DE60022480T2

DE60022480T2 - Kupferplattierungsverfahren

Info

Publication number: DE60022480T2
Application number: DE60022480T
Authority: DE
Inventors: Takayuki Sone; Hiroshi Kohza-gun Wachi
Original assignee: Electroplating Engineers of Japan Ltd
Current assignee: EEJA Ltd
Priority date: 1999-01-28
Filing date: 2000-05-02
Publication date: 2006-03-16
Anticipated expiration: 2020-05-03
Also published as: EP1152071B1; JP2000219994A; TW527446B; EP1152071A1; DE60022480D1; JP3124523B2

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Bereich der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Plattieren von VIA-Löchern oder Nuten einer Vielschicht-Verdrahtungsleiterplatte oder einer Halbleiterscheibe mit Kupfermikroverdrahtung mit durch Elektroplattierung abgeschiedenem Kupfer.
Stand der Technik
Herkömmlicherweise wurden VIA-Löcher oder Nuten einer Vielschicht-Verdrahtungsleiterplatte oder einer Halbleiterscheibe mit Kupfermikroverdrahtung durch Elektroplattieren mit Kupfer vergraben. Ein Zweck eines solchen Elektroplattierens ist es, eine Anschlußfläche zu bilden, welche die Bestückungsdichte einer Verdrahtungsleiterplatte verbessert. Ein anderer Zweck ist es, die Zuverlässigkeit des elektrischen Kontakts bei der auf der Halbleiterscheibe bereitgestellten Mikroverdrahtung sicherzustellen.
Typischerweise wird eine solche Elektroplattierung mit Kupfer in der folgenden Art und Weise ausgeführt. Zuerst wird ein nicht leitfähiger Abschnitt eines zu plattierenden Objektes (hiernach als Plattierungsobjekt bezeichnet), wie eine Verdrahtungsleiterplatte oder eine Halbleiterscheibe, durch elektrolose Kupferplattierung oder Sputtern mit einem dünnen Kupferfilm beschichtet, so daß dadurch der nicht leitfähige Abschnitt in einen leitfähigen Abschnitt umgewandelt wird, welcher weiter mit Kupfer elektroplattiert werden kann. Zweitens wird das auf diese Weise hergestellte Objekt in einem Cu-Elektroplattierungsbad plaziert und als Kathode polarisiert, so daß dadurch die Elektroabscheidung von Kupfer vervollständigt wird.
Eine Vielzahl von Plattierungslösungen wie eine Kupfersulfatlösung und eine Kupferpyrophosphatlösung wurden als die zuvor genannte Plattierungslösung angewendet. Solche Plattierungslösungen werden im allgemeinen in Kombination mit Additiven wie einer Vielzahl von Polymeren, Glanzmitteln und Nivelliermitteln verwendet, so daß eine Kupferplattierungsschicht mit einheitlichen physikalischen Eigenschaften und exzellentem äußeren Erscheinungsbild erhalten wird. In anderen Worten werden die Additive in die Plattierungslösungen eingebaut, um die Abscheidung der Kristallteilchen zu regulieren und eine konstante Abscheidungsrate zu erreichen.
Wenn jedoch eine herkömmliche Additive enthaltende Kupferelektroplattierungslösung angewendet wird, wird ein Glanzmittel als eines der Additive zersetzt, so daß es an der Anode verbraucht wird, wenn die Elektrolyse fortschreitet. Dieses Phänomen ist besonders beträchtlich, wenn eine unlösliche Anode angewendet wird. Folglich hat eine solche Plattierungslösung eine unzufriedenstellende Lebensdauer, und die Zusammensetzung der Plattierungslösung verändert sich jederzeit, so daß dadurch die Bedingungen zum Abscheiden einer Plattierungsschicht beeinträchtigt werden. Daher ist eine solche Plattierungslösung im Hinblick auf das Erreichen einer einheitlichen Abscheidung unvorteilhaft.
