DE112016003224T5

DE112016003224T5 - Metallmaskensubstrat für dampfabscheidung, metallmaske für dampfabscheidung, herstellungsverfahren für metallmaskensubstrat für dampfabscheidung und herstellungsverfahren für metallmaske für dampfabscheidung

Info

Publication number: DE112016003224T5
Application number: DE112016003224.2T
Authority: DE
Inventors: Sumika TAMURA; Mikio SHINNO; Daisei FUJITO; Kiyoaki NISHITSUJI; Takehiro Nishi; Naoko Mikami
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2015-07-17
Filing date: 2016-07-15
Publication date: 2018-04-19
Also published as: US20180038002A1; CN109440060B; KR20180049159A; JP6805830B2; KR20170104632A; CN109440060A; US11453940B2; US20200399770A1; JPWO2017014172A1; CN107406963A; US10876215B2; CN107406963B; WO2017014172A1; KR102341452B1; KR101854584B1

Abstract

Ein Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat beinhaltet eine Nickel-enthaltende Metallplatte, die eine Vorderseitenoberfläche und eine Rückseitenoberfläche, welche der Vorderseitenoberfläche gegenüberliegt, beinhaltet. Zumindest eine von der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche ist eine Zieloberfläche zum Platzieren einer Resistschicht. Die Zieloberfläche weist eine Oberflächenrauheit Sa von weniger als oder gleich zu 0,019 µm auf. Die Zieloberfläche weist eine Oberflächenrauheit Sz von weniger als oder gleich zu 0,308 µm auf.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat, eine Dampfabscheidungs-Metallmaske, ein Verfahren zum Herstellen eines Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats und ein Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske.
TECHNISCHER HINTERGRUND
Organische EL-Displays sind Displayvorrichtungen, die bekannt dafür sind, dass sie durch Dampfabscheidung hergestellt werden. Ein organisches EL-Display beinhaltet eine organische Schicht, welche eine Abscheidung von organischen Molekülen ist, die im Dampfabscheidungsprozess sublimiert werden. Dampfabscheidungs-Metallmasken, die im Dampfabscheidungsprozess verwendet werden, weisen Maskenlöcher auf, die als Durchlässe von sublimierten organischen Molekülen zu dem Substrat dienen. Die Öffnungen der Maskenlöcher sind korrespondierend zu der Form von Pixeln des organischen EL-Displays geformt (siehe zum Beispiel Patentdokument 1).
STAND DER TECHNIK DOKUMENT
Patentdokument
Patentdokument 1: Japanisches, offengelegtes Patent Veröffentlichungs-Nr. 2015-055007
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Die durch die Erfindung zu lösenden Probleme
Ein Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske beinhaltet einen Schritt des Bildens von Öffnungen in einem Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat. Der Schritt des Bildens der Öffnungen kann das Bilden einer Resistmaske durch Photolithographie und Nassätzen unter Verwendung der Resistmaske beinhalten. Beim Bilden der Resistmaske wird die Belichtungsregion der Resistschicht auf der Oberfläche des Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats belichtet. Zumindest ein Teil des auf die Resistschicht einfallenden Lichts streut an der Oberfläche des Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats, und ein Teil des gestreuten Lichts fällt in die Nicht-Belichtungsregion der Resistschicht. Als Ergebnis, wenn ein Negativresistmaterial für die Resistschicht verwendet wird, hinterlässt das Streuen von Licht Reste des Resistmaterials. Wenn ein Positivresistmaterial für die Resistschicht verwendet wird, bildet das Streuen von Licht einen fehlenden Abschnitt in der Resistmaske. Dies kann die Differenz zwischen der Struktur der Resistmaske, die tatsächlich geformt wird, und der designten Resistmaskenstruktur erhöhen, wodurch die Differenz zwischen der Struktur von Öffnungen, die durch Nassätzen gebildet werden, und der designten Öffnungsstruktur erhöht wird.
Es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung ein Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat, eine Dampfabscheidungs-Metallmaske, ein Verfahren zum Herstellen eines Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats und ein Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske bereitzustellen, die die strukturelle Präzision der Öffnungen der Dampfabscheidungs-Metallmaske erhöhen.
Mittel zum Lösen der Probleme
Um das vorgenannte Ziel zu erreichen und gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat bereitgestellt, das eine Nickel-enthaltende Metallplatte beinhaltet, die eine Vorderseitenoberfläche und eine Rückseitenoberfläche, welche der Vorderseitenoberfläche gegenüberliegt, beinhaltet. Zumindest eine von der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche ist eine Zieloberfläche zum Platzieren einer Resistschicht. Die Zieloberfläche weist eine Oberflächenrauheit Sa von weniger als oder gleich zu 0,019 µm auf. Die Zieloberfläche weist eine Oberflächenrauheit Sz von weniger als oder gleich zu 0,308 µm auf. In dem Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat kann eine gerichtete Reflexion von einfallendem Licht zu der Zieloberfläche zwischen 53,0% und 97,0% sein, beide inklusive. Auch kann in dem Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat die Nickel-enthaltende Metallplatte eine Invar-Platte sein.
Um das vorgenannte Ziel zu erreichen und gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat bereitgestellt, das eine Nickel-enthaltende Metallplatte beinhaltet, die eine Vorderseitenoberfläche und eine Rückseitenoberfläche, welche der Vorderseitenoberfläche gegenüberliegt, beinhaltet. Zumindest eine von der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche ist eine Zieloberfläche zum Platzieren einer Resistschicht. Eine gerichtete Reflexion von einfallendem Licht zu der Zieloberfläche ist zwischen 53,0% und 97,0%, beide inklusive.
Um das vorgenannte Ziel zu erreichen und gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen eines Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet: Bilden einer Nickel-enthaltenden Metallplatte auf einer Elektrodenoberfläche durch Elektrolyse; und Trennen der Nickel-enthaltenden Metallplatte von der Elektrodenoberfläche. Die Nickel-enthaltende Metallplatte beinhaltet eine Vorderseitenoberfläche und eine Rückseitenoberfläche, welche der Vorderseitenoberfläche gegenüberliegt. Zumindest eine von der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche ist eine Zieloberfläche zum Platzieren einer Resistschicht. Die Elektrolyse bewirkt, dass die Zieloberfläche eine Oberflächenrauheit Sa von weniger als oder gleich zu 0,019 µm aufweist, und bewirkt, dass die Zieloberfläche eine Oberflächenrauheit Sz von weniger als oder gleich zu 0,308 µm aufweist.
Um das vorgenannte Ziel zu erreichen und gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen eines Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet: Bilden einer Nickel-enthaltenden Metallplatte auf einer Elektrodenoberfläche durch Elektrolyse; und Trennen der Nickel-enthaltenden Metallplatte von der Elektrodenoberfläche. Die Nickel-enthaltende Metallplatte beinhaltet eine Vorderseitenoberfläche und eine Rückseitenoberfläche, welche der Vorderseitenoberfläche gegenüberliegt. Zumindest eine von der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche ist eine Zieloberfläche zum Platzieren einer Resistschicht. Die Elektrolyse bewirkt, dass eine gerichtete Reflexion von einfallendem Licht zu der Zieloberfläche zwischen 53,0% und 97,0% ist, beide inklusive.
Um das vorgenannte Ziel zu erreichen und gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet: Bilden einer Resistmaske auf einer Zieloberfläche eines Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats; und Ätzen der Zieloberfläche durch Nassätzen unter Verwendung der Resistmaske.
Die oben beschriebenen Strukturen begrenzen das Streuen von Licht auf der Zieloberfläche zum Platzieren einer Resistmaske. Konsequenterweise wird die Differenz zwischen der Struktur der Resistmaske, die durch Belichtung und Entwicklung gebildet wird, und der designten Resistmaskenstruktur reduziert. Dies erhöht die strukturelle Präzision der Öffnungen von der Dampfabscheidungs-Metallmaske. Wenn die Nickel-enthaltende Metallplatte eine Invar-Platte ist, ist die Zieloberfläche aus Invar gemacht, welches ein Metallmaterial mit einem geringen thermischen Ausdehnungskoeffizienten ist. Dies begrenzt die strukturelle Veränderung der Dampfabscheidungs-Metallmaske, welche andernfalls durch die Wärme, die während der Dampfabscheidung angewandt wird, verursacht werden könnte.
