CN110416266B - 显示基板及包含其的显示面板 - Google Patents

显示基板及包含其的显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN110416266B
CN110416266B CN201910688029.6A CN201910688029A CN110416266B CN 110416266 B CN110416266 B CN 110416266B CN 201910688029 A CN201910688029 A CN 201910688029A CN 110416266 B CN110416266 B CN 110416266B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
display substrate
region
display
sub
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910688029.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110416266A (zh
Inventor
薛金祥
王国强
孙中元
刘文祺
倪静凯
隋凯
王小芬
周翔
董超
袁广才
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201910688029.6A priority Critical patent/CN110416266B/zh
Publication of CN110416266A publication Critical patent/CN110416266A/zh
Priority to US17/279,872 priority patent/US11871606B2/en
Priority to PCT/CN2020/103622 priority patent/WO2021017986A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110416266B publication Critical patent/CN110416266B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED

Abstract

本申请提供一种显示基板及包含其的显示面板,用以解决现有技术中的显示单元的封装层的封装边缘尺寸过大的问题。该显示基板包括依次层叠设置的基底、薄膜晶体管、多个发光器件,以及设置在薄膜晶体管上且覆盖发光器件的封装层,显示基板包括显示区域以及环绕显示区域的非显示区域,多个发光器件位于显示区域,封装层靠近多个发光器件的一侧设置有介质层,且介质层位于非显示区域的部分中靠近封装层的一面沿显示基板的厚度方向开设有多个第一凹槽,封装层靠近介质层一侧设有多个凸起结构,凸起结构与第一凹槽对应设置,且凸起结构在基底上的正投影位于相对应的第一凹槽在基底上的正投影内。该显示面板包括上述的显示基板。

Description

显示基板及包含其的显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及包含其的显示面板。
背景技术
当前具有弯曲、可折叠的OLED柔性显示面板正在被积极的开发中,而更进一步的,可改变形状的可拉伸显示面板也是未来显示技术发展方向。
可改变形状的可拉伸显示面板一般包括显示单元以及连接于相邻的两个显示单元之间的连接单元,在显示器件中整个器件的显示由显示单元上的像素进行显示,显示单元的封装层的封装边缘尺寸越大,则相邻的显示单元上的像素的间距越大,显示效果则越差,目前所使用的封装层的封装边缘尺寸在700um以上,在拉伸显示器件中无法使用,因此如何减小封装层的封装边缘尺寸是急需解决的问题。
发明内容
本发明提供一种显示基板及包含其的显示面板,以达到减小显示封装层的边缘封装的效果。
根据本发明实施例的第一方面,提供一种显示基板。所述显示基板包括依次层叠设置的基底、薄膜晶体管、多个发光器件,以及设置在所述薄膜晶体管上且覆盖所述发光器件的封装层,所述显示基板包括显示区域以及环绕所述显示区域的非显示区域,多个所述发光器件位于所述显示区域,所述封装层靠近多个所述发光器件的一侧设置有介质层,且所述介质层位于所述非显示区域的部分中靠近所述封装层的一面沿所述显示基板的厚度方向开设有多个第一凹槽,所述封装层靠近所述介质层一侧设有多个凸起结构,所述凸起结构与所述第一凹槽对应设置,且所述凸起结构在所述基底上的正投影位于相对应的所述第一凹槽在所述基底上的正投影内。
可选的,所述封装层的凸起结构位于相对应的所述第一凹槽内。
可选的,所述基底分为多个像素区域、以及位于所述像素区域之间的非像素区域;其中,多个所述像素区域呈阵列分布且彼此分隔开,每一所述像素区域均设有所述薄膜晶体管、多个所述发光器件以及所述介质层;所述非像素区域包括连接区域和开孔区域,所述连接区域连接于相邻的两个所述像素区域之间,所述连接区域内设有信号连接线,所述信号连接线的两端分别与相邻的两个所述像素区域的信号控制线连接,所述开孔区域位于所述连接区域与所述像素区域之间,所述开孔区域为镂空结构,所述封装层位于所述像素区域和所述连接区域内。
可选的,所述像素区域还包括阻隔件,所述阻隔件至少位于所述像素区域靠近所述连接区域的一侧,所述介质层上开设有固定槽,所述阻隔件的一端设置于所述介质层的所述固定槽中,另一端向远离所述介质层的方向延伸,所述封装层覆盖于所述阻隔件上。
可选的,所述阻隔件沿所述像素区域的周缘设置。
可选的,所述阻隔件沿所述显示基板的厚度方向包括相连接的第一子部和第二子部,所述第一子部位于所述介质层的所述固定槽中,所述第二子部的一端与所述第一子部连接,另一端向远离所述第一子部的方向延伸,所述第二子部的高度不小于位于所述连接区域的所述封装层的厚度。
