DE112016003230T5

DE112016003230T5 - Metallmaskensubstrat, metallmaskensubstratkontrollverfahren, metallmaske und metallmaskenherstellungsverfahren

Info

Publication number: DE112016003230T5
Application number: DE112016003230.7T
Authority: DE
Inventors: Sumika TAMURA; Naoko Mikami; Daisei FUJITO; Kiyoaki NISHITSUJI; Takehiro Nishi
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2015-07-17
Filing date: 2016-03-22
Publication date: 2018-04-19
Also published as: KR20180020973A; JP7207389B2; TWI626505B; CN107406964A; JP6090619B2; WO2017013904A1; US20180066352A1; CN109440062A; JP6848433B2; KR20170105120A; JP2021042478A; KR101810824B1; KR102341450B1; JPWO2017013904A1; TW201830126A; JP2017043848A; CN107406964B; CN109440062B; US10273569B2; TW201708936A

Abstract

Ein Metallmaskensubstrat beinhaltet eine Metalloberfläche, auf welcher ein Resist anzuordnen ist. Eine gerichtete Reflexion von einfallendem Licht zu der Oberfläche ist 45,2% oder mehr.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Metallmaskensubstrat mit einer Metalloberfläche zur Resistanordnung, wie etwa ein Metallmaskensubstrat zur Verwendung beim Bilden einer Metallmaske für organische EL Vorrichtungen, ein Verfahren zum Kontrollieren eines Metallmaskensubstrats, eine Metallmaske und ein Verfahren zum Herstellen einer Metallmaske.
STAND DER TECHNIK
Beim Herstellen von Metallmasken für organische EL Vorrichtungen werden Metallmaskensubstrate in der Form einer Metallplatte verwendet. Eine Beschichtungsflüssigkeit, die Materialen zum Bilden einer Resistschicht enthält, wird auf die Oberfläche, die mit einem Metallmaskensubstrat zu beschichten ist, aufgebracht, um dadurch eine Resistschicht zu bilden. Die Resistschicht wird einer Belichtung und Entwicklung unterworfen, sodass eine Resistschicht mit einem spezifischen Muster gebildet wird. Das Metallmaskensubstrat wird durch die Resistschicht geätzt, um dadurch eine Metallmaske herzustellen.
Beim oben beschrieben Bilden der Resistschicht kann die Dicke einer Resistschicht oder die Dicke auf gleicher Ebene (in-plane) einer Resistschicht in einigen Fällen aufgrund der Variation in der Menge der Beschichtungsflüssigkeit, die auf die zu beschichtende Oberfläche aufzubringen ist, oder der Variation in dem Ausmaß des Trocknens der Beschichtungsflüssigkeit variieren. Um solche Variationen in einer Resistschicht zu unterdrücken, wurde die Verwendung eines Trockenfilmresists als eine Resistschicht vorgeschlagen (Bezug auf zum Beispiel Patentdokument 1).
Patentdokument
Patentdokument 1: japanisches veröffentlichtes Patent Veröffentlichungs-Nr. 2013-209710
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Durch die Erfindung zu lösende Probleme
Eine Resistschicht, die von einer Beschichtungsflüssigkeit gebildet wird, ist eine gehärtete Schicht der Beschichtungsflüssigkeit, die direkt zu der Oberfläche eines Metallmaskensubstrats aufgebracht wird, sodass eine Form, die die zu beschichtende Oberfläche nachzeichnet, leicht gebildet werden kann, und daher ist die Resistschicht, die von einer Beschichtungsflüssigkeit gebildet ist, einfach zu dem Metallmaskensubstrat ohne Schwierigkeiten anzuhaften. Andererseits ist eine Resistschicht, die von einem Trockenfilmresist als eine Schicht gebildet ist, eine von dem Metallmaskensubstrat unabhängige Schicht und haftet zu einer Metallmaskensubstratoberfläche an. Daher weist die Resistschicht, die von einem Trockenfilmresist gebildet ist, eine Form auf, die der zu beschichtenden Oberfläche schwieriger folgt, im Vergleich zu einer Resistschicht, die von einer Beschichtungsflüssigkeit gebildet ist, sodass ein Teil der Resistschicht in einigen Fällen von dem Metallmaskensubstrat losgelöst werden kann.
Die oben beschriebenen Umstände treffen nicht nur auf Metallmaskensubstrate zu, die von einer Metallplatte gebildet sind, sondern auch auf Metallmaskensubstrate mit einer Metall- oder Legierungsoberfläche in Kontakt mit einer Resistschicht, wie etwa ein Laminat einer Harzschicht und einer Metallschicht oder ein Laminat mit Metallschichten und einer dazwischen angeordneten Harzschicht. Selbst in dem Fall einer Harzschicht, die von einer Beschichtungsflüssigkeit, die Materialien zum Bilden einer Resistschicht enthält, gebildet wird, leidet die Resistschicht unter den gleichen Umständen, insofern sie eine geringe Anhaftung zu einem Metallmaskensubstrat aufweist.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Metallmaskensubstrat, ein Verfahren zum Kontrollieren von Metallmaskensubstraten, eine Metallmaske und ein Verfahren zum Herstellen von Metallmasken bereitzustellen, die eine Oberfläche aufweisen, die verbessertes Anhaften bei der Grenzfläche zwischen einem Resist und der Oberfläche bereitstellen.
Um das vorhergehende Ziel zu erreichen und gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Metallmaskensubstrat bereitgestellt, das eine Metalloberfläche beinhaltet, auf welcher ein Resist anzuordnen ist. Eine gerichtete Reflexion von einfallendem Licht zu der Oberfläche ist 45,2% oder mehr.
Um das vorhergehende Ziel zu erreichen und gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Kontrollieren von Metallmaskensubstraten bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet: Anfertigen eines Metallmaskensubstrats mit einer Metalloberfläche, auf welcher ein Resist anzuordnen ist; Bereitstellen von einfallendem Licht zu der Oberfläche; Messen einer Intensität eines gerichteten reflektierten Lichts von dem einfallenden Licht zu der Oberfläche; Berechnen, als eine gerichtete Reflexion, eines Verhältnisses der Intensität von gerichtetem reflektierten Licht zu der Intensität des einfallenden Lichts zu der Oberfläche; und Bestimmen, ob die gerichtete Reflexion 45,2% oder mehr ist oder nicht.
Durch intensive Untersuchungen des Oberflächenzustands von Metallmaskensubstraten haben die vorliegenden Erfinder herausgefunden, dass die gerichtete Reflexion des einfallenden Lichts zu der Oberfläche die folgende Korrelation mit jeweils der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa der Oberfläche und der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz der Oberfläche aufweist. Mit anderen Worten wurde herausgefunden, dass, wenn jede von der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa und der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz abnimmt, die gerichtete Reflexion zunimmt.
Es wurde dann herausgefunden, dass mit einer gerichteten Reflexion von 45,2% oder mehr die Oberflächenrauheit zu einem Ausmaß abnimmt, dass ein Resist aufgrund des verbesserten Anhaftens bei der Grenzfläche zwischen dem Resist und der Oberfläche nicht einfach von der Oberfläche abgelöst werden kann.
In diesem Kontext ist mit der oben beschriebenen Konfiguration die gerichtete Reflexion des einfallenden Lichts zu der Oberfläche 45,2% oder mehr, sodass das Anhaften bei der Grenzfläche zwischen der Oberfläche eines Metallmaskensubstrats und eines Resists erhöht werden kann.
In dem oben beschriebenen Metallmaskensubstrat weist das Metallmaskensubstrat eine Dickenrichtung auf, die orthogonal zu einer Walzrichtung des Metallmaskensubstrats ist, und eine gerichtete Reflexion in einer ersten Ebene orthogonal zu der Oberfläche und orthogonal zu der Walzrichtung ist eine erste Reflexion. Eine gerichtete Reflexion in einer zweiten Ebene orthogonal zu der Oberfläche und orthogonal zu der Breitenrichtung ist eine zweite Reflexion. Die zweite Reflexion ist größer als die erste Reflexion, die erste Reflexion ist 45,2% oder mehr.
Mit der oben beschriebenen Konfiguration ist die relativ geringe Reflexion der zwei Reflexionen, die bei der Oberfläche erhalten werden, 45,2% oder mehr. Daher kann das Anhaften bei der Grenzfläche zwischen der Oberfläche eines Metallmaskensubstrats und eines Resists weiter verbessert werden.
In dem oben beschriebenen Metallmaskensubstrat kann die Oberfläche einen Abschnitt beinhalten, in welchem eine Differenz, durch Abziehen der ersten Reflexion von der zweiten Reflexion die erhalten wird, 10,2% oder mehr ist.
Mit der oben beschriebenen Konfiguration beinhaltet die Oberfläche einen Abschnitt, wo die zweite Reflexion um 10,2% oder mehr größer als die erste Reflexion ist, was bevorzugt ist, um das Anhaften bei der Grenzfläche zwischen der Oberfläche eines Metallmaskensubstrats und eines Resists weiter zu verbessern.
In dem oben beschriebenen Metallmaskensubstrat kann die Oberfläche eine dreidimensionale Oberflächenrauheit Sa von 0,11 µm oder weniger und eine dreidimensionale Oberflächenrauheit Sz von 3,17 µm oder weniger aufweisen.
Mit der oben beschriebenen Konfiguration, mit einer gerichteten Reflexion bei der Oberfläche eines Metallmaskensubstrats von 45,2% oder mehr, ist die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sa 0,11 µm oder weniger und ist die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sz 3,17 µm oder weniger. Daher wird das Anhaften bei der Grenzfläche zwischen einem Resist und der Oberfläche zuverlässiger erhöht.
In dem oben beschriebenen Metallmaskensubstrat ist die Oberfläche eine erste Oberfläche und ist der Resist ein erster Resist. Das Metallmaskensubstrat beinhaltet ferner eine zweite Metalloberfläche, auf welcher ein Resist anzuordnen ist. Die zweite Oberfläche ist eine Oberfläche, die gegenüber der ersten Oberfläche ist. Eine gerichtete Reflexion von einfallendem Licht zu der zweiten Oberfläche kann 45,2% oder mehr sein.
Mit der oben beschriebenen Konfiguration wird das Anhaften zwischen der ersten Oberfläche und dem ersten Resist und das Anhaften zwischen der zweiten Oberfläche und dem zweiten Resist verbessert. Daher wird die Prozessierungsgenauigkeit beim Ätzen der ersten und zweiten Oberflächen verbessert.
In dem oben beschriebenen Metallmaskensubstrat kann die Oberfläche aus Invar hergestellt sein.
Mit der oben beschriebenen Konfiguration ist der lineare Ausdehnungskoeffizient eines Glassubstrats nahezu äquivalent zu dem linearen Ausdehnungskoeffizienten von Invar. Daher kann eine Metallmaske, die von dem Metallmaskensubstrat gebildet ist, zur Filmbildung auf einem Glassubstrat angewandt werden. Mit anderen Worten kann eine Metallmaske mit verbesserter Formgenauigkeit zur Filmbildung auf einem Glassubstrat angewandt werden.
In dem oben beschriebenen Metallmaskensubstrat ist der Resist ein Trockenfilmresist. Der Trockenfilmresist wird bevorzugt zu der Oberfläche angehaftet.
In dem oben beschriebenen Verfahren zum Kontrollieren von Metallmaskensubstraten ist der Resist ein Trockenfilmresist. Der Trockenfilmresist wird bevorzugt zu der Oberfläche angehaftet.
Mit der oben beschriebenen Konfiguration wird das Anhaften zwischen der Metalloberfläche, die zu einem Trockenfilmresist anzuhaften ist, und dem Trockenfilmresist erhöht.
Um das vorhergehende Ziel zu erreichen und gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Metallmaske bereitgestellt, die ein Metallmaskensubstrat mit einer Metalloberfläche beinhaltet. Das Metallmaskensubstrat weist eine Mehrzahl an Durchgangslöchern auf, die sich durch das Metallmaskensubstrat in einer Dickenrichtung des Metallmaskensubstrats erstrecken. Die Durchgangslöcher weisen jeweils eine Öffnung in der Oberfläche auf. Der Wert, der durch (B/A) × 100 (%) dargestellt wird, ist 10% oder weniger, wobei A eine mittlere Dimension der Öffnungen in einer Draufsicht zugewandt zu der Oberfläche darstellt und B einen Wert darstellt, der durch Multiplizieren einer Standardabweichung der Dimension mal drei erhalten ist.
Um das vorhergehende Ziel zu erreichen und gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen von Metallmasken bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet: Anfertigen eines Metallmaskensubstrats mit einer Metalloberfläche, auf welcher ein Resist anzuordnen ist, wobei die Oberfläche eine dreidimensionale Oberflächenrauheit Sa von 0,11 µm oder weniger und eine dreidimensionale Oberflächenrauheit Sz von 3,17 µm oder weniger aufweist; Anordnen eines Resists auf der Oberfläche; Bilden von Durchgangslöchern in den Resist, wobei die Durchgangslöcher dafür da sind, um eine Mehrzahl an Aushöhlungen in dem Metallmaskensubstrat zu bilden, wobei sich jede Aushöhlung in der Dickenrichtung des Metallmaskensubstrats erstreckt und eine Öffnung in der Oberfläche aufweist; und Bilden einer Mehrzahl von Aushöhlungen in dem Metallmaskensubstrat durch den Resist, sodass (B/A) × 100 (%) 10% oder weniger ist, wobei A eine mittlere Dimension der Öffnungen in einer Draufsicht zugewandt zu der Oberfläche darstellt und B einen Wert darstellt, der durch Multiplizieren einer Standardabweichung der Dimension mal drei erhalten ist.
Mit der oben beschriebenen Konfiguration ist (B/A) × 100 (%) 10% oder weniger. Daher ist die dimensionale Genauigkeit bei der Öffnung hoch.
EFFEKTE DER ERFINDUNG
Gemäß der vorliegenden Erfindung stellt ein Metallmaskensubstrat ein verbessertes Anhaften bei der Grenzfläche zwischen einem Resist und einer Oberfläche bereit. Die vorliegende Erfindung stellt auch ein Verfahren zum Kontrollieren von Metallmaskensubstraten bereit, die ein verbessertes Anhaften bei der Grenzfläche zwischen einem Resist und einer Oberfläche bereitstellen.
Figurenliste

