CN103185993B - Ips/ffs型液晶显示装置的阵列基板 - Google Patents

Abstract

一种IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板，包括：基板；所述基板上设置有多条栅线和多条数据线，所述多条栅线和数据线交叉限定多个像素单元，每个像素单元包括第二电极和多条间隔设置的第一电极，所述第一电极呈弯折的条状；每行像素单元中，每个像素单元的第一电极向同一方向弯折；两相邻行像素单元中，所述两相邻行的像素单元的第一电极弯折的方向相反。本发明实施例的IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板，增大了可视角度。

Description

IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板

技术领域

本发明涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板。

背景技术

液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)是一种采用液晶材料制作的显示器，具有轻薄、功耗小、显示信息量大等优点，现已广泛应用于电子计算机、电子记事本、移动电话、摄像机、高清电视机等电子设备的显示装置。由于液晶自身不发光，也无法依赖自然光采光，因此必须采用背光源以获得稳定、清晰地显示。液晶显示装置的原理是，在电场作用下，液晶分子的排列会发生偏转，从而影响通过其的光线变化，这种光线的变化通过偏光片的作用可以表现为明暗的变化。因此，人们通过对电场的控制最终控制了光线的明暗变化，从而达到显示图像的目的。

根据液晶分子转向后的排列方式分类，常见的液晶显示器可以分为：窄视角的扭曲向列(TwistedNematic-LCD，TN-LCD)、超扭曲向列(SuperTwistedNematic-LCD，STN-LCD)、双层超扭曲向列(DoubleLayerSTN-LCD，DSTN-LCD)；宽视角的横向电场切换方式(In-PlaneSwitching，IPS)、边界电场切换技术(FringeFieldSwitching，FFS)和多域垂直配向技术(Multi-DomainVerticalAlignment，MVA)等。其中，目前市场上最主流的液晶显示器采用的模式是TN型，但TN型液晶显示器在视角方面有天然痼疾，即使增加一层广视角补偿膜，仍无法满足广视角的要求。为此，许多公司都研发相关的广视角技术，IPS就是其中颇具优势的一种。

横向电场切换(IPS)技术利用空间厚度、摩擦强度并有效利用横向电场驱动的改变让液晶分子做最大的平面旋转角度来增加视角。换句话说，传统LCD显示器的液晶分子一般都在垂直-平行状态间切换，多域垂直配向技术(MVA)和PVA将其改良成垂直-双向倾斜的切换方式，而横向电场切换(IPS)则将液晶分子改为水平旋转切换作为背光通过方式，即不管在何种状态下液晶分子始终都与屏幕平行，只是在加电/常规状态下分子的旋转方向有所不同。为了配合这种结构，横向电场切换(IPS)对电极进行改良，电极做到了同侧，形成平面电场，从而避免了液晶在竖直方向上的偏转，可以达到较大的视角。横向电场切换(IPS)技术像素电极与公共电极位于同一层条状排列，由于位于电极上方的液晶无法进行面内偏转，导致横向电场切换(IPS)模式面板的有效开口率和透过率较低，为改善横向电场切换(IPS)模式的开口率，出现了边界电场切换(FFS)显示模式。

如图1所示，现有的边界电场切换(FFS)显示模式液晶显示装置，包括彩膜基板12、与彩膜基板12相对设置的阵列基板10，以及夹合于彩膜基板12和阵列基板10之间的液晶层11。所述阵列基板10的内侧设置有多个像素电极(pixelITO)、公共电极和薄膜晶体管(Thinfilmtransistor，TFT)。其中每一个薄膜晶体管(TFT)的漏极与像素电极连接，而公共电极设置于像素电极上方。公共电极与像素电极之间形成边缘场效应，驱动液晶层11内的液晶分子转向。在阵列基板10的表面上，设置有多条分别平行的栅线和数据线，所述栅线和数据线相互垂直相交，将液晶显示面板分成了若干像素单元。图2为一个像素单元30的结构示意图，包括：水平设置的栅线31和垂直设置的数据线32，所述栅线31和数据线32限定像素区；位于像素区的公共电极33，所述公共电极33为不连续的梳状结构，位于公共电极33下方的像素电极34，公共电极33和像素电极34之间具有绝缘层(图中未示出)；位于所述栅线31和所述数据线32的交叉处作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)35，所述薄膜晶体管35包含有栅极、漏极和源极，所述栅极和所述栅线31相连，所述源极与所述数据线32相连，所述漏极和所述像素电极34相连。图3是图2中沿切割线AB方向的剖面结构示意图，包括：基板30；位于基板30上的像素电极34和数据线32，所述像素电极34为连续的结构，像素电极34、数据线32和基板30之间具有绝缘层36；所述公共电极33位于像素电极34的上方且为不连续的梳状结构，两者中间有绝缘层36相隔开；薄膜晶体管(TFT)的源极、漏极(图中未示出)与所述像素电极34位于同一层，薄膜晶体管(TFT)的漏极与像素电极34相连接。

