CN110061015B - Tft阵列基板及tft阵列基板的制造方法 - Google Patents

Tft阵列基板及tft阵列基板的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种TFT阵列基板，包括：基底，所述基底定义有功能区和围绕所述功能区的周边区；多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管形成于所述功能区；标记，所述标记形成于所述周边区，所述标记用于记录所述TFT阵列基板的生产履历或面板种类；所述标记包括第一金属层和部分覆盖所述第一金属层的图案化的光阻。本发明的TFT阵列基板的标记包括第一金属层和覆盖所述第一金属层的图案化的光阻，不会减小所述TFT阵列基板的强度，所述TFT阵列基板不容易出现破片现象。

Description

TFT阵列基板及TFT阵列基板的制造方法
技术领域
本发明涉及一种TFT基板及一种TFT基板的制造方法。
背景技术
目前，手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品中，广泛应用了TFT(thin film transistor)阵列基板。随着电子装置轻薄化的发展，TFT阵列基板也趋于薄型化。
TFT阵列基板上通常形成有标记作为产品ID，用以记录TFT阵列基板的生产履历或面板种类。如图1所示，现有的形成标记的方法通常采用激光蚀刻制程，在TFT阵列基板400的第一金属层402上蚀刻形成多个贯穿第一金属层402的点状凹坑403，再通过将第一金属层102与凹坑403上的反射光传输到扫码器，实现识别的效果。
然而，TFT阵列基板400被激光蚀刻之后，第一金属层402被贯穿，TFT阵列基板400的基底401的至少部分被蚀刻，使基底401的至少部分厚度减小，导致基底401的强度有所下降，在随后的机械摔落测试中，薄型化的TFT阵列基板400形成点状凹坑403的位置容易出现破片现象，降低了产品良率。
发明内容
鉴于此，本发明提供一种不容易破片的TFT阵列基板。
一种TFT阵列基板，包括：
基底，所述基底定义有功能区和围绕所述功能区的周边区；
多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管形成于所述功能区；
标记，所述标记形成于所述周边区，所述标记用于记录所述TFT阵列基板的生产履历或面板种类；
所述标记包括第一金属层和部分覆盖所述第一金属层的图案化的光阻。
本发明还提供一种TFT阵列基板的制造方法。
一种TFT阵列基板的制造方法，其包括：
提供基底，所述基底定义有功能区和围绕所述功能区的周边区；
在所述功能区形成多个薄膜晶体管及与所述多个薄膜晶体管电连接的栅极线和数据线，在所述周边区形成第一金属层；
在所述第一金属层上形成光阻；
图案化所述光阻，使所述光阻暴露所述第一金属层的至少部分，形成用于记录所述TFT阵列基板的生产履历或面板种类的标记。
相较于现有技术，本发明的TFT阵列基板的标记包括第一金属层和覆盖所述第一金属层的图案化的光阻，不会减小所述TFT阵列基板的基底的厚度，因此不会减小所述TFT阵列基板的强度，所述TFT阵列基板不容易出现破片现象。
附图说明
图1是现有技术的TFT阵列基板的剖面结构示意图。
图2是本发明一较佳实施例的TFT阵列基板的平面示意图。
图3是本发明一较佳实施例的TFT阵列基板的标记的立体示意图。
图4是图3沿IV-IV线剖开的剖面示意图。
图5是本发明一较佳实施例的TFT阵列基板的识别示意图。
图6是本发明一较佳实施例的TFT阵列基板的制造流程图。
图7～10是制造本发明一较佳实施例的TFT阵列基板的剖面结构示意图。
主要元件符号说明
TFT阵列基板 100、400
基底 101、401
第一金属层 102、402
凹坑 103、403
光阻 104
功能区 11
周边区 12
标记 13
薄膜晶体管 14
栅极 141
源极 142
漏极 143
栅极线 15
数据线 16
紫外光光源 17
掩膜 18
扫码器 200
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
本发明一显示装置中的TFT阵列基板为例进行说明，但是，TFT阵列基板并不限于显示装置中，在其他实施例中，TFT阵列基板可以适用于任何应用TFT阵列基板的电子装置，例如超声波感测装置、指纹识别装置、触控显示装置等。
请参考图2，本发明一较佳实施例的TFT阵列基板100包括基底101，所述基底101定义有功能区11和围绕所述功能区11的周边区12。在本实施例中，所述TFT阵列基板100应用于显示装置(图未示)中，所述功能区11用于实现所述显示装置的显示功能。
请一并参考图2和图3，TFT阵列基板100的周边区12形成有标记13，标记13用以记录TFT阵列基板100的生产履历或面板种类。在本实施例中，所述标记13可以为由多个点状凹坑103组成的二维码，并可以被扫码器或扫码枪(图未示)识别。
请一并参考图2、图3和图4，在本实施例中，所述标记13包括形成于基底101上的第一金属层102和覆盖第一金属层102的至少部分的光阻104。所述多个凹坑103贯穿光阻104，暴露第一金属层102。在本实施例中，光阻104和第一金属层102的反射率不同。具体地，光阻104的反射率小于第一金属层102的反射率。
如图4所示，光阻104的材料为感光树脂，其可在UV光的照射下，发生化学反应而被去除。在本实施例中，光阻104的材料可以为丙烯酸树脂，受到UV光照射后，光阻104被照射的部分会发生化学反应从而消失。因此，利用UV光束照射光阻104的特定区域，可以形成凹坑103以暴露第一金属层102，无需使用激光蚀刻光阻104。且UV光不会蚀刻第一金属层102或者基底101，因此，不会影响TFT阵列基板100的强度。
如图5所示，当利用扫码器200来识别TFT阵列基板100时，扫码器200发射激光束至标记13，标记13中的光阻104以第一反射率R1反射激光束至扫码器200，标记13中通过凹坑103暴露的第一金属层102以不同于第一反射率R1的第二反射率R2反射激光束至扫码器200，扫码器200根据反射回的光束，感测到光阻104处和第一金属层102处的明暗差异，识别标记13的图像，进而获取TFT阵列基板100的生产履历或面板种类。