Um das zuvor genannte Ziel zu erreichen und gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Dampfabscheidungs-Metallmaske bereitgestellt, die einen Maskenabschnitt beinhaltet, der aus einer Nickel-enthaltenden Metallplatte zusammengesetzt ist. Der Maskenabschnitt beinhaltet eine Vorderseitenoberfläche, die eine Vorderseitenoberflächenöffnung beinhaltet, und eine Rückseitenoberfläche, die eine Rückseitenoberflächenöffnung in Verbindung mit der Vorderseitenoberflächenöffnung beinhaltet, wobei die Rückseitenoberfläche der Vorderseitenoberfläche gegenüberliegt. Zumindest eine von der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche ist eine Zieloberfläche. Die Zieloberfläche weist eine Oberflächenrauheit Sa von weniger als oder gleich zu 0,019 µm auf. Die Zieloberfläche weist eine Oberflächenrauheit Sz von weniger als oder gleich zu 0,308 µm auf. In der Dampfabscheidungs-Metallmaske kann eine gerichtete Reflexion von einfallendem Licht zu der Zieloberfläche zwischen 53,0% und 97,0% sein, beide inklusive.
Um das zuvor genannte Ziel zu erreichen und gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Dampfabscheidungs-Metallmaske bereitgestellt, die einen Maskenabschnitt beinhaltet, der aus einer Nickel-enthaltenden Metallplatte zusammengesetzt ist. Der Maskenabschnitt beinhaltet eine Vorderseitenoberfläche, die eine Vorderseitenoberflächenöffnung beinhaltet, und eine Rückseitenoberfläche, die eine Rückseitenoberflächenöffnung in Verbindung mit der Vorderseitenoberflächenöffnung beinhaltet, wobei die Rückseitenoberfläche der Vorderseitenoberfläche gegenüberliegt. Zumindest eine von der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche ist eine Zieloberfläche. Eine gerichtete Reflexion von einfallendem Licht zu der Zieloberfläche ist zwischen 53,0% und 97,0%, beide inklusive.
Die oben beschriebenen Strukturen begrenzen das Streuen von Licht auf der Zieloberfläche. Daher, wenn die Resistmaske auf der Zieloberfläche gebildet wird und Öffnungen gebildet werden, wird die Differenz zwischen der Struktur der Resistmaske, die durch Belichtung und Entwicklung gebildet wird, und der designten Resistmaskenstruktur auf der Zieloberfläche reduziert. Dies erhöht die strukturelle Präzision der Öffnungen der Dampfabscheidungs-Metallmaske.
In der oben beschriebenen Dampfabscheidungs-Metallmaske kann die Zieloberfläche zumindest die Vorderseitenoberfläche beinhalten, und die Vorderseitenoberflächenöffnung kann eine Öffnung zum Durchlassen von Dampfabscheidungsteilchen von der Vorderseitenoberflächenöffnung hin zu der Rückseitenoberflächenöffnung sein und kann größer als die Rückseitenoberflächenöffnung sein.
Die Dampfabscheidungs-Metallmaske weist die Vorderseitenoberflächenöffnungen auf, die größer als die Rückseitenoberflächenöffnungen sind und begrenzt daher den Verschattungseffekt der Dampfabscheidungsteilchen, die durch die Vorderseitenoberflächenöffnungen eintreten. Wenn Löcher in dem Substrat zum Herstellen der Maskenabschnitte gebildet werden, weist, von der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche, die Oberfläche, die zu einem größeren Ausmaß geätzt wird, größere Öffnungen auf als die Oberfläche, die zu einem geringeren Ausmaß geätzt wird. Da die Dampfabscheidungs-Metallmaske die Vorderseitenoberflächenöffnungen aufweist, die größer sind als die Rückseitenoberflächenöffnungen, ist der Ätzgrad auf der Vorderseitenoberfläche größer als der Ätzgrad auf der Rückseitenoberfläche. Die Vorderseitenoberfläche der Dampfabscheidungs-Metallmaske dient als die Zieloberfläche. Daher kann die Dampfabscheidungs-Metallmaske durch Bilden einer Resistmaske auf der Vorderseitenoberfläche und Ätzen des Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats von der Vorderseitenoberfläche hergestellt werden. Solch ein Verfahren erhöht die strukturelle Präzision der Öffnungen der Dampfabscheidungs-Metallmaske.
In der oben beschriebenen Dampfabscheidungs-Metallmaske kann die Nickel-enthaltende Metallplatte eine Invar-Platte sein. Die Zieloberfläche der Dampfabscheidungs-Metallmaske ist aus Invar hergestellt, welches ein Metallmaterial mit einem geringen thermischen Ausdehnungskoeffizienten ist. Dies begrenzt die strukturelle Veränderung der Dampfabscheidungs-Metallmaske, welche andernfalls durch die Wärme, die während der Dampfabscheidung angewandt wird, verursacht werden könnte.
In jeder der zuvor beschriebenen Konfigurationen können zwei Richtungen, die in der Zieloberfläche senkrecht zueinander sind, Richtungen sein, in welchen Licht einfällt, wie betrachtet zugewandt zu der Zieloberfläche, und eine Differenz in der Reflexion zwischen den zwei Richtungen kann weniger als oder gleich zu 3,6% sein. Diese Struktur erhöht die strukturelle Präzision der Öffnungen der Dampfabscheidungs-Metallmaske in den zweidimensionalen Richtungen in der Zieloberfläche.
Figurenliste

1 ist eine Querschnittsansicht, die die Querschnittsstruktur eines Beispiels eines Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats von einer Ausführungsform zeigt.
2 ist eine Querschnittsansicht, die die Querschnittsstruktur eines anderen Beispiels eines Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats von einer Ausführungsform zeigt.
3 ist eine Draufsicht, die die planare Struktur einer Maskenvorrichtung von einer Ausführungsform zeigt.
4 ist eine Querschnittsansicht, die einen Teil eines Beispiels der Querschnittsstruktur einer Dampfabscheidungs-Metallmaske von einer Ausführungsform zeigt.
5 ist eine Querschnittsansicht, die einen Teil eines anderen Beispiels der Querschnittsstruktur einer Dampfabscheidungs-Metallmaske von einer Ausführungsform zeigt.
6 ist ein Prozessfließdiagramm, das die Abfolge der Schritte in einem Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske zeigt.
7 ist ein Diagramm, das die Beziehung des Verfahrens zum Herstellen eines Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats zu der Oberflächenrauheit der flachen Oberfläche und der Reflexion in jedem Testbeispiel zeigt.
8 ist ein Graph, der die Reflexion der Zieloberfläche des Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats von jedem Testbeispiel zeigt.

MODI ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNG
Eine Ausführungsform eines Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats, einer Dampfabscheidungs-Metallmaske, eines Verfahrens zum Herstellen eines Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats und eines Verfahrens zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske wird nun beschrieben. Zunächst werden, mit Bezug auf 1 bis 5, die Struktur des Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats und die Struktur der Dampfabscheidungs-Metallmaske beschrieben. Dann wird mit Bezug auf 6 das Verfahren zum Herstellen der Dampfabscheidungs-Metallmaske beschrieben und Vorteile, die durch die Oberflächenstruktur des Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats erzielt werden, werden mit Bezug auf 7 und 8 beschrieben.
[Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat]
Wie in 1 gezeigt, ist ein Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat 10 aus einer Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 zusammengesetzt. Die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 beinhaltet eine Substratvorderseitenoberfläche 11a und eine Substratrückseitenoberfläche 11b, welche der Substratvorderseitenoberfläche 11a gegenüberliegt. Zumindest eine von der Substratvorderseitenoberfläche 11a und der Substratrückseitenoberfläche 11b ist eine Zieloberfläche zum Platzieren einer Resistschicht. Die Zieloberfläche ist die Oberfläche, auf welcher eine Resistmaske im Prozess zum Bilden einer Dampfabscheidungs-Metallmaske gebildet wird.
Die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 kann aus Nickel oder einer Nickel-Eisen-Legierung hergestellt sein, wie etwa eine Nickel-Eisen-Legierung, die 30 Massen-% oder mehr an Nickel enthält. Spezifisch kann die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 aus Invar hergestellt sein, welches hauptsächlich aus einer Legierung zusammengesetzt ist, die 36 Massen-% an Nickel und 64 Massen-% an Eisen enthält. Die Nickel-Eisen-Legierung, die die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 bildet, kann Materialien, wie etwa Mangan, Kohlenstoff, Chrom, Kupfer, Silicium, Magnesium oder Kobalt, als einen Nebenbestandteil beinhalten. Wenn die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 eine Invar-Platte ist, ist der thermische Ausdehnungskoeffizient der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 zum Beispiel ungefähr 1,2 × 10^-6/°C. Wenn die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 solch einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, stimmt das Ausmaß der thermischen Ausdehnung der Dampfabscheidungs-Metallmaske, die unter Verwendung des Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats 10 hergestellt wird, mit dem Ausmaß der thermischen Ausdehnung des Glassubstrats überein. Daher kann ein Glassubstrat geeignet als das Ziel der Dampfabscheidung verwendet werden.