Die zuvor genannten unvorteilhaften Abscheidungsbedingungen führen zu einer verringerten Ausbeute bei einem Elektroplattierungsvorgang. Wenn zum Beispiel eine einheitliche Stromverteilung in einem Bodenabschnitt von VIA-Löchern oder Nuten nicht erreicht wird, führt eine Ungleichmäßigkeit des Stromflusses, welcher auf die Form der VIA-Löcher oder Nuten zurückzuführen ist, zu einer bevorzugten Abscheidung von Kupfer auf einem Oberflächenabschnitt, so daß eine ungleichmäßige Abscheidung erreicht wird. In diesem Fall können in dem Kupfer Kavitäten gebildet werden, welche VIA-Löcher oder Nuten begraben, und ein Abschnitt, an dem die Abscheidung von Kupfer ist unzufriedenstellend, so daß dadurch die Zuverlässigkeit des elektrischen Kontakts in einem Schaltkreis beträchtlich verringert wird.
Zusätzlich erfordert die zuvor genannte Änderung der Zusammensetzung einer Kupferplattierungslösung kontinuierliche Überwachung der Zusammensetzung, so daß die Plattierung zuverlässiger und feiner durchgeführt wird. In anderen Worten muß die Zusammensetzung der Lösung häufig überprüft werden. Die Überprüfung durch einen Techniker ist beschwerlich, wohingegen automatisches Überprüfen Anlagekosten notwendig macht, so daß dadurch die Produktkosten ansteigen. Darüber hinaus gab es in den vergangenen Jahren einen Bedarf für feineres Plattieren, um mit den angewandten Techniken zur Herstellung feinerer Verdrahtungsleiterplatten und Halbleiterscheiben mitzuhalten.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Mit Blick auf das Vorangegangene haben die vorliegenden Erfinder ernsthafte Studien durchgeführt und die vorliegende Erfindung abgeschlossen, welche auf ein Verfahren zum Vergraben von VIA-Löchern und Nuten durch Elektroplattierung mit Kupfer gerichtet ist. Das Verfahren verlängert die Lebensdauer einer Plattierungslösung und unterdrückt Veränderungen der Zusammensetzung der Plattierungslösung.
Die vorliegenden Erfinder haben berücksichtigt, daß ein Plattierungsobjekt per se verschiedenen Behandlungen anstatt des Einbringens eines Additivs in eine Kupferplattierungslösung unterzogen werden kann, wenn ein Glanzmittel – eines der Additive, das in eine Kupferplattierungslösung eingebracht wurde – immer durch Oxidation an einer Anode zersetzt wird. Eine effektive Alternative, welche an einer Anodengrenzfläche nicht zersetzt wird, kann nicht gefunden werden.
Auf der Grundlage des zuvor genannten Konzepts wird ein Additiv, welches herkömmlicherweise in eine Kupferelektroplattierungslösung eingebracht wurde, im Vorhinein auf einem zu plattierenden Objekt, wie einer Verdrahtungsleiterplatte oder einer Halbleiterscheibe, adsorbiert und dann das Objekt mit Kupfer elektroplattiert. Die vorliegenden Erfinder haben die Elektroplattierung in einer solchen Art und Weise durchgeführt und entdeckt, daß Kupfer, im Vergleich mit einem herkömmlichen Elektroplattierungsverfahren, zuverlässig in einem vorteilhaften Zustand elektroabgeschieden und die Lebensdauer einer Plattierungslösung verlängert wird.
Demzufolge stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Füllen von vertieften Abschnitten eines Substrats mit durch Elektroplattierung abgeschiedenem Kupfer zur Verfügung, wobei das Substrat aus einer Vielschicht-Verdrahtungsleiterplatte oder aus einer Halbleiterscheibe mit Kupfermikroverdrahtung besteht. Das Verfahren umfaßt
