WO2021017986A1 - 显示基板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种显示基板及显示装置。该显示基板具有显示区域以及位于所述显示区域的至少一侧的非显示区域；所述显示基板包括：基底；多个发光器件，位于所述显示区域内且设置在所述基底的一侧；以及，封装层，设置于所述多个发光器件的背离所述基底一侧，被配置为封装所述多个发光器件；所述封装层位于所述非显示区域内的部分的靠近所述基底的表面凹凸设置。

Description

显示基板及显示装置

本申请要求于2019年07月29日提交的、申请号为201910688029.6的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本公开中。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，柔性显示技术逐渐应用至各行各业。例如，在可穿戴显示装置中采用可拉伸显示基板。目前，可拉伸显示基板中的发光器件多采用有机电致发光二机管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)。由于发光器件的发光性能和使用寿命容易受外界环境的影响，因此，可拉伸显示基板中需要设置封装层，以对各发光器件进行良好的封装。

发明内容

一方面，提供一种显示基板。所述显示基板具有显示区域以及位于所述显示区域的至少一侧的非显示区域。所述显示基板包括：基底、多个发光器件以及封装层。所述多个发光器件位于所述显示区域内且设置在所述基底的一侧。所述封装层设置于所述多个发光器件的背离所述基底一侧，被配置为封装所述多个发光器件。所述封装层位于所述非显示区域内的部分的靠近所述基底的表面凹凸设置。

在一些实施例中，所述显示基板还包括介质层。所述介质层位于所述非显示区域内，且设置在所述基底与所述封装层之间。

在一些示例中，所述介质层的靠近所述封装层的部分具有多个第一凹槽。所述封装层的位于所述非显示区域内的部分具有多个第一凸起。所述多个第一凸起与所述多个第一凹槽一一对应，且每个第一凸起在所述基底上的正投影位于相对应的第一凹槽在所述基底上的正投影内。

在一些实施例中，所述显示基板具有多个像素区域、以及位于每个像素区域至少一侧的非像素区域。所述多个像素区域呈阵列状分布，每个像素区域均包括所述显示区域和所述非显示区域。所述非像素区域包括连接区域和开孔区域。所述显示基板还包括位于所述连接区域内的多条信号连接线。所述显示基板还包括位于所述每个像素区域内的多条信号控制线。每条信号连接线的至少一端与相邻像素区域内对应的信号控制线连接。所述基底、所述封装层、以及位于所述基底和所述封装层之间的薄膜三者的位于所述开孔区域内的部分镂空。所述封装层的位于所述连接区域内的部分位于所述多条信 号连接线的背离所述基底的一侧。

在一些实施例中，所述非显示区域位于同一个所述像素区域的所述显示区域和对应的所述连接区域之间。所述显示基板还包括位于所述非显示区域内的至少一个阻隔件。所述至少一个阻隔件设置在所述封装层的靠近所述基底的一侧，被配置为在所述封装层的位于所述连接区域内的部分产生形变裂纹的情况下，阻断所述形变裂纹从所述连接区域向所述显示区域传播。

在一些实施例中，所述显示基板包括所述介质层。所述介质层的靠近所述封装层的部分具有与所述至少一个阻隔件匹配设置的固定槽。每个阻隔件包括沿垂直于所述基底的方向相连接的第一子部和第二子部。所述第一子部位于对应的所述固定槽中。所述第二子部沿远离所述第一子部的方向延伸，且所述第二子部沿垂直于所述基底的方向的高度不小于所述封装层的位于所述连接区域的部分沿同一方向的厚度。

在一些实施例中，沿远离所述基底的方向，所述第二子部的沿平行于所述基底方向上的横截面的面积逐渐增大。

在一些实施例中，所述第二子部在第一方向上的纵截面的形状为倒梯形，所述第一方向为从所述非显示区域指向所述连接区域的方向。

在一些实施例中，所述第二子部沿垂直于所述基底的方向的高度为2μm-4μm。

在一些实施例中，至少一个阻隔件为环状阻隔件。所述环状阻隔件在所述基底上的正投影的内边界位于所述显示区域的外侧。

在一些实施例中，所述显示基板包括所述介质层。所述显示基板还包括至少一层绝缘层。所述至少一层绝缘层位于所述介质层与所述基底之间。所述至少一层绝缘层的位于所述开孔区域内的部分镂空。

所述显示基板还包括刻蚀保护层。所述刻蚀保护层位于所述介质层与所述封装层之间，且至少覆盖在所述介质层的靠近封装层的表面上。所述刻蚀保护层被配置为在镂空所述开孔区域的过程中对位于所述开孔区域外的薄膜进行刻蚀防护。

在一些实施例中，所述介质层具有第一凹槽。所述刻蚀保护层的靠近所述封装层的部分具有多个第二凹槽。所述多个第二凹槽与所述封装层的所述多个第一凸起一一对应，且每个第一凸起位于相对应的所述第二凹槽内。

在一些实施例中，所述显示基板还包括沿垂直于所述基底的方向设置于所述多条信号连接线两侧的第一信号线保护层和第二信号线保护层。所述第一信号线保护层和所述第二信号线保护层的材料为有机材料。

在一些实施例中，所述第二信号线保护层位于所述多条信号连接线的靠近所述基底的表面上。所述显示基板还包括位于所述基底和所述第二信号线保护层之间的阻挡层。所述阻挡层的材料为无机材料。所述阻挡层的位于所述连接区域内的部分的厚度小于所述阻挡层的位于所述像素区域内的部分的厚度。

