TWI591797B - 用於雷射標記的金屬墊 - Google Patents

Description

用於雷射標記的金屬墊

本發明係關於在半導體封裝技術中用於雷射標記的金屬墊。

在積體電路封裝中，有許多形式的封裝方法與結構。例如，在習知的堆疊封裝(Package-on-Package，POP)中，頂部封裝接合至底部封裝。該頂部封裝與該底部封裝亦可具有裝置晶粒封裝於其中。藉由採用PoP製程，增加封裝的整合層級。

在現存的PoP製程中，先形成底部封裝，其包含接合至封裝基板的裝置晶粒。在該封裝基板上，將模塑料成形，其中將該裝置晶粒封裝於該模塑料中。該封裝基板進一步包含焊球形成於其上，其中該焊球與該裝置晶粒係在該封裝基板的同側上。該焊球係用於將該頂部封裝連接至該底部封裝。

本申請案揭示內容的一些實施例係提供一種封裝，其包括：第一封裝，其包括：裝置晶粒；模塑料，其將該裝置晶粒封裝於其中；複數個重佈線，其位於該裝置晶粒與該模塑料上方；雷射標記墊，其係與該複數個重佈線其中之一齊平，其中該雷射標記與該複數個重佈 線其中之一係由相同的傳導材料形成；聚合物層，其係位於該雷射標記墊與該複數個重佈線上方；膠帶，其係位於該聚合物層上方；以及雷射標記，其穿過該膠帶與該聚合物層，其中該雷射標記延伸至該雷射標記墊的頂部表面。

本申請案揭示內容的一些實施例係提供一種封裝，其包括：第一封裝，其包括：至少一第一介電層；第一複數個重佈線，其係位於該至少一第一介電層中；裝置晶粒，其係位於該第一複數個重佈線上方並且電耦合至該第一複數個重佈線；模塑料，其將該裝置晶粒封裝於其中；貫穿通路，其穿過該模塑料；至少一第二介電材料，其係位於該裝置晶粒上方；第二複數個重佈線，其係位於該至少一第二介電層中，其中該第二複數個重佈線其中之一係經由該貫穿通路而電耦合至該第一複數個重佈線其中之一；金屬墊，其係位於該至少一第二介電層中，其中該金屬墊係連接至該貫穿通路；第三介電層，其係位於該至少一第二介電層上方；以及雷射標記，其係從該第三介電層的頂部表面延伸至該金屬墊的頂部表面；以及第二封裝，其係位於該第一封裝上方且接合至該第一封裝。

本申請案揭示內容的一些實施例係提供一種方法，其包括：形成第一封裝，其包括：至少一第一介電層；第一複數個重佈線，其係位於該至少一第一介電層中；裝置晶粒，其係位於該第一複數個重佈線上方並且電耦合至該第一複數個重佈線；模塑料，其將該裝置晶粒封裝於其中；貫穿通路，其穿過該模塑料；至少一第二介電材料，其係位於該裝置晶粒上方；第二複數個重佈線，其係位於該至少一第二介電層中，其中該第二複數個重佈線係經由該貫穿通路而電耦合至該第一複數個重佈線；以及金屬墊，其係位於該至少一第二介電層中；在該至少一第二介電層上方，形成聚合物層；在該聚合物層上方，附接膠帶；以及進行雷射標記，以於該聚合物層與該膠帶中形成雷射標 記，部分的該金屬墊暴露至該雷射標記。

100‧‧‧封裝

102‧‧‧裝置晶粒

104‧‧‧積體電路裝置

106‧‧‧金屬柱/金屬墊

108‧‧‧半導體基板

108A‧‧‧後表面

110‧‧‧晶粒附接膜(die-attach film)

112‧‧‧重佈線(RDL)

114‧‧‧介電層

116‧‧‧RDL

116’‧‧‧RDL墊

118‧‧‧介電層

118A‧‧‧介電層

120‧‧‧模塑料

120A‧‧‧底部表面

120B‧‧‧頂部表面

122‧‧‧貫穿通路

122A‧‧‧貫穿通路

124‧‧‧電連接裝置/金屬墊

126‧‧‧焊料區

128‧‧‧雷射標記墊

130‧‧‧密封環

131‧‧‧介電層/聚合物層

132‧‧‧雷射標記

132’‧‧‧雷射標記

133‧‧‧膠帶

134‧‧‧雷射光束

136‧‧‧開口

138‧‧‧焊料區

138’‧‧‧焊料區

140‧‧‧底膠填充(underfill)

