DE3728803A1

DE3728803A1 - Kupferaetzverfahren und erzeugnis

Info

Publication number: DE3728803A1
Application number: DE19873728803
Authority: DE
Inventors: James F Battey; Norvell J Nelson; Daniel J Barnett
Original assignee: PSI Star Inc
Current assignee: PSI Star Inc
Priority date: 1986-09-15
Filing date: 1987-08-28
Publication date: 1988-03-17
Also published as: GB8720597D0; GB2196903B; US4695348A; FR2603904A1; GB2196903A; FR2603904B1; JPS63119594A

Description

Die Erfindung betrifft allgemein das Ätzen von Kupfer und insbesondere ein Verfahren zum Ätzen von Kupfer und ein Kupfer ätzerzeugnis, das insbesondere zur Verwendung in der Herstellung von gedruckten Leiterplatten geeignet ist.

Eine Kupferfolie, die bei der Herstellung von elektronischen Leiterplatten verwendet wird, wird aus einer Lösung galvanisch auf Metallflächen niedergeschlagen. Dickere Folien (150, 300 und 600g/m², (1/2, 1 und 2 ounces per square foot)) werden auf mit Chrom plattierte Trommeln niedergeschlagen und davon abgelöst. Die dünneren Folien (37,5 und 75g/m², (1/8 und 1/4 ounces per square foot)) werden auf einen Aluminiumträgerfolien überzug niedergeschlagen, der erst kurz vor der Verwendung abgenommen wird. Die Kupferfolie wird durch die Trägerfolie während der Lamellierung zu einem Substrat, das aus einem elek trisch isolierenden Material wie Fiberglas und Epoxy hergestellt ist, geschützt.

Zur Zeit wird das Ätzen von Kupfer an zweiseitigen oder viel schichtigen Leiterplatten meistens entweder mit Ätzen auf Alkali/-Ammoniak-Basis oder mit Wasserstoffperoxid/Schwefel säureätzen durchgeführt. Jedes dieser Verfahren hat gewisse Grenzen und Nachteile. Das Alkali/Ammoniakverfahren ist für den allgemeinen Gebrauch relativ schnell, greift kaum Metallschutz überzüge und einige Trockenfilmschutzüberzüge an, und weist eine beträchtliche Kupferaufnahmefähigkeit auf. Es arbeitet jedoch nicht gut hinsichtlich feiner Strichgeometrien, das gelöste Kupfer ist schwierig wiederzugewinnen und die Ammoniakdämpfe stellen ein Problem dar. Das Wasserstoffperoxid/Schwefelsäure verfahren ist sauberer, und das gelöste Kupfer wird leicht als ein handelbares Produkt wiedergewonnen. Das Verfahren läuft jedoch relativ langsam ab und es ist zur Stabilitätskontrolle eine beträchtliche Kühlung, verursacht durch die Selbstzer setzungsreaktion des Wasserstoffperoxids notwendig. Zusätzlich ist sowohl der Ablauf des Verfahrens als auch die Zersetzung des Peroxids sehr empfindlich gegenüber Spurenverunreinigungen.

In jedem dieser Verfahren besteht die Tendenz, daß das Kupfer in Bereichen, in denen feine Linien vorhanden sind, viel schneller abgetragen wird, als in größeren offenen Bereichen. Dies resultiert in einem Unterschneiden der Linien, während die größeren Bereiche vom Kupfer befreit werden. Keines der Verfahren ist wirklich anisotrop.

Im US-Patent 44 97 687 ist ein verbessertes Verfahren zum anisotropen Ätzen einer Kupferfolie bei der Herstellung von gedruckten Leiterplatten beschrieben. Bei diesem Verfahren wird eine wässrige Lösung von Salpetersäure als Ätze verwendet, und es überwindet zahlreiche Probleme der zuvor diskutierten anderen Verfahren. Im US-Patent 45 45 850 ist ein in etwa ähnliches Verfahren beschrieben, bei dem die Ätzlösung durch Zugabe von Schwefelsäure regeneriert wird. Es wurden sogar mit diesen verbesserten Verfahren einige Fälle festgestellt, bei denen ein unerklärliches seitliches Ätzen oder ein Unter schneiden des Kupfers erfolgt ist.