在一些实施例中，所述阻挡层的位于所述连接区域内的部分具有第三凹槽。所述第二信号线保护层位于所述第三凹槽内。所述第三凹槽的深度小于或等于所述阻挡层的位于所述连接区域内的部分的厚度。

在一些实施例中，所述显示基板还包括底膜。所述底膜的材料为弹性材料。所述底膜通过粘接层固定于所述基底的背离所述封装层的表面上。

在一些实施例中，所述封装层的每个第一凸起位于相对应的第一凹槽内。

在一些实施例中，所述第一凹槽的深度为所述介质层的厚度的70％-100％。

在一些实施例中，至少一个所述第一凹槽为环形槽，所述环形槽对应的第一凸起为环形凸起。

在一些实施例中，所述介质层的材料为绝缘材料。

另一方面，提供一种显示装置。所述显示装置包括如上一些实施例所述的显示基板。

附图说明

为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。

图1为根据本公开一些实施例中的一种显示基板的结构示意图；

图2为图1所示的一种的显示基板的沿X轴方向的剖面示意图；

图3为图1所示的另一种显示基板的沿X轴方向的剖面示意图；

图4为图3所示的第一凹槽的分布示意图；

图5为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的结构示意图；

图6为图5所示的又一种显示基板的沿t-t’方向的剖面示意图；

图7为图5所示的又一种显示基板的沿o-o’方向的剖面示意图；

图8为图5所示的又一种显示基板的沿t-t’方向的剖面示意图；

图9为图5所示的又一种显示基板的沿o-o’方向的剖面示意图；

图10为图9中的C区域的放大示意图；

图11为根据本公开一些实施例中的一种固定槽的分布示意图；

图12为根据本公开一些实施例中的一种阻隔件的分布示意图；

图13为图12所示的一种阻隔件的沿s-s’方向的剖面示意图；

图14为根据本公开一些实施例中的另一种阻隔件的结构示意图；

图15为根据本公开一些实施例中的一种封装层的结构示意图；

图16为根据本公开一些实施例中的另一种封装层的结构示意图；

图17为根据本公开一些实施例中的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。

以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在描述一些实施例时，可能使用了“耦接”和“连接”及其衍伸的表达。例如，描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。又如，描述一些实施例时可能使用了术语“耦接”以表明两个或两个以上部件有直接物理接触或电接触。然而，术语“耦接”或“通信耦合(communicatively coupled)”也可能指两个或两个以 上部件彼此间并无直接接触，但仍彼此协作或相互作用。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。

“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。

“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。

本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。

本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。

本公开实施例提供一种显示装置。该显示装置包括例如电视、手机、平板电脑、个人数字助理(Personal Digital Assistant，简称PDA)、车载电脑、可穿戴显示装置等具备柔性显示功能的产品。示例的，如图17所示，显示装置1000为可穿戴显示装置中的智能手环。该智能手环采用软质且可弹性形变的壳体100，以及设置于壳体内的显示基板1。该显示基板1为可拉伸显示基板。

本公开实施例对显示装置的具体形式不做特殊限制。

在一些实施例中，显示装置为电致发光显示装置，例如为有机电致发光显示装置(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)或量子点电致发光显示装置(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)。在另一实施例中，显示装置为光致发光显示装置，例如为量子点光致发光显示装置。

以下为了方便说明，以显示装置为OLED显示装置为例进行的说明。OLED显示装置包括显示基板。

请结合图1～图4予以理解，本公开一些实施例提供一种显示基板1。该显示基板1具有显示区域a1以及位于显示区域a1的至少一侧的非显示区域a2。可选的，非显示区域a2位于显示区域a1的一侧，或位于显示区域a1的多侧。例如，非显示区域a2环绕显示区域a1的周侧设置。本公开实施例不对显示基板1中显示区域a1与非显示区域a2的布局方式作具体限定。

上述显示基板1包括基底10、设置在基底10的一侧的多个发光器件30、以及与每个发光器件30对应耦接的像素驱动电路。多个发光器件30位于显示区域a1，图2中只示了多个发光器件30中的一个发光器件30。像素驱动电路与发光器件30对应设置，配置为驱动发光器件30发光。像素驱动电路包括至少一个薄膜晶体管20。

在一些实施例中，基底10为其上未设置薄膜的衬底基板11。该衬底基板11可以是刚性基板，也可以是柔性基板。在衬底基板11为柔性基板的情况下，显示基板1能够应用于可拉伸、可折叠的显示装置中。

在另一些实施例中，如图2所示，基底10由衬底基板11和设置在衬底基板11上的一些薄膜构成。薄膜的层数和材料，可以根据实际需求选择设置。

示例的，基底10包括衬底基板11和设置在衬底基板11上的阻挡层12。阻挡层12能够阻挡水氧从衬底基板11所在的一侧侵入显示基板1内，有效延长显示基板1的使用寿命。阻挡层12为单层或多层的无机层。阻挡层12的材料为SiOx、SiONx或SiNx等，但并不仅限于此。可选的，阻挡层12的材料为无机半导体材料，例如非晶硅材料、多晶硅材料。可选的，阻挡层12的材料为有机半导体材料或者氧化物半导体材料。此处，氧化物半导体材料包括12、13、14族金属元素(例如Zn、In、Ga)的氧化物。

示例的，基底10还包括设置在阻挡层12的背离衬底基板11的一侧的缓冲层13。缓冲层13为单层或多层的无机层。缓冲层13的材料为SiOx、SiONx或SiNx等，但并不仅限于此。可选的，缓冲层13的材料为无机半导体材料，例如非晶硅材料、多晶硅材料。可选的，缓冲层13的材料为有机半导体材料或者氧化物半导体材料。此处，氧化物半导体材料包括12、13、14族金属元素(例如Zn、In、Ga)的氧化物。

