KR20160080289A - 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 의한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치는 기판, 무기 층, 및 크랙 방지층을 포함한다. 기판은 표시 영역과, 표시 영역을 둘러싼 비 표시 영역을 포함한다. 무기 층은 표시 영역 전체를 덮고, 비 표시 영역의 일부까지 연장된다. 크랙 방지층은 비 표시 영역의 에지부에 배치되며, 무기 층의 상부 표면 및 측벽을 덮고, 유기 물질을 포함한다.

Description

플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치{Flexible Organic Light Emitting Diode Display}
본 발명은 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 외부 스트레스에 노출될 수 있는 무기 층들에 크랙이 발생하는 것을 방지하기 위해 크랙 방지층을 형성한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다.
음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치(Flat display device)들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전기영동 표시장치(Electrophoretic Display Device: EPD), 및 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display Device: OLED) 등이 있다.
평판 표시장치는 얇고 무게가 가볍기 때문에 이동 통신 단말기나 휴대용 정보 처리기에서 표시 수단으로 많이 사용되고 있다. 특히, 휴대용(Portable) 혹은 모바일(Mobile) 기기에서는 더욱 얇고, 더 가벼우며, 전력 소비가 작은 표시 패널에 대한 요구가 증가하고 있다. 특히, 유기발광 다이오드 표시장치는 자체 발광형으로 휘도 및 시야각이 크고, 콘트라스트 비(Contrast Ratio)가 우수하며, 응답속도가 빠르다는 장점이 있다.
액정 표시장치나 플라즈마 표시장치는 유연성 및 탄성이 높은 자발광 소자를 개발하는데 한계가 있어, 플렉서블 표시장치로 응용하는데에는 한계가 있다. 하지만, 유기발광 다이오드 표시장치는, 유기 박막을 이용하여 형성하는 것으로, 유기 박막의 특징인 유연성 및 탄성을 이용하여, 플렉서블 표시장치로 응용할 수 있는 최적의 소재로 관심이 집중되고 있다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 종래기술에 의한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치를 설명한다. 도 1은 종래기술에 의한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치의 개략적인 구조를 나타낸 평면도이다. 도 2는 도 1에서 X 영역인 에지부의 구조를 설명하기 위한 확대도이다. 도 3은 도 1을 절취선 Ⅰ-Ⅰ'로 절취한 것으로, 종래기술에 의한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치의 개략적인 구조를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래기술에 의한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치는 영상 정보를 표시하는 표시 영역(AA)과, 표시 영역(AA)을 구동하기 위한 여러 소자들이 배치되는 비 표시 영역(NA)이 정의된 기판(SUB)을 포함한다.
기판(SUB)은 유연한 특성을 갖는 플라스틱 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판은 PI(Polyimide), PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene naphthalate), PC(polycarbonate), PES(polyethersulfone), PAR(polyarylate), PSF(polysulfone), COC(ciclic-olefin copolymer) 등의 재질로 형성될 수 있다.
표시 영역(AA)에는 매트릭스 방식으로 배열된 복수 개의 화소 영역(PA)들이 정의된다. 예를 들어, NxM 방식의 장방형으로 화소 영역(PA)들이 정의될 수 있다. 하지만, 반드시 이러한 방식에만 국한되는 것이 아니고, 다양한 방식으로 배열될 수도 있다. 각 화소 영역들이 동일한 크기를 가질 수도 있고, 서로 다른 크기를 가질 수도 있다. 또한, RGB(적녹청) 색상을 나타내는 세 개의 서브 화소를 하나의 단위로 하여, 규칙적으로 배열될 수도 있다. 가장 단순한 구조로 설명하면, 화소 영역(PA)들은 가로 방향으로 진행하는 복수 개의 게이트 배선(미도시)들과 세로 방향으로 진행하는 복수 개의 데이터 배선(미도시)들 및 구동 전류 배선(미도시)들의 교차 구조로 정의할 수 있다.
각 화소 영역(PA)에는 유기발광 다이오드 표시장치의 핵심 구성 요소들인 유기발광 다이오드와 유기발광 다이오드를 구동하기 위한 박막 트랜지스터들이 배치된다. 박막 트랜지스터들은 화소 영역(PA)의 일측 부에 정의된 박막 트랜지스터 영역(TA)에 형성될 수 있다. 유기발광 다이오드는 애노드 전극(ANO)과 캐소드 전극(미도시), 및 두 전극들 사이에 개재된 유기 발광 층을 포함한다.
애노드 전극(ANO)는 화소 영역(PA) 내에서 일부 영역을 차지하도록 형성되며, 박막 트랜지스터 영역(TA)에 형성된 박막 트랜지스터와 연결된다. 애노드 전극(ANO) 위에 유기 발광 층을 도포하는데, 애노드 전극(ANO)과 유기 발광 층이 중첩된 영역이 실제 발광 영역으로 결정된다. 캐소드 전극은 유기 발광 층 위에서 적어도 화소 영역(PA)들이 배치된 표시 영역(AA)의 면적을 모두 덮도록 형성된다.
비 표시 영역(NA)에는 데이터 배선들에 화상 정보에 해당하는 신호를 공급하기 위한 데이터 구동부(혹은, Data Driving Integrated Circuit, 미도시)와, 게이트 배선들에 스캔 신호를 공급하기 위한 게이트 구동부(혹은, Gate Driving Integrated Circuit, 미도시)가 배치될 수 있다. 데이터 배선들 및 구동 전류 배선들의 개수가 많아지는 높은 고 해상도의 경우, 데이터 구동부는 기판(SUB)의 외부에 실장하고, 데이터 구동부 대신에 데이터 접속 패드들이 배치될 수도 있다.
