CN109633956A - Tft阵列基板及其对位方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 10
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- GRPQBOKWXNIQMF-UHFFFAOYSA-N indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [Sn+4].[O-2].[In+3] GRPQBOKWXNIQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133354—Arrangements for aligning or assembling substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
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Abstract
本发明提供一种TFT阵列基板及其对位方法。该TFT阵列基板包括显示区及包围所述显示区的非显示区；所述非显示区上设有对位标记以及设于所述对位标记上并与对位标记接触的透明导电层，当对位设备通过电子扫描对位标记所在的区域时，利用对位标记与透明导电层束缚电子能力不同，使对位标记在对位设备中呈现黑色，透明导电层在对位设备中呈现灰色，形成明显的灰度对比，提高对位标记的抓取成功率，减少对位设备的误抓率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及其对位方法。
背景技术
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是目前液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系平板显示装置的显示性能。
现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管阵列基板(ThinFilm Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)与彩色滤光片(ColorFilter，CF)基板之间灌入液晶分子，并在两片基板上分别施加像素电压和公共电压，通过像素电压和公共电压之间形成的电场控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线透射出来产生画面。
在液晶面板制程中，对位标记(mark)具有重要作用，当需要进行位置确认和座标计算时，需要读取对位标记的位置。例如，进行精密量测仪器座标定位和曝光机曝光对位时，需要读取对位标记的位置；在液晶面板对组制程时，亦需要通过对位标记对TFT阵列基板和彩色滤光片基板的对组位置进行确认。如图1所示，现有的TFT阵列基板在第一金属层(栅极金属层)或第二金属层(源漏极金属层)上蚀刻出镂空的呈“L”形的空白区域(也被称为净空区)，以该“L”形的空白区域作为对位标记200，在对位设备实际抓取该对位标记200时，由于对位标记200外围四角与“L”的特征相似，当对位设备用电子枪扫描抓取对位标记200时，对位标记200外围四角与玻璃基板的交界位置会导致对位设备抓取对位标记200的特征时出现干扰，此干扰会影响对位设备抓取该对位标记200，且该对位标记200在对位设备中呈现白色，且对位标记200周边特征也呈现白色，导致设备抓取对位标记200，无法有效识别抓取的“L”形对位标记200是否正确，整个对位标记200在对位设备抓取时产生偏移，抓取对位标记200成功率不高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT阵列基板，可以提高对位标记的抓取成功率，减少对位设备的误抓率。
本发明的目的还在于提供一种TFT阵列基板的对位方法，可以提高对位标记的抓取成功率，减少对位设备的误抓率。
为实现上述目的，本发明提供了一种TFT阵列基板，包括：显示区及包围所述显示区的非显示区；所述非显示区上设有对位标记以及设于所述对位标记上并与对位标记接触的透明导电层。
所述对位标记包括沿水平方向延伸的第一边以及与所述第一边一端垂直连接的第二边。
所述对位标记的材料为铜；所述透明导电层的材料为ITO。
所述显示区包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的栅极、设于所述栅极上的绝缘层、设于所述绝缘层上的有源层、设于所述有源层上的源极和漏极、设于所述源极和漏极上的钝化层以及设于所述钝化层上的像素电极层。
所述非显示区包括：衬底基板、设于所述衬底基板上并与栅极同层设置的对位标记及与该对位标记间隔设置的公共电极线。
所述透明导电层还与公共电极线接触。
所述非显示区包括：衬底基板、设于所述衬底基板上并与栅极同层设置的公共电极线、设于所述公共电极线上的绝缘层以及设于所述绝缘层上并与源极和漏极同层设置的对位标记。
所述透明导电层还通过贯穿绝缘层的导电连线与公共电极线接触。
所述导电连线的宽度大于或等于100um。
本发明还提供一种TFT阵列基板的对位方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供上述的TFT阵列基板；