上述像素驱动电路通常由多个薄膜晶体管20和至少一个电容器等电子器件串并联构成。图2中仅示出了薄膜晶体管20，以表示像素驱动电路的具体设置位置。本公开实施例并未对像素驱动电路的结构进行限定，其可以根据实际需求选择设置。

请参阅图2和图3，薄膜晶体管20包括有源层22、栅绝缘层23、栅极24、层间绝缘层25以及源极26、漏极27。漏极27和源极26均与有源层22连接。按照薄膜晶体管20中栅极24与有源层22之间的相对位置关系，薄膜晶体管20采用顶栅结构、底栅结构或双栅结构等，均可。本公开实施例中薄膜晶体管20采用双栅结构为例进行示意。也即，在该薄膜晶体管20中，栅极24位于有源层22的背离基底10的一侧，栅极24包括沿远离有源层22的 方向依次设置的第一栅极241和第二栅极242。栅绝缘层23包括第一栅绝缘层231和第二栅绝缘层232。第一栅绝缘层231位于有源层22和第一栅极241之间，第二栅绝缘层232位于第一栅极241和第二栅极242之间。层间绝缘层25位于源极26和漏极27二者与第二栅极242之间。源极26和漏极27分别穿过层间绝缘层25、第二栅绝缘层232和第一栅绝缘层231中的对应过孔与有源层22连接。

上述栅绝缘层23和层间绝缘层25采用绝缘材料制作形成。该绝缘材料为SiOx、SiONx或SiNx等，但并不仅限于此。可选的，栅绝缘层23和层间绝缘层25的材料为无机半导体材料，例如非晶硅材料、多晶硅材料。可选的，栅绝缘层23和层间绝缘层25的材料为有机半导体材料或氧化物半导体材料。此处，氧化物半导体材料包括12、13、14族金属元素(例如Zn、In、Ga等)的氧化物。

上述薄膜晶体管20的栅极24、源极26、漏极27的材料为导电材料。可选的，导电材料为例如Ti、Al、Mo、Ag等的导电金属、或者为例如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO、AZO等的导电氧化物。或者，导电材料为混有导电颗粒的橡胶等具有高延展性的导电材料，例如碳纳米管等。

在一些实施例中，显示基板1还包括设置在薄膜晶体管20的远离基底10的表面上的平坦化层36。平坦化层36用于使基底10上形成了薄膜晶体管20的一侧表面平整化，以便于在平整表面上制作其他薄膜，例如制作用于构成发光器件30的发光层，从而利于确保各发光器件30发出的光均匀。上述平坦化层36可以通过旋涂形成膜层，再通过光刻图案化制作形成。

此外，如图2所示，显示基板1还包括设置于平坦化层36的远离基底10的一侧的像素界定层32。其中，像素界定层32包括多个开口，多个发光器件30一一对应的位于像素界定层32的多个开口中。

上述平坦化层36或像素界定层32的材料为有机材料。可选的，平坦化层36或像素界定层32的材料为基于聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯的聚合物、基于苯酚基团的聚合物和衍生物、基于亚克力的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于芳醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟化物的聚合物或基于对二甲苯的聚合物或乙烯醇的聚合物中的至少一种。

上述发光器件30包括阳极31、发光层33以及阴极34。发光器件30的阳极31与对应像素驱动电路中的一个薄膜晶体管20的漏极27或源极26连接。发光器件30的阳极31和阴极34的材料为导电材料。可选的，该导电材料为例如Ti、Al、Mo或Ag等的导电金属，或者例如为ITO、IZO、 ZnO、In ₂O ₃、IGO或AZO等的导电氧化物。发光器件30的发光层33的材料为磷光发光材料或荧光发光材料中的至少一种。

可以理解的是，上述显示基板1还包括多条信号控制线28。该多条信号控制线28被配置为向像素驱动电路以及发光器件30传输控制信号，可以根据其传输信号的不同划分为多种类型的信号线。该多条信号控制线28的材料为例如Ti、Al、Mo或Ag等的导电金属，或者为例如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO等的导电氧化物。

示例的，多条信号控制线28与各像素驱动电路对应耦接。多条信号控制线28包括一条或多条扫描信号线、一条或多条数据信号线、以及一条或多条电源电压线等。

此处，扫描信号线例如为栅扫描线、复位扫描线或发光扫描线。可选的，一条栅扫描线与一行的像素驱动电路耦接，以向该行的像素驱动电路传输栅扫描信号。一条数据信号线与一列的像素驱动电路耦接，以向该列的像素驱动电路传输数据电压信号。

示例的，多条信号控制线28与各发光器件30的阴极34对应耦接。多条信号控制线28包括阴极信号控制线，以向对应发光器件的阴极传输阴极电压信号。

示例的，如图2所示，发光器件30的阴极34与信号控制线28位于不同层。上述显示基板1还包括设置在阴极34和信号控制线28之间的阴极搭接层35。发光器件30的阴极34与信号控制线28之间通过对应的阴极搭接层35连接。阴极搭接层35的材料与信号控制线28的材料相同或者相似，此处不做赘述。