비 표시 영역(NA)의 일부에는 기판(SUB)을 구부리거나 접을 수 있는 밴딩 영역(BA)이 정의된다. 필요에 따라서, 밴딩 영역(BA)은 비 표시 영역(NA)의 어느 일측, 양측, 혹은 상하좌우 측 모두에 정의될 수 있다. 라미네이션 공정 등을 통해 밴딩 영역(BA)을 따라 기판(SUB)을 구부리거나 접을 경우, 공정 시 발생 되는 외부 스트레스(stress)에 의해 미세 크랙(crack)이 발생하는 문제가 생길 수 있다. 또한, 여러 요인에 의해 발생한 미세 크랙이 표시 영역(AA)의 내부 소자로 전파되는 문제가 생길 수 있다. 특히, 기판(SUB)의 모서리 영역 즉, 에지부(X)에 배치된 무기 층들에 발생하는 크랙이 더욱 문제된다.
이하, 밴딩 영역의 변형에 의해 발생할 수 있는 크랙을 설명하기 위해, 비 표시 영역의 일부(X)를 확대한 도 2를 더 참조한다.
비 표시 영역(NA)에는 표시 영역(AA)에 형성된 무기 층들(IM)이 연장되어 형성된다. 즉, 무기 층들(IM)은 표시 영역(AA) 내부 소자를 수분 및 산소로부터 보호하기 위해 비 표시 영역(NA)에까지 연장되어 형성된다. 이때, 무기 층들(IM)은 표시 영역(AA) 내부의 표시 소자를 형성할 때 도포되는 무기 물질이다. 예를 들어, 무기 층들(IM)은 이 후에 설명하게 될 게이트 절연막(GI, 도 3) 및 보호막(PAS0, 도 3)일 수 있다. 이 중, 기판(SUB)의 에지부(X)에 배치된 무기 층들(IM)은 노출되어 있기 때문에, 밴딩 영역(BA)을 따라 기판을 접거나 휠 경우, 외부 스트레스에 의한 미세 크랙이 발생하기 쉽다.
좀 더 상세하게 설명하기 위해, 도 3을 더 참조하면, 종래 기술에 의한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치는 표시 영역(AA)과 비 표시 영역(NA)이 정의된 기판(SUB), 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 스위칭 박막 트랜지스터(ST)와 연결된 구동 박막 트랜지스터(DT), 구동 박막 트랜지스터(DT)와 접촉된 유기발광 다이오드(OLED), 및 내부 소자를 수분 및 산소로부터 보호하기 위한 보호층(PASSI)을 포함한다.
기판(SUB)의 표시 영역(AA) 상에는 박막 트랜지스터가 형성된다. 박막 트랜지스터는 화소를 선택하는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)와, 스위칭 박막 트랜지스터(ST)로부터 신호를 인가받아 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 구동 박막 트랜지스터(DT)를 포함한다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 스위칭 게이트 전극(SG), 스위칭 반도체 층(SA), 스위칭 소스 전극(SS), 및 스위칭 드레인 전극(SD)을 포함한다. 구동 박막 트랜지스터(DT)는 구동 게이트 전극(DG), 구동 반도체 층(DA), 구동 소스 전극(DS), 및 구동 드레인 전극(DD)을 포함한다.
좀더 자세하게는, 기판(SUB) 상에 게이트 전극(SG, DG)이 형성된다. 게이트 전극(SG, DG)이 형성된 기판(SUB) 전면에는 게이트 절연막(GI)이 형성된다. 게이트 절연막(GI)은 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질을 포함한다. 이때, 게이트 절연막(GI)은 비 표시 영역(NA)의 일부에까지 연장되어 형성된다.
게이트 절연막(GI) 위에는 반도체 층(SA, DA)이 형성된다. 반도체 층(SA, DA)은 게이트 전극(SG, DG)과 중첩되도록 형성된다. 반도체 층(SA, DA) 위에는 소스 전극(SS, DS)과 드레인 전극(SD, DD)이 형성된다. 소스 전극(SS, DS)과 드레인 전극(SD, DD)은 서로 이격되어 형성된다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 드레인 전극(SD)은 게이트 절연막(GI)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DG)과 접촉한다. 이로써, 스위칭 박막 트랜지스터(ST)와 구동 박막 트랜지스터(DT)가 완성된다.
스위칭 박막 트랜지스터(ST)와 구동 박막 트랜지스터(DT)가 형성된 기판(SUB) 전면에는 보호막(PAS0)이 형성된다. 보호막(PAS0)은 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질을 포함한다. 이때, 보호막(PAS0)은 비 표시 영역(NA)의 일부에까지 연장되어 형성된다.
이와 같이 박막 트랜지스터들(ST, DT)이 형성된 기판(SUB)은 여러 구성 요소들이 형성되어 표면이 평탄하지 못하고, 단차가 많이 형성되어 있다. 유기 발광 층은 평탄한 표면에 형성되어야 발광이 일정하고 고르게 발산될 수 있다. 따라서, 기판(SUB)의 표면을 평탄하게 할 목적으로 평탄화 막(PL)을 박막 트랜지스터들(ST, DT)이 형성된 기판(SUB) 전면에 형성한다. 평탄화 막(PL)은 폴리 아크릴, 폴리 이미드와 같은 유기절연물질을 포함할 수 있다.
평탄화 막(PL) 위에는 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 애노드 전극(ANO)은 평탄화 막(PL) 및 보호막(PAS0)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결된다.
애노드 전극(ANO)이 형성된 기판(SUB) 위에, 발광 영역을 정의하기 위한 뱅크(BN)가 형성된다. 뱅크(BN)는 애노드 전극(ANO)의 중앙부를 노출하도록, 애노드 전극(ANO)의 테두리와 중첩되어 형성된다. 뱅크(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)의 중앙부는 발광 영역이 된다. 뱅크(BN)는 폴리 아크릴, 폴리 이미드와 같은 유기절연물질을 포함할 수 있다.