现有的边界电场切换(FFS)显示模式液晶显示装置的可视角度有限。

更多关于液晶显示装置的介绍请参考公开号为CN101174052A的中国专利。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板，增大了液晶显示装置的可视角度。

为解决上述问题，本发明提供了一种IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板，包括：

基板；

所述基板上设置有多条栅线和多条数据线，所述多条栅线和数据线交叉限定多个像素单元，每个像素单元包括第二电极和多条间隔设置的第一电极，所述第一电极呈弯折的条状；

每行像素单元中，每个像素单元的第一电极向同一方向弯折；两相邻行像素单元中，所述两相邻行的像素单元的第一电极弯折的方向相反。

可选的，所述第一电极弯折的夹角范围为45～135度。

可选的，所述像素单元中第一电极的数量为2～10条。

可选的，所述多条第一电极之间的间隔为2～15微米。

可选的，所述像素单元还包括位于所述栅线和数据线的交叉处的薄膜晶体管，像素单元内多条第一电极的一端连接在一起，并与薄膜晶体管的漏极电连接。

可选的，所述多条第一电极的另一端也连接在一起。

可选的，所述像素单元的第二电极呈板状，位于第一电极的下层，所述第一电极和第二电极之间设置有绝缘层。

可选的，所述像素单元的第二电极呈弯折的板状，在每个像素单元内，所述第二电极的弯折方向和角度与第一电极相同。

可选的，所述像素单元的第二电极为间隔设置的多条弯折的条状，第二电极的间隙区对应第一电极的条状区，在每个像素单元内，所述第二电极的弯折方向和角度与第一电极相同。

可选的，所述第一电极和第二电极之间设置有绝缘层，所述第二电极位于第一电极的上层，或者所述第二电极位于第一电极的下层。

可选的，所述多条第二电极之间的间隔为2～15微米。

可选的，所述像素单元中第二电极的数量为2～10条。

可选的，所述第二电极的一端连接在一起。

可选的，所述第二电极连接至公共电压。

可选的，所述数据线与像素单元相邻的部分为弯折状，其弯折方向和角度与相邻的第一电极或第二电极弯折方向和角度都相同。

与现有技术相比，本发明技术方案具有以下优点：

第一行像素单元的第一电极和相邻的第二行像素单元中第一电极弯折的方向相反，第一行像素单元中的像素单元从第一电极的弯折处分为上半部分和下半部分，第二行像素单元的像素单元从第一电极的弯折处分为上半部分和下半部分，第一行像素单元中的像素单元的第一电极的下半部分与第二行像素单元中的像素单元的第一电极的上半部分的方向相同，将第一行像素单元和第二行像素单元作为一个整体的像素看待时，所述整体的像素包括第一行像素单元的上半部分构成的第一区域、第一行像素单元的下半部分与第二行像素单元的上半部分构成的第二区域、第二行像素单元下半部分构成的第三区域，第二区域中第一行像素单元中像素单元的第一电极的下半部分与第二行像素单元中像素单元的第一电极的上半部分的方向相同，使得第二区域的电场方向一致，相对于一定的观察方向，旋转方向一致的液晶分子所在的区域会相对更大一些，会减小相邻两行像素由于液晶转动方向不一致导致的差异而增加可视角度；

进一步，所述第二电极呈弯折的板状，每个像素单元中，第二电极的弯折方向和角度与第一电极的弯折角度和方向相同，所述数据线与像素单元相邻的部分为弯折状，所述数据线的弯折方向和角度与相邻的第一电极或第二电极弯折方向和角度都相同，提高了液晶显示装置的开口率。