142‧‧‧金屬跡線

144‧‧‧金屬跡線

146‧‧‧槽

200‧‧‧封裝

202‧‧‧封裝基板

204‧‧‧裝置晶粒

由以下詳細說明與附隨圖式得以最佳了解本申請案揭示內容之各方面。注意，根據產業之標準實施方式，各種特徵並非依比例繪示。實際上，為了清楚討論，可任意增大或縮小各種特徵的尺寸。

圖1至圖7係根據一些實施例說明形成封裝的中間階段之橫切面圖。

圖8係根據一些實施例說明封裝的俯視圖，其中複數個雷射標記墊係彼此隔離。

圖9係根據一些實施例說明封裝的俯視圖，其中雷射標記墊係連接至貫穿通路。

圖10係根據一些實施例說明封裝的俯視圖，其中雷射標記與個別雷射標記墊係未對準封裝中的裝置晶粒。

圖11係根據一些實施例說明封裝的俯視圖，其中在雷射標記墊上方，形成複數個雷射標記。

圖12係根據一些實施例說明封裝的俯視圖，其中大雷射標記墊包含複數個槽(slot)。

以下揭示內容提供許多不同的實施例或範例，用於實施本申請案之不同特徵。元件與配置的特定範例之描述如下，以簡化本申請案之揭示內容。當然，這些僅為範例，並非用於限制本申請案。例如，以下描述在第二特徵上或上方形成第一特徵可包含形成直接接觸的第一與第二特徵之實施例，亦可包含在該第一與第二特徵之間形成其他特徵的實施例，因而該第一與第二特徵並非直接接觸。此外，本申請 案可在不同範例中重複元件符號與/或字母。此重複係為了簡化與清楚之目的，而非支配不同實施例與/或所討論架構之間的關係。

再者，本申請案可使用空間對應語詞，例如「之下」、「低於」、「較低」、「高於」、「較高」等類似語詞之簡單說明，以描述圖式中一元件或特徵與另一元件或特徵的關係。空間對應語詞係用以包括除了圖式中描述的位向之外，裝置於使用或操作中之不同位向。裝置或可被定位(旋轉90度或是其他位向)，並且可相應解釋本申請案使用的空間對應描述。

根據不同的實施例，本申請案提供封裝以及在封裝中形成雷射標記的方法。本申請案亦討論實施例的變化。在不同的圖示與實施例中，相同的元件符號係用以代表相同的元件。

圖1係說明封裝100的橫切面圖。根據本申請案揭示內容的一些實施例，封裝100包含裝置晶粒102，裝置晶粒102的前側朝下並且接合至重佈線(redistribution line，RDL)112。在其他實施例中，封裝100包含超過一個裝置晶粒。裝置晶粒102可包含半導體基板108，以及在半導體基板108的前表面上之積體電路裝置104(例如主動裝置，其可包含金屬氧化物半導體(metal oxide semiconductor，MOS)電晶體或二極體)。裝置晶粒102可為邏輯晶粒，例如中央處理單元(CPU)晶粒、圖形處理單元(GPU)晶粒、行動應用晶粒或類似物。在本申請案的揭示內容中，圖1中的裝置晶粒102朝下之側係指裝置晶粒102的前側，以及圖1中的裝置晶粒102朝上之側係指裝置晶粒102的背側。半導體基板108的後表面108A亦為裝置晶粒102的後表面。

裝置晶粒102係封裝於模塑料120中，該模塑料120包圍裝置晶粒102。模塑料120可為模塑料(molding compound)、底膠填充(molding underfill)、樹脂或類似物。模塑料120的底部表面120A可與裝置晶粒102的底端齊平。模塑料120的頂部表面120B可與半導體基板108的後 表面108A齊平或高於半導體基板108的後表面108A。根據本申請案揭示內容的實施例，半導體基板108的後表面108A係與晶粒附接膜(die-attach film)110重疊並與其接觸，該晶粒附接膜110係介電膜，其將裝置晶粒102黏著至上方的介電層118。裝置晶粒102進一步包含接觸且接合至RDL 112的金屬柱/墊106(例如，其可包含銅柱)。金屬柱106可包埋在裝置晶粒102的表面介電層(未標示)中。