可选的,所述第二子部中靠近所述第一子部一侧的面的宽度小于所述第二子部中远离所述第一子部一侧的面的宽度。
可选的,所述第二子部沿所述显示基板的厚度方向的截面形状为倒梯形。
可选的,所述第二子部的高度不小于2um。
可选的,所述连接区域还设有第一信号线保护层和第二信号线保护层,所述第一信号线保护层位于所述信号连接线的顶面,所述第二信号线保护层位于所述信号连接线的底面。
可选的,所述基底上的所述像素区域和所述连接区域均设有绝缘层,所述薄膜晶体管设于所述像素区域的绝缘层上,所述第二信号线保护层设于所述连接区域的绝缘层上。
可选的,所述绝缘层为无机材料,所述连接区域的绝缘层上开设有第二凹槽,所述第二信号线保护层位于所述第二凹槽内,所述第二凹槽的深度小于或等于位于所述连接区域的所述绝缘层的厚度。
可选的,所述显示基板还包括保护层,所述保护层覆设于所述介质层、至少部分所述发光器件的阴极搭接层、至少部分所述发光器件的平坦化层、所述发光器件的像素界定层、以及所述第一信号线保护层上。
可选的,所述保护层形成有第三凹槽,所述第三凹槽对应于所述介质层的第一凹槽设置,所述封装层的凸起结构位于相对应的所述第三凹槽内。
可选的,所述显示基板还包括底面保护层,所述底面保护层设于所述基底的下方。
可选的,所述底面保护层通过粘接层固定于所述基底的下方。
可选的,所述第一凹槽的深度为所述介质层的厚度的70%-100%。
可选的,多个所述第一凹槽间隔分布。
可选的,所述介质层的材质为绝缘材料。
根据本发明实施例的第二方面,提供一种显示面板,所述显示面板包括如上所述的显示基板。
上述实施例的显示基板及包含其的显示面板,通过封装层靠近多个发光器件的一侧设置有介质层,并在介质层上设置凹槽,以在形成封装层时能够通过该凹槽形成凸起结构,从而有效增加介质层和显示封装层之间的接触界面,从而达到减小显示封装层的边缘封装的效果;同时也增加水氧侵蚀路径,提高了封装的效果。
附图说明
图1是实施例1的显示基板的局部剖面结构示意图。
图2是实施例2的显示基板的局部俯视结构示意图。
图3是图2中沿t-t’方向的剖面结构示意图。
图4是图2中沿o-o’方向的剖面结构示意图。
图5是实施例2的显示基板的第一种情况的局部剖面结构示意图。
图6是实施例2的显示基板的第二种情况的局部剖面结构示意图。
图7是实施例2的显示基板的去除封装层和阻隔件后的局部俯视结构示意图。
图8是实施例2的显示基板的去除封装层后的局部俯视结构示意图。
图9是实施例2的另一实施方式的显示基板的去除封装层后的局部俯视结构示意图。
附图标记说明
显示基板1
基底10
薄膜晶体管20
缓冲层21
有源层22
栅绝缘层23
第一栅绝缘层231
第二栅绝缘层232
栅极24
第一栅极241
第二栅极242
层间绝缘层25
源极26
漏极27
信号控制线28
发光器件30
阳极31
像素界定层32
发光层33
阴极34
阴极搭接层35
平坦化层36
封装层40
凸起结构41
介质层51
第一凹槽511
固定槽512
保护层53
第三凹槽54
绝缘层60
第二凹槽61
底面保护层71
粘接层72
阻隔件80
第一子部81
第二子部82
信号连接线91
第一信号线保护层92
第二信号线保护层93
显示区域a1
非显示区域a2
像素区域A
非像素区域B
连接区域B1
开孔区域B2
显示基板的厚度方向T
第二凹槽的深度h
绝缘层的厚度H
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明,其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时,除非另有表示,不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反,它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置的例子。
在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本申请。除非另作定义,本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请说明书以及权利要求书中使用的“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同,并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而且可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“多个”包括两个,相当于至少两个。在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解,本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
实施例1
请结合图1予以理解,本实施案例提供一种显示基板1。显示基板1包括依次层叠设置的基底10、薄膜晶体管20、多个发光器件30,以及设置在薄膜晶体管20上且覆盖发光器件30的封装层40。显示基板1包括显示区域a1以及环绕显示区域a1而形成的非显示区域a2。非显示区域a2可以位于显示区域a1的一侧,也可以位于显示区域a1的多侧,此不做进一步具体限定。多个发光器件30位于显示区域a1,图1中只展示了多个发光器件30的其中一个发光器件30。封装层40靠近多个发光器件30的一侧设置有介质层51,且介质层51位于非显示区域a2的部分中靠近封装层40的一面沿显示基板的厚度方向T开设有多个第一凹槽511,封装层40靠近介质层51一侧设有多个凸起结构41,凸起结构41与第一凹槽511对应设置,且封装层40的凸起结构41位于相对应的第一凹槽511内。这样,通过在薄膜晶体管20与封装层40之间设置介质层51,并在介质层51上设置第一凹槽511,以在形成封装层40时能够通过第一凹槽511形成凸起结构41,可以有效增加介质层51和显示封装层40之间的接触界面,从而达到减小显示封装层40的边缘封装的效果;同时也增加水氧侵蚀路径,提高了封装的效果。