附图说明

图1为现有的边界电场切换(FFS)显示模式液晶显示装置结构示意图；

图2为现有一个像素单元的结构示意图；

图3是图2沿切割线AB方向的剖面结构示意图；

图4～图5为本发明第一实施例IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板的结构示意图；

图6～图7为图4沿切割线A-B方向的剖面结构示意图；

图8～图9为本发明第二实施例IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板的结构示意图；

图10～图11为图8沿切割线A-B方向的剖面结构示意图；

图12为本发明第三实施例IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板的结构示意图；

图13为图12沿切割线A-B方向的剖面结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在详述本发明实施例时，为便于说明，示意图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明的保护范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

现有的边界电场切换显示模式液晶显示装置的像素单元中由于其公共电极和像素电极均为方形的结构，使得液晶显示面板的可视角度有限。

为解决上述问题，发明人提出一种新的IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板结构。

参考图4，图4为本发明第一实施例IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板的结构示意图，包括：基板(图中未示出)；所述基板上设置有多条栅线100和多条数据线101，所述多条栅线100和数据线101交叉限定多个像素单元，每个像素单元包括第二电极103和多条间隔设置的第一电极102，所述第一电极102呈多条弯折的条状，所述第二电极103呈板状，所述第二电极103位于第一电极102的上层或下层，第二电极103与第一电极102之间具有绝缘层(图中未示出)；每行像素单元中，每个像素单元的第一电极102向同一方向弯折，两相邻行像素单元中，所述两相邻行的像素单元的第一电极102弯折的方向相反；每个像素单元还包括位于栅线100和数据线101交叉处的薄膜晶体管(TFT)104，薄膜晶体管(TFT)104包括栅极、漏极和源极，薄膜晶体管(TFT)104的源极与数据线101相连，薄膜晶体管(TFT)104的栅极与栅线100相连，薄膜晶体管(TFT)104的漏极与第一电极102的相连。

每个像素单元中，多条间隔设置的条状第一电极102的一端连接在一起，第一电极102相连的一端与薄膜晶体管(TFT)104的漏极电连接。参考图5为另一实施例的结构示意图，在图5中，所述多条间隔设置的条状第一电极102与漏极连接相对的另外一端也可以连接在一起，构成整块的电极，所述电极上具有多条刻缝。

继续参考图4，为了更清楚和简便的描述本发明的优点和目的，本实施例中仅以两条栅线100和两条数据线101交叉限定的四个像素单元为例，其中上面两个像素单元属于第一行像素单元200，下面两个像素单元属于相邻的第二行像素单元201，第一行像素单元200的第一电极102和第二行像素单元201中第一电极102弯折的方向相反。第一行像素单元200中的像素单元从第一电极102的弯折处分为上半部分20和下半部分21；第二行像素单元201的像素单元从第一电极102的弯折处分为上半部分22和下半部分23。

所述第一电极102呈弯折的条状，弯折的第一电极102将像素单元分成上下两个畴区，第一电极102和第二电极103产生电场驱动液晶分子旋转，液晶分子的旋转方向不一样，使得液晶显示装置的可视角度更大；第一行像素单元200的第一电极102和相邻的第二行像素单元201中第一电极102弯折的方向相反，第一行像素单元200中的像素单元从第一电极102的弯折处分为上半部分20和下半部分21，第二行像素单元201的像素单元从第一电极102的弯折处分为上半部分22和下半部分23，第一行像素单元200中的像素单元的第一电极102的下半部分与第二行像素单元201中的像素单元的第一电极102的上半部分的方向相同，将第一行像素单元200和第二行像素单元201作为一个整体的像素看待时，所述整体的像素包括第一行像素单元200的上半部分20构成的第一区域、第一行像素单元200的下半部分21与第二行像素单元201的上半部分22构成的第二区域、第二行像素单元201下半部分23构成的第三区域，第二区域中第一行像素单元200中像素单元的第一电极102的下半部分与第二行像素单元201中像素单元的第一电极102的上半部分的方向相同，使得第二区域的电场方向一致，相对于一定的观察方向，旋转方向一致的液晶分子所在的区域会相对更大一些，会减小相邻两行像素由于液晶转动方向不一致导致的差异而增加可视角度。

第一电极102弯折的夹角范围为45～135度，弯折的角度太小的话会影响像素单元的长度和宽度；弯折的角度太大的话，使得可视角度的提高有限。本发明所述夹角为第一电极102的折边的上半部分的边线与下半部分边线之间的夹角。

每个像素单元中第一电极102的数量为2～10条，第一电极102的数量太少的话，不能形成有效的斜向电场；第一电极102的数量太多的话，将使得像素单元的第一电极102弯折处的乱畴区增加，影响液晶显示装置的显示效果。