Die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 weist eine Dicke T1 zwischen 1 µm und 100 µm auf, beide inklusive, bevorzugt zwischen 2 µm und 40 µm, beide inklusive. Wenn die Dicke T1 der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 weniger als oder gleich zu 40 µm ist, weist die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 Löcher einer Tiefe von weniger als oder gleich zu 40 µm auf. Wenn eine Dampfabscheidungs-Metallmaske unter Verwendung des Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats 10 hergestellt wird, die die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 mit solch einer Dicke T1 beinhaltet, reduziert die Dampfabscheidungs-Metallmaske die Fläche in dem Abscheidungsziel, zu welcher Abscheidungsteilchen aufgrund der Anwesenheit der Dampfabscheidungs-Metallmaske (die Verschattungsregion) nicht angehaftet werden können, wie betrachtet von den Abscheidungsteilchen, die sich hin zu der Dampfabscheidungs-Metallmaske bewegen. Mit anderen Worten wird der Verschattungseffekt reduziert.
Die Oberflächenstruktur der Zieloberfläche der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 erfüllt zumindest eine von der nachfolgenden [Bedingung 1] und nachfolgenden [Bedingung 2].
[Bedingung 1] Oberflächenrauheit Sa ≤ 0,019 µm und Oberflächenrauheit Sz ≤ 0,308 µm
[Bedingung 2] 53,0% ≤ Reflexion R der Zieloberfläche ≤ 97,0%
Die Oberflächenrauheit Sa und die Oberflächenrauheit Sz sind Werte, die durch ein Verfahren gemäß ISO 25178 erhalten werden. Die Reflexion R wird unter Verwendung des nachfolgenden Ausdrucks (1) bestimmt und durch Messen des gerichteten Reflexionslichts, das reflektiert wird, wenn Licht von einer Halogenlampe auf die Zieloberfläche einfällt. Das von der Halogenlampe emittierte Licht fällt in eine Region von 14 mm² in der Zieloberfläche bei einem Winkel von 45° ± 0,2° zu der Richtung von der Normalen zu der Zieloberfläche ein. Das Element, das das Reflexionslicht empfängt, weist eine Fläche von 11,4 mm² auf. Die Reflexion R wird in drei unterschiedlichen Sektionen in der Zieloberfläche gemessen. Die Reflexion R der Zieloberfläche ist das Mittel der Reflexionen R, die in den Sektionen der Zieloberfläche erhalten werden. In jeder Sektion werden Lichtstrahlen, die von zwei Richtungen emittiert werden, die senkrecht zueinander sind, wie betrachtet zugewandt zu der Zieloberfläche, zum Messen der Reflexion R verwendet. Die Reflexion R wird für jede Richtung getrennt gemessen. Wenn eine Nickel-enthaltende Metallplatte 11, die nur durch Walzen des Basismaterials gebildet ist, gemessen wird, ist eine von den Richtungen des Lichts, das auf die Zieloberfläche einfällt, wie betrachtet zugewandt zu der Zieloberfläche, die gleiche wie die Richtung, in welcher das Basismaterial gewalzt ist.
$\begin{array}{l} Reflexion R = [Menge an gerichtetem Reflexionslicht/Menge an \\ einfallendem Licht] \times 100 \end{array}$
Die Oberflächenstruktur, die zumindest eine von [Bedingung 1] und [Bedingung 2] erfüllt, begrenzt das Streuen von einfallendem Licht auf der Zieloberfläche. Wenn Licht auf die Resistschicht auf der Zieloberfläche einfällt, reduziert solch eine Oberflächenstruktur die Wahrscheinlichkeit, dass ein Teil des Lichts auf der Zieloberfläche streut und auf die Nicht-Belichtungsregion der Resistschicht fällt. Konsequenterweise wird die Differenz zwischen der Struktur der Resistmaske, die durch Belichtung und Entwicklung gebildet wird, und der designten Resistmaskenstruktur reduziert. Ferner wird die Differenz zwischen der Struktur der Öffnung, die durch Nassätzen gebildet wird, und der designten Öffnungsstruktur reduziert.
Um die Differenz zwischen der Struktur der Resistmaske und der designten Resistmaskenstruktur zu reduzieren, erfüllt die Oberflächenstruktur der Zieloberfläche der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 bevorzugt ferner die nachfolgende [Bedingung 3].
[Bedingung 3] Differenz in der Reflexion zwischen zwei Richtungen, die senkrecht zueinander sind ≤ 3,6%
Die zwei Richtungen, die zueinander senkrecht sind, sind in der Zieloberfläche. Die zwei Richtungen, die zueinander senkrecht sind, beinhalten eine erste Richtung und eine zweite Richtung. Die Differenz in der Reflexion zwischen den zwei Richtungen, die zueinander senkrecht sind, ist die Differenz zwischen der Reflexion des Lichts, das von der ersten Richtung emittiert wird, und der Reflexion des Lichts, das von der zweiten Richtung emittiert wird, wie betrachtet zugewandt zu der Zieloberfläche.
Wenn der Prozess zum Bilden der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 ein Walzen beinhaltet, wird das Basismaterial zum Bilden der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 in eine Richtung (eine eindimensionale Richtung) gewalzt. Als Ergebnis unterscheidet sich von den Richtungen in der Zieloberfläche die Reflexion R der Zieloberfläche für die Richtung, in welcher das Basismaterial gewalzt ist, von den Reflexionen R für die anderen Richtungen.
Wenn der Prozess zum Bilden der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 ein physikalisches Polieren oder chemisch-mechanisches Polieren beinhaltet, schreitet das Polieren in eine Richtung oder in unterschiedliche Richtungen voran. Als Ergebnis unterscheidet sich von den Richtungen in der Zieloberfläche die Reflexion R der Zieloberfläche für die Richtung, in welcher das Polieren voranschreitet, von den Reflexionen R für die anderen Richtungen.
Wenn der Prozess zum Bilden der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 das Bilden einer Metallfolie durch Elektrolyse beinhaltet, können Faktoren, wie etwa wie sich die Metallfolie entwickelt hat oder die Oberflächenbedingung der Elektrode, bewirken, dass die Reflexion R der Zieloberfläche in Abhängigkeit von der Richtung des Lichts, das auf die Zieloberfläche einfällt, variiert. Die Nickel-enthaltende Metallplatte 11, die [Bedingung 3] erfüllt, stellt den Effekt bereit zum Reduzieren der Differenz zwischen der Struktur der Resistmaske und der designten Resistmaskenstruktur in den zweidimensionalen Richtungen in der Zieloberfläche. Da die Anisotropie dazu tendiert in Abhängigkeit von den Elektrolysebedingungen aufzutreten, erhöht das Erfüllen von [Bedingung 3] den Effekt zum Reduzieren der Differenz zwischen der Struktur der Resistmaske und der designten Resistmaskenstruktur.
Wie in 2 gezeigt, kann das Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat 10 eine Plastikträgerschicht 12 zusätzlich zu der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 beinhalten. Das heißt, das Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat 10 kann als ein Laminat aus der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 und der Trägerschicht 12 ausgebildet sein. Die Trägerschicht 12 kann zum Beispiel aus einem Resist oder Polyimid hergestellt sein.
Wenn die Trägerschicht 12 aus einem Resist hergestellt ist, ist die Trägerschicht 12 eine Resistschicht. Die Resistschicht als die Trägerschicht 12 haftet zum Beispiel der Substratvorderseitenoberfläche 11a der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 an. In diesem Fall beinhaltet die Zieloberfläche der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 zumindest die Substratvorderseitenoberfläche 11a. Die Resistschicht als die Trägerschicht 12 kann als eine Platte gebildet sein und dann zu der Substratvorderseitenoberfläche 11a angefügt werden. Alternativ kann die Resistschicht als die Trägerschicht 12 durch Aufbringen einer Beschichtungsflüssigkeit zum Bilden der Resistschicht auf die Substratvorderseitenoberfläche 11a gebildet werden.
Wenn die Trägerschicht 12 aus Polyimid hergestellt ist, haftet die Polyimidschicht als die Trägerschicht 12 der Substratrückseitenoberfläche 11b der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 an. In diesem Fall beinhaltet die Zieloberfläche der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 zumindest die Substratvorderseitenoberfläche 11a. Die Resistschicht ist an der Substratvorderseitenoberfläche 11a der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 lokalisiert. Der thermische Ausdehnungskoeffizient von Polyimid und die Temperaturabhängigkeit des thermischen Ausdehnungskoeffizienten sind äquivalent zu denen von Invar. Dies begrenzt das Wellen der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11, welches ansonsten auftreten würde aufgrund von Expansion oder Kontraktion der Trägerschicht 12, die durch eine Temperaturveränderung der Trägerschicht 12 bewirkt werden.