뱅크(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에는 유기 발광 층(OLE)이 형성된다. 유기 발광 층(OLE)은 적어도 하나 이상의 발광 층을 포함하며, 정공 주입 층(Hole Injection Layer ; HIL), 정공 수송 층(Hole Transport Layer ; HTL), 전자 수송 층(Electron Transport Layer ; ETL), 전자 주입 층(Electron Injection Layer ; EIL) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 유기 발광 층(OLE) 위에는 캐소드 전극(CAT)이 형성된다. 이로써, 애노드 전극(ANO), 유기 발광 층(OLE), 및 캐소드 전극(CAT)을 포함하는 유기발광 다이오드(OLED)가 완성된다.
유기발광 다이오드(OLED)가 형성된 기판(SUB) 위에는, 수분 및 산소로부터 박막 트랜지스터(ST, DT) 등의 구동 소자와 유기발광 다이오드(OLED) 등의 발광 소자를 보호하기 위해 보호층(PASSI)이 형성된다.
보호층(PASSI)은 제1 무기막(PAS1), 유기막(PCL), 제2 무기막(PAS2)을 포함한다. 제1 무기막(PAS1)과 제2 무기막(PAS2)은 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx) 등으로 형성되어 수분 및 산소의 유입을 차단한다. 유기막(PCL)은 폴리머(polymer)와 같은 유기 물질로 형성되며, 제1 무기막(PAS1)과 제2 무기막(PAS2) 사이에 개재된다. 도 2에서의 보호층(PASSI)은 제1 무기막(PAS1), 유기막(PCL), 제2 무기막(PAS2)을 포함하는 것으로 예시하고 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 내부 소자를 수분 및 산소로부터 보호할 수 있는 구조라면 모두 포함될 수 있다. 즉, 보호층(PASSI)은 수분 및 산소의 침투를 차단하기 위해 적어도 하나 이상의 무기막을 포함할 수 있으며, 다수의 무기막 적층 구조이거나, 하나 이상의 무기막과 유기막을 포함하는 적층 구조일 수 있다.
전술한 바와 같이, 게이트 절연막(GI) 및 보호막(PAS0)과 같은 무기 층들(IM)은 표시 영역(AA)을 덮도록 형성되며, 비 표시 영역(NA)의 일부에까지 연장되어 형성된다. 기판(SUB)이 밴딩 영역(BA)을 따라 휘거나 접히는 경우, 에지부(X)의 무기 층들(IM)에 외부 스트레스에 의한 미세 크랙이 발생할 수 있다. 발생한 미세 크랙은 밴딩 영역(BA)의 변형과 같은 외부 충격에 의해 무기 층들(IM)을 따라 내부로 전파될 수 있고, 전파된 크랙은 라인 결함 및 소자 구동 불량을 발생시킬 수 있다. 또한, 전파된 미세 크랙을 따라 수분 및 산소가 소자 내부로 유입될 수 있고, 이는 흑점 및 흑선 얼룩을 유발할 수 있는 요인이 된다.
종래 기술에 의한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치는 기판(SUB) 변형 시 에지부(X)의 무기 층들(IM)에 크랙이 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 없고, 이미 발생한 크랙의 전파를 차단할 수 없다. 따라서, 종래 기술에 의한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치는 크랙에 의한 표시장치 내부의 소자 불량을 방지할 수 없어, 제품의 신뢰성 및 안정성이 저하되는 문제점을 갖는다.
본 발명의 목적은 상기 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 유기 물질을 포함하는 크랙 방지층을 형성하여, 에지부의 무기 층들에 크랙이 발생하는 것을 방지한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 의한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치는 기판, 무기 층, 및 크랙 방지층을 포함한다. 기판은 표시 영역과, 표시 영역을 둘러싼 비 표시 영역을 포함한다. 무기 층은 표시 영역 전체를 덮고, 비 표시 영역의 일부까지 연장된다. 크랙 방지층은 비 표시 영역의 에지부에 배치되며, 무기 층의 상부 표면 및 측벽을 덮고, 유기 물질을 포함한다.
에지부에 배치된 무기 층은 기판의 일부를 노출하는 홈을 구비한다.
크랙 방지층은 무기 층을 덮고 홈을 메운다.
무기 층은 적어도 두 개 이상의 홈을 구비하며, 홈들은 각각 일정거리 이격되어 배치된다.
홈의 평면 형상은 정방형, 장방형, 크랭크형, 요철형을 포함하는 평면 도형 형상이다.
본 발명에 의한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치는 금속 층을 더 포함한다. 금속 층은 에지부에 배치되며, 무기 층의 사이 및 무기 층 하부 중 적어도 어느 하나 이상에 배치된다. 적층된 무기 층과 금속 층은 기판의 일부를 노출하는 홈을 구비하며, 크랙 방지층은 무기 층과 금속 층을 덮고, 홈을 메운다.
크랙 방지층은 에지부의 외부로 연장되어, 인접하는 크랙 방지층과 연결된다.
표시 영역에는 박막트랜지스터, 박막 트랜지스터를 덮는 평탄화 막, 박막트랜지스터에 연결되며 평탄화 막 위에 배치된 애노드 전극, 애노드 전극에서 발광 영역을 정의하는 뱅크, 뱅크에 의해 노출된 애노드 전극 위에 적층된 유기 발광 층 및 캐소드 전극이 배치되고, 크랙 방지층은 유기 물질을 포함하는 평탄화 막, 및 뱅크 중 적어도 어느 하나 이상일 수 있다. .
크랙 방지층은 평탄화 막, 및 뱅크 중 적어도 어느 하나 이상이 비 표시 영역에까지 연장되어 배치된다.