封裝100包含位於裝置晶粒102下方的RDL 112以及位於裝置晶粒102上方的RDL 116。由於RDL 112係位於裝置晶粒102的前側上，因而亦稱為前側RDL。由於RDL 116係位於裝置晶粒102的背側上，因而亦稱為背側RDL。前側RDL 112係形成於一或多個介電層114中，以及背側RDL 116係形成於一或多個介電層118中。雖然圖1說明一層背側RDL 116與複數層的前側RDL 112，然而可理解可依要求而決定可不同於圖示之RDL 112與116的層數。RDL 112與116可由銅、鋁、鎳、鈦、鉭、其合金、以及/或其多層而製成。

根據本申請案揭示內容的一些實施例，介電層114與118係由有機材料製成，例如聚合物，其可進一步包含聚苯并噁唑(polybenzoxazole，PBO)、苯并環丁烯(benzocyclobutene，BCB)、聚亞醯胺、防焊層(solder mask)或類似物。在其他實施例中，介電層114與118係由無機材料製成，例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或類似物。再者，一些介電層114與118可為複合層，其包含由不同材料形成的複數個次層(sub-layer)。例如，一介電層114或118之範例可包含氧化矽層與氮化矽層。

根據本申請案揭示內容的一些實施例，形成各層RDL 116與介電層118包含使用物理氣相沉積形成包覆晶種層(blanket seed layer)(未繪示於圖式中)，形成且圖案化光阻(未繪示於圖式中)以覆蓋該包覆晶種層的一些部分，在該光阻中的開口中電鍍RDL，而後移除該光阻，並 且蝕刻受到移除之光阻先前所覆蓋的該部分之晶種層。

形成穿過模塑料120的貫穿通路122。根據本申請案揭示內容的實施例，貫穿通路122具有與模塑料120之頂部表面120B齊平的頂部表面，以及與模塑料120之底部表面120A齊平的底部表面。貫穿通路122將前側RDL 112電連接至背側RDL 116。貫穿通路122亦可與前側RDL 112與背側RDL 116實質接觸。可藉由形成具有開口於其中的圖案化遮罩(未繪示於圖式中)並且將該圖案化遮罩中的開口中的貫穿通路122電鍍而形成貫穿通路122。貫穿通路122可包括銅、鋁、鈦、鎳、鈀或其合金。

可形成接近封裝100周圍的貫穿通路122，如圖8至圖12所示，然而貫穿通路122亦可形成於封裝100的任何其他位置。根據本申請案揭示內容的實施例，貫穿通路122可對準包圍雷射標記墊128的環。

在封裝100的底部表面，形成由非焊料金屬材料所形成的電連接裝置124。根據本申請案揭示內容的實施例，電連接裝置124包含凸塊底下之金屬層(under-bump metallurgy，UBM)或是金屬墊。在其他實施例中，電連接裝置124包含金屬柱，例如銅柱。在本申請案之揭示內容中，電連接裝置124為金屬墊124，然而其可具有其他形式。金屬墊124可包括銅、鋁、鈦、鎳、鈀、金或其多層。根據本申請案揭示內容的一些實施例，如圖1所示，金屬墊124的底部表面突出超過底部介電層114的底部表面。在其他實施例中，金屬墊124的底部表面係與底部介電層114的底部表面齊平。焊料區126可附接至金屬墊124的底部表面。

在裝置晶粒102的背側上，形成傳導特徵，例如RDL 116(包含金屬跡線(metal trace)、金屬墊與金屬通路)。根據本申請案揭示內容的一些實施例，經由複數個通路(via)互連複數層RDL 116。根據其他實施例，有單層RDL 116。

再參閱圖1，形成金屬墊128。在本文中，由於金屬墊128係用於形成雷射標記，因而稱為雷射標記墊。根據本申請案揭示內容的一些實施例，在RDL 116的頂層中，形成雷射標記墊128。根據其他實施例，在非頂層的RDL層中，形成雷射標記墊128。雷射標記墊128可為電性浮接(electrically floating)。或者，雷射標記墊128係經由金屬跡線144而電連接至其他傳導特徵，例如RDL 116與/或貫穿通路122，該金屬跡線144係RDL 116的部分。例如，雷射標記墊128可接地。在相同的金屬層中，同時形成雷射標記墊128與RDL 116。