auf dem Substrat Adsorbieren einer wässrigen Lösung, welche eine Glanzmittelkomponente enthält, die eine oder mehrere Spezies umfaßt, die aus der Gruppe ausgewählt wurden, die aus Bis (3-sulfopropyl)disulfid und einem Dinatriumsalz davon; Bis (2-sulfopropyl)disulfid und einem Dinatriumsalz davon; Bis(3-sulfo-2-hydroxypropyl)disulfid und dem Dinatriumsalz davon; Bis(4-sulfopropyl)disulfid und dem Dinatriumsalz davon; Bis(p-sulfophenyl)disulfid und dem Dinatriumsalz davon; 3-(Benzothiazolyl-2-thio)propylsulfonsäure und dem Natriumsalz davon; einem N,N-Dimethyldithiocarbamidsäure-(3-sulfopropyl)-ester und dem Natriumsalz davon; einem o-Ethyl-diethylcarbonat-S(3-sulfopropyl)-ester und dem Kaliumsalz davon; und Thioharnstoff und Derivaten davon besteht. Das Glanzmittel ist in der Lösung in einer Gesamtmenge von 0,001–10 g/l enthalten; und
Elektroplattieren des behandelten Substrats in einer Kupferplattierungslösung, welche keine Glanzmittelkomponente enthält.
Bevorzugt enthält die Glanzmittellösung ferner:
eine Nivellierkomponente, welche eine oder mehrere Spezies umfaßt, die aus der Gruppe ausgewählt wurden, welche aus Acetamid, Propylamid, Benzamid, Acrylamid, Methacrylamid, N,N-Dimethylacrylamid, N,N-Diethylmethacrylamid, N,N-Diethylacrylamid, N,N-Dimethylmethacrylamid, N-(Hydroxymethyl)acrylamid, Polyacrylamid, einem Polyacrylamidhydrolysat, THIOFLAVIN und SAFRANIN in einer Konzentration in dem Bereich von 0,001–10 g/l besteht; und
eine Polymerkomponente, welche eine oder mehrere Spezies umfaßt, die aus der Gruppe ausgewählt wurden, welche aus Polyvinylalkohol, Carboxymethylzellulose, Polyethylenglycol, Polypropylenglycol, Stearinsäure-Polyethylenglycolester, Stearylalkohol-Polyethylenglycolether, einem Nonylphenol-Polyethylenglycolether, Octylphenol-Polyethylenglycolether, Poly(ethylen-propylen)glycol, und β-Naphthol-Polyethylenglycolether in einer Konzentration in einem Bereich von 0,001–10 g/l besteht.
Bevorzugt wird die Elektroplattierung bei einer Temperatur der Kupferplattierungslösung von 10–60°C und einer Stromdichte von 0,1 bis 10 A/dm² ausgeführt.
Verschiedene andere Ziele, Merkmale und viele der begleitenden Vorteile der vorliegenden Erfindung werden leicht durch das Lesen der folgenden detaillierten Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen erkannt.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Das Verfahren zum Füllen von vertieften Abschnitten wie Durchgangslöchern, Eindrücken oder Nuten einer Vielschicht-Verdrahtungsleiterplatte oder einer Halbleiterscheibe mit Kupfermikroverdrahtung mit durch Elektroplattierung abgeschiedenem Kupfer gemäß der vorliegenden Erfindung umfaßt das Adsorbieren der wäßrigen Lösung, welche ein Additiv, insbesondere eine Glanzmittelkomponente, enthält, auf dem zu plattierenden Objekt und Ausführung von Elektroplattierung in einer Kupferplattierungslösung, welche keine Glanzmittelkomponente enthält. Für den Typ der Kupferelektroplattierungslösung wird keine besondere Begrenzung erhoben. Lösungen, welche herkömmlich angewendet wurden, können verwendet werden.
Zu einer Glanzmittelkomponente können eine Nivellierkomponente und eine Polymerkomponente zugegeben werden, so daß das Leistungsverhalten der Glanzmittelkomponente verbessert wird.