본 발명에 의한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치는 기판, 무기 층, 금속 층, 및 크랙 방지층을 포함한다. 기판은 표시 영역과, 표시 영역을 둘러싼 비 표시 영역을 포함한다. 무기 층은 표시 영역 전체를 덮고, 비 표시 영역의 일부까지 연장된다. 금속 층은 비 표시 영역의 에지부에 배치되며, 무기 층의 사이 및 무기 층의 하부 중 적어도 어느 하나 이상에 배치된다. 그리고, 크랙 방지층은 에지부에 배치되며, 유기 물질을 포함한다. 적층된 무기 층과 금속 층은 기판의 일부를 노출하는 홈을 구비하며, 크랙 방지층은 홈을 메운다.
크랙 방지층의 높이는, 적층된 무기 층과 금속 층의 높이와 동일하거나 낮다.
본 발명은 외부 스트레스에 노출되기 쉬운 에지부의 무기 층들 위에 유기물질을 포함하는 크랙 방지층을 형성함으로써, 미세 크랙 발생을 최소화한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 크랙 발생을 최소화함으로써, 내부 소자를 보호할 수 있어, 제품의 신뢰성 및 안정성을 확보할 수 있다.
본 발명에 의한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치의 에지부에서는 크랙 방지층과 무기층이 서로 교번하여 배치됨에 따라 가해지는 외부 스트레스를 분산시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 의한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치는 무기 층들에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 이미 발생한 크랙의 전파 속도를 줄여 소자 열화 속도를 늦출 수 있다.
도 1은 종래기술에 의한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치의 개략적인 구조를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에서 X 영역인 에지부의 구조를 설명하기 위한 확대도이다.
도 3은 도 1을 절취선 Ⅰ-Ⅰ'로 절취한 것으로, 종래기술에 의한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치의 개략적인 구조를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명에 의한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치의 개략적인 구조를 나타낸 평면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예를 설명하기 위한 것으로, 도 4에서 Y 영역인 에지부의 구조를 나타낸 확대도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예를 설명하기 위한 것으로, 도 4를 Ⅱ-Ⅱ'로 절취한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예를 설명하기 위한 것으로, 도 4에서 Y 영역인 에지부의 구조를 나타낸 확대도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예를 설명하기 위한 것으로, 도 4를 Ⅱ-Ⅱ'로 절취한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예를 설명하기 위한 것으로, 도 4를 Ⅱ-Ⅱ'로 절취한 단면도이다.
도 10a 및 도 10b는 본 발명의 제2 실시예 및 제3 실시예에서 에지부에 형성된 홈의 형상을 설명하기 위한 도면들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다. 여러 실시예들을 설명함에 있어서, 동일한 구성요소에 대하여는 제1 실시 예에서 대표적으로 설명하고 다른 실시예에서는 생략될 수 있다.
<제1 실시예>
이하, 도 4 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 의한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치를 설명한다. 도 4는 본 발명에 의한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치의 개략적인 구조를 나타낸 평면도이다. 도 5는 본 발명의 제1 실시예를 설명하기 위한 것으로, 도 4에서 Y 영역인 에지부의 구조를 나타낸 확대도이다. 도 6은 본 발명의 제1 실시예를 설명하기 위한 것으로, 도 4를 Ⅱ-Ⅱ'로 절취한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 의한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치는 영상 정보를 표시하는 표시 영역(AA)과, 표시 영역(AA)을 구동하기 위한 여러 소자들이 배치되는 비 표시 영역(NA)이 정의된 기판(SUB)을 포함한다.
기판(SUB)은 유연한 특성을 갖는 플라스틱 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판은 PI(Polyimide), PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene naphthalate), PC(polycarbonate), PES(polyethersulfone), PAR(polyarylate), PSF(polysulfone), COC(ciclic-olefin copolymer) 등의 재질로 형성될 수 있다.
표시 영역(AA)에는 매트릭스 방식으로 배열된 복수 개의 화소 영역(PA)들이 정의된다. 예를 들어, NxM 방식의 장방형으로 화소 영역(PA)들이 정의될 수 있다. 하지만, 반드시 이러한 방식에만 국한되는 것이 아니고, 다양한 방식으로 배열될 수도 있다. 각 화소 영역들이 동일한 크기를 가질 수도 있고, 서로 다른 크기를 가질 수도 있다. 또한, RGB(적녹청) 색상을 나타내는 세 개의 서브 화소를 하나의 단위로 하여, 규칙적으로 배열될 수도 있다. 가장 단순한 구조로 설명하면, 화소 영역(PA)들은 가로 방향으로 진행하는 복수 개의 게이트 배선(미도시)들과 세로 방향으로 진행하는 복수 개의 데이터 배선(미도시)들 및 구동 전류 배선(미도시)들의 교차 구조로 정의할 수 있다.
각 화소 영역(PA)에는 유기발광 다이오드 표시장치의 핵심 구성 요소들인 유기발광 다이오드와 유기발광 다이오드를 구동하기 위한 박막 트랜지스터들이 배치된다. 박막 트랜지스터들은 화소 영역(PA)의 일측 부에 정의된 박막 트랜지스터 영역(TA)에 형성될 수 있다. 유기발광 다이오드는 애노드 전극(ANO)과 캐소드 전극(미도시), 및 두 전극들 사이에 개재된 유기 발광 층을 포함한다.
애노드 전극(ANO)는 화소 영역(PA) 내에서 일부 영역을 차지하도록 형성되며, 박막 트랜지스터 영역(TA)에 형성된 박막 트랜지스터와 연결된다. 애노드 전극(ANO) 위에 유기 발광 층을 도포하는데, 애노드 전극(ANO)과 유기 발광 층이 중첩된 영역이 실제 발광 영역으로 결정된다. 캐소드 전극은 유기 발광 층 위에서 적어도 화소 영역(PA)들이 배치된 표시 영역(AA)의 면적을 모두 덮도록 형성된다.