Es ist allgemein Aufgabe der Erfindung, ein neues und ver bessertes Kupferätzverfahren und Erzeugnis zu schaffen, bei dem seitliches Ätzen und Unterschneiden vermindert ist. Ferner ist Aufgabe der Erfindung, ein Ätzverfahren und Erzeugnis mit den zuvor genannten Eigenschaften zu schaffen, bei dem ein anisotropes Ätzen andauernd erreicht ist.

Diese und andere Aufgaben werden erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß das Kupfer in einer wässrigen Lösung geätzt wird, und die Kristallstruktur des Kupfers sorgfältig kontrolliert wird, um ein anisotropes Ätzen mit einem Senkrecht/Seitlich-Ätzverhält nis größer als 1:1 zu schaffen. In einem Ausführungsbeispiel enthält die Ätzlösung Salpetersäure, Kupfernitrat oder Schwefel säure, ein Polymer und ein oberflächenaktives Mittel, und das Kupfer weist eine Deckflächenkristallstruktur auf, deren Miller′sche Indizes vorwiegend (111) sind. In einem weiteren Ausführungsbeispiel enthält die Ätzlösung Wasserstoffperoxid und Schwefelsäure, und die Kupferfolie weist eine Deckflächen kristallstruktur mit vorwiegend (311)- und (511)-Orientierungen und/oder (111)-Orientierung auf. Eine gedruckte Leiterplatte, die gemäß der Erfindung hergestellt wurde, weist eine Kupfer folie mit einer Kristallstruktur auf, die ausgewählt ist, um ein anisotropes Ätzes zu ermöglichen und weist ein Senk recht/Seitlich-Ätzverhälnis größer als 1:1 mit einer gegebenen Ätzlösung auf, wobei Teile der Kupferfolie durch die Ätzlösung abgeätzt werden, um das gewünschte Folienmuster zu bilden.

Die galvanisch niedergeschlagene Folie, die in Leiterplatten verwendet wird, wächst mit säulenartiger Struktur, mit senkrecht zu der Oberfläche der Folie verlaufenden Achsen. Die Höhe der Säulen ist typischerweise in der Größenordnung von 0,025 mm (1 mil) und die Breite ist in der Größenordnung von einigen Zehnteln von 0,025mm (1 mil). Es wird vermutet, daß die Säulen aus vielen Einkristallen zusammengesetzt sind, so daß die Säulenstruktur selbst polykristallin ist. Es wurde festgestellt, daß, falls die Kristalle an der Oberfläche eine vorwiegend günstige Orientierung aufweisen, das Ätzen der Kupferfolie senkrecht zu der Folienoberfläche rascher vorschreitet, als parallel zur Oberfläche. Dies ist wünschenswert, weil es ein Unterschneiden oder Ätzen des Kupfers unterhalb der Foto schutzschicht oder anderer Masken, die zur Umgrenzung des Ätzmusters verwendet werden, vermindert. Zusätzlich verläut das Ätzen dadurch anisotrop, da die Seitenwände des Ätzmusters nahezu senkrecht zu der Deckfläche oder der Ebene der Kupfer folie verlaufen. Diese Vorteile ermöglichen es, Leiterplatten mit einer feinen und gesteuerten Geometrie mit besserer Qualität und höherer Ausbeute zu ätzen als durch ein Ätzen, das isotrop ist und das Material in jeglichen Richtungen mit derselben Rate abträgt.

Die Chemie der Salpetersäureätze, die in einem Ausführungsbei spiel der Erfindung angewandt ist, ist in den US-Patenten 44 97 687 und 45 45 850 näher beschrieben. Salpetersäure reagiert mit Kupfer in folgendem Verhältnis:

3 Cu + 8 HNO₃ = 3 Cu(NO₃)₂ + 2 NO + 4 H₂O

wobei die Salpetersäure sowohl als Oxidationsmittel und als Anionenquelle für das gelöste Kupfer dient. Das gelöste Kupfer wird durch Zugabe von Schwefelsäure entfernt, um das Kupfer gemäß der Gleichung

3 Cu(NO₃)₂ + 3 H₂SO₄ = 3 CuSO₄ + 6 HNO₃

auszufällen.