请再次参考图2和图4，基底101的功能区11形成有多个薄膜晶体管14(TFT)以及与多个薄膜晶体管14电连接的栅极线15和数据线16。每个薄膜晶体管14至少包括栅极141、源极142和漏极143。在本实施例中，栅极141、源极142、漏极143、栅极15和数据线16的材质均为金属。可选地，栅极141、源极142、漏极143、栅极线15和数据线16中的任意一者与第一金属层102由同一金属层形成。
在本实施例中，光阻104的厚度小于1000埃(0.1微米)，因此，基本不会影响TFT阵列基板100的轻薄化。
请参考图6～图9，图6是本发明一较佳实施例的TFT阵列基板100的制造流程图。图7～10是制造本发明一较佳实施例的TFT阵列基板100的剖面结构示意图。制造本发明一较佳实施例的TFT阵列基板100的方法包括：
步骤S601：提供一基底101，所述基底101定义有功能区11和围绕功能区11的周边区12。
步骤S602：在所述功能区11形成多个薄膜晶体管14及与多个薄膜晶体管14电连接的栅极线15和数据线16，在周边区12形成第一金属层102。
每个薄膜晶体管14至少包括栅极141、源极142和漏极143。在本实施例中，栅极141、源极142、漏极143、栅极线15和数据线16的材质均为金属。可选地，栅极141、源极142、漏极143、栅极线15和数据线16中的任意一者与第一金属层102由同一金属层在同一制程中形成，无需额外的制程形成第一金属层102，能够简化TFT阵列基板100的制造流程和制造成本。
步骤S603：如图7所示，在第一金属层102上形成光阻104。
在本实施例中，光阻104的材料为丙烯酸树脂，受到UV光照射后，光阻104被照射的部分会发生化学反应从而消失。可以理解的，光阻104的材料并不受限制，其可以为本领域常用的其他合适的材料。
可以理解的，光阻104可以通过点胶的方式形成于第一金属层102上。
步骤S604：如图10所示，图案化光阻104，在光阻104上形成多个凹坑103，多个凹坑103暴露第一金属层102的至少部分，形成TFT阵列基板100的标记13。
如图8所示，在本实施例中，光阻104的材料为丙烯酸树脂。图案化光阻104的步骤还包括：提供紫外光光源17，紫外光光源17发出UV聚光束照射于光阻104的特定区域，光阻104被照射的部分发生化学反应而消失，从而形成凹坑103以暴露第一金属层102。在本实施例中，采用紫外光光源17形成UV聚光束直接照射以丙烯酸树脂为材料的光阻104的特定区域，无需使用曝光显影的制程，有效减少了TFT阵列基板100的制造成本。且本实施例中不使用激光蚀刻光阻104，UV光不会蚀刻第一金属层102或者基底101，因此，不会影响TFT阵列基板100的强度。
如图9所示，在另一实施例中，光阻104可以为一种正光阻。图案化光阻104的步骤还包括：提供紫外光光源17和掩膜18，光阻104通过掩膜18在紫外光光源17的照射下曝光之后显影，形成如图10所示的暴露所述第一金属层102的至少部分的凹坑103。本实施例中，同样不使用激光蚀刻光阻104，UV光不会蚀刻第一金属层102或者基底101，因此，不会影响TFT阵列基板100的强度。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种TFT阵列基板，包括：
基底，所述基底定义有功能区和围绕所述功能区的周边区；
多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管形成于所述功能区；
标记，所述标记形成于所述周边区，所述标记用于记录所述TFT阵列基板的生产履历或面板种类；
其特征在于，所述标记包括第一金属层和部分覆盖所述第一金属层的图案化的光阻，所述第一金属层的反射率和所述光阻的反射率不同。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极；所述TFT阵列基板还包括多条与所述薄膜晶体管电连接的栅极线和数据线；
所述第一金属层与所述栅极、源极、漏极、栅极线和数据线中的任意一者由同一金属层形成。
3.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述标记为由多个点状凹坑组成的二维码。
4.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述光阻的材料为丙烯酸树脂。
5.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述光阻的厚度小于0.1微米。
6.一种TFT阵列基板的制造方法，其包括：
提供基底，所述基底定义有功能区和围绕所述功能区的周边区；
在所述功能区形成多个薄膜晶体管及与所述多个薄膜晶体管电连接的栅极线和数据线，在所述周边区形成第一金属层；
在所述第一金属层上形成光阻，所述第一金属层的反射率和所述光阻的反射率不同；
图案化所述光阻，使所述光阻暴露所述第一金属层的至少部分，形成用于记录所述TFT阵列基板的生产履历或面板种类的标记。
7.如权利要求6所述的TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，图案化所述光阻的方法包括：
提供紫外光光源，所述紫外光光源发出聚光束照射于所述光阻的指定位置，所述光阻被所述聚光光束照射的部分发生化学反应而消失，形成暴露所述第一金属层的至少部分的图案化的光阻。
8.如权利要求6所述的TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，图案化所述光阻的方法包括：
提供紫外光光源和掩膜，所述光阻通过所述掩膜在紫外光光源的照射下曝光之后显影，形成暴露所述第一金属层的至少部分的图案化的光阻。
9.如权利要求6所述的TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述多个薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述第一金属层与所述栅极、源极、漏极、栅极线和数据线中的任意一者由同一金属层形成。
10.如权利要求6所述的TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述光阻通过点胶的方式形成于所述第一金属层上。
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