请继续参阅图2，显示基板1还包括封装层40。封装层40设置在多个发光器件30的背离基底10的一侧，被配置为封装多个发光器件30。

示例的，封装层40为薄膜封装层。例如图2所示，封装层40的结构包括沿背离基底10的方向的依次叠放的第一亚层401、第二亚层402和第三亚层403。第一亚层401和第三亚层403为单层或者多层的无机层，其材料为SiOx、SiONx、SiNx等或者铝氧化物、铝氮化物、钛氮化物、钛氮化物等致密膜层。第二亚层402为有机层，第二亚层402的材料为聚甲基丙烯酸酯、聚碳酸酯、亚克力系树脂或环氧树脂等，但并不限于此。第二亚层402为有机层，可通过打印或者涂布光刻等方式图案化制作而成。第二亚层402与第一亚层401、第三亚层403层叠设置，第一亚层401在基底10上的正投影面积等于第三亚层403在基底10上的正投影面积，第二 亚层402在基底10上的正投影面积等于或小于第一亚层401在基底10上的正投影面积。可选的，如图2所示，第二亚层402位于显示区域a1内。在此只是示例一种封装层的可选结构封装层40的结构，不能视为对封装层40的限定。在另一些示例中，封装层40为单层的薄膜，例如单层的无机层，其材料为SiOx、SiONx、SiNx、铝氧化物、铝氮化物、钛氮化物或钛氮化物等能够形成致密膜层的物质。

上述封装层40位于显示基板1的非显示区域a2内的部分的靠近基底10的表面凹凸设置。也即，封装层40位于非显示区域a2内的部分的靠近基底10的表面设置有凹槽或者凸起。

在一些示例中，封装层40的位于非显示区域a2内的部分与基底10直接接触。封装层40位于非显示区域a2内的与基底10直接接触的表面设置有凹槽或者凸起，基底10的与封装层40接触的表面匹配封装层的凹槽或者凸起设置。

在另一些示例中，封装层40位于非显示区域a2内的部分与位于基底10上的其他薄膜(例如层间绝缘层25、平坦化层36或像素界定层32)直接接触。示例的，如图2所示，封装层40位于非显示区域a2内的部分与层间绝缘层25直接接触，封装层40的与层间绝缘层25接触的表面设置凸起，层间绝缘层25的与封装层40接触的表面匹配封装层的凸起位置设置有凹槽。

本公开实施例中，封装层40位于显示基板1的非显示区域a2内的部分的靠近基底10的表面凹凸设置，能够在封装尺寸不变的情况下，增大封装层40和与其直接接触的薄膜之间的接触面积，以及延长水氧侵蚀路径，从而有效地提高了封装层40的封装性能。

在一些实施例中，显示基板1还包括位于显示基板1的非显示区域a2内的介质层51。介质层51位于封装层40的靠近基底10的一侧。介质层51靠近封装层40的表面与封装层40边缘部分的凹槽或者凸起相匹配。介质层51设置在基底10和封装层40之间。例如，介质层51的靠近基底10的一侧与基底10直接接触；或者，介质层51与位于基底10之上的其他薄膜(例如栅极绝缘层23或层间绝缘层25)直接接触。

示例的，如图3所示，介质层51的靠近封装层40的部分具有多个第一凹槽511。封装层40的位于所述非显示区域a2内的部分具有多个第一凸起41。多个第一凸起41与多个第一凹槽511一一对应。也可以理解为，封装层40的第一凸起41在基底10上的正投影位于相对应的介质层51的第一凹槽511 在基底10上的正投影内。例如，封装层40的每个第一凸起41均位于介质层51中对应的第一凹槽511内。

可选的，任相邻的两个第一凹槽511之间具有第一间隔，封装层40的任相邻的两个第一凸起41之间具有的间隙与第一间隔相等或大致相等，以确保封装层40的多个第一凸起41与介质层51的多个第一凹槽511的位置相对应，从而形成严密的封装结构。多个第一凹槽511间隔分布，可以确保介质层51的结构稳定。并且，封装层40的多个第一凸起41设置在介质层51上对应的多个第一凹槽511内，可以形成更稳定的封装结构，从而避免封装层40与介质层51之间在外力的作用下发生相对滑动或具有相对滑动的趋势，能够进一步提高封装层40的封装性能。

可选的，第一凹槽511的深度为介质层51的厚度的70％-100％。例如，第一凹槽511的深度为介质51的厚度的70％、80％、90％或100％。合理设计第一凹槽511的深度，可以使得封装层40与介质层51之间具有合理的凹凸接触面积，从而确保封装层40具有良好的封装性能。

上述介质层51为独立制作于非显示区域a2内的薄膜，或显示基板1中已有的薄膜的位于非显示区域a2内的部分，例如平坦化层36和/或像素界定层32的位于非显示区域a2内的部分。

在一些实施例中，如图4所示，显示基板1的非显示区域a2环绕显示区域a1设置。介质层51中的第一凹槽511为环形凹槽，封装层40的第一凸起41为环形凸起。封装层40的环形凸起位于介质层51上对应的环形凹槽内，能够形成呈环状封闭的封装结构，具有较高的封装严密性，可以进一步提高显示基板1的封装效果。

上述第一凹槽511的形状以及数量，可以根据实际需求选择设置。第一凹槽511的形状例如为圆环或矩形环等。第一凹槽511的数量例如为一个或多个。示例的，如图4所示，第一凹槽511的数量为多个，形状为矩形环，多个第一凹槽511均以显示区域a1为中心等间隔分布。

上述介质层51的材料为绝缘材料。可选的，介质层51的材料为SiOx、SiONx或SiNx等，但不限于此。可选的，介质层51的材料为无机半导体材料，例如非晶硅材料、多晶硅材料。可选的，介质层51的材料为有机半导体材料或者为含氧化物半导体材料。此处，氧化物半导体材料包括12、13、14族金属元素(例如Zn、In或Ga)的氧化物。