Um den Ätzschutzüberzug und die Substratplatte vor Angriff durch die Salpetersäure zu schützen, ist entweder Kupfernitrat oder Schwefelsäure in der Ätzlösung enthalten. Wird Schwefelsäure angewendet, ist der Verbrauch an Salpetersäure vermindert, und die Reaktion verläuft gemäß folgender Gleichung:

3 Cu + 2 HNO₃ + 3 H₂SO₄ = 3 CuSO₄ + 2 NO + 4 H₂O.

Kupfer wird als das Sulfat-Pentahydrat gemäß der Gleichung

CuSO₄ + 5 H₂O = CuSO₄ · 5 H₂O

entfernt.

Kupfernitrat oder Schwefelsäure erhöht die Reaktivität von Salpetersäure gegen Kupfer, so daß beträchtliche Reaktionsge schwindigkeiten mit viel geringeren Konzentrationen an Salpeter säure erreicht werden, als diese andernfalls benötigt würde. Daher kann die Menge an Salpetersäure auf solchem Niveau gehalten werden, daß diese nicht mit den Substraten oder organischen Schutzüberzügen reagiert. Gewisse Metallschutzüber züge, die Zinn, Nickel oder Legierungen derselben enthalten können, können ebenfalls bei diesen Ätzen verwendet werden. In der Ätzlösung ist ein Polymer enthalten, um die Oberflächen reaktionsgeschwindigkeit zu kontrollieren und die Anisotropie des Ätzens zu vergrößern. Ein geeignetes Polymer ist Polyacryl amid, das in Wasser löslich ist und ein hohes Molekulargewicht aufweist. Die Menge an angewandten Polymer liegt in der Größen ordnung von 0,05 Vol.% der Lösung. Geeignete Polyacrylamide schließen Dow Separan CP-7HS (ein kationisches Polymer mit hohem Molekulargewicht), Hercules Reten 520 (ein neutrales Polyacrylamid mit hohem Molekulargewicht), und Dow Separan NP-10 (ein leicht anionisches Polyacrylamid mit hohem Molekular gewicht) ein.

In der Ätzlösung ist auch ein oberflächenaktives Mittel enthal ten, um die Oberflächenspannung zu vermindern und um die Wegbewegung der Stickoxidbläschen von der Oberfläche des Kupfers zu erleichtern. Das Stickoxidgas wird während des Ätzprozesses erzeugt und die oberflächenaktiven Mittel dienen dazu, die Bläschengröße klein zu halten und zu verhindern, daß die Bläschen zwischen den Schutzüberzuglinien Brücken bilden und das Ätzen zwischen den Linien blockieren. Es ist nur eine sehr geringe Menge an oberflächenaktiven Mitteln notwendig, d.h. 0,1 bis 0,2 Vol.% der Ätzlösung. Geeignete oberflächen aktive Mittel schließen Fluorkohlenstoff wie 3M′s FC- 100 (ein amphoteres oberflächenaktives Mittel) und FC-135 (ein kationisches oberflächenaktives Mittel) ein.

Es wurde festgestellt, daß die Anisotropie des Ätzens, die mit den Salpetersäureätzen erhalten wird, in gewissem Maß von der Kristallstruktur der Kupferfolie abhängig ist. Ein Kristall weist eine Grundeinheitstruktur auf, die nach und nach wieder holt wird, um einmal, und zwar nur einmal, den dreidimensionalen Raum, der durch den Kristall belegt ist, aufzufüllen. In einer kubischen Kristallstruktur, wie bei Kupfer, verlaufen die Kristallachsen senkrecht zueinander, wie die x-, y-, bzw. z- Achse eines kartesischen Koordinatensystems. Ferner ist der Einheitsabstand längs aller drei Achsen derselbe.

Ebenen in einem Kristall werden in Termen ihrer Miller′schen Indizes spezifiziert. Die Miller′schen Indizes stellen das Rezi proke der Anzahl von Einheitsabständen, in die die in Frage stehende Ebene die x-, y-, bzw. z-Achse unterteilt, dar. Die (111)-Ebene unterteilt daher alle drei Achsen im Einheitsab stand. Die (200)-Ebene schneidet die x-Achse bei einem halben Einheitsabstand und verläuft parallel zur x- und z-Achse. Ähnlicherweise schneidet die (220)-Ebene die x- und y-Achse in einem halben Einheitsabstand und verläuft parallel zur z- Achse.

