TWI650850B - 陣列基板 - Google Patents

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TWI650850B TW103120940A TW103120940A TWI650850B TW I650850 B TWI650850 B TW I650850B TW 103120940 A TW103120940 A TW 103120940A TW 103120940 A TW103120940 A TW 103120940A TW I650850 B TWI650850 B TW I650850B
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Abstract

陣列基板包含基板、設置於基板上的緩衝層、設置於緩衝層上的第一絕緣層、設置於第一絕緣層上的第二絕緣層、設置於第二絕緣層上的複數個佈線圖案，而其中佈線圖案係互相分隔；以及設置相鄰於佈線圖案的凹槽圖案。

Description

陣列基板
本申請主張於2013年6月17日申請之韓國專利申請案第10-2013-0069039號及於2013年10月21日申請之韓國專利申請案第10-2013-0125416號的優先權，其整體公開內容在此通過引用併入於本文中。
本揭露係關於一種陣列基板及包含其之顯示裝置，且更具體地，係關於一種具有顯示區與非顯示區的陣列基板及包含該陣列基板的顯示裝置。
顯示裝置如液晶顯示器(LCD)或有機發光顯示器(OLED)可包含具有顯示區與位於顯示區外的非顯示區的陣列基板。此種顯示裝置可以於顯示區中包含複數個像素作為顯示影像的基本元件，而每個像素可以包含開關裝置以獨立地操作。
於LCDs或OLEDs中，陣列基板被用作電路板以獨立地驅動每個像素。傳送掃描訊號的閘極佈線、傳送影像訊號的數據佈線、薄膜電晶體(TFTs)、以及各種有機或無機絕緣層被設置於陣列基板上。於這些元件中，每一個TFTs包含為閘極佈線的一部分的閘極電極、形成通道的半導體層、為數據佈線的一部分的源極電極以及汲極電極。因此，每個TFTs都可作為開關裝置。
於位於顯示區外的非顯示區中，被連接到顯示區的閘極線或數據線的複數條佈線被設置。佈線可以各種形式延伸，且可具有被連接到陣列基板下部中襯墊單元中所包含的複數個襯墊的各別終端。
陣列基板可能暴露於來自其製造過程的各種衝擊。例如，當陣列基板被運送或當於陣列基板上進行各種測試時，很可能會對陣列基板施加衝擊。這些衝擊可能會引致基板的裂縫。裂縫傾向通過設置於基板上的無機絕緣層增長或擴散。就是說，當裂縫於非顯示區的一部分中產生時，這些裂縫可能沿無機絕緣層擴散到顯示區，從而降低了顯示區的可靠性。為了解決這些難題，進行各種技術的嘗試以提供一種以對衝擊具抗性並抑制於非顯示區中所產生的裂縫的擴散之此類方式所建構的陣列基板。
本發明的例示性實施例提供一種防止裂縫的產生所建構的陣列基板。
本發明的例示性實施例也提供一種抑制裂縫的擴散所建構的陣列基板。
本發明的例示性實施例也提供一種防止裂縫的產生所建構的有機發光顯示器(OLED)。
本發明的例示性實施例也提供一種抑制裂縫的擴散所建構的OLED。
然而，如本領域中的普通技術人員參照本文中所闡述的本公開內容將顯而易見的是，本發明的例示性實施例並不受限於本文中所闡述的效果。
根據本發明的例示性實施例，設置陣列基板。陣列基板包含基板、設置於基板上的障壁層、設置於障壁層上的緩衝層、設置於緩衝層上的第一絕緣層、設置於第一絕緣層上的第二絕緣層、設置於第一絕緣層與第二絕緣層之間及/或於第二絕緣層上的複數個佈線圖案。此外，佈線圖案係互相分隔，並朝向基板的一邊延伸。
陣列基板進一步包含被設置相鄰於佈線圖案並從第二絕緣層的上表面凹陷以暴露基板的上表面的至少一部分的凹槽圖案、以及設置於第二絕緣層上並暴露由凹槽圖案所暴露的基板的上表面之部分的至少一部分的有機絕緣層。
根據本發明的例示性實施例，一種陣列基板被配置，其中包含顯示區及位於顯示區外的非顯示區。
根據本發明的例示性實施例，陣列基板的非顯示區包含基板、設置於基板上的障壁層、設置於障壁層上的緩衝層、設置於緩衝層上的第一絕緣層、設置於第一絕緣層上的第二絕緣層、設置於第一絕緣層與第二絕緣層之間及/或於第二絕緣層上的複數個佈線圖案。此外，佈線圖案係互相分隔，並朝向基板的一邊延伸。陣列基板的非顯示區進一步包含從第二絕緣層的上表面凹陷以暴露基板的上表面的至少一部分的凹槽圖案、以及設置於第二絕緣層上並暴露由凹槽圖案所暴露的基板的上表面部分的至少一部分的有機絕緣層。
根據本發明的例示性實施例，一種OLED被配置，其中包含陣列基板以及設置於陣列基板上的封裝構件。陣列基板具有顯示區及位於顯示區外的非顯示區。非顯示區包含基板、設置於基板上的障壁層、設置於障壁層上的緩衝層、設置於緩衝層上的第一絕緣層、設置於第一絕緣層上的第二絕緣層、 以及設置於第一絕緣層與第二絕緣層之間及/或於第二絕緣層上的複數個佈線圖案。此外，佈線圖案係互相分隔，並朝向基板的一邊延伸。非顯示區進一步包含設置相鄰於佈線圖案並從第二絕緣層的上表面凹陷以暴露基板的上表面的至少一部分的凹槽圖案、以及被設置於第二絕緣層上並暴露由凹槽圖案所暴露的基板的上表面之部分的至少一部分的有機絕緣層。
根據本發明的例示性實施例，一種有機發光顯示器(OLED)被配置。OLED包含含有顯示區及設置於顯示區外的非顯示區的陣列基板、以及被置於陣列基板上的封裝構件。
OLED的顯示區包含顯示區基板；設置於顯示區基板上的顯示區障壁層；設置於顯示區障壁層上的顯示區緩衝層；設置於顯示區緩衝層上的半導體層；設置於半導體層上的閘極絕緣層；設置於閘極絕緣層上包含閘極線、閘極電極及閘極襯墊的閘極佈線；覆蓋閘極佈線之層間絕緣膜；設置於層間絕緣膜上包含源極電極、汲極電極及數據線的數據佈線；設置於數據佈線及層間絕緣膜上的平坦化層；設置於平坦化層上且電性連接到汲極電極的第一電極；設置於第一電極上且暴露第一電極之一部分的像素定義層；設置於由像素定義層所暴露的第一電極的一部分上的有機層；以及設置於有機層及像素定義層上的第二電極。
OLED的非顯示區包含非顯示區基板、設置於非顯示區基板上的非顯示區障壁層、設置於非顯示區障壁層上的非顯示區緩衝層、設置於非顯示區緩衝層上的第一絕緣層、設置於第一絕緣層上的第二絕緣層、設置於第一絕緣層與第二絕緣層之間及/或於第二絕緣層上的複數個佈線圖案。此外，佈線圖案係互相分隔，並朝向非顯示區基板的一邊延伸。
此外，OLED之非顯示區進一步包含設置相鄰於佈線圖案並從第二絕緣層的上表面凹陷以暴露非顯示區基板的上表面的至少一部分的凹槽圖案、以及被設置於第二絕緣層上並暴露由凹槽圖案所暴露的非顯示區基板的上表面之部分的至少一部分的有機絕緣層。
10‧‧‧基板
11‧‧‧障壁層
12‧‧‧緩衝層
20‧‧‧閘極絕緣層
25‧‧‧第一絕緣層
30‧‧‧層間絕緣膜
31‧‧‧第一子絕緣層
32‧‧‧第二子絕緣層
35、35'‧‧‧第二絕緣層
40‧‧‧半導體層
45‧‧‧單元ID圖案
46‧‧‧十字狀圖形
50‧‧‧閘極線
51‧‧‧閘極電極
55‧‧‧閘極襯墊
60‧‧‧數據線
61‧‧‧源極電極
62‧‧‧汲極電極
70‧‧‧平坦化層
71‧‧‧第一接觸孔
72‧‧‧接觸孔
75‧‧‧有機絕緣層
80‧‧‧第一電極
90‧‧‧像素定義層
91‧‧‧有機層
92‧‧‧第二電極
100、101‧‧‧陣列基板
200‧‧‧掃描驅動器
300‧‧‧發光驅動器
401、411、421‧‧‧佈線線路
402‧‧‧佈線襯墊
403‧‧‧佈線連接部分
500、501、503、504、505、506、507、508‧‧‧凹槽圖案
502‧‧‧凹槽
700‧‧‧切割線
801‧‧‧導電層
800‧‧‧封裝基板