在一些实施例中，显示基板1还包括位于基底10的远离封装层40的表面的底膜71。底膜71的材料为弹性材料，例如为二甲基硅氧烷、聚酰亚胺或 PET等具有高弹性的材料。底膜71能够对显示基板1进行保护，特别是衬底基板11为柔性基板的显示基板1。可选的，底膜71通过粘接层72固定于基底10的远离封装层40的表面上。粘接层72为OCA光学胶，粘接层72的材料为亚克力系或硅系等胶材。

请结合图5至图16予以理解。本公开一些实施例提供另一种显示基板1，该显示基板1为可拉伸显示基板或者可折叠显示基板。该显示基板中基底10的材料为柔性材料，例如聚酰亚胺、PET或金属中的一种。这样，通过设置基底10的材质为柔性材料，利于实现显示基板1的拉伸或折叠。

请参阅图5，显示基板1具有多个呈阵列状分布的像素区域A、以及位于每个像素区域A至少一侧的非像素区域B。每个像素区域A包括显示区域a1和非显示区域a2；非像素区域B包括连接区域B1和开孔区域B2。

此处，显示区域a1和非显示区域a2的设置，可参考前述一些实施例中的相关记载。例如，在每个像素区域A的显示区域a1内，多个发光器件30及其对应的像素驱动电路分别呈阵列状分布。每个像素区域A内还设有多条信号控制线28。任相邻的两个像素区域A之间具有一个或多个连接区域B1。显示基板1还包括位于连接区域B1内的多条信号连接线91。每条信号连接线91的至少一端与相邻像素区域A内对应的信号控制线28连接。信号连接线91的材料与信号控制线28的材料相同或相似。

上述多个像素区域A呈阵列状分布，使得各连接区域B1按照其与对应像素区域A之间的相对位置关系，可以划分为两类。在第一类连接区域B1中，连接区域B1位于相邻的两个像素区域A之间，也即，任相邻的两个像素区域A之间设有至少一个连接区域B1。如此，位于连接区域B1内的每条信号连接线91的两端分别与相邻像素区域A内对应的信号控制线28连接。在第二类连接区域B1中，连接区域B1位于像素区域A阵列的外侧边缘，也即，连接区域B1位于显示基板1的周边区域。如此，位于连接区域B1内的每条信号连接线91的一端与相邻像素区域A内对应的信号控制线28连接，其另一端引出与位于显示基板1周边区域的外部电路连接。此处，显示基板1周边区域的外部电路包括但不限于驱动IC。

示例的，任相邻的两个像素区域A之间设有一个连接区域B1，该连接区域B1分别与对应两个像素区域A的位于不同方向(例如一个像素区域A的右下角，另一像素区域A的左上角)的边缘连接，使得该连接区域B1与连接的像素区域A之间呈夹角设置。前述的开孔区域B2位于对应的连接区域B1与像素区域A的夹角内。在相邻的多个像素区域A之间，一 些开孔区域B2可以连通为一个区域，例如图5中所示的“十”字状区域。

开孔区域B2镂空，是指开孔区域B2内的基底10以及位于基底10上的一些薄膜镂空。例如图6所示，基底10、栅绝缘层23和层间绝缘层25的位于对应开孔区域B2内的部分被刻蚀镂空。开孔区域B2镂空，可以增大对应像素区域A的可变形范围，并在拉伸显示基板1的过程中，有效释放显示基板1所受到的应力，减小应变量。从而能够避免显示基板1在拉伸的过程中因应力作用导致的结构破损。

在本公开实施例的显示基板中，封装层40位于非显示区域a2内的部分凹凸设置，不仅能够确保封装层40具有良好的封装性能，还利于减小非显示区域a2在对应像素区域A内的空间占比。从而能够避免相邻的两个显示区域a1之间具有较大的像素间距，以有效提升可拉伸显示基板的显示效果。

在一些实施例中，如图6和图7所示，显示基板1还包括位于连接区域B1内的第一信号线保护层92和第二信号线保护层93。第一信号线保护层92和第二信号线保护层93的材料均为有机材料、且沿垂直于基底10的方向设置在多条信号连接线91的两侧。例如，第一信号线保护层92位于信号连接线91的顶面，第二信号线保护层93位于信号连接线91的底面。

此外，示例的，第二信号线保护层93的位于连接区域B1的部分的靠近衬底基板11的一侧设置有其他薄膜，例如阻挡层12和缓冲层13。阻挡层12和缓冲层13多采用无机材料制作形成。在此基础上，由于显示基板1中还设有位于缓冲层13上且采用无机材料制作形成的栅绝缘层23、层间绝缘层25等，所以通过去除缓冲层13、栅绝缘层23和层间绝缘层25等的位于连接区域B1内的部分，可以有效减薄连接区域B1内无机薄膜的总厚度，从而在无机薄膜的减薄区域内制作第二信号线保护层93。第二信号线保护层93采用有机材料制作形成，具有较好的延展性。第二信号线保护层93沿垂直于基底的方向上的厚度与无机薄膜去除部分的厚度相同或大致相同，有利于在其上形成平整的信号连接线91。第一信号线保护层92也使用有机材料制作形成，这样利用有机材料较好的延展性，通过第一信号线保护层92和第二信号线保护层93对信号连接线91进行保护，能够避免连接区域B1内的无机薄膜发生脆性断裂时导致信号连接线91断裂，从而对信号连接线91起到更好地保护作用。

第一信号线保护层92和第二信号线保护层93的材料均选自基于聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯的聚合物、基于苯酚基团的聚合物和衍生物，基 于亚克力的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于芳醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟化物的聚合物或基于对二甲苯的聚合物乙烯醇的聚合物中的至少一种。第一信号线保护层92和第二信号线保护层93均可以通过旋涂形成膜层，再通过光刻图案化制作形成。