相邻第一电极102之间的间隔e为2～15微米。所述间距e为相邻的第一电极102的两相邻侧边的垂直距离。

参考图6，图6为本发明第一实施例的结构中图4沿切割线A-B方向的剖面结构示意图，包括：基板105；位于基板上105上的第一绝缘层107；位于第一绝缘层107上的第二电极103、数据线101、薄膜晶体管的漏极和源极(图中未示出)，薄膜晶体管的源极与数据线101相连；覆盖所述第二电极103、数据线101和薄膜晶体管的漏极和源极的第二绝缘层106；位于第二绝缘层106上的间隔的第一电极102，第一电极102位于第二电极103的上方，第一电极102通过位于第二绝缘层106中的过孔(图中未示出)与薄膜晶体管的漏极相连。第二电极103与公共电压相连。

参考图7，图7为本发明的又一实施例的结构示意图，在图7中的结构中包括：基板105；位于基板上105上的第一绝缘层107；位于第一绝缘层107上的间隔的条状第一电极102、数据线101、薄膜晶体管的漏极和源极(图中未示出)，薄膜晶体管的漏极与第一电极102相连，薄膜晶体管的源极与数据线101相连；覆盖所述第一电极102、数据线101和薄膜晶体管的漏极和源极的第二绝缘层106；位于第二绝缘层106上的第二电极103，第二电极103位于第一电极102的上方。第二电极103与公共电压相连。第二电极103位于第一电极102的上方的像素单元结构形成工艺比第二电极103位于第一电极102的下方的形成工艺简单。

参考图8，图8为本发明第二实施例IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板的结构示意图，包括：基板(图中未示出)；所述基板上设置有多条栅线100和多条数据线101，所述多条栅线100和数据线101交叉限定多个像素单元，每个像素单元包括第二电极103和多条间隔设置的第一电极102，所述第一电极102呈弯折的条状，所述第二电极103呈弯折的板状，所述第二电极103位于第一电极102的上层或下层，第二电极103与第一电极102之间具有绝缘层(图中未示出)；每行像素单元中，每个像素单元的第一电极102向同一方向弯折，两相邻行像素单元中，所述两相邻行的像素单元的第一电极102弯折的方向相反；每个像素单元还包括位于栅线100和数据线101交叉处的薄膜晶体管(TFT)104，薄膜晶体管(TFT)104包括栅极、漏极和源极，薄膜晶体管(TFT)104的源极与数据线101相连，薄膜晶体管(TFT)104的栅极与栅线100相连，薄膜晶体管(TFT)104的漏极与第一电极102的相连。

每个像素单元中，多条间隔设置的第一电极102的一端连接在一起，第一电极102相连的一端与薄膜晶体管(TFT)104的漏极电连接。参考图9，在其他实施方式中，所述多条间隔设置的第一电极102与漏极连接相对的另外一端也可以连接在一起，构成整块的电极，所述电极上具有多条刻缝。

继续参考图8，为了更清楚和简便的描述本发明的优点和目的，本实施例中仅以两条栅线100和两条数据线101交叉限定的四个像素单元为例，其中上面两个像素单元属于第一行像素单元200，下面两个像素单元属于相邻的第二行像素单元201，第一行像素单元200的第一电极102和第二行像素单元201中第一电极102弯折的方向相反。第一行像素单元200中的像素单元从第一电极102的弯折处分为上半部分20和下半部分21；第二行像素单元201的像素单元从第一电极102的弯折处分为上半部分22和下半部分23。

所述第一电极102呈弯折的条状，弯折的第一电极102将像素单元分成上下两个畴区，第一电极102和第二电极103产生电场驱动液晶分子旋转，液晶分子的旋转方向不一样，使得液晶显示装置的可视角度更大；第一行像素单元200的第一电极102和相邻的第二行像素单元201中第一电极102弯折的方向相反，第一行像素单元200中的像素单元从第一电极102的弯折处分为上半部分20和下半部分21，第二行像素单元201的像素单元从第一电极102的弯折处分为上半部分22和下半部分23，第一行像素单元200中的像素单元的第一电极102的下半部分与第二行像素单元201中的像素单元的第一电极102的上半部分的方向相同，将第一行像素单元200和第二行像素单元201作为一个整体的像素看待时，所述整体的像素包括第一行像素单元200的上半部分20构成的第一区域、第一行像素单元200的下半部分21与第二行像素单元201的上半部分22构成的第二区域、第二行像素单元201下半部分23构成的第三区域，第二区域中第一行像素单元200中像素单元的第一电极102的下半部分与第二行像素单元201中像素单元的第一电极102的上半部分的方向相同，使得第二区域的电场方向一致，相对于一定的观察方向，旋转方向一致的液晶分子所在的区域会相对更大一些，会减小相邻两行像素由于液晶转动方向不一致导致的差异而增加可视角度。