Die Identifizierung von Kristallebenen, die parallel zur Oberfläche der in unseren Arbeiten verwendeten Kupferfolie verlaufen, wurde durch Bragg′sche Analyse durchgeführt. Bei der Bragg′schen Analyse treffen Röntgenstrahlen unter verschie denen Winkeln auf die Folienoberfläche. Falls die von der obersten Atomebene reflektierten Röntgenstrahlen eine solche Weglänge aufweisen, die um ein ganzzahliges Vielfaches der Wellenlänge kürzer ist als die Weglänge der von der zweiten Atomebene reflektierten Röntgenstrahlen, so interferieren die Röntgenstrahlen konstruktiv, und es erfolgt ein Intensitäts maximum der reflektierten Röntgenstrahlen für diesen Einfalls winkel. Aus der Kenntnis dieses Winkels und der Wellenlänge der Röntgenstrahlen kann der Abstand zwischen den Atomebenen bestimmt werden. Aus diesem Abstand können die Miller′schen Indizes derjenigen Atomebenen abgeleitet werden, die parallel zur Oberfläche sind. Aus Symmetriebetrachtungen können in einem flächenzentrierten kubischen Kristall nur solche Röntgen strahlreflektionen konstruktiv interferieren, die von Ebenen kommen, die entweder alle geradzahlige oder alle ungeradzahlige Miller′sche Indizes aufweisen.

Die Röntgenanalyse verschiedener Platten mit guter Anisotropie haben die folgenden Daten ergeben, bei denen die relativen Mengen der verschiedenen Kristallorientierungen in Termen der relativen Intensitäten der Röntgenlinien, die von den verschiedenen Kristallebenen reflektiert wurden, ausgedrückt sind:

Die Röntgenanalyse verschiedener Platten mit seitlichem Ätzen und Unterschneiden hat gezeigt, daß diese Platten die folgenden Kristallstrukturen aufweisen (Prozentanteil der Röntgenstrahl linien-Intensitäten):

Aus diesen Daten ist zu entnehmen, daß ein gutes Ätzen (ein Vertikal/Horizontal-Ätzverhältnis oder Ätzfaktor der größer als 1:1 ist) dann erreicht ist, falls die Kristallorientierung vowiegend (111) ist. Ein Ätzfaktor von 2:1 kann mit Kristall strukturen erreicht werden, bei denen etwa 60% der gesamten Linienintensität, die durch die Röntgenanalyse der Struktur hervorgerufen wird, auf der (111)-Orientierung beruht. Falls etwa 50% der Linienintensität auf der (111)-Orientierungsin tensität beruht, ist der Ätzfaktor in der Größenordnung von 1:1, und die Ätzung ist isotrop. Für ein Ätzverhältnis in der Größenordnung von 10:1 müssen die (111)-Kristalle in der Deckfläche der Struktur etwa 70% der Linienintensität erzeugen. Die Kristallstruktur der Deckfläche soll in jedem Fall bis zur Rückseite der Folie reichen.

Im folgenden Beispiel war das Ätzen derart anisotrop, daß zwar gerade Seitenwände erhalten wurden, das Senkrecht/Seitlich- Ätzverhältnis war jedoch etwa 2:1, und es erfolgte ein wesent licher Abtrag von Kupfer unterhalb der Fotoschutzschicht:

In den zuvor gezeigten Beispielen (Beispiele A bis L) wurde das Ätzen mit einer wässrigen Lösung durchgeführt, die 3 Liter Kupfernitratlösung (Dichte 1,45), 1 Liter 70%iger Salpetersäure, 100 ml einer 2%igen Lösung von Separan CP-7HS, und 5 ml an FC-100 enthält.

Es wurde auch festgestellt, daß die Anisotropie und das Senk recht/-Seitlich-Ätzverhältnis, das mit einer Wasserstoffper oxid/Schwefelsäureätzlösung erhalten wird, dadurch verbessert werden kann, daß ein Polymer und ein oberflächenaktives Mittel in der Lösung enthalten ist und durch geeignete Auswahl der Kristallstruktur des Kupfers. Die folgende Tabelle zeigt die relativen Ätzraten, die mit Einkristallkupfereinheiten und einer Ätzlösung erhalten wurden, die 600 ml an 50 Vol.%iger Schwefelsäure, 210 ml an 50 Vol.%igem Wasserstoffperoxid, 60 ml an Natriummolybdatlösung (0,5 g/ml), 55 ml an Phenolsul fonsäurelösung (Ferro PSA 1000) und 2,075 Liter an entminerali siertem Wasser mit den folgenden Zusätzen enthält:

Aus diesen Daten kann geschlossen werden, daß, falls Kupfer folien mit vorherrschend (311)- und (511)-Deckflächenkristall- Orientierung hergestellt werden, in einer Wasserstoffperoxid/- Schwefelsäurelösung mit einer Vielfalt an verschiedenen Zusätzen die Deckflächenebenen viel schneller als die Seitenebenen geätzt werden. Die Ätzfaktoren, d.h. die Senkrecht/Seitlich-Ätz verhältnisse verändern sich von etwa 5:1 zu etwa 20:1 in Abhängigkeit von den Zusätzen. Es wurde auch festgestellt, daß gute Ergebnisse dann erreicht werden, falls Kupferfolien, die vorwiegend eine (111)-Orientierung aufweisen, in einer Wasserstoffperoxid/Schwefelsäurelösung geätzt wurden.

Die folgenden Beispiele zeigen die Art und Weise, in der die Zugabe eines Polymers und eines oberflächenaktiven Mittels die Durchführung des Wasserstoffperoxid/Schwefelsäure-Ätzver fahrens hinsichtlich des Linienverlusts und der Linienform verbessern. In jedem dieser Ausführungsbeispiele besteht das geätzte Beispiel aus einer Kupferfolie, die ein Gewicht von 75 g/m² (1/4 ounce per square foot) aufweist, mit einem Ätz muster, das durch einen blanken Zinn-Ätz-Schutzüberzug auf der Oberfläche des Kupfers umgrenzt ist.

Ausführungsbeispiel 1

Das 75 g (1/4 ounce) Basisbeispielmuster, das mit einem Zinn- Ätzschutzüberzug plattiert ist, wurde in einer Lösung, be stehend aus 700 ml entmineralisiertem Wasser, 1000 ml Mac- Dermid′s Circu-Etch 87, 100 ml MacDermid′s Circu-Etch 84 und 250 ml 50%igem Wasserstoffperoxid während annähernd 70 Sekunden geätzt. Es wurde eine 0,075 mm (3 mil) Linie und ein Raummuster mit 0,025 bis 0,0125 mm (1 bis 1/2 mil) Dicke eingekerbt und dabei rauhe Seitenwände mit gewissem Unterschneiden des metal lischen Ätzschutzüberzuges erhalten.

Ausführungsbeispiel 2

Ein ähnliches Muster wurde in 3 Liter einer Lösung aus 190 ml Schwefelsäure, 70 ml 85%iger Phosphorsäure, 4,5 g 5-Sulfosalicylsäure, 350 g Kupfersulfat-Pentahydrat, 300 ml 50%igem Wasserstoffperoxid, 100 ml 2%igem Reten 520 (ein nicht ionisches Herkules-Polyacrylamid), 3 ml Varion H.C. (ein Sherex oberflächenaktives Mittel) und entmineralisiertem Wasser während annähernd 4 bis 4 1/2 Minuten geätzt. Dies ergab eine 0,1 mm (4 mil) Linie und eine Raumstruktur mit 0,025 bis 0,0125 mm (1 bis 1/2 mil) Höhe mit geraden Seitenwänden und mit keinem wahrnehmbaren Unterschneiden oder Verlust der Kupferlinien.

Ausführungsbeispiel 3

Zu der Ätzlösung von Ausführungsbeispiel 2 wurden 500 ml an 70%iger Methansulfonsäure hinzugefügt. Ein 75 g (1/4 ounce) Basis-Kupfer-Beispielmuster, das mit einem Zinn-Ätzschutzüber zug plattiert war, wurde in dieser Lösung während annähernd 3 bis 3 3/4 Minuten geätzt. Es wurde eine 0,1 mm (4 mil) Linie und eine Raumstruktur mit 0,05 mm (2 mil) Dicke mit geraden Seitenwänden und keinem wahrnehmbaren Linienverlust erzeugt.

Diese Beispiele zeigen, daß der Zusatz eines Polyacrylamids die Ergebnisse, die mit einer Wasserstoffperoxid/Schwefel säurelösung beim Ätzen von Kupfer erhalten werden, wesentlich verbessert sind. Bei dem in Ausführungsbeispiel 2 und 3 geätzten Muster kann die Ätzzeit etwas durch die Hinzufügung von 100 ml einer 30%igen Lösung von 6-Aminocaprylsäure zur Ätzlösung verkürzt werden.