步骤S2、对位设备通过电子扫描对位标记所在的区域，利用对位标记与透明导电层束缚电子能力不同而形成灰度对比，从而抓取对位标记。
本发明的有益效果：本发明的TFT阵列基板包括显示区及包围所述显示区的非显示区；所述非显示区上设有对位标记以及设于所述对位标记上并与对位标记接触的透明导电层，当对位设备通过电子扫描对位标记所在的区域时，利用对位标记与透明导电层束缚电子能力不同，使对位标记在对位设备中呈现黑色，透明导电层在对位设备中呈现灰色，形成明显的灰度对比，提高对位标记的抓取成功率，减少对位设备的误抓率。本发明的TFT阵列基板的对位方法，可以提高对位标记的抓取成功率，减少对位设备的误抓率。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的TFT阵列基板的对位标记的结构示意图；
图2为本发明的TFT阵列基板的结构示意图；
图3为本发明的TFT阵列基板第一实施例的结构示意图；
图4为本发明的TFT阵列基板第二实施例的结构示意图；
图5为本发明的TFT阵列基板的对位方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2至图4，本发明提供一种TFT阵列基板，包括：显示区10及包围所述显示区10的非显示区11；所述非显示区11上设有对位标记12以及设于所述对位标记12上并与对位标记12接触的透明导电层13。
需要说明的是，本发在对位标记12上设置与对位标记12接触的透明导电层13，当对位设备通过电子扫描对位标记12所在的区域时，利用对位标记12与透明导电层13束缚电子能力不同，使对位标记12在对位设备中呈现黑色，透明导电层13在对位设备中呈现灰色，形成明显的灰度对比，提高对位标记12的抓取成功率，减少对位设备的误抓率。此外，本发明也可以应用于母板中，在母板对位时也可以提高对位标记12的抓取成功率。
具体的，所述对位标记12包括沿水平方向延伸的第一边121以及与所述第一边121一端垂直连接的第二边122，即该对位标记12的形状为“L”形。此外，该对位标记12可以位于非显示区11边缘的拐角处，且第一边121与第二边122的连接处面向于非显示区11边缘的拐角。
具体的，所述对位标记12的材料为铜；所述透明导电层13的材料为ITO(氧化铟锡)。
具体的，所述显示区10包括：衬底基板100、设于所述衬底基板100上的栅极101、设于所述栅极101上的绝缘层102、设于所述绝缘层102上的有源层103、设于所述有源层103上的源极104和漏极105、设于所述源极104和漏极105上的钝化层106以及设于所述钝化层106上的像素电极层107。
具体的，所述像素电极层107与透明导电层13可以通过一道光刻工艺同时形成。
具体的，请参阅图3，在本发明的TFT阵列基板的第一实施例中，所述非显示区11包括：衬底基板100、设于所述衬底基板100上并与栅极101同层设置的对位标记12及与该对位标记12间隔设置的公共电极线1011；
即所述对位标记12、公共电极线1011及栅极101构成第一金属层111；所述源极104和漏极105构成第二金属层112。
具体的，所述第一金属层111的形成方法为：在所述衬底基板100上形成一层第一金属材料层，通过一道光刻工艺图案化处理该第一金属材料层，在衬底基板100上同时形成栅极101、公共电极线1011及对位标记12。
进一步的，所述透明导电层13还与公共电极线1011直接接触。
具体的，请参阅图4，在本发明的TFT阵列基板的第二实施例中，所述非显示区11包括：衬底基板100、设于所述衬底基板100上并与栅极101同层设置的公共电极线1011、设于所述公共电极线1011上的绝缘层102以及设于所述绝缘层102上并与源极104和漏极105同层设置的对位标记12；
即所述公共电极线1011及栅极101构成第一金属层111；所述对位标记12、源极104和漏极105构成第二金属层112。
具体的，所述第一金属层111的形成方法为：在所述衬底基板100上形成一层第一金属材料层，通过一道光刻工艺图案化处理该第一金属材料层，在衬底基板100上同时形成栅极101及公共电极线1011。
所述第二金属层112的形成方法为：在所述绝缘层102和有源层103上形成一层第二金属材料层，通过一道光刻工艺图案化处理该第二金属材料层，同时在绝缘层102上形成对位标记12以及在有源层103上形成源极104和漏极105。
进一步的，所述透明导电层13还通过贯穿绝缘层102的导电连线131与公共电极线1011接触。
具体的，所述导电连线131的宽度大于或等于100um。
请参阅图5，基于上述TFT阵列基板，本发明还提供一种TFT阵列基板的对位方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供上述TFT阵列基板；
步骤S2、对位设备通过电子扫描对位标记12所在的区域，利用对位标记12与透明导电层13束缚电子能力不同而形成灰度对比，从而抓取对位标记12。
需要说明的是，本发明在对位标记12上设置与对位标记12接触的透明导电层13，当对位设备通过电子扫描对位标记12所在的区域时，利用对位标记12与透明导电层13束缚电子能力不同，使对位标记12在对位设备中呈现黑色，透明导电层13在对位设备中呈现灰色，形成明显的灰度对比，提高对位标记12的抓取成功率，减少对位设备的误抓率。此外，本发明也可以应用于母板中，在母板对位时也可以提高对位标记12的抓取成功率。