1 ist eine perspektivische Teilansicht, die eine perspektivische Teilstruktur eines Metallmaskensubstrats für einen Trockenfilmresist in einer Ausführungsform des Metallmaskensubstrats der vorliegenden Erfindung als Metallmaskensubstrat für einen Trockenfilmresist zeigt.
2 ist eine Querschnittsteilansicht, die eine Querschnittsteilstruktur eines Metallmaskensubstrats für einen Trockenfilmresist als ein Beispiel zeigt.
3 ist eine Querschnittsteilansicht, die eine Querschnittsteilstruktur eines Metallmaskensubstrats für einen Trockenfilmresist als ein Beispiel zeigt.
4 ist eine Querschnittsteilansicht, die eine Querschnittsteilstruktur eines Metallmaskensubstrats für einen Trockenfilmresist als ein Beispiel zeigt.
5 ist eine Prozessansicht, die ein Verfahren zum Kontrollieren von Metallmaskensubstraten für einen Trockenfilmresist in einer Ausführungsform des Verfahrens zum Kontrollieren von Metallmaskensubstraten der vorliegenden Erfindung als das Verfahren zum Kontrollieren eines Metallmaskensubstrats für einen Trockenfilmresist zeigt.
6 ist eine Prozessansicht, die ein Verfahren zum Herstellen von Metallmaskensubstraten für einen Trockenfilmresist zeigt, in welcher ein Prozess zum Walzen eines aus Invar gebildeten Basismaterials gezeigt ist.
7 ist eine Prozessansicht, die ein Verfahren zum Herstellen von Metallmaskensubstraten für einen Trockenfilmresist zeigt, in welcher ein Prozess zum Tempern eines gewalzten Materials gezeigt ist.
8 ist eine Prozessansicht, die ein Verfahren zum Herstellen von Metallmasken zeigt, in welcher ein Prozess zum Anhaften eines Trockenfilmresists gezeigt ist.
9 ist eine Prozessansicht, die ein Verfahren zum Herstellen von Metallmasken zeigt, in welcher ein Prozess zum Entwickeln eines Trockenfilmresists gezeigt ist.
10 ist eine Prozessansicht, die ein Verfahren zum Herstellen von Metallmasken zeigt, in welcher ein Prozess zum Ätzen einer ersten Oberfläche einer Metallschicht gezeigt ist.
11 ist eine Prozessansicht, die ein Verfahren zum Herstellen von Metallmasken zeigt, in welcher ein Prozess zum Bilden einer ersten Schutzschicht gezeigt ist.
12 ist eine Prozessansicht, die ein Verfahren zum Herstellen von Metallmasken zeigt, in welcher ein Prozess zum Ätzen einer zweiten Oberfläche einer Metallschicht gezeigt ist.
13 ist eine Prozessansicht, die ein Verfahren zum Herstellen von Metallmasken zeigt, in welcher ein Prozess zum Entfernen eines Trockenfilmresists gezeigt ist.
14 ist eine perspektivische Teilansicht, die eine perspektivische Teilstruktur einer Metallmaske zeigt, die unter Verwendung eines Metallmaskensubstrats für einen Trockenfilmresist hergestellt ist.
15 ist ein Bild, das eine fotografierte erste Oberfläche mit einer Mehrzahl an ersten Aushöhlungen im Beispiel 1 zeigt.
16 ist ein Bild, das eine fotografierte Oberfläche mit einer Mehrzahl an ersten Aushöhlungen im Vergleichsbeispiel 1 zeigt.
17 ist ein Histogramm, das die Durchmesserverteilung von ersten Aushöhlungen bei Intervallen von 2 µm im Beispiel 1 zeigt.
18 ist ein Histogramm, das die Durchmesserverteilung von ersten Aushöhlungen bei Intervallen von 1 µm im Beispiel 1 zeigt.
19 ist ein Histogramm, das die Durchmesserverteilung von ersten Aushöhlungen bei Intervallen von 2 µm im Vergleichsbeispiel 1 zeigt.
20 ist ein Histogramm, das die Durchmesserverteilung von ersten Aushöhlungen bei Intervallen von 1 µm im Vergleichsbeispiel 1 zeigt.
21 ist ein Graph, der eine Korrelation zwischen der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa und einer gerichteten Reflexion zeigt.
22 ist ein Graph, der die Korrelation zwischen der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz und einer gerichteten Reflexion zeigt.