在本实施例中,介质层51的材质为绝缘材料。这样,通过设置介质层51的材质为绝缘材料,以具有绝缘性能。具体地,介质层51的材料可以为SiOx、SiONx、SiNx等单层或者多层无机层;或者可以为无机半导体材料(如非晶硅和多晶硅)、以及有机半导体材料;或者可以为含氧化物半导体材料(12、13、14族金属元素中的氧化物,如Zn、In、Ga等)。
在本实施例中,第一凹槽511的深度为介质层51的厚度的70%-100%。这样,通过设置第一凹槽511的深度,能够更加有效地增加介质层51和显示封装层40之间的接触界面。多个第一凹槽511间隔分布。这样,能够保证介质层51的结构稳定。
在本实施例中,对基底10不进行限定,基底10可以是一个衬底基板;也可以是由衬底基板和设置在衬底基板上的膜层构成。衬底基板可以是刚性基板,也可以是柔性基板。
薄膜晶体管20包括缓冲层21、有源层22、栅绝缘层23、栅极24、层间绝缘层25以及源极26、漏极27,漏极27和源极26均与有源层22连接。缓冲层21设置在基底10上,薄膜晶体管20的其他膜层设置在缓冲层21上。其中,栅绝缘层23包括第一栅绝缘层231和第二栅绝缘层232;栅极24包括第一栅极241和第二栅极242。
薄膜晶体管20的缓冲层21、薄膜晶体管20的栅绝缘层23、薄膜晶体管20的层间绝缘层25的材料均可以为SiOx、SiONx、SiNx等单层或者多层无机层;或者可以为无机半导体材料(如非晶硅和多晶硅)、以及有机半导体材料;或者可以为含氧化物半导体材料(12、13、14族金属元素中的氧化物,如Zn、In、Ga等)。薄膜晶体管20的栅极24、薄膜晶体管20的源极26、薄膜晶体管20的漏极27的材料均可以为Ti、Al、Mo、Ag等导电金属或者ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO、AZO等导电氧化物;混有导电颗粒的橡胶等具有高延展性的导电材料,碳纳米管等。
发光器件30包括阳极31、像素界定层32、发光层33以及阴极34。薄膜晶体管20的漏极27与发光器件30的阳极31电连接。发光器件30的阴极34通过阴极搭接层35连接信号控制线28。信号控制线28可以为阴极信号控制线,也可以为其他信号控制线。
发光器件30的阳极31、发光器件30的阴极34以及阴极搭接层35的材料均可以为Ti、Al、Mo、Ag等导电金属或者ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO、AZO等导电氧化物。光器件的像素界定层32的材料可以为选自基于聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯的聚合物、基于苯酚基团的聚合物和衍生物,基于亚克力的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于芳醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟化物的聚合物、基于对二甲苯的聚合物乙烯醇的聚合物中的至少一种。发光器件30的发光层33的材料可以为磷光、荧光发光材料。
基于上述,发光器件30还可以包括平坦化层36,平坦化层36靠近薄膜晶体管20设置,平坦化层36用于确保发光器件30发出的光均匀。平坦化层36的材料可以为选自基于聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯的聚合物、基于苯酚基团的聚合物和衍生物,基于亚克力的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于芳醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟化物的聚合物、基于对二甲苯的聚合物乙烯醇的聚合物中的至少一种。平坦化层36可以通过旋涂形成膜层,再通过光刻图案化形成。
显示基板1还可以包括绝缘层60,绝缘层60设置在基底10和薄膜晶体管20之间。绝缘层60的材料可以为SiOx、SiONx、SiNx等单层或者多层无机层;或者可以为无机半导体材料(如非晶硅和多晶硅)、以及有机半导体材料;或者可以为含氧化物半导体材料(12、13、14族金属元素中的氧化物,如Zn、In、Ga等)。
显示基板1还包括底面保护层71,底面保护层71通过粘接层72固定于基底10的下方。底面保护层71的材质为弹性材料,具体地,底面保护层71的材料可选用二甲基硅氧烷、聚酰亚胺、PET等具有高弹性的材料。粘接层72可采用OCA光学胶,材料可选用亚克力系、硅系等胶材。
在本实施例中,封装层40为薄膜封装层。封装层40的结构包括依次叠放的第一亚层、第二亚层和第三亚层,其中,第一亚层和第三亚层的材料为无机物,第一亚层和第三亚层的材料可以为SiOx、SiONx、SiNx等单层或者多层无机层,或者铝氧化物、铝氮化物、钛氮化物、钛氮化物等致密膜层。第二亚层的材料为有机物,第二亚层的材料可为聚甲基丙烯酸酯,聚碳酸酯、亚克力系树脂、环氧树脂等材料,可通过打印或者涂布光刻等方式图案化。
本实施例还提供一种显示面板,所述显示面板包括如上的显示基板1。
实施例2
请结合图2至图9予以理解,本实施案例提供一种显示基板1。显示基板1包括依次层叠设置的基底10、薄膜晶体管、多个发光器件,以及设置在所述薄膜晶体管上且覆盖所述发光器件的封装层40。基底10分为多个像素区域A、以及位于像素区域A之间的非像素区域B。多个像素区域A呈阵列分布且彼此分隔开。像素区域A包括显示区域a1以及环绕显示区域a1而形成的非显示区域a2,多个所述发光器件位于显示区域a1,图3中只展示了多个发光器件的其中一个发光器件。封装层40靠近多个发光器件30的一侧设置有介质层51,且介质层51位于非显示区域a2的部分中靠近封装层40的一面沿显示基板1的厚度方向T开设有多个第一凹槽511,封装层40靠近介质层51一侧设有多个凸起结构41,凸起结构41与第一凹槽511对应设置,且封装层40的凸起结构41在基底10上的正投影位于相对应的介质层51的第一凹槽511在基底10上的正投影内。