비 표시 영역(NA)에는 데이터 배선들에 화상 정보에 해당하는 신호를 공급하기 위한 데이터 구동부(혹은, Data Driving Integrated Circuit, 미도시)와, 게이트 배선들에 스캔 신호를 공급하기 위한 게이트 구동부(혹은, Gate Driving Integrated Circuit, 미도시)가 배치될 수 있다. 데이터 배선들 및 구동 전류 배선들의 개수가 많아지는 높은 고 해상도의 경우, 데이터 구동부는 기판(SUB)의 외부에 실장하고, 데이터 구동부 대신에 데이터 접속 패드들이 배치될 수도 있다. 비 표시 영역의 일부에는 기판을 구부리거나 접을 수 있는 밴딩 영역(BA)이 정의된다. 필요에 따라서, 밴딩 영역(BA)은 비 표시 영역의 어느 일측, 양측, 혹은 상하좌우 측 모두에 정의될 수 있다.
이하, 도 5를 더 참조하여, 기판의 모서리 영역 즉, 에지부(Y)의 구조를 설명한다. 비 표시 영역(NA)에는 표시 영역(AA)에 형성된 무기 층들(IM)이 연장되어 형성된다. 즉, 무기 층들(IM)은 표시 영역(AA) 내부 소자를 수분 및 산소로부터 보호하기 위해 비 표시 영역(NA)에까지 연장되어 형성된다. 이때, 무기 층들(IM)은 표시 영역(AA) 내부의 소자를 형성할 때 도포되는 무기 물질이다. 예를 들어, 무기 층들(IM)은 이 후에 설명하게 될 무기 물질을 포함하는 게이트 절연막(GI, 도 6) 및 보호막(PAS0, 도6)일 수 있다.
에지부(Y)에는 크랙 방지층(OM)이 형성된다. 크랙 방지층(OM)은 에지부(Y)에 배치된 무기 층들(IM)의 상부 표면 및 가장자리 측벽을 덮도록 배치된다. 크랙 방지층(OM)은 무기물질에 비해 변형률이 크며, 내충격성이 강한 유기물질을 포함한다. 예를 들어, 크랙 방지층(OM)은 이후 설명하게 될 유기 물질을 포함하는 평탄화 막(PL, 도 6) 및/또는 뱅크(BN, 도 6)가 형성될 때 함께 형성될 수 있다. 즉, 크랙 방지층(OM)은 평탄화 막(PL, 도 6) 및/또는 뱅크(BN, 도 6) 물질로 형성될 수 있다.
크랙 방지층(OM)은 기판(SUB)의 네 모시리 영역 즉, 네 개의 에지부(Y)들 중 적어도 어느 하나 이상에 형성될 수 있다. 또한, 크랙 방지층(OM)은 기판(SUB)의 에지부(Y)들에 각각 독립적으로 형성될 수 있고, 인접하는 에지부(Y)의 크랙 방지층(OM)과 서로 연결되어 한 몸체로 형성될 수도 있다. 도시되지는 않았으나, 크랙 방지층(OM)이 평탄화 막(PL) 및/또는 뱅크(BN) 물질로 형성된 경우, 크랙 방지층(OM)은 평탄화 막(PL) 및/또는 뱅크(BN)가 에지부(Y)에까지 연장되어 형성된 것일 수 있다.
좀 더 상세하게 설명하기 위해, 도 6을 더 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 의한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치는 표시 영역(AA)과 비 표시 영역(NA)이 정의된 기판(SUB), 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 스위칭 박막 트랜지스터(ST)와 연결된 구동 박막 트랜지스터(DT), 구동 박막 트랜지스터(DT)와 접촉된 유기발광 다이오드(OLED), 내부 소자를 수분 및 산소로부터 보호하기 위한 보호층(PASSI), 및 내부 소자를 크랙 및 크랙 전파로부터 보호하기 위한 크랙 방지층(OM)을 포함한다.
기판(SUB)의 표시 영역(AA) 상에는 박막 트랜지스터가 형성된다. 박막 트랜지스터는 화소를 선택하는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)와, 스위칭 박막 트랜지스터(ST)로부터 신호를 인가받아 유기발광 다이오드(OLED)를 구동하는 구동 박막 트랜지스터(DT)를 포함한다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 스위칭 게이트 전극(SG), 스위칭 반도체 층(SA), 스위칭 소스 전극(SS), 및 스위칭 드레인 전극(SD)을 포함한다. 구동 박막 트랜지스터(DT)는 구동 게이트 전극(DG), 구동 반도체 층(DA), 구동 소스 전극(DS), 및 구동 드레인 전극(DD)을 포함한다.
좀더 자세하게는, 기판(SUB) 상에 게이트 전극(SG, DG)이 형성된다. 게이트 전극(SG, DG)이 형성된 기판(SUB) 전면에는 게이트 절연막(GI)이 형성된다. 게이트 절연막(GI)은 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질을 포함한다. 이때, 게이트 절연막(GI)은 비 표시 영역(NA)의 일부에까지 연장되어 형성된다.
게이트 절연막(GI) 위에는 반도체 층(SA, DA)이 형성된다. 반도체 층(SA, DA)은 게이트 전극(SG, DG)과 중첩되도록 형성된다. 반도체 층(SA, DA) 위에는 소스 전극(SS, DS)과 드레인 전극(SD, DD)이 형성된다. 소스 전극(SS, DS)과 드레인 전극(SD, DD)은 서로 이격되어 형성된다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 드레인 전극(SD)은 게이트 절연막(GI)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DG)과 접촉한다. 이로써, 스위칭 박막 트랜지스터(ST)와 구동 박막 트랜지스터(DT)가 완성된다.
스위칭 박막 트랜지스터(ST)와 구동 박막 트랜지스터(DT)가 형성된 기판(SUB) 전면에는 보호막(PAS0)이 형성된다. 보호막(PAS0)은 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질을 포함한다. 이때, 보호막(PAS0)은 비 표시 영역(NA)의 일부에까지 연장되어 형성된다.