第一电极102弯折的夹角范围为45～135度，弯折的角度太小的话会影响像素单元的长度和宽度；弯折的角度太大的话，使得可视角度的提高有限。本发明所述夹角为第一电极102的折边的上半部分的边线与下半部分边线之间的夹角。

每个像素单元中第一电极102的数量为2～10条，第一电极102的数量太少的话，不能形成有效的斜向电场；第一电极102的数量太多的话，将使得像素单元的第一电极102弯折处的乱畴区增加，影响液晶显示装置的显示效果。

相邻第一电极102之间的间隔e为2～15微米。所述间距e为相邻的第一电极102的两相邻侧边的垂直距离。

所述第二电极103呈弯折的板状，每个像素单元中，第二电极103的弯折方向和角度与第一电极102的弯折角度和方向相同，所述数据线101与像素单元相邻的部分为弯折状，所述数据线101的弯折方向和角度与相邻的第一电极102或第二电极103弯折方向和角度都相同，提高了液晶显示装置的开口率。

参考图10，图10为图8沿切割线A-B方向的剖面结构示意图，包括：基板105；位于基板上105上的第一绝缘层107；位于第一绝缘层107上的第二电极103、数据线101、薄膜晶体管的漏极和源极(图中未示出)，薄膜晶体管的源极与数据线101相连；覆盖所述第二电极103、数据线101和薄膜晶体管的漏极和源极的第二绝缘层106；位于第二绝缘层106上的间隔的第一电极102，第一电极102位于第二电极103的上方，第一电极102通过位于第二绝缘层106中的过孔(图中未示出)与薄膜晶体管的漏极相连。第二电极103与公共电压相连。

参考图11，在其他实施例中，所述阵列基板的结构还可以与所述第二实施例不同，所述阵列基板包括：基板105；位于基板上105上的第一绝缘层107；位于第一绝缘层107上的间隔的第一电极102、数据线101、薄膜晶体管的漏极和源极(图中未示出)，薄膜晶体管的漏极与第一电极102相连，薄膜晶体管的源极与数据线101相连；覆盖所述第一电极102、数据线101和薄膜晶体管的漏极和源极的第二绝缘层106；位于第二绝缘层106上的第二电极103，第二电极103位于第一电极102的上方。第二电极103与公共电压相连。第二电极103位于第一电极102的上方的像素单元结构形成工艺比第二电极103位于第一电极102的下方的形成工艺简单。

参考图12，图12为本发明第三实施例IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板的结构示意图，包括：基板(图中未示出)；所述基板上设置有多条栅线100和多条数据线101，所述多条栅线100和数据线101交叉限定多个像素单元，每个像素单元包括多条间隔设置第二电极103和多条间隔设置的第一电极102，所述第一电极102呈弯折的条状，所述第二电极103呈弯折的条状，所述第二电极103位于第一电极102的上层或下层，第二电极103的间隙区对应第一电极102的条状区，第二电极103与第一电极102之间具有绝缘层(图中未示出)，第二电极103的弯折方向和角度与第一电极102弯折方向和角度相同；每行像素单元中，每个像素单元的第一电极102向同一方向弯折，两相邻行像素单元中，所述两相邻行的像素单元的第一电极102弯折的方向相反；每个像素单元还包括位于栅线100和数据线101交叉处的薄膜晶体管(TFT)104，薄膜晶体管(TFT)104包括栅极、漏极和源极，薄膜晶体管(TFT)104的源极与数据线101相连，薄膜晶体管(TFT)104的栅极与栅线100相连，薄膜晶体管(TFT)104的漏极与第一电极102的相连。