在一些实施例中，阻挡层12的位于连接区域B1内的部分的厚度小于阻挡层12的位于像素区域A内的部分的厚度。也即，在阻挡层12位于连接区域B1内的部分开设凹槽或者通孔。

示例的，如图9和图10所示，阻挡层12的位于所述连接区域B1内的部分具有第三凹槽121，第二信号线保护层93位于第三凹槽121内。第三凹槽121的深度d小于或等于阻挡层12的位于连接区域内的部分的厚度D，可以达到减薄或者去除连接区域B1的为无机材料的阻挡层12的目的，从而避免显示基板1拉伸时连接区域B1内的无机层的厚度过大导致产生更多的形变裂纹。

在一些实施例中，显示基板1还包括位于非显示区域a2内的一个或多个阻隔件80。阻隔件80位于封装层40靠近基底10的一侧，被配置为在封装层40位于连接区域B1内的部分产生形变裂纹的情况下，阻断该形变裂纹从连接区域B1向显示区域a1传播。其中，非显示区域a2位于同一个像素区域A的显示区域a1和对应的连接区域B1之间。

阻隔件80设置在封装层40位于非显示区域a2内的部分的靠近基底10的一侧，阻隔件80的背离基底10一端的端面与封装层40位于连接区域B1内的部分的靠近基底10的端面之间具有一定距离，可以使得封装层40的位于非显示区域a2内的部分与封装层40的位于连接区域B1内的部分之间形成台阶(台阶的高度例如图6中所示的L)。这样在封装层40的位于连接区域B1内的部分产生形变裂纹的情况下，该台阶能够有效阻断封装层40中的形变裂纹从连接区域B1通过非显示区域a2向显示区域a1传播，从而避免对显示基板1的显示效果产生不良影响。

需要说明的是，在显示基板1包括介质层51的一些实施方式中，阻隔件80位于封装层40和介质层51之间便可。在显示基板1不包括介质层51的另一些实施方式中，阻隔件80设置在封装层40和基底10之间，或者设置在封装层40和位于基底10以上的其他薄膜(例如层间绝缘层25)之间，均可。下述以显示基板1包括介质层51为例，说明阻隔件80可选的设置方式。在显示基板1不包括介质层51的情况下，阻隔件80的具体设置方式也可参照下述进行。

在一些实施例中，如图8所示，介质层51的靠近封装层40的部分具有与阻隔件80匹配设置的固定槽513。阻隔件80的一端设置于介质层51中对应的固定槽513内，另一端向远离介质层51的方向延伸。封装层40覆盖于阻隔件80上。

在一些实施例中，请参阅图12和图13，阻隔件80为一个，采用环状阻隔件。该环状阻隔件在基底10上的正投影的内边界位于显示区域a1的外侧。也即，该环状阻隔件位于非显示区a2域内，可以在同一个显示区域a1的外侧形成封闭的环状阻挡。环状阻挡能够从显示区域a1的周侧有效阻断形变裂纹从连接区域B1进入显示区域a1，具有更好地阻断形变裂纹的效果。

此处，环状阻隔件的形状，可以根据实际情况选择设置。例如，环状阻隔件的环形为圆环形、矩环形或者其他任意合适的形状。对应的，固定槽513采用环状凹槽，该环状凹槽的形状与环状阻隔件的形状相匹配。

可选的，介质层51中的第一凹槽511为环状凹槽。固定槽513设置在第一凹槽511的靠近连接区域B1的一侧，也即固定槽513位于为环形凹槽的第一凹槽511的外周侧。图11中仅展示了两个第一凹槽511，但第一凹槽511的数量不限于此。当然，第一凹槽511与固定槽513的具体设置方式并不仅限于此，可以根据实际需要选择设置。

此处，固定槽513和第一凹槽511可以具有相似的结构，以便于简化介质层51的图案化设计及实施工艺。

此外，示例的，如图12和图13所示，沿远离基底的方向，环状阻隔件的沿平行于基底方向上的横截面的面积逐渐增大。例如，环状阻隔件的纵截面的形状为倒梯形，该纵截面与基底、环状阻隔件的环形延伸方向均垂直。如此，环形阻隔件具有较好的阻隔形状，能够更为有效的阻断封装层中出现的形变裂纹蔓延。

在另一些实施例中，请参阅图14，阻隔件80为多个，例如四个。阻隔件80采用直角状阻隔件，分别分布在对应显示区域a1的四个顶角外。这样可以在确保各阻隔件80在具备较好裂纹阻隔的作用下，还能减小阻隔件80在非显示区域a2的空间占用，从而利于减小非显示区域a2在对应像素区域A内的空间占比。

在又一些实施例中，如图6至图10所示，阻隔件80包括沿垂直于基底10的方向相连接的第一子部81和第二子部82。第一子部81位于介质层51的固定槽513中，第二子部82沿远离第一子部81的方向延伸。第二子部82沿垂直于基底10的方向的高度H不小于封装层40的位于连接区域B1的部分 沿同一方向的高度h。这样封装层40的位于非显示区域a2内的部分与封装层40的位于连接区域B1内的部分之间便会形成台阶。该台阶在沿垂直于基底10的方向的高度为例如图10所示的L。

请参照图10，第一子部81设置于固定槽513内，第一子部81的形状可以匹配固定槽513的形状设置。第一子部81作为第二子部82的基底，二者面接触或一体成型。第二子部82的形状可以根据实际需求选择设置。例如，在沿远离基底10的方向上，第二子部82的平行于基底方向的横截面的面积逐渐增大，便于使得第二子部82的与基底10相交的侧面为倾斜面T。该倾斜面T沿远离基底10的方向从非显示区域a2向连接区域B1延伸。这样第二子部82具有更加有效的阻隔形状。