Wenn die Konzentration der Glanzmittelkomponente 0,001 g/l oder weniger ist, wird eine einheitliche Adsorption des Glanzmittels nicht erreicht, wohingegen, wenn die Konzentration 10 g/l oder mehr ist, eine beträchtliche Wirkung entsprechend der Zugabe nicht erreicht wird.
Die zuvor genannte Polymerkomponente wird in eine wäßrige Lösung bevorzugt in einer Gesamtkonzentration von 0,001 bis 10 g/l einbezogen, welche es ermöglicht, Kupfer im gleichmäßigsten Zustand abzuscheiden.
Wenn eine Nivellierkomponente zu der Glanzmittelkomponente zugegeben ist, welche auf dem zu plattierenden Objekt adsorbiert wird, wird das Nivelliermittel bevorzugt in einer Gesamtkonzentration von 0,001 bis 10 g/l in eine wäßrige eine Glanzmittelkomponente enthaltende Lösung einbezogen, wobei die Konzentration die Abscheidung von Kupfer im einheitlichsten Zustand gestattet.
Für das Verfahren zum Adsorbieren eines Glanzmittels wird keine besondere Begrenzung erhoben. Jedes für eine Produktionslinie geeignetes Verfahren, wie Tauchen, Duschen oder Sprühen kann angewendet werden. Die Konzentration eines Glanzmittels in einer wäßrigen Lösung ist nicht besonders begrenzt. Die Konzentration wird so kontrolliert, daß ein unimolekularer Film eines vorgegebenen Glanzmittels auf einem Plattierungsobjekt gebildet wird, wie unter Berücksichtigung der Handhabungsgeschwindigkeit einer Produktionslinie, Kosten etc. bestimmt werden kann. Die Behandlung zum Adsorbieren eines Glanzmittels auf einem zu plattierenden Objekt im Vorhinein wird hiernach als „Glanzmitteladsorption" bezeichnet.
Um exzellente Eigenschaften und äußeres Erscheinungsbild der Kupferplattierung zu erreichen, wird die Kupferplattierung bevorzugt bei einer Temperatur der Kupferplattierungslösung von 10–60°C und einer Stromdichte von 0,1–10 A/dm² durchgeführt.
BEISPIELE
Die beste Art zum Ausführen der vorliegenden Erfindung wird als nächstes auf dem Wege von Beispielen beschrieben.
Eine Halbleiterscheibe mit Kupfermikroverdrahtung wurde mit Kupfer elektroplattiert, um dadurch das Leistungsverhalten des Füllens von in dem Verdrahtungsabschnitt enthaltenen Nuten zu untersuchen, was hiernach als „Vergraben" bezeichnet wird. Die Nuten enthielten zylindrische vertiefte Abschnitte mit einem Durchmesser von 0,20 μm und eine Tiefe von 1,0 μm. Ein Querschnitt des vertieften Abschnitts wurde makroskopisch bei einer Vergrößerung von ^x2–^x10 durch eine Vergrößerungslinse beobachtet, um dadurch das Leistungsverhalten der Bedeckung zu überprüfen. Die Adhäsion der Kupferplattierung wurde durch Beobachten einer Plattierungsgrenzfläche unter einem optischen metallurgischen Mikroskop mit einer geeigneten Vergrößerung und durch Beobachten derselben unter einem Rasterelektronenmikroskop bei einer Vergrößerung von ^x10.000–^x50.000 ausgewertet.
Die Ergebnisse werden in Tabelle 1 gezeigt. Die Proben Nr. 4 und 5 in Tabelle 1 wurden der Glanzmitteladsorption nicht unterzogen, wohingegen die Proben Nummern 1 bis 3 der Glanzmitteladsorption vor der Elektrolyse unterzogen wurden. Die Glanzmitteladsorption wurde durch Eintauchen einer Halbleiterscheibe, welche mit reinem Wasser gewaschen wurde, in eine 0,005 g/l Lösung von Bis (2-sulfopropyl)disulfid für 10 Sekunden ausgeführt.
Nachfolgend wurde die Elektroplattierung in einer Kupfersulfat enthaltenden Plattierungslösung ausgeführt. Die Zusammensetzung der Plattierungslösung und die Plattierungsbedingungen waren wie folgt. A. Zusammensetzung der Plattierungslösung