이와 같이 박막 트랜지스터들(ST, DT)이 형성된 기판(SUB)은 여러 구성 요소들이 형성되어 표면이 평탄하지 못하고, 단차가 많이 형성되어 있다. 유기 발광 층은 평탄한 표면에 형성되어야 발광이 일정하고 고르게 발산될 수 있다. 따라서, 기판(SUB)의 표면을 평탄하게 할 목적으로 평탄화 막(PL)을 박막 트랜지스터들(ST, DT)이 형성된 기판(SUB) 전면에 형성한다. 평탄화 막(PL)은 폴리 아크릴, 폴리 이미드와 같은 유기절연물질을 포함할 수 있다.
평탄화 막(PL) 위에는 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 애노드 전극(ANO)은 평탄화 막(PL) 및 보호막(PAS0)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결된다.
애노드 전극(ANO)이 형성된 기판(SUB) 위에, 발광 영역을 정의하기 위한 뱅크(BN)가 형성된다. 뱅크(BN)는 애노드 전극(ANO)의 중앙부를 노출하도록 애노드 전극(ANO)의 테두리와 중첩되어 형성된다. 뱅크(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)의 중앙부는 발광 영역이 된다. 뱅크(BN)는 폴리 아크릴, 폴리 이미드와 같은 유기절연물질을 포함할 수 있다.
뱅크(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에는 유기 발광 층(OLE)이 형성된다. 유기 발광 층(OLE)은 적어도 하나 이상의 발광 층을 포함하며, 정공 주입 층(Hole Injection Layer ; HIL), 정공 수송 층(Hole Transport Layer ; HTL), 전자 수송 층(Electron Transport Layer ; ETL), 전자 주입 층(Electron Injection Layer ; EIL) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 유기 발광 층(OLE) 위에는 캐소드 전극(CAT)이 형성된다. 이로써, 애노드 전극(ANO), 유기 발광 층(OLE), 및 캐소드 전극(CAT)을 포함하는 유기발광 다이오드(OLED)가 완성된다.
유기발광 다이오드(OLED)가 형성된 기판 위에는, 수분 및 산소로부터 박막 트랜지스터(ST, DT) 등의 구동 소자와 유기발광 다이오드(OLE) 등의 발광 소자를 보호하기 위해 보호층(PASSI)이 형성된다.
보호층(PASSI)은 제1 무기막(PAS1), 유기막(PCL), 제2 무기막(PAS2)을 포함한다. 제1 무기막(PAS1)과 제2 무기막(PAS2)은 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx) 등으로 형성되어 수분 및 산소의 유입을 차단한다. 유기막(PCL)은 폴리머(polymer)와 같은 유기 물질로 형성되며, 제1 무기막(PAS1)과 제2 무기막(PAS2) 사이에 개재된다. 도 6에서의 보호층(PASSI)은 제1 무기막(PAS1), 유기막(PCL), 제2 무기막(PAS2)을 포함하는 것으로 예시하고 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 내부 소자를 수분 및 산소로부터 보호할 수 있는 구조라면 모두 포함될 수 있다. 즉, 보호층(PASSI)은 수분 및 산소의 침투를 차단하기 위해 적어도 하나 이상의 무기막을 포함할 수 있으며, 다수의 무기막 적층 구조이거나, 하나 이상의 무기막과 유기막을 포함하는 적층 구조일 수 있다.
전술한 바와 같이, 게이트 절연막(GI) 및 보호막(PAS0)과 같은 무기 층들(IM)은 표시 영역(AA)을 덮도록 형성되며, 비 표시 영역(NA)의 일부에까지 연장되어 형성된다. 크랙 방지층(OM)은 비 표시 영역(NA)의 일부에까지 연장되어 배치된 무기 층들(IM) 특히, 에지부(Y)에 배치된 무기 층들(IM)을 덮도록 형성된다. 유기 물질을 포함하는 크랙 방지층(OM)은 무기 물질 대비 변형률이 높기 때문에, 무기 층들(IM)에 가해지는 외부 스트레스를 완화시킬 수 있다. 즉, 무기 물질을 포함하는 무기 층들(IM)은 유기 물질 대비 경도가 높아 약한 외부 스트레스에도 쉽게 크랙이 발생할 수 있으나, 본 발명은 유기 물질을 포함하는 크랙 방지층(OM)을 배치하여, 무기 층들(IM)의 크랙 발생을 줄일 수 있다.
따라서, 본 발명의 제1 실시예는 외부 스트레스에 노출되기 쉬운 에지부(Y)의 무기 층들(IM) 위에 유기물질을 포함하는 크랙 방지층(OM)을 형성함으로써, 미세 크랙 발생을 최소화한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 제1 실시예는 크랙 발생을 최소화함으로써, 내부 소자를 보호할 수 있어, 제품의 신뢰성 및 안정성을 확보할 수 있다.
<제2 실시예>
이하, 도 7 및 도 8을 참조하여, 본 발명의 제2 실시예를 설명한다. 본 발명의 제2 실시예는 제1 실시예와 대부분 동일하나, 크랙 방지층의 구조를 달리한다. 본 발명의 제2 실시예를 설명함에 있어서, 제1 실시예와 동일한 부분은 생략할 수 있으며, 본 발명의 특징인 크랙 방지층의 구조를 중심으로 설명한다. 도 7은 본 발명의 제2 실시예를 설명하기 위한 것으로, 도 4에서 Y 영역인 에지부의 구조를 나타낸 확대도이다. 도 8은 본 발명의 제2 실시예를 설명하기 위한 것으로, 도 4를 Ⅱ-Ⅱ'로 절취한 단면도이다.