Aus dem Vorhergehenden ergibt sich, daß ein neues und verbesser tes Kupferätzverfahren und Kupferätzerzeugnis geschaffen worden ist. Obwohl nur gewisse vorliegende bevorzugte Ausführungsbei spiele detailliert beschrieben worden sind, die sich gegenüber den aus dem Stand der Technik vertrauten ergeben, können gewisse Änderungen und Modifikationen durchgeführt werden, ohne die Erfindung, wie sie durch die folgenden Ansprüche umgrenzt ist, zu verlassen.

Claims

1. Verfahren unter Verwendung einer flüssigen Ätze zum Herstellen einer Leiterplatte mit den Schritten:
Auswählen einer Kupferfolie, die eine Deckflächenkri stallstruktur aufweist, die von einer flüssigen Ätze anisotrop und mit einem Senkrecht/Seitlich-Ätzverhältnis größer als 1:1 geätzt wird,
Binden der Kupferfolie an ein Substrat, und
Aussetzen eines Teiles der Kupferfolie gegenüber der flüssigen Ätze, um diesen Teil der Folie vom Substrat zu entfernen.

2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die flüssige Ätze eine wässrige Lösung von Salpetersäure, Kupfernitrat oder Schwefelsäure, sowie ein Polymer und ein ober flächenaktives Mittel enthält, und wobei die Kupferfolie so ausgewählt ist, daß sie eine Deckflächenkristallstruk tur mit vorwiegend (111)-Orientierung aufweist.

3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die flüssige Ätze eine wässrige Lösung von Wasserstoffperoxid, Schwefelsäu re, einem Polymer und einem oberflächenaktiven Mittel enthält, und wobei die Kupferfolie so ausgewählt ist, daß sie eine Deckflächenkristallstruktur mit vorwiegend (311)- und (511)-Orientierungen und/oder (111)-Orien tierung aufweist.

4. Leiterplatte, hergestellt durch die Schritte:
Auswählen einer Kupferfolie mit einer Deckflächenkri stallstruktur, die durch eine flüssige Ätze anisotrop und mit einem Senkrecht/Seitlich-Ätzverhältnis größer als 1:1 geätzt ist, Binden der Kupferfolie an ein Substrat, und Aussetzen eines Teiles der Kupferfolie gegenüber der flüssigen Ätze, um diesen Teil der Folie vom Substrat zu entfernen.

5. Leiterplatte nach Anspruch 4, wobei die flüssige Ätze eine wässrige Lösung von Salpetersäure, Kupfernitrat oder Schwefelsäure, ein Polymer und ein oberflächen aktives Mittel enthält, und wobei die Kupferfolie so ausgewählt ist, daß sie eine Deckflächenkristallstruktur mit vorwiegend (111)-Orientierung aufweist.

6. Leiterplatte nach Anspruch 4, wobei die flüssige Ätze eine wässrige Lösung von Wasserstoffperoxid, Schwefel säure, ein Polymer und ein oberflächenaktiven Mittel enthält, und wobei die Kupferfolie so ausgewählt ist, daß sie eine Deckflächenkristallstruktur mit vorwiegend (311)- und (511)-Orientierungen und/oder (111)-Orien tierung aufweist.

7. Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte mit den Schritten:
Binden einer Kupferfolie, die eine Deckflächenkri stallstruktur mit vorwiegend (111)-Orientierung aufweist, an ein Substrat, und Aussetzen eines Teiles der Kupfer folie gegenüber einer wässrigen Lösung von Salpetersäure, einem Polymer und einem oberflächenaktiven Mittel, um diesen Teil der Folie vom Substrat zu entfernen.

8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei die Kupferfolie genügend (111)-Kristall-Orientierung aufweist, so daß mehr als 50% der durch die Bragg′sche Röntgenanalyse der Folie hervorgebrachten Linienintensität auf der (111)-Orien tierung beruht.

9. Verfahren nach Anspruch 7, wobei die wässrige Lösung Salpetersäure, das Polymer, Kupfernitrat oder Schwefel säure und das oberflächenaktive Mittel enthält.

10. Verfahren nach Anspruch 7, wobei die Kupferfolie ein Gewicht in der Größenordnung von 37,5 bis 600 g pro Quadratmeter des Oberflächenbereiches aufweist.