803‧‧‧封裝層
DA‧‧‧顯示區
NDA‧‧‧非顯示區
d1、d2‧‧‧寬度
本發明的例示性實施例可從以下搭配參照附圖所得到的詳細描述而更詳細地理解，其中：第1圖是根據本發明的實施例的陣列基板的平面圖；第2圖是第1圖的“A”部分的局部放大圖；第3圖是沿第2圖的I-I’線所截取的橫截面圖；第4圖是第1圖的“B”部分的局部放大圖；第5圖是沿第4圖的II-II’線所截取的橫截面圖；第6圖是沿第4圖的III-III’線所截取的橫截面圖；第7圖是沿第4圖的IV-IV’線所截取的橫截面圖；第8圖是根據第4圖的實施例的修正示例的陣列基板的局部放大圖；第9圖是根據第8圖的修正示例的修正示例之陣列基板的局部放大圖；第10圖是根據第4圖的實施例的修正示例的陣列基板的局部放大圖；第11圖是沿第10圖的V-V’線所截取的橫截面圖； 第12圖是沿第10圖的VI-VI’線所截取的橫截面圖；第13圖是根據第11圖的修正示例的修正示例的陣列基板的橫截面圖；第14圖是根據第12圖的修正示例的修正示例的陣列基板的橫截面圖；第15圖是根據第10圖的修正示例的修正示例的陣列基板的局部放大圖；第16圖是沿第15圖的VII-VII’線所截取的橫截面圖；第17圖是根據第6圖的實施例的修正示例的陣列基板的橫截面圖；第18圖是根據第7圖的實施例的修正示例的陣列基板的橫截面圖；第19圖是根據本發明的實施例的陣列基板的局部放大圖；第20圖是沿第19圖的VIII-VIII’線所截取的橫截面圖；第21圖是根據本發明的實施例的陣列基板的局部放大圖；第22圖是根據本發明的實施例的陣列基板的平面圖；第23圖是第22圖的“C”部分的局部放大圖；第24圖是沿第23圖的IX-IX’線所截取的橫截面圖；第25圖是第22圖的“D”部分的局部放大圖；第26圖是沿第25圖的X-X’線所截取的橫截面圖；第27圖是根據本發明實施例的有機發光顯示器(OLED)的橫截面圖；以及 第28圖是根據本發明的實施例的OLED的橫截面圖。
本發明的例示性實施例及實現態樣與特點的方法將藉由參考參照附圖而詳細描述之實施例而顯而易見。然而，本發明的例示性實施例並不受限於下文中所公開的實施例，而是可以不同形式被實現。
於本發明的整個描述中，各圖中相同的附圖參考符號係用於相同的元件。
於圖式中，層、膜、面板、區域等的厚度可為了清晰而誇大。將理解的是，當元件如層、膜、區域或基板被稱為「於」另一元件「上」時，其可直接於另一元件上或亦可存在中介元件。
如本文中所用，除非內容另有明確指明，否則單數形式「一」、「一個」及「該」係旨在也包括複數形式。
於下文中，本發明的實施例將參照附圖而描述。
第1圖是根據本發明實施例的陣列基板100的平面圖。第2圖是第1圖的“A”部分的局部放大圖。第3圖是沿第2圖的I-I’線所截取的橫截面圖。
參照第1圖至第3圖，根據本實施例的陣列基板100可包含顯示區DA及位於顯示區DA外的非顯示區NDA。
顯示區DA可以包含，例如，於一個方向上延伸的複數條閘極線50及於交叉於閘極線50的一個方向上延伸的複數條數據線60。此外，可以定義由閘極線50及數據線60所圍繞的複數個像素區。連接到閘極線50及數據線60的薄膜電晶體(TFT)可形成於由閘極線50及數據線60所定義的每個像素區內。
顯示區DA現將參照第2圖及第3圖而更加詳細地描述。
基板10可以為，例如，平板狀構件並可支撐將於稍後所描述的其他元件。基板10可以為，例如，絕緣基板，且可由聚合物材料包括玻璃、石英或塑料所形成。於一個例示性實施例中，基板10可以由聚亞醯胺(PI)所形成。然而，基板10的材料並不受限於聚亞醯胺。例如，於一個例示性實施例中，基板10可以包含聚醚碸(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、或其組合。
基板10可為剛性基板。然而，基板10並不受限於剛性基板而也可為韌性或可撓性基板。也就是說，於本說明書中，用語「基板」可被理解為具有，例如，可彎曲的、可折疊的及可捲曲的可撓性基板的概念。
如第3圖中所示，基板10可具有單層結構。然而，基板10的結構並不受限於單層結構。也就是說，可選地，於一個例示性實施例中，基板10可具有兩層或更多層的堆疊結構。換句話說，基板10可以包含，例如，基層及被設置於基層上的保護層。
基層可由，例如，絕緣材料所形成。於一個例示性實施例中，基層可由，例如，聚亞醯胺所形成。然而，基層的材料並不受限於聚亞醯胺。保護層可被設置於基層上。保護層可由，例如，有機材料或無機材料所形成。例如，保護層可包含選自由聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)中的一或多種材料。然而，保護層的材料並不受限於以上的示例。
障壁層11可被設置於基板10上。障壁層11可防止從基板10滲入雜質元素。於一個例示性實施例中，障壁層11可由，例如，選自由氧化矽(SiOx)及氮化矽(SiNx)所組成的群組的一或多種材料所形成。然而，障壁層11的材料並 不受限於以上的示例。障壁層11可具有單層結構或者兩層或更多層的堆疊結構。於其中障壁層11由兩層所構成的一個例示性實施例中，這兩層可以由，例如，不同的材料所形成。例如，第一層可以由氧化矽所形成，而第二層可以由氮化矽所形成。然而，障壁層11的結構並不受限於以上的示例。
可選地，於一個例示性實施例中，障壁層11可基於基板10的材料或過程條件而被省略。
緩衝層12可形成於障壁層11上以覆蓋障壁層11。緩衝層12可為，例如，由無機材料所形成的無機層。於一個例示性實施例中，緩衝層12可以由，例如，選自由氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氧化鋁(AlOx)及氮氧化矽(SiON)所組成的群組中的一或多種材料所形成。然而，緩衝層12的材料並不受限於以上的示例。此外，緩衝層12可具有單層結構或者兩層或更多層的堆疊結構。於其中緩衝層12由兩層所構成的一個例示性實施例中，這兩層可以由，例如，不同的材料所形成。例如，第一層可以由氧化矽所形成，而第二層可以由氮化矽所形成。然而，緩衝層12的結構並不受限於以上的示例。
半導體層40可形成於緩衝層12上。半導體層40可以由，例如，非晶矽或多晶矽所形成。於一個例示性實施例中，半導體層40可藉由，例如，塗佈、圖案化並隨後使非晶矽結晶而形成。然而，形成半導體層40的方法並不受限於以上的示例。於本說明書中，用語「半導體層」可以被理解為氧化物半導體層。
閘極絕緣層20可形成於半導體層40上。閘極絕緣層20可包含，例如，氮化矽、氧化矽、氮氧化矽(SiOxNy)、氧化鋁(AlOx)、氧化釔(Y2O3)、氧化鉿(HfOx)、氧化鋯(ZrOx)、氮化鋁(AlN)、氮氧化鋁(AlNO)、氧化鈦(TiOx)、鈦 酸鋇(BaTiO3)及鈦酸鉛(PbTiO3)中的至少一種，但閘極絕緣層20的材料並不受限於以上的示例。閘極絕緣層20可以具有單層結構。然而，閘極絕緣層20的結構並不受限於單層結構。閘極絕緣層20也可具有包含具不同物理性質的兩層或更多層絕緣層的多層結構。
包含閘極線50、閘極電極51及閘極襯墊55的閘極佈線可設置於閘極絕緣層20上。閘極佈線可以由，例如，選自由鋁(Al)系金屬如鋁或鋁合金、銀(Ag)系金屬如銀或銀合金、銅(Cu)系金屬如銅或銅合金、鉬(Mo)系金屬如鉬或鉬合金、鉻(Cr)、鈦(Ti)及鉭(Ta)所組成的群組的一或多種材料所形成。此外，於一個實施例中，閘極佈線可以由，例如，選自由諸如鎳(Ni)、金(Au)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、釹(Nd)、鋅(Zn)、鈷(Co)、銀(Ag)、錳(Mn)或其任何合金所組成的群組的至少一種材料所形成。然而，閘極佈線的材料並不受限於以上的示例，而具有導電性的任何透明或半透明材料都可用以形成閘極佈線。