在一些實施例中，形成密封環130以包圍雷射標記墊128，其中圖8中可找到例示的密封環130。如圖1所示，在與雷射標記墊128相同的金屬層中，形成密封環130。根據本申請案揭示內容的一些實施例，在單層的RDL 116中，形成密封環130。在其他實施例中，密封環30延伸至複數層的RDL 116中。密封環130可電性浮接，並且可完全被介電材料包圍。在其他實施例中，密封環130係電耦合至其他傳導特徵，例如RDL 116與/或貫穿通路122。在形成雷射標記墊128時，可同時形成密封環130。因此，密封環130、RDL 116與雷射標記墊128可由相同材料製成，並且可具有相同組成。或者，不形成包圍雷射標記墊128的密封環。

根據一些實施例，雷射標記墊128與密封環130的底部表面係高於晶粒附接膜110的頂部表面與模塑料120的頂部表面。介電層118之一(圖1中標示為118A)係形成在雷射標記墊128與密封環130下方，個別介電層118A的頂部表面係與雷射標記墊128的底部表面接觸。介電層118A的底部表面可接觸晶粒附接膜110的頂部表面與模塑料120的頂部表面。

亦如圖1所示，形成介電層131。介電層131的底部表面係接觸介電層118的頂部表面。再者，介電層131的底部表面亦接觸RDL 116與 雷射標記墊128的頂部表面。根據本申請案揭示內容的一些實施例，介電層131係由聚合物形成，因而在本申請案中亦稱為聚合物層131。應理解介電層131可由非聚合物材料形成。形成聚合物層131的範例材料包含但不限於PBO、BCB、聚亞醯胺以及類似物。

參閱圖2，將膠帶133層疊於聚合物層131上，並且可經由熱硬化而黏著至聚合物層131。膠帶133可提供保護且強化下方的封裝結構。膠帶133亦阻擋光穿入下方的封裝結構，減少其反效果。在封裝的後續切割製程過程中，膠帶133亦協助減少碎裂(chipping)。根據一些實施方式，可由不同材料形成膠帶133與聚合物層131。

參閱圖3，進行雷射標記，以於膠帶133與介電層131中形成雷射標記132，其中雷射標記132包含形成於膠帶133與介電層131中的溝渠。使用雷射光束134進行雷射標記，該雷射光束134燃燒且移除部分的膠帶133與介電層131。根據本申請案揭示內容的一些實施例，膠帶133與介電層131燃燒的部分係與雷射標記墊128重疊。雷射標記墊128作為保護層，其中雷射光束134無法穿透雷射標記墊128破壞在雷射標記墊128下方的層與裝置。因此，雷射標記墊128具有防止雷射光束134達到下方的裝置晶粒102與下方的RDL 116之功能。

雷射標記132可包含字母、數字、圖形或可用於辨識的任何其他符號。例如，圖8係說明一些例示的雷射標記134，其包含字母與數字。雷射標記132可用以辨識產品、製程順序、個別封裝的批號、或是用以追蹤個別封裝的任何其他資訊。在雷射標記之後，雷射標記墊128的一些部分係經由形成雷射標記132的渠道而暴露。

圖4係說明移除膠帶133與介電層131的一些部分，以暴露金屬墊116’，其可為RDL 116的部分。因此，在介電層131與膠帶133中形成開口136。根據一些實施例，經由使用雷射光束燃燒膠帶133與介電層118而達到開口136的形成。根據其他實施例，經由光微影製程，形成 開口136，其中膠帶133與介電層131係被蝕刻。在所得到的結構中，開口136與雷射標記132的底部表面可為實質上齊平，亦即與雷射標記墊128與RDL墊116’的頂部表面在相同平面。

圖5係說明焊料區138的形成。根據本申請案揭示內容的一些實施例，進行植球(ball placement)步驟，以將焊球落下在開口136(圖3)中，而後進行回銲製程，將焊球回銲而形成焊料區138。焊料區138包含接觸RDL墊116’之頂部表面的部分，並且亦可包含在開口136外的一些部分。在其他實施例中，略過焊料區形成步驟。而是如圖6所示，由附接至封裝元件200的焊料區提供用於形成焊料區138’(圖6)的焊料。