在制作封装层40的过程中，封装层40与第二子部82接触的部分会沿其倾斜面沉积，从而使得封装层40的位于非显示区域a2内的部分与封装层40的位于连接区域B1内的部分之间具有有效的台阶形状。

此外，可选的，如图10所示，第二子部82在第一方向上的纵截面的形状为倒梯形，该第一方向为从非显示区域a2指向连接区域B1的方向。如此，第二子部82的与基底10相交的侧面为倾斜面T，能够使封装层40在形成过程中沿该倾斜面T沉积，从而形成更加有效的阻隔形状。

可选的，第二子部82沿垂直于基底10的方向上的高度为2μm-4μm。示例的，第二子部82沿垂直于基底10的方向的高度为2μm、3μm或4μm等。第二子部82沿垂直于基底10的方向的高度越大，阻隔件80所具有的阻断形变裂纹的效果便越好。

上述阻隔件80的材料为有机材料或者负性光刻胶。例如，阻隔件80的材料为基于聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯的聚合物、基于苯酚基团的聚合物和衍生物、基于亚克力的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于芳醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟化物的聚合物、或基于对二甲苯的聚合物乙烯醇的聚合物中的至少一种。

在一些实施例中，显示基板1还包括位于介质层51与封装层40之间的刻蚀保护层53，刻蚀保护层53至少覆盖在介质层51的靠近封装层40的表面上。刻蚀保护层53被配置为在对开孔区域B2镂空的过程中保护开孔区域B2以外的薄膜不被刻蚀掉。

示例的，刻蚀保护层53的材料为无机绝缘材料。例如，氮化硅、氮氧化硅或者氧化硅等。

需要说明的是，刻蚀保护层53在制作完成像素界定层32之后、刻蚀开 孔区域B2之前制作。这样刻蚀保护层53会先覆盖在介质层51、裸露在外的阳极31和阴极搭接层35、像素界定层32等的表面上，以在刻蚀开孔区域B2的过程中对其进行保护。例如，将刻蚀保护层53的位于开孔区域B2的部分去除，形成刻蚀基准孔；这样位于刻蚀保护层53以下的一些薄膜(包括基底10)的部分可以通过该刻蚀基准孔被刻蚀去除，从而在显示基板1中镂空开孔区域B2。如此，被刻蚀保护层53遮盖的其他薄膜不易受到开孔区域B2镂空时的影响。

基于此，在显示基板1中镂空开孔区域B2后，将刻蚀保护层53的位于阴极搭接层35、阳极31以及其他需要裸露的薄膜上的部分除去，便可以进行显示基板1的后续制作，例如在阳极31上依次制作发光器件30中的发光层33和阴极34，并使得阴极34与对应的阴极搭接层35接触连接；在阴极34的远离基底10的表面制作封装层40。

上述刻蚀保护层53位于介质层51与封装层40之间，例如位于介质层51的靠近封装层40的表面上。刻蚀保护层53与介质层51接触的表面与对应介质层51的表面形状相同。示例的，如图8所示，介质层51具有第一凹槽511。刻蚀保护层53的靠近封装层的部分具有第二凹槽531。封装层40的靠近刻蚀保护层53的部分具有多个第一凸起41。多个第二凹槽531与封装层40的多个第一凸起41起一一对应，且每个第一凸起41位于相对应的第二凹槽531内。

此处，刻蚀保护层53通常采用膜层沉积工艺制作形成，例如等厚度沉积工艺形成。由于介质层51的靠近封装层40的部分具有第一凹槽511，在形成刻蚀保护层53的过程中，刻蚀保护层53匹配介质层51的表面形状成型，可以在其远离介质层51的表面中形成第二凹槽531。而后，在形成封装层40时，封装层40的部分材料位于第二凹槽531内，形成与第二凹槽531对应的第一凸起41。

上述封装层40的第一凸起41在基底10上的正投影位于相对应的介质层51的第一凹槽511在基底10上的正投影内，是指：封装层40的第一凸起41在基底10上的正投影位于刻蚀保护层53中对应的第二凹槽531在基底10上的正投影内，刻蚀保护层53中的第二凹槽531在基底10上的正投影位于介质层51中对应的第一凹槽511在基底10上的正投影内。沿垂直于基底10的方向，封装层40的第一凸起41的凸起高度，也即刻蚀保护层53的第二凹槽54的槽深，可以根据需要选择设置，例如图15和图16所示。

在一些实施例中，显示基板1还包括位于基底10的远离封装层40的表 面的底膜71。底膜71的材料为弹性材料，例如为二甲基硅氧烷、聚酰亚胺或PET等具有高弹性的材料。底膜71能够对显示基板1进行保护，例如在拉伸该显示基板1时，确保各像素区域A的拉伸形变发生在同一平面内，以及在拉伸完成后确保各像素区域A准确复位，从而提高了可拉伸显示基板的使用可靠性。可选的，底膜71通过粘接层72固定于基底10的远离封装层40的表面上。粘接层72为OCA光学胶，粘接层72的材料为亚克力系或硅系等胶材。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (20)

1. 一种显示基板，具有显示区域以及位于所述显示区域的至少一侧的非显示区域；所述显示基板包括：

   基底；

   多个发光器件，位于所述显示区域内且设置在所述基底的一侧；

   以及，封装层，设置于所述多个发光器件的背离所述基底一侧，被配置为封装所述多个发光器件；所述封装层位于所述非显示区域内的部分的靠近所述基底的表面凹凸设置。
2. 如权利要求1所述的显示基板，还包括介质层；所述介质层位于所述非显示区域内，且设置在所述基底与所述封装层之间；其中，