每个像素单元中，多条间隔设置的第一电极102的一端连接在一起，第一电极102相连的一端与薄膜晶体管(TFT)104的漏极电连接。

继续参考图12，为了更清楚和简便的描述本发明的优点和目的，本实施例中仅以两条栅线100和两条数据线101交叉限定的四个像素单元为例，其中上面两个像素单元属于第一行像素单元200，下面两个像素单元属于相邻的第二行像素单元201，第一行像素单元200的第一电极102和第二行像素单元201中第一电极102弯折的方向相反。第一行像素单元200中的像素单元从第一电极102的弯折处分为上半部分20和下半部分21；第二行像素单元201的像素单元从第一电极102的弯折处分为上半部分22和下半部分23。

所述第一电极102呈弯折的条状，弯折的第一电极102将像素单元分成上下两个畴区，第一电极102和第二电极103产生电场时驱动液晶分子旋转时，液晶分子的旋转方向不一样，使得液晶显示装置的可视角度更大；第一行像素单元200的第一电极102和相邻的第二行像素单元201中第一电极102弯折的方向相反，第一行像素单元200中的像素单元从第一电极102的弯折处分为上半部分20和下半部分21，第二行像素单元201的像素单元从第一电极102的弯折处分为上半部分22和下半部分23，第一行像素单元200中的像素单元的第一电极102的下半部分与第二行像素单元201中的像素单元的第一电极102的上半部分的方向相同，将第一行像素单元200和第二行像素单元201作为一个整体的像素看待时，所述整体的像素包括第一行像素单元200的上半部分20构成的第一区域、第一行像素单元200的下半部分21与第二行像素单元201的上半部分22构成的第二区域、第二行像素单元201下半部分23构成的第三区域，第二区域中第一行像素单元200中像素单元的第一电极102的下半部分与第二行像素单元201中像素单元的第一电极102的上半部分的方向相同，使得第二区域的电场方向一致，相对于一定的观察方向，旋转方向一致的液晶分子所在的区域会相对更大一些，会减小相邻两行像素由于液晶转动方向不一致导致的差异而增加可视角度。

第一电极102弯折的夹角范围为45～135度，弯折的角度太小的话会影响像素单元的长度和宽度；弯折的角度太大的话，使得可视角度的提高有限。本发明所述夹角为第一电极102的折边的上半部分的边线与下半部分边线之间的夹角。

每个像素单元中第一电极102的数量为2～10条，第一电极102的数量太少的话，不能形成有效的斜向电场；第一电极102的数量太多的话，将使得像素单元的第一电极102弯折处的乱畴区增加，影响液晶显示装置的显示效果。

相邻第一电极102之间的间隔e为2～15微米。所述间距e为相邻的第一电极102的两相邻侧边的垂直距离。

第一电极102弯折的夹角范围为45～135度，弯折的角度太小的话会影响像素单元的长度和宽度；弯折的角度太大的话，使得可视角度的提高有限。本发明所述夹角为第一电极102的折边的上半部分的边线与下半部分边线之间的夹角。

每个像素单元中第一电极102的数量为2～10条，第一电极102的数量太少的话，不能形成有效的斜向电场；第一电极102的数量太多的话，将使得像素单元的第一电极102弯折处的乱畴区增加，影响液晶显示装置的显示效果。

相邻第一电极102之间的间隔e为2～15微米。所述间距e为相邻的第一电极102的两相邻侧边的垂直距离。

所述第二电极103呈弯折的条状，每个像素单元中第二电极103的弯折方向和角度与第一电极102弯折方向和角度相同，第二电极103的间隙区对应第一电极102的条状区，以形成斜向电场，每个像素单元中第二电极103的数量为2～10条，第二电极103的数量可以大于、等于或小于第一电极102的数量。相邻第二电极103之间的间隔f为2～15微米。所述间距f为相邻的第二电极103的两相邻侧边的垂直距离。

所述数据线101与像素单元相邻的部分为弯折状，所述数据线101的弯折方向和角度与相邻的第一电极102或第二电极103弯折方向和角度都相同，相比与第一实施例，提高了液晶显示装置的开口率。

参考图12，图12为图13沿切割线A-B方向的剖面结构示意图，包括：基板105；位于基板上105上的第一绝缘层107；位于第一绝缘层107上的间隔设置的第二电极103、数据线101、薄膜晶体管的漏极和源极(图中未示出)；覆盖所述第二电极103、数据线101和薄膜晶体管的漏极和源极的第二绝缘层106；位于第二绝缘层106上的间隔的第一电极102，第一电极102位于第二电极103的上方，第一电极102的条状区对应第二电极103的间隙区，第一电极102通过位于第二绝缘层106中的过孔(图中未示出)与薄膜晶体管的漏极相连。