MODI ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNG
Mit Bezug zu 1 bis 22 wird nachfolgend eine Ausführungsform von einem Metallmaskensubstrat und einem Verfahren zum Kontrollieren von Metallmaskensubstraten der vorliegenden Erfindung als eine Metallmaske für einen Trockenfilmresist und ein Verfahren zum Kontrollieren von Metallmaskensubstraten für einen Trockenfilmresist, und eine Ausführungsform von einer Metallmaske und einem Verfahren zum Herstellen von Metallmasken beschrieben. Die Metallmaske, die unter Verwendung des Metallmaskensubstrats für einen Trockenfilmresist in der vorliegenden Ausführungsform hergestellt wird, ist eine Metallmaske zur Verwendung beim Dampfabscheiden eines organischen Materials, um eine organische EL Vorrichtung auf einem Glassubstrat bei dem Herstellungsprozess einer organischen EL Vorrichtung zu konstituieren. Die Struktur eines Metallmaskensubstrats für einen Trockenfilmresist, das Verfahren zum Kontrollieren von Metallmaskensubstraten für einen Trockenfilmresist, das Verfahren zum Herstellen von Metallmaskensubstraten für einen Trockenfilmresist, das Verfahren zum Herstellen von Metallmasken und Beispiele werden nachfolgend nacheinander beschrieben.
<Struktur von Metallmaskensubstrat für einen Trockenfilmresist>
Mit Bezug zu 1 bis 4 wird nachfolgend eine Struktur von Metallmaskensubstraten für ein Trockenfilmresist beschrieben.
Wie in 1 gezeigt, ist ein Metallmaskensubstrat 11 als ein Beispiel ein Metallmaskensubstrat für einen Trockenfilmresist, welches eine Metallschicht ist, die sich entlang einer Oberfläche ausbreitet. Das Metallmaskensubstrat 11 beinhaltet eine erste Oberfläche 11a aus Metall, welche ein Beispiel einer Oberfläche ist, auf welcher ein Resist angeordnet wird, spezifischer ein Beispiel einer Oberfläche, zu welcher ein Trockenfilmresist angehaftet wird. Bei der ersten Oberfläche 11a ist die gerichtete Reflexion von einfallendem Licht zu der ersten Oberfläche 11a 45,2% oder mehr.
Die gerichtete Reflexion ist die Reflexion in gerichteter Reflexion von Licht, das von einer Halogenlampe mit einem Einfallswinkel von 45° ±0,2° zu der Normalenrichtung der ersten Oberfläche 11a des Metallmaskensubstrats 11 emittiert wird. Die Reflexion ist ein Wert, der von dem folgenden Ausdruck (1) berechnet wird. $\begin{array}{l} Reflexion (%) = {(Intensität von Licht in gerichteter Reflexion) / (Intensität \\ von einfallendem Licht)} \times 100 \end{array}$
Solch ein Metallmaskensubstrat 11 weist eine gerichtete Reflexion des einfallenden Lichts zu der ersten Oberfläche 11a von 45,2% oder mehr auf. Dies verbessert das Anhaften der Grenzfläche zwischen der ersten Oberfläche 11a des Metallmaskensubstrats 11 und einem ersten Trockenfilmresist 12 als ein Beispiel des Trockenfilmresists, der zu der Oberfläche angehaftet ist.
Das Laminat, das das Metallmaskensubstrat 11 mit einer ersten Oberfläche 11a, zu welcher ein erster Trockenfilmresist 12 angehaftet ist, beinhaltet, ist ein Zwischenprodukt 10 zum Bilden einer Metallmaske, welches als ein Zwischenprodukt zum Bilden einer Metallmaske verwendet wird.
Die Walzrichtung des Metallmaskensubstrats 11 ist die Walzrichtung beim Herstellen des Metallmaskensubstrats 11 und die Breitenrichtung ist die Richtung orthogonal zu der Walzrichtung.
Unter den Reflexionen ist, bei der ersten Oberfläche 11a des Metallmaskensubstrats 11, eine erste Reflexion die gerichtete Reflexion in einer ersten Ebene orthogonal zu der ersten Oberfläche 11a und der Walzrichtung. Eine zweite Reflexion ist die gerichtete Reflexion in einer zweiten Ebene orthogonal zu der ersten Oberfläche 11a und der Breitenrichtung. Bei der ersten Oberfläche 11a ist die zweite Reflexion größer als die erste Reflexion, wobei die erste Reflexion 45,2% oder mehr ist.
Die relativ geringe Reflexion von den zwei Reflexionen, die bei der ersten Oberfläche 11a erhalten werden, ist 45,2% oder mehr. Dies verbessert das Anhaften bei der Grenzfläche zwischen der Oberfläche des Metallmaskensubstrats 11 und dem Trockenfilmresist 12 weiter.
Die erste Oberfläche 11a beinhaltet einen Abschnitt, wo die Differenz, die durch Abziehen der ersten Reflexion von der zweiten Reflexion erhalten ist, 10,2% oder mehr ist. Die erste Oberfläche 11a beinhaltet einen Abschnitt, wo die zweite Reflexion um 10,2% oder mehr größer ist als die erste Reflexion, was stärker bevorzugt ist, um das Anhaften bei der Grenzfläche zwischen der ersten Oberfläche 11a des Metallmaskensubstrats 11 und dem Trockenfilmresists 12 zu verbessern.
Die erste Oberfläche 11a weist eine dreidimensionale Oberflächenrauheit Sa von 0,11 µm oder weniger und eine dreidimensionale Oberflächenrauheit Sz von 3,17 µm oder weniger auf.
Die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sa und die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sz sind Werte, die durch ein Verfahren gemäß ISO 25178 gemessen werden. Die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sa ist die arithmetisch gemittelte Höhe Sa in einer definierten Region mit einer spezifischen Fläche, und die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sz ist die maximale Höhe Sz in einer definierten Region mit einer spezifischen Fläche.
Das Metallmaskensubstrat 11 weist eine dreidimensionale Oberflächenrauheit Sa von 0,11 µm oder weniger und eine dreidimensionale Oberflächenrauheit Sz von 3,17 µm oder weniger auf, mit einer gerichteten Reflexion von 45,2% oder mehr, sodass das Anhaften bei der Grenzfläche zwischen dem ersten Trockenfilmresist 12 und der ersten Oberfläche 11a zuverlässiger erhöht werden kann.
Ein bevorzugtes Material zum Bilden der Metallschicht ist zum Beispiel Invar, d. h. eine Legierung, die hauptsächlich aus Eisen und Nickel mit einem Nickelgehalt von 36 Massen-% zusammengesetzt ist. Mit anderen Worten ist die Oberfläche des Metallmaskensubstrats 11 bevorzugt aus Invar hergestellt. Der lineare Ausdehnungskoeffizient von Invar ist ungefähr 1,2 × 10^-6/°C. Bevorzugt weist die Metallschicht eine Dicke von zum Beispiel 10 µm oder mehr und 50 µm oder weniger auf.
Da der lineare Ausdehnungskoeffizient von einem Glassubstrat nahezu äquivalent zu dem linearen Ausdehnungskoeffizienten von Invar ist, ermöglicht eine aus Invar gebildete Metallschicht, dass eine von dem Metallmaskensubstrat 11 gebildete Metallmaske zur Filmbildung auf ein Glassubstrat angewandt werden kann. Mit anderen Worten kann eine Metallmaske mit einer verbesserten Formgenauigkeit zur Filmbildung auf einem Glassubstrat angewandt werden.
Der erste Trockenfilmresist 12 wird zum Beispiel aus einem Negativresist gebildet, als ein Beispiel von Materialien mit Fotosensitivität. Das Material zum Bilden des ersten Trockenfilmresists 12 ist zum Beispiel ein Acrylharz, das durch Fotopolymerisation vernetzbar ist. Bevorzugt weist der erste Trockenfilmresist 12 eine Dicke von zum Beispiel 5 µm oder mehr und 20 µm oder weniger auf. Obwohl der Trockenfilmresist 12 aus einem Positivresist gebildet sein kann, wird in vielen Fällen gewöhnlich ein Negativresist als das Material zum Bilden des ersten Trockenfilmresists 12 verwendet.
Mit Bezug zu 2 bis 4 werden nachfolgend andere Modi des Metallmaskensubstrats 11 und des Zwischenprodukts 10 zum Bilden einer Metallmaske beschrieben. In 2 ist ein erster Modus als ein Beispiel des Metallmaskensubstrats 11, das eine Metallschicht umfasst, gezeigt. In 3 ist ein zweiter Modus als ein Beispiel des Metallmaskensubstrats 11, das eine Metallschicht und eine Harzschicht umfasst, gezeigt. In 4 ist ein dritter Modus als ein Beispiel des Metallmaskensubstrats 11, das zwei Metallschichten und eine Harzschicht umfasst, gezeigt.
<Erster Modus>
Wie in 2 gezeigt, weist eine Metallschicht 21 eine zweite Oberfläche 11b auf der gegenüberliegenden Seite zu einer ersten Oberfläche 11a auf. Die erste Oberfläche 11a ist eine Metalloberfläche, auf welcher ein erster Trockenfilmresist 12 anzuhaften ist. Die zweite Oberfläche 11b ist eine Metalloberfläche, auf welcher ein Resist anzuordnen ist, oder spezifischer, ein zweiter Trockenfilmresist 13 anzuhaften ist. Ein Zwischenprodukt 10 zum Bilden einer Metallmaske umfasst die Metallschicht 21, den ersten Trockenfilmresist 12 und den zweiten Trockenfilmresist 13.
Bevorzugt weist die zweite Oberfläche 11b auch eine gerichtete Reflexion von 45,2% oder mehr wie die erste Oberfläche 11a auf. Das Metallmaskensubstrat 11 ermöglicht, dass auch das Anhaften zwischen dem zweiten Trockenfilmresist 13 und der Metallschicht 21 bei der zweiten Oberfläche 11b erhöht wird, zusätzlich zu der ersten Oberfläche 11a der Metallschicht 21.
Bevorzugt weist auch die zweite Oberfläche 11b eine dreidimensionale Oberflächenrauheit Sa von 0,11 µm oder weniger und eine dreidimensionale Oberflächenrauheit Sz von 3,17 µm oder weniger wie die ersten Oberfläche 11a auf. Solch ein Metallmaskensubstrat 11 ermöglicht, dass auch das Anhaften bei der Grenzfläche zwischen dem zweiten Trockenfilmresist 13 und der zweiten Oberfläche 11b bei der zweiten Oberfläche 11b zuverlässiger verbessert werden kann, zusätzlich zu der ersten Oberfläche 11a der Metallschicht 21.
Das Material zum Bilden des zweiten Trockenfilmresists 13 ist zum Beispiel ein Acrylharz, welches wie der erste Trockenfilmresist 12 durch Fotopolymerisation vernetzbar ist. Bevorzugt weist der zweite Trockenfilmresist 13 eine Dicke von zum Beispiel 5 µm oder mehr und 20 µm oder weniger auf.
<Zweiter Modus>
Wie in 3 gezeigt, kann ein Metallmaskensubstrat 11 eine Metallschicht 21 und eine Harzschicht 22 umfassen, die gegenüber dem ersten Trockenfilmresist 12 über der Metallschicht 21 lokalisiert ist. Bevorzugt gibt es die Tendenz, dass der lineare Ausdehnungskoeffizient der Harzschicht 22 bzw. der lineare Ausdehnungskoeffizient der Metallschicht 21 die gleiche Temperaturabhängigkeit entwickelt, mit vergleichbaren Werten. Die Metallschicht 21 ist zum Beispiel eine aus Invar hergestellte Invarschicht, und die Harzschicht 22 ist zum Beispiel eine aus Polyimid hergestellte Polyimidschicht. Das Metallmaskensubstrat 11 verhindert ein Verziehen, das durch die Differenz zwischen dem linearen Ausdehnungskoeffizienten der Metallschicht 21 und dem linearen Ausdehnungskoeffizienten der Harzschicht 22 verursacht wird.
Ein Zwischenprodukt 10 zum Bilden einer Metallmaske in dem zweiten Modus umfasst eine Metallschicht 21, einen ersten Trockenfilmresist 12 und eine Harzschicht 22. Die Harzschicht 22 kann durch Beschichtung auf die Metallschicht 21 gebildet werden, oder kann ein Film sein, der zu der Metallschicht 21 angehaftet wird, wobei der Film separat von der Metallschicht 21 gebildet wird. Die Harzschicht 22 kann eine Haftschicht beinhalten, die ein Haftvermögen zu der Metallschicht 21 vorweist, wobei die Haftschicht zu der Metallschicht 21 angehaftet wird.
<Dritter Modus>
Wie in 4 gezeigt, kann ein Metallmaskensubstrat 11 zusätzlich zu einer Metallschicht 21 und einer Harzschicht 22 ferner eine andere Metallschicht 23 umfassen, die gegenüber der Metallschicht 21 über der Harzschicht 22 in der Dickenrichtung des Metallmaskensubstrats 11 lokalisiert ist. In dem Metallmaskensubstrat 11 beinhaltet die Metallschicht 23 eine zweite Oberfläche 11b auf der gegenüberliegenden Seite zu der ersten Oberfläche 11a des Metallmaskensubstrats 11.
Ein bevorzugtes Material zum Bilden der anderen Metallschicht ist zum Beispiel Invar, d. h. eine Legierung, die hauptsächlich aus Eisen und Nickel mit einem Nickelgehalt von 36 Massen-% zusammengesetzt ist, wie die Metallschicht 21. Bevorzugt weist die Metallschicht 23 eine Dicke von zum Beispiel 10 µm oder mehr und 50 µm oder weniger auf. Die Dicke der anderen Metallschicht 23 und die Dicke der Metallschicht 21 können gleich oder unterschiedlich voneinander sein.
Wie bei der ersten Oberfläche 11a und der zweiten Oberfläche 11b, die in der Metallschicht 21 beinhaltet sind, weist die zweite Oberfläche 11b, die in der anderen Metallschicht 23 beinhaltet ist, bevorzugt eine gerichtete Reflexion von 45,2% oder mehr auf. Auch weist die zweite Oberfläche 11b, die in der anderen Metallschicht 23 beinhaltet ist, bevorzugt eine dreidimensionale Oberflächenrauheit Sa von 0,11 µm oder weniger und eine dreidimensionale Oberflächenrauheit Sz von 3,17 µm oder weniger auf.
Solch eine zweite Oberfläche 11b von der anderen Metallschicht 23 weist Vorteile auf äquivalent zu denen von der ersten Oberfläche 11a und der zweiten Oberfläche 11b, die in der Metallschicht 21 beinhaltet sind. Das Metallmaskensubstrat 11 weist eine Struktur auf, die ein Laminat aus der Metallschicht 21 und der Harzschicht 22 und ein Laminat aus der Metallschicht 23 und der Harzschicht 22 beinhaltet, sodass Vorteile äquivalent zu denen von dem Metallmaskensubstrat 11, das mit Bezug auf 3 beschrieben ist, d. h. dem Metallmaskensubstrat 11 in dem zweiten Modus, erzielt werden.
Ein Zwischenprodukt 10 zum Bilden einer Metallmaske in dem dritten Modus umfasst Metallschichten 21 und 23, einen ersten Trockenfilmresist 12, eine Harzschicht 22 und einen zweiten Trockenfilmresist 14. Die Harzschicht 22 kann durch Beschichten von einem der zwei Metallschichten 21 und 23 gebildet werden, oder kann ein Film sein, der zu den Metallschichten 21 und 23 angehaftet ist, wobei der Film getrennt von den Metallschichten 21 und 23 gebildet wird. In dem Fall einer Harzschicht 22, die zu den Metallschichten 21 und 23 anzuhaften ist, kann die Harzschicht 22 eine Haftschicht, die ein Anhaften zu der Metallschicht 21 vorweist, und eine Haftschicht, die ein Haftvermögen zu der Metallschicht 23 vorweist, beinhalten, wobei die Haftschichten zu den zwei Metallschichten 21 bzw. 23 angehaftet werden.
<Verfahren zum Kontrollieren von Metallmaskensubstrat für einen Trockenfilmresist>
Mit Bezug zu 5 wird nachfolgend ein Verfahren zum Kontrollieren von Metallmaskensubstraten für einen Trockenfilmresist beschrieben.
Das Verfahren zum Kontrollieren von Metallmaskensubstraten für einen Trockenfilmresist umfasst einen Anfertigungsschritt, einen Schritt des Bereitstellens von einfallendem Licht, einen Messschritt, einen Berechnungsschritt und einen Bestimmungsschritt. Mit anderen Worten umfasst das Verfahren zum Kontrollieren von Metallmaskensubstraten für einen Trockenfilmresist das Anfertigen eines Metallmaskensubstrats für einen Trockenfilmresist mit einer Metalloberfläche, auf welcher ein Trockenfilmresist anzuhaften ist, und das Bereitstellen von einfallendem Licht zu der Oberfläche des Metallmaskensubstrats für einen Trockenfilmresist. Das Verfahren zum Kontrollieren von Metallmaskensubstraten für einen Trockenfilmresist umfasst ferner das Messen der Intensität des gerichteten reflektierten Lichts von der Oberfläche, die mit einfallendem Licht belichtet wird, das Berechnen der gerichteten Reflexion als das Verhältnis der Intensität von gerichtetem reflektieren Licht zu der Intensität des einfallenden Lichts, und das Bestimmten, ob die Reflexion 45,2% oder mehr ist oder nicht.
Wie in 5 gezeigt, wird bei dem Schritt des Bereitstellens von einfallendem Licht und dem Messschritt, die oben beschrieben sind, zum Beispiel ein automatisiertes Goniophotometer PM verwendet. Das automatisierte Goniophotometer PM umfasst eine Lichtquelle LS, d. h. eine Halogenlampe, und einen Lichtempfänger LR, welcher Licht empfängt, das von einem in dem automatisierten Goniophotometer PM angeordneten Probekörper reflektiert wird.
Vor dem Schritt des Bereitstellens von einfallendem Licht wird ein Teil des Metallmaskensubstrats für einen Trockenfilmresist ausgeschnitten, um einen Probekörper T anzufertigen. Der Probekörper T weist eine Messoberfläche Ts auf, welche ein Teil der Oberfläche des Metallmaskensubstrats für einen Trockenfilmresist ist. Der Probekörper T wird in dem automatisierten Goniophotometer PM angeordnet, sodass die Messoberfläche Ts mit dem einfallenden Licht von der Lichtquelle LS belichtet wird.