閘極線50可如上所述配置為複數條，而閘極線50可以延伸，例如，於一方向上以互相平行。
層間絕緣膜30可設置於閘極佈線上以覆蓋閘極佈線。層間絕緣膜30可以為，例如，由無機材料所形成的無機層。於一個例示性實施例中，層間絕緣膜30可以包含，例如，氮化矽或氧化矽，但是層間絕緣膜30的材料並不受限於以上的示例。層間絕緣膜30可以具有單層結構。然而，層間絕緣膜30的結構並不受限於單層結構。層間絕緣膜30也可具有包含具例如不同物理性質的兩層或更多層絕緣層的多層結構。具多層結構的層間絕緣膜30將於稍後描述。
包含例如源極電極61、汲極電極62及數據線60的數據佈線可被設置於層間絕緣膜30上。數據佈線可由例如鉬、鉻、耐火金屬如鉭及鈦、或這些 材料的合金所形成。此外，於一個實施例中，數據佈線可由，例如，選自諸如鎳(Ni)、金(Au)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、釹(Nd)、鋅(Zn)、鈷(Co)、銀(Ag)、錳(Mn)或其任何合金所組成的群組的至少一種材料所形成。然而，數據佈線的材料並不受限於以上的示例，而具導電性的任何透明或半透明材料都可用以形成數據佈線。
數據線60可傳遞數據訊號並可被放置以交叉閘極線50。也就是說，例如，於一個例示性實施例中，閘極線50可以延伸於水平方向，而數據線60可延伸於垂直方向上以交叉閘極線50。
於第2圖中，數據線60及閘極線50塑型為，例如，像是直線。然而，於一個例示性實施例中，數據線60及閘極線50也可為彎曲的。
源極電極61可為，例如，數據線60的一部分並可與數據線60位於相同的平面。汲極電極62可延伸，例如，平行於源極電極61。於這種情況下，汲極電極62可以是，例如，平行於數據線60的一部分。
閘極電極51、源極電極61及汲極電極62連同半導體層40形成一個TFT。TFT的通道可於源極電極61與汲極電極62之間形成於半導體層40中。
平坦化層70可設置於數據佈線上以覆蓋數據佈線及層間絕緣膜30。平坦化層70可以為，例如，相對地厚於層間絕緣膜30。由於平坦化層70與層間絕緣膜30的厚度的差異，所以平坦化層70的上表面比起其與層間絕緣膜30以及源極及汲極電極61及62相接觸的下表面可能會相對較為平坦。為了減低於基板10上的階差，平坦化層70可以包含，例如，選自由丙烯酸、苯並環丁烯(BCB)及聚亞醯胺所組成的群組中的一或多種材料。然而，平坦化層70的材料並不受限於以上的示例。此外，平坦化層70可以由，例如，感光材料所形成。
第一接觸孔71可形成於平坦化層70中以暴露汲極電極62的至少一部分。例如，第一接觸孔71可穿過平坦化層70並局部地暴露汲極電極62的上表面。
第一電極80可設置於平坦化層70及汲極電極62被暴露的部分上。也就是說，第一電極80可覆蓋平坦化層70、第一接觸孔71的側壁及汲極電極62的上表面。因此，第一電極80及汲極電極62可互相電性連接。於一個例示性實施例中，第一電極80可以為，但並不受限於，陽極。第一電極80可以由，例如，氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化鎘(CdO)、氧化鉿(HfO)、氧化銦鎵鋅(InGaZnO)、氧化銦鎵鋅鎂(InGaZnMgO)、氧化銦鎵鎂(InGaMgO)或氧化銦鎵鋁(InGaAlO)所形成。 然而，第一電極80的材料並不受限於以上的示例。像素定義層、有機層及第二電極可設置於第一電極80上。這些元件將於稍後更詳細地描述。
根據本實施例的陣列基板100的非顯示區NDA現在將被描述。
例如，參照回第1圖，掃描驅動器200、發光驅動器300以及被連接到掃描驅動器200、發光驅動器300或顯示區DA的複數個佈線圖案可設置於位於顯示區DA外的非顯示區NDA中。每個佈線圖案可包含，例如，佈線線路401及佈線襯墊402。例如，佈線線路401可從掃描驅動器200、發光驅動器300或顯示區DA延伸，而佈線襯墊402可設置於佈線線路401的一端並可具有寬於佈線線路401的一端。各佈線圖案的結構將於稍後更詳細地描述。
非顯示區NDA將參照第4圖至第7圖更詳細地描述。
第4圖是第1圖的“B”部分的局部放大圖。第5圖是沿第4圖的II-II’線所截取的橫截面圖。第6圖是沿第4圖的III-III’線所截取的橫截面圖。 第7圖是沿第4圖的IV-IV’線所截取的橫截面圖。
參照第4圖至第7圖，根據本實施例的陣列基板100的非顯示區NDA包含，例如，基板10、設置於基板10上的障壁層11、設置於障壁層11上的緩衝層12、設置於緩衝層12上的第一絕緣層25、設置於第一絕緣層25上的第二絕緣層35、以及複數個佈線圖案。佈線圖案被設置於第一絕緣層25與第二絕緣層35之間及於第二絕緣層35上。此外，佈線圖案係互相分隔，並朝向基板10的一邊延伸。非顯示區NDA進一步包含，例如，從第二絕緣層35的上表面以預定深度凹陷以暴露基板10之上表面的至少一部分的凹槽圖案500、以及被設置於第二絕緣層35上並暴露由凹槽圖案500所暴露的基板10之上表面部分的至少一部分的有機絕緣層75。
基板10、障壁層11及緩衝層12可基本上與參照第1圖至第3圖所描述的相同，且因此其詳細描述將被省略。
第一絕緣層25可設置於緩衝層12上。第一絕緣層25可以為，例如，由無機材料所形成的無機絕緣層。第一絕緣層25可以由，例如，氮化矽或氧化矽所形成。然而，第一絕緣層25的材料並不受限於以上的示例。
於一個例示性實施例中，第一絕緣層25可以由，例如，基本上與顯示區DA的閘極絕緣層20以相同的材料所形成。換言之，非顯示區NDA的第一絕緣層25可基本上與顯示區DA的閘極絕緣層20於同一時間形成。然而，這僅僅是一個示例，而本發明的例示性實施例並不受限於這個示例。也就是說，非顯 示區NDA的第一絕緣層25及顯示區DA的閘極絕緣層20也可獨立地形成為個別元件。
第二絕緣層35可以設置於第一絕緣層25上。相似於第一絕緣層25，第二絕緣層35可以為，例如，由無機材料所形成的無機絕緣層。相似於第一絕緣層25，第二絕緣層35可以包含，例如，氮化矽或氧化矽。第一絕緣層25及第二絕緣層35可以由，例如，不同材料所形成。然而，本發明的例示性實施例並不受限於此，而第一絕緣層25及第二絕緣層35也可由相同材料所形成。於一個例示性實施例中，第二絕緣層35可以由，例如，基本上與顯示區DA的層間絕緣膜30以相同的材料所形成。也就是說，第二絕緣層35可以基本上與顯示區DA的層間絕緣膜30於同一時間形成。然而，這僅僅是一個示例，而本發明的例示性實施例並不受限於這個示例。也就是說，顯示區DA的層間絕緣膜30及非顯示區NDA的第二絕緣層35也可獨立地形成為個別元件。
佈線圖案可設置於第一絕緣層25及第二絕緣層35上。換言之，佈線圖案可設置於第一絕緣層25上以插設於第一絕緣層25與第二絕緣層35之間及/或可設置於第二絕緣層35上。例如，於一個例示性實施例中，每個佈線圖案的一部分可形成於第一絕緣層25上，而每個佈線圖案的剩餘部分可形成於第二絕緣層35上。
佈線圖案可連接到顯示區DA、掃描驅動器200或發光驅動器300以傳送或接收訊號。為此，佈線圖案可以由，例如，選自由鋁(Al)系金屬如鋁或鋁合金、銀(Ag)系金屬如銀或銀合金、銅(Cu)系金屬如銅或銅合金、鉬(Mo)系金屬如鉬或鉬合金、鉻(Cr)、鈦(Ti)及鉭(Ta)所組成的群組中的一或多種材料所形成。此外，於一個實施例中，佈線圖案可以由，例如，選自由諸如，鎳(Ni)、金 (Au)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、釹(Nd)、鋅(Zn)、鈷(Co)、銀(Ag)、錳(Mn)或其任何合金所組成的群組中的至少一種材料所形成。然而，佈線圖案的材料並不受限於以上的示例，而具有導電性的導體都可用以形成佈線圖案。