Zusammensetzung der Kupfersulfatplattierungslösung Kupfer 28 g/l Sulfat 20 g/l Chlorid 50 mg/l

Microfab Cu 2100 in Tabelle 1 gezeigte Mengen

B. Plattierungsbedingungen

Lösungstemperatur 20°C

Stromdichte 1,0 A/dm²

Elektrolysedauer 4,5 Minuten

Anode Cu-P (löslich) oder Pt/Ti (unlöslich)

Tabelle 1

¹⁾ 2 g/l von Polyethylenglycol (Polymerkomponente)
²⁾ 2 g/l von Polyethylenglycol (Polymerkomponente) und 0,05 g/l von Acrylamid (Nivellierkomponente)
³⁾ Microfab Cu 2100 und eine Polymerkomponente, eine Nivellierkomponente und eine Glanzmittelkomponente

Die Probe Nr. 4 in Tabelle 1 bezieht sich auf ein Cu-plattiertes Feinprodukt, welches durch ein herkömmliches Elektroplattierungsverfahren erhalten wurde, und dient als Referenzprobe für die Proben Nummern 1 bis 3, welche in den Bereich der vorliegenden Erfindung fallen. Probe Nr. 5 wurde der Glanzmitteladsorption nicht unterzogen, sondern der Elektroplattierung in einer Plattierungslösung ohne herkömmliche Additive. Probe Nr. 5 wird als Probe angesehen, welche zum Vergraben von Verdrahtungen unzureichend elektroplattiert ist. Die Proben Nr. 1 bis 5 in Tabelle 1 wurden unter Verwendung einer löslichen Anode, das heißt P-enthaltendes Cu, elektroplattiert, wohingegen die Proben Nummern 1' und 4' in Tabelle 2 unter Verwendung einer unlöslichen Anode, das heißt Pt/Ti, elektroplattiert wurden.
Die Ergebnisse zeigen, daß die Proben Nr. 1 bis 3, welche in den Bereich der vorliegenden Erfindung fallen, mit Kupfer elektroplattiert wurden, so daß ein exzellentes Leistungsverhalten des Vergrabens und Plattierungsadhäsion erreicht wurden. Diese Proben sind in ihrer Qualität der Probe Nr. 4 vergleichbar. Die Ergebnisse zeigen, daß die Glanzmitteladsorption, welche vor dem Plattieren ausgeführt wurde, eine vorteilhafte Elektroplattierung zum Vergraben von Verdrahtung erreicht, ungeachtet der in einer Elektroplattierungslösung eingebrachten Additive. Wie zuvor gezeigt, war das äußere Erscheinungsbild der Kupferplattierung von Probe Nr. 5 schlecht und das Leistungsverhalten des Vergrabens unzureichend.
Um die Lebensdauer jeder Kupferplattierungslösung einzuschätzen, wurden die zum Herstellen der Proben Nr. 1 bis 3 verwendeten Plattierungslösungen mit denen zum Herstellen der Probe 4 verwendeten in Bezug auf die Leistungsfähigkeit der Plattierung verglichen. Wenn eine Kupferplattierungslösung ein Additiv enthielt, wurde kein Nachfüllen ausgeführt und eine Prüfung wurde in derselben Art und Weise der kontinuierlichen Elektrolyse durchlaufen. Die Ergebnisse werden in Tabelle 2 gezeigt. Die Bedingungen einschließlich der Elektrolysebedingungen zum Herstellen der Proben Nummern 1 und 4 und jene zum Herstellen der Proben Nummern 1' und 4' waren identisch, mit der Ausnahme, daß unterschiedliche Anodenmaterialien angewendet wurden.
Tabelle 2
Wie aus Tabelle 2 deutlich wird, wurden das äußere Erscheinungsbild und das Leistungsverhalten der Bedeckung der Plattierung mit Ablaufen der Zeit des Stromflusses beeinträchtigt, wenn eine Plattierungslösung zur Herstellung von Probe Nr. 4 ohne Nachfüllen angewendet wurde. Im Gegensatz dazu zeigten die Plattierungslösungen zum Herstellen der Proben Nr. 1 bis 3 gemäß der vorliegenden Erfindung keine Beeinträchtigung mit Ablauf der Zeit des Stromflusses, so daß dadurch das Leistungsverhalten der Plattierung aufrechterhalten wurde. Daher wird in der vorliegenden Erfindung das Leistungsverhalten der Lebensdauer einer Kupferelektroplattierungslösung für einen langen Zeitraum aufrechterhalten und eine Plattierungslösung mit bemerkenswert hoher Stabilität erhalten.
Darüber hinaus wurden die Proben Nummern 1' und 4', welche unter Verwendung einer unlöslichen Pt/Ti Anode hergestellt wurden, miteinander verglichen. Die Plattierungslösung zur Herstellung von Probe Nr. 1' zeigte ein konstantes Leistungsverhalten der Plattierung, wohingegen die Plattierungslösung zum Herstellen der Probe Nr. 4' bemerkenswert beeinträchtigt wurde. Daher realisiert die vorliegende Erfindung die Verwendung einer unlöslichen Anode. Die vorliegende Erfindung eliminiert ebenso die Zersetzung eines Additivs für eine Plattierungslösung an einer Anode und einen beschwerlichen Schritt zum Aufrechterhalten einer Anode, wenn eine lösliche Anode angewendet wird.
Wie hiervor beschrieben, verlängert die vorliegende Erfindung die Lebensdauer einer Kupferelektroplattierungslösung, verringert die Betriebskosten für die Elektroplattierung und unterbindet die beschwerliche Kontrolle einer Plattierungslösung. Daher kann die Erfindung die Gesamtproduktionskosten eines kupferplattierten Produkts verringern und die Verwendung einer unlöslichen Anode erleichtern. Im Vergleich mit einem herkömmlichen Verfahren zur Elektroplattierung mit Kupfer kann die abgeschiedene Kupferschicht, welche gemäß der vorliegenden Erfindung erhalten wurde, eine einheitliche Abscheidung erreichen und auf feinere elektrische Schaltkreise angewendet werden. Daher wird das Auftreten von fehlerhaften Produkten wirkungsvoll verringert.