圖6係說明接合封裝200與封裝100。根據本申請案揭示內容的一些實施例，封裝200包含封裝基板202以及裝置晶粒204，其係接合至封裝基板202。可經由打線(wire bonding)、覆晶接合(flip-chip bonding)或類似方法而達到裝置晶粒204與封裝基板202的接合。根據一些實施例，裝置晶粒204包含記憶體晶粒，例如靜態隨機存取記憶體(SRAM)晶粒、動態隨機存取記憶體(DRAM)晶粒或類似物。

在接合製程中，將圖5所示的焊料區138回銲，形成圖6所示的焊料區138’。在接合製程之後，封裝200與封裝100之間具有間隙，以及雷射標記132暴露於該間隙。

參閱圖7，根據本申請案揭示內容的一些實施例，在封裝200的接合之後，將底膠填充(underfill)140填入封裝100與封裝200之間的間隙。在這些實施例中，亦以底膠填充140填充雷射標記132的渠道(圖4)。據此，在雷射標記132的渠道中之部分的底膠填充140亦稱為雷射標記132’。雷射標記132’可從膠帶133的頂部表面延伸至雷射標記墊128的頂部表面。再者，雷射標記132’可與雷射標記墊128的頂部表面實質接觸。在其他實施例中，封裝100與200之間的間隙無填充底膠填 充，因此在最終封裝中(例如，使用與驅動該封裝時)，雷射標記132保留渠道(參閱圖6)。在這些實施例中，雷射標記墊128的一些部分可經由雷射標記132而暴露至空氣。

在圖7所示的封裝中，雷射標記墊128可完全被介電材料包圍且與該介電材料接觸，該介電材料包含介電層118與131以及底膠填充140。

圖8係根據一些實施例說明封裝100的俯視圖。如圖8所示，雷射標記132可與雷射標記墊128重疊，其中所有雷射標記132係形成於雷射標記墊128上。根據本申請案揭示內容的一些實施例，形成密封環130，其形成包圍雷射標記墊128的環。在一些實施例中，有複數個分離的雷射標記墊128，其係彼此實質分離。根據一些實施例，該分離的雷射標記墊128亦可彼此電隔離。依照封裝100的尺寸與雷射標記132的理想尺寸，選擇雷射標記墊128的尺寸。例如，雷射標記墊的長度「a」與寬度「b」之範圍係約1mm至約5mm，以及相鄰雷射標記墊128之間的間隔「S」可大於約500μm。然而，可理解本申請案所述之值係僅為範例，且可變化為不同的值。

根據一些實施例，如結合圖7與圖8所示，分離的雷射墊128之各個部分係完全被介電材料包圍，在這些實施例中，該分離的雷射標記墊128之表面未與傳導材料接觸。例如，分離的雷射標記墊128的底部表面與側壁表面係與介電層接觸，如圖7所示。分離的雷射標記墊128之頂部表面係與聚合物層131接觸。再者，分離的雷射標記墊128之頂部表面的一些部分如圖7的實施例所示係與底膠填充140接觸，或是如圖6的實施例所示係與空氣接觸。

在雷射標記過程中，產生熱且造成雷射標記墊128附近的介電層燃燒，造成介電層118與RDL 116變形以及其他信賴度問題。據此，理想的是將雷射標記墊128中產生的熱快速消散至其他區域與特徵， 因而將雷射標記墊128的溫度限制在層118、131與133的燃燒/變形溫度之下。在一些實施例中，密封環130可散熱。為了改良散熱效率，密封環130可具有較大寬度W1，例如大於20μm，以提供低抗熱性，因而密封環130的過熱部分可快速散熱至密封環130的其他部分。在其他實施例中，未形成密封環130。

再者，為了改良散熱效率，一些或全部雷射標記墊128經由金屬跡線142互連，如圖9所示之實施例。據此，當進行雷射標記以於雷射標記墊128其中之一的上方形成雷射標記132時，可散熱至相鄰的雷射標記墊128。根據一些實施例，金屬跡線142的寬度W2係大於約20μm或約40μm或更大，以提供較佳之散熱。寬度W2係更小於雷射標記墊128的寬度b。

除了金屬跡線142，可形成其他的金屬跡線144，以進一步散熱至附近特徵。例如，如圖9所示，金屬跡線144將金屬墊128連接至一些貫穿通路122(標示為122A)，因而在雷射標記製程中，貫穿通路122A係作為散熱體(heat sink)以協助降低雷射標記墊128的溫度。亦可於圖7中發現例示的金屬跡線144，圖7說明雷射標記墊128其中之一係連接至貫穿通路122A。根據一些實施例，貫穿通路122A係接地。在其他實施例中，貫穿通路122A係信號通路，其係用以攜載低變化信號(具有低頻率，例如其低於約1MHz或1kHz)。