Die Trägerschicht 12 weist eine Dicke T2 zwischen 5 µm und 50 µm auf, beide inklusive. Um die mechanische Festigkeit des Laminats von der Trägerschicht 12 und der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 zu erhöhen, ist die Dicke T2 der Trägerschicht 12 bevorzugt größer als oder gleich zu 5 µm. In dem Prozess zum Herstellen der Dampfabscheidungs-Metallmaske kann die Trägerschicht 12 von der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 durch zum Beispiel Eintauchen in eine alkalische Lösung entfernt werden. Die Dicke der Trägerschicht 12 ist bevorzugt weniger als oder gleich zu 50 µm, um nicht eine exzessiv lange Zeit zum Entfernen zu benötigen.
[Verfahren zum Herstellen von Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat]
Das Verfahren zum Herstellen eines Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats ist ein Teil des Verfahrens zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske. Das Verfahren zum Herstellen eines Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats verwendet eines aus (A) Elektrolyse, (B) Walzen und Polieren, (C) Elektrolyse und Polieren, und (D) nur Walzen.
Beim Bilden eines Basismaterials, das zu walzen ist, um die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 zu bilden, wird der Sauerstoff, der in dem Material zum Bilden des zu walzenden Basismaterials gefangen ist, gewöhnlich entfernt. Das Entfernen von dem Sauerstoff, der in dem Material enthalten ist, kann das Mischen eines Desoxidationsmittels, wie etwa gekörntes Aluminium oder Magnesium, in das Material zum Bilden des Basismaterials involvieren. Als Ergebnis beinhaltet das Basismaterial Aluminium oder Magnesium als ein Metalloxid, wie etwa Aluminiumoxid oder Magnesiumoxid. Das meiste von dem Metalloxid wird von dem Basismaterial entfernt, bevor das Basismaterial gewalzt wird, während ein wenig von dem Metalloxid in dem zu walzenden Basismaterial verbleibt. Das Metalloxid, das in dem Basismaterial verbleibt, ist einer der Faktoren für die Anisotropie der Reflexion. Diesbezüglich begrenzt das Herstellungsverfahren, das Elektrolyse verwendet, das Mischen des Metalloxids in die Nickel-enthaltende Metallplatte 11.
In dem Verfahren zum Herstellen eines Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats, das eine Trägerschicht 12 beinhaltet, kann eine getrennte Trägerschicht 12 zu der Zieloberfläche der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 angefügt werden, oder eine Trägerschicht 12 kann durch Aufbringen einer Beschichtung auf die Zieloberfläche der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 separat gebildet werden.
Elektrolyse
Wenn das Verfahren zum Herstellen der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 Elektrolyse verwendet, wird die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 auf der Oberfläche einer Elektrode für Elektrolyse gebildet. Die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 wird dann von der Oberfläche der Elektrode entfernt. Die dadurch hergestellte Nickel-enthaltende Metallplatte 11 beinhaltet die Zieloberfläche und die Oberfläche, die der Zieloberfläche gegenüberliegt und in Kontakt mit der Oberfläche der Elektrode war. Wenn die Oberflächenbedingung der Elektrode äquivalent zu der Oberflächenbedingung der Zieloberfläche der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 ist, weisen sowohl die Substratvorderseitenoberfläche 11a als auch die Substratrückseitenoberfläche 11b der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 die Oberflächenstruktur auf, die zu der Zieloberfläche korrespondiert. Wenn die Oberfläche der Elektrode eine größere Oberflächenrauheit als die Zieloberfläche der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 oder eine niedrigere Reflexion als die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 aufweist, dient die Oberfläche, die der Oberfläche, die in Kontakt mit der Elektrodenoberfläche war, gegenüberliegt, als die Zieloberfläche der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11. Die Struktur, in welcher sowohl die Substratvorderseitenoberfläche 11a als auch die Substratrückseitenoberfläche 11b die Oberflächenstruktur aufweisen, die zu der Zieloberfläche korrespondiert, eliminiert den Bedarf zum Unterscheiden zwischen der Substratvorderseitenoberfläche 11a und der Substratrückseitenoberfläche 11b, wenn eine Resistschicht auf der Zieloberfläche gebildet wird. Nach dem Entfernen von der Elektrode kann die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 getempert werden.
Das Elektrolysebad zur Elektrolyse enthält zum Beispiel eine Eisenionenquelle, eine Nickelionenquelle und einen pH-Puffer. Das Elektrolysebad, das für die Elektrolyse verwendet wird, kann auch Spannungsentlastungsmittel, ein Fe³⁺-Ionenmaskierungsmittel und ein Komplexierungsmittel, wie etwa Apfelsäure oder Citronensäure, enthalten und ist eine schwach saure Lösung mit einem pH, der für die Elektrolyse eingestellt ist. Beispiele der Eisenionenquelle beinhalten Eisen(II)-sulfat Heptahydrat, Eisen(II)-chlorid und Eisen(II)-sulfamat. Beispiele der Nickelionenquelle beinhalten Nickel(II)-sulfat, Nickel(II)-chlorid, Nickelsulfamat und Nickelbromid. Beispiele des pH-Puffers beinhalten Borsäure und Malonsäure. Malonsäure fungiert auch als ein Fe³⁺-Ionenmaskierungsmittel. Das Spannungsentlastungsmittel kann zum Beispiel Saccharin-Natrium sein. Das für die Elektrolyse verwendete Elektrolysebad kann eine wässrige Lösung sein, die die oben aufgeführten Additive enthält. Das Elektrolysebad wird eingestellt, um zum Beispiel einen pH zwischen 2 und 3 aufzuweisen, beide inklusive, unter Verwendung eines pH-Einstellungsmittels, wie etwa 5%-ige Schwefelsäure oder Nickelcarbonat.
Die Elektrolysebedingungen für die Elektrolyse sind Bedingungen, bei welchen Eigenschaften, wie etwa die Oberflächenstruktur der Zieloberfläche und das Zusammensetzungsverhältnis von Nickel in der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11, eingestellt werden durch die Temperatur des Elektrolysebads, der Stromdichte und der Elektrolysezeit. Insbesondere werden beim Herstellen der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11, die die oben beschriebene [Bedingung 3] erfüllt, Faktoren, wie etwa die Temperatur des Elektrolysebads, die Stromdichte, das Positionieren der Elektrode, das Verfahren zum Agitieren des Elektrolysebads und die Zusammensetzung des Elektrolysebads eingestellt, so dass sich die Elektrolysefolie isotrop auf der Oberfläche der Elektrode entwickelt. Ferner wird zum Herstellen der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11, die [Bedingung 3] erfüllt, ein geeignetes Aufhellungsmittel zugegeben. Die Anode bei den Elektrolysebedingungen, die für das Elektrolysebad verwendet werden, kann reines Eisen und Nickel sein. Die Kathode bei den Elektrolysebedingungen kann eine Platte von Edelstahl sein, wie etwa SUS304. Die Temperatur des Elektrolysebads kann zwischen 40°C und 60°C sein, beide inklusive. Die Stromdichte kann zwischen 1 A/dm² und 4 A/dm², beide inklusive.
Polieren
Wenn das Verfahren zum Herstellen der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 Polieren verwendet, kann die zu polierende Nickel-enthaltende Metallplatte 11 durch (A) Elektrolyse oder Walzen hergestellt werden. Wenn die zu polierende Nickel-enthaltende Metallplatte 11 durch Walzen hergestellt wird, wird das Basismaterial von Nickel-enthaltendem Material zuerst gewalzt und dann getempert. Die Niveauunterschiede der Substratvorderseitenoberfläche 11a der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 vor dem Polieren sind weniger als die von der Vorderseitenoberfläche des Basismaterials. Die Niveauunterschiede von der Substratrückseitenoberfläche 11b der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 vor dem Polieren sind weniger als die von der Rückseitenoberfläche des Basismaterials. Die Zieloberfläche der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 vor dem Polieren wird dann einem physikalischen, chemischen, chemisch-mechanischen oder elektrischen Polierprozess unterzogen, um eine glatte Oberfläche zu werden. Die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 beinhaltet die dadurch hergestellte Zieloberfläche.
Die Polierflüssigkeit, die für das chemische Polieren verwendet wird, kann eine chemische Polierflüssigkeit für eine Eisen-basierte Legierung sein, die Wasserstoffperoxid als die Hauptkomponente enthält. Der Elektrolyt, der für das elektrische Polieren verwendet wird, ist eine Perchlorsäure-basierte Elektropolierlösung oder eine Schwefelsäure-basierte Elektropolierlösung. Die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 vor dem Polieren kann auch ausgeführt werden als eine Nickel-enthaltende Metallplatte 11, die gewalzt wird und dann mit einer sauren Ätzlösung nassgeätzt wird, um dünner zu sein.