这样,通过在所述薄膜晶体管与所述封装层之间设置介质层51,并在介质层51上设置第一凹槽511,可以有效增加介质层51和显示封装层40之间的接触界面,从而达到减小显示封装层40的边缘封装的效果;同时也增加水氧侵蚀路径,提高了封装的效果。关于介质层51以及介质层51的第一凹槽511的相关内容在实施例1中已经详述,在此不再累述;同样,关于薄膜晶体管与发光器件的相关内容在实施例1中已经详述,在此也不再累述。
在非像素区域B包括连接区域B1和开孔区域B2。连接区域B1连接于相邻的两个像素区域A之间,连接区域B1内设有信号连接线91,信号连接线91的两端分别与相邻的两个像素区域A的信号控制线28连接,如图4所示。信号控制线28可以为阴极信号控制线,也可以为其他信号控制线。信号连接线91与信号控制线28的材料均可以为Ti、Al、Mo、Ag等导电金属或者ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO、AZO等导电氧化物。
开孔区域B2位于连接区域B1与像素区域A之间,开孔区域B2为镂空结构,封装层40位于像素区域A和连接区域B1内。在本实施例中,通过设置显示基板1的具体结构以实现显示基板1的拉伸,从而显示基板1为可拉伸结构,包括该显示基板1的显示面板为可拉伸显示面板。通过设置开孔区域B2为镂空结构,也就是说开孔区域B2不设置膜层结构,从而能够更好地实现显示基板1的拉伸,而且,通过设置开孔区域B2为镂空结构,可释放拉伸时显示基板1受到的应力,减小应变量。
较佳地,基底10的材质为柔性材料,所述柔性材料为聚酰亚胺、PET、金属中的一种。这样,通过设置基底10的材质为柔性材料,而能够实现可拉伸效果。
像素区域A还包括阻隔件80,阻隔件80至少位于像素区域A靠近连接区域B1的一侧,介质层51上开设有固定槽512,阻隔件80的一端设置于介质层51的固定槽512中,另一端向远离介质层51的方向延伸,封装层40覆盖于阻隔件80上。
在本实施例中,如图7中所示,通过移去封装层40以及阻隔件80,以便于更好地展示第一凹槽511和固定槽512在介质层51上的分布方式,第一凹槽511沿像素区域A的周缘设置,由像素区域A的外周缘向内部设置多个第一凹槽511,固定槽512设置在最外侧的第一凹槽511的外侧,但不限于此,也可以设置在其他位置以对应阻隔件80的设置。在图7中仅展示了两个第一凹槽511,但不限于此,也可以设置三个、四个或者五个等其他数量的第一凹槽511。
如图8所示,通过移去封装层40,以便于更好地展示阻隔件80的结构,可以从图中看出,阻隔件80位于像素区域A靠近连接区域B1的一侧,且位于像素区域A与连接区域B1的邻接的位置,固定槽512与最外侧的第一凹槽511重合。这样,通过设置阻隔件80,能够防止显示基板1在拉伸过程中在连接区域B1产生的断裂进入像素区域A。这是因为,在拉伸显示基板1的过程中,拉伸应力集中于连接区域B1上,连接区域B1上会产生断裂,如若该断裂进入像素区域A,会导致像素区域A内的器件失效,影响显示基板1的整体工作,而在本技术方案中,通过在像素区域A与连接区域B1的连接处设置阻隔件80,能够有效地防止该断裂从连接区域B1进入像素区域A,从而起到了保护像素区域A中的器件的有益效果。另外,通过阻隔件80的一端设置于介质层51的固定槽512中,以起到固定阻隔件80的有益效果。
在本实施例中的另一实施方式中,如图9所示,阻隔件80可以沿像素区域A的周缘设置,即,阻隔件80不仅位于像素区域A靠近连接区域B1的一侧还沿像素区域A的周缘形成封闭结构。这样,能够更好地起到保护像素区域A中的器件的有益效果。
在本实施例中,具体地,阻隔件80沿显示基板1的厚度方向T包括相连接的第一子部81和第二子部82,第一子部81位于介质层51的第一凹槽511中,第二子部82的一端与第一子部81连接,另一端向远离第一子部81的方向延伸,第二子部82的高度不小于位于连接区域B1的封装层40的厚度。这样,通过设置阻隔件80的具体结构,以达到有效阻隔显示基板1在拉伸过程中在连接区域B1产生的断裂进入像素区域A的效果;并且,通过设置第二子部82的高度不小于位于连接区域B1的封装层40的厚度,以更好地防止在连接区域B1形成的断裂进入的像素区域A,如若第二子部82的高度小于连接区域B1的封装层40的厚度,则无法形成较有效的高度差以阻止连接区域B1形成的断裂沿封装层40进入的像素区域A的效果。
较佳地,第二子部82中靠近第一子部81一侧的面的宽度小于第二子部82中远离第一子部81一侧的面的宽度。这样,通过设置第二子部82中靠近第一子部81一侧的面的的宽度小于第二子部82中远离第一子部81一侧的面的宽度,从而使第二子部82的侧面形成斜面,能够使封装层40在形成过程中沿该斜面沉积,从而形成更加有效的阻隔形状。
可选的,第二子部82沿显示基板1的厚度方向的截面形状为倒梯形。这样,通过设置第二子部82的截面形状为倒梯形,能够使封装层40在形成过程中沿该倒梯形的斜面沉积,从而形成更加有效的阻隔形状。
第二子部82的高度不小于2um。这样,通过设置第二子部82的高度不小于2um,能够起到更好地阻隔显示基板1在拉伸过程中在连接区域B1产生的断裂进入像素区域A的效果。
在本实施例中,阻隔件80包括选自基于聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯的聚合物、基于苯酚基团的聚合物和衍生物,基于亚克力的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于芳醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟化物的聚合物、基于对二甲苯的聚合物乙烯醇的聚合物中的至少一种;或者,阻隔件80的材料为负性光刻胶。