在圖8與圖9中，雷射標記墊128與雷射標記132係直接形成於裝置晶粒102上方並且與裝置晶粒102重疊。在其他實施例中，如圖10所示，其亦說明封裝100的俯視圖，雷射標記墊128與雷射標記132並未與裝置晶粒102對準。在這些實施例中，由於雷射標記墊128與裝置晶粒102之間的距離增加，從雷射標記墊128消散的熱較不可能不利影響裝置晶粒102。

根據其他實施例，圖11與圖12係說明封裝100的俯視圖，其中雷 射標記墊128係大的雷射標記墊，其佔據封裝100的主要區域，其中雷射標記墊128可具有複數個雷射標記132形成於其上。如圖11所示，在這些實施例中，該大的雷射標記墊128可為固體金屬墊。在圖12所示的實施例中，再次為單一雷射標記墊128以及形成於雷射標記墊128中的複數個槽146。槽146貫穿雷射標記墊128。複數個槽146有助於降低封裝100中的應力，其中由於雷射標記墊128的熱膨脹係數(coefficient of thermal expansion，CTE)與周圍介電質118、131及140之間差而產生該應力。在圖11與圖12中的實施例中，由於雷射標記墊128的面積大，因而成為雷射標記中具有良好散熱的有利特徵。

可調整雷射標記墊128與槽146的面積，使得雷射標記墊128的金屬層之金屬密度不會太高。該金屬密度係所有金屬特徵(包含RDL 116與雷射標記墊128)的總面積除以封裝100的面積之比例。在一些實施例中，控制該金屬密度低於約百分之50。

本申請案揭示內容的實施例具有數個有利的特徵。藉由形成雷射標記墊，該雷射標記墊控制雷射標記的深度。保護封裝中的裝置晶粒與重佈線免於受到雷射標記可能造成的破壞。由於可同時形成雷射標記墊與重佈線，因此本申請案揭示內容的實施例不會造成額外的製造成本。

根據本申請案揭示內容的一些實施例，封裝包含裝置晶粒、將該裝置晶粒封裝於其中的模塑料，以及位於該裝置晶粒與該模塑料上方的複數個重佈線。雷射標記墊與該複數個重佈線其中之一齊平，其中該雷射標記墊與該複數個重佈線之一係由相同的傳導材料形成。在聚合物層上方，附接膠帶。雷射標的穿過該膠帶與該聚合物層。該雷射標記延伸至該雷射標記墊的頂部表面。

根據本申請案揭示內容的其他實施例，封裝包含第一封裝，其包含至少一第一介電層、在該至少一介電層中的第一複數個重佈線、 位於該第一複數個重佈線上方並且電耦合至該第一複數個重佈線的裝置晶粒、將該裝置晶粒封裝於其中的模塑料、穿過該模塑料的貫穿通路、位於該裝置晶粒上方的至少一第二介電層、以及在該至少一第二介電層中的第二複數個重佈線。該第二複數個重佈線其中之一係經由該貫穿通路而電耦合至該第一複數個重佈線其中之一。該封裝進一步包含在該至少一第二介電層中的金屬墊，其中該金屬墊係連接至該貫穿通路、在該至少一第二介電層上方的第三介電層、從該第三介電層之頂部表面延伸至該金屬墊之頂部表面的雷射標記、以及在該第一封裝上方且接合至該第一封裝的第二封裝。

根據本申請案揭示內容的其他實施例，方法包含形成封裝，其包含至少一第一介電層、在該至少一第一介電層中的第一複數個重佈線、位於該第一複數個重佈線上方並且電耦合至該第一複數個重佈線的裝置晶粒、將該裝置晶粒封裝於其中的模塑料、穿過該模塑料的貫穿通路、位於該裝置晶粒上方的至少一第二介電層、以及在該至少一第二介電層中的第二複數個重佈線，其中該第二複數個重佈線係經由該貫穿通路而電耦合至該第一複數個重佈線，以及在該至少一第二介電層中的金屬墊。在該至少一第二介電層上方形成聚合物層，在該聚合物層上方附接膠帶。該方法進一步包含進行雷射標記，以於該聚合物層與該膠帶中形成雷射標記，該金屬墊的部分暴露至該雷射標記。