[Dampfabscheidungs-Metallmaske]
Wie in 3 gezeigt, beinhaltet eine Maskenvorrichtung 20 einen Hauptrahmen 21 und eine Mehrzahl an Dampfabscheidungs-Metallmasken 30. Der Hauptrahmen 21 ist eine rahmenförmige Platte, die die Dampfabscheidungs-Metallmasken 30 trägert. Der Hauptrahmen 21 ist zu einem Dampfabscheidungs-Apparat zum Dampfabscheiden angefügt. Der Hauptrahmen 21 beinhaltet eine Mehrzahl an Hauptrahmenlöchern 21H. Jedes Hauptrahmenloch 21H erstreckt sich im Wesentlichen über die gesamte Sektion, zu welcher die korrespondierende Dampfabscheidungs-Metallmaske 30 angefügt ist. Die Hauptrahmenlöcher 21H erstrecken sich durch den Hauptrahmen 21.
Jede Dampfabscheidungs-Metallmaske 30 beinhaltet einen Unterrahmen 31 und eine Mehrzahl an Maskenabschnitten 32. Der Unterrahmen 31 ist eine rahmenförmige Platte, die die Maskenabschnitte 32 trägert. Der Unterrahmen 31 ist zu dem Hauptrahmen 21 angefügt. Der Unterrahmen 31 beinhaltet eine Mehrzahl an Unterrahmenlöchern 33. Jedes Unterrahmenloch 33 erstreckt sich im Wesentlichen über die gesamte Sektion, zu welcher der korrespondierende Maskenabschnitt 32 angefügt ist. Die Unterrahmenlöcher 33 erstrecken sich durch den Unterrahmen 31. Jeder Maskenabschnitt 32 ist zu dem Rand, der das korrespondierende Unterrahmenloch 33 definiert, durch Schweißen oder Anhaften fixiert. Ein Beispiel der Querschnittsstruktur des Maskenabschnitts 32 wird nun mit Bezug auf 4 beschrieben, und ein anderes Beispiel der Querschnittsstruktur des Maskenabschnitts 32 wird mit Bezug auf 5 beschrieben.
Mit Bezug auf 4 ist jeder Maskenabschnitt 32 aus einer Nickel-enthaltenden Metallplatte 321 zusammengesetzt. Das Material, das die Nickel-enthaltende Metallplatte 321 bildet, ist im Wesentlichen das gleiche wie das Material, das die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 des oben beschriebenen Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats 10 bildet. Die Nickel-enthaltende Metallplatte 321 wird durch Bilden von Maskenlöchern 321H in der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 hergestellt. Die Nickel-enthaltende Metallplatte 321 beinhaltet eine Maskenvorderseitenoberfläche 321a und eine Maskenrückseitenoberfläche 321b, welche der Maskenvorderseitenoberfläche 321a gegenüberliegt. Zumindest eine von der Maskenvorderseitenoberfläche 321a und der Maskenrückseitenoberfläche 321b ist die Zieloberfläche, auf welcher eine Resistschicht platziert wurde. Die Maskenvorderseitenoberfläche 321a ist die Oberfläche, die der Dampfabscheidungsquelle in dem Dampfabscheidungs-Apparat zugewandt ist. Die Maskenrückseitenoberfläche 321b ist die Oberfläche, die in Kontakt mit dem Dampfabscheidungsziel, wie etwa ein Glassubstrat, in dem Dampfabscheidungs-Apparat ist. Die Oberflächenstruktur der Zieloberfläche der Nickel-enthaltenden Metallplatte 321 ist im Wesentlichen die gleiche wie die Oberflächenstruktur der Zieloberfläche der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11. Die Region in der Zieloberfläche der Nickel-enthaltenden Metallplatte 321, die frei von den Maskenlöchern 32H ist, weist eine Oberflächenstruktur auf, die zumindest eine von [Bedingung 1] und [Bedingung 2], wie oben beschrieben, erfüllt. Zusätzlich weist die Region in der Zieloberfläche der Nickel-enthaltenden Metallplatte 321, die frei von den Maskenlöchern 32H ist, bevorzugt eine Oberflächenstruktur auf, die die oben beschriebene [Bedingung 3] erfüllt.
Der Maskenabschnitt 32 beinhaltet eine Mehrzahl an Maskenlöchern 321H, die sich durch die Nickel-enthaltende Metallplatte 321 erstrecken. Die Lochseitenoberfläche, die jedes Maskenloch 321H definiert, weist eine gekurvte Querschnittsform in der Dickenrichtung der Nickel-enthaltenden Metallplatte 321 auf. Die Lochseitenoberfläche ist sanft von der Maskenvorderseitenoberfläche 321a zu der Maskenrückseitenoberfläche 321b gekurvt. Die Maskenvorderseitenoberfläche 321a beinhaltet Vorderseitenoberflächenöffnungen Ha, die Öffnungen der Maskenlöcher 321H sind. Die Maskenrückseitenoberfläche 321b beinhaltet Rückseitenoberflächenöffnungen Hb, die Öffnungen der Maskenlöcher 321H sind. Die Vorderseitenoberflächenöffnungen Ha sind in der Abmessung größer als die Rückseitenoberflächenöffnungen Hb, wie von oben betrachtet. Jedes Maskenloch 321H ist ein Durchlass für die Dampfabscheidungsteilchen, die von der Dampfabscheidungsquelle sublimiert werden. Die Dampfabscheidungsteilchen, die von der Dampfabscheidungsquelle sublimiert werden, bewegen sich von den Vorderseitenoberflächenöffnungen Ha hin zu den Rückseitenoberflächenöffnungen Hb. Das Maskenloch 321H, das die Vorderseitenoberflächenöffnung Ha aufweist, die größer ist als die Rückseitenoberflächenöffnung Hb, reduziert den Verschattungseffekt der Dampfabscheidungsteilchen, die durch die Vorderseitenoberflächenöffnung Ha eintreten.
Wenn die Maskenlöcher 321H in der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 des Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats 10 gebildet werden, weist von der Substratvorderseitenoberfläche 11a und der Substratrückseitenoberfläche 11b die Oberfläche, die zu einem größeren Ausmaß geätzt ist, größere Öffnungen auf als die Oberfläche, die zu einem geringeren Ausmaß geätzt ist. Da die Dampfabscheidungs-Metallmaske 30 die Vorderseitenoberflächenöffnungen Ha aufweist, die größer sind als die Rückseitenoberflächenöffnungen Hb, wird das Ausmaß des Ätzens auf der Substratvorderseitenoberfläche 11a größer eingestellt als das Ausmaß des Ätzens auf der Substratrückseitenoberfläche 11b. Wenn die Substratvorderseitenoberfläche 11a die Zieloberfläche ist, kann die Dampfabscheidungs-Metallmaske 30 durch Bilden einer Resistmaske auf der Substratvorderseitenoberfläche 11a und Ätzen der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 von der Substratvorderseitenoberfläche 11a hergestellt werden. Dies begrenzt das Streuen von Licht auf der Zieloberfläche zum Platzieren der Resistmaske. Konsequenterweise wird die Differenz zwischen der Struktur der Resistmaske, die durch Belichtung und Entwicklung gebildet wird, und der designten Resistmaskenstruktur reduziert. Dies erhöht die strukturelle Präzision der Maskenlöcher 321H der Dampfabscheidungs-Metallmaske 30. Insbesondere die Zieloberfläche, die [Bedingung 3] erfüllt, verbessert die strukturelle Präzision der Maskenlöcher 321H in den zweidimensionalen Richtungen in der Zieloberfläche.
In einem anderen Beispiel, das in 5 gezeigt ist, beinhaltet jeder Maskenabschnitt 32 eine Mehrzahl an Maskenlöchern 321H, die sich durch die Nickel-enthaltende Metallplatte 321 erstrecken. Die Vorderseitenoberflächenöffnungen Ha sind auch in dem in 5 gezeigten Beispiel größer als die Rückseitenoberflächenöffnungen Hb, wie von oben betrachtet. Jedes Maskenloch 321H beinhaltet ein großes Maskenloch 32LH mit einer Vorderseitenoberflächenöffnung Ha und ein kleines Maskenloch 32SH mit einer Rückseitenoberflächenöffnung Hb. Das große Maskenloch 32LH ist ein Loch, dessen Querschnittsfläche von der Vorderseitenoberflächenöffnung Ha hin zu der Maskenrückseitenoberfläche 321b kontinuierlich abnimmt. Das kleine Maskenloch 32SH ist ein Loch, dessen Querschnittsfläche von der Rückseitenoberflächenöffnung Hb hin zu der Maskenvorderseitenoberfläche 321a monoton abnimmt.