连接区域B1还设有第一信号线保护层92和第二信号线保护层93,第一信号线保护层92位于信号连接线91的顶面,第二信号线保护层93位于信号连接线91的底面。这样,通过设置第一信号线保护层92和第二信号线保护层93,能够避免在连接区域B1的无机层发生脆性断裂时导致信号连接线91的断裂,从而对信号连接线91起到更好地保护作用。
第一信号线保护层92和第二信号线保护层93的均可以选自基于聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯的聚合物、基于苯酚基团的聚合物和衍生物,基于亚克力的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于芳醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟化物的聚合物、基于对二甲苯的聚合物乙烯醇的聚合物中的至少一种。在拉伸显示基板1时,连接区域B1的断裂通常产生在无机材料的层结构中,而不易产生在有机材料的层结构中,这样,通过设置第一信号线保护层92和第二信号线保护层93为有机材料层,对中间的信号连接线91进行保护,防止无机层脆性断裂时导致信号连接线91的断裂。第一信号线保护层92和第二信号线保护层93均可以通过旋涂形成膜层,再通过光刻图案化形成。
在本实施例中,基底10上的像素区域A和连接区域B1均设有绝缘层60,薄膜晶体管设于像素区域A的绝缘层60上,第二信号线保护层93设于连接区域B1的绝缘层60上。所述绝缘层为无机材料。连接区域B1的绝缘层60上开设有第二凹槽61,第二信号线保护层93位于第二凹槽61内,第二凹槽61的深度h小于或等于位于连接区域B1的绝缘层60的厚度H。如上所述,在拉伸显示基板1时,连接区域B1的断裂通常产生在无机材料的层结构中,而不易产生在有机材料的层结构中,这样,通过设置第二凹槽61,以达到减薄或者去除连接区域B1的无机材料的绝缘层60的目的,而到达防止拉伸时显示基板1在拉伸过程中在连接区域B1产生的断裂进入像素区域A的效果。
显示基板1还包括保护层53,保护层53覆设于介质层51、至少部分发光器件的阴极搭接层35、至少部分发光器件的平坦化层36、发光器件的像素界定层32、以及第一信号线保护层92上。保护层53也可以覆设于阻隔件80上。这样,通过设置保护层53,能够在刻蚀形成镂空区域时,起到保护位于保护层53下方的层结构的有益效果。保护层53的材质可以为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅等无机绝缘材料。需要说明的是,在制作显示基板1的过程中,首先保护层53会覆盖裸露在外的发光器件的阴极搭接层35以及发光器件的平坦化层36,在完成刻蚀镂空区域后,会将位于发光器件的阴极搭接层35以及发光器件的平坦化层36上的部分保护层53除去,以便继续制作上面的层结构。
保护层53形成有第三凹槽54,第三凹槽54对应于介质层51的第一凹槽511设置,封装层40的凸起结构41位于相对应的第三凹槽54内。在形成保护层53的过程中,由于介质层51开设有第一凹槽511,因此保护层53会在介质层51的第一凹槽511的位置形成第三凹槽54,而后,在形成封装层40时,封装层40能够通过第三凹槽54形成凸起结构41,而封装层40的凸起结构41在基底10上的正投影位于相对应的介质层51的第一凹槽511在基底10上的正投影内。
具体包括两种情况:第一种情况,如图5所示,保护层53的第三凹槽54的底面低于介质层51的顶面,从而封装层40的凸起结构41不仅位于保护层53的第三凹槽54内,还部分位于介质层51的第一凹槽511中;第二中情况,如图6所示,保护层53的第三凹槽54的底面高于介质层51的顶面,从而封装层40的凸起结构41仅位于保护层53的第三凹槽54内。可以从图5及图6中看出,不管哪中情况,封装层40的凸起结构41在基底10上的正投影位于相对应的介质层51的第一凹槽511在基底10上的正投影内;同样,如实施例1中的显示基板1的结构,在显示基板1不包括保护层53的情况下,封装层40的凸起结构41直接形成在介质层51的第一凹槽511中,也属于封装层40的凸起结构41在基底10上的正投影位于相对应的介质层51的第一凹槽511在基底10上的正投影内的情形之一。
显示基板1还包括底面保护层71,底面保护层71设于基底10的下方。这样,通过设置底面保护层71,能够更好地保护显示基板1的内部部件。底面保护层71的材质为弹性材料,所述弹性材料为二甲基硅氧烷、聚酰亚胺、PET中的一种。这样,通过设置底面保护层71的材质为弹性材料,而在不影响显示基板1拉伸的状态下,而实现对显示基板1的内部部件的保护。
底面保护层71通过粘接层72固定于像素区域A以及连接区域B1的下方。通过设置粘接层72而实现底面保护层71与基底10的固定。粘接层72可采用OCA光学胶,材料可选用亚克力系、硅系等胶材。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已,并不用以限制本申请,凡在本申请的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请保护的范围之内。

Claims (14)

1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括依次层叠设置的基底、薄膜晶体管、多个发光器件,以及设置在所述薄膜晶体管上且覆盖所述发光器件的封装层,所述显示基板包括显示区域以及环绕所述显示区域的非显示区域,多个所述发光器件位于所述显示区域,所述封装层靠近多个所述发光器件的一侧设置有介质层,且所述介质层位于所述非显示区域的部分中靠近所述封装层的一面沿所述显示基板的厚度方向开设有多个第一凹槽,所述封装层靠近所述介质层一侧设有多个凸起结构,所述凸起结构与所述第一凹槽对应设置,且所述凸起结构在所述基底上的正投影位于相对应的所述第一凹槽在所述基底上的正投影内;