Claims

Verfahren zum Füllen von vertieften Abschnitten eines Substrats mit durch Elektroplattierung abgeschiedenem Kupfer, das Substrat besteht aus einer Vielschicht-Verdrahtungsleiterplatte oder aus einer Halbleiterscheibe mit Kupfermikroverdrahtung, wobei das Verfahren umfaßt auf dem Substrat Adsorbieren einer wässrigen Lösung, welche eine Glanzmittelkomponente enthält, die eine oder mehrere Spezies umfaßt, die aus der Gruppe ausgewählt wurden, die aus Bis (3-sulfopropyl)disulfid und einem Dinatriumsalz davon; Bis (2-sulfopropyl)disulfid und einem Dinatriumsalz davon; Bis(3-sulfo-2-hydroxypropyl)disulfid und dem Dinatriumsalz davon; Bis (4-sulfopropyl)disulfid und dem Dinatriumsalz davon; Bis(p-sulfophenyl)disulfid und dem Dinatriumsalz davon; 3-(Benzothiazolyl-2-thio)propylsulfonsäure und dem Natriumsalz davon; einem N,N-Dimethyldithiocarbamidsäure-(3-sulfopropyl)-ester und dem Natriumsalz davon; einem o-Ethyl-diethylcarbonat-S(3-sulfopropyl)-ester und dem Kaliumsalz davon; und Thioharnstoff und Derivaten davon besteht; das Glanzmittel ist in der Lösung in einer Gesamtmenge von 0,001–10 g/l enthalten; und Elektroplattieren des behandelten Substrats in einer Kupferplattierungslösung, welche keine Glanzmittelkomponente enthält.
Verfahren nach Anspruch 1, in welchem die wässrige Lösung ferner umfaßt: (A): eine Nivellierkomponente, welche eine oder mehrere Spezies umfaßt, die aus der Gruppe ausgewählt wurden, welche aus Acetamid, Propylamid, Benzamid, Acrylamid, Methacrylamid, N,N-Dimethylacrylamid, N,N-Diethylmethacrylamid, N,N-Diethylacrylamid, N,N-Dimethylmethacrylamid, N-(Hydroxymethyl)acrylamid, Polyacrylamid, einem Polyacrylamidhydrolysat, THIOFLAVIN und SAFRANIN in einer Konzentration in dem Bereich von 0,001–10 g/l besteht; und (B): eine Polymerkomponente, welche eine oder mehrere Spezies umfaßt, die aus der Gruppe ausgewählt wurden, welche aus Polyvinylalkohol, Carboxymethylzellulose, Polyethylenglycol, Polypropylenglycol, Stearinsäurepolyethylenglycolester, Stearylalkoholpolyethylenglycolether, einem Nonylphenolpolyethylenglycolether, Octylphenolpolyethylenglycolether, Poly(ethylenpropylen)glycol und β-Naphtholpolyethylenglycolether in einer Konzentration in dem Bereich von 0,001–10 g/l besteht.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Elektroplattierung bei einer Temperatur der Kupferplattierungslösung von 10–60°C und einer Stromdichte von 0,1–10 A/dm² ausgeführt wird.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, in welchem die Elektroplattierung eine unlösliche Anode verwendet.
Verfahren nach Anspruch 4, in welchem die Anode aus Pt/Ti gebildet ist.