Die Lochseitenoberfläche, die jedes Maskenloch 321H definiert, weist eine Sektion auf, wo das große Maskenloch 32LH mit dem kleinen Maskenloch 32SH verbunden ist, wie in einer Querschnittsansicht betrachtet. Die Sektion, wo das große Maskenloch 32LH mit dem kleinen Maskenloch 32SH verbunden ist, ist in dem mittleren Bereich in der Dickenrichtung der Nickel-enthaltenden Metallplatte 321 lokalisiert. Die Sektion, wo das große Maskenloch 32LH mit dem kleinen Maskenloch 32SH verbunden ist, steht in dem Maskenloch 321H nach Innen hervor. Die Distanz zwischen der Maskenrückseitenoberfläche 321b und der Sektion, wo die Lochseitenoberfläche, die das Maskenloch 321H definiert, am stärksten hervorsteht, ist als eine Stufenhöhe SH definiert. Die Querschnittsstruktur, die oben mit Bezug auf 4 beschrieben ist, ist ein Beispiel, in welchem die Stufenhöhe SH Null ist. Um den oben beschriebenen Verschattungseffekt zu begrenzen, ist die Stufenhöhe SH bevorzugt Null. Um einen Maskenabschnitt 32 mit einer Stufenhöhe SH von Null zu erhalten, weist die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 bevorzugt eine Dicke von weniger als oder gleich zu 40 µm auf, so dass die Maskenlöcher 321H durch Nassätzen von der Substratvorderseitenoberfläche 11a zu der Substratrückseitenoberfläche 11b gebildet werden, was den Bedarf zum Nassätzen von der Substratrückseitenoberfläche 11b eliminiert. Aus diesem Grund ist das Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat 10 bevorzugt, das unter Verwendung von (A) Elektrolyse, (B) Walzen und Polieren oder (C) Elektrolyse und Polieren hergestellt wird.
Um die großen Maskenlöcher 32LH in der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 zu bilden, wird die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 von der Substratvorderseitenoberfläche 11a geätzt. Um die kleinen Maskenlöcher 32SH in der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 zu bilden, wird die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 von der Substratrückseitenoberfläche 11b geätzt. Die Struktur, in welcher die Substratvorderseitenoberfläche 11a eine Zieloberfläche ist und die Substratrückseitenoberfläche 11b auch eine Zieloberfläche ist, begrenzt das Streuen von Licht auf den Zieloberflächen zum Platzieren von Resistmasken. Dies verbessert die strukturelle Präzision der Maskenlöcher 321H von der Dampfabscheidungs-Metallmaske 30 weiter.
[Verfahren zum Herstellen von Dampfabscheidungs-Metallmaske]
Das Verfahren zum Herstellen der Dampfabscheidungs-Metallmaske 30, das mit Bezug auf 4 beschrieben wird, und das Verfahren zum Herstellen der Dampfabscheidungs-Metallmaske 30, das mit Bezug auf 5 beschrieben wird, sind im Wesentlichen identisch in den Schritten, mit Ausnahme für den Schritt des Nassätzens der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11. Daher wird das Verfahren zum Herstellen der Dampfabscheidungs-Metallmaske 30, das mit Bezug auf 4 beschrieben wird, nachfolgend hauptsächlich beschrieben, und die überlappenden Teile für das Verfahren zum Herstellen der Dampfabscheidungs-Metallmaske 30, das mit Bezug auf 5 beschrieben wird, wird nicht beschrieben.
Wie in 6 gezeigt, stellt das Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske zunächst eine Nickel-enthaltende Metallplatte 11 bereit, durch einen Prozess, wie etwa (A) Elektrolyse oder (B) Walzen und Polieren, wie oben beschrieben (Schritt S1-1). Als Nächstes bildet das Verfahren eine Resistschicht auf einer der Zieloberflächen der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 (Schritt S1-2) und bildet eine Resistmaske auf der Zieloberfläche durch Ausführen von Belichtung und Entwicklung der Resistschicht (Schritt S1-3).
Das Verfahren bildet dann Maskenlöcher 321H in der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 durch Nassätzen der Zieloberfläche unter Verwendung der Resistmaske (Schritt S1-4). Die Resistmaske wird dann von der Zieloberfläche entfernt, so dass die Maskenabschnitte 32 hergestellt werden (Schritt S1-5). Das Verfahren fixiert dann die Maskenvorderseitenoberflächen 321a der Maskenabschnitte 32 zu einem Unterrahmen 31, um die Dampfabscheidungs-Metallmaske herzustellen (Schritt S1-6).
Die Ätzlösung zum Ätzen der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 kann irgendeine saure Ätzlösung sein, die fähig ist zum Ätzen von Invar. Die saure Ätzlösung ist zum Beispiel eine Lösung, die Perchlorsäure, Salzsäure, Schwefelsäure, Ameisensäure oder Essigsäure gemischt in einer Eisen(III)-Perchlorat-Lösung oder einer Mischung einer Eisen(III)-Perchlorat-Lösung und einer Eisen(III)-Chlorid-Lösung enthält. Das Ätzen der Zieloberfläche kann durch ein Eintauchverfahren, bei welchem die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 in eine saure Ätzlösung eingetaucht wird, oder durch ein Sprühverfahren, bei welchem eine saure Ätzlösung auf die Zieloberfläche der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 gesprüht wird, ausgeführt werden. Alternativ kann das Ätzen der Zieloberfläche durch ein Rotationsverfahren ausgeführt werden, bei welchem eine saure Ätzlösung auf die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 rotationsbeschichtet wird.
Wenn die Resistschicht auf der Zieloberfläche mit Licht bestrahlt wird, ist es weniger wahrscheinlich, dass ein Teil des Lichts auf der Zieloberfläche streuen wird und auf die Nicht-Belichtungsregion der Resistschicht fallen wird. Konsequenterweise wird die Differenz zwischen der Struktur der Resistmaske, die durch Belichtung und Entwicklung gebildet wird, und der designten Resistmaskenstruktur reduziert. Dies erhöht die strukturelle Präzision der Maskenlöcher 321H der Nickel-enthaltenden Metallplatte 321. Die Resistschicht kann auf der Zieloberfläche durch Bilden einer plattenförmigen Resistschicht und Anfügen der gebildeten Resistschicht zu der Zieloberfläche, oder durch Aufbringen einer Beschichtungslösung zum Bilden einer Resistschicht zu der Zieloberfläche gebildet werden.
In dem Verfahren zum Herstellen der Dampfabscheidungs-Metallmaske 30, die mit Bezug zu 5 beschrieben ist, werden die Schritte S1-1 bis S1-5 auf der Substratvorderseitenoberfläche 11a ausgeführt, die zu der Maskenvorderseitenoberfläche 321a korrespondiert, wodurch die großen Maskenlöcher 32LH gebildet werden. Die großen Maskenlöcher 32LH werden dann mit einem Resist oder dergleichen gefüllt, um die großen Maskenlöcher 32LH zu schützen. Dann werden die Schritte S1-2 bis S1-5 auf der Substratrückseitenoberfläche 11b ausgeführt, die zu der Maskenrückseitenoberfläche 321b korrespondiert, wodurch die kleinen Maskenlöcher 32SH gebildet werden. Die Maskenabschnitte 32 werden dadurch erhalten. Die Maskenvorderseitenoberflächen 321a von den Maskenabschnitten 32 werden zu einem Unterrahmen 31 fixiert, um die Dampfabscheidungs-Metallmaske herzustellen (Schritt S1-6).
Wenn das Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat 10 eine Trägerschicht 12 beinhaltet, die aus Polyimid hergestellt ist, wird die Trägerschicht 12 von dem Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat 10 nach dem Schritt S1-5 entfernt. Die Trägerschicht 12 kann zum Beispiel durch Abblättern unter Verwendung von Laserbestrahlung, chemischem Lösen oder Abblättern, oder physikalischem Abblättern entfernt werden. Alternativ, wenn das Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat 10 eine Trägerschicht 12 beinhaltet, die aus Polyimid hergestellt ist, kann die Trägerschicht 12 zu dem Unterrahmen 31 als eine Komponente der Dampfabscheidungs-Metallmaske gekuppelt werden. Ein Verfahren zum chemischen Entfernen der Trägerschicht 12 wendet keine externe Kraft auf die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 an, was die Wahrscheinlichkeit reduziert, dass die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 Rillen oder Verformungen aufweist, verglichen zu physikalischem Abblättern der Trägerschicht 12 von der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11. Das Verfahren zum chemischen Entfernen der Trägerschicht 12 von dem Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat 10 verwendet bevorzugt eine alkalische Lösung, die die Trägerschicht 12 auflöst, um die Trägerschicht 12 von der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 zum Beispiel abzublättern.