於一個例示性實施例中，每個佈線圖案可包含，例如，佈線線路401、佈線襯墊402及佈線連接部分403。
佈線線路401可被電性連接到顯示區DA、掃描驅動器200或發光驅動器300，並可從顯示區DA、掃描驅動器200或發光驅動器300朝向基板10的一邊延伸。佈線線路401可配置成複數條，而佈線線路401可以預定距離互相分隔。每條佈線線路401可以延伸，例如，於一條直線上，或可彎曲一或多次以朝向基板10的一邊延伸。
於一個例示性實施例中，佈線線路401可設置於第一絕緣層25上。也就是說，佈線線路401可插設於第一絕緣層25與第二絕緣層35之間。佈線線路401可以由，例如，與顯示區DA的閘極佈線以相同的材料所形成。換言之，佈線線路401可基本上與顯示區DA的閘極佈線於同一時間被形成。然而，本發明的例示性實施例並不受限於此，而非顯示區NDA的佈線線路401及顯示區DA的閘極佈線也可獨立地形成。
佈線線路401的第一端可以，例如，局部地重疊於將於稍後被描述的佈線襯墊402的第二端。
例如，佈線襯墊402可電性連接到佈線線路401的第一端並可從佈線線路401的第一端朝向基板10的一邊延伸。佈線襯墊402可配置成複數條，而佈線襯墊402可沿基板10的一邊佈置。於一個例示性實施例中，佈線襯墊402的第一端可與基板10的一邊接觸，但是本發明例示性實施例並不受限於此。佈線 襯墊402的第二端可以，例如，相對地寬於佈線線路401。外部電路模組，例如，舉例說，用於測試基板10的表現的測試裝置或被連接到基板10的可撓性印刷電路板(FPCB)，可連接到佈線襯墊402。當佈線襯墊402寬於佈線線路401時，佈線襯墊可更輕易地電性連接到電路模組。
於一個例示性實施例中，佈線襯墊402可設置於第二絕緣層35上。也就是說，佈線襯墊402及佈線線路401可以被設置於，例如，不同的水平。 換句話說，佈線襯墊402及佈線線路401可被設置於不同層上。
佈線線路401及佈線襯墊402可互相電性連接。例如，佈線線路401的第一端可電性連接到佈線襯墊402的第二端。於一個例示性實施例中，其中佈線線路401被設置於第一絕緣層25上而佈線襯墊402被設置於第二絕緣層35上，佈線襯墊402及佈線線路401可以通過佈線連接部分403而互相電性連接。佈線連接部分403現在將參照第5圖更詳細地描述。
參照第5圖，第二絕緣層35被設置於佈線線路401上以暴露佈線線路401的至少一部分。佈線襯墊402被設置於由第二絕緣層35所暴露的佈線線路401的一部分上。因此，佈線襯墊402及佈線線路401係互相電性連接。
至少一個凹槽圖案500可設置相鄰於佈線圖案。凹槽圖案500可以從，例如，第二絕緣層35的上表面以預定距離凹陷。從第二絕緣層35的上表面以預定距離凹陷的凹槽圖案500可以暴露基板10的上表面的至少一部分。換言之，凹槽圖案500的下表面可包含基板10的上表面的至少一部分。
換另一種方式，凹槽圖案500可穿過障壁層11、緩衝層12、第一絕緣層25及第二絕緣層35以暴露基板10的上表面的至少一部分。也就是說，於一個例示性實施例中，凹槽圖案500的下表面可以由基板10的上表面所構成，而 凹槽圖案500的側壁可由障壁層11、緩衝層12、第一絕緣層25及第二絕緣層35的內側表面所構成。然而，本發明的例示性實施例並不受限於此。當中間層插設於第二絕緣層35與基板10之間或當另一層被設置於第二絕緣層35上時，凹槽圖案500的側壁可以進一步包含，例如，中間層內側表面及被設置於第二絕緣層35上的層的內側表面。這將於稍後更詳細地描述。
於一個例示性實施例中，至少一個凹槽圖案500可設置相鄰於佈線線路401或設置於佈線線路401與另一佈線線路401之間。
於第4圖及第6圖中，凹槽圖案500被設置相鄰於佈線線路401，但從每條佈線線路401以預定距離被分隔開。然而，本發明的例示性實施例並不受限於此。凹槽圖案500也可與每條佈線線路401的至少一部分接觸。
穿過基板10上的一或多層無機絕緣層的凹槽圖案500可抑制於製造、測試及運送陣列基板100的過程期間對陣列基板100所施加的衝擊所產生的裂縫的擴散。也就是說，由各種衝擊所產生的裂縫傾向通過於基板10上的無機絕緣層增長或擴散。然而，如果藉由如上所述移除無機絕緣層的一部分而形成凹槽圖案500，那麼凹槽圖案可藉由阻擋裂縫的擴散路徑而抑制裂縫的擴散。也就是說，阻止於非顯示區NDA中所產生的裂縫增長至顯示區DA是可行的。換句話說，凹槽圖案500可作為裂縫止動件。
有機絕緣層75可設置於第二絕緣層35上。有機絕緣層75可由有機材料所形成。於一個例示性實施例中，有機絕緣層75可包含，例如，選自由丙烯酸、苯並環丁烯(BCB)及聚亞醯胺所組成的群組的一或多種材料。然而，有機絕緣層75的材料並不受限於以上的示例。此外，有機絕緣層75可以由，例如，感光材料所形成。
於佈線線路401形成的區域內，被設置於第二絕緣層35上的有機絕緣層75可暴露凹槽圖案500的至少一部分(參看第6圖)。也就是說，有機絕緣層75可暴露由凹槽圖案500所暴露的基板10的上表面部分的至少一部分。換言之，有機絕緣層75可完全地或局部地暴露由凹槽圖案500所暴露的基板10的上表面部分。
於佈線襯墊402設置的區域內，有機絕緣層75可局部地覆蓋第二絕緣層35及設置於第二絕緣層35上的佈線襯墊402(參看第7圖)。也就是說，有機絕緣層75可局部地暴露佈線襯墊402。換句話說，有機絕緣層75可包含，例如，穿過有機絕緣層75以暴露每個佈線襯墊402的上表面的至少一部分的接觸孔72。如以上所述，用於測試基板10的表現的各種測試裝置或被連接到基板10的FPCB可以連接到佈線襯墊402。也就是說，接觸孔72可暴露每個佈線襯墊402，從而引導每個佈線襯墊402連接到以上裝置。
於一個例示性實施例中，有機絕緣層75可例如基本上與顯示區DA的平坦化層70以相同的材料所形成。換句話說，有機絕緣層75可與顯示區DA的平坦化層70於同一時間形成。然而，這僅僅是一個示例，而本發明的例示性實施例並不受限於這個示例。顯示區DA的平坦化層70及非顯示區NDA的有機絕緣層75也可獨立地形成為個別元件。
於下文中，本發明的實施例將被描述。於以下的實施例中，與上述相同之元件係以類似的參考符號所表示，而其重複描述將被省略或簡略給出。
第8圖是根據第4圖的實施例的修正示例的陣列基板的局部放大圖。參照第8圖，根據本修正示例的陣列基板與根據第4圖的陣列基板100差別在 於其中複數個凹槽圖案507被形成於佈線線路401與另一相鄰的佈線線路401之間。
例如，一或多個凹槽圖案507可設置於佈線線路401與另一相鄰的佈線線路401之間。於第8圖中，三個凹槽圖案507被佈置，例如，於佈線線路401與另一相鄰的佈線線路401之間的一條線上。然而，凹槽圖案507的數量及佈置並不受限於以上的示例。也就是說，可配置複數個凹槽圖案507，且凹槽圖案507可佈置為，例如，線條或行列的矩陣。這將於稍後描述。
第9圖是根據第8圖的修正示例的修正示例的陣列基板的局部放大圖。根據本修正示例的陣列基板與根據第8圖的修正實施例的陣列基板差別在於其中複數個凹槽圖案508於佈線線路401與另一相鄰的佈線線路401之間被佈置為行列的矩陣。
如上所述，複數個凹槽圖案508可設置於佈線線路401與另一相鄰的佈線線路401之間。凹槽圖案508可被佈置，例如，為線條或為行列的矩陣。 於第9圖中，凹槽圖案508被佈置為3×2矩陣(具有三列及兩行)，但凹槽圖案508的佈置並不受限於這個示例。也就是說，列數及行數可大於或等於二。於第9圖中，凹槽圖案508被規則地佈置。然而，本發明的例示性實施例並不受限於此，而凹槽圖案508也可不規則地佈置。