所述基底分为多个像素区域、以及位于所述像素区域之间的非像素区域;其中,多个所述像素区域呈阵列分布且彼此分隔开,每一所述像素区域均设有所述薄膜晶体管、多个所述发光器件以及所述介质层;所述非像素区域包括连接区域和开孔区域,所述连接区域连接于相邻的两个所述像素区域之间,所述连接区域内设有信号连接线,所述信号连接线的两端分别与相邻的两个所述像素区域的信号控制线连接,所述开孔区域位于所述连接区域与所述像素区域之间,所述开孔区域为镂空结构,所述封装层位于所述像素区域和所述连接区域内;
所述显示基板还包括保护层,所述保护层覆设于所述介质层、至少部分所述发光器件的阴极搭接层、至少部分所述发光器件的平坦化层、所述发光器件的像素界定层上;所述阴极覆设于所述保护层上;
所述连接区域还设有第一信号线保护层和第二信号线保护层,所述第一信号线保护层位于所述信号连接线的顶面,所述第二信号线保护层位于所述信号连接线的底面;
所述保护层覆设于所述第一信号线保护层上;
所述介质层的材质为绝缘材料;
所述像素区域还包括阻隔件,所述阻隔件至少位于所述像素区域靠近所述连接区域的一侧,所述介质层上开设有固定槽,所述阻隔件的一端设置于所述介质层的所述固定槽中,另一端向远离所述介质层的方向延伸,所述封装层覆盖于所述阻隔件上;所述阻隔件沿所述像素区域的周缘设置。
2.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述封装层的凸起结构位于相对应的所述第一凹槽内。
3.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述阻隔件沿所述显示基板的厚度方向包括相连接的第一子部和第二子部,所述第一子部位于所述介质层的所述固定槽中,所述第二子部的一端与所述第一子部连接,另一端向远离所述第一子部的方向延伸,所述第二子部的高度不小于位于所述连接区域的所述封装层的厚度。
4.如权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第二子部中靠近所述第一子部一侧的面的宽度小于所述第二子中远离所述第一子部一侧的面的宽度。
5.如权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第二子部沿所述显示基板的厚度方向的截面形状为倒梯形。
6.如权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第二子部的高度不小于2um。
7.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述基底上的所述像素区域和所述连接区域均设有绝缘层,所述薄膜晶体管设于所述像素区域的绝缘层上,所述第二信号线保护层设于所述连接区域的绝缘层上。
8.如权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述绝缘层为无机材料,所述连接区域的绝缘层上开设有第二凹槽,所述第二信号线保护层位于所述第二凹槽内,所述第二凹槽的深度小于或等于位于所述连接区域的所述绝缘层的厚度。
9.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述保护层形成有第三凹槽,所述第三凹槽对应于所述介质层的第一凹槽设置,所述封装层的凸起结构位于相对应的所述第三凹槽内。
10.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括底面保护层,所述底面保护层设于所述基底的下方。
11.如权利要求10所述的显示基板,其特征在于,所述底面保护层通过粘接层固定于所述基底的下方。
12.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一凹槽的深度为所述介质层的厚度的70%-100%。
13.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,多个所述第一凹槽间隔分布。
14.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括如权利要求1-13中任意一项所述的显示基板。
CN201910688029.6A 2019-07-29 2019-07-29 显示基板及包含其的显示面板 Active CN110416266B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910688029.6A CN110416266B (zh) 2019-07-29 2019-07-29 显示基板及包含其的显示面板
US17/279,872 US11871606B2 (en) 2019-07-29 2020-07-22 Display substrate and display device
PCT/CN2020/103622 WO2021017986A1 (zh) 2019-07-29 2020-07-22 显示基板及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910688029.6A CN110416266B (zh) 2019-07-29 2019-07-29 显示基板及包含其的显示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110416266A CN110416266A (zh) 2019-11-05
CN110416266B true CN110416266B (zh) 2022-07-22

Family

ID=68363744