Der Winkel, der gebildet wird zwischen der Normalenrichtung N der Messoberfläche Ts eines Probekörpers T und der Einfallrichtung von Licht, das von einer Lichtquelle LS emittiert wird, ist als Einfallswinkel α von Licht, das von der Lichtquelle LS emittiert wird, definiert. In dem Schritt des Bereitstellens von einfallendem Licht empfängt die Messoberfläche Ts einfallendes Licht bei einem spezifischen Einfallswinkel α, zum Beispiel bei einem Einfallswinkel α von 45° ±0,2°. Die Intensität von einfallendem Licht zu der Messoberfläche Ts ist die Intensität von Licht, das von der Lichtquelle LS emittiert wird.
Der Winkel, der gebildet wird zwischen der Normalenrichtung N der Messoberfläche Ts und der Richtung von Licht, das von der Messoberfläche Ts emittiert wird, ist als Emissionswinkel β von Licht, das von der Messoberfläche Ts emittiert wird, definiert. Der Emissionswinkel β von Licht, das von der Messoberfläche Ts gerichtet reflektiert wird, ist gleich zu dem Einfallswinkel α zu der Messoberfläche Ts von einfallendem Licht. Mit anderen Worten ist der Emissionswinkel β von gerichtet reflektiertem Licht 45°±0,2°.
In dem Messschritt empfängt eine Lichtempfangsvorrichtung, die in dem Lichtempfänger LR beinhaltet ist, zumindest gerichtetes reflektiertes Licht in dem von der Messoberfläche Ts reflektierten Licht. Die Lichtempfangsvorrichtung, die in dem Lichtempfänger LR beinhaltet ist, erzeugt analoge Signale korrespondierend zu der Intensität des empfangenen Lichts, und ein Wandler, der in dem Lichtempfänger LR beinhaltet ist, konvertiert die durch die Lichtempfangsvorrichtung erzeugten analogen Signale zu digitalen Signalen, um die digitalen Signale als die Intensität des reflektierten Lichts zu erzeugen.
Die Lichtempfangsvorrichtung, die in dem Lichtempfänger LR beinhaltet ist, empfängt Licht mit einem Emissionswinkel β in dem Bereich von zum Beispiel 0° bis 90° bei Intervallen von 0,1°. Bei dieser Gelegenheit rotiert die Lichtempfangsvorrichtung, die in dem Lichtempfänger LR beinhaltet ist, um die Rotationsachse A herum, die sich orthogonal zu der Normalenrichtung N erstreckt, entlang der Messoberfläche Ts eines Probekörpers T. Mit anderen Worten ist der Probekörper T so angeordnet, dass die Rotationsachse A, um welche die Lichtempfangsvorrichtung herum rotiert, parallel mit der Messoberfläche Ts verläuft. Von dem Licht, das von der Messoberfläche TS reflektiert wird, wird Licht mit einem Emissionswinkel β in den Bereich von 0° bis 90° dadurch in dem Messschritt der Messung von Lichtintensität bei Intervallen von 0,1° unterworfen.
Der Berechnungsschritt wird durch zum Beispiel eine Recheneinheit ausgeführt, die in dem Lichtempfänger LR beinhaltet ist, der in einem automatisierten Goniophotometer PM eingebaut ist, basierend auf dem Signalstrom, der fotoelektronisch von der Intensität von Licht, das durch den Lichtempfänger LR empfangen wird, konvertiert wird. Der Bestimmungsschritt wird durch eine Rechenvorrichtung ausgeführt, die mit dem automatisierten Goniophotometer PM verbunden ist. Die Recheneinheit berechnet die Reflexion von Licht für jeden Emissionswinkel β, zum Beispiel durch Ersetzen der voreingegebenen Intensität von einfallendem Licht und der Intensität des reflektierten Lichts, d. h. der in dem Messschritt erzeugten digitalen Signale, in den oben beschriebenen Ausdruck (1). Das automatisierte Goniophotometer PM stößt die berechnete Reflexion von Licht als digitale Signale zu der Rechenvorrichtung aus.
Die Rechenvorrichtung bestimmt dann basierend auf den digitalen Signalen, die von dem automatisierten Goniophotometer PM ausgestoßen werden, ob die gerichtete Reflexion 45,2% oder mehr ist oder nicht. Gemäß dem Kontrollverfahren wird bestimmt, ob die gerichtete Reflexion bei der Oberfläche eines Metallmaskensubstrats 45,2% oder mehr ist oder nicht, sodass das Metallmaskensubstrat für einen Trockenfilmresist kontrolliert werden kann, ob es eine Oberfläche in einem Zustand zum Erhöhen des Anhaftens bei der Grenzfläche zwischen dem Trockenfilmresist und der Oberfläche aufweist.
Der Oberflächenzustand eines Metallmaskensubstrats für einen Trockenfilmresist wird in vielen Fällen allgemein basierend auf der Oberflächenrauheit kontrolliert. Die Region, von welcher die Oberflächenrauheit zu einem Zeitpunkt gemessen werden kann, ist zum Beispiel eine sehr kleine rechtwinklige Region mit einer Seitenlänge von ungefähr mehreren hundert µm. Um den nahezu gesamten Oberflächenzustand eines Metallmaskensubstrats für einen Trockenfilmresist basierend auf den Messwerten der Oberflächenrauheit akkurat zu verstehen, ist es daher notwendig, die Oberflächenrauheit bei sehr vielen Stellen eines Metallmaskensubstrats für einen Trockenfilmresist zu messen.
Im Gegensatz dazu ist die Region, wo die gerichtete Reflexion zu einem Zeitpunkt gemessen werden kann, signifikant größer als die Region, wo die Oberflächenrauheit zu einem Zeitpunkt gemessen werden kann, und die Zeit, die zum Erhalten der Reflexion benötigt wird, ist signifikant kürzer als die Zeit, die zum Erhalten der Oberflächenrauheit benötigt wird. Bei dem Kontrollieren, um sicherzustellen, dass das Anhaften zwischen der Oberfläche eines Metallmaskensubstrats für ein Trockenfilmresist und einem Trockenfilmresist sichergestellt werden kann, ist eine Kontrolle zum makroskopischen erfassen des Oberflächenzustands im Vergleich zu dem Messen der Oberflächenrauheit, wie oben beschrieben, bevorzugt. Diesbezüglich wird die Größe der Region, wo die gerichtete Reflexion zu einem Zeitpunkt gemessen werden kann, einfach auf einen Bereich vergrößert, der einen Effekt auf das Anhaften zwischen der Oberfläche eines Metallmaskensubstrats für einen Trockenfilmresist und einem Trockenfilmresist aufweist. Im Gegensatz zu einem Oberflächenrauheitswert ist ein Reflexionswert daher der Wert, der den Oberflächenzustand in einer größeren Region eines Metallmaskensubstrats für einen Trockenfilmresist wiederspiegelt, und die zum Erhalten des Werts benötigte Belastung ist gering.
Im Gegensatz zum Kontrollieren von Metallmaskensubstraten für einen Trockenfilmresist basierend auf der Oberflächenrauheit, ermöglicht die Kontrolle von Metallmaskensubstraten für einen Trockenfilmresist basierend auf der Reflexion daher das Erfassen des Oberflächenzustands in akkurater Weise auf dem gleichen Niveau, selbst in Abhängigkeit von einer reduzierten Anzahl an Messstellen auf der Oberfläche.
Im Gegensatz zum Kontrollieren von Metallmaskensubstraten für einen Trockenfilmresist basierend auf der Oberflächenrauheit, ermöglicht das Kontrollieren von Metallmaskensubstraten für einen Trockenfilmresist basierend auf der Reflexion daher das akkurate Erfassen des Oberflächenzustands in Abhängigkeit von der gleichen Anzahl an Messpunkten auf der Oberfläche.
Das Kontrollieren von Metallmaskensubstraten für einen Trockenfilmresist basierend auf der Oberflächenrauheit wird in einigen Fällen unter Verwendung von zwei Werten ausgeführt, d. h. die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sa und die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sz. Im Gegensatz dazu kann die Kontrolle von Metallmaskensubstraten für einen Trockenfilmresist basierend auf der Reflexion basierend auf nur einem gemessenen gerichteten Reflexionswert ausgeführt werden. Mit anderen Worten, da das Metallmaskensubstrat für einen Trockenfilmresist basierend auf einem Wert kontrolliert werden kann, wird eine geringere Belastung zum Kontrollieren eines Metallmaskensubstrats für einen Trockenfilmresist im Vergleich mit der Kontrolle von Metallmaskensubstraten für einen Trockenfilmresist basierend auf der Oberflächenrauheit benötigt.
Der Berechnungsschritt kann ausgeführt werden durch eine Vorrichtung, die sich von dem automatisierten Goniophotometer PM unterscheidet, unter Verwendung der Messergebnisse, die von dem automatisierten Goniophotometer PM erhalten werden, und der Bestimmungsschritt kann durch das automatisierte Goniophotometer PM ausgeführt werden.
<Verfahren zum Herstellen von Metallmaskensubstrat für einen Trockenfilmresist>
Mit Bezug zu 6 und 7 wird nachfolgend ein Verfahren zum Herstellen von Metallmaskensubstraten für einen Trockenfilmresist beschrieben.
Mit Bezug zu 6 und 7 wird nachfolgend ein Verfahren zum Herstellen von Metallmaskensubstraten für einen Trockenfilmresist beschrieben. Hiernach wird ein Metallmaskensubstrat 11, das eine Metallschicht 21 umfasst, d. h. ein mit Bezug zu 2 beschriebener erster Modus, als ein Beispiel beschrieben.
Wie in 6 gezeigt, wird in dem Verfahren zum Herstellen von Metallmaskensubstraten für einen Trockenfilmresist zunächst ein Basismaterial 21a angefertigt, das aus Invar gebildet ist, das sich in eine Richtung, d. h. Walzrichtung D1, erstreckt. Anschließend wird das Basismaterial 21a in einer Transportrichtung D2 in Richtung einer Walzenvorrichtung 30 mit einem Walzenpaar 31 und 32 transportiert, sodass die Walzrichtung D1 des Basismaterials 21a parallel mit der Transportrichtung D2 des Basismaterials 21a verläuft.
Das Basismaterial 21a erreicht ein Walzenpaar 31 und 32, um durch das Walzenpaar 31 und 32 gewalzt zu werden. Die Dicke des Basismaterials 21a wird dadurch reduziert und das Basismaterial 21 wird entlang der Transportrichtung D2 gestreckt, sodass ein gewalztes Material 21b erhalten werden kann. Das gewalzte Material 21b wird um einen Kern C herumgewickelt. Das gewalzte Material 21b kann in einer gestreckten Bandform gehandhabt werden, ohne um den Kern C herumgewickelt zu sein. Das gewalzte Material 21b weist eine Dicke von zum Beispiel 10 µm oder mehr und 50 µm oder weniger auf.
Wie in 7 gezeigt, um die Restspannung, die innerhalb des gewalzten Materials 21b, das durch das Walzen des Basismaterials 21a gebildet ist, akkumuliert ist, zu entfernen, wird das gewalzte Material 21b mit einer Tempervorrichtung 33 getempert. Eine Metallschicht 21 als ein Metallmaskensubstrat wird dadurch erhalten. Da das gewalzte Material 21b während des Streckens des gewalzten Materials 21b in der Transportrichtung D2 getempert wird, kann die Metallschicht 21 als Metallmaskensubstrat mit einer niedrigen Restspannung als das gewalzte Material 21b vor dem Tempern erhalten werden.
Jeder von dem Walzschritt und dem Temperschritt, die oben beschrieben sind, können mit den folgenden Modifikationen ausgeführt werden. Zum Beispiel kann in dem Walzschritt eine Walzenvorrichtung mit einer Mehrzahl an Walzenpaaren verwendet werden. Der Walzschritt und der Temperschritt können mehrere Male beim Herstellen der Metallschicht 21 wiederholt ausgeführt werden. Bei dem Temperschritt kann das gewalzte Material 21b in einem um den Kern C herumgewickelten Zustand getempert werden, an Stelle des Temperns des gewalzten Materials 21b während des Streckens des gewalzten Materials 21b in der Transportrichtung D2.
In dem Fall des Temperschritts des gewalzten Materials 21b in einem um den Kern C gewickelten Zustand, kann die Metallschicht 21 eine Tendenz aufweisen, um sich korrespondierend zu dem Durchmesser der Metallschicht 21 nach dem Tempern in einigen Fällen zu verziehen, aufgrund des Wickelns des gewalzten Materials 21b um den Kern C herum. In Abhängigkeit von der Durchmessergröße der Metallschicht 21, die um den Kern C herumgewickelt ist, und dem Material zum Bilden des Basismaterials 21a ist es daher bevorzugt, das gewalzte Material 21b während des Streckens des gewalzten Materials 21b in der Transportrichtung D2 zu tempern.
<Verfahren zum Herstellen von Metallmasken>
Mit Bezug zu 8 bis 14 wird nachfolgend ein Verfahren zum Herstellen von Metallmasken beschrieben. Hiernach wird ein Metallmaskensubstrat 11 zur Verwendung beim Herstellen von Metallmasken, die eine Metallschicht 21 umfassen, d. h. ein mit Bezug zu 2 beschriebener erster Modus, als ein Beispiel beschrieben. In 8 bis 13 ist eine Prozessansicht von einem Abschnitt zum Zweck der Einfachheit der Zeichnung gezeigt, der nur ein Durchgangsloch beinhaltet, obwohl die Metallmaske eine Mehrzahl an Durchgangslöchern aufweist.
Ein Verfahren zum Herstellen von Metallmasken umfasst die Schritte von: Anfertigen eines Metallmaskensubstrats mit einer Metalloberfläche; Anordnen eines Resists auf der Oberfläche; Bilden von Durchgangslöchern in den Resist, wobei die Durchgangslöcher dafür da sind, um eine Mehrzahl an Aushöhlungen in dem Metallmaskensubstrat zu bilden, wobei sich jede Aushöhlung in der Dickenrichtung des Metallmaskensubstrats erstreckt und eine Öffnung in der Oberfläche aufweist; und Bilden einer Mehrzahl von Aushöhlungen in dem Metallmaskensubstrat. Beim Bilden einer Mehrzahl von Aushöhlungen in dem Metallmaskensubstrat werden bevorzugt eine Mehrzahl an Aushöhlungen in dem Metallmaskensubstrat gebildet, sodass (B/A) × 100 (%) 10% oder weniger ist, wobei A eine mittlere Dimension der Öffnungen in einer Draufsicht zugewandt zu der Oberfläche darstellt und B einen Wert darstellt, der durch Multiplizieren einer Standardabweichung der Dimension mal drei erhalten ist.
In dem Fall, wo die Aushöhlung eines Metallmaskensubstrats eine Pore ist, die eine kreisförmige Region in der Draufsicht zugewandt zu der Oberfläche des Metallmaskensubstrats definiert, kann die Dimension der Öffnung der Hohlräume der Durchmesser der Öffnung sein. In dem Fall, wo die Aushöhlung eines Metallmaskensubstrats eine Pore ist, die eine rechtwinklige Region definiert, die sich in einer Richtung in der Draufsicht zugewandt zu der Oberfläche des Metallmaskensubstrats erstreckt, kann die Dimension der Öffnung der Aushöhlungen die Dimension in der longitudinalen Richtung der Öffnung oder die Dimension in der transversalen Richtung der Öffnung sein. In dem Fall, wo die Aushöhlung eines Metallmaskensubstrats eine Pore ist, die eine quadratische Region in der Draufsicht zugewandt zu der Oberfläche des Metallmaskensubstrats definiert, kann die Dimension der Öffnung der Aushöhlungen eine seitliche Dimension der Öffnung sein.
In dem Fall, wo die Aushöhlung eine Pore ist, die eine rechtwinklige Region definiert, die sich in einer Richtung erstreckt, oder Aushöhlungen, die eine quadratische Region definieren, können die Ecken der Region, die durch die Aushöhlung definiert wird, eine Bogenform aufweisen, mit einem Zentrum der Kurve lokalisiert innerhalb der durch die Aushöhlung definierten Region.
Spezifischer, wie in 8 gezeigt, werden beim Herstellen einer Metallmaske zunächst ein Metallmaskensubstrat, d. h. eine Metallschicht 21, die eine erste Oberfläche 11a und die zweite Oberfläche 11b, wie oben beschrieben, beinhaltet, ein erster Trockenfilmresist 12, der zu der ersten Oberfläche 11a anzuhaften ist, und ein zweiter Trockenfilmresist 13, der zu der zweiten Oberfläche 11b anzuhaften ist, angefertigt. Jeder von den zwei Trockenfilmresisten 12 und 13 ist ein Film, der getrennt von der Metallschicht 21 gebildet wird.
Der erste Trockenfilmresist 12 wird zu der ersten Oberfläche 11a angehaftet, und der zweite Trockenfilmresist 13 wird zu der zweiten Oberfläche 11b angehaftet. Mit anderen Worten wird der erste Trockenfilmresist 12 auf die erste Oberfläche 11a laminiert und der zweite Trockenfilmresist 13 wird auf die zweite Oberfläche 11b laminiert. Zum Beispiel wird mit der Metallschicht 21, die zwischen den zwei Trockenfilmresisten in der Dickenrichtung der Metallschicht 21 gesandwiched ist, eine bestimmte Wärme und ein bestimmter Druck auf die drei Schichten angewandt, sodass der erste Trockenfilmresist 12 zu der ersten Oberfläche 11a der Metallschicht 21 angehaftet wird und der zweite Trockenfilmresist 13 zu der zweiten Oberfläche 11b angehaftet wird. Der erste Trockenfilmresist 12 und der zweite Trockenfilmresist 13 können separat zu der Metallschicht 21 angehaftet werden.
Unter dem Gesichtspunkt des Verbesserns des Anhaftens zwischen den zwei Trockenfilmresisten 12 und 13 und der Metallschicht 21 ist bevorzugt jede von der ersten Oberfläche 11a und der zweiten Oberfläche 11b von der Metallschicht 21 eine glatte Oberfläche. Diesbezüglich weist sowohl die erste Oberfläche 11a als auch die zweite Oberfläche 11b eine gerichtete Reflexion von 45,2% oder mehr auf, sodass das Anhaften zwischen den Trockenfilmresisten 12 und 13 und der Metallschicht 21 auf ein vorteilhaftes Maß beim Herstellen einer Metallmaske erhöht werden kann. Ein Zwischenprodukt zum Bilden einer Metallmaske wird dadurch hergestellt.
Wie in 9 gezeigt, werden die Abschnitte der Trockenfilmresiste 12 und 13, die sich von den Regionen zum Bilden von Durchgangslöchern unterscheiden, belichtet, und der Trockenfilmresist wird nach dem Belichten entwickelt. Als Ergebnis werden erste Durchgangslöcher 12a in dem ersten Trockenfilmresist 12 gebildet und werden zweite Durchgangslöcher 13a in dem zweiten Trockenfilmresist 13 gebildet. Mit anderen Worten werden der erste Trockenfilmresist 12 und der zweite Trockenfilmresist 13 einer Musterung unterworfen.
Beim Belichten des ersten Trockenfilmresists 12 wird eine originale Platte, die es Licht ermöglicht, Abschnitte zu erreichen, die sich von den Abschnitten zum Bilden der ersten Durchgangslöcher 12a unterscheiden, auf der Oberfläche gegenüber zu der Oberfläche des ersten Trockenfilmresists 12 in Kontakt mit der Metallschicht 21 platziert. Beim Belichten des zweiten Trockenfilmresists 13 wird eine originale Platte, die es Licht ermöglicht, Abschnitte zu erreichen, die sich von den Abschnitten zum Bilden der zweiten Durchgangslöcher 13a unterscheiden, auf der Oberfläche gegenüber zu der Oberfläche des zweiten Trockenfilmresists 13 in Kontakt mit der Metallschicht 21 platziert. Bei der Entwicklung des Trockenfilmresists nach der Belichtung wird zum Beispiel eine wässrige Lösung von Natriumkarbonat als Entwickler verwendet.
In dem Fall eines ersten Trockenfilmresists 12, der aus Positivresist gebildet ist, können die Abschnitte des ersten Trockenfilmresists 12 zum Bilden der ersten Durchgangslöcher 12a einer Belichtung unterworfen werden. In dem Fall eines zweiten Trockenfilmresisst 13, der aus einem Positivresist gebildet ist, können die Abschnitte des zweiten Trockenfilmresists 13 zum Bilden der zweiten Durchgangslöcher 13a einer Belichtung unterworfen werden.
Wie in 10 gezeigt, wird zum Beispiel die erste Oberfläche 11a der Metallschicht 21 mit einer Lösung von Eisen(III)-chlorid durch den ersten Trockenfilmresist 12 als Maske geätzt. Bei dieser Gelegenheit wird auf dem zweiten Trockenfilmresist 13 eine zweite Schutzschicht 41 gebildet, sodass die zweite Oberfläche 11b der Metallschicht 21 nicht gleichzeitig beim Ätzen der ersten Oberfläche 11a geätzt wird. Das Material zum Bilden der zweiten Schutzschicht 41 kann irgendein Material sein, das mit der Lösung von Eisen(III)-chlorid nicht einfach geätzt werden kann. Konsequenterweise werden erste Aushöhlungen 11c1, die hin zu der zweiten Oberfläche 11b eingedrückt sind, in der ersten Oberfläche 11a der Metallschicht 21 durch die ersten Durchgangslöcher 12a des ersten Trockenfilmresists 12 gebildet. Die erste Aushöhlung 11c1 weist eine erste Öffnung 51 bei der ersten Oberfläche 11a auf.
Das oben beschriebene Zwischenprodukt zum Bilden einer Metallmaske weist ein erhöhtes Anhaften zwischen dem ersten Trockenfilmresist 12 und der Metallschicht 21 auf. Als Ergebnis, während die Metallschicht 21 der Lösung von Eisen(III)-chlorid ausgesetzt ist, um in Kontakt mit der ersten Oberfläche 11a der Metallschicht 21 durch die ersten Durchgangslöcher 12a, die in dem ersten Trockenfilmresist 12 gebildet sind, zu kommen, wird verhindert, dass die Lösung von Eisen(III)-chlorid in die Grenzfläche zwischen dem ersten Trockenfilmresist 12 und der Metallschicht 21 eindringt. Die ersten Aushöhlungen 11c1 mit einer verbesserten Formgenauigkeit werden daher in der Metallschicht 21 gebildet.
Eine Mehrzahl der ersten Aushöhlungen 11c1 werden in der Metallschicht 21 gebildet, sodass (B/A) × 100 (%) 10% oder weniger ist, wobei A die mittlere Dimension von der Öffnung der ersten Aushöhlungen 11c1 darstellt, in der Draufsicht zugewandt zu der ersten Oberfläche 11a, und B den Wert darstellt, der durch Multiplizieren der Standardabweichung von der Dimension mal drei erhalten ist.
Wie in 11 gezeigt, werden der erste Trockenfilmresist 12, der auf der ersten Oberfläche 11a der Metallschicht 21 gebildet ist, und die zweite Schutzschicht 41, der in Kontakt mit dem zweiten Trockenfilmresist 13 ist, entfernt. Um zu verhindern, dass die erste Oberfläche 11a geätzt wird, wird eine erste Schutzschicht 42 auf der ersten Oberfläche 11a der Metallmaske 21 gebildet. Das Material zum Bilden der ersten Schutzschicht 42 kann irgendein Material sein, das nicht einfach mit der Lösung von Eisen(III)-chlorid geätzt werden kann.
Wie in 12 gezeigt, wird die zweite Oberfläche 11b der Metallschicht 21 mit einer Lösung von Eisen(III)-chlorid durch den zweiten Trockenfilmresist 13 als Maske geätzt. Konsequenterweise werden zweite Aushöhlungen 11c2, die hin zu der ersten Oberfläche 11a eingedrückt sind, in der zweiten Oberfläche 11b der Metallschicht 21 durch die zweiten Durchgangslöcher 13a des zweiten Trockenfilmresists 13 gebildet. Die zweite Aushöhlung 11c2 weist eine zweite Öffnung 52 bei der zweiten Oberfläche 11b auf. In der Draufsicht zugewandt zu der zweiten Oberfläche 11b ist die zweite Öffnung 52 größer als die erste Öffnung 51.
Das oben beschriebene Zwischenprodukt zum Bilden einer Metallmaske weist auch ein erhöhtes Anhaften zwischen dem zweiten Trockenfilmresist 13 und der Metallschicht 21 auf. Als Ergebnis, während die Metallschicht 21 der Lösung von Eisen(III)-chlorid ausgesetzt ist, um in Kontakt mit der zweiten Oberfläche 11b der Metallschicht 21 durch die zweiten Durchgangslöcher 13a, die in dem zweiten Trockenfilmresist 13 gebildet sind, zu kommen, wird verhindert, dass die Lösung von Eisen(III)-chlorid in die Grenzfläche zwischen dem zweiten Trockenfilmresist 13 und der Metallschicht 21 eindringt. Die zweiten Aushöhlungen 11c2 mit einer verbesserten Formgenauigkeit werden daher in der Metallschicht 21 gebildet.
Eine Mehrzahl der zweiten Aushöhlungen 11c2 werden in der Metallschicht 21 gebildet, sodass (B/A) × 100 (%) 10% oder weniger ist, wobei A die mittlere Dimension der Öffnung der zweiten Aushöhlungen 11c2 darstellt, in der Draufsicht zugewandt zu der zweiten Oberfläche 11b, und B den Wert darstellt, der, durch Multiplizieren der Standardabweichung von der Dimension mal drei erhalten ist.
Wie in 13 gezeigt, werden die erste Schutzschicht 42 und der zweite Trockenfilmresist 13 von der Metallschicht 21 entfernt, sodass eine Metallmaske 60 mit einer Mehrzahl an Durchgangslöchern 61c erhalten wird.
Die Metallmaske 60 umfasst ein Maskensubstrat 61 als ein Beispiel eines Metallmaskensubstrats, welches ein prozessiertes Metallmaskensubstrat 11 ist. Das Maskensubstrat 61 beinhaltet eine erste Maskenoberfläche 61a, welche zu einer ersten Oberfläche 11a, welche eine Metalloberfläche ist, von dem Metallmaskensubstrat 11 korrespondiert, wobei der erste Trockenfilmresist 12 entfernt ist. Auch beinhaltet das Maskensubstrat 61 eine zweite Maskenoberfläche 61b, welche zu der zweiten Oberfläche 11b, welche eine Metalloberfläche ist, von dem Metallmaskensubstrat 11 korrespondiert, wobei der zweite Trockenfilmresist 13 entfernt ist.
Das Durchgangsloch 61c erstreckt sich zwischen der ersten Maskenoberfläche 61a und der zweiten Maskenoberfläche 61b, mit der minimalen Querschnittsfläche in der Richtung orthogonal zu der Richtung, in welcher sich das Durchgangsloch 61c durch das Maskensubstrat 61 erstreckt, zwischen der ersten Maskenoberfläche 61a und der zweiten Maskenoberfläche 61b.
Mit anderen Worten umfasst das Durchgangsloch 61c eine erste Öffnung 51 bei der ersten Maskenoberfläche 61a, eine zweite Öffnung 52 bei der zweiten Maskenöffnung 61b und einen engen Abschnitt 53, der zwischen der ersten Öffnung 51 und der zweiten Öffnung 52 in der Dickenrichtung des Maskensubstrats 61 lokalisiert ist. In der Draufsicht zugewandt zu der ersten Maskenoberfläche 61a ist die erste Öffnung 51 schmäler als die zweite Öffnung 52. Die Form des Durchgangslochs 61c ermöglicht es, dass die Querschnitte von der ersten Öffnung 51 hin zu dem engen Abschnitt 53 und von der zweiten Öffnung 52 hin zu dem engen Abschnitt 53 abnehmen. Je geringer die Distanz zwischen der ersten Öffnung 51 und dem engen Abschnitt 53 ist, d. h. die Distanz zwischen der ersten Maskenoberfläche 61a und dem engen Abschnitt 53, desto höher wird die Evaluation.
Auch, wenn A die mittlere Dimension der ersten Öffnungen 51 in der Draufsicht zugewandt zu der ersten Maskenoberfläche 61a von der Metallmaske 60 darstellt und B den Wert darstellt, der durch Multiplizieren der Standardabweichung der Dimension mal drei erhalten ist, ist (B/A) × 100 (%) bevorzugt 10% oder weniger. Überdies, wenn A die mittlere Dimension der zweiten Öffnungen 52 in der Draufsicht zugewandt zu der zweiten Maskenoberfläche 61b der Metallmaske 60 darstellt, und B den Wert darstellt, der durch Multiplizieren der Standardabweichung der Dimension mal drei erhalten ist, ist (B/A) × 100 (%) bevorzugt 10% oder weniger.
Die Metallmaske 60 weist (B/A) × 100 (%) von 10% oder weniger auf, sodass die dimensionale Genauigkeit bei der ersten Öffnung 51 und bei der zweiten Öffnung 52 der Durchgangslöcher 61c der Metallmaske 60 hoch ist.
Die erste Oberfläche 11a des Metallmaskensubstrat 11 kann verschiedenen Behandlungen unterworfen werden, wie etwa Waschen vor dem Anhaften zu dem ersten Trockenfilmresist 12, unter der folgenden Voraussetzung. In diesem Fall bedeutet Voraussetzung, dass es die verschiedenen Behandlungen ermöglichen, dass jedes von der gerichteten Reflexion, der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa und der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz der ersten Maskenoberfläche 61a bei den gleichen Werten wie denen von der ersten Oberfläche 11a, d.h. der unbehandelten Oberfläche, beibehalten werden.
Die zweite Oberfläche 11b des Metallmaskensubstrat 11 kann verschiedenen Behandlungen unterworfen werden, wie etwa Waschen vor dem Anhaften zu dem zweiten Trockenfilmresist 13, unter der folgenden Voraussetzung. In diesem Fall bedeutet Voraussetzung, dass es die verschiedenen Behandlungen ermöglichen, dass jedes von der gerichteten Reflexion, der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa und der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz der zweiten Maskenoberfläche 61b bei den gleichen Werten wie denen von der zweiten Oberfläche 11b, d.h. der unbehandelten Oberfläche, beibehalten werden.
Wie in 14 gezeigt, sind die Mehrzahl an Durchgangslöchern 61c in dem Maskensubstrat 61 gebildet, die sich in der Dickenrichtung durch das Maskensubstrat 61 erstrecken, mit Öffnungen bei der ersten Maskenoberfläche 61a. Zum Beispiel sind in einer Draufsicht zugewandt zu der ersten Maskenoberfläche 61a die Mehrzahl an Durchgangslöchern 61c regelmäßig in eine Richtung entlang der ersten Maskenoberfläche 61a und in der Richtung orthogonal zu der einen Richtung angeordnet.
Mit dem Maskensubstrat 11 zur Verwendung beim Herstellen einer Metallmaske in dem zweiten Modus, wie oben beschrieben, umfasst ein Zwischenprodukt zum Bilden einer Metallmaske eine Metallschicht, eine Harzschicht und einen ersten Trockenfilmresist 12. Solch ein Zwischenprodukt zum Bilden einer Metallmaske kann einem Ätzen unter Verwendung des ersten Trockenfilmresists 12 als Maske unterworfen werden, während die Harzschicht durch Laserprozessierung oder dergleichen einer Perforation unterworfen werden kann.
Das Maskensubstrat 61 umfasst eine Metallschicht und eine Harzschicht. Solch ein Maskensubstrat 61 weist die oben beschriebene erste Maskenoberfläche 61a auf, während die Oberfläche auf der der ersten Maskenoberfläche 61a gegenüberliegenden Seite nicht aus Metall hergestellt ist, welche in der Harzschicht beinhaltet ist. Auch in solch einer Struktur wird bevorzugt eine zweite Öffnung 52 bei der ersten Maskenoberfläche 61a gebildet, und wird eine erste Öffnung 51 bei der Oberfläche, die in der Harzschicht beinhaltet ist, gebildet.
Mit dem Metallmaskensubstrat 11 zur Verwendung im Herstellen einer Metallmaske in dem dritten Modus, wie oben beschrieben, umfasst das Zwischenprodukt zum Bilden einer Metallmaske eine Harzschicht, zwei Metallschichten, die die Harzschicht sandwichen, und zwei Trockenfilmresiste 12 und 14. Solch ein Zwischenprodukt zum Bilden einer Metallmaske kann einem Ätzen unter Verwendung von jedem der Trockenfilmresiste 12 und 14 als Maske unterworfen werden und zusätzlich dazu kann die Harzschicht durch Laserprozessieren oder dergleichen einer Perforation unterworfen werden.
Das Maskensubstrat 61 umfasst eine Harzschicht und zwei Metallschichten, die die Harzschicht sandwichen. In solch einem Maskensubstrat 61 ist die oben beschriebene erste Maskenoberfläche 61a in einer der Metallschichten beinhaltet, und die zweite Maskenoberfläche 61b ist in einer anderen der Metallschichten beinhaltet. Die Durchgangslöcher 61c erstrecken sich durch die Harzschicht und die zwei Metallschichten.
<Beispiele>
Mit Bezug zu 15 zu 22 werden nachfolgend Beispiele beschrieben. Hiernach wird ein Metallmaskensubstrat, das eine Metallschicht umfasst, als ein Beispiel beschrieben.
<Messung von Reflexion>
<Minimum von gerichteter Reflexion>
Die Reflexion in jedem der Metallmaskensubstrate in den Beispielen 1 bis 4 und Vergleichsbeispiel 1 wurde durch das folgende Messverfahren gemessen.
Jedes der Metallmaskensubstrate in den Beispielen 1 bis 4 und Vergleichsbeispiel 1 wurde erhalten durch Anfertigen einer Rohplatte eines Metallmaskensubstrats mit einer Breite von 430 mm und Ausschneiden eines Teils von der Rohplatte in einer Länge von 500 mm. Das Metallmaskensubstrat hatte eine Dicke von 20 µm und was aus Invar gebildet.
Von dem herausgeschnittenen Metallmaskensubstrat wurde ein Probekörper, der das Zentrum in der Breitenrichtung und das Zentrum in der Walzrichtung beinhaltet, angefertigt, mit einer Quadratplattenform mit einer Länge in der Breitenrichtung des Metallmaskensubstrats von 5 cm und einer Länge in der Walzrichtung von 5 cm.
Jeder der Probekörper wurde in den automatisierten Goniophotometer (GP-200 hergestellt von Murakami Research Laboratory Co., Ltd.) angeordnet, und die Reflexion wurde für das einfallende Licht bei einem Winkel von 45° ±0,2° relativ zu der Normalenrichtung der Messoberfläche des Probekörpers berechnet. Die Reflexionen wurden bei jedem von drei Messpunkten für einen Probekörper basierend auf dem oben beschriebenen Ausdruck (1) berechnet.
Bei dieser Gelegenheit wurde eine Region mit einem Durchmesser von 14 mm in einem Probekörper einem Licht ausgesetzt, und das reflektierte Licht wurde durch eine Empfangsoberfläche mit einem Durchmesser von 11,4 mm eines Empfangsteils empfangen. Der Empfangsteil empfing reflektiertes Licht mit einem Emissionswinkel in dem Bereich von 0° bis 90° bei Intervallen von 0,1°. Jeder der Probekörper wurde in den automatisierten Goniophotometer angeordnet, sodass die Erstreckungsrichtung der Rotationsachse A des Empfangsteils als parallel mit der Walzrichtung des Metallmaskensubstrats angesehen wurde, oder zum Beispiel so, dass der Winkel, der zwischen der Erstreckungsrichtung der Rotationsachse A des Empfangsteils und der Walzrichtung des Metallmaskensubstrats gebildet wird, innerhalb ±2° wurde.
Eine Halogenlampe wurde als Lichtquelle verwendet und das Empfangsteil zur Verwendung beinhaltete einen Seite-Typ Photomultiplier-Röhre als Lichtempfangsvorrichtung.
Jeder der Probekörper hatte drei unterschiedliche Messpunkte, d. h. einen ersten Messpunkt, einen zweiten Messpunkt und einen dritten Messpunkt, die sich voneinander unterscheiden, und die gerichtete Reflexion bei jedem von den ersten bis dritten Messpunkten ist in Tabelle 1 gezeigt. In jedem der Probekörper war der erste Messpunkt ein Abschnitt, der in dem Zentrum des Probekörpers beinhaltet ist, und der zweite Messpunkt und der dritte Messpunkt unterschieden sich vom ersten Messpunkt und überlappen nicht miteinander.

[Tabelle 1]

	Reflexion (%)
	Erster Messpunkt	Zweiter Messpunkt	Dritter Messpunkt	Minimum
Beispiel 1	62,6	54,4	60,2	54,4
Beispiel 2	48,5	45,2	49,8	45,2
Beispiel 3	73,3	64,4	54,0	54,0
Beispiel 4	83,2	74,0	85,8	74,0
Vergleichsbeispiel 1	25,8	25,4	30,0	25,4

Wie in Tabelle 1 gezeigt, wurde herausgefunden, dass im Beispiel 1 die Reflexion bei dem ersten Messpunkt 62,6% war, bei dem zweiten Messpunkt 54,4% war, und bei dem dritten Messpunkt 60,2% war. Mit anderen Worten wurde herausgefunden, dass das Minimum der gerichteten Reflexion in Beispiel 1 54,4% war.
Es wurde herausgefunden, dass im Beispiel 2 die Reflexion bei dem ersten Messpunkt 48,5% war, bei dem zweiten Messpunkt 45,2% war, und bei dem dritten Messpunkt 49,8% war. Mit anderen Worten wurde herausgefunden, dass das Minimum der gerichteten Reflexion im Beispiel 2 45,2% war.
Es wurde herausgefunden, dass im Beispiel 3 die Reflexion bei dem ersten Messpunkt 73,3% war, bei dem zweiten Messpunkt 64,4% war, und bei dem dritten Messpunkt 54,0% war. Mit anderen Worten wurde herausgefunden, dass im das Minimum der gerichteten Reflexion Beispiel 3 54,0% war.
Es wurde herausgefunden, dass im Beispiel 4 die Reflexion bei dem ersten Messpunkt 83,2% war, bei dem zweiten Messpunkt 74,0% war, und bei dem dritten Messpunkt 85,8% war. Mit anderen Worten wurde herausgefunden, dass im das Minimum der gerichteten Reflexion Beispiel 474,0% war.
Es wurde herausgefunden, dass im Vergleichsbeispiel 1 die Reflexion bei dem ersten Messpunkt 25,8% war, bei dem zweiten Messpunkt 25,4% war, und bei dem dritten Messpunkt 30,0% war. Mit anderen Worten wurde herausgefunden, dass das Minimum der gerichteten Reflexion im Vergleichsbeispiel 1 25,4% war.
<Differenz zwischen erster Reflexion und zweiter Reflexion>
Von jedem der Metallmaskensubstrate in Beispiel 5 und Vergleichsbeispiel 2 wurden vier Platten von Probekörpern angefertigt. In der gleichen Weise wie in Beispiel 1 wurden jedes der Metallmaskensubstrate in Beispiel 5 und Vergleichsbeispiel 2 durch Anfertigen einer Rohplatte eines Metallmaskensubstrats mit einer Breite von 430 mm und Herausschneiden eines Teils von der Rohplatte in eine Länge von 500 mm erhalten. Von jeder von vier willkürlichen Positionen in dem herausgeschnittenen Metallmaskensubtrat wurde ein Probekörper herausgeschnitten. Jeder der Probenkörper hatte eine Quadratplattenform mit einer Länge in der Breitenrichtung des Metallmaskensubstrats von 5 cm und eine Länge in der Walzrichtung von 5 cm, in der gleichen Weise wie in Beispiel 1.
Zum Berechnen der Reflexion wurde jeder der Probekörper in den automatisierten Goniophotometer angeordnet, sodass die Erstreckungsrichtung der Rotationsachse A des Empfangsteils als parallel mit der Walzrichtung des Metallmaskensubstrats angesehen wurde, oder zum Beispiel so, dass der Winkel, der zwischen der Erstreckungsrichtung der Rotationsachse A des Empfangsteils und der Walzrichtung des Metallmaskensubstrats gebildet wird, innerhalb ±2° war. Mit anderen Worten wurde die erste Reflexion als die Reflexion in einer ersten Ebene orthogonal zu der Oberfläche des Metallmaskensubstrats und orthogonal zu der Walzrichtung berechnet.
Jeder der Probekörper wurde in dem automatisierten Goniophotometer angeordnet, sodass die Erstreckungsrichtung der Rotationsachse A des Empfangsteils als parallel mit der Breitenrichtung des Metallmaskensubstrats angesehen wird, oder zum Beispiel so, dass der Winkel, der zwischen der Erstreckungsrichtung der Rotationsachse A des Empfangsteils und der Breitenrichtung des Metallmaskensubstrats gebildet wird, innerhalb ±2° war. Mit anderen Worten wurde die zweite Reflexion als die Reflexion in einer zweiten Ebene orthogonal zu der Oberfläche des Metallmaskensubstrats und orthogonal zu der Breitenrichtung berechnet.
Das zu jedem der Probekörper einfallende Licht wurde unter den gleichen Bedingungen, wie oben beschriebenen, bereitgestellt. Bei sowohl den Berechnungen der ersten Reflexion als auch der zweiten Reflexion wurde das Zentrum von jedem der Probenkörper einem Licht ausgesetzt. Für jeden der Probenkörper wurde die Reflexion bei einer Region, die einem Licht ausgesetzt wird, basierend auf dem oben beschriebenen Ausdruck (1) berechnet.
Die erste Reflexion und die zweite Reflexion für jeden der Probenkörper waren die in Tabelle 2 gezeigten Werte.

[Tabelle 2]

Beispiel 5	Reflexion (%)	Probekörper 1	Probekörper 2	Probekörper 3	Probekörper 4	Minimum
Beispiel 5	Erste Reflexion	75,9	56,1	62,8	64,8	56,1
	Zweite Reflexion	77,8	67,9	73,0	78,5	67,9
	Differenz	1,9	11,8	10,2	13,7
Vergleichsbeispiel 2	Reflexion (%)	Probekörper 1	Probekörper 2	Probekörper 3	Probekörper 4	Minimum
	Erste Reflexion	30,1	33,3	33,1	34,0	30,1
	Zweite Reflexion	31,4	29,5	32,8	31,7	29,5
	Differenz	1,3	-3,8	-0,3	-2,3

Wie in Tabelle 2 gezeigt, wurde herausgefunden, dass im Beispiel 5 der Probekörper 1 eine erste Reflexion von 75,9% und eine zweite Reflexion von 77,8% hatte, und der Probekörper 2 eine erste Reflexion von 56,1% und eine zweite Reflexion von 67,9% hatte. Es wurde herausgefunden, dass der Probekörper 3 eine erste Reflexion von 62,8% und eine zweite Reflexion von 73,0% hatte, und dass der Probekörper 4 eine erste Reflexion von 64,8% und eine zweite Reflexion von 78,5% hatte.
Es wurde herausgefunden, dass die Differenz, die durch Abziehen der ersten Reflexion von der zweiten Reflexion erhalten wird, in dem Probekörper 1 1,9% war, in dem Probekörper 2 11,8% war, in dem Probekörper 3 10,2% war und in dem Probekörper 4 13,7% war. Mit anderen Worten wurde herausgefunden, dass im Beispiel 5 die zweite Reflexion größer war als die erste Reflexion. Es wurde auch herausgefunden, dass im Beispiel 5 ein Abschnitt mit einer Differenz von 10,2% oder mehr beinhaltet war, die durch Abziehen der ersten Reflexion von der zweiten Reflexion erhalten wird.
Es wurde herausgefunden, dass im Vergleichsbeispiel 2 der Probekörper 1 eine erste Reflexion von 30,1% und eine zweite Reflexion von 31,4% hatte, und der Probekörper 2 eine erste Reflexion von 33,3% und eine zweite Reflexion von 29,5% hat. Es wurde herausgefunden, dass der Probekörper 3 eine erste Reflexion von 33,1% und eine zweite Reflexion von 32,8% hatte, und dass der Probekörper 4 eine erste Reflexion von 34,0% und eine zweite Reflexion von 31,7% hatte.
Es wurde herausgefunden, dass die Differenz, die durch Abziehen der ersten Reflexion von der zweiten Reflexion erhalten wird, in dem Probekörper 1 1,3% war, in dem Probekörper 2 -3,8% war, in dem Probekörper 3 -0,3% war und in dem Probekörper 4 -2,3% war. Mit anderen Worten wurde herausgefunden, dass im Vergleichsbeispiel 2 ein Abschnitt, in welchem die zweite Reflexion größer war als die erste Reflexion, und ein Abschnitt, in welchem die zweite Reflexion kleiner war als die erste Reflexion, beinhaltet waren. Es wurde auch herausgefunden, dass jeder Abschnitt, der im Vergleichsbeispiel 2 beinhaltet war, eine geringere Differenz, die durch Abziehen der ersten Reflexion von der zweiten Reflexion erhalten wird, als im Beispiel 5 hatte.
<Messung der Oberflächenrauheit>
Die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sa und die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sz von jedem der Metallmaskensubstrate in den Beispielen 1 und 4 und Vergleichsbeispiel 1 wurde durch das folgende Messverfahren gemessen.
Unter Verwendung eines Formmesslasermikroskops mit einer Objektlinse mit einer Vergrößerung von 50x (VK-X210, hergestellt von Keyence Corporation) wurden die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sa und die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sz gemessen. Als die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sa und die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sz wurden die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sa und die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sz von einer Oberfläche mit einer Breite von ungefähr 280 µm in eine Richtung und einer Breite von ungefähr 220 µm in der Richtung orthogonal zu der einen Richtung gemessen.
Die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sa und die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sz wurden in der Richtung gemäß ISO 25178 gemessen.
Die Metallmaskensubstrate in den Beispielen 1 bis 4 und Vergleichsbeispiel 1 wurden durch Anfertigen einer Rohplatte von einem Metallmaskensubstrat mit einer Breite von 430 mm und Herausschneiden eines Teils von der Rohplatte in einer Länge von 500 mm in der gleichen Weise wie beim Messen der Reflexion erhalten.
Von drei sich voneinander unterscheidenden Stellen von jedem der Metallmaskensubstrate in den Beispielen 1 bis 4 und Vergleichsbeispiel 1 wurden jeweils Probekörper herausgeschnitten, um sie der Messung der Oberflächenrauheit zu unterwerfen. Jeder der Probekörper hatte eine rechtwinklige Form mit einer Länge in der Walzrichtung des Metallmaskensubstrats von 20 mm und einer Länge in der Breitenrichtung des Metallmaskensubstrats von 30 mm.
Die zwei Enden eines Metallmaskensubstrats in der Walzrichtung wurden als ein erstes Ende und ein zweites Ende definiert. Die zwei Enden eines Metallmaskensubstrats in der Breitenrichtung wurden als ein drittes Ende und ein viertes Ende definiert. Drei Probekörper wurden von den folgenden Positionen eines Metallmaskensubstrats herausgeschnitten.
Spezifisch wurde ein Probekörper 1 bei einer Position 100 mm weg von dem ersten Ende und 200 mm weg von dem dritten Ende herausgeschnitten. Ein zweiter Probekörper 2 wurde bei der Position 100 mm weg von dem zweiten Ende und 70 mm weg von der dritten Position herausgeschnitten. Ein Probekörper 3 wurde bei einer Position 100 mm weg von dem zweiten und 70 mm weg von dem vierten Ende herausgeschnitten.
Die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sa und die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sz wurden bei fünf Messpunkten von jedem der Probekörper gemessen. Die fünf Messpunkte beinhalteten einen Punkt bei dem Zentrum und vier Punkte bei der Peripherie um den einen Punkt von jedem der Probekörper. Die vier Punkte bei der Peripherie von jedem der Probekörper waren auf Diagonallinien des Probekörpers positioniert und die Distanz zwischen dem einen Punkt bei dem Zentrum und jedem der Punkte bei der Peripherie war auf 10 mm eingestellt.
In jedem von Beispielen 1 bis 4 und Vergleichsbeispiel 1 waren das Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa und das Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz von jedem der Probekörper die in Tabelle 3 gezeigten Werte.

[Tabelle 3]

		Sa	Sz
Beispiel 1	Probekörper 1	0,09	2,83
	Probekörper 2	0,08	2,63
	Probekörper 3	0,09	3,17
Beispiel 2	Probekörper 1	0,10	2,93
	Probekörper 2	0,11	2,84
	Probekörper 3	0,10	2,96
Beispiel 3	Probekörper 1	0,07	1,88
	Probekörper 2	0,07	1,56
	Probekörper 3	0,06	1,90
Beispiel 4	Probekörper 1	0,08	2,06
	Probekörper 2	0,06	1,41
	Probekörper 3	0,06	1,56
Vergleichsbeispiel 1	Probekörper 1	0,14	5,10
	Probekörper 2	0,13	5,78
	Probekörper 3	0,16	5,10

Wie in Tabelle 3 gezeigt, wurde herausgefunden, dass der Probekörper 1 in Beispiel 1 ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa von 0,09 µm und ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz von 2,83 µm hatte. Es wurde herausgefunden, dass der Probekörper 2 ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa von 0,08 µm und ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz von 2,63 µm hatte; und der Probekörper 3 ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa von 0,09 µm und ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz von 3,17 µm hatte. Mit anderen Worten wurde herausgefunden, dass im Beispiel 1 das Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa 0,09 µm und das Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz 3,17 µm waren.
Es wurde herausgefunden, dass der Probekörper 1 in Beispiel 2 ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa von 0,10 µm und ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz von 2,93 µm hatte. Es wurde herausgefunden, dass der Probekörper 2 ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa von 0,11 µm und ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz von 2,84 µm hatte; und der Probekörper 3 ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa von 0,10 µm und ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz von 2,96 µm hatte. Mit anderen Worten wurde herausgefunden, dass im Beispiel 2 das Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa 0,11 µm und das Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz 2,96 µm waren.
Es wurde herausgefunden, dass der Probekörper 1 in Beispiel 3 ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa von 0,07 µm und ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz von 1,88 µm hatte. Es wurde herausgefunden, dass der Probekörper 2 ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa von 0,07 µm und ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz von 1,56 µm hatte; und der Probekörper 3 ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa von 0,06 µm und ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz von 1,90 hatte. Mit anderen Worten wurde herausgefunden, dass im Beispiel 3 das Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa 0,07 µm und das Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz 1,90 µm waren.
Es wurde herausgefunden, dass der Probekörper 1 in Beispiel 4 ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa von 0,08 µm und ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz von 2,06 µm hatte. Es wurde herausgefunden, dass der Probekörper 2 ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa von 0,06 µm und ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz von 1,41 µm hatte; und der Probekörper 3 ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa von 0,06 µm und ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz von 1,56 µm hatte. Mit anderen Worten wurde herausgefunden, dass im Beispiel 4 das Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa 0,08 µm und das Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz 2,06 µm waren.
Es wurde herausgefunden, dass der Probekörper 1 in Vergleichsbeispiel 1 ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa von 0,14 µm und ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz von 5,10 µm hatte. Es wurde herausgefunden, dass der Probekörper 2 ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa von 0,13 µm und ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz von 5,78 µm hatte; und der Probekörper 3 ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa von 0,16 µm und ein Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz von 5,10 µm hatte. Mit anderen Worten wurde herausgefunden, dass im Beispiel 3 das Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa 0,16 µm und das Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz 5,10 µm waren.
<Evalution>
In dem Schritt des Herstellens einer Metallmaske von dem Metallmaskensubstrat in Beispiel 1 wurden erste Aushöhlungen der ersten Oberfläche gebildet. Die erste Oberfläche wurde dann mit Licht bestrahlt. 15 ist ein Bild, dass das fotografierte reflektierte Licht zeigt, das von der ersten Oberfläche reflektiert wird.
In dem Schritt zum Herstellen einer Metallmaske von dem Metallmaskensubstrat in Vergleichsbeispiel 1 wurden erste Aushöhlungen in der ersten Oberfläche gebildet. Die erste Oberfläche wurde dann mit Licht bestrahlt. 16 ist ein Bild, das das fotografierte reflektierte Licht zeigt, das von der ersten Oberfläche reflektiert wird.
Wie in 15 gezeigt, ermöglicht das Metallmaskensubstrat 11 im Beispiel 1 das Erhöhen des Anhaftens zwischen dem Metallmaskensubstrat 11 und dem ersten Trockenfilmresist 12. Es wurde daher herausgefunden, dass die Größe der Öffnung von jeder der ersten Aushöhlungen 11c1 bei der ersten Oberfläche 11a ungefähr gleich zu der Größe der Öffnung von allen anderen ersten Aushöhlungen 11c1 war, in der Draufsicht zugewandt zu der ersten Oberfläche 11a.
Andererseits wurde, wie in 16 gezeigt, herausgefunden, dass in der Draufsicht zugewandt zu der Metallschichtoberfläche 71a des Metallmaskensubstrats im Vergleichsbeispiel 1 die Größe der Öffnung von einer Mehrzahl der ersten Aushöhlungen 71c1 stark variierte.
Der Durchmesser der vierundzwanzig Teile der ersten Aushöhlungen von jedem der Metallmaskensubstrate im Beispiel 1 und Vergleichsbeispiel 1 wurde gemessen. Im Beispiel 1 wurden unter den in 15 gezeigten ersten Aushöhlungen 11c1 die ersten Aushöhlungen 11c1, die in der Region beinhaltet sind, die durch die Zweipunktkettenlinien umrandet sind, der Messung des Durchmessers unterworfen. Im Vergleichsbeispiel 1 wurden unter den 16 gezeigten ersten Aushöhlungen 71c1 die ersten Aushöhlungen 71c1, die in der Region beinhaltet waren, die durch die Zweipunktkettenlinien umrandet sind, der Messung des Durchmessers unterworfen.
Auch wurde jede der ersten Aushöhlungen der Messung eines ersten Durchmessers, d. h. der Durchmesser in der orhtogonalen Richtung auf der Seite, und eines zweiten Durchmessers, d. h. der Durchmesser in der horizontalen Richtung auf der Seite, unterworfen. Das Mittel von dem ersten Durchmesser und dem zweiten Durchmesser, d. h. der mittlere Durchmesser, von jeder der ersten Aushöhlungen wurde dann berechnet. Der erste Durchmesser, der zweite Durchmesser und der mittlere Durchmesser in Beispiel 1, und der erste Durchmesser, der zweite Durchmesser und der mittlere Durchmesser in Vergleichsbeispiel 1 waren wie in Tabelle 4 gezeigt.

[Tabelle 4]

	Beispiel 1			Vergleichsbeispiel 1
Zahl	Erster Durchmesser	Zweiter Durchmesser	Mittlerer Durchmesser	Erster Durchmesser	Zweiter Durchmesser	Mittlerer Durchmesser
1	48,8	49,2	49,0	46,8	53,2	50,0
2	50,4	48,0	49,2	64,1	65,7	64,9
3	48,8	49,2	49,0	55,2	52,8	54,0
4	50,4	50,0	50,2	53,2	53,6	53,4
5	47,2	48,4	47,8	56,5	57,7	57,1
6	47,6	48,0	47,8	48,4	53,2	50,8
7	50,8	47,2	49,0	46,8	50,8	48,8
8	51,2	48,8	50,0	49,6	56,5	53,0
9	48,8	49,2	49,0	64,5	60,5	62,5
10	47,2	47,2	47,2	52,4	50,8	51,6
11	51,2	48,0	49,6	55,2	57,3	56,3
12	49,2	49,2	49,2	55,2	54,8	55,0
13	48,8	48,4	48,6	52,4	48,4	50,4
14	47,6	49,2	48,4	50,8	52,4	51,6
15	49,2	49,2	49,2	59,3	57,3	58,3
16	49,6	49,2	49,4	60,5	62,5	61,5
17	47,2	46,8	47,0	50,4	49,2	49,8
18	50,4	49,6	50,0	47,6	47,6	47,6
19	49,6	51,2	50,4	54,8	58,5	56,7
20	50,4	48,4	49,4	45,2	52,8	49,0
21	47,6	49,2	48,4	44,4	47,6	46,0
22	47,2	47,2	47,2	52,4	50,4	51,4
23	49,2	50,8	50,0	53,2	51,6	52,4
24	50,4	48,8	49,6	49,2	48,4	48,8
Mittel	49,1	48,8	48,9	52,8	53,9	53,4
Maximum	51,2	51,2	50,4	64,5	65,7	64,9
Minimum	47,2	46,8	47,0	44,4	47,6	46,0
Standardabweichung	1,34	1,07	0,96	5,34	4,69	4,75

Wie in Tabelle 4 gezeigt, wurde herausgefunden, dass der mittlere Durchmesser der ersten Aushöhlungen 11c1 in Beispiel 1 47,0 µm oder mehr und 50,4 µm oder weniger war, und dass der mittlere Durchmesser der ersten Aushöhlungen 71c1 in Vergleichsbeispiel 1 46,0 µm oder mehr und 64,9 µm oder weniger war.
Im Beispiel 1, wobei A den mittleren Durchmesser der ersten Aushöhlungen 11c1 bei Öffnungen in der Draufsicht zugewandt zu der Oberfläche des Metallmaskensubstrats 11 darstellt, und B den Wert darstellt, der durch Multiplizieren der Standardabweichung des Durchmessers mal drei erhalten ist, wurde (B/A) × 100 (%) berechnet. Es wurde herausgefunden, dass der erste Durchmesser (B/A) × 100 (%) von 8,2% hatte, der zweite Durchmesser (B/A) × 100 (%) von 6,6% hatte und der mittlere Durchmesser (B/A) × 100 (%) von 5,9% hatte.
Im Vergleichsbeispiel 1 wurde (B/A) × 100 (%) berechnet, wobei A den mittleren Durchmesser der ersten Aushöhlungen 71c1 bei einer Öffnung in der Draufsicht zugewandt zu der Metallschichtoberfläche 71a darstellt, und B den Wert darstellt, der durch Multiplizieren der Standardabweichung des Durchmessers mal drei erhalten ist, wie im Beispiel 1. Es wurde herausgefunden, dass der erste Durchmesser (B/A) × 100 (%) von 30,3%, der zweite Durchmesser (B/A) × 100 (%) von 26,1% hatte, und der mittlere Durchmesser (B/A) × 100 (%) von 26,7% hatte.
Da (B/A) × 100 (%) in Beispiel 1 8,2% oder weniger war, d. h. 10% oder weniger, wurde herausgefunden, dass nicht nur die Öffnung der ersten Aushöhlungen 11c1 des Metallmaskensubstrats 11, sondern auch der Durchmesser bei der Öffnung der Durchgangslöcher der Metallmaske eine hohe dimensionale Genauigkeit hatte. Im Gegensatz dazu war (B/A) × 100 (%) im Vergleichsbeispiel 1 30,3% oder weniger. Es wurde daher herausgefunden, dass die dimensionale Genauigkeit von nicht nur der Öffnung der ersten Aushöhlungen 11c1 des Metallmaskensubstrats 11, sondern auch der Durchmesser bei der Öffnung der Durchgangslöcher der Metallmaske in Beispiel 1 verglichen mit Vergleichsbeispiel 1 stark verbessert war.
Auch wurde im Beispiel 1 und im Vergleichsbeispiel 1 ein Histogramm, dass die Frequenz des mittleren Durchmessers der ersten Aushöhlungen bei Intervallen von 2 µm zeigt, und ein Histogramm bei Intervallen von 1 µm gemacht.
Wie in 17 und 18 gezeigt, wurde herausgefunden, dass im Beispiel 1 die Frequenz des mittleren Durchmessers der ersten Aushöhlungen bei 50 µm am höchsten war. Auch wurde, wie in 19 und 20 gezeigt, herausgefunden, dass die Differenz in der Frequenz von jedem der mittleren Durchmesserwerte im Vergleichsbeispiel 1 geringer war als im Beispiel 1.
Es wurde daher herausgefunden, dass das Metallmaskensubstrat 11 im Beispiel 1 es ermöglichte, dass das Anhaften zwischen dem Metallmaskensubstrat 11 und dem ersten Trockenfilmresist 12 erhöht wird, sodass jede der ersten Aushöhlungen 11c1 mit einer hohen Formgenauigkeit gebildet war. Andererseits wurde herausgefunden, dass das Metallmaskensubstrat im Vergleichsbeispiel 1 ein niedriges Anhaften zwischen dem Metallmaskensubstrat und dem Trockenfilmresist hatte, sodass eine Mehrzahl der ersten Aushöhlungen 71c1 eine geringe Formgenauigkeit hatte.
Es wurde heraufgefunden, dass in jedem von den Beispielen 2 bis 5 eine Form äquivalent zu den Formen von den in 15 gezeigten ersten Aushöhlungen erhalten wurde. Mit anderen Worten wurde herausgefunden, dass, solange eine Oberfläche des Metallmaskensubstrats 11 eine gerichtete Reflexion von 45,2% oder mehr hatte, das Anhaften zwischen der Metallschicht 21 und dem ersten Trockenfilmresist 12 erhöht war.
Auch wurde beim Bilden der zweiten Aushöhlungen 11c2 in der zweiten Oberfläche 11b des Metallmaskensubstrats 11, solange die gerichtete Reflexion bei der zweiten Oberfläche 11b in dem oben beschriebenen Bereich war, die folgende Tendenz gefunden. Spezifisch wurde wie beim Bilden der ersten Aushöhlungen 11c1 in der ersten Oberfläche 11a von dem Metallmaskensubstrat 11 die Tendenz zum Erhöhen des Anhaftens zwischen dem Metallmaskensubstrat 11 und dem zweiten Trockenfilmresist 13 gefunden.
<Korrelation zwischen Reflexion und Oberflächenrauheit>
<Reflexion und dreidimensionale Oberflächenrauheit Sa>
Die Korrelation zwischen dem Minimum der gerichteten Reflexion und dem Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa ist nachfolgend als die Ergebnisse von Regressionsanalyse gezeigt. Bei der Regressionsanalyse wurden die Messergebnisse in den Beispielen 1 bis 4 und Vergleichsbeispiel 1 verwendet. Mit der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa als erklärende Variable und mit der gerichteten Reflexion als abhängige Variable wurde die Regressionsgleichung zwischen dem Minimum der gerichteten Reflexion und dem Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa unter Verwendung der Methode der kleinsten Quadrate berechnet.
Wie in 21 gezeigt, war die Regressionsgleichung durch y = 433,52x + 95,669 dargestellt, und es wurde gefunden, dass der Koeffizient der Determinante R² 0,7492 war. Mit anderen Worten wurde eine starke Korrelation zwischen dem Minimum der gerichteten Reflexion und dem Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa gefunden.
<Reflexion und dreidimensionale Oberflächenrauheit Sz>
Die Korrelation zwischen dem Minimum der gerichteter Reflexion und dem Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz ist nachfolgend als die Ergebnisse von Regressionsanalyse gezeigt. Bei der Regressionsanalyse wurden die Messergebnisse in den Beispielen 1 bis 4 und Vergleichsbeispiel 1 verwendet. Mit der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz als erklärende Variable und mit der gerichteten Reflexion als abhängige Variable wurde die Regressionsgleichung zwischen dem Minimum der gerichteten Reflexion und dem Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa unter Verwendung der Methode der kleinsten Quadrate berechnet.
Wie in 22 gezeigt, war die Regressionsgleichung durch y = -9,7715x + 81,597 dargestellt, und es wurde gefunden, dass es der Koeffizient der Determinante R² 0,7505 war. Mit anderen Worten wurde eine starke Korrelation zwischen dem Minimum der gerichteten Reflexion und dem Maximum der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz gefunden.
Wie oben beschrieben, wurde herausgefunden, dass die gerichtete Reflexion negative Korrelationen mit jeder von der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa und der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz hatte. Es wurde auch herausgefunden, dass, solange die gerichtete Reflexion 45,2% oder mehr war, beide von den Werten der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa und der dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sz es ermöglichten, dass das Anhaften bei der Grenzfläche zwischen dem Trockenfilmresist und dem Metallmaskensubstrat für einen Trockenfilmresist erhöht wird. Mit anderen Worten wurde herausgefunden, dass, wenn die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sa abnimmt, die gerichtete Reflexion zunimmt; und dass, wenn die dreidimenstionale Oberflächenrauheit Sz abnimmt, die gerichtete Reflexion zunimmt.
Demgemäß, um das Anhaften bei der Grenzfläche zwischen dem Trockenfilmresist und dem Metallmaskensubstrat für einen Trockenfilmresist zu erhöhen, kann der Oberflächenzustand des Metallmaskensubstrats für einen Trockenfilmresist durch die gemessenen Werte der gerichteten Reflexion kontrolliert werden.
Wie oben beschrieben, werden durch die Ausführungsform eines Metallmaskensubstrats für einen Trockenfilmresists, ein Verfahren zum Kontrollieren von Metallmaskensubstraten für einen Trockenfilmresist, eine Metallmaske und ein Verfahren zum Herstellen von Metallmasken die nachfolgend aufgelisteten Vorteile erhalten.

(1) Das einfallende Licht zu der ersten Oberfläche 11a weist eine gerichtete Reflexion von 45,2% oder mehr auf, sodass das Anhaften bei der Grenzfläche zwischen der ersten Oberfläche 11a des Metallmaskensubtrats 11 und dem ersten Trockenfirmresists 12 erhöht ist.
(2) Die relativ geringe Reflexion von den zwei Reflexionen, die bei der ersten Oberfläche 11a erhalten werden, ist 45,2% oder mehr, sodass das Anhaften bei der Grenzfläche zwischen der ersten Oberfläche 11a des Metallmaskensubstrats 11 und dem ersten Trockenfilmresist 12 stärker verbessert wird.
(3) Die erste Oberfläche 11a beinhaltet einen Abschnitt, der die zweite Reflexion um 10,2% oder mehr größer als die erste Reflexion aufweist, sodass das Anhaften bei der Grenzfläche zwischen der ersten Oberfläche 11a und dem Trockenfilmresist 12 noch einfacher erhöht wird.
(4) Mit einer gerichteten Reflexion von 45,2% oder mehr bei der Oberfläche des Metallmaskensubstrats 11 ist die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sa 0,11 µm oder weniger und ist die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sz 3,17 µm oder weniger, sodass das Anhaften bei der Grenzfläche zwischen dem ersten Trockenfilmresist 12 und der ersten Oberfläche 11a zuverlässiger erhöht wird.
(5) In dem ersten Modus und dem dritten Modus sind das Anhaften zwischen der ersten Oberfläche 11a und dem ersten Trockenfilmresist 12 und das Anhaften zwischen der zweiten Oberfläche 11b und den zweiten Trockenfilmresisten 13 und 14 erhöht, sodass die Prozessierungsgenauigkeit beim Ätzen der ersten Oberfläche 11a und der zweiten Oberfläche 11b verbessert ist.
(6) Der lineare Ausdehnungskoeffizient von einem Glassubstrat ist nahezu äquivalent zu dem linearen Ausdehnungskoeffizienten von Invar, sodass eine Metallmaske 60, die aus dem Metallmaskensubstrat 11 gebildet ist, zur Filmbildung auf ein Glassubstrat aufgewandt werden kann. Mit anderen Worten kann eine Metallmaske 60 mit verbesserter Formgenauigkeit zur Filmbildung auf ein Glassubstrat aufgewandt werden.

Die oben beschriebene Ausführungsform kann geeignet wie folgt modifiziert werden.
Das Material zum Bilden der Metallschicht 21 kann ein anderes als Invar sein, solange das Metall reines Metall oder eine Legierung mit einer Oberfläche mit metallischem Glanz ist. In dem Fall der Metallschicht 21, die aus einem anderen Material als Invar hergestellt ist, kann die Harzschicht in Kontakt mit der Metallschicht 21 aus Harz gebildet sein, das eine Differenz im linearen Ausdehnungskoeffizienten zwischen dem Material zum Bilden der Metallschicht 21 und dem Harz aufweist, die geringer ist als die Differenz im linearen Ausdehnungskoesffizienten zwischen dem Material zum Bilden der Metallschicht 21 und Polyimid.
Die Metallschichten 21 und 23 können eine zweite Oberfläche 11b aufweisen, bei welcher die zweite Reflexion größer als die erste Reflexion ist, wobei die erste Reflexion 45,2% oder mehr ist. Mit solch einer Struktur erzielt die zweite Oberfläche 11b die ähnlichen Vorteile wie die erste Oberfläche 11a der Metallschicht 21 mit der zweiten Reflexion, die größer ist als die erste Reflexion, wobei die erste Reflexion 45,2% oder mehr ist.
Die zweite Oberfläche 11b kann einen Abschnitt beinhalten, der eine Differenz, die durch Abziehen der ersten Reflexion von der zweiten Reflexion erhalten wird, von 10,2% oder mehr aufweist. Mit solch einer Struktur erzielt die zweite Oberfläche 11b den ähnlichen Vorteil wie die erste Oberfläche 11a, die einen Abschnitt beinhaltet, der eine Differenz, die durch Abziehen der ersten Reflexion von der zweiten Reflexion erhalten wird, von 10,2% oder mehr aufweist.
Die Metallschichten 21 und 23 können eine gerichtete Reflexion von weniger als 45,2% bei der zweiten Oberfläche 11b aufweisen. Selbst solch eine Struktur erhöht das Anhaften zwischen der Metallschicht 21 und dem ersten Trockenfilmresist 12 bei zumindest der ersten Oberfläche 11a.
Wie oben beschrieben, ist die Messregion der dreidimensionalen Oberflächenrauheit signifikant geringer als die Messregion der Reflexion. Unter dem Gesichtspunkt des Erhöhens des Anhaftens zwischen der Oberfläche des Metallmaskensubstrats und des Trockenfilmresists in einem mikroskopischen Bereich korrespondierend zu der Größe einer Messregion der dreidimensionalen Oberflächenrauheit ist es effektiv, eine dreidimensionale Oberflächenrauheit Sz von 3,17 µm oder weniger aufzuweisen. Es ist auch effektiv, eine dreidimensionale Oberflächenrauheit Sa von 0,11 µm oder weniger aufzuweisen. Allerdings wird unter dem Gesichtspunkt des makroskopischen Erhöhens des Anhaftens zwischen der Oberfläche des Metallmaskensubstrats und des Trockenfilmresists ein Vorteil korrespondierend zu Gegenstand (1), wie oben beschrieben, erhalten, zum Beispiel bei der ersten Oberfläche 11a des Metallmaskensubstrats 11, solange die gerichtete Reflexion 45,2% oder mehr ist, selbst mit einer Oberflächenrauheit Sz von größer als 3,17 µm. Das Gleiche trifft auf die dreidimensionale Oberflächenrauheit Sa zu, sodass ein Vorteil korrespondierend zu dem oben beschriebenen Gegenstand (1) erhalten wird, solange die gerichtete Reflexion 45,2% oder mehr ist, selbst mit einer dreidimensionalen Oberflächenrauheit Sa von größer als 0,11 µm.
Solange die erste Oberfläche 11a des Metallmaskensubstrats 11 eine Oberflächenrauheit bei einem Ausmaß aufweist, wo es schwierig ist, die Walzrichtung von dem ersten Reflexionswert und dem zweiten Reflexionswert zu identifizieren, und sowohl die erste Reflexion als auch die zweite Reflexion 45,2% oder mehr sind, kann ein Abschnitt mit einer Differenz, die durch Abziehen der ersten Reflexion von der zweiten Reflexion erhalten wird, von 10,2% oder mehr nicht beinhaltet sein. Selbst mit solch einer Struktur wird ein Vorteil korrespondierend zu dem oben beschriebenen Gegenstand (1) erhalten.
Solange die erste Oberfläche 11a des Metallmaskensubstrats 11 eine Oberflächenrauheit bei einem Ausmaß aufweist, wo es schwierig ist, die Walzrichtung von dem ersten Reflexionswert und dem zweiten Reflexionswert zu identifizieren, und sowohl die erste Reflexion als auch die zweite Reflexion 45,2% oder mehr sind, kann ein Abschnitt, der die erste Reflexion und die zweite Reflexion bei ungefähr dem gleichen Ausmaß aufweist, oder ein Abschnitt, der die erste Reflexion größer als die zweite Reflexion aufweist, beinhaltet sein. Selbst mit solch einer Struktur wird ein Vorteil korrespondierend zu dem oben beschriebenen Gegenstand (1) erhalten.
Die Querschnittsfläche von jedem der Durchgangslöcher 61c kann im Wesentlichen überall in der Dickenrichtung des Metallmaskensubstrats die Gleiche sein. Alternativ kann die Querschnittsfläche von jedem der Durchgangslöcher 61c in der Dickenrichtung von der ersten Maskenoberfläche 61a hin zu der zweiten Maskenoberfläche 61b zunehmen, oder kann von der ersten Maskenoberfläche 61a hin zu der zweiten Markenoberfläche 61b abnehmen.
Die Metallmaske 60 ist nicht auf eine Metallmaske zur Verwendung beim Dampfabscheiden eines Materials zum Bilden einer organischen EL Vorrichtung auf einem Glassubstrat beschränkt, und kann eine Metallmaske für andere Anwendungen sein, wie etwa Filmbildung durch Dampfabscheidung oder Sputtern von verschiedenen Metallmaterialien. In diesem Fall können die Durchgangslöcher 61c irregulär in der Draufsicht zugewandt zu der ersten Maskenoberfläche 61a angeordnet sein.
Der Resist zur Verwendung zum Ätzen von Metallmaskensubstraten ist nicht auf den Trockenfilmresist beschränkt und kann ein Resist sein, der durch Aufbringen einer Beschichtungsflüssigkeit zum Bilden eines Resists auf ein Metallmaskensubstrat gebildet ist. Mit anderen Worten kann der Resist auf der Oberfläche eines Metallmaskensubstrats durch Beschichten angeordnet werden, oder kann auf der Oberfläche eines Metallmaskensubstrats durch Anhaften angeordnet werden. Selbst mit solch einem Resist mit geringer Anhaftung zu der Oberfläche eines Metallmaskensubstrats erzielt das oben beschriebene Metallmaskensubstrat den ähnlichen Vorteil wie bei der Verwendung eines Trockenfilmresists.
Bezugszeichenliste

10:: Zwischenprodukt zum Bilden einer Metallmaske
11:: Metallmaskensubstrat
11a:: erste Oberfläche
11b:: zweite Oberfäche
11c1, 71c1:: erste Aushöhlung
11c2:: zweite Aushöhlung
12:: erster Trockenfilmresist
12a:: erstes Durchgangsloch
13, 14:: zweiter Trockenfilmresist
13a:: zweites Durchgangsloch
21, 23:: Metallschicht
21a:: Basismaterial
21b:: gewalztes Material
22:: Harzschicht
30:: Walzenvorrichtung
31, 32:: Walze
33:: Tempervorrichtung
41:: zweite Schutzschicht
42:: erste Schutzschicht
51:: erste Öffnung
52:: zweite Öffnung
53:: enger Abschnitt
60:: Metallmaske
61:: Maskensubstrat
61a:: erste Maskenoberfläche
61b:: zweite Maskenoberfläche
61c:: Durchgangsloch
71a:: Oberfläche
LR:: Lichtempfänger
LS:: Lichtquelle
PM:: automatisierter Goniophotometer
T:: Probekörper
Ts:: Messoberfläche

Claims

Metallmaskensubstrat, das eine Metalloberfläche umfasst, auf welcher ein Resist anzuordnen ist, wobei eine gerichtete Reflexion von einfallendem Licht zu der Oberfläche 45,2% oder mehr ist.
Metallmaskensubstrat nach Anspruch 1, wobei das Metallmaskensubstrat eine Dickenrichtung aufweist, die orthogonal zu einer Walzrichtung des Metallmaskensubstrats ist, eine gerichtete Reflexion in einer ersten Ebene orthogonal zu der Oberfläche und orthogonal zu der Walzrichtung eine erste Reflexion ist, eine gerichtete Reflexion in einer zweiten Ebene orthogonal zu der Oberfläche und orthogonal zu der Breitenrichtung eine zweite Reflexion ist, die zweite Reflexion größer als die erste Reflexion ist, und die erste Reflexion 45,2% oder mehr ist.
Metallmaskensubstrat nach Anspruch 2, wobei die Oberfläche einen Abschnitt beinhaltet, in welchem eine Differenz, die durch Subtrahieren der ersten Reflexion von der zweiten Reflexion erhalten ist, 10,2% oder mehr ist.
Metallmaskensubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Oberfläche eine dreidimensionale Oberflächenrauheit Sa von 0,11 µm oder weniger und eine dreidimensionale Oberflächenrauheit Sz von 3,17 µm oder weniger aufweist.
Metallmaskensubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Oberfläche eine erste Oberfläche ist, der Resist ein erster Resist ist, das Metallmaskensubstrat ferner eine metallische zweite Oberfläche umfasst, zu welcher ein Resist anzuordnen ist, wobei die zweite Oberfläche eine Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche ist, und eine gerichtete Reflexion von einfallendem Licht zu der zweiten Oberfläche 45,2% oder mehr ist.
Metallmaskensubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Oberfläche aus Invar hergestellt ist.
Metallmaskensubstrat nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der Resist ein Trockenfilmresist ist, und der Trockenfilmresist zu der Oberfläche angehaftet ist.
Verfahren zum Kontrollieren von Metallmaskensubstraten, das umfasst: Anfertigen eines Metallmaskensubstrats mit einer Metalloberfläche, auf welcher ein Resist anzuordnen ist; Bereitstellen von einfallendem Licht zu der Oberfläche; Messen einer Intensität eines gerichteten reflektierten Lichts von dem einfallenden Licht zu der Oberfläche; Berechnen, als eine gerichtete Reflexion, eines Verhältnisses der Intensität von gerichtetem reflektierten Licht zu der Intensität des einfallenden Lichts zu der Oberfläche; und Bestimmen, ob die gerichtete Reflexion 45,2% oder mehr ist oder nicht.
Verfahren zum Kontrollieren von Metallmaskensubstraten nach Anspruch 8, wobei der Resist ein Trockenfilmresist ist, und der Trockenfilmresist zu der Oberfläche angehaftet ist.
Metallmaske, die ein Metallmaskensubstrat mit einer Metalloberfläche umfasst, wobei das Metallmaskensubstrat eine Mehrzahl an Durchgangslöchern aufweist, die sich durch das Metallmaskensubstrat in einer Dickenrichtung des Metallmaskensubstrats erstrecken, die Durchgangslöcher jeweils eine Öffnung in der Oberfläche aufweisen, und (B/A) × 100 (%) 10% oder weniger ist, wobei A eine mittlere Dimension der Öffnungen in einer Draufsicht zugewandt zu der Oberfläche darstellt und B einen Wert darstellt, der durch Multiplizieren einer Standardabweichung der Dimension mal drei erhalten ist.
Verfahren zum Herstellen von Metallmasken, das umfasst: Anfertigen eines Metallmaskensubstrats mit einer Metalloberfläche, auf welcher ein Resist anzuordnen ist, wobei die Oberfläche eine dreidimensionale Oberflächenrauheit Sa von 0,11 µm oder weniger und eine dreidimensionale Oberflächenrauheit Sz von 3,17 µm oder weniger aufweist; Anordnen eines Resists auf der Oberfläche; Bilden von Durchgangslöchern in den Resist, wobei die Durchgangslöcher dafür da sind, um eine Mehrzahl an Aushöhlungen in dem Metallmaskensubstrat zu bilden, wobei sich jede Aushöhlung in der Dickenrichtung des Metallmaskensubstrats erstreckt und eine Öffnung in der Oberfläche aufweist; und Bilden einer Mehrzahl von Aushöhlungen in dem Metallmaskensubstrat durch den Resist, sodass (B/A) × 100 (%) 10% oder weniger ist, wobei A eine mittlere Dimension der Öffnungen in einer Draufsicht zugewandt zu der Oberfläche darstellt und B einen Wert darstellt, der durch Multiplizieren einer Standardabweichung der Dimension mal drei erhalten ist.