도 7을 참조하면, 기판의 모서리 영역 즉, 에지부(Y)에는 무기 층들(IM) 및 크랙 방지층(OM)이 형성된다. 비 표시 영역(NA)에는 표시 영역(AA)에 형성된 무기 층들(IM)이 연장되어 형성된다. 즉, 무기 층들(IM)은 표시 영역(AA) 내부 소자를 수분 및 산소로부터 보호하기 위해 비 표시 영역(NA)에까지 연장되어 형성된다. 이때, 무기 층들(IM)은 표시 영역(AA)의 내부 소자를 형성할 때 도포되는 무기 물질이다. 예를 들어, 무기 층들(IM)은 무기 물질을 포함하는 게이트 절연막(GI) 및 보호막(PAS0)일 수 있다.
에지부(Y)에 형성된 무기 층들(IM)에는 기판(SUB)의 일부를 노출하는 홈(PTN)이 형성된다. 에지부(Y)에 형성된 무기 층들(IM)에는 적어도 하나 이상의 홈(PTN)이 형성될 수 있으며, 복수 개의 홈(PTN)들은 서로 이격되어 배치된다.
홈(PTN)이 형성된 무기 층들(IM)을 덮도록 크랙 방지층(OM)이 형성된다. 크랙 방지층(OM)은 에지부(Y)에 배치된 무기 층들(IM)의 상부 표면 및 가장자리 측벽을 덮도록 형성된다. 또한, 크랙 방지층(OM)은 무기 층들(IM)에 형성된 홈들을 메우도록 형성된다. 크랙 방지층(OM)은 무기물질에 비해 변형률이 크며, 내충격성이 강한 유기물질을 포함한다. 예를 들어, 크랙 방지층(OM)은 유기 물질을 포함하는 평탄화 막(PL) 및/또는 뱅크(BN)가 형성될 때 함께 형성될 수 있다.
좀 더 상세히 설명하기 위해, 도 8을 더 참조하면, 게이트 절연막(GI) 및 보호막(PAS0)과 같은 무기 층들(IM)은 표시 영역(AA)을 덮도록 형성되며, 비 표시 영역(NA)의 일부에까지 연장되어 형성된다. 이때, 에지부(Y)에 배치되며, 비 표시 영역(NA)의 일부에까지 연장된 무기 층들(IM)에는 기판(SUB)의 일부를 노출하는 홈(PTN)이 적어도 하나 이상 구비된다. 유기물질을 포함하는 크랙 방지층(OM)은 에지부(Y)에 배치된 무기 층들(IM)을 덮되, 무기 층들(IM)에 구비된 홈(PTN)들을 메우도록 형성된다. 이에 따라, 에지부(Y)에 배치된 무기 층들(IM) 및 크랙 방지층(OM)은 크랙 방지층/무기 층/크랙 방지층 순서로 서로 교번하여 배치된다.
본 발명의 제2 실시예는 에지부(Y)에 배치된 무기 층들(IM)을 패터닝하고, 무기 층들(IM)을 덮도록 크랙 방지층(OM)을 형성함으로써, 무기 층들(IM)에 가해지는 외부 스트레스를 완화시킬 수 있다. 또한, 크랙 방지층(OM)과 무기층(IM)이 서로 교번하여 배치됨에 따라 외부 스트레스를 분산시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 제2 실시예는 무기 층들(IM)에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 이미 발생한 크랙의 전파 속도를 줄여 소자 열화 속도를 늦출 수 있다. 본 발명의 제2 실시예는 크랙에 의한 소자 불량을 방지할 수 있어, 제품의 신뢰성 및 안정성이 확보된 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치를 제공할 수 있다.
<제3 실시예>
이하, 도 9를 참조하여, 본 발명의 제3 실시예를 설명한다. 본 발명의 제3 실시예를 설명함에 있어서, 전술한 실시예들과 동일한 부분은 생략할 수 있으며, 본 발명의 특징인 크랙 방지층의 구조를 중심으로 설명한다. 도 9는 본 발명의 제3 실시예를 설명하기 위한 것으로, 도 4를 Ⅱ-Ⅱ'로 절취한 단면도이다.
도 9를 참조하면, 게이트 절연막(GI) 및 보호막(PAS0)과 같은 무기 층들(IM)은 표시 영역(AA)을 덮도록 형성되며, 비 표시 영역(NA)의 일부에까지 연장되어 형성된다. 무기 층들(IM)의 하부 및/또는 무기 층들(IM)의 사이에는 금속 층(MM)이 더 형성된다. 금속 층(MM)은 표시 영역(AA)에 게이트 전극(SG, DG) 및/또는 소스/드레인 전극(SS, DS, SD, DD)을 형성할 때 함께 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 9에 도시된 바와 같이 금속 층(MM)은 게이트 전극(SG, DG)이 형성될 때 게이트 전극 물질로 무기 층들(IM)하부에 형성될 수 있다.
적층된 금속 층(MM)과 무기 층들(IM)에는 기판(SUB)의 일부를 노출하는 홈(PTN)이 적어도 하나 이상 구비된다. 유기 물질을 포함하는 크랙 방지층(OM)은 무기 층들(IM) 및 금속 층(MM)에 구비된 홈(PTN)들을 메우도록 형성된다. 크랙 방지층(OM)은 유기 물질을 포함하는 평탄화 막(PL) 및/또는 뱅크(BN)가 형성될 때 함께 형성될 수 있다.
본 발명의 제3 실시예에서는 무기 층들(IM)에 금속 층(MM)을 더 적층하기 때문에 무기 층들(IM)만 형성된 제2 실시예보다 더 높은 층이 형성된다. 이에 따라, 홈(PTN)을 메우도록 형성된 크랙 방지층(OM)의 높이는 무기 층들(IM)과 금속 층(MM)이 적층된 높이와 거의 동일하도록 형성될 수 있다.
예를 들어, 크랙 방지층(OM)은 홈(PTN)을 메우되, 적층된 금속 층(MM)과 무기 층들(IM)의 상부를 살짝 덮도록 형성될 수 있다. 또는, 크랙 방지층(OM)의 높이가 적층된 금속 층(MM)과 무기 층들(IM)의 높이와 동일하도록 형성될 수 있으며, 더 낮은 높이로 형성될 수도 있다.