   所述介质层的靠近所述封装层的部分具有多个第一凹槽，所述封装层的位于所述非显示区域内的部分具有多个第一凸起，所述多个第一凸起与所述多个第一凹槽一一对应，且每个第一凸起在所述基底上的正投影位于相对应的第一凹槽在所述基底上的正投影内。
3. 如权利要求1或2所述的显示基板，所述显示基板具有多个像素区域、以及位于每个像素区域至少一侧的非像素区域；

   其中，所述多个像素区域呈阵列状分布，每个像素区域均包括所述显示区域和所述非显示区域；所述非像素区域包括连接区域和开孔区域；所述显示基板还包括位于所述连接区域内的多条信号连接线；

   其中，所述显示基板还包括位于所述每个像素区域内的多条信号控制线；每条信号连接线的至少一端与相邻像素区域内对应的信号控制线连接；

   所述基底、所述封装层、以及位于所述基底和所述封装层之间任一薄膜三者的位于所述开孔区域内的部分镂空；所述封装层的位于所述连接区域内的部分位于所述多条信号连接线的背离所述基底的一侧。
4. 如权利要求3所述的显示基板，其中，所述非显示区域位于同一个所述像素区域的所述显示区域和对应的所述连接区域之间；所述显示基板还包括位于所述非显示区域内的至少一个阻隔件；

   所述至少一个阻隔件设置在所述封装层的靠近所述基底的一侧，被配置为在所述封装层的位于所述连接区域内的部分产生形变裂纹的情况下，阻断所述形变裂纹从所述连接区域向所述显示区域传播。
5. 如权利要求4所述的显示基板，其中，在所述显示基板包括所述介质层的情况下，所述介质层的靠近所述封装层的部分具有与所述至少一个阻隔件匹配设置的固定槽；

   至少一个阻隔件包括沿垂直于所述基底的方向相连接的第一子部和第二子部；

   其中，所述第一子部位于对应的所述固定槽中；所述第二子部沿远离所述第一子部的方向延伸，且所述第二子部沿垂直于所述基底的方向的高度不小于所述封装层的位于所述连接区域的部分沿同一方向的厚度。
6. 如权利要求5所述的显示基板，其中，沿远离所述基底的方向，所述第二子部的沿平行于所述基底方向上的横截面面积逐渐增大。
7. 如权利要求5所述的显示基板，其中，所述第二子部在第一方向上的纵截面的形状为倒梯形，所述第一方向为从所述非显示区域指向所述连接区域的方向。
8. 如权利要求5-7任一项所述的显示基板，其中，所述第二子部沿垂直于所述基底的方向的高度为2μm-4μm。
9. 如权利要求4-8任一项所述的显示基板，其中，所述至少一个阻隔件包括至少一个环状阻隔件；所述环状阻隔件在所述基底上的正投影的内边界位于所述显示区域的外侧。
10. 如权利要求3所述的显示基板，其中，在所述显示基板包括所述介质层的情况下，所述显示基板还包括：

    至少一层绝缘层，位于所述介质层与所述基底之间；所述至少一层绝缘层的位于所述开孔区域内的部分镂空；

    刻蚀保护层，位于所述介质层与所述封装层之间，且至少覆盖在所述介质层的靠近封装层的表面上；所述刻蚀保护层被配置为在镂空所述开孔区域的过程中对位于所述开孔区域外的薄膜进行刻蚀防护。
11. 如权利要求10所述的显示基板，其中，

    在所述介质层具有第一凹槽的情况下，所述刻蚀保护层的靠近所述封装层的部分具有多个第二凹槽，所述多个第二凹槽与所述封装层的所述多个第一凸起一一对应，且每个第一凸起位于相对应的所述第二凹槽内。
12. 如权利要求3所述的显示基板，还包括沿垂直于所述基底的方向设置于所述多条信号连接线两侧的第一信号线保护层和第二信号线保护层；所述第一信号线保护层和所述第二信号线保护层的材料为有机材料。
13. 如权利要求12所述的显示基板，其中，所述第二信号线保护层位于所述多条信号连接线的靠近所述基底的表面上；所述显示基板还包括位于所述基底和所述第二信号线保护层之间的阻挡层；

    其中，所述阻挡层的材料为无机材料；所述阻挡层的位于所述连接区 域内的部分的厚度小于所述阻挡层的位于所述像素区域内的部分的厚度。
14. 如权利要求13所述的显示基板，其中，所述阻挡层的位于所述连接区域内的部分具有第三凹槽，所述第二信号线保护层位于所述第三凹槽内；所述第三凹槽的深度小于或等于所述阻挡层的位于所述连接区域内的部分的厚度。
15. 如权利要求3所述的显示基板，还包括底膜；

    所述底膜的材料为弹性材料；所述底膜通过粘接层固定于所述基底的背离所述封装层的表面上。
16. 如权利要求2所述的显示基板，其中，所述封装层的每个第一凸起位于相对应的第一凹槽内。
17. 如权利要求2所述的显示基板，其中，所述第一凹槽的深度为所述介质层的厚度的70％-100％。
18. 如权利要求2所述的显示基板，其中，至少一个所述第一凹槽为环形槽，所述环形槽对应的第一凸起为环形凸起。
19. 如权利要求2所述的显示基板，其中，所述介质层的材料为绝缘材料。
20. 一种显示装置，包括如权利要求1-19任一项所述的显示基板。

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