11. Leiterplatte mit einem Substrat und mit einer Kupferfolie auf einer Seite des Substrats, die eine Deckflächen kristallstruktur mit vorwiegend (111)-Orientierung aufweist, wobei Teile der Folie von der Platte durch Ätzen mit einer wässrigen Lösung von Salpetersäure, einem Polymer und einem oberflächenaktiven Mittel entfernt wurde.

12. Leiterplatte nach Anspruch 11, wobei der Gehalt an (111)-Orientierung der Kupferfolie derart ist, daß mehr als 50% der durch Bragg′sche Röntgenanalyse der Folie hervorgerufene Linienintensität auf der (111)- Orientierung beruht.

13. Leiterplatte nach Anspruch 11, wobei die wässrige Lösung Salpetersäure, das Polymer, Kupfernitrat oder Schwefel säure und das oberflächenaktive Mittel enthält.

14. Leiterplatte nach Anspruch 11, wobei die Kupferfolie ein Gewicht in der Größenordnung von 37,5 g bis 600 g pro Quadratmeter des Oberflächenbereiches aufweist.

15. Leiterplatte, hergestellt durch die Schritte:
Binden einer Kupferfolie, die eine Deckflächenkri stallstruktur mit vorwiegend (111)-Orientierung aufweist, an ein Substrat, und Entfernen eines Teiles der Kupfer folie vom Substrat durch Ätzen mit einer wässrigen Lösung von Salpetersäure, Kupfernitrat oder Schwefel säure, einem Polymer und einem oberflächenaktiven Mittel.

16. Leiterplatte nach Anspruch 15, wobei der Gehalt an (111)-Kristallorientierung der Kupferfolie derart ist, daß zumindest 50% der durch Röntgenanalyse der Folie hervorgerufenen Linienintensität auf der (111)-Orien tierung beruht.

17. Leiterplatte nach Anspruch 15, wobei die wässrige Lösung Salpetersäure, das Polymer, Kupfernitrat oder Schwefel säure, und das oberflächenaktive Mittel enthält.

18. Leiterplatte nach Anspruch 15, wobei die Kupferfolie ein Gewicht in der Größenordnung von 37,5 bis 600 g pro Quadratmeter des Oberflächenbereichs aufweist.

19. Verfahren zum Ätzen von Kupfer, das eine Deckflächen kristallstruktur mit vorwiegend (111)-Orientierung aufweist, mit einer wässrigen Lösung von Salpetersäure, Kupfernitrat oder Schwefelsäure, einem Polymer und einem oberflächenaktiven Mittel.

20. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Gehalt an (111)- Kristallorientierung des Kupfers derart ist, daß zumin dest 50% der durch Röntgenanalyse des Kupfers hervor gerufenen Linienintensität auf der (111)-Orientierung beruht.

21. Verfahren nach Anspruch 20, wobei die wässrige Lösung Salpetersäure, das Polymer, Kupfernitrat oder Schwefel säure und das oberflächenaktive Mittel enthält.

22. Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte mit den Schritten:
Binden einer Kupferfolie, die eine Deckflächenkri stallstruktur mit vorwiegend (311)- und (511)-Orien tierungen und/oder (111)-Orientierung aufweist, an ein Substrat, und Aussetzen eines Teils der Kupferfolie gegenüber einer flüssigen Ätze, die Wasserstoffperoxid, Schwefelsäure, ein Polymer und ein oberflächenaktives Mittel aufweist, um diesen Teil der Folie vom Substrat zu entfernen.

23. Leiterplatte, mit einem Substrat und mit einer Kupfer folie auf einer Seite des Substrats, die eine Deck flächenkristallstruktur mit vorwiegend (311)- und (511)- Orientierungen und/oder (111)-Orientierung aufweist, wobei Teile der Kupferfolie durch Ätzen mit einer wässrigen Lösung, die Wasserstoffperoxid, Schwefelsäure, ein Polymer und ein oberflächenaktives Mittel enthält, von der Platte entfernt sind.

24. Leiterplatte, hergestellt durch die Schritte:
Binden einer Kupferfolie, die eine Deckflächenkri stallstruktur mit vorwiegend (311)- und (511)-Orien tierungen und/oder (111)-Orientierung aufweist, an ein Substrat, und Aussetzen eines Teils der Kupferfolie gegenüber einer flüssigen Ätze, die Wasserstoffperoxid, Schwefelsäure, ein Polymer und ein oberflächenaktives Mittel enthält, um diesen Teil der Folie vom Substrat zu entfernen.