[Testbeispiele]
Mit Bezug auf 7 und 8 werden nun die Oberflächenrauheit Sa und Sz, die Reflexion R, die Reflexionsdifferenz und die Prozessierungspräzision der Resistmaske von dem Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat 10 beschrieben. 7 zeigt die Oberflächenrauheit Sa und Sz, die Reflexion R und die Reflexionsdifferenz in Niveaus von Testbeispielen 1 bis 9. 8 zeigt die winkelförmige Abhängigkeit der Reflexionen von Testbeispielen 1, 2, 3 und 9, welche repräsentative Beispiele unter den Reflexionen sind, die für die Testbeispiele 1 bis 9 gemessen werden.
Wie in 7 gezeigt, sind Testbeispiele 1, 2, 3, 6 und 7 Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrate 10, die durch (A) Elektrolyse hergestellt wurden und eine Dicke von 20 µm hatten. Testbeispiele 4 und 5 sind Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrate 10, die durch (B) Walzen und Polieren hergestellt wurden und eine Dicke von 20 µm hatten. Für die Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrate 10, die durch (A) Elektrolyse hergestellt wurden, sind die Oberflächenstruktur der Oberflächen, die in Kontakt mit Elektroden waren, als die Oberflächenstruktur angezeigt, die zu den Zieloberflächen korrespondiert. Die Oberflächenrauheit Sa der SUS-Elektrode war 0,018 µm und die Oberflächenrauheit Sz war 0,170 µm. Testbeispiele 8 und 9 waren Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrate 10, die durch Walzen gebildet waren. Diese Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrate 10 waren nicht poliert. Die Dicke von Testbeispielen 8 und 9 war um 10 µm größer als die Dicke von Testbeispielen 4 und 5, was die Poliermenge in Testbeispielen 8 und 9 war.
Jedes der Testbeispiele 1, 2, 3, 6 und 7 wurde durch die Verwendung eines Elektrolysebads erhalten, das eine wässrige Lösung war, zu welcher die folgenden Additive zugegeben wurden. Das Elektrolysebad war auf einen pH von 2,3 eingestellt. Testbeispiele 1, 2, 3, 6 und 7 wurden durch Variieren der Stromdichte innerhalb des Bereichs zwischen 1 (A/dm²) und 4 (A/dm²) erhalten, beide inklusive. Testbeispiele 1, 2, 3, 6 und 7 unterschieden sich voneinander in dem Zusammensetzungsverhältnis zwischen Eisen und Nickel.
Elektrolyt für Testbeispiele

Eisen(II)-Sulfat Heptahydrat: 83,4 g
Nickel(II)-Sulfat Hexahydrat: 250,0 g
Nickel(II)-Chlorid Hexahydrat: 40,0 g
Borsäure: 30,0 g
Saccharin-Natriumdihydrat: 2,0 g
Malonsäure: 5,2 g
Temperatur: 50°C

Jedes von Testbeispiel 4 und Testbeispiel 5 wurde durch Unterwerfen einer unpolierten Nickel-enthaltenden Metallplatte 11, die durch Walzen gebildet wurde, einem chemischen Polieren unter Verwendung einer Wasserstoffperoxid-basierten chemischen Polierflüssigkeit erhalten.
Testbeispiele 8 und 9 waren Nickel-enthaltende Metallplatten 11, die ähnlich sind zu denen von Testbeispielen 4 und 5, welche durch Walzen und Polieren erhalten wurden, mit der Ausnahme, dass die Testbeispiele 8 und 9 nicht poliert wurden. Die Testbeispiele 8 und 9 sind von Niveaus, die nicht chemisch poliert waren.
Bei den Niveaus von jedem der Testbeispiele 1 bis 7 war die Oberflächenrauheit Sa der Zieloberfläche weniger als oder gleich zu 0,019 µm und die Oberflächenrauheit Sz der Zieloberfläche war weniger als oder gleich zu 0,308 µm. Im Gegensatz dazu war bei den Niveaus von jedem von Testbeispielen 8 und 9 die Oberflächenrauheit Sa der Zieloberfläche ungefähr 0,04 µm. Dies zeigt an, dass das Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat, das durch (A) Elektrolyse oder (B) Polieren hergestellt ist, eine signifikant niedrigere Oberflächenrauheit Sa aufweist. Zusätzlich war bei den Niveaus von Testbeispielen 8 und 9 die Oberflächenrauheit Sz der Zieloberfläche im Wesentlichen größer als oder gleich zu 0,35 µm. Dies zeigt an, dass die Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrate, die durch (A) Elektrolyse oder (B) Polieren hergestellt sind, eine signifikant niedrigere Oberflächenrauheit Sz aufweisen.
Wie in 7 und 8 gezeigt, waren bei den Niveaus von Testbeispielen 1 bis 3 die Reflexionen R zwischen 53,0% und 97,0%, beide inklusive. Im Gegensatz dazu hatten Testbeispiele 8 und 9 eine Reflexion R von weniger als 53,0% und hatten eine größere Halbwertsbreite als die anderen Testbeispiele. Dies zeigt an, dass das Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat, das durch (A) Elektrolyse oder (B) Polieren hergestellt ist, eine hohe Reflexion R von 53,0% oder größer erreicht.
Bei den Niveaus von jedem von Testbeispielen 1 bis 3 war die Reflexionsdifferenz zwischen zwei Richtungen, die senkrecht zueinander sind, weniger als oder gleich zu 2,5%. In Testbeispiel 5 war die Reflexionsdifferenz zwischen zwei Richtungen, die senkrecht zueinander sind, 3,6%. Im Gegensatz dazu war die Reflexionsdifferenz von Testbeispiel 9 6,2% und die Reflexionsdifferenz von Testbeispiel 6, welches bezüglich der Elektrolysebedingungen unterschiedlich zu Testbeispielen 1 bis 3 war, war 6,5%. Dies zeigt, dass eine niedrige Reflexionsdifferenz, welche durch Walzen nicht erreicht werden kann, dadurch erreicht werden kann, dass die Temperatur und Stromdichte des Elektrolytbads für (A) Elektrolyse eingestellt werden.
Die Größen von Mindestauflösungen der Resistmasken, die auf den Zieloberflächen von Testbeispielen 1 bis 7 gebildet sind, variierten innerhalb des Bereichs von 4 µm bis 5 µm, wenn kreisförmige Löcher in den Resistschichten durch Belichtung mit ultraviolettem Licht ausgebildet wurden. Insbesondere wiesen Testbeispiele 1 bis 3 und 5, in welchen die Reflexionsdifferenzen weniger als oder gleich zu 3,6% waren, geringere Variationen in den Größen von Mindestauflösungen in den zweidimensionalen Richtungen in der Zieloberfläche auf als Testbeispiele 6 und 7. Insbesondere wiesen Testbeispiele 1 bis 3, in welchen die Reflexionsdifferenzen weniger als oder gleich zu 2,5% waren, kleinere Mindestauflösungen auf als Testbeispiel 5, in welchem die Reflexionsdifferenz weniger als oder gleich zu 3,6% war. Die Mindestauflösungen der Resistmasken, die auf der Oberfläche von Testbeispielen 8 und 9 auf die gleiche Weise gebildet sind, waren größer als oder gleich zu 7 µm, wenn kreisförmige Löcher in den Resistschichten durch Belichtung mit ultraviolettem Licht gebildet wurden. Deshalb ist, um die strukturelle Präzision der Öffnungen der Dampfabscheidungs-Metallmaske zu erhöhen, die Reflexionsdifferenz bevorzugt weniger als oder gleich zu 3,6%, stärker bevorzugt weniger als oder gleich zu 2,5%.
Die oben beschriebene Ausführungsform kann wie folgt modifiziert werden.
Bei der Herstellung des Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats durch Elektrolyse kann das Muster der Masken für die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 im Voraus auf der Oberfläche der Elektrode gebildet werden. Bei diesem Herstellungsverfahren wird die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 auf der Sektion der Oberfläche der Elektrode, die frei von dem Muster ist, gebildet. Nachdem die Nickel-enthaltende Metallplatte 11 auf der Oberfläche der Elektrode gebildet ist, wird das Muster von der Elektrodenoberfläche herausgelöst oder anderweitig entfernt. Die Nickel-enthaltende Metallplatte wird dann von der Elektrodenoberfläche entfernt. Das Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat wird dadurch hergestellt. Das Muster, das auf der Elektrodenoberfläche vorgebildet wird, kann jegliches Muster sein, das die Entwicklung der Nickel-enthaltenden Metallplatte 11 auf dem Muster begrenzt. Zum Beispiel kann ein Resistmuster verwendet werden.