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910688029.6A Active CN110416266B (zh) 2019-07-29 2019-07-29 显示基板及包含其的显示面板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11871606B2 (zh)
CN (1) CN110416266B (zh)
WO (1) WO2021017986A1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110416266B (zh) 2019-07-29 2022-07-22 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及包含其的显示面板
EP4064358A4 (en) * 2019-11-20 2022-11-30 BOE Technology Group Co., Ltd. DISPLAY SUBSTRATE AND METHOD FOR MAKING IT, AND DISPLAY DEVICE
CN111162197B (zh) * 2020-01-02 2023-02-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN113937131A (zh) * 2020-06-29 2022-01-14 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
CN111799399B (zh) * 2020-07-21 2023-08-22 京东方科技集团股份有限公司 可拉伸显示面板及其制作方法
CN113972336B (zh) * 2020-07-24 2023-05-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN112071881B (zh) * 2020-09-09 2022-04-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
US20230363202A1 (en) * 2020-12-18 2023-11-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, display panel and display device
CN113054132B (zh) * 2021-03-09 2023-04-07 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置
KR20240004207A (ko) * 2021-04-30 2024-01-11 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 신축 가능한 디스플레이 기판 및 이의 제조 방법, 디스플레이 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203883009U (zh) * 2014-05-29 2014-10-15 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板
CN109346624A (zh) * 2018-11-27 2019-02-15 云谷(固安)科技有限公司 一种柔性显示面板以及柔性显示装置
CN109659444A (zh) * 2018-11-29 2019-04-19 昆山国显光电有限公司 显示面板及显示装置
CN109755412A (zh) * 2019-01-15 2019-05-14 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板、制作方法、柔性显示装置和电子器件
CN109841660A (zh) * 2019-02-14 2019-06-04 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板和显示装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102306003B1 (ko) * 2014-04-22 2021-09-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102414110B1 (ko) * 2015-09-07 2022-06-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102632615B1 (ko) * 2016-12-05 2024-02-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP2019003819A (ja) * 2017-06-14 2019-01-10 株式会社Joled 有機el表示パネル
CN107359275B (zh) 2017-07-27 2019-06-07 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示器件
CN207116481U (zh) * 2017-08-31 2018-03-16 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置
KR102503732B1 (ko) * 2017-11-30 2023-02-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN108258145B (zh) * 2018-01-16 2020-04-10 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
