TWI626505B - Metal mask substrate and management method of metal mask substrate - Google Patents

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Abstract

金屬遮罩基材係備有建構成供配置阻劑的金屬製的表面，射入表面之光的正反射中的反射率是45.2%以上。

Description

金屬遮罩基材、及金屬遮罩基材的管理方法
本發明係有關一種具備用以配置阻劑的金屬製的表面的金屬遮罩基材，例如，用以形成有機EL元件用金屬遮罩之金屬遮罩基材、金屬遮罩基材之管理方法、金屬遮罩、及金屬遮罩的製造方法。
在有機EL元件用金屬遮罩的製造上，使用例如是金屬板的金屬遮罩基材。在金屬遮罩基材所具有的塗布面塗布含有阻劑層的形成材料之塗液，藉以形成阻劑層。接著，對阻劑層進行曝光和顯影而形成具有既定圖案之阻劑層，隔著阻劑層蝕刻金屬遮罩基材而製造金屬遮罩。
在上述的阻劑層的形成上，有因為被塗布於塗布面之塗液的量或塗液被乾燥的程度不均而使阻劑層的厚度不均、或在阻劑層的面內厚度不均的情況。於是，為了抑制阻劑層中這樣的不均，提案使用乾膜阻劑作為阻劑層(例如，參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻：日本特開2013-209710號公報
然而，使用塗液所形成之阻劑層因為是對金屬遮罩基材直接塗布的塗液在塗布面硬化的層，所以容易形成追隨塗布面的形狀，因此，容易對金屬遮罩基材密接。一方面，由乾膜阻劑形成的阻劑層係為和金屬遮罩基材不同體的層被貼附於金屬遮罩基材的1個面之層，故而相較於藉塗液所形成的阻劑層具有難追隨塗布面的形狀，因此，會有阻劑層的一部份從金屬遮罩基材剝離的情況。
此外，不受限於由金屬板形成的金屬遮罩基材，例如，如同樹脂層和金屬層之積層體或樹脂層被金屬層包夾之積層體，若和阻劑層相接的面是金屬製或者合金製的金屬遮罩基材，則上述的情事係共通。又，即便是使用含有阻劑層的形成材料之塗液所形成的阻劑層，關於對金屬遮罩基材密接性低的阻劑層，上述的情事係共通。
本發明之目的在於提供一種備有可提高在阻劑和表面之界面的密接性的表面之金屬遮罩基材、金屬遮罩基材的管理方法、金屬遮罩、及金屬遮罩的製造方法。
用以解決上述課題的金屬遮罩基材係具備建 構成供配置阻劑的金屬製的表面，射入前述表面之光的正反射中的反射率是45.2%以上。
用以解決上述課題的金屬遮罩基材的管理方法，包含：準備備有建構成供配置阻劑的金屬製的表面的金屬遮罩基材；使光射入前述表面；測定射入前述表面的光當中之在前述表面正反射之光的光量；作為前述正反射之光的光量對射入前述表面之光的光量的比，算出前述正反射中的反射率；及判斷前述正反射中的反射率是否為45.2%以上。
在本案發明者們所精心研究的金屬遮罩基材的之表面狀態中，發現射入表面之光的正反射中的反射率和在表面中之三次元表面粗糙度Sa及在表面中之三次元表面粗糙度Sz分別具有以下的關聯性。亦即，發現伴隨著三次元表面粗糙度Sa及三次元表面粗糙度Sz的每一者變小，正反射中的反射率變高。
而且，發現若正反射中的反射率是45.2%以上，則因在阻劑和表面之界面的密接性提高，表面粗糙度變成小到阻劑不易從表面剝離的程度。
關於這點，依據上述構成，由於射入表面之光中，正反射中的反射率是45.2%以上，故可提高在金屬遮罩基材的表面和阻劑之界面的密接性。
上述金屬遮罩基材中，前述金屬遮罩基材的與軋延方向正交之方向是寬度方向，在與前述表面垂直的第1平面且和前述軋延方向正交的前述第1平面內之前述正反射中的反射率是第1反射率，在與前述表面垂直的 第2平面且和前述寬度方向正交的前述第1平面內之前述正反射中的反射率是第2反射率，前述第2反射率是比前述第1反射率大，前述第1反射率是45.2%以上。
依據上述構成，由於在表面可獲得之2個反射率當中的相對小的反射率是45.2%以上，故可更提高在金屬遮罩基材的表面和阻劑之界面的密接性。
上述金屬遮罩基材中，亦可為前述表面包含從前述第2反射率減去前述第1反射率的差是10.2%以上的部分。
上述構成由於表面含有第2反射率是比第1反射率大了10.2%以上的部分，故在提高在金屬遮罩基材的表面和阻劑之界面的密接性上更佳。
在上述金屬遮罩基材，亦可為前述表面中的三次元表面粗糙度Sa是0.11μm以下，三次元表面粗糙度Sz是3.17μm以下。
依據上述構成，由於金屬遮罩基材的表面中之正反射中的反射率是45.2%以上者當中，三次元表面粗糙度Sa是0.11μm以下且三次元表面粗糙度Sz是3.17μm以下，故更確實地提高在阻劑和表面之界面的密接性。
亦可為，上述金屬遮罩基材中，前述表面是第1面，前述阻劑是第1阻劑，更具備是和前述第1面對向側的面且是建構成供配置第2阻劑的金屬製的第2面，射入前述第2面的光之正反射中的反射率是45.2%以上。
依據上述構成，由於第1面和第1阻劑之密接性及第2面和第2阻劑之密接性被提高，故對第1面及第2 面之蝕刻可提高加工的精度。
上述金屬遮罩基材中，前述表面亦可係恆範鋼(invar)製。
依據上述構成，由於玻璃基板的線膨脹係數和恆範鋼的線膨脹係數是相同程度，故可將由金屬遮罩基材形成的金屬遮罩適用於對玻璃基板進行成膜，亦即，可將已提高形狀精度的金屬遮罩適用於對玻璃基板進行成膜。
上述金屬遮罩基材中，前述阻劑是乾膜阻劑，前述表面是建構成供前述乾膜阻劑貼附者更佳。
上述金屬遮罩基材的管理方法中，前述阻劑是乾膜阻劑，前述表面是建構成供前述乾膜阻劑貼附者更佳。
依據上述構成，建構成供乾膜阻劑貼附的金屬製的表面和乾膜阻劑之間的密接性被提高。
用以解決上述課題的金屬遮罩，係具備備有金屬製的表面之金屬遮罩基體的金屬遮罩。前述金屬遮罩基體係具備沿著前述金屬遮罩基體的厚度方向貫通前述金屬遮罩基體並在前述表面具有開口之複數個貫通孔，在與前述表面對向的俯視視圖之前述開口的尺寸之平均值設為A、前述尺寸的標準偏差乘上3的值設為B時，(B/A)×100(%)是10%以下。
用以解決上述課題的金屬遮罩的製造方法，包含：準備備有建構成供配置阻劑的金屬製的表面，且前述表面的三次元表面粗糙度Sa是0.11μm以下，前述表面的三次元表面粗糙度Sz是3.17μm以下的金屬遮罩基材 ；於前述表面配置阻劑；在前述阻劑形成用以形成複數個凹部的貫通孔，該複數個凹部係在前述金屬遮罩基材沿著前述金屬遮罩基材的厚度方向凹陷且在前述表面具有開口；及隔著前述阻劑在前述金屬遮罩基材形成複數個前述凹部，在前述金屬遮罩基材形成複數個前述凹部為，在與前述表面對向的俯視視圖之前述開口的尺寸中的平均值設為A、前述尺寸的標準偏差乘上3的值設為B時，以(B/A)×100(%)成為10%以下的方式在前述金屬遮罩基材形成複數個前述凹部。
依據上述構成，由於(B/A)×100(%)是10%以下，故在開口中之尺寸的精度高。
依據本發明，可提高金屬遮罩基材中阻劑和表面之界面的密接性。又，依據本發明，可提供提高在阻劑和表面之界面的密接性之金屬遮罩基材的管理方法。
10‧‧‧金屬遮罩形成用中間體
11‧‧‧金屬遮罩基材
11a‧‧‧第1面
11b‧‧‧第2面
11c1、71c1‧‧‧第1凹部
11c2‧‧‧第2凹部
12‧‧‧第1乾膜阻劑
12a‧‧‧第1貫通孔
13、14‧‧‧第2乾膜阻劑
13a‧‧‧第2貫通孔
21、23‧‧‧金屬層
21a‧‧‧母材
21b‧‧‧軋延材
22‧‧‧樹脂層
30‧‧‧軋延裝置
31、32‧‧‧軋延輥
33‧‧‧退火裝置
41‧‧‧第2保護層
42‧‧‧第1保護層
51‧‧‧第1開口
52‧‧‧第2開口
53‧‧‧中央細部
60‧‧‧金屬遮罩
61‧‧‧遮罩基體
61a‧‧‧第1遮罩面
61b‧‧‧第2遮罩面
61c‧‧‧貫通孔
71a‧‧‧表面
LR‧‧‧受光部
LS‧‧‧光源
PM‧‧‧自動變角光度計
T‧‧‧試驗片
Ts‧‧‧測定面
圖1係表示將本發明的金屬遮罩基材具體化為乾膜阻劑用金屬遮罩基材的1個實施形態中之乾膜阻劑用金屬遮罩基材的部份立體構造之部分立體圖。
圖2表示在乾膜阻劑用金屬遮罩基材的一例中之部份剖面構造的部分剖面圖。
圖3表示在乾膜阻劑用金屬遮罩基材的一例中之部份剖面構造的部分剖面圖。
圖4表示在乾膜阻劑用金屬遮罩基材的一例中之部 份剖面構造的部分剖面圖。
圖5係用以說明將本發明的金屬遮罩基材的管理方法具體化為乾膜阻劑用金屬遮罩基材的管理方法的1個實施形態中之乾膜阻劑用金屬遮罩基材的管理方法之步驟圖。
圖6係用以說明乾膜阻劑用金屬遮罩基材的製造方法之步驟圖，表示將由恆範鋼所形成的母材軋延的步驟之步驟圖。
圖7係用以說明乾膜阻劑用金屬遮罩基材的製造方法之步驟圖，表示將軋延材退火的步驟之步驟圖。
圖8係用以說明金屬遮罩的製造方法之步驟圖，表示貼附乾膜阻劑的步驟之步驟圖。
圖9係用以說明金屬遮罩的製造方法之步驟圖，表示將乾膜阻劑顯影的步驟之步驟圖。
圖10係用以說明金屬遮罩的製造方法之步驟圖，表示蝕刻金屬層的第1面的步驟之步驟圖。
圖11係用以說明金屬遮罩的製造方法之步驟圖，表示形成第1保護層的步驟之步驟圖。
圖12係用以說明金屬遮罩的製造方法之步驟圖，表示蝕刻金屬層的第2面的步驟之步驟圖。
圖13係用以說明金屬遮罩的製造方法之步驟圖，表示除去乾膜阻劑的步驟之步驟圖。
圖14係表示使用乾膜阻劑用金屬遮罩基材所製造之金屬遮罩的部份立體構造之部分立體圖。
圖15係表示實施例1中形成有複數個第1凹部之第1 面的攝像結果之畫像。
圖16係表示比較例1中形成有複數個第1凹部之表面的攝像結果之畫像。
圖17係將實施例1中第1凹部的直徑之分布按每2μm作顯示的直方圖。
圖18係將實施例1中第1凹部的直徑之分布按每1μm作顯示的直方圖。
圖19係將比較例1中第1凹部的直徑之分布按每2μm作顯示的直方圖。
圖20係將比較例1中第1凹部的直徑之分布按每1μm作顯示的直方圖。
圖21係表示三次元表面粗糙度Sa和正反射中的反射率之相關關係的圖表。
圖22係表示三次元表面粗糙度Sz和正反射中的反射率之相關關係的圖表。
參照圖1至圖22，說明將本發明的金屬遮罩基材及金屬遮罩基材的管理方法具體化成乾膜阻劑用金屬遮罩及乾膜阻劑用金屬遮罩的管理方法的1個實施形態，和金屬遮罩及金屬遮罩的製造方法的1個實施形態。本實施形態中使用乾膜阻劑用金屬遮罩基材所製造的金屬遮罩，係於有機EL元件的製造步驟中在對玻璃基板蒸鍍用以構成有機EL元件的有機材料時所用的遮罩。以下依序說明乾膜阻劑用金屬遮罩基材的構成、乾膜阻劑用金屬遮罩基材的管理方法、乾膜阻劑用金屬遮罩基材的製 造方法、金屬遮罩的製造方法及實施例。
〔乾膜阻劑用金屬遮罩基材的構成〕
參照圖1至圖4說明乾膜阻劑用金屬遮罩基材的構成。
如圖1所示，金屬遮罩基材11係為乾膜阻劑用金屬遮罩基材的一例，是沿著1個面擴展的金屬層。金屬遮罩基材11具備金屬製的第1面11a，第1面11a係建構成供配置阻劑的表面的一例，詳言之，係建構成供配置乾膜阻劑的表面的一例。第1面11a中，射入第1面11a之光的正反射中的反射率是45.2%以上。
正反射中的反射率係從鹵素燈射出的光，對金屬遮罩基材11的第1面11a的法線方向是以射入角度45°±0.2°射入之光的正反射中的反射率。又，反射率係依以下的式(1)所算出的值。
(反射率)(%)={(正反射中的光的光量)/(射入光的光量)}×100…(1)
依據這樣的金屬遮罩基材11，由於射入第1面11a的光中之正反射中的反射率是45.2%以上，故可提高在金屬遮罩基材11的第1面11a和屬於被貼附於表面的乾膜阻劑的一例之第1乾膜阻劑12之界面的密接性。
此外，在金屬遮罩基材11的第1面11a貼附有第1乾膜阻劑12而成的積層體，係屬於用以形成金屬遮罩的中間體之金屬遮罩形成用中間體10。
金屬遮罩基材11中，金屬遮罩基材11在被製造時被軋延之方向是軋延方向，和軋延方向正交的方向 是寬度方向。
在金屬遮罩基材11的第1面11a中之反射率當中的、在與第1面11a垂直的第1平面且和軋延方向正交的第1平面內之正反射中的反射率是第1反射率。又，在與第1面11a垂直的方向且和寬度方向正交的第2平面內之正反射中的反射率是第2反射率。第1面11a中，第2反射率是比第1反射率大，第1反射率是45.2%以上。
由於在第1面11a中可獲得之2個反射率當中之相對小的反射率是45.2%以上，故可更提高在金屬遮罩基材11的表面和乾膜阻劑12之界面的密接性。
第1面11a包含第2反射率減去第1反射率的差是10.2%以上的部分。由於第1面11a係含有第2反射率是比第1反射率大10.2%以上的部分，故在提高金屬遮罩基材11的第1面11a和乾膜阻劑12之界面的密接性上更佳。
又，於第1面11a，三次元表面粗糙度Sa是0.11μm以下，三次元表面粗糙度Sz是3.17μm以下。
三次元表面粗糙度Sa及三次元表面粗糙度Sz係遵循ISO25178的方法所測定之值。三次元表面粗糙度Sa係具有既定面積的定義區域中的算術平均高度Sa，三次元表面粗糙度Sz係具有既定面積的定義區域中的最大高度Sz。
依據這樣的金屬遮罩基材11，由於正反射中的反射率是45.2%以上者中，三次元表面粗糙度Sa是0.11μm以下且三次元表面粗糙度Sz是3.17μm以下，故更確實地提高在第1乾膜阻劑12和第1面11a之界面的密接性。
金屬層的形成材料係例如恆範鋼，亦即，係以鐵和鎳為主成分的合金，以含有36質量%的鎳之合金者更佳。換言之，金屬遮罩基材11的表面係恆範鋼製者更佳。恆範鋼的線膨脹係數係1.2×10-6/℃左右。金屬層的厚度，係例如10μm以上且50μm以下者更佳。
若金屬層的形成材料是恆範鋼，則玻璃基板的線膨脹係數和恆範鋼的線膨脹係數是相同程度，故可將由金屬遮罩基材11形成的金屬遮罩適用於對玻璃基板進行成膜，亦即，可將已提高形狀精度的金屬遮罩適用於對玻璃基板進行成膜。
第1乾膜阻劑12係例如由具有感光性的材料的一例、即負型阻劑所形成。第1乾膜阻劑12的形成材料，例如為藉由光聚合而交聯之丙烯酸系樹脂。第1乾膜阻劑12的厚度，係例如5μm以上且20μm以下者更佳。此外，第1乾膜阻劑12可由正型阻劑所形成，但是一般在第1乾膜阻劑12的形成材料方面，以使用負型阻劑者居多。
參照圖2至圖4說明金屬遮罩基材11及金屬遮罩形成用中間體10的其他形態。此外，圖2表示金屬遮罩基材11是由1個金屬層構成的例子之第1形態，圖3表示金屬遮罩基材11是由1個金屬層和1個樹脂層所構成的例子之第2形態。又，圖4表示金屬遮罩基材11是由2個金屬層和1個樹脂層構成的例子之第3形態。
〔第1形態〕
如圖2所示，金屬層21具備是第1面11a對向側的面、即第2面11b。第1面11a係建構成供第1乾膜阻劑12貼附的 金屬製的表面，第2面11b係建構成供配置阻劑的金屬製的表面，詳言之，係建構成供配置第2乾膜阻劑13的金屬製的表面。金屬遮罩形成用中間體10係由金屬層21、第1乾膜阻劑12及第2乾膜阻劑13所構成。
第2面11b中亦和第1面11a同樣，正反射中的反射率是45.2%以上者更佳。依據此金屬遮罩基材11，金屬層21中，除了第1面11a以外，在第2面11b亦可提高第2乾膜阻劑13和金屬層21之密接性。
又，在第2面11b，和第1面11a同樣，以三次元表面粗糙度Sa是0.11μm以下且三次元表面粗糙度Sz是3.17μm以下者更佳。依據這樣的金屬遮罩基材11，金屬層21中，除了第1面11a以外，於第2面11b亦是，在第2乾膜阻劑13和第2面11b之界面的密接性更確實地提升。
此外，第2乾膜阻劑13的形成材料係和第1乾膜阻劑12相同，例如為藉由光聚合而交聯之丙烯酸系樹脂。又，第2乾膜阻劑13的厚度，例如係5μm以上且20μm以下者更佳。
〔第2形態〕
如圖3所示，金屬遮罩基材11亦可具備金屬層21、及相對於金屬層21位在第1乾膜阻劑12的對向側之樹脂層22。樹脂層22的線膨脹係數和金屬層21的線膨脹係數係以在溫度的依存性方面彼此呈相同傾向且線膨脹係數的值是相同程度者更佳。金屬層21係例如由恆範鋼所形成之恆範鋼層，樹脂層22係例如由聚醯亞胺所形成之聚醯亞胺層。依據此金屬遮罩基材11，藉由金屬層21的線膨 脹係數和樹脂層22的線膨脹係數之差，抑制在金屬遮罩基材11產生翹曲的情形。
第2形態中的金屬遮罩形成用中間體10係由金屬層21、第1乾膜阻劑12及樹脂層22構成。此外，樹脂層22可藉由對金屬層21塗布所形成，亦可和金屬層21分別形成薄膜狀而貼附於金屬層21。此外，樹脂層22亦可為含有呈現與金屬層21接著之接著性的接著層而此接著層是被貼附於金屬層21的構成。
〔第3形態〕
如圖4所示，金屬遮罩基材11除了金屬層21和樹脂層22以外，亦可在金屬遮罩基材11的厚度方向更具備相對於樹脂層22是位在金屬層21的對向側之其他的金屬層23。此金屬遮罩基材11中，金屬遮罩基材11中第1面11a的對向側的面且是金屬層23所含的面是第2面11b。
其他的金屬層23的形成材料係和金屬層21相同，例如恆範鋼，亦即，係以鐵和鎳為主成分的合金，以含有36質量%的鎳之合金者更佳。金屬層23的厚度，例如係10μm以上且50μm以下者更佳。其他的金屬層23的厚度係可和金屬層21的厚度彼此相同，互異亦可。
與金屬層21所含有的第1面11a及第2面11b同樣，在其他的金屬層23所含的第2面11b中，正反射中的反射率係45.2%以上者更佳。又，在其他的金屬層23所含的第2面11b中，以三次元表面粗糙度Sa是0.11μm以下且三次元表面粗糙度Sz是3.17μm以下者更佳。
依據這樣的其他的金屬層23中的第2面11b， 可獲得和金屬層21所含有的第1面11a及第2面11b同等效果。此外，由於金屬遮罩基材11係金屬層21與樹脂層22積層且金屬層23與樹脂層22積層而成的構造體，故亦可獲得和使用圖3先做了說明的金屬遮罩基材11，亦即金屬遮罩基材11中的第2形態同等效果。
第3形態中的金屬遮罩形成用中間體10係由金屬層21,23、第1乾膜阻劑12、樹脂層22、及第2乾膜阻劑14所構成。此外，樹脂層22可藉由對2個金屬層21,23中任一者塗布所形成，亦可和金屬層21,23分別形成薄膜狀而貼附於金屬層21,23。此外，在樹脂層22要被貼附於金屬層21,23的情況，樹脂層22亦可為含有呈現與金屬層21接著之接著性的接著層和呈現與金屬層23接著之接著性的接著層，且此等的接著層分別被貼附於2個金屬層21,23的構成。
〔乾膜阻劑用金屬遮罩基材的管理方法〕
參照圖5說明乾膜阻劑用金屬遮罩基材的管理方法。
乾膜阻劑用金屬遮罩基材的管理方法具備準備步驟、射入步驟、測定步驟、算出步驟及判斷步驟。亦即，乾膜阻劑用金屬遮罩基材的管理方法包含：準備建構成供乾膜阻劑貼附之具備金屬製的表面的乾膜阻劑用金屬遮罩基材；及使光射入乾膜阻劑用金屬遮罩基材的表面。又，乾膜阻劑用金屬遮罩基材的管理方法包含：測定射入表面的光當中之在表面正反射之光的光量；作為正反射之光的光量對射入表面之光的光量的比，算出正反射中的反射率；及判斷反射率是否為45.2%以上。
如圖5所示，在上述的射入步驟及測定步驟中，例如，使用自動變角光度計PM。自動變角光度計PM係具備鹵素燈的光源LS、及受光配置於自動變角光度計PM的試驗片所反射的反射光之受光部LR。
在射入步驟之前，先準備將乾膜阻劑用金屬遮罩基材的一部份切出的試驗片T。試驗片T係具有乾膜阻劑用金屬遮罩基材的表面的一部份的測定面Ts。而且，以來自光源LS的光可射入測定面Ts的方式將試驗片T配置於自動變角光度計PM。
試驗片T的測定面Ts之法線方向N與從光源LS射出的光之射入方向所形成之角度是從光源LS射出的光之射入角度α。在射入步驟，以既定射入角度α，例如45°±0.2°的射入角度α使光射入測定面Ts。射入測定面Ts之光的光量係光源LS所射出之光的光量。
測定面Ts之法線方向N與從測定面Ts射出的光之射出方向所形成的角度是從測定面Ts射出的光之射出角度β。於測定面Ts正反射之光的射出角度β係和射入測定面Ts之光的射入角度α相等。亦即，正反射之光的射出角度β係45°±0.2°。
在測定步驟，受光部LR所含有的受光元件是受光在測定面Ts反射之光當中至少被正反射之光。受光部LR所含有的受光元件係生成因應於所受光之光的光量的類比信號，且受光部LR所含有的轉換回路將受光元件所生成之類比信號轉換成數位信號，將此數位信號生成反射光的光量。
受光部LR所含有的受光元件，例如，在射出角度β是0°的光到射出角度β是90°的光之範圍按每0.1°進行受光。此時，受光部LR所含有的受光元件係以和法線方向N正交且沿著試驗片T的測定面Ts延伸的旋轉軸A為中心旋轉。換言之，以受光元件之旋轉的旋轉軸A和測定面Ts平行的方式配置試驗片T。藉此，在測定步驟，在測定面Ts反射之光當中的從射出角度β是0°的光到射出角度β是90°的光之範圍測定每0.1°之光的光量。
算出步驟，例如係依據將受光部LR所受光之光的強度進行光電轉換後的信號電流，藉由內建於自動變角光度計PM的受光部LR所包含的演算部來進行，判斷步驟係藉由連接於自動變角光度計PM的演算裝置進行。演算部，例如將預先輸入之射入光的光量和在測定步驟生成的屬於數位信號之反射光的光量代入上述的式(1)以算出各射出角度β中之光的反射率。自動變角光度計PM係將所算出之反射率以數位信號輸出至演算裝置。
而且，演算裝置係依據自動變角光度計PM所輸出之數位信號，判斷正反射中的光之反射率是否為45.2%以上。依據這樣的管理方法，由於判斷在金屬遮罩基材的表面中之正反射中的光之反射率是否為45.2%以上，故在備有可提高在乾膜阻劑和表面之界面的密接性的表面之狀態下可管理乾膜阻劑用金屬遮罩基材。
一般，乾膜阻劑用金屬遮罩基材的表面之狀態以使用表面粗糙度來管理者居多。能一次測定表面粗糙度的區域，例如係具有一邊的長度是數百μm左右的矩 形狀之區域且非常小的區域。因此，為了從表面粗糙度的測定值正確地掌握在乾膜阻劑用金屬遮罩基材的大致整體中之表面狀態，有必要針對乾膜阻劑用金屬遮罩基材中非常多數的部位測定表面粗糙度。
相對地，能一次測定正反射中的反射率的區域相較於能一次測定表面粗糙度的區域係大幅變大，獲得反射率所需的時間與獲得表面粗糙度所需的時間亦大幅縮短。而且，在為了確保乾膜阻劑用金屬遮罩基材的表面和乾膜阻劑之密接性所進行的管理中，相較於上述的表面粗糙度之測定，以宏觀地掌握表面的管理較佳。關於這點，能一次測定正反射中的反射率的區域的大小亦容易在影響乾膜阻劑用金屬遮罩基材的表面和乾膜阻劑之密接性的範圍擴大。因此，反射率中的1個值與表面粗糙度中的1個值相比，係反映乾膜阻劑用金屬遮罩基材的表面中更大的區域之狀態的值且其之取得所需之負荷亦小的值。
因此，使用反射率管理乾膜阻劑用金屬遮罩基材時，與使用表面粗糙度管理乾膜阻劑用金屬遮罩基材時相比，即便在表面中的測定部位之個數少，仍可以同程度的正確性掌握表面的狀態。
又，若在表面中之測定部位的個數相同，則使用反射率管理乾膜阻劑用金屬遮罩基材時，與使用表面粗糙度管理乾膜阻劑用金屬遮罩基材時相比，能更正確地掌握表面的狀態。
又，使用表面粗糙度管理乾膜阻劑用金屬遮 罩基材時，有利用三次元表面粗糙度Sa和三次元表面粗糙度Sz的2個值來管理乾膜阻劑用金屬遮罩基材的情況。相對地，使用反射率管理乾膜阻劑用金屬遮罩基材時，可僅藉由正反射中的反射率之測定值作管理。亦即，藉由1個值可管理乾膜阻劑用金屬遮罩基材的份量，與使用表面粗糙度管理乾膜阻劑用金屬遮罩基材時相比，能縮小管理乾膜阻劑用金屬遮罩基材所需的負荷。
此外，可以是自動變角光度計PM以外的其他裝置使用自動變角光度計PM的測定結果進行算出步驟，亦可為自動變角光度計PM進行判斷步驟。
〔乾膜阻劑用金屬遮罩基材的製造方法〕
參照圖6及圖7說明乾膜阻劑用金屬遮罩基材的製造方法。
參照圖6及圖7說明乾膜阻劑用金屬遮罩基材的製造方法。此外，以下，金屬遮罩基材11是由1個金屬層21所構成的例子，亦即，以使用參照圖2所說明的第1形態作說明。
如圖6所示，就乾膜阻劑用金屬遮罩基材的製造方法而言，首先，準備由恆範鋼所形成的母材21a且是沿著1個方向、即軋延方向D1延伸的母材21a。接著，以母材21a的軋延方向D1和搬送母材21a的搬送方向D2平行的方式，將母材21a朝向具備一對軋延輥31,32的軋延裝置30沿著搬送方向D2搬送。
當母材21a到達一對的軋延輥31,32之間時，母材21a被一對的軋延輥31,32所軋延。藉此，因為母材 21a的厚度被減低且母材21a沿著搬送方向D2延伸而可獲得軋延材21b。軋延材21b會被卷繞在核心C，但軋延材21b亦可不被卷繞在核心C而以延伸成帶狀的狀態下進行處理。軋延材21b的厚度，例如為10μm以上且50μm以下。
如圖7所示，為了除去藉由母材21a軋延而形成的軋延材21b的內部所蓄積的殘餘應力，故使用退火裝置33將軋延材21b退火。藉此可獲得作為金屬遮罩基材的金屬層21。由於軋延材21b的退火係將軋延材21b沿著搬送方向D2一邊拉伸一邊進行，故可獲得殘餘應力比退火前的軋延材21b還要減低之作為金屬遮罩基材的金屬層21。
此外，上述的軋延步驟及退火步驟的每一者亦可按以下那樣變更並實施。亦即，例如，在軋延步驟亦可使用具備複數對的軋延輥之軋延裝置。又，亦可藉由反覆複數次軋延步驟及退火步驟來製造金屬層21。又，在退火步驟，亦可不是將軋延材21b沿著搬送方向D2一邊拉伸一邊進行軋延材21b的退火，而是對被卷繞在核心C的狀態之軋延材21b進行退火。
此外，對被卷繞在核心C的狀態之軋延材21b進行退火步驟時，會有因為金屬層21被卷繞在核心C而導致在退火後的金屬層21上產生因應於金屬層21的直徑之翹曲的情況。因此，以藉由金屬層21被卷繞在核心C時的直徑大小或形成母材21a的材料將軋延材21b沿著搬送方向D2一邊拉伸一邊對軋延材21b退火者更佳。
〔金屬遮罩的製造方法〕
參照圖8至圖14說明金屬遮罩的製造方法。此外，以下，用以製造金屬遮罩所使用之金屬遮罩基材11是由1個金屬層21所構成的例子，亦即，使用參照圖2所說明的第1形態作說明。又，在圖8至圖13中，為了方便圖示，示出有關僅含有形成於金屬遮罩的複數個貫通孔當中的1個貫通孔的部分之步驟圖。
金屬遮罩的製造方法係包含：準備具有金屬製的表面的金屬遮罩基材、於表面配置阻劑、在阻劑形成用以形成複數個凹部的貫通孔，該複數個凹部係在金屬遮罩基材沿著金屬遮罩基材的厚度方向凹陷且在表面具有開口、及於金屬遮罩基材形成複數個凹部。在金屬遮罩基材形成複數個凹部為，在與表面對向的俯視視圖之開口的尺寸中的平均值設為A、尺寸的標準偏差乘上3的值設為B時，以(B/A)×100(%)成為10%以下的方式在金屬遮罩基材形成複數個凹部者更佳。
此外，在與金屬遮罩基材的表面對向的俯視視圖中，若金屬遮罩基材的凹部是區劃具有圓形狀的區域的孔，則凹部的開口中之尺寸係只要是開口的直徑即可。又，在與金屬遮罩基材的表面對向的俯視視圖中，若金屬遮罩基材的凹部是區劃具有沿著1個方向延伸的矩形狀的區域的孔，則凹部的開口中之尺寸可以是沿著開口的長邊方向之尺寸，亦可為沿著開口的短邊方向之尺寸。又或者，在與金屬遮罩基材的表面對向的俯視視圖中，若金屬遮罩基材的凹部是區劃具有正方形狀的區域的孔，則凹部的開口中之尺寸只要是開口中之一邊的 尺寸即可。
此外，在凹部是區劃具有沿著1個方向延伸的矩形狀或具有正方形狀的區域的孔時，藉由凹部所區劃的區域的角部亦可具有在藉由凹部所區劃的區域的內部具有曲率中心那樣的弧狀。
更詳言之，如圖8所示，在製造金屬遮罩時，首先，準備包含有上述的第1面11a和第2面11b之屬金屬層21的金屬遮罩基材、要貼附於第1面11a的第1乾膜阻劑12、及要貼附於第2面11b的第2乾膜阻劑13。2個乾膜阻劑12,13各自為和金屬層21分開形成的薄膜。
接著，於第1面11a貼附第1乾膜阻劑12，且於第2面11b貼附第2乾膜阻劑13。亦即，於第1面11a積層第1乾膜阻劑12，於第2面11b積層第2乾膜阻劑13。例如，於金屬層21的厚度方向，在金屬層21被2個乾膜阻劑包夾的狀態下對3個層施加既定熱與壓力，藉以在金屬層21的第1面11a貼附第1乾膜阻劑12，且在第2面11b貼附第2乾膜阻劑13。此外，第1乾膜阻劑12與第2乾膜阻劑13亦可對金屬層21分別貼附。
此處，就提高2個乾膜阻劑12,13和金屬層21之密接性的觀點，以金屬層21的第1面11a及第2面11b的每一者是平滑的面者更佳。關於這點，由於在第1面11a及第2面11b的每一者，正反射中的反射率是45.2%以上，故而以在製造金屬遮罩較佳的程度來提高乾膜阻劑12,13和金屬層21之密接性。如此製造金屬遮罩形成用中間體。
如圖9所示，使乾膜阻劑12,13中形成貫通孔的部位以外的部分曝光，將曝光後的乾膜阻劑顯影。藉此，在第1乾膜阻劑12形成第1貫通孔12a且在第2乾膜阻劑13形成第2貫通孔13a。亦即，將第1乾膜阻劑12和第2乾膜阻劑13圖案化。
在曝光第1乾膜阻劑12時，在第1乾膜阻劑12中和金屬層21相接之面的對向側之面，載放以使光到達形成第1貫通孔12a的部分以外的部分之方式所建構的原版。在曝光第2乾膜阻劑13時，在第2乾膜阻劑13中和金屬層21相接之面的對向側之面，載放以使光到達形成第2貫通孔13a的部分以外的部分之方式所建構的原版。又，在將曝光後的乾膜阻劑顯影時，例如使用碳酸鈉水溶液作為顯影液。
此外，在第1乾膜阻劑12是由正型阻劑形成時，只要曝光第1乾膜阻劑12中的形成第1貫通孔12a的部分即可。又，在第2乾膜阻劑13是由正型阻劑形成時，只要曝光第2乾膜阻劑13中的形成第2貫通孔13a的部分即可。
如圖10所示，例如，以第1乾膜阻劑12為遮罩，亦即，隔著第1乾膜阻劑12使用氯化鐵液來蝕刻金屬層21的第1面11a。此時，在第2乾膜阻劑13以金屬層21的第2面11b和第1面11a不同時被蝕刻的方式形成第2保護層41。第2保護層41的形成材料只要是不易被氯化鐵液蝕刻的材料即可。藉此，在金屬層21的第1面11a藉由第1乾膜阻劑12的第1貫通孔12a形成朝第2面11b凹陷的第1凹部11c1。第1凹部11c1係具有在1面11a開口的第1開口51。
此處，就上述的金屬遮罩形成用中間體而言，第1乾膜阻劑12和金屬層21之密接性被提高。因此，在金屬層21被暴露於氯化鐵液時，一方面氯化鐵液通過形成於第1乾膜阻劑12的第1貫通孔12a和金屬層21的第1面11a接觸，一方面抑制氯化鐵液進入第1乾膜阻劑12和金屬層21之界面。因此，在金屬層21以形狀精度提高的狀態形成第1凹部11c1。
又，在和第1面11a對向的俯視視圖中，在第1凹部11c1所具有之開口的尺寸中的平均值設為A、尺寸的標準偏差乘上3的值設為B時，以(B/A)×100(%)可成為10%以下的方式於金屬層21形成複數個第1凹部11c1。
如圖11所示，去除形成在金屬層21的第1面11a的第1乾膜阻劑12及與第2乾膜阻劑13相接的第2保護層41。又，在金屬層21的第1面11a形成用以防止蝕刻第1面11a的第1保護層42。第1保護層42的形成材料只要是不易被氯化鐵液所蝕刻的材料即可。
如圖12所示，以第2乾膜阻劑13為遮罩，使用氯化鐵液來蝕刻金屬層21的第2面11b。藉此，在金屬層21的第2面11b藉由第2乾膜阻劑13的第2貫通孔13a形成朝第1面11a凹陷的第2凹部11c2。第2凹部11c2係具有開口於第2面11b的第2開口52，在和第2面11b對向的俯視視圖中，第2開口52大於第1開口51。
此處，就上述的金屬遮罩形成用中間體而言，第2乾膜阻劑13和金屬層21之密接性亦被提高。因此，在金屬層21被暴露於氯化鐵液時，一方面氯化鐵液通過 形成於第2乾膜阻劑13的第2貫通孔13a和金屬層21的第2面11b接觸，一方面抑制氯化鐵液進入第2乾膜阻劑13和金屬層21之界面。因此，在金屬層21以形狀精度提高的狀態形成第2凹部11c2。
又，在與第2面11b對向的俯視視圖中，在第2凹部11c2所具有的開口的尺寸中之平均值設為A、尺寸的標準偏差乘上3的值設為B時，以(B/A)×100(%)是成為10%以下的方式在金屬層21形成複數個第2凹部11c2。
如圖13所示，藉由將第1保護層42和第2乾膜阻劑13從金屬層21除去，可獲得形成有複數個貫通孔61c的金屬遮罩60。
金屬遮罩60係具備被施以加工的金屬遮罩基材11且是金屬遮罩基體的一例的遮罩基體61。遮罩基體61係包含與金屬遮罩基材11的第1面11a對應的金屬製的面且是第1乾膜阻劑12被去除的面、即第1遮罩面61a。又，遮罩基體61係包含與金屬遮罩基材11的第2面11b對應的金屬製的面且是第2乾膜阻劑13被去除的面、即第2遮罩面61b。
貫通孔61c係貫通第1遮罩面61a和第2遮罩面61b之間，在與貫通孔61c貫通遮罩基體61的方向正交的方向之剖面積在第1遮罩面61a和第2遮罩面61b之間最小。
亦即，貫通孔61c係具備開口於第1遮罩面61a的第1開口51、開口於第2遮罩面61b的第2開口52、及在遮罩基體61的厚度方向，位在第1開口51和第2開口52之間的中央細部53。在與第1遮罩面61a對向的俯視視圖中 ，第1開口51比第2開口52小。貫通孔61c具有從第1開口51朝向中央細部53剖面積變小且從第2開口52朝向中央細部53剖面積變小的形狀。此外，第1開口51和中央細部53間的距離，亦即第1遮罩面61a和中央細部53間的距離越小越好。
又，於金屬遮罩60，在與第1遮罩面61a對向的俯視視圖之第1開口51的尺寸之平均值設為A、尺寸的標準偏差乘上3的值設為B時，(B/A)×100(%)是10%以下者更佳。再者，於金屬遮罩60，在與第2遮罩面61b對向的俯視視圖之第2開口52的尺寸之平均值設為A、尺寸的標準偏差乘上3的值設為B時，(B/A)×100(%)是10%以下者更佳。
由於金屬遮罩60中，(B/A)×100(%)是10%以下，故金屬遮罩60所具有之貫通孔61c的第1開口51中之尺寸的精度及第2開口52中之尺寸的精度高。
此外，在金屬遮罩基材11的第1面11a被貼附第1乾膜阻劑12之前，若為以下的前提，則亦可進行各種的處理，例如洗淨處理等。亦即，於此情況，各種的處理係為第1遮罩面61a中之正反射中的反射率、三次元表面粗糙度Sa及三次元表面粗糙度Sz的每一者可大致維持成處理前的面、即第1面11a中的值之處理。
又，在金屬遮罩基材11的第2面11b被貼附第2乾膜阻劑13之前，若為以下的前提，則亦可進行各種的處理，例如洗淨處理等。亦即，於此情況，各種的處理係為第2遮罩面61b中之正反射中的反射率、三次元表面 粗糙度Sa及三次元表面粗糙度Sz每一者可大致維持成處理前的面、即第2面11b中的值之處理。
如圖14所示，在遮罩基體61形成有將遮罩基體61沿著厚度方向貫通的複數個貫通孔61c，複數個貫通孔61c開口於第1遮罩面61a。複數個貫通孔61c例如在與第1遮罩面61a對向的俯視視圖中，在沿著第1遮罩面61a的1個方向上規則地排列且在沿著1個方向的方向上規則地排列。
此外，在用以製造金屬遮罩所使用的金屬遮罩基材11是上述第2形態時，金屬遮罩形成用中間體係由金屬層、樹脂層、及第1乾膜阻劑12所構成。亦可一邊對於這樣的金屬遮罩形成用中間體施作以第1乾膜阻劑12作為遮罩的蝕刻，一邊對樹脂層進行使用雷射加工等之穿孔。
而且，遮罩基體61係由金屬層和樹脂層所構成。這樣的遮罩基體61具有上述第1遮罩面61a，第1遮罩面61a對向側的面並非金屬製的表面而是樹脂層所包含。又，就這樣的構成而言，在第1遮罩面61a形成第2開口52且在樹脂層所含有的面形成第1開口51者更佳。
又，在用以製造金屬遮罩所使用的金屬遮罩基材11是上述第3形態時，金屬遮罩形成用中間體係由樹脂層和包夾此樹脂層的2個金屬層及2個乾膜阻劑12,14所構成。對於這樣的金屬遮罩形成用中間體，除了進行以各乾膜阻劑12,14作為遮罩的蝕刻以外，亦可對樹脂層進行使用雷射加工等之穿孔。
而且，遮罩基體61係由樹脂層與包夾此樹脂層的2個金屬層所構成。關於這樣的遮罩基體61，上述第1遮罩面61a是一方的金屬層所含有，上述第2遮罩面61b是另一方的金屬層所含有。又，貫通孔61c係貫通此等樹脂層和2個金屬層。
[實施例]
參照圖15至圖22說明實施例。以下說明金屬遮罩基材是由1個金屬層所構成的例子。
〔反射率的測定〕
〔正反射中的反射率的最小值〕
將實施例1至實施例4及比較例1的金屬遮罩基材各自的反射率使用以下的測定方法作測定。
實施例1至實施例4的金屬遮罩基材及比較例1的金屬遮罩基材，係準備具有430mm的寬度的金屬遮罩基材的原材，將原材的一部份以500mm的長度切出所獲得。又，金屬遮罩基材設為具有20μm的厚度者，形成材料設為恆範鋼。
然後，於切出的金屬遮罩基材中，準備是含有寬度方向的中央且含有軋延方向的中央之部分，且具有沿著金屬遮罩基材的寬度方向的長度是5cm且沿著軋延方向的長度是5cm的正方形板形狀之1個試驗片。
然後，於自動變角光度計(村上色彩技術研究所(股份有限公司)製，GP-200)上配置各試驗片，算出在使相對於試驗片的測定面的法線方向呈45°±0.2°的光射入時的反射率。此外，將1個試驗片的3個測定點中之反 射率使用上述的式(1)算出。
此時，對試驗片中具有14mm的直徑的區域投射光，反射光藉由直徑11.4mm的受光部的受光面來受光。受光部係在從射出角度為0°的反射光到射出角度為90°的反射光之範圍按每0.1°進行受光。又，以受光部的旋轉軸A延伸方向和金屬遮罩基材的軋延方向被看成是平行的方式，例如，以受光部的旋轉軸A延伸方向和金屬遮罩基材的軋延方向形成的角度成為±2°以內的方式，將各試驗片配置於自動變角光度計。
此外，光源方面是使用鹵素燈，受光部是使用含有作為受光元件的側窗(side-on)型光電倍增管之受光部。
各試驗片中，彼此相異的3個測定點是第1測定點、第2測定點、及第3測定點，在第1測定點至第3測定點的每一者中之正反射的反射率係表1所示的值。此外，各試驗片中，第1測定點係含有試驗片中央的部分，第2測定點及第3測定點係各試驗片中不同於第1測定點且相互不重合的部分。
如表1所示，在實施例1中，確認了在第1測定點中之反射率是62.6%，在第2測定點中之反射率是54.4%，在第3測定點中之反射率是60.2%。亦即，在實施例1中確認了正反射中的反射率的最小值是54.4%。
在實施例2中，確認了在第1測定點中之反射率是48.5%，第2測定點中之反射率是45.2%，在第3測定點中之反射率是49.8%。亦即，在實施例2中確認了正反射中的反射率的最小值是45.2%。
在實施例3中，確認了在第1測定點中之反射率是73.3%，在第2測定點中之反射率是64.4%，在第3測定點中之反射率是54.0%。亦即，在實施例3中確認了正反射中的反射率的最小值是54.0%。
在實施例4中，確認了在第1測定點中之反射率是83.2%，在第2測定點中之反射率是74.0%，在第3測定點中之反射率是85.8%。亦即，在實施例4中確認了正反射中的反射率的最小值是74.0%。
在比較例1中，確認了在第1測定點中之反射率是25.8%，在第2測定點中之反射率是25.4%，在第3測定點中之反射率是30.0%。亦即，在比較例1中，確認了正反射中的反射率的最小值是25.4%。
〔第1反射率和第2反射率之差異〕
在實施例5的金屬遮罩基材與比較例2的金屬遮罩基材的每一者中準備4片試驗片。此時，和實施例1同樣，在實施例5的金屬遮罩基材及比較例2的金屬遮罩基材中，準備具有430mm的寬度的金屬遮罩基材的原材，將原 材的一部份以500mm的長度切出。然後，從切出的金屬遮罩基材中的任意4個位置各自切出1個試驗片。此外，各試驗片係和實施例1同樣，設為具有在金屬遮罩基材中沿著度方向的長度是5cm、沿著軋延方向的長度是5cm的正方形形狀之試驗片。
然後，以受光部的旋轉軸A延伸方向和金屬遮罩基材的軋延方向被看成是平行的方式，例如，以受光部的旋轉軸A延伸方向和金屬遮罩基材的軋延方向形成的角度成為±2°以內的方式，算出各試驗片配置於自動變角光度計上時的反射率。換言之，算出在與金屬遮罩基材的表面垂直的第1平面且是和軋延方向正交之第1平面內的反射率、即第1反射率。
接著，以受光部的旋轉軸A延伸方向和金屬遮罩基材的寬度方向被看成是平行的方式，例如，以受光部的旋轉軸A延伸方向和金屬遮罩基材的寬度方向形成的角度成為±2°以內的方式，將各試驗片配置於自動變角光度計。換言之，算出在與金屬遮罩基材的表面垂直的第2平面且是和寬度方向正交之第2平面內的反射率、即第2反射率。
此外，射入各試驗片的光係設為和上述同樣的條件，於算出第1反射率時和算出第2反射率時雙方，對各試驗片的中央投射光。又，將各試驗片中投射了光的1個區域中的反射率，使用上述的式(1)算出。
各試驗片中之第1反射率及第2反射率係表2所示的值。
如表2所示，在實施例5中，確認了試驗片1中的第1反射率是75.9%，第2反射率是77.8%，試驗片2中的第1反射率是56.1%，第2反射率是67.9%。確認了試驗片3中的第1反射率是62.8%，第2反射率是73.0%，試驗片4中的第1反射率是64.8%，第2反射率是78.5%。
而且，確認了第2反射率減去第1反射率的差在試驗片1為1.9%，在試驗片2為11.8%，在試驗片3為10.2%，在試驗片4為13.7%。亦即，在實施例5中，確認了第2反射率大於第1反射率。又，在實施例5中，確認了含有第2反射率減去第1反射率的差是10.2%以上的部分。
比較例2中，確認了試驗片1中的第1反射率是30.1%，第2反射率是31.4%，試驗片2中的第1反射率是33.3%，第2反射率是29.5%。確認了試驗片3中的第1反射率是33.1%，第2反射率是32.8%，試驗片4中的第1反射率是34.0%，第2反射率是31.7%。
而且，確認了第2反射率減去第1反射率的差在試驗片1為1.3%，在試驗片2為-3.8%，在試驗片3為-0.3%，在試驗片4為-2.3%。亦即，確認了比較例2中含 有第2反射率大於第1反射率的部分及第2反射率小於第1反射率的部分。又，確認了比較例2中，相較於實施例5是僅含有第2反射率減去第1反射率的差小的部分。
〔表面粗糙度之測定〕
針對實施例1至實施例4及比較例1的金屬遮罩基材的每一者，使用以下的測定方法測定三次元表面粗糙度Sa及三次元表面粗糙度Sz。
使用裝設有50倍物鏡的形狀分析雷射顯微鏡(VK-X210，基恩斯(股)製)，測定三次元表面粗糙度Sa及三次元表面粗糙度Sz。在三次元表面粗糙度Sa及三次元表面粗糙度Sz方面，測定在具有1個方向中約280μm的寬度及和1個方向正交的方向中約220μm的寬度之面的三次元表面粗糙度Sa及三次元表面粗糙度Sz。
此外，三次元表面粗糙度Sa及三次元表面粗糙度Sz係遵循ISO25178的方向所測定。
實施例1至實施例4的金屬遮罩基材及比較例1的金屬遮罩基材，係與測定反射率時同樣，準備具有430mm的寬度的金屬遮罩基材的原材，將原材的一部份以500mm的長度切出而獲得。
在實施例1至實施例4及比較例1的金屬遮罩基材的每一者，測定在從彼此相異的3個部位的每一者切出的試驗片的表面粗糙度。各試驗片係具有沿著金屬遮罩基材的長度方向之長度是20mm，沿著金屬遮罩基材的寬度方向之長度是30mm的矩形板形狀之試驗片。
金屬遮罩基材的軋延方向中之2個端部設為 第1端部及第2端部，寬度方向中之2個端部設為第3端部及第4端部時，將3個試驗片的每一者從金屬遮罩基材中的以下的位置切出。
亦即，將試驗片1從偏離第1端部100mm程度且從第3端部偏離200mm程度的位置切出。又，將試驗片2從偏離第2端部100mm程度且從第3端部偏離70mm程度的位置切出。此外，將試驗片3從偏離第2端部100mm程度且從第4端部偏離70mm程度的位置切出。
此外，於各試驗片中測定在5個測定點中之三次元表面粗糙度Sa和三次元表面粗糙度Sz。5個測定點係設為各試驗片之中央的1點和包圍中央的1點之外周中的4點。各試驗片中之外周的4點係設為位在試驗片的對角線上之點，且中央的1點和外周中之各點之間的距離係設為10mm。
在實施例1至4及比較例1的每一者中，各試驗片中之三次元表面粗糙度Sa的最大值及三次元表面粗糙度Sz的最大值係表3所示的值。
如表3所示，實施例1中，確認了在試驗片1中的三次元表面粗糙度Sa的最大值是0.09μm，三次元表面粗糙度Sz的最大值是2.83μm。確認了在試驗片2中的三次元表面粗糙度Sa的最大值是0.08μm，三次元表面粗糙度Sz的最大值是2.63μm，在試驗片3中的三次元表面粗糙度Sa的最大值是0.09μm，三次元表面粗糙度Sz的最大值是3.17μm。亦即，在實施例1中，確認了三次元表面粗糙度Sa的最大值是0.09μm，三次元表面粗糙度Sz的最大值是3.17μm。
又，實施例2中，確認了在試驗片1中的三次元表面粗糙度Sa的最大值是0.10μm，三次元表面粗糙度 Sz的最大值是2.93μm。確認了在試驗片2中的三次元表面粗糙度Sa的最大值是0.11μm，三次元表面粗糙度Sz的最大值是2.84μm，在試驗片3中的三次元表面粗糙度Sa的最大值是0.10μm，三次元表面粗糙度Sz的最大值是2.96μm。亦即，確認了在實施例2中，三次元表面粗糙度Sa的最大值是0.11μm，三次元表面粗糙度Sz的最大值是2.96μm。
實施例3中，確認了在試驗片1中的三次元表面粗糙度Sa的最大值是0.07μm，三次元表面粗糙度Sz的最大值是1.88μm。確認了在試驗片2中的三次元表面粗糙度Sa的最大值是0.07μm，三次元表面粗糙度Sz的最大值是1.56μm，確認了在試驗片3中的三次元表面粗糙度Sa的最大值是0.06μm，三次元表面粗糙度Sz的最大值是1.90μm。亦即，確認了在實施例3中，三次元表面粗糙度Sa的最大值是0.07μm，三次元表面粗糙度Sz的最大值是1.90μm。
實施例4中，確認了試驗片1中的三次元表面粗糙度Sa的最大值是0.08μm，三次元表面粗糙度Sz的最大值是2.06μm。確認了試驗片2中的三次元表面粗糙度Sa的最大值是0.06μm，三次元表面粗糙度Sz的最大值是1.41μm，確認了試驗片3中的三次元表面粗糙度Sa的最大值是0.06μm，三次元表面粗糙度Sz的最大值是1.56μm。亦即，實施例4中，確認了三次元表面粗糙度Sa的最大值是0.08μm，三次元表面粗糙度Sz的最大值是2.06μm。
在比較例1，確認了試驗片1中，三次元表面粗糙度Sa的最大值是0.14μm，三次元表面粗糙度Sz的最 大值是5.10μm。確認了試驗片2中，三次元表面粗糙度Sa的最大值是0.13μm，三次元表面粗糙度Sz的最大值是5.78μm，試驗片3中，三次元表面粗糙度Sa的最大值是0.16μm，三次元表面粗糙度Sz的最大值是5.10μm。亦即，實施例3中，確認了三次元表面粗糙度Sa的最大值是0.16μm，三次元表面粗糙度Sz的最大值是5.10μm。
〔評價〕
圖15係在使用實施例1的金屬遮罩基材之金屬遮罩的製造步驟中，於第1面形成第1凹部後，拍攝對第1面照射照射光而在第1面被反射的反射光之畫像。
圖16係在使用比較例1的金屬遮罩基材之金屬遮罩的製造步驟中，於第1面形成第1凹部後，拍攝對第1面照射照射光而在第1面被反射的反射光之畫像。
如圖15所示，依據實施例1的金屬遮罩基材11，金屬遮罩基材11和第1乾膜阻劑12之密接性被提高。因此，在和第1面11a對向的俯視視圖中，確認了在第1面11a的各第1凹部11c1中之開口的大小是和其他所有的第1凹部11c1中之開口的大小大致相等。
一方面，如圖16所示，在比較例1的金屬遮罩基材，在和金屬層的表面71a對向的俯視視圖中，確認了複數個第1凹部71c1中之開口的大小之偏差大。
在實施例1的金屬遮罩基材及比較例1的金屬遮罩基材的每一者中，測定24個第1凹部的直徑。此外，在實施例1，測定圖15所示之第1凹部11c1中被二點鏈線包圍之區域所含有的第1凹部11c1的直徑，在比較例1， 測定圖16所示之第1凹部71c1中被二點鏈線包圍之區域所含有的第1凹部71c1的直徑。
又，針對各第1凹部，測定在紙面的上下方向之直徑、即第1直徑，及在紙面的左右方向之直徑、即第2直徑，針對各第1凹部，算出是第1直徑和第2直徑之平均值的平均直徑。實施例1中的第1直徑、第2直徑、及平均直徑與比較例1中的第1直徑、第2直徑、及平均直徑，係如以下的表4所示。
如表4所示，確認了在實施例1的第1凹部11c1中的平均直徑係47.0μm以上且50.4μm以下，在比較例1的第1凹部71c1中的平均直徑係46.0μm且以上64.9μm以下。
實施例1中，在和金屬遮罩基材11的表面對向的俯視視圖之第1凹部11c1的開口中之直徑的平均值設為A、直徑的標準偏差乘上3的值設為B，算出(B/A)×100(%)。確認了在第1直徑中，(B/A)×100(%)係8.2%，在第2直徑中，(B/A)×100(%)係6.6%，在平均直徑中，(B/A)×100(%)係5.9%。
比較例1中，和實施例1同樣地，在和金屬層的表面71a對向的俯視視圖之第1凹部71c1的開口中之直徑的平均值設為A、直徑的標準偏差乘上3的值設為B，算出(B/A)×100(%)。確認了在第1直徑中，(B/A)×100(%)係30.3%，在第2直徑中，(B/A)×100(%)係26.1%，在平均直徑中，(B/A)×100(%)係26.7%。
實施例1中，確認了由於(B/A)×100(%)係8.2%以下，亦即10%以下，故不僅金屬遮罩基材11所具有的第1凹部11c1的開口，甚至金屬遮罩具有的貫通孔的開口之直徑，尺寸的精度高。相對地，比較例1中，確認了(B/A)×100(%)係30.3%以下，依據實施例1，相較於比較例1，不僅金屬遮罩基材11所具有的第1凹部11c1的開口，甚至金屬遮罩所具有的貫通孔的開口之直徑，尺寸的精度大幅提高。
又，針對實施例1及比較例1，作成將第1凹部的平均直徑之頻度按每2μm作顯示的直方圖和按每1μm作顯示的直方圖。
如圖17及圖18所示，實施例1中，確認了第1凹部的平均直徑之頻度是在50μm最高。又，如圖19及圖 20所示，比較例1中，確認了平均直徑的各值之頻度的差比實施例1的還小。
如此，依據實施例1的金屬遮罩基材11，確認了因為金屬遮罩基材11和第1乾膜阻劑12之密接性被提高，故複數個第1凹部11c1每一者被以形狀的精度高的狀態形成。一方面，依據比較例1的金屬遮罩基材，確認了因為金屬遮罩基材和乾膜阻劑之密接性低，故在複數個第1凹部71c1中之形狀的精度變低。
此外，在實施例2至實施例5的每一者亦是，確認了可獲得與圖15所示之複數個第1凹部的形狀同等的形狀。亦即，確認了若金屬遮罩基材11的1個面中之正反射中的反射率是45.2%以上，則金屬層21和第1乾膜阻劑12之密接性提高。
又，在金屬遮罩基材11的第2面11b形成第2凹部11c2時亦是，若為在第2面11b之正反射中的反射率是包含於上述的範圍之構成，則確認了以下的傾向。亦即，確認了與在金屬遮罩基材11的第1面11a形成第1凹部11c1時同樣地，呈現金屬遮罩基材11和第2乾膜阻劑13之密接性被提高的傾向。
〔反射率和表面粗糙度之關連性〕
〔反射率和三次元表面粗糙度Sa〕
以下顯示正反射中的反射率的最小值和三次元表面粗糙度Sa的最大值之相關關係利用迴歸分析之分析結果。此外，在迴歸分析上使用了實施例1至實施例4及比較例1的測定結果。且將解釋變數設為三次元表面粗糙度Sa ，被解釋變數設為正反射中的反射率，使用最小平方法，算出在正反射中的反射率的最小值與三次元表面粗糙度Sa的最大值之間的迴歸式。
如圖21所示，確認了迴歸式係為y=-433.52x+95.669，判定係數R2係0.7492。亦即，確認了正反射中的反射率的最小值與三次元表面粗糙度Sa的最大值之間的關聯性高。
〔反射率和三次元表面粗糙度Sz〕
以下顯示正反射中的反射率的最小值和三次元表面粗糙度Sz的最大值之相關關係利用迴歸分析之分析結果。此外，迴歸分析使用了實施例1至實施例4及比較例1的測定結果。且將解釋變數設為三次元表面粗糙度Sz，被解釋變數設為正反射中的反射率，使用最小平方法，算出在正反射中的反射率的最小值與三次元表面粗糙度Sz的最大值之間的迴歸式。
如圖22所示，確認了迴歸式係為y=-9.7715x+81.597，判定係數R2係0.7505。亦即，確認了正反射中的反射率的最小值與三次元表面粗糙度Sz的最大值之間的關連性高。
如此，確認了正反射中的反射率係與三次元表面粗糙度Sa和三次元表面粗糙度Sz的每一者具有負的關連性。而且，確認了若為正反射中的反射率是45.2%以上，則三次元表面粗糙度Sa的值及三次元表面粗糙度Sz的值中任一者是成為乾膜阻劑和乾膜阻劑用金屬遮罩基材之界面的密接性提高的值。亦即，確認了伴隨著三 次元表面粗糙度Sa變小，正反射中的反射率變高，及伴隨著三次元表面粗糙度Sz變小，正反射中的反射率變高。
因此，就管理乾膜阻劑用金屬遮罩基材的表面中之狀態以提高乾膜阻劑和乾膜阻劑用金屬遮罩基材之界面的密接性而言，可使用正反射中的反射率的測定值作管理。
如以上所說明，依據在1個實施形態之乾膜阻劑用金屬遮罩基材、乾膜阻劑用金屬遮罩基材的管理方法、金屬遮罩及金屬遮罩的製造方法，可獲得以下列舉之效果。
(1)由於射入第1面11a的光中之正反射中的反射率是45.2%以上，故可提高在金屬遮罩基材11的第1面11a和第1乾膜阻劑12之界面的密接性。
(2)由於在第1面11a可獲得之2個反射率當中相對小的反射率是45.2%以上，故可更提高在金屬遮罩基材11的第1面11a和乾膜阻劑12之界面的密接性。
(3)由於第1面11a含有第2反射率比第1反射率大了10.2%以上的部分，故在提高第1面11a和乾膜阻劑12之界面的密接性上更佳。
(4)由於在金屬遮罩基材11的表面中，在正反射中的反射率是45.2%以上者當中，三次元表面粗糙度Sa是0.11μm以下且三次元表面粗糙度Sz是3.17μm以下，故更確實地提高在第1乾膜阻劑12和第1面11a之界面的密接性。
(5)第1形態及第3形態中，由於第1面11a和第 1乾膜阻劑12之密接性、及第2面11b和第2乾膜阻劑13,14之密接性提高，故在對第1面11a及第2面11b的蝕刻中，可提高加工的精度。
(6)由於玻璃基板的線膨脹係數和恆範鋼的線膨脹係數是相同程度，故可將由金屬遮罩基材11形成的金屬遮罩60適用於對玻璃基板進行成膜，亦即，可將已提高形狀精度的金屬遮罩60適用於對玻璃基板進行成膜。
此外，上述的實施形態係可如以下那樣適宜地變更實施。
金屬層21的形成材料若為表面具有金屬光澤的純粹的金屬或合金，則亦可為恆範鋼以外的材料。又，在金屬層21的形成材料是恆範鋼以外的材料時，關於和金屬層21相接的樹脂層方面，亦可使用和金屬層21的形成材料之間的線膨脹係數之差是比金屬層21的形成材料的線膨脹係數和聚醯亞胺的線膨脹係數之差還小的樹脂。
金屬層21,23中，亦可為第2面11b中第2反射率是比第1反射率大，第1反射率是45.2%以上。依據這樣的構成，在金屬層21中的第1面11a之第2反射率是比第1反射率大，在第2面11b可獲得與第1反射率是45.2%以上時同等的效果。
第2面11b亦可含有第2反射率減去第1反射率的差是10.2%以上的部分。依據這樣的構成，可在第2面11b獲得與第1面11a在含有第2反射率減去第1反射率的差是10.2%以上的部分時同等效果。
金屬層21,23中，亦可在第2面11b中的正反射之反射率是小於45.2%。即便是這樣的構成，至少在第1面11a中可提高金屬層21和第1乾膜阻劑12之密接性。
如上述，所謂的三次元表面粗糙度的測定區域相較於反射率的測定區域是非常小的區域。在與三次元表面粗糙度之測定區域大小相當的微觀範圍提高金屬遮罩基材的表面和乾膜阻劑之密接性方面，將三次元表面粗糙度Sz設為3.17μm以下是有效的。又，將三次元表面粗糙度Sa設為0.11μm以下亦有效。但是，在巨觀地提高金屬遮罩基材的表面和乾膜阻劑之密接性方面，例如，即便金屬遮罩基材11的第1面11a中三次元表面粗糙度Sz大於3.17μm，若在正反射之反射率是45.2%以上，則可獲得依據上述的(1)之效果。又，關於三次元表面粗糙度Sa亦是相同，即便三次元表面粗糙度Sa大於0.11μm，若在正反射的反射率是45.2%以上，則可獲得依據上述的(1)之效果。
若金屬遮罩基材11的第1面11a是具有從第1反射率與第2反射率的數值無法特定軋延方向之程度的表面粗糙度，且第1反射率及第2反射率雙方是45.2%以上，則亦可不含有第2反射率減去第1反射率的差是10.2%以上的部分。即便是這樣的構成，亦可獲得依據上述的(1)之效果。
若金屬遮罩基材11的第1面11a是具有從第1反射率與第2反射率的數值無法特定軋延方向之程度的表面粗糙度，且第1反射率及第2反射率雙方是45.2%以上 ，則亦可含有第1反射率與第2反射率是同程度的部分或第1反射率是比第2反射率大的部分。即便是這樣的構成，亦可獲得依據上述的(1)之效果。
各貫通孔61c的剖面積可以是在遮罩基體61的厚度方向的整體範圍是大致相同。或者，各貫通孔61c的剖面積在遮罩基體61的厚度方向，可以是隨著從第1遮罩面61a朝向第2遮罩面61b而變大，亦可隨著從第1遮罩面61a朝向第2遮罩面61b而變小。
金屬遮罩60係不受限於將有機EL元件的形成材料蒸鍍於玻璃基板時所用的金屬遮罩，亦可如將各種的金屬材料以蒸鍍或濺鍍等進行成膜之際等般係其他用途的金屬遮罩。於此情況，複數個貫通孔61c在與第1遮罩面61a對向的俯視視圖中呈不規則地排列亦可。
用於金屬遮罩基材的蝕刻之阻劑係不受限於上述的乾膜阻劑，亦可為用以形成阻劑的塗液藉由被塗布於金屬遮罩基材所形成之阻劑。亦即，阻劑可藉由塗布配置於金屬遮罩基材的表面，亦可藉由貼附配置於金屬遮罩基材的表面。即便是這樣的阻劑，依據上述的金屬遮罩基材，在使用對金屬遮罩基材的表面密接性低的阻劑的情況，仍可獲得與使用乾膜阻劑的情況同樣的效果。

Claims (4)

  1. 一種金屬遮罩基材，其係具備構成為供配置阻劑的金屬製的表面，其中與前述金屬遮罩基材之軋延方向正交的方向是寬度方向，從鹵素燈射出且相對前述表面的法線方向入射角度為45°±0.2°之光的正反射的反射率之中，前述正反射在第1平面內的反射率是第1反射率，且前述正反射在第2平面內的反射率是第2反射率，前述第1平面係與前述表面垂直且與前述軋延方向正交，前述第2平面係與前述表面垂直且與前述寬度方向正交，前述第2反射率是比前述第1反射率大，前述第1反射率為45.2%以上。
  2. 如請求項1之金屬遮罩基材，其中前述表面係包含從前述第2反射率減去前述第1反射率的差是10.2%以上的部分。
  3. 一種金屬遮罩基材的管理方法，包含：準備具備構成為供配置阻劑的金屬製的表面的金屬遮罩基材；使從鹵素燈射出且相對前述表面的法線方向入射角度為45°±0.2°之光射入前述表面；測定射入前述表面的光當中之在前述表面正反射之光的光量；作為前述正反射之光的光量對射入前述表面之光的光量的比，算出前述正反射中的反射率；及 判斷前述正反射中的反射率是否為45.2%以上，與前述金屬遮罩基材的軋延方向正交之方向是寬度方向，前述正反射的反射率之中，前述正反射在第1平面內的反射率是第1反射率，且前述正反射在第2平面內的反射率是第2反射率，前述第1平面係與前述表面垂直且與前述軋延方向正交，前述第2平面係與前述表面垂直且與前述寬度方向正交，前述第2反射率是比前述第1反射率大，在算出前述正反射中的反射率的步驟中，算出前述第1反射率及前述第2反射率，在判斷前述正反射中的反射率是否為45.2%以上的步驟中，判斷前述第1反射率及前述第2反射率是否為45.2%以上。
  4. 如請求項3之金屬遮罩基材的管理方法，其中前述阻劑是乾膜阻劑，前述表面是構成為供前述乾膜阻劑貼附。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113403574A (zh) 2015-07-17 2021-09-17 凸版印刷株式会社 金属掩模用基材及其制造方法、蒸镀用金属掩模及其制造方法
CN107849681A (zh) * 2015-07-17 2018-03-27 凸版印刷株式会社 金属掩模基材、金属掩模、以及金属掩模的制造方法
KR102330373B1 (ko) * 2017-03-14 2021-11-23 엘지이노텍 주식회사 금속판, 증착용 마스크 및 이의 제조방법
KR102595424B1 (ko) * 2017-09-07 2023-10-30 엘지이노텍 주식회사 Oled 화소 증착을 위한 금속재의 증착용 마스크의 제조방법
KR102341448B1 (ko) 2017-09-15 2021-12-21 도판 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크의 제조 방법, 표시 장치의 제조 방법, 및 증착 마스크
KR20200087184A (ko) * 2017-11-14 2020-07-20 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크를 제조하기 위한 금속판 및 금속판의 제조 방법, 그리고 증착 마스크 및 증착 마스크의 제조 방법
KR20200056525A (ko) * 2018-11-14 2020-05-25 삼성디스플레이 주식회사 마스크 및 마스크 제조 방법
TWI707965B (zh) * 2019-09-27 2020-10-21 旭暉應用材料股份有限公司 金屬遮罩
CN112825348A (zh) * 2019-11-20 2021-05-21 旭晖应用材料股份有限公司 用于蒸镀制程形成微小图案镀膜的金属遮罩及其制法
CN113259569A (zh) 2021-05-25 2021-08-13 昆山联滔电子有限公司 摄像头遮蔽器
TWI777614B (zh) * 2021-06-11 2022-09-11 達運精密工業股份有限公司 金屬遮罩及其製造方法
TWI772066B (zh) * 2021-06-16 2022-07-21 達運精密工業股份有限公司 金屬遮罩基材的製備方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200500504A (en) * 2003-05-07 2005-01-01 Microfabrica Inc Methods and apparatus for forming multi-layer structures using adhered masks
JP2006233285A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Toray Ind Inc 蒸着マスク及び蒸着マスクを用いた有機ｅｌ素子の製造方法
CN104169749A (zh) * 2012-02-13 2014-11-26 东丽株式会社 反射膜

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2534589B2 (ja) 1991-01-21 1996-09-18 東洋鋼鈑株式会社 薄肉化深絞り缶用ポリエステル樹脂被覆鋼板および原板
JP2853069B2 (ja) * 1991-12-26 1999-02-03 日本鋼管株式会社 Ｆｅ−Ｎｉ系シャドウマスク用薄板およびその製造方法
JP3487471B2 (ja) * 1996-01-30 2004-01-19 日立金属株式会社 エッチング加工性に優れたＦｅ−Ｎｉ系合金薄板
JPH11140667A (ja) * 1997-11-13 1999-05-25 Dainippon Printing Co Ltd エッチング用基材、エッチング加工方法およびエッチング加工製品
JP3749083B2 (ja) * 2000-04-25 2006-02-22 株式会社ルネサステクノロジ 電子装置の製造方法
JP2002151841A (ja) 2000-11-13 2002-05-24 Ibiden Co Ltd 多層プリント配線板の製造方法
JP4390418B2 (ja) * 2001-02-14 2009-12-24 Ｈｏｙａ株式会社 Ｅｕｖ露光用反射型マスクブランクおよびｅｕｖ露光用反射型マスク並びに半導体の製造方法
JP4429539B2 (ja) 2001-02-16 2010-03-10 古河電気工業株式会社 ファインパターン用電解銅箔
TW583688B (en) * 2002-02-21 2004-04-11 Dainippon Printing Co Ltd Electromagnetic shielding sheet and method of producing the same
KR100813832B1 (ko) 2002-05-31 2008-03-17 삼성에스디아이 주식회사 증착용 마스크 프레임 조립체와 이의 제조방법
US20040017563A1 (en) * 2002-07-25 2004-01-29 James Lawrence H. Method and apparatus for volume and density measurements
US7314688B2 (en) * 2002-09-11 2008-01-01 Hoya Corporation Method of producing a reflection mask blank, method of producing a reflection mask, and method of producing a semiconductor device
JP3683261B2 (ja) * 2003-03-03 2005-08-17 Ｈｏｙａ株式会社 擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス及びその製造方法、擬似欠陥を有する反射型マスク及びその製造方法、並びに擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス又は反射型マスクの製造用基板
JP3809531B2 (ja) 2003-03-17 2006-08-16 太陽化学工業株式会社 メタルマスク及びレーザ加工法によるメタルマスクの製造方法
JP2005076068A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Canon Components Inc 電鋳法による薄膜部材の製造方法
DE112005000224T5 (de) * 2004-01-30 2006-12-28 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Blatt zur Abschirmung elektromagnetischer Wellen und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2007187952A (ja) * 2006-01-16 2007-07-26 Sumitomo Chemical Co Ltd 防眩フィルム、その製造方法、そのための金型の製造方法、及び表示装置
US8532984B2 (en) * 2006-07-31 2013-09-10 Qualcomm Incorporated Systems, methods, and apparatus for wideband encoding and decoding of active frames
JP2008041553A (ja) * 2006-08-09 2008-02-21 Sony Corp 蒸着用マスク及び蒸着用マスクの製造方法
JP4869129B2 (ja) * 2007-03-30 2012-02-08 Ｈｏｙａ株式会社 パターン欠陥検査方法
JP2009127105A (ja) 2007-11-27 2009-06-11 Seiko Instruments Inc 電鋳部品の製造方法
JP5294072B2 (ja) 2009-03-18 2013-09-18 日立金属株式会社 エッチング加工用素材の製造方法及びエッチング加工用素材
JP2011034681A (ja) * 2009-07-29 2011-02-17 Hitachi Displays Ltd 金属加工方法、金属マスク製造方法及び有機ｅｌ表示装置製造方法
JP5367613B2 (ja) * 2010-02-12 2013-12-11 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 プリント配線板用銅箔
EP2444254B1 (de) 2010-10-22 2013-07-10 Hydro Aluminium Rolled Products GmbH Lithoband für die elektrochemische Aufrauung sowie Verfahren zu dessen Herstellung
JP5958804B2 (ja) 2012-03-30 2016-08-02 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
CN104247054A (zh) * 2011-11-04 2014-12-24 普林斯顿大学 具有纳米结构和纳米金属光学腔和天线的发光二极管,快光子-电子源和光电探测器,以及其制造方法
KR102097574B1 (ko) 2012-01-12 2020-04-06 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 수지층이 형성된 금속 마스크의 제조 방법
CN103205680A (zh) * 2012-01-16 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 用镍铁合金制备的蒸镀用金属掩模板
JP2013245392A (ja) 2012-05-29 2013-12-09 V Technology Co Ltd 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
WO2014038510A1 (ja) 2012-09-04 2014-03-13 新日鐵住金株式会社 ステンレス鋼板およびその製造方法
JP5382259B1 (ja) * 2013-01-10 2014-01-08 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
JP6403969B2 (ja) 2013-03-29 2018-10-10 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、プリント配線板、銅張積層板、電子機器及びプリント配線板の製造方法
JP5455099B1 (ja) 2013-09-13 2014-03-26 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法
JP5780350B2 (ja) 2013-11-14 2015-09-16 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法
JP2015129334A (ja) * 2014-01-08 2015-07-16 大日本印刷株式会社 積層マスクの製造方法、積層マスクおよび保護フィルム付き積層マスク
JP6357777B2 (ja) 2014-01-08 2018-07-18 大日本印刷株式会社 積層マスクの製造方法
JP5641462B1 (ja) 2014-05-13 2014-12-17 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200500504A (en) * 2003-05-07 2005-01-01 Microfabrica Inc Methods and apparatus for forming multi-layer structures using adhered masks
JP2006233285A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Toray Ind Inc 蒸着マスク及び蒸着マスクを用いた有機ｅｌ素子の製造方法
CN104169749A (zh) * 2012-02-13 2014-11-26 东丽株式会社 反射膜

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Publication number Publication date
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