본 발명의 제3 실시예는 무기 층들(IM)과 금속 층(MM)이 적층된 높이를 홈(PTN)에 형성된 크랙 방지층(OM)의 높이와 거의 동일하도록 형성함으로써, 크랙 방지층(OM)을 따라 유입될 수 있는 수분 및 산소를 최대한 차단할 수 있다. 즉, 유기 물질을 포함하는 크랙 방지층(OM)은 수분 및 산소에 취약할 수 있다. 이를 방지하기 위해, 본 발명의 제3 실시예는 적층된 금속 층(MM)과 무기 층들(IM)의 상부에 배치된 크랙 방지층(OM)의 두께를 최소화하거나, 적층된 금속 층(MM)과 무기 층들(IM)의 상부에 크랙 방지층(OM)이 배치되지 않도록 하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 본 발명의 제3 실시예는 수분 및 산소가 크랙 방지층(OM)을 따라 내부로 유입되는 것을 방지함으로써, 내부 소자를 보호할 수 있는 효과를 더 갖는다.
<제4 실시예>
이하, 도 10a 및 도 10b를 참조하여, 본 발명의 제4 실시예에 의한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치를 설명한다. 도 10a 및 도 10b는 본 발명의 제2 실시예 및 제3 실시예에서 에지부에 형성된 홈의 형상을 설명하기 위한 도면들이다.
제2 실시예 및 제3 실시예에 의한 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치의 에지부(Y)에서는 무기 층들(IM), 혹은 적층된 무기 층들(IM)과 금속 층(MM)에 홈(PTN)이 형성된다. 홈(PTN)은 정방형, 장방형, 크랭크형, 요철형을 포함하는 다양한 평면 도형 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 홈(PTN)은 도 7에 도시된 바와 같이 장방형으로 형성될 수 있고, 도 10a 와 같이 크랭크형으로 형성될 수 있다. 또한, 홈(PTN)은 도 10b와 같이 사선 방향으로 형성될 수도 있다. 홈(PTN)의 형상은 전술한 예에 한정되는 것은 아니며, 외부 스트레스를 효과적으로 분산시켜 크랙의 전파를 방지할 수 있는 형상이라면 모두 포함될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예들을 설명함에 있어서, 바텀 게이트 구조를 갖는 박막 트랜지스터가 배치된 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치를 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명은 탑 게이트 구조 등 다양한 구조의 박막 트랜지스터가 배치된 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치들을 포함할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양하게 변경 및 수정할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.
SUB : 기판 AA : 표시 영역
NA : 비 표시 영역 IM : 무기 층
OM : 크랙 방지층 MM : 금속 층
X,Y : 에지부 PTN : 홈
BA : 밴딩 영역 GI : 게이트 절연막
PAS0 : 보호막 PL : 평탄화 막
BN : 뱅크

Claims (10)

  1. 표시 영역과, 상기 표시 영역을 둘러싼 비 표시 영역을 포함한 기판;
    상기 표시 영역 전체를 덮고, 상기 비 표시 영역의 일부까지 연장된 무기 층; 및
    상기 비 표시 영역의 에지부에 배치되며, 상기 무기 층의 상부 표면 및 측벽을 덮고, 유기 물질을 포함한 크랙 방지층을 구비하는 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 에지부에 배치된 상기 무기 층은 상기 기판의 일부를 노출하는 홈을 구비하며,
    상기 크랙 방지층은 상기 무기 층을 덮고 상기 홈을 메우는 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 무기 층은 적어도 두 개 이상의 상기 홈을 구비하며, 상기 홈들은 각각 일정거리 이격되어 배치된 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 홈의 평면 형상은 정방형, 장방형, 크랭크형, 요철형을 포함하는 평면 도형 형상인 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 에지부에 배치되며, 상기 무기 층의 사이 및 상기 무기 층 하부 중 적어도 어느 하나 이상에 배치된 금속 층을 더 포함하고,
    적층된 상기 무기 층과 상기 금속 층은 상기 기판의 일부를 노출하는 홈을 구비하며,
    상기 크랙 방지층은 상기 무기 층과 상기 금속 층을 덮고, 상기 홈을 메우는 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 크랙 방지층은 상기 에지부의 외부로 연장되어, 인접하는 상기 크랙 방지층과 연결된 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 표시 영역에는 박막트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터를 덮는 평탄화 막, 상기 박막트랜지스터에 연결되며 상기 평탄화 막 위에 배치된 애노드 전극, 상기 애노드 전극에서 발광 영역을 정의하는 뱅크, 상기 뱅크에 의해 노출된 애노드 전극 위에 적층된 유기 발광 층 및 캐소드 전극이 배치되고,
    상기 크랙 방지층은 유기 물질을 포함하는 상기 평탄화 막, 및 상기 뱅크 중 적어도 어느 하나 이상인 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 크랙 방지층은 상기 평탄화 막, 및 상기 뱅크 중 적어도 어느 하나 이상이 상기 비 표시 영역에까지 연장되어 배치된 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치.
  9. 표시 영역과, 상기 표시 영역을 둘러싼 비 표시 영역을 포함한 기판;
    상기 표시 영역 전체를 덮고, 상기 비 표시 영역의 일부까지 연장된 무기 층;
    상기 비 표시 영역의 에지부에 배치되며, 상기 무기 층의 사이 및 상기 무기 층의 하부 중 적어도 어느 하나 이상에 배치된 금속 층; 및
    상기 에지부에 배치되며, 유기 물질을 포함한 크랙 방지층을 구비하고,
    적층된 상기 무기 층과 상기 금속 층은 상기 기판의 일부를 노출하는 홈을 구비하며, 상기 크랙 방지층은 상기 홈을 메우는 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 크랙 방지층의 높이는, 적층된 상기 무기 층과 상기 금속 층의 높이와 동일하거나 낮은 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치.
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