第10圖是根據第4圖的實施例的修正示例的陣列基板的局部放大圖。第11圖是沿第10圖的V-V’線所截取的橫截面圖。第12圖是沿第10圖的VI-VI’線所截取的橫截面圖。
參照第10圖至第12圖，根據本修正示例的陣列基板與根據第4圖的陣列基板100差別在於其中設置於佈線線路401之間的凹槽圖案501延伸到佈線襯墊402之間。
設置於佈線線路401與另一佈線線路401之間的凹槽圖案501可以延伸到，例如，連接到前一個佈線線路401的佈線襯墊402與連接到後一個佈線線路401的另一佈線襯墊402之間。也就是說，設置於相鄰的佈線線路401之間的凹槽圖案501可以朝向基板10的一邊延伸。如上所述，佈線襯墊402可能，例如，相對地寬於佈線線路401。因此，被設置於佈線線路401之間的凹槽圖案501的寬度d1可以，例如，相對地大於設置於佈線襯墊402之間的凹槽圖案501的寬度d2。 然而，本發明的例示性實施例並不受限於此，而設置於佈線線路401之間的凹槽圖案501的寬度d1可基本上等於設置於佈線襯墊402之間的凹槽圖案501的寬度d2。
第13圖是根據第11圖的修正示例的修正示例的陣列基板的橫截面圖。第14圖是根據第12圖的修正示例的修正示例的陣列基板的橫截面圖。
第13圖及第14圖的修正示例與第11圖及第12圖的修正示例差別在於其中設置於第二絕緣層35上的有機絕緣層75覆蓋由凹槽圖案501所暴露的基板10的一部分。如上所述，有機絕緣層75可設置於第二絕緣層35上。於一個例示性實施例中，有機絕緣層75可以，例如，完全地覆蓋由凹槽圖案501所暴露的基板10的上表面部分。也就是說，有機絕緣層75可覆蓋第二絕緣層35、凹槽圖案501的側壁及凹槽圖案501的下表面。於第13圖及第14圖中，有機絕緣層75完全地覆蓋由凹槽圖案501所暴露的基板10的上表面部分。然而，本發明的例示性實施例並不受限於此，而有機絕緣層75可以完全地或局部地暴露由凹槽圖案 501所暴露的基板10的上表面部分。暴露每個佈線襯墊402的至少一部分的接觸孔72可形成於有機絕緣層75中。由於接觸孔72基本上與以上參照第7圖所描述的接觸孔72相同，故其詳細描述將被省略。
第15圖是根據第10圖的修正示例的修正示例的陣列基板的局部放大圖。第16圖是沿第15圖的VII-VII’線所截取的橫截面圖。
參照第15圖及第16圖，根據本修正示例的陣列基板與第10圖的修正示例差別在於其中進一步包含形成於每個佈線襯墊402內且穿過每個佈線襯墊402以暴露基板10的上表面的凹槽502。
凹槽502可設置於每個佈線襯墊402內。例如，凹槽502可設置於每個佈線襯墊402的外周邊內部。
凹槽502可依序地穿過每個佈線襯墊402、第二絕緣層35、第一絕緣層25、緩衝層12及障壁層11以暴露基板10的上表面。也就是說，例如，凹槽502的下表面可包含基板10的上表面，而凹槽502的側壁可包含每個佈線襯墊402的內側表面、第二絕緣層35、第一絕緣層25、緩衝層12及障壁層11。
如上所述，有機絕緣層75可以被設置於第二絕緣層35及每個佈線襯墊402上。於第16圖中，有機絕緣層75完全暴露由凹槽502所暴露的基板10的上表面部分。然而，本發明的例示性實施例並不受限於此，而有機絕緣層75也可覆蓋由凹槽502所暴露的基板10的上表面部分的至少一部分。如果穿過每個佈線襯墊402以暴露基板10的上表面的凹槽502係形成於每個佈線襯墊402中，當基板測試裝置或FPCB被連接到佈線襯墊402或從佈線襯墊402被斷接時，可以防止對佈線襯墊402所施加的衝擊所產生的裂縫通過佈線襯墊402或通過設置於佈線襯墊402下面的無機絕緣層而擴散到顯示區DA。
第17圖是根據第6圖的實施例的修正示例的陣列基板的橫截面圖。第18圖是根據第7圖的實施例的修正示例的陣列基板的橫截面圖。
第17圖及第18圖的修正示例與第6圖及第7圖的陣列基板差別在於其中第二絕緣層35'包含第一子絕緣層31及第二子絕緣層32。
如上所述，第二絕緣層35可具有單層結構，但是本發明的例示性實施例並不受限於此。例如，於本例示性實施例中，第二絕緣層35'可具有包含兩層或更多層絕緣層的多層結構。為了便於描述，覆蓋第一絕緣層25的絕緣層將被稱為第一子絕緣層31，而覆蓋第一子絕緣層31的絕緣層將被稱為第二子絕緣層32。
每層第一子絕緣層31及第二子絕緣層32可以為，例如，由無機材料所形成的無機絕緣層。例如，每層第一子絕緣層31及第二子絕緣層32可包含選自由氧化矽及氮化矽的一或多種材料。然而，每層第一子絕緣層31及第二子絕緣層32的材料並不受限於以上的示例。第一子絕緣層31及第二子絕緣層32可以由，例如，不同材料所形成。
由於顯示區DA的結構，第二絕緣層35'可具有多層結構。例如，雖然於圖式中並未繪示，於顯示區DA中存儲電容器可以被設置相鄰於TFT。於一個例示性實施例中，存儲電容器可包含，例如，設置於閘極絕緣層20上的第一閘極金屬、設置於第一閘極金屬上的第一子絕緣層31、設置於第一子絕緣層31上的第二閘極金屬、以及設置於第二閘極金屬上的第二子絕緣層32。為對應於存儲電容器，TFT的源極電極61及汲極電極62可設置於第二子絕緣層32上。然而，這僅僅是一個示例，而顯示區DA的具體結構並不受限於這個示例。
第19圖是根據本發明的實施例的陣列基板的局部放大圖。第20圖是沿第19圖的VIII-VIII’線所截取的橫截面圖。
參照第19圖及第20圖，根據本實施例的陣列基板與根據第4圖的陣列基板100差別在於其中每條佈線線路411以鋸齒狀朝向基板10的一邊延伸。
每條佈線線路411可彎曲，例如，一次或多次。於一個例示性實施例中，每條佈線線路411可以具有，例如，鋸齒狀並朝向基板10的一邊延伸。
為了便於描述，朝向基板10的一邊的方向將被稱為第一方向、垂直於第一方向的方向將被稱為第二方向且與第二方向相反的方向將被稱為第三方向。
參照第19圖，延伸於第一方向上的每條佈線線路411可例如，於第二方向延伸一段預定距離，於第一方向再次延伸一段預定距離，於第三方向延伸一段預定距離，並接著於第一方向上再一次延伸。也就是說，每條佈線線路411可依序地延伸於第一方向、第二方向、第一方向、第三方向及第一方向。
於一個例示性實施例中，每條佈線線路411沿第二方向所延伸的距離可以，但並不受限於，基本上等於佈線線路411沿第三方向所延伸的距離。
如上所述，每條佈線線路411可依序地延伸於第一方向、第二方向、第一方向、第三方向及第一方向，而此次序可以重複一次或多次。
當每條佈線線路411如上所述於第一方向、第二方向、第一方向、第三方向及第一方向上依序地延伸，藉由延伸於第二方向、第一方向及第三方向上或於第三方向、第一方向及第二方向上的佈線線路411的每個部分可以定義出一個空間。於一個例示性實施例中，凹槽圖案503可以被設置於，例如，藉由延伸於第二方向、第一方向及第三方向上或於第三方向、第一方向及第二方向上的佈線線路411的每個部分所定義出的空間內。換言之，佈線線路411係設置 相鄰於每個凹槽圖案503的外周邊並沿凹槽圖案503的外周邊部分設置。換另一種方式來說，凹槽圖案503可設置於以鋸齒狀延伸的每條佈線線路411的部分之間。也就是說，至少一個凹槽圖案503可設置於佈線線路411之間。
例如，從凹槽圖案503的角度來看，複數個凹槽圖案503可佈置為行列的矩陣，而每條佈線線路411可以鋸齒狀延伸於被佈置為行列的矩陣的凹槽圖案503之間。於第19圖中，複數個凹槽圖案503沿列方向被佈置於直線上並沿行方向被交替地佈置。然而，凹槽圖案503的佈置並不受限於這個示例。也就是說，凹槽圖案503也可沿列及行方向被佈置於直線上，可沿列方向被交替地佈置並沿行方向被佈置於直線上，或可沿行方向被交替地佈置並沿列方向被佈置於直線上。
