极和所述第二子像素电极的第一开关元件和第二开关元件；分别连接至所述第一开关元件和所述第二开关元件的第一栅极线和第二栅极线；以及连接至所述第一开关元件和所述第二开关元件的数据线，所述测试方法包括：

提供分别连接至所述第一栅极线和所述第二栅极线的第一栅极短路棒和第二栅极短路棒；

提供连接至所述数据线的数据短路棒；

向所述数据短路棒施加正数据电压；

向所述第一栅极短路棒施加第一栅极测试信号，以向所述第一子像素电极施加所述正数据电压；

向所述数据短路棒施加负数据电压；以及

向所述第二栅极短路棒施加第二栅极测试信号，以向所述第二子像素电极施加所述负数据电压。

19.根据权利要求18所述的方法，进一步包括检测所述第一子像素电极和所述第二子像素电极的极性。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，检测所述第一子像素电极和所述第二子像素电极的极性包括进行阵列测试。

21.根据权利要求18所述的方法，进一步包括识别所述第一子像素电极与所述第二子像素电极之间电桥的存在。

22.根据权利要求21所述的方法，其中，在施加正数据电压和负数据电压的情况下不连续地提供具有电桥的所述第一子像素电极和所述第二子像素电极的正像素电压与负像素电压。

23.根据权利要求18所述的方法，其中，所述正数据电压和所述负数据电压具有基本相同的大小。

24.根据权利要求23所述的方法，进一步包括检测所述液晶显示器的亮度均匀性。

25.根据权利要求24所述的方法，其中，检测亮度均匀性包括进行视觉检测测试。

26.根据权利要求24所述的方法，进一步包括当具有带有电桥的所述第一子像素和所述第二子像素的像素的亮度与不具有电桥的像素的亮度不同时，识别所述第一子像素电极和所述第二子像素电极之间电桥的存在。

27.根据权利要求24所述的方法，进一步包括识别所述第一子像素电极与屏蔽电极之间电桥的存在。

28.根据权利要求18所述的方法，进一步包括将所述第一和第二栅极短路棒与所述第一和第二栅极线分离，并且将所述数据短路棒与所述数据线分离。

29.一种液晶显示器的测试方法，所述液晶显示器包括多个具有第一子像素电极和第二子像素电极的像素；分别连接至所述第一子像素电极和所述第二子像素电极的第一开关元件和第二开关元件；分别连接至所述第一开关元件和所述第二开关元件的第一栅极线和第二栅极线；以及连接至所述第一开关元件和所述第二开关元件的数据线，所述测试方法包括：

提供分别连接至奇数像素行的所述第一栅极线和所述第二栅极线的第一栅极短路棒和第二栅极短路棒；

提供分别连接至偶数像素行的所述第一栅极线和所述第二栅极线的第三栅极短路棒和第四栅极短路棒；

提供连接至所述数据线的数据短路棒；

向所述数据短路棒施加正数据电压；

向所述第一栅极短路棒施加第一栅极测试信号，以向所述奇数像素行的所述第一子像素电极施加所述正数据电压，

向所述数据短路棒施加负数据电压；

向所述第二和第三栅极短路棒施加第二栅极测试信号和第三栅极测试信号，以向所述奇数像素行的所述第二子像素电极和所述偶数像素行的所述第一子像素电极施加所述负数据电压；以及

向所述第四栅极短路棒施加第四栅极测试信号，以向所述偶数像素行的所述第二子像素电极施加所述正数据电压。

30.根据权利要求29所述的方法，进一步包括检测所述第一子像素电极和所述第二子像素电极的极性。

31.根据权利要求29所述的方法，进一步包括识别所述第一子像素电极与所述第二子像素电极之间电桥的存在。

32.根据权利要求29所述的方法，进一步包括识别相邻像素的第一子像素电极之间电桥的存在。

33.根据权利要求29所述的方法，其中，所述正数据电压和所述负数据电压具有基本相同的大小。

34.根据权利要求33所述的方法，进一步包括检测所述液晶显示器的亮度均匀性。

35.根据权利要求29所述的方法，进一步包括将所述第一栅极短路棒和所述第二栅极短路棒与所述奇数像素行的所述第一栅极线和所述第二栅极线分离；将所述第三栅极短路棒和所述第四栅极短路棒与所述偶数像素行的所述第一栅极线和所述第二栅极线分离；以及将所述数据短路棒与所述数据线分离。

36.一种液晶显示器，包括：

栅极线，连接至所述第一开关元件和所述第二开关元件；

第一数据线和第二数据线，与所述栅极线交叉并且分别连接至所述第一开关元件和所述第二开关元件；以及

第一数据短路棒和第二数据短路棒，分别连接至所述第一数据线和所述第二数据线。

37.根据权利要求36所述的液晶显示器，其中，彼此极性不同的所述数据电压被施加给所述第一数据短路棒和所述第二数据短路棒。

38.根据权利要求37所述的液晶显示器，其中，彼此极性不同的所述数据电压具有基本相同的大小。

39.根据权利要求36所述的液晶显示器，进一步包括连接至所述栅极线的栅极短路棒。

40.根据权利要求36所述的液晶显示器，其中，施加给所述第一子像素电极和所述第二子像素电极的数据电压的大小彼此相同，并且所述数据电压从一个图像信息组中获取。

41.根据权利要求40所述的液晶显示器，其中，所述第一子像素电极在尺寸上大于所述第二子像素电极，并且施加给所述第一子像素电极的所述数据电压的大小小于施加给所述第二子像素电极的所述数据电压的大小。

42.根据权利要求36所述的液晶显示器，其中，所述第一数据短路棒和所述第二数据短路棒与所述栅极线形成在所述液晶显示器的同一层中。

43.根据权利要求36所述的液晶显示器，其中，所述第一数据短路棒和所述第二数据短路棒基本上平行于所述栅极线。

44.根据权利要求36所述的液晶显示器，其中，所述第一数据短路棒与所述第二数据短路棒处于所述液晶显示器的显示面板边缘的外部。

45.一种液晶显示器的测试方法，所述液晶显示器包括多个具有第一子像素电极和第二子像素电极的像素；分别连接至所述第一子像素电极和所述第二子像素电极的第一开关元件和第二开关元件；分别连接至所述第一开关元件和所述第二开关元件的栅极线；以及分别连接至所述第一开关元件和所述第二开关元件的第一数据线和第二数据线，所述测试方法包括：

提供连接至所述第一数据线和所述第二数据线的第一数据短路棒和第二数据短路棒；

提供连接至所述栅极线的栅极短路棒；

向所述第一数据短路棒施加正数据电压；

向所述第二数据短路棒施加负数据电压；以及

向所述栅极短路棒施加栅极测试信号，以向所述第一子像素电极施加所述正数据电压并向所述第二子像素电极施加所述负数据电压。

46.根据权利要求45所述的方法，进一步包括检测所述液晶显示器的亮度均匀性。

47.根据权利要求45所述的方法，进一步包括识别所述第一数据线和第二数据线之间电桥的存在。

48.根据权利要求45所述的方法，进一步包括识别所述第一子像素电极与所述第二子像素电极之间电桥的存在。

49.根据权利要求45所述的方法，其中，所述正数据电压和所述负数据电压具有基本相同的大小。

50.根据权利要求45所述的方法，进一步包括将所述第一和第二数据短路棒与所述第一和第二数据线分离，并且将所述栅极短路棒与所述栅极线分离。