综上所述，本发明的TFT阵列基板包括显示区及包围所述显示区的非显示区；所述非显示区上设有对位标记以及设于所述对位标记上并与对位标记接触的透明导电层，当对位设备通过电子扫描对位标记所在的区域时，利用对位标记与透明导电层束缚电子能力不同，使对位标记在对位设备中呈现黑色，透明导电层在对位设备中呈现灰色，形成明显的灰度对比，提高对位标记的抓取成功率，减少对位设备的误抓率。本发明的TFT阵列基板的对位方法，可以提高对位标记的抓取成功率，减少对位设备的误抓率。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：显示区(10)及包围所述显示区(10)的非显示区(11)；所述非显示区(11)上设有对位标记(12)以及设于所述对位标记(12)上并与对位标记(12)接触的透明导电层(13)。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述对位标记(12)包括沿水平方向延伸的第一边(121)以及与所述第一边(121)一端垂直连接的第二边(122)。
3.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述对位标记(12)的材料为铜；所述透明导电层(13)的材料为ITO。
4.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述显示区(10)包括：衬底基板(100)、设于所述衬底基板(100)上的栅极(101)、设于所述栅极(101)上的绝缘层(102)、设于所述绝缘层(102)上的有源层(103)、设于所述有源层(103)上的源极(104)和漏极(105)、设于所述源极(104)和漏极(105)上的钝化层(106)以及设于所述钝化层(106)上的像素电极层(107)。
5.如权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述非显示区(11)包括：衬底基板(100)、设于所述衬底基板(100)上并与栅极(101)同层设置的对位标记(12)及与该对位标记(12)间隔设置的公共电极线(1011)。
6.如权利要求5所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述透明导电层(13)还与公共电极线(1011)接触。
7.如权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述非显示区(11)包括：衬底基板(100)、设于所述衬底基板(100)上并与栅极(101)同层设置的公共电极线(1011)、设于所述公共电极线(1011)上的绝缘层(102)以及设于所述绝缘层(102)上并与源极(104)和漏极(105)同层设置的对位标记(12)。
8.如权利要求7所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述透明导电层(13)还通过贯穿绝缘层(102)的导电连线(131)与公共电极线(1011)接触。
9.如权利要求8所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述导电连线(131)的宽度大于或等于100um。
10.一种TFT阵列基板的对位方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供如权利要求1-9任一项所述的TFT阵列基板；
步骤S2、对位设备通过电子扫描对位标记(12)所在的区域，利用对位标记(12)与透明导电层(13)束缚电子能力不同而形成灰度对比，从而抓取对位标记(12)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811431561.1A CN109633956A (zh) | 2018-11-26 | 2018-11-26 | Tft阵列基板及其对位方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811431561.1A CN109633956A (zh) | 2018-11-26 | 2018-11-26 | Tft阵列基板及其对位方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109633956A true CN109633956A (zh) | 2019-04-16 |
Family
ID=66069823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811431561.1A Pending CN109633956A (zh) | 2018-11-26 | 2018-11-26 | Tft阵列基板及其对位方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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-
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