在本发明的其他实施例中，所述第一电极102位于第二电极103的下层。

在本发明的其他实施例中，所述间隔的第一电极102和第二电极103位于同一层，第一电极102的条状区位于第二电极103的间隙区，构成叉指状的第一电极102和第二电极103排布，第一电极102和第二电极103之间形成平面电场。

综上，本发明实施例提供的IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板，第一行像素单元的第一电极和相邻的第二行像素单元中第一电极弯折的方向相反，第一行像素单元中的像素单元从第一电极的弯折处分为上半部分和下半部分，第二行像素单元的像素单元从第一电极的弯折处分为上半部分和下半部分，第一行像素单元中的像素单元的第一电极的下半部分与第二行像素单元中的像素单元的第一电极的上半部分的方向相同，将第一行像素单元和第二行像素单元作为一个整体的像素看待时，所述整体的像素包括第一行像素单元的上半部分构成的第一区域、第一行像素单元的下半部分与第二行像素单元的上半部分构成的第二区域、第二行像素单元下半部分构成的第三区域，第二区域中第一行像素单元中像素单元的第一电极的下半部分与第二行像素单元中像素单元的第一电极的上半部分的方向相同，使得第二区域的电场方向一致，相对于一定的观察方向，旋转方向一致的液晶分子所在的区域会相对更大一些，会减小相邻两行像素由于液晶转动方向不一致导致的差异而增加可视角度。

进一步，所述第二电极呈弯折的板状，每个像素单元中，第二电极的弯折方向和角度与第一电极的弯折角度和方向相同，所述数据线与像素单元相邻的部分为弯折状，所述数据线的弯折方向和角度与相邻的第一电极或第二电极弯折方向和角度都相同，提高了液晶显示装置的开口率。

本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (15)

1.一种IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板，包括：

基板；

所述基板上设置有多条栅线和多条数据线，所述多条栅线和数据线交叉限定多个像素单元，每个像素单元包括第二电极和多条间隔设置的第一电极，所述第一电极呈弯折的条状；

每行像素单元中，每个像素单元的第一电极向同一方向弯折；其特征在于，两相邻行像素单元中，所述两相邻行的像素单元的第一电极弯折的方向相反。

2.如权利要求1所述的IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板，其特征在于，所述第一电极弯折的夹角范围为45～135度。

3.如权利要求1所述的IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板，其特征在于，所述像素单元中第一电极的数量为2～10条。

4.如权利要求1所述的IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板，其特征在于，所述多条第一电极之间的间隔为2～15微米。

5.如权利要求1所述的IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括位于所述栅线和数据线的交叉处的薄膜晶体管，像素单元内多条第一电极的一端连接在一起，并与薄膜晶体管的漏极电连接。

6.如权利要求5所述的IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板，其特征在于，所述多条第一电极的另一端也连接在一起。

7.如权利要求1所述的IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板，其特征在于，所述像素单元的第二电极呈板状，位于第一电极的下层，所述第一电极和第二电极之间设置有绝缘层。

8.如权利要求7所述的IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板，其特征在于，所述像素单元的第二电极呈弯折的板状，在每个像素单元内，所述第二电极的弯折方向和角度与第一电极相同。

9.如权利要求1所述的IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板，其特征在于，所述像素单元的第二电极为间隔设置的多条弯折的条状，第二电极的间隙区对应第一电极的条状区，在每个像素单元内，所述第二电极的弯折方向和角度与第一电极相同。

10.如权利要求9所述的IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板，其特征在于，所述第一电极和第二电极之间设置有绝缘层，所述第二电极位于第一电极的上层，或者所述第二电极位于第一电极的下层。

11.如权利要求9所述的IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板，其特征在于，所述多条第二电极之间的间隔为2～15微米。

12.如权利要求9所述的IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板，其特征在于，所述像素单元中第二电极的数量为2～10条。

13.如权利要求9所述的IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板，其特征在于，所述第二电极的一端连接在一起。

14.如权利要求7或9所述的IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板，其特征在于，所述第二电极连接至公共电压。

15.如权利要求7或9所述的IPS/FFS型液晶显示装置的阵列基板，其特征在于，所述数据线与像素单元相邻的部分为弯折状，其弯折方向和角度与相邻的第一电极或第二电极弯折方向和角度都相同。