此外，每條佈線線路411可以被設置，例如，在佈置為矩陣的凹槽圖案503之間。至少一個凹槽圖案503可設置於，例如，佈線線路411與另一佈線線路411之間。
第21圖是根據本發明實施例的陣列基板的局部放大圖。參照第21圖，根據本實施例的陣列基板與根據第4圖的陣列基板100差別在於其中每條佈線線路421以具有間距的彎曲形狀延伸。
於根據本實施例的陣列基板中，每條佈線線路421可以，例如，以具有間距的彎曲形狀延伸。換句話說，每條佈線線路421可以具有蜿蜒的形狀。換另一種方式，每條佈線線路421可以輕度彎曲的形狀蜿蜒。
當每條佈線線路421以具有間距的彎曲形狀延伸時，谷及脊(valleys and ridges)可形成於佈線線路421的兩邊上。也就是說，谷及脊可於每條 佈線線路421的一邊上重複一次或多次，並也可於佈線線路421的另一邊上重複一次或多次。
凹槽圖案504可設置相鄰於每條佈線線路421的每個谷。至少一個凹槽圖案504可設置相鄰於形成於每條佈線線路421的兩邊上的每個谷。於第21圖中，凹槽圖案504係相鄰於每個谷。然而，本發明的例示性實施例並不受限於此，而凹槽圖案504可與每條佈線線路421的每個谷局部地接觸。
例如，從凹槽圖案504的角度來看，複數個凹槽圖案504可佈置為行列的矩陣，而每條佈線線路421可以具有間距的彎曲形狀延伸於佈置為行列的矩陣中的凹槽圖案504之間。
於第21圖中，複數個凹槽圖案504沿列方向佈置於直線上並沿行方向交替地佈置。然而，凹槽圖案504的佈置並不受限於這些示例。也就是說，凹槽圖案504也可沿列及行方向被佈置於直線上，可以沿列方向交替地佈置並沿行方向被佈置於直線上，或可沿行方向交替地佈置並沿列方向被佈置於直線上。
此外，每條佈線線路421可以被設置，例如，於佈置為矩陣的凹槽圖案504之間。至少一個凹槽圖案504可以被設置，例如，於佈線線路421與另一佈線線路421之間。
第22圖是根據本發明的實施例的陣列基板的平面圖。第23圖是第22圖的“C”部分的局部放大圖。第24圖是沿第23圖的IX-IX’線所截取的橫截面圖。第25圖是第22圖的“D”部分的局部放大圖。第26圖是沿第25圖的X-X’線所截取的橫截面圖。
參照第22圖至第25圖，根據本實施例的陣列基板與根據第1圖的陣列基板100差別在於其中單元ID圖案45及/或切割線700係形成於非顯示區NDA中。
根據本實施例的陣列基板101可包含，例如，單元ID圖案45及切割線700。
單元ID圖案45可以被設置，例如，於非顯示區NDA中。於一個例示性實施例中，單元ID圖案45可以被設置，例如，於複數條佈線線路401之中每條最外面的佈線線路401外部。也就是說，單元ID圖案45可設置相鄰於每條最外面的佈線線路401。用於識別陣列基板101的獨特號碼、圖形、識別碼等可於單元ID圖案45上圖案化。也就是說，關於陣列基板101的資訊可從圖案化於單元ID圖案45上的獨特號碼、圖形、識別碼等所獲得。
單元ID圖案45現在將參照第23圖及第24圖更加詳細地描述。
於第23圖及第24圖中，單元ID圖案45被塑造如四邊形。然而，單元ID圖案45的形狀並不受限於四邊形的形狀，而單元ID圖案45也可具有圓形形狀或至少局部包含曲線的形狀。
如上所述，獨特號碼、圖形、識別碼等可圖案化於單元ID圖案45上。於第23圖中，十字狀圖形46被圖案化於單元ID圖案45上。然而，形成於單元ID圖案45上的圖形形狀並不受限於十字狀。
於一個例示性實施例中，單元ID圖案45可設置於緩衝層12上。然而，這僅僅是一個示例，而單元ID圖案45的位置並不受限於這個示例。設置於緩衝層12上的單元ID圖案45可例如基本上與顯示區DA的半導體層40以相同的材料所形成。也就是說，非顯示區NDA的單元ID圖案45可與顯示區DA的半導體 層40於同一時間形成。然而，本發明的例示性實施例並不受限於此，而單元ID圖案45也可與顯示區DA的半導體層40獨立地形成。
凹槽圖案505可沿單元ID圖案45的外周邊設置。凹槽圖案505可與單元ID圖案45的外周邊接觸或可設置相鄰於單元ID圖案45的外周邊。於一個例示性實施例中，其中單元ID圖案45係塑造如四邊形，凹槽圖案505可塑型如具有貫通孔的四邊形。然而，單元ID圖案45的形狀並不受限於以上的示例，而凹槽圖案505可以具有對應於單元ID圖案45的外周邊形狀的形狀。沿單元ID圖案45的外周邊所設置的凹槽圖案505可以防止於製造過程或運送陣列基板101期間所產生的裂縫擴散到單元ID圖案45並因此破壞單元ID圖案45。
切割線700可形成於，例如，於根據本實施例的陣列基板101的非顯示區NDA中。根據產品的類型，陣列基板101的非顯示區NDA的一角可被切割。也就是說，陣列基板101的一角可被，例如，倒角。
為此，切割線700可形成於陣列基板101上。於一個例示性實施例中，切割線700可以，例如，對角地延伸於陣列基板101的非顯示區NDA的兩邊。 也就是說，切割線700可以橫過陣列基板101的至少一部分。
由切割線700及陣列基板101的一邊所形成的角度並不受限於特定角度。也就是說，由切割線700及陣列基板101的一邊所形成的角度可以根據陣列基板101所應用的產品而改變。
為了防止於切割過程中產生裂縫，切割線700可以，例如，從第二絕緣層35的上表面以預定距離凹陷。也就是說，如第26圖的橫截面圖中所示，切割線700可從第二絕緣層35的上表面凹陷以暴露基板10的上表面。換句話說， 切割線700的下表面可包含，例如，基板10的上表面，而切割線700的側壁可包含障壁層11、緩衝層12、第一絕緣層25及第二絕緣層35的內側表面。
參照第25圖及第26圖，一或多個凹槽圖案506可設置，例如，相鄰於切割線700。例如，凹槽圖案506可設置相鄰於切割線700的第二邊。換句話說，當陣列基板101於切割過程中沿切割線700被切割時，切割線700的第一邊可被移除，而切割線700的第二邊可被保留不被移除。凹槽圖案506可設置相鄰於切割線700的第二邊。凹槽圖案506可佈置於行及列方向。然而，本發明的例示性實施例並不受限於此，且凹槽圖案506可規則地或不規則地佈置。
當切割線700的第一邊於切割過程中被切割時，切割線700的第二邊可能變得對衝擊脆弱。於這種情況下，對切割線700的第二邊所施加的衝擊可能會產生裂縫，而裂縫可能會增長並擴散到顯示區DA。在此，被設置相鄰於切割線700的第二邊的凹槽圖案506可作為裂縫止動件。也就是說，裂縫的擴散可通過凹槽圖案506而被抑制。
第27圖是根據本發明的實施例的有機發光顯示器(OLED)的橫截面圖。
參照第27圖，根據本實施例的OLED包含，例如，陣列基板及封裝構件。陣列基板具有顯示區DA及位於顯示區DA外的非顯示區NDA。非顯示區NDA包含，例如，基板10、設置於基板10上的障壁層11、設置於障壁層11上的緩衝層12、設置於緩衝層12上的第一絕緣層25、設置於第一絕緣層25上的第二絕緣層35、以及複數個佈線圖案。配線圖案被設置於第一絕緣層25與第二絕緣層35之間及於第二絕緣層35上。此外，佈線圖案係互相分隔並朝向基板10的一邊延伸。非顯示區NDA進一步包含從第二絕緣層35的上表面以預定深度凹陷 以暴露基板10上表面的至少一部分的凹槽圖案、以及設置於第二絕緣層35上並暴露由凹槽圖案所暴露的基板10之上表面部分的至少一部分的有機絕緣層75。
為了便於描述，只有一個單元像素區被繪示於第27圖中。然而，根據本實施例的OLED並不受限於一個單元像素區。也就是說，根據本實施例如上所述相對於根據第1圖至第21圖之陣列基板100或相對於根據第22圖至第26圖之陣列基板101的OLED可包含複數個單元像素區。
根據本實施例的OLED中的陣列基板的顯示區DA將首先被描述。
基板10可以為，例如，平板狀構件，並可支撐將於稍後所描述的其它元件。基板10可以為，例如，絕緣基板，且可由聚合物材料包括玻璃、石英或塑料所形成。於一個例示性實施例中，基板10可以由，例如，聚亞醯胺所形成。然而，基板10的材料並不受限於聚亞醯胺。例如，於一個例示性實施例中，基板10可包含聚醚碸(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚乙烯(PE)、聚氯乙烯(PVC)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、或其組合。
基板10可為例如剛性基板。然而，基板10並不受限於剛性基板，而也可為具韌性的或可撓性的基板。也就是說，於本說明書中，用語「基板」可理解為涵蓋，例如，可彎曲的、可折疊的及可捲曲可撓性基板的概念。
如第27圖中所示，基板10可具有單層結構。然而，基板10的結構並不受限於單層結構。也就是說，可選地，於一個例示性實施例中，基板10可具有兩層或更多層的堆疊結構。換句話說，基板10可以包含，例如，基層及設置於基層上的保護層。
基層可由，例如，絕緣材料所形成。於一個例示性實施例中，基層可由，例如，聚亞醯胺所形成。然而，基層的材料並不受限於聚亞醯胺。保 護層可設置於基層上。保護層可由，例如，有機材料所形成。例如，保護層可包含選自由聚對苯二甲酸乙二醇酯及聚萘二甲酸乙二醇酯的一或多種材料。然而，保護層的材料並不受限於以上的示例。
障壁層11可設置於基板10上。障壁層11可防止從基板10滲入雜質元素並將基板10的表面平面化。於一個例示性實施例中，障壁層11可由，例如，氧化矽或氮化矽所形成。然而，障壁層11的材料並不受限於以上示例。可選地，於一個例示性實施例中，障壁層11可基於基板10的材料或過程條件而被省略。
緩衝層12可形成於障壁層11上以覆蓋障壁層11。緩衝層12可以為，例如，由無機材料所形成的無機層。於一個例示性實施例中，緩衝層12可以由，例如，選自由氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氧化鋁(AlOx)及氮氧化矽(SiON)所組成的群組的一或多種材料所形成。然而，緩衝層12的材料並不受限於以上的示例。此外，緩衝層12可以具有單層結構或者兩層或更多層的堆疊結構。於其中緩衝層12由兩層所構成的例示性實施例中，這兩層可以由，例如，不同的材料所形成。例如，第一層可由氧化矽所形成，而第二層可由氮化矽所形成。 然而，緩衝層12的結構並不受限於以上示例。
半導體層40可形成於緩衝層12上。半導體層40可由，例如，非晶矽或多晶矽所形成。於一個例示性實施例中，半導體層40可藉由，例如，塗佈、圖案化並隨後使非晶矽結晶而形成。然而，形成半導體層40的方法並不受限於以上示例。於本說明書中，用語「半導體層」可以被理解為氧化物半導體層，但本發明的例示性實施例並不受限於此。
閘極絕緣層20可形成於半導體層40上。閘極絕緣層20可包含，例如，氮化矽或氧化矽，但是閘極絕緣層20的材料並不受限於以上的示例。閘極 絕緣層20可以具有單層結構。然而，閘極絕緣層20的結構並不受限於單層結構。 閘極絕緣層20也可以具有包含具不同物理性質的兩層或更多層絕緣層的多層結構。
包含閘極線50、閘極電極51及閘極襯墊55的閘極佈線可設置於閘極絕緣層20上。閘極佈線可由，例如，選自由鋁(Al)系金屬如鋁或鋁合金、銀(Ag)系金屬如銀或銀合金、銅(Cu)系金屬如銅或銅合金、鉬(Mo)系金屬如鉬或鉬合金、鉻(Cr)、鈦(Ti)及鉭(Ta)所組成的群組的一或多種材料所形成。此外，於一個實施例中，閘極佈線可由，例如，選自由諸如鎳(Ni)、金(Au)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、釹(Nd)、鋅(Zn)、鈷(Co)、銀(Ag)、錳(Mn)或其任何合金所組成的群組的至少一種材料所形成。然而，閘極佈線的材料並不受限於以上的示例，而具有導電性的任何透明或半透明材料都可用以形成閘極佈線。
閘極線50可以如以上所述配置為複數條，而閘極線50可延伸於一個方向以互相平行。
層間絕緣膜30可設置於閘極佈線上以覆蓋閘極佈線。層間絕緣膜30可為，例如，由無機材料所形成的無機層。於一個例示性實施例中，層間絕緣膜30可以包含，例如，氮化矽或氧化矽，但是層間絕緣膜30的材料並不受限於以上的示例。層間絕緣膜30可具有單層結構。然而，層間絕緣膜30的結構並不受限於單層結構。層間絕緣膜30也可具有包含具不同物理性質的兩層或更多層絕緣層的多層結構。具有多層結構的層間絕緣膜30將於稍後被描述。
包含，例如，源極電極61、汲極電極62及數據線60的數據佈線可設置於層間絕緣膜30上。數據佈線可由，例如，鉬、鉻、耐火金屬如鉭及鈦、或這些材料的合金所形成。此外，於一個實施例中，數據佈線可由，例如，選 自由諸如鎳(Ni)、金(Au)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、釹(Nd)、鋅(Zn)、鈷(Co)、銀(Ag)、錳(Mn)或其任何合金所組成的群組的至少一種材料所形成。然而，數據佈線的材料並不受限於以上的示例，而具有導電性的透明或半透明材料都可用以形成數據佈線。
數據線60可傳遞數據訊號並可被放置以交叉閘極線50。也就是說，於一個例示性實施例中，閘極線50可以延伸，例如，於水平方向上，而數據線60可延伸於垂直方向上以交叉閘極線50。
於一個例示性實施例中，數據線60及閘極線50可以為，例如，彎曲的。
源極電極61可為，例如，數據線60的一部分並可與數據線60位於相同的平面上。汲極電極62可以，例如，延伸平行於源極電極61。於這種情況下，汲極電極62可以是，例如，平行於數據線60的一部分。
閘極電極51、源極電極61及汲極電極62連同半導體層40形成一個TFT。TFT的通道可於源極電極61與汲極電極62之間形成於半導體層40中。
平坦化層70可設置於數據佈線上以覆蓋數據佈線及層間絕緣膜30。平坦化層70可為，例如，相對地厚於層間絕緣膜30。由於平坦化層70與層間絕緣膜30的厚度的差異，平坦化層70的上表面相較於其與層間絕緣膜30以及源極及汲極電極61及62相接觸的下表面可相對地較為平坦。
第一接觸孔可形成於平坦化層70中以暴露汲極電極62的至少一部分。例如，第一接觸孔可以穿過平坦化層70並局部地暴露汲極電極62的上表面。
第一電極80可設置於平坦化層70及汲極電極62被暴露的部分上。也就是說，第一電極80可覆蓋平坦化層70、第一接觸孔的側壁及汲極電極62的上表面。因此，第一電極80及汲極電極62可互相電性連接。於一個例示性實施例中，第一電極80可以為，但並不受限於，陽極。第一電極80可由，例如，氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鎘錫(CTO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化鎘(CdO)、氧化鉿(HfO)、氧化銦鎵鋅(InGaZnO)、氧化銦鎵鋅鎂(InGaZnMgO)、氧化銦鎵鎂(InGaMgO)或氧化銦鎵鋁(InGaAlO)所形成。然而，第一電極80的材料並不受限於以上的示例。
像素定義層90可設置於第一電極80上。像素定義層90可暴露第一電極80的至少一部分。像素定義層90可以由，例如，選自由苯並環丁烯、聚亞醯胺、聚醯胺(PA)、丙烯酸樹脂及酚醛樹脂的一或多種有機材料所形成。可選地，像素定義層90可以由，例如，無機材料如氮化矽所形成。像素定義層90也可以由，例如，含有黑色色素的光敏劑所形成。於這種情況下，像素定義層90可作為遮光構件。