前述內容概述一些實施方式的特徵，因而熟知此技藝之人士可更加理解本申請案揭示內容之各方面。熟知此技藝之人士應理解可輕易使用本申請案揭示內容作為基礎，用於設計或修飾其他製程與結構而實現與本申請案所述之實施方式具有相同目的與/或達到相同優點。熟知此技藝之人士亦應理解此均等架構並不脫離本申請案揭示內容的精神與範圍，以及熟知此技藝之人士可進行各種變化、取代與替換，而不脫離本申請案揭示內容之精神與範圍。

100‧‧‧封裝

102‧‧‧裝置晶粒

122‧‧‧貫穿通路

128‧‧‧雷射標記墊

130‧‧‧密封環

132‧‧‧雷射標記

Claims (10)

1. 一種封裝，其包括：第一封裝，其包括：裝置晶粒；模塑料，其將該裝置晶粒封裝於其中；複數個重佈線，其位於該裝置晶粒與該模塑料上方；雷射標記墊，其係與該複數個重佈線其中之一齊平，其中該雷射標記與該複數個重佈線其中之一係由相同的傳導材料形成，且該雷射標記墊至少一部分為電性浮接；聚合物層，其係位於該雷射標記墊與該複數個重佈線上方；膠帶，其係位於該聚合物層上方；以及雷射標記，其穿過該膠帶與該聚合物層，其中該雷射標記延伸至該雷射標記墊的頂部表面，且該雷射標記包含字母、數字、圖形或可用於辨識的任何其他符號。
2. 如請求項1所述的封裝，進一步包括：貫穿通路，其穿過該模塑料；以及金屬跡線，其將該雷射標記墊連接至該貫穿通路。
3. 如請求項2所述的封裝，其中該貫穿通路係接地。
4. 如請求項1所述的封裝，其中該雷射標記包括形成於該聚合物層與該膠帶中的渠道，以及該封裝進一步包括：第二封裝，其係位於該第一封裝上方；焊料區域，其將該第一封裝接合至該第二封裝；以及在該第一封裝與該第二封裝之間的間隙中的底膠填充，其中 位於該聚合物層與該膠帶中的渠道中之部分的該底膠填充係形成雷射標記。
5. 如請求項1所述的封裝，進一步包括：其他的雷射標記墊；其他的雷射標記，其穿過該膠帶與該聚合物層，其中該其他的雷射標記延伸至該其他的雷射標記墊之頂部表面；以及金屬跡線，其係與該雷射標記墊與該其他的雷射標記墊互連，其中該金屬跡線係窄於該雷射標記墊與該其他的雷射標記。
6. 如請求項1所述的封裝，其中該雷射標記墊包括複數個槽於其中，該複數個槽穿過該雷射標記墊。
7. 一種方法，其包括：形成第一封裝，其包括：至少一第一介電層；第一複數個重佈線，其係位於該至少一第一介電層中；裝置晶粒，其係位於該第一複數個重佈線上方並且電耦合至該第一複數個重佈線；模塑料，封裝該裝置晶粒於其中；貫穿通路，其穿過該模塑料；至少一第二介電材料，其係位於該裝置晶粒上方；第二複數個重佈線，其係位於該至少一第二介電層中，其中該第二複數個重佈線係經由該貫穿通路而電耦合至該第一複數個重佈線；以及金屬墊，其係位於該至少一第二介電層中，且該金屬墊至少一部分為電性浮接；在該至少一第二介電層上方，形成聚合物層； 在該聚合物層上方，附接膠帶；以及進行雷射標記，以於該聚合物層與該膠帶中形成雷射標記，部分的該金屬墊暴露至該雷射標記，且該雷射標記包含字母、數字、圖形或可用於辨識的任何其他符號。
8. 如請求項7所述的方法，進一步包括：在該聚合物層與該膠帶中形成開口，以暴露複數個金屬墊；以及形成焊料區，其延伸至該開口中，以與該複數個金屬墊結合。
9. 如請求項7所述的方法，進一步包括：將第二封裝接合至該第一封裝；以及在該第一封裝與該第二封裝之間的間隙中，填充底膠填充，其中該底膠填充係位於該雷射標記中。
10. 如請求項7所述的方法，其中該金屬墊阻擋用於該雷射標記中的雷射光束。