Solch ein Verfahren zum Herstellen eines Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats ermöglicht die Bildung von Löchern und Aussparungen in der Sektion des Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats 10, die zu dem Muster korrespondiert. Damit wird die Angleichung zwischen der Struktur des Musters, das auf der Elektrodenoberfläche gebildet wird, und der Struktur der Löcher, wie etwa der Maskenlöcher, erreicht. Das Verfahren kann Zeit und Aufwand reduzieren, der zum Nassätzen des Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats benötigt wird. Des Weiteren wird das Verfahren sogar der Bedarf an dem Nassätzprozess eliminieren.
In Schritt S1-6 können, anstatt der Maskenvorderseitenoberflächen 321a der Maskenabschnitte 32, die Maskenrückseitenoberflächen 321b der Maskenabschnitte 32 zu dem Unterrahmen 31 fixiert werden. Das heißt, die Dampfabscheidungs-Metallmaske kann sowohl eine Struktur, in welcher die Maskenvorderseitenoberflächen 321a zu dem Unterrahmen 31 fixiert sind, als auch eine Struktur, in welcher die Maskenrückseitenoberflächen 321b zu dem Unterrahmen 31 fixiert sind, aufweisen.
In dem Verfahren zum Herstellen der Dampfabscheidungs-Metallmaske 30, wie mit Bezug auf 5 beschrieben, kann der Schritt des Bildens der großen Maskenlöcher 32LH nach dem Schritt des Bildens der kleinen Maskenlöcher 32SH durchgeführt werden.
Bezugszeichenliste
10: Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat, 11 und 321: Nickel-enthaltende Metallplatte, 11a: Substratvorderseitenoberfläche, 11b: Substratrückseitenoberfläche, 12: Trägerschicht, 20: Maskenvorrichtung, 21H: Hauptrahmenloch, 30: Dampfabscheidungs-Metallmaske, 31: Unterrahmen, 32: Maskenabschnitt, 321H: Maskenloch, 32LH: großes Maskenloch, 32SH: kleines Maskenloch, 33: Unterrahmenloch, 321: Nickel-enthaltende Metallplatte, 321a: Maskenvorderseitenoberfläche, 321b: Maskenrückseitenoberfläche

Claims

Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat, umfassend eine Nickel-enthaltende Metallplatte, die eine Vorderseitenoberfläche und eine Rückseitenoberfläche, welche der Vorderseitenoberfläche gegenüberliegt, beinhaltet, wobei zumindest eine von der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche eine Zieloberfläche zum Platzieren einer Resistschicht ist, die Zieloberfläche eine Oberflächenrauheit Sa von weniger als oder gleich zu 0,019 µm aufweist, und die Zieloberfläche eine Oberflächenrauheit Sz von weniger als oder gleich zu 0,308 µm aufweist.
Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat nach Anspruch 1, wobei eine gerichtete Reflexion von einfallendem Licht zu der Zieloberfläche zwischen 53,0% und 97,0% ist, beide inklusive.
Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat, umfassend eine Nickel-enthaltende Metallplatte, die eine Vorderseitenoberfläche und eine Rückseitenoberfläche, welche der Vorderseitenoberfläche gegenüberliegt, beinhaltet, wobei zumindest eine von der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche eine Zieloberfläche zum Platzieren einer Resistschicht ist, und eine gerichtete Reflexion von einfallendem Licht zu der Zieloberfläche zwischen 53,0% und 97,0% ist, beide inklusive.
Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat nach Anspruch 2 oder 3, wobei zwei Richtungen, die in der Zieloberfläche zueinander senkrecht sind, Richtungen sind, in welche Licht einfällt, wie betrachtet zugewandt zu der Zieloberfläche, und eine Differenz in der Reflexion zwischen den zwei Richtungen weniger als oder gleich zu 3,6% ist.
Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Nickel-enthaltende Metallplatte eine Invar-Platte ist.
Dampfabscheidungs-Metallmaske, umfassend einen Maskenabschnitt, der aus einer Nickel-enthaltenden Metallplatte zusammengesetzt ist, wobei der Maskenabschnitt beinhaltet: eine Vorderseitenoberfläche, die eine Vorderseitenoberflächenöffnung beinhaltet, und eine Rückseitenoberfläche, die eine Rückseitenoberflächenöffnung in Verbindung mit der Vorderseitenoberflächenöffnung beinhaltet, wobei die Rückseitenoberfläche der Vorderseitenoberfläche gegenüberliegt, zumindest eine von der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche eine Zieloberfläche ist, die Zieloberfläche eine Oberflächenrauheit Sa von weniger als oder gleich zu 0,019 µm aufweist, und die Zieloberfläche eine Oberflächenrauheit Sz von weniger als oder gleich zu 0,308 µm aufweist.
Dampfabscheidungs-Metallmaske nach Anspruch 6, wobei eine gerichtete Reflexion von einfallendem Licht zu der Zieloberfläche zwischen 53,0% und 97,0% ist, beide inklusive.
Dampfabscheidungs-Metallmaske, umfassend einen Maskenabschnitt, der aus einer Nickel-enthaltenden Metallplatte zusammengesetzt ist, wobei der Maskenabschnitt beinhaltet: eine Vorderseitenoberfläche, die eine Vorderseitenoberflächenöffnung beinhaltet, und eine Rückseitenoberfläche, die eine Rückseitenoberflächenöffnung in Verbindung mit der Vorderseitenoberflächenöffnung beinhaltet, wobei die Rückseitenoberfläche der Vorderseitenoberfläche gegenüberliegt, zumindest eine von der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche eine Zieloberfläche ist, und eine gerichtete Reflexion von einfallendem Licht zu der Zieloberfläche zwischen 53,0% und 97,0% ist, beide inklusive.
Dampfabscheidungs-Metallmaske nach Anspruch 7 oder 8, wobei zwei Richtungen, die in der Zieloberfläche zueinander senkrecht sind, Richtungen sind, in welche Licht einfällt, wie betrachtet zugewandt zu der Zieloberfläche, und eine Differenz in der Reflexion zwischen den zwei Richtungen weniger als oder gleich zu 3,6% ist.
Dampfabscheidungs-Metallmaske nach einem der Ansprüche 6 bis 9, wobei die Zieloberfläche zumindest die Vorderseitenoberfläche beinhaltet, und die Vorderseitenoberflächenöffnung eine Öffnung zum Durchlassen von Dampfabscheidungsteilchen von der Vorderseitenoberflächenöffnung zu der Rückseitenoberflächenöffnung ist und größer als die Rückseitenoberflächenöffnung ist.
Dampfabscheidungs-Metallmaske nach einem der Ansprüche 6 bis 10, wobei die Nickel-enthaltende Metallplatte eine Invar-Platte ist.
Verfahren zum Herstellen eines Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer Nickel-enthaltenden Metallplatte auf einer Elektrodenoberfläche durch Elektrolyse; und Trennen der Nickel-enthaltenden Metallplatte von der Elektrodenoberfläche, wobei die Nickel-enthaltende Metallplatte eine Vorderseitenoberfläche und eine Rückseitenoberfläche, welche der Vorderseitenoberfläche gegenüberliegt, beinhaltet, zumindest eine von der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche eine Zieloberfläche zum Platzieren einer Resistschicht ist, und die Elektrolyse bewirkt, dass die Zieloberfläche eine Oberflächenrauheit Sa von weniger als oder gleich zu 0,019 µm aufweist, und bewirkt, dass die Zieloberfläche eine Oberflächenrauheit Sz von weniger als oder gleich zu 0,308 µm aufweist.
Verfahren zum Herstellen eines Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer Nickel-enthaltenden Metallplatte auf einer Elektrodenoberfläche durch Elektrolyse; und Trennen der Nickel-enthaltenden Metallplatte von der Elektrodenoberfläche, wobei die Nickel-enthaltende Metallplatte eine Vorderseitenoberfläche und eine Rückseitenoberfläche, welche der Vorderseitenoberfläche gegenüberliegt, beinhaltet, zumindest eine von der Vorderseitenoberfläche und der Rückseitenoberfläche eine Zieloberfläche zum Platzieren einer Resistschicht ist, und die Elektrolyse bewirkt, dass eine gerichtete Reflexion von einfallendem Licht zu der Zieloberfläche zwischen 53,0% und 97,0% ist, beide inklusive.
Verfahren zum Herstellen einer Dampfabscheidungs-Metallmaske, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer Resistmaske auf einer Zieloberfläche eines Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrats; und Ätzen der Zieloberfläche durch Nassätzen unter Verwendung der Resistmaske, wobei das Dampfabscheidungs-Metallmaskensubstrat die Dampfabscheidungs-Metallmaske nach einem der Ansprüche 1 bis 5 ist.