有機層91可設置於由像素定義層90所暴露的第一電極80之一部分上。有機層91可包含，例如，包含於OLED中的有機材料層，也就是說，有機發光層(EML)、電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子注入層(EIL)及電子傳輸層(ETL)。有機層91可具有包含一層有機材料層的單層結構或包含兩層或更多層有機材料層的多層結構。
第二電極92可形成於有機層91上。第二電極92可覆蓋像素定義層90及有機層91。於一個例示性實施例中，第二電極92可以為，但並不受限於， 覆蓋像素定義層90及有機層91的全表面電極。於一個例示性實施例中，第二電極92可為，例如，陰極。
第二電極92可以由，例如，氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鎘錫(CTO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化鎘(CdO)、氧化鉿(HfO)、氧化銦鎵鋅(InGaZnO)、氧化銦鎵鋅鎂(InGaZnMgO)、氧化銦鎵鎂(InGaMgO)或氧化銦鎵鋁(InGaAlO)所形成，但第二電極92的材料並不受限於以上的示例。
陣列基板的非顯示區NDA可基本上相等於根據第1圖至第21圖的任何一個陣列基板100或根據第22圖至第26圖的任何一個陣列基板101的非顯示區NDA。
封裝構件可設置於陣列基板上。於本說明書中，封裝構件可為封裝層803或封裝基板800。於第27圖中，封裝構件為封裝基板800的情況被說明。 然而，封裝構件並不受限於封裝基板800。封裝構件為封裝層803的情況將於稍後參照第28圖被描述。於一個例示性實施例中，封裝基板800可以，例如，封裝劑(未顯示)被附加到陣列基板。
為了附加封裝基板800到陣列基板，封裝劑可以為，例如，環氧黏著劑、UV固化黏著劑、玻璃料(frit)及其等效物的至少一種。然而，封裝劑的材料並不受限於以上的示例。
封裝基板800可以上述封裝劑被附加並耦接到陣列基板。於一個例示性實施例中，封裝基板800可以由，例如，透明玻璃、透明塑料、透明聚合物及其等同物中的任何一種所形成。然而，封裝基板800的材料並不受限於以上的示例。
導電層801可形成於面向陣列基板的封裝基板800之表面上。導電層801可以將通過封裝基板800而被引進OLED的外部靜電接地。
第28圖是根據本發明的實施例的OLED的橫截面圖。
參照第28圖，根據本實施例的OLED與根據第27圖的實施例的OLED差別在於其中封裝構件為封裝層803。
如上所述，於一個例示性實施例中，封裝構件可以為封裝層803。
封裝層803可覆蓋顯示區DA及非顯示區NDA。於一個例示性實施例中，封裝層803可暴露，例如，佈線線路401及/或佈線襯墊402的至少一部分。然而，本發明的例示性實施例並不受限於此。
封裝層803可以由，例如，有機材料及/或無機材料所形成。
被用於形成封裝層803的有機材料的示例可以包含，但並不受限於，環氧樹脂、丙烯酸酯及氨基甲酸酯丙烯酸酯(urethane acrylate)。被用於形成封裝層803的無機材料的示例可包含，但並不受限於，氧化鋁及氧化矽。
於第28圖中，封裝層803具有單層結構。然而，封裝層803的結構並不受限於單層結構。封裝層803也可以具有一或多層的堆疊結構。於一個例示性實施例中，封裝層803可具有其中有機層及無機層交替地堆疊至少一次的結構。然而，這僅僅是一個示例，而封裝層803的結構並不受限於這個示例。
本發明的實施例提供了以下優點中的至少一個優點。
亦即，防止由於外部衝擊於陣列基板中產生裂縫是可行的。
此外，抑制由外部衝擊所產生的裂縫的增長或擴散是可行的。
然而，本領域的普通技術人員參照本文中所闡述的本公開內容時將顯而易見的是，本發明例示性實施例的效果並不受限於本文中所闡述的內容。
雖然描述了本發明的例示性實施例，要進一步注意的是，對於本 領域的普通技術人員來說顯而易見的是，只要不背離本發明由所附的專利申請範圍的界線與範圍所定義的精神及範疇，則可進行各種修改。

Claims (16)

  1. 一種陣列基板，其包含：一基板；一絕緣層，係設置於該基板上；複數個佈線圖案，係設置於該絕緣層上，且其中該複數個佈線圖案係互相分隔；一凹槽圖案，係設置相鄰於該複數個佈線圖案，以及一有機層，係設置於該絕緣層上，其中該有機層重疊該凹槽圖案。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，其中該基板的一上表面係由該凹槽圖案所暴露。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之陣列基板，其中該凹槽圖案的一下表面包含該基板的該上表面，且該凹槽圖案的側壁包含該絕緣層的內側表面。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，其中該複數個佈線圖案之每一個包含一佈線線路，朝向該基板的一邊延伸，且其中該凹槽圖案被設置於相鄰的該佈線線路之間。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之陣列基板，其中該佈線線路包含至少一彎曲狀部分。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之陣列基板，其中該佈線線路以一鋸齒狀延伸。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之陣列基板，其中該複數個佈線圖案之每一個進一步包含含有寬於該佈線線路的一端的一佈線襯墊，其中該凹槽圖案係延伸到相鄰的該佈線襯墊之間，且其中設置於該佈線線路之間的該凹槽圖案的寬度大於設置於該佈線襯墊之間的該凹槽圖案的寬度。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之陣列基板，其進一步包含設置於該佈線襯墊內且穿過該佈線襯墊、該絕緣層以暴露該基板的一上表面的一凹槽。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之陣列基板，其中該凹槽圖案係設置於該佈線線路之中最外面的佈線線路外部。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，其中該凹槽圖案配置為複數個，且該凹槽圖案係設置於該佈線圖案之間。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，其中該凹槽圖案被佈置為複數行及複數列的矩陣。
  12. 如申請專利範圍第4項所述之陣列基板，其進一步包含設置於該佈線圖案的該佈線線路之中最外面的佈線線路外部的一單元ID圖案，其中該凹槽圖案沿該單元ID圖案的一外周邊設置。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，其進一步包含橫過該基板的至少一部分且定義於該基板上的至少一切割線，且其中該凹槽圖案設置相鄰於該切割線。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，其中該絕緣層包含選自由氧化矽、氮化矽、氧化鋁及氮氧化矽所組成的群組的至少一材料。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，其中該基板為一可撓性基板。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，其中該絕緣層包含一緩衝層，該凹槽圖案至少部分地暴露該緩衝層，且該有機層直接地接觸該緩衝層。
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