KR102316866B1 (ko) * 2018-01-17 2021-10-27 한국전자통신연구원 신축성 디스플레이
KR102522591B1 (ko) * 2018-02-05 2023-04-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN109103346B (zh) * 2018-08-17 2020-12-01 京东方科技集团股份有限公司 一种封装结构及显示面板
CN109461837A (zh) * 2018-10-17 2019-03-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled薄膜封装结构
CN109935730B (zh) 2019-03-28 2021-10-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110120463B (zh) * 2019-05-24 2022-05-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110289292B (zh) 2019-06-27 2022-04-15 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示装置和显示基板的制作方法
CN110416266B (zh) 2019-07-29 2022-07-22 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及包含其的显示面板

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203883009U (zh) * 2014-05-29 2014-10-15 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板
CN109346624A (zh) * 2018-11-27 2019-02-15 云谷(固安)科技有限公司 一种柔性显示面板以及柔性显示装置
CN109659444A (zh) * 2018-11-29 2019-04-19 昆山国显光电有限公司 显示面板及显示装置
CN109755412A (zh) * 2019-01-15 2019-05-14 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板、制作方法、柔性显示装置和电子器件
CN109841660A (zh) * 2019-02-14 2019-06-04 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN110416266A (zh) 2019-11-05
US11871606B2 (en) 2024-01-09
WO2021017986A1 (zh) 2021-02-04
US20220037621A1 (en) 2022-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110416266B (zh) 显示基板及包含其的显示面板
US11563034B2 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
CN107731866B (zh) 可拉伸显示装置
KR102480110B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US11309355B2 (en) Display device
CN106847857B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
US9164612B2 (en) Flexible touch display panel
KR102159792B1 (ko) 가요성 표시 장치 및 그 제조 방법
US11839101B2 (en) Display substrate and preparation method thereof, and display device
KR20200046221A (ko) 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치를 제조하기 위한 마스크
CN108091675B (zh) 显示基板及其制作方法
KR102372210B1 (ko) 표시 장치
KR20170071047A (ko) 플렉서블 표시장치
CN115188785A (zh) 显示设备
KR102612034B1 (ko) 유연 전자 소자
TW201532841A (zh) 顯示裝置
WO2015072749A1 (ko) 유기발광 디스플레이 장치
KR20160148102A (ko) 표시 장치
KR102175285B1 (ko) 표시 패널 및 표시 패널의 제조 방법
KR102130712B1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102239067B1 (ko) 유기전계 발광소자
US11793027B2 (en) Display panel and method for manufacturing the same, and display device
KR20170050848A (ko) 유기발광 표시장치
US20230363202A1 (en) Display substrate, display panel and display device
US20230288741A1 (en) Display device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant