JP2017043848A - メタルマスク基材、および、メタルマスク基材の管理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レジストと表面との界面における密着性を高めることができる表面を備えたメタルマスク基材、および、メタルマスク基材の管理方法を提供する。
【解決手段】メタルマスク基材１１は、レジストが配置されるように構成された金属製の表面１１ａを備え、表面１１ａに入射した光の正反射における反射率が、４５．２％以上である。メタルマスク基材１１の圧延方向と直交する方向が幅方向であり、表面１１ａに垂直な第１平面であって、圧延方向と直交する第１平面内での正反射における反射率が第１反射率であり、表面１１ａに垂直な第２平面であって、幅方向と直交する第２平面内での正反射における反射率が第２反射率である。第２反射率は第１反射率よりも大きく、第１反射率が、４５．２％以上である。
【選択図】図２

Description

本発明は、レジストが配置されるための金属製の表面を備えるメタルマスク基材であって、例えば、有機ＥＬ素子用メタルマスクを形成するためのメタルマスク基材、および、メタルマスク基材の管理方法に関する。

有機ＥＬ素子用のメタルマスクの製造には、例えば金属板であるメタルマスク基材が用いられる。メタルマスク基材が有する塗布面には、レジスト層の形成材料を含む塗液が塗布され、それによってレジスト層が形成される。そして、レジスト層に対する露光と現像とが行われることによって、所定のパターンを有したレジスト層が形成され、レジスト層を介してメタルマスク基材がエッチングされることによって、メタルマスクが製造される。

上述したレジスト層の形成では、塗布面に塗布される塗液の量や、塗液の乾燥される程度がばらつくことによって、レジスト層の厚さがばらついたり、レジスト層の面内において、厚さがばらついたりする場合がある。そこで、レジスト層におけるこうしたばらつきを抑えるために、レジスト層としてドライフィルムレジストを用いることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１３−２０９７１０号公報

ところで、塗液を用いて形成されるレジスト層は、メタルマスク基材に対して直接塗布された塗液が塗布面で硬化した層であるため、塗布面に追従した形状を形成しやすく、それゆえに、メタルマスク基材に対して密着しやすい。一方で、ドライフィルムレジストから形成されるレジスト層は、メタルマスク基材とは別体である層がメタルマスク基材の１つの面に貼り付けられた層であるため、塗液によって形成されるレジスト層と比べて塗布面に追従しにくい形状を有し、それゆえに、レジスト層の一部がメタルマスク基材から剥がれる場合がある。

なお、金属板から形成されるメタルマスク基材に限らず、例えば、樹脂層と金属層との積層体や、樹脂層が金属層によって挟まれた積層体のように、レジスト層と接する面が金属製あるいは合金製であるメタルマスク基材であれば、上述した事情は共通している。また、レジスト層の形成材料を含む塗液を用いて形成されるレジスト層であっても、メタルマスク基材に対する密着性が低いレジスト層においては、上述した事情は共通している。

本発明は、レジストと表面との界面における密着性を高めることができる表面を備えたメタルマスク基材、および、メタルマスク基材の管理方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するためのメタルマスク基材は、レジストが配置されるように構成された金属製の表面を備えるメタルマスク基材であって、前記表面に入射した光の正反射における反射率が、４５．２％以上である。また、前記メタルマスク基材の圧延方向と直交する方向が幅方向であり、前記表面に垂直な第１平面であって、前記圧延方向と直交する前記第１平面内での前記正反射における反射率が第１反射率であり、前記表面に垂直な第２平面であって、前記幅方向と直交する前記第２平面内での前記正反射における反射率が第２反射率である。前記第２反射率が前記第１反射率よりも大きく、前記第１反射率が、４５．２％以上である。

上記課題を解決するためのメタルマスク基材の管理方法は、レジストが配置されるように構成された金属製の表面を備えるメタルマスク基材を準備することと、前記表面に光を入射させることと、前記表面に入射した光のうち、前記表面にて正反射した光の光量を測定することと、前記表面に入射した光の光量に対する前記正反射した光の光量の比として、前記正反射における反射率を算出することと、前記正反射における反射率が、４５．２％以上であるか否かを判断することと、を備える。前記メタルマスク基材の圧延方向と直交する方向が幅方向であり、前記反射率のうち、前記表面に垂直な第１平面であって、前記圧延方向と直交する前記第１平面内での前記正反射における反射率が第１反射率であり、前記表面に垂直な第２平面であって、前記幅方向と直交する前記第２平面内での前記正反射における反射率が第２反射率であり、前記第２反射率が前記第１反射率よりも大きい。前記正反射における反射率を算出することでは、前記第１反射率および前記第２反射率を算出し、前記正反射における反射率が、４５．２％以上であるか否かを判断することでは、前記第１反射率および前記第２反射率が、４５．２％以上であるか否かを判断する。

本願発明者らは、メタルマスク基材における表面の状態を鋭意研究する中で、表面に入射した光の正反射における反射率が、表面における三次元表面粗さＳａ、および、表面における三次元表面粗さＳｚの各々と以下の相関を有することを見出した。すなわち、三次元表面粗さＳａ、および、三次元表面粗さＳｚの各々が小さくなることに伴って、正反射における反射率が高くなることを見出した。

そして、正反射における反射率が４５．２％以上であれば、レジストと表面との界面における密着性が高まることで、表面からレジストが剥がれにくくなる程度に表面粗さが小さくなることを見出した。

この点で、上記構成によれば、表面に入射した光において、正反射における反射率が４５．２％以上であるため、メタルマスク基材の表面と、レジストとの界面における密着性を高めることができる。

また、上記構成によれば、表面において得られる２つの反射率のうち、相対的に小さい反射率が４５．２％以上であるため、メタルマスク基材の表面と、レジストとの界面における密着性をより高めることができる。

上記メタルマスク基材において、前記表面は、前記第２反射率から前記第１反射率を引いた差が１０．２％以上である部分を含んでもよい。

上記構成は、表面が、第２反射率が第１反射率よりも１０．２％以上大きい部分を含むため、メタルマスク基材の表面と、レジストとの界面における密着性を高める上でより好ましい。

上記メタルマスク基材の管理方法において、前記レジストが、ドライフィルムレジストであり、前記表面が、前記ドライフィルムレジストが貼り付けられるように構成されていることが好ましい。

上記構成によれば、ドライフィルムレジストが貼り付けられるように構成された金属製の表面とドライフィルムレジストとの間の密着性が高められる。

本発明によれば、メタルマスク基材において、レジストと表面との界面における密着性を高めることができる。また、本発明によれば、レジストと表面との界面における密着性を高められたメタルマスク基材の管理方法を提供することができる。

本発明のメタルマスク基材をドライフィルムレジスト用メタルマスク基材として具体化した１つの実施形態におけるドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の一部斜視構造を示す部分斜視図である。 ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の一例における一部断面構造を示す部分断面図である。 ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の一例における一部断面構造を示す部分断面図である。 ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の一例における一部断面構造を示す部分断面図である。 本発明のメタルマスク基材の管理方法をドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の管理方法として具体化した１つの実施形態におけるドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の管理方法を説明するための工程図である。 ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の製造方法を説明するための工程図であって、インバーから形成された母材を圧延する工程を示す工程図である。 ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の製造方法を説明するための工程図であって、圧延材をアニールする工程を示す工程図である。 メタルマスクの製造方法を説明するための工程図であって、ドライフィルムレジストを貼り付ける工程を示す工程図である。 メタルマスクの製造方法を説明するための工程図であって、ドライフィルムレジストを現像する工程を示す工程図である。 メタルマスクの製造方法を説明するための工程図であって、金属層の第１面をエッチングする工程を示す工程図である。 メタルマスクの製造方法を説明するための工程図であって、第１保護層を形成する工程を示す工程図である。 メタルマスクの製造方法を説明するための工程図であって、金属層の第２面をエッチングする工程を示す工程図である。 メタルマスクの製造方法を説明するための工程図であって、ドライフィルムレジストを除去する工程を示す工程図である。 ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を用いて製造したメタルマスクの一部斜視構造を示す部分斜視図である。 実施例１における複数の第１凹部が形成された第１面の撮像結果を示す画像である。 比較例１における複数の第１凹部が形成された表面の撮像結果を示す画像である。 実施例１における第１凹部の直径の分布を２μｍごとに示すヒストグラムである。 実施例１における第１凹部の直径の分布を１μｍごとに示すヒストグラムである。 比較例１における第１凹部の直径の分布を２μｍごとに示すヒストグラムである。 比較例１における第１凹部の直径の分布を１μｍごとに示すヒストグラムである。 三次元表面粗さＳａと正反射における反射率との相関関係を示すグラフである。 三次元表面粗さＳｚと正反射における反射率との相関関係を示すグラフである。

図１から図２２を参照して、本発明のメタルマスク基材、および、メタルマスク基材の管理方法を、ドライフィルムレジスト用メタルマスク、および、ドライフィルムレジスト用メタルマスクの管理方法として具体化した１つの実施形態を説明する。本実施形態におけるドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を用いて製造されたメタルマスクは、有機ＥＬ素子の製造工程において、ガラス基板に対して有機ＥＬ素子を構成する有機材料を蒸着するときに用いられるマスクである。以下では、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の構成、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の管理方法、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の製造方法、メタルマスクの製造方法、および、実施例を順番に説明する。

［ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の構成］
図１から図４を参照して、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の構成を説明する。

図１が示すように、メタルマスク基材１１は、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の一例であり、１つの面に沿って拡がる金属層である。メタルマスク基材１１は、金属製の第１面１１ａを備え、第１面１１ａは、レジストが配置されるように構成された表面の一例、詳細には、ドライフィルムレジストが貼り付けられるように構成された表面の一例である。第１面１１ａにおいて、第１面１１ａに入射した光の正反射における反射率が４５．２％以上である。

正反射における反射率は、ハロゲンランプから射出された光であって、メタルマスク基材１１の第１面１１ａの法線方向に対して、入射角度が４５°±０．２°である光の正反射における反射率である。また、反射率は、以下の式（１）により算出された値である。
（反射率）（％）＝
｛（正反射における光の光量）／（入射光の光量）｝×１００ …（１）

こうしたメタルマスク基材１１によれば、第１面１１ａに入射した光において、正反射における反射率が４５．２％以上であるため、メタルマスク基材１１の第１面１１ａと、表面に貼り付けられるドライフィルムレジストの一例である第１ドライフィルムレジスト１２との界面における密着性を高めることができる。

なお、メタルマスク基材１１の第１面１１ａに第１ドライフィルムレジスト１２が貼り付けられた積層体は、メタルマスクを形成するための中間体であるメタルマスク形成用中間体１０である。

メタルマスク基材１１において、メタルマスク基材１１が製造される際に圧延された方向が圧延方向であり、圧延方向と直交する方向が幅方向である。
メタルマスク基材１１の第１面１１ａにおける反射率のうち、第１面１１ａに垂直な第１平面であって、圧延方向と直交する第１平面内での正反射における反射率が第１反射率である。また、第１面１１ａに垂直な方向であって、幅方向と直交する第２平面内での正反射における反射率が第２反射率である。第１面１１ａにおいて、第２反射率が第１反射率よりも大きく、第１反射率が４５．２％以上である。

第１面１１ａにおいて得られる２つの反射率のうち、相対的に小さい反射率が４５．２％以上であるため、メタルマスク基材１１の表面と、ドライフィルムレジスト１２との界面における密着性をより高めることができる。

第１面１１ａは、第２反射率から第１反射率を引いた差が１０．２％以上である部分を含む。第１面１１ａは、第２反射率が第１反射率よりも１０．２％以上大きい部分を含むため、メタルマスク基材１１の第１面１１ａと、ドライフィルムレジスト１２との界面における密着性を高める上でより好ましい。

また、第１面１１ａにおいて、三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下である。
三次元表面粗さＳａ、および、三次元表面粗さＳｚは、ＩＳＯ ２５１７８に準拠する方法によって測定された値である。三次元表面粗さＳａは、所定の面積を有する定義領域中の算術平均高さＳａであり、三次元表面粗さＳｚは、所定の面積を有する定義領域中の最大高さＳｚである。

こうしたメタルマスク基材１１によれば、正反射における反射率が４５．２％以上である中で、三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、かつ、三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下であるため、第１ドライフィルムレジスト１２と第１面１１ａとの界面における密着性がより確実に高まる。

金属層の形成材料は、例えばインバー、すなわち、鉄とニッケルとを主成分とする合金であり、３６質量％のニッケルを含む合金であることが好ましい。言い換えれば、メタルマスク基材１１の表面は、インバー製であることが好ましい。インバーの線膨張係数は、１．２×１０^−６／℃程度である。金属層の厚さは、例えば、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。

金属層の形成材料がインバーであれば、ガラス基板の線膨張係数とインバーの線膨張係数とが同じ程度であるため、メタルマスク基材１１から形成されるメタルマスクをガラス基板に対する成膜に適用すること、すなわち、形状の精度が高められたメタルマスクをガラス基板に対する成膜に適用することが可能である。

第１ドライフィルムレジスト１２は、例えば、感光性を有する材料の一例であるネガ型レジストから形成されている。第１ドライフィルムレジスト１２の形成材料は、例えば光重合により架橋するアクリル系樹脂である。第１ドライフィルムレジスト１２の厚さは、例えば、５μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。なお、第１ドライフィルムレジスト１２は、ポジ型レジストから形成されてもよいが、一般には、第１ドライフィルムレジスト１２の形成材料として、ネガ型レジストが用いられることが多い。

図２から図４を参照して、メタルマスク基材１１、および、メタルマスク形成用中間体１０の他の形態を説明する。なお、図２は、メタルマスク基材１１が１つの金属層から構成される例である第１の形態を示し、図３は、メタルマスク基材１１が１つの金属層と１つの樹脂層とから構成される例である第２の形態を示している。また、図４は、メタルマスク基材１１が２つの金属層と１つの樹脂層とから構成される例である第３の形態を示している。

［第１の形態］
図２が示すように、金属層２１は、第１面１１ａとは反対側の面である第２面１１ｂを備えている。第１面１１ａは、第１ドライフィルムレジスト１２が貼り付けられるように構成された金属製の表面であり、第２面１１ｂは、レジストが配置されるように構成された金属製の表面、詳細には、第２ドライフィルムレジスト１３が貼り付けられるように構成された金属製の表面である。メタルマスク形成用中間体１０は、金属層２１、第１ドライフィルムレジスト１２、および、第２ドライフィルムレジスト１３から構成されている。

第２面１１ｂにおいても、第１面１１ａと同様、正反射における反射率が４５．２％以上であることが好ましい。このメタルマスク基材１１によれば、金属層２１のうち、第１面１１ａに加えて、第２面１１ｂにおいても第２ドライフィルムレジスト１３と金属層２１との密着性を高めることができる。

また、第２面１１ｂにおいて、第１面１１ａと同様、三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、かつ、三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下であることが好ましい。こうしたメタルマスク基材１１によれば、金属層２１のうち、第１面１１ａに加えて、第２面１１ｂにおいても、第２ドライフィルムレジスト１３と第２面１１ｂとの界面における密着性がより確実に高まる。

なお、第２ドライフィルムレジスト１３の形成材料は、第１ドライフィルムレジスト１２と同じく、例えば光重合により架橋するアクリル系樹脂である。また、第２ドライフィルムレジスト１３の厚さは、例えば、５μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。

［第２の形態］
図３が示すように、メタルマスク基材１１は、金属層２１と、金属層２１に対して第１ドライフィルムレジスト１２とは反対側に位置する樹脂層２２とを備えてもよい。樹脂層２２の線膨張係数と、金属層２１の線膨張係数とは、温度の依存性として互いに同じ傾向を示し、かつ、線膨張係数の値が同じ程度であることが好ましい。金属層２１は、例えばインバーから形成されたインバー層であり、樹脂層２２は、例えばポリイミドから形成されたポリイミド層である。このメタルマスク基材１１によれば、金属層２１の線膨張係数と、樹脂層２２の線膨張係数との差によって、メタルマスク基材１１に反りが生じることが抑えられる。

第２の形態におけるメタルマスク形成用中間体１０は、金属層２１、第１ドライフィルムレジスト１２、および、樹脂層２２から構成されている。なお、樹脂層２２は、金属層２１に対する塗工によって形成されてもよいし、金属層２１とは別にフィルム状に形成されて、金属層２１に貼り付けられてもよい。そして、樹脂層２２は、金属層２１との接着性を発現する接着層を含み、この接着層が金属層２１に貼り付けられた構成であってもよい。

［第３の形態］
図４が示すように、メタルマスク基材１１は、金属層２１と樹脂層２２とに加えて、メタルマスク基材１１の厚さ方向において、樹脂層２２に対して金属層２１とは反対側に位置する他の金属層２３をさらに備えてもよい。このメタルマスク基材１１では、メタルマスク基材１１における第１面１１ａとは反対側の面であって、金属層２３の含む面が第２面１１ｂである。

他の金属層２３の形成材料は、金属層２１と同じく、例えばインバー、すなわち、鉄とニッケルとを主成分とする合金であり、３６質量％のニッケルを含む合金であることが好ましい。金属層２３の厚さは、例えば、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。他の金属層２３の厚さは、金属層２１の厚さと互いに同じであってもよいし、互いに異なってもよい。

金属層２１が含む第１面１１ａおよび第２面１１ｂと同様、他の金属層２３の含む第２面１１ｂにおいて、正反射における反射率は４５．２％以上であることが好ましい。また、他の金属層２３の含む第２面１１ｂにおいて、三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、かつ、三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下であることが好ましい。

こうした他の金属層２３における第２面１１ｂによれば、金属層２１が含む第１面１１ａおよび第２面１１ｂと同等の効果を得ることができる。なお、メタルマスク基材１１は、金属層２１と樹脂層２２とが積層され、また、金属層２３と樹脂層２２とが積層された構造体であるため、図３を用いて先に説明されたメタルマスク基材１１、すなわち、メタルマスク基材１１における第２の形態と同等の効果を得ることもできる。

第３の形態におけるメタルマスク形成用中間体１０は、金属層２１，２３、第１ドライフィルムレジスト１２、樹脂層２２、および、第２ドライフィルムレジスト１４から構成されている。なお、樹脂層２２は、２つの金属層２１，２３のうちのいずれかに対する塗工によって形成されてもよいし、金属層２１，２３とは別にフィルム状に形成されて、金属層２１，２３に貼り付けられてもよい。そして、樹脂層２２が金属層２１，２３に貼り付けられる場合には、樹脂層２２は、金属層２１との接着性を発現する接着層と、金属層２３との接着性を発現する接着層とを含み、これらの接着層が２つの金属層２１，２３にそれぞれ貼り付けられた構成であってもよい。

［ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の管理方法］
図５を参照して、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の管理方法を説明する。

ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の管理方法は、準備工程、入射工程、測定工程、算出工程、および、判断工程を備える。すなわち、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の管理方法は、ドライフィルムレジストが貼り付けられるように構成された金属製の表面を備えるドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を準備すること、および、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の表面に光を入射させることを備える。また、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の管理方法は、表面に入射した光のうち、表面にて正反射した光の光量を測定すること、表面に入射した光の光量に対する正反射した光の光量の比として、正反射における反射率を算出すること、および、反射率が４５．２％以上であるか否かを判断することを備える。

図５が示すように、上述した入射工程、および、測定工程では、例えば、自動変角光度計ＰＭを用いる。自動変角光度計ＰＭは、ハロゲンランプである光源ＬＳと、自動変角光度計ＰＭに配置された試験片が反射した反射光を受光する受光部ＬＲとを備えている。

入射工程に先立ち、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の一部を切り出した試験片Ｔを準備する。試験片Ｔは、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の表面の一部である測定面Ｔｓを有する。そして、測定面Ｔｓに光源ＬＳからの光が入射するように、試験片Ｔを自動変角光度計ＰＭに配置する。

試験片Ｔの測定面Ｔｓの法線方向Ｎと、光源ＬＳから射出された光の入射方向とが形成する角度が、光源ＬＳから射出された光の入射角度αである。入射工程では、所定の入射角度α、例えば、４５°±０．２°の入射角度αで、測定面Ｔｓに光を入射させる。測定面Ｔｓに入射した光の光量は、光源ＬＳが射出した光の光量である。

測定面Ｔｓの法線方向Ｎと、測定面Ｔｓから射出される光の射出方向とが形成する角度が、測定面Ｔｓから射出された光の射出角度βである。測定面Ｔｓにおいて正反射された光の射出角度βは、測定面Ｔｓに入射した光の入射角度αと等しい。すなわち、正反射された光の射出角度βは、４５°±０．２°である。

測定工程では、受光部ＬＲに含まれる受光素子が、測定面Ｔｓにて反射された光のうち、少なくとも正反射された光を受光する。受光部ＬＲに含まれる受光素子は、受光した光の光量に応じたアナログ信号を生成し、かつ、受光部ＬＲに含まれる変換回路は、受光素子の生成したアナログ信号をデジタル信号に変換し、このデジタル信号を反射光の光量として生成する。

受光部ＬＲに含まれる受光素子は、例えば、射出角度βが０°である光から、射出角度βが９０°である光までにわたって、０．１°ごとに受光する。このとき、受光部ＬＲに含まれる受光素子は、法線方向Ｎに直交し、かつ、試験片Ｔの測定面Ｔｓに沿って延びる回転軸Ａを中心に回転する。言い換えれば、受光素子の回転する回転軸Ａが測定面Ｔｓと平行となるように、試験片Ｔは配置される。これにより、測定工程では、測定面Ｔｓにて反射された光のうち、射出角度βが０°である光から射出角度βが９０°である光までにわたって、０．１°ごとの光の光量が測定される。

算出工程は、例えば、受光部ＬＲにて受光した光の強度を光電変換した信号電流に基づき、自動変角光度計ＰＭに内蔵された受光部ＬＲに含まれる演算部によって行われ、判断工程は、自動変角光度計ＰＭに接続された演算装置によって行われる。演算部は、例えば、予め入力された入射光の光量と、測定工程において生成したデジタル信号である反射光の光量とを、上述した式（１）に代入して各射出角度βにおける光の反射率を算出する。自動変角光度計ＰＭは、算出した反射率をデジタル信号として演算装置に出力する。

そして、演算装置は、自動変角光度計ＰＭの出力したデジタル信号に基づき、正反射における光の反射率が、４５．２％以上であるか否かを判断する。こうした管理方法によれば、メタルマスク基材の表面において、正反射における光の反射率が４５．２％以上であるか否かが判断されるため、ドライフィルムレジストと表面との界面における密着性を高めることができる表面を備える状態で、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を管理することができる。

一般に、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の表面の状態は、表面粗さを用いて管理されることが多い。表面粗さを一度に測定することが可能な領域は、例えば、一辺の長さが数百μｍ程度である矩形状を有した領域であって、非常に小さい領域である。そのため、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材のほぼ全体における表面の状態を表面粗さの測定値から正確に把握するためには、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材における非常に多数の箇所について表面粗さを測定する必要がある。

これに対して、正反射における反射率を一度に測定することが可能な領域は、表面粗さを一度に測定することが可能な領域と比べて、大幅に大きく、反射率を得ることに要する時間も、表面粗さを得ることに要する時間と比べて、大幅に短い。そして、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の表面と、ドライフィルムレジストとの密着性を確保するべく行われる管理においては、上述した表面粗さの測定よりも表面を巨視的に把握する管理が好ましい。この点で、正反射における反射率を一度に測定することが可能な領域の大きさは、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の表面と、ドライフィルムレジストとの密着性に影響を及ぼす範囲に拡大することも容易である。そのため、反射率における１つの値は、表面粗さにおける１つの値と比べて、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の表面におけるより大きい領域の状態を反映した値であって、それの取得に要する負荷も小さい値である。

それゆえに、反射率を用いてドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を管理するときには、表面粗さを用いてドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を管理するときと比べて、表面における測定箇所の個数が少なくとも、同程度の正確さで表面の状態を把握することが可能になる。

また、表面における測定箇所の個数が同じであれば、反射率を用いてドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を管理するときには、表面粗さを用いてドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を管理するときと比べて、より正確に表面の状態を把握することが可能にもなる。

また、表面粗さを用いてドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を管理するときには、三次元表面粗さＳａと三次元表面粗さＳｚとの２つの値によってドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を管理する場合がある。これに対して、反射率を用いてドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を管理するときには、正反射における反射率の測定値のみによって管理が可能である。すなわち、１つの値によってドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を管理することができる分、表面粗さを用いてドライフィルムレジスト用メタルマスク基材を管理するときと比べて、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の管理に要する負荷を小さくすることができる。

なお、自動変角光度計ＰＭ以外の他の装置が、自動変角光度計ＰＭの測定結果を用いて算出工程を行ってもよいし、自動変角光度計ＰＭが、判断工程を行ってもよい。

［ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の製造方法］
図６および図７を参照して、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の製造方法を説明する。

図６および図７を参照して、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の製造方法を説明する。なお、以下では、メタルマスク基材１１が、１つの金属層２１から構成される例、すなわち、図２を参照して説明された第１の形態を用いて説明する。

図６が示すように、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の製造方法では、まず、インバーから形成された母材２１ａであって、１つの方向である圧延方向Ｄ１に沿って延びる母材２１ａを準備する。次いで、母材２１ａの圧延方向Ｄ１と、母材２１ａを搬送する搬送方向Ｄ２とが平行になるように、母材２１ａを一対の圧延ローラー３１，３２を備える圧延装置３０に向けて搬送方向Ｄ２に沿って搬送する。

母材２１ａが一対の圧延ローラー３１，３２の間に到達すると、母材２１ａが一対の圧延ローラー３１，３２によって圧延される。これにより、母材２１ａの厚さが低減され、かつ、母材２１ａが搬送方向Ｄ２に沿って伸ばされることで、圧延材２１ｂを得ることができる。圧延材２１ｂはコアＣに巻き取られるが、圧延材２１ｂは、コアＣに巻き取られることなく、帯形状に伸ばされた状態で取り扱われてもよい。圧延材２１ｂの厚さは、例えば、１０μｍ以上５０μｍ以下である。

図７が示すように、母材２１ａの圧延によって形成された圧延材２１ｂの内部に蓄積された残留応力を取り除くために、アニール装置３３を用いて圧延材２１ｂをアニールする。これにより、メタルマスク基材としての金属層２１が得られる。圧延材２１ｂのアニールは、圧延材２１ｂを搬送方向Ｄ２に沿って引っ張りながら行うため、アニール前の圧延材２１ｂに比べて残留応力が低減されたメタルマスク基材としての金属層２１を得ることができる。

なお、上述した圧延工程およびアニール工程の各々を、以下のように変更して実施してもよい。すなわち、例えば、圧延工程では、複数対の圧延ローラーを備える圧延装置を用いてもよい。また、圧延工程およびアニール工程を複数回繰り返すことによって、金属層２１を製造してもよい。また、アニール工程では、圧延材２１ｂを搬送方向Ｄ２に沿って引っ張りながら圧延材２１ｂのアニールを行うのではなく、コアＣに巻き取られた状態の圧延材２１ｂに対してアニールを行ってもよい。

なお、コアＣに巻き取られた状態の圧延材２１ｂに対してアニール工程を行ったときには、金属層２１がコアＣに巻き取られたことにより、アニール後の金属層２１には、金属層２１の径に応じた反りの癖がついてしまう場合がある。そのため、金属層２１がコアＣに巻かれたときの径の大きさや母材２１ａを形成する材料によっては、圧延材２１ｂを搬送方向Ｄ２に沿って引っ張りながら圧延材２１ｂをアニールすることが好ましい。

［メタルマスクの製造方法］
図８から図１４を参照して、メタルマスクの製造方法を説明する。なお、以下では、メタルマスクを製造するために使用されるメタルマスク基材１１が、１つの金属層２１から構成される例、すなわち、図２を参照して説明された第１の形態を用いて説明する。また、図８から図１３では、図示の便宜上から、メタルマスクに形成される複数の貫通孔のうち、１つの貫通孔のみを含む部分に対する工程図が示されている。

メタルマスクの製造方法は、金属製の表面を備えるメタルマスク基材を準備すること、表面にレジストを配置すること、メタルマスク基材に、メタルマスク基材の厚さ方向に沿って窪み、かつ、表面に開口を有する複数の凹部を形成するための貫通孔をレジストに形成すること、および、メタルマスク基材に複数の凹部を形成することを備えている。メタルマスク基材に複数の凹部を形成することでは、表面と対向する平面視での開口の寸法における平均値をＡとし、寸法の標準偏差に３を掛けた値をＢとするとき、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下となるようにメタルマスク基材に複数の凹部を形成することが好ましい。

なお、メタルマスク基材の表面と対向する平面視において、メタルマスク基材の凹部が円形状を有した領域を区画する孔であれば、凹部の開口における寸法は、開口の直径であればよい。また、メタルマスク基材の表面と対向する平面視において、メタルマスク基材の凹部が１つの方向に沿って延びる矩形状を有した領域を区画する孔であれば、凹部の開口における寸法は、開口の長手方向に沿う寸法であってもよいし、開口の短手方向に沿う寸法であってもよい。またあるいは、メタルマスク基材の表面と対向する平面視において、メタルマスク基材の凹部が正方形状を有した領域を区画する孔であれば、凹部の開口における寸法は、開口における一辺の寸法であればよい。

なお、凹部が１つの方向に沿って延びる矩形状、あるいは、正方形状を有した領域を区画する孔であるときには、凹部によって区画される領域の角部が、凹部によって区画される領域の内部に曲率の中心を有するような弧状を有してもよい。

より詳しくは、図８が示すように、メタルマスクを製造するときには、まず、上述した第１面１１ａと第２面１１ｂとを含む金属層２１であるメタルマスク基材と、第１面１１ａに貼り付けられる第１ドライフィルムレジスト１２と、第２面１１ｂに貼り付けられる第２ドライフィルムレジスト１３とを準備する。２つのドライフィルムレジスト１２，１３の各々は、金属層２１とは別に形成されたフィルムである。

そして、第１面１１ａに第１ドライフィルムレジスト１２を貼り付け、かつ、第２面１１ｂに第２ドライフィルムレジスト１３を貼り付ける。すなわち、第１面１１ａに第１ドライフィルムレジスト１２を積層し、第２面１１ｂに第２ドライフィルムレジスト１３を積層する。例えば、金属層２１の厚さ方向において、金属層２１が２つのドライフィルムレジストに挟まれた状態で、３つの層に所定の熱と圧力とを加えることによって、金属層２１の第１面１１ａに第１ドライフィルムレジスト１２を貼り付け、かつ、第２面１１ｂに第２ドライフィルムレジスト１３を貼り付ける。なお、第１ドライフィルムレジスト１２と第２ドライフィルムレジスト１３とは、金属層２１に対して別々に貼り付けられてもよい。

ここで、２つのドライフィルムレジスト１２，１３と金属層２１との密着性を高める観点では、金属層２１の第１面１１ａおよび第２面１１ｂの各々が、平滑な面であることが好ましい。この点で、第１面１１ａおよび第２面１１ｂの各々において、正反射における反射率が４５．２％以上であるため、メタルマスクを製造する上で好ましい程度に、ドライフィルムレジスト１２，１３と金属層２１との密着性が高まる。こうしてメタルマスク形成用中間体が製造される。

図９が示すように、ドライフィルムレジスト１２，１３のうち、貫通孔を形成する部位以外の部分を露光し、露光後のドライフィルムレジストを現像する。これによって、第１ドライフィルムレジスト１２に第１貫通孔１２ａを形成し、かつ、第２ドライフィルムレジスト１３に第２貫通孔１３ａを形成する。すなわち、第１ドライフィルムレジスト１２と第２ドライフィルムレジスト１３とをパターニングする。

第１ドライフィルムレジスト１２を露光するときには、第１ドライフィルムレジスト１２において金属層２１に接する面とは反対側の面に、第１貫通孔１２ａを形成する部分以外の部分に光を到達させるように構成された原版を載せる。第２ドライフィルムレジスト１３を露光するときには、第２ドライフィルムレジスト１３において金属層２１に接する面とは反対側の面に、第２貫通孔１３ａを形成する部分以外の部分に光を到達させるように構成された原版を載せる。また、露光後のドライフィルムレジストを現像するときには、現像液として、例えば炭酸ナトリウム水溶液を用いる。

なお、第１ドライフィルムレジスト１２がポジ型レジストから形成されるときには、第１ドライフィルムレジスト１２のうち、第１貫通孔１２ａを形成する部分を露光すればよい。また、第２ドライフィルムレジスト１３がポジ型レジストから形成されるときには、第２ドライフィルムレジスト１３のうち、第２貫通孔１３ａを形成する部分を露光すればよい。

図１０が示すように、例えば、第１ドライフィルムレジスト１２をマスクとして、すなわち、第１ドライフィルムレジスト１２を介して、塩化第二鉄液を用いて金属層２１の第１面１１ａをエッチングする。このとき、第２ドライフィルムレジスト１３には、金属層２１の第２面１１ｂが第１面１１ａと同時にエッチングされないように、第２保護層４１を形成する。第２保護層４１の形成材料は、塩化第二鉄液によってエッチングされにくい材料であればよい。これによって、金属層２１の第１面１１ａに、第１ドライフィルムレジスト１２の第１貫通孔１２ａを介して、第２面１１ｂに向けて窪む第１凹部１１ｃ１を形成する。第１凹部１１ｃ１は、第１面１１ａに開口する第１開口５１を有する。

ここで、上述したメタルマスク形成用中間体では、第１ドライフィルムレジスト１２と金属層２１との密着性が高められている。そのため、金属層２１が塩化第二鉄液に曝されたとき、塩化第二鉄液は、第１ドライフィルムレジスト１２に形成された第１貫通孔１２ａを通じて金属層２１の第１面１１ａに接する一方で、塩化第二鉄液が、第１ドライフィルムレジスト１２と金属層２１との界面に入り込むことが抑えられる。それゆえに、金属層２１には、第１凹部１１ｃ１が、形状の精度が高められた状態で形成される。

また、第１面１１ａと対向する平面視において、第１凹部１１ｃ１が有する開口の寸法における平均値をＡとし、寸法の標準偏差に３を掛けた値をＢとするとき、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下となるように金属層２１に複数の第１凹部１１ｃ１が形成される。

図１１が示すように、金属層２１の第１面１１ａに形成した第１ドライフィルムレジスト１２と、第２ドライフィルムレジスト１３に接する第２保護層４１とを取り除く。また、金属層２１の第１面１１ａに、第１面１１ａのエッチングを防ぐための第１保護層４２を形成する。第１保護層４２の形成材料は、塩化第二鉄液によってエッチングされにくい材料であればよい。

図１２が示すように、第２ドライフィルムレジスト１３をマスクとして、塩化第二鉄液を用いて金属層２１の第２面１１ｂをエッチングする。これによって、金属層２１の第２面１１ｂに、第２ドライフィルムレジスト１３の第２貫通孔１３ａを介して、第１面１１ａに向けて窪む第２凹部１１ｃ２を形成する。第２凹部１１ｃ２は、第２面１１ｂに開口する第２開口５２を有し、第２面１１ｂと対向する平面視において、第２開口５２は、第１開口５１よりも大きい。

ここで、上述したメタルマスク形成用中間体では、第２ドライフィルムレジスト１３と金属層２１との密着性も高められている。そのため、金属層２１が塩化第二鉄液に曝されたとき、塩化第二鉄液は、第２ドライフィルムレジスト１３に形成された第２貫通孔１３ａを通じて金属層２１の第２面１１ｂに接する一方で、塩化第二鉄液が、第２ドライフィルムレジスト１３と金属層２１との界面に入り込むことが抑えられる。それゆえに、金属層２１には、第２凹部１１ｃ２が、形状の精度が高められた状態で形成される。

また、第２面１１ｂと対向する平面視において、第２凹部１１ｃ２が有する開口の寸法における平均値をＡとし、寸法の標準偏差に３を掛けた値をＢとするとき、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下となるように金属層２１に複数の第２凹部１１ｃ２が形成される。

図１３が示すように、第１保護層４２と第２ドライフィルムレジスト１３とを金属層２１から取り除くことによって、複数の貫通孔６１ｃが形成されたメタルマスク６０が得られる。

メタルマスク６０は、加工が施されたメタルマスク基材１１であって、メタルマスク基体の一例であるマスク基体６１を備えている。マスク基体６１は、メタルマスク基材１１の第１面１１ａに対応する金属製の面であって、第１ドライフィルムレジスト１２が取り除かれた面である第１マスク面６１ａを含む。また、マスク基体６１は、メタルマスク基材１１の第２面１１ｂに対応する金属製の面であって、第２ドライフィルムレジスト１３が取り除かれた面である第２マスク面６１ｂを含む。

貫通孔６１ｃは、第１マスク面６１ａと第２マスク面６１ｂとの間を貫通し、貫通孔６１ｃがマスク基体６１を貫通する方向と直交する方向における断面積が、第１マスク面６１ａと第２マスク面６１ｂとの間において最も小さい。

すなわち、貫通孔６１ｃは、第１マスク面６１ａに開口する第１開口５１、第２マスク面６１ｂに開口する第２開口５２、および、マスク基体６１の厚さ方向において、第１開口５１と第２開口５２との間に位置する括れ部５３を備える。第１マスク面６１ａと対向する平面視において、第１開口５１は第２開口５２よりも小さい。貫通孔６１ｃは、第１開口５１から括れ部５３に向けて断面積が小さくなり、かつ、第２開口５２から括れ部５３に向けて断面積が小さくなる形状を有している。なお、第１開口５１と括れ部５３との間の距離、すなわち、第１マスク面６１ａと括れ部５３との間の距離は小さいほど好ましい。

また、メタルマスク６０において、第１マスク面６１ａと対向する平面視での第１開口５１の寸法における平均値をＡとし、寸法の標準偏差に３を掛けた値をＢとするとき、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下であることが好ましい。さらに、メタルマスク６０において、第２マスク面６１ｂと対向する平面視での第２開口５２の寸法における平均値をＡとし、寸法の標準偏差に３を掛けた値をＢとするとき、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下であることが好ましい。

メタルマスク６０において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）が１０％以下であるため、メタルマスク６０が有する貫通孔６１ｃの第１開口５１における寸法の精度、および、第２開口５２における寸法の精度が高い。

なお、メタルマスク基材１１の第１面１１ａには、第１ドライフィルムレジスト１２が貼り付けられる前に、以下の前提であれば、各種の処理、例えば洗浄処理などが行われてもよい。すなわち、この場合には、各種の処理は、第１マスク面６１ａにおいて、正反射における反射率、三次元表面粗さＳａ、および、三次元表面粗さＳｚの各々が、処理前の面である第１面１１ａにおける値にほぼ維持することができる処理である。

また、メタルマスク基材１１の第２面１１ｂには、第２ドライフィルムレジスト１３が貼り付けられる前に、以下の前提であれば、各種の処理、例えば洗浄処理などが行われてもよい。すなわち、この場合には、各種の処理は、第２マスク面６１ｂにおいて、正反射における反射率、三次元表面粗さＳａ、および、三次元表面粗さＳｚの各々が、処理前の面である第２面１１ｂにおける値にほぼ維持することができる処理である。

図１４が示すように、マスク基体６１には、マスク基体６１を厚さ方向に沿って貫通する複数の貫通孔６１ｃが形成され、第１マスク面６１ａに複数の貫通孔６１ｃが開口している。複数の貫通孔６１ｃは、例えば、第１マスク面６１ａと対向する平面視において、第１マスク面６１ａに沿う１つの方向に沿って規則的に並び、かつ、１つの方向と直交する方向に沿って規則的に並んでいる。

なお、メタルマスクを製造するために使用されるメタルマスク基材１１が上記第２の形態であるとき、メタルマスク形成用中間体は、金属層、樹脂層、および、第１ドライフィルムレジスト１２から構成される。こうしたメタルマスク形成用中間体に対しては、第１ドライフィルムレジスト１２をマスクとしたエッチングが施される一方で、樹脂層に対してはレーザ加工などによる穿孔が行われてもよい。

そして、マスク基体６１は、金属層と樹脂層とから構成される。こうしたマスク基体６１は、上記第１マスク面６１ａを有する一方で、第１マスク面６１ａとは反対側の面は、金属製の表面ではなく、樹脂層に含まれる。また、こうした構成では、第１マスク面６１ａに第２開口５２が形成され、樹脂層に含まれる面に第１開口５１が形成されることが好ましい。

また、メタルマスクを製造するために使用されるメタルマスク基材１１が上記第３の形態であるとき、メタルマスク形成用中間体は、樹脂層と、この樹脂層を挟む２つの金属層と、２つのドライフィルムレジスト１２，１４から構成される。こうしたメタルマスク形成用中間体に対しては、各ドライフィルムレジスト１２，１４をマスクとしたエッチングの他に、樹脂層に対してはレーザ加工などによる穿孔が行われてもよい。

そして、マスク基体６１は、樹脂層と、この樹脂層を挟む２つの金属層とから構成される。こうしたマスク基体６１においては、上記第１マスク面６１ａが一方の金属層に含まれ、上記第２マスク面６１ｂが他方の金属層に含まれる。また、貫通孔６１ｃは、これら樹脂層と２つの金属層とを貫通する。

［実施例］
図１５から図２２を参照して、実施例を説明する。以下では、メタルマスク基材が１つの金属層から構成される例を説明する。

［反射率の測定］
［正反射における反射率の最小値］
実施例１から実施例４、および、比較例１のメタルマスク基材の各々における反射率を以下の測定方法を用いて測定した。

実施例１から実施例４のメタルマスク基材、および、比較例１のメタルマスク基材は、４３０ｍｍの幅を有するメタルマスク基材の原反を準備し、原反の一部を５００ｍｍの長さで切り出すことによって得た。また、メタルマスク基材は、２０μｍの厚さを有するものとし、形成材料をインバーとした。

そして、切り出したメタルマスク基材において、幅方向の中央を含み、かつ、圧延方向の中央を含む部分であって、メタルマスク基材の幅方向に沿う長さが５ｃｍであり、かつ、圧延方向に沿う長さが５ｃｍである正方形板形状を有する１つの試験片を準備した。

そして、自動変角光度計（村上色彩技術研究所（株）製、ＧＰ−２００）に各試験片を配置し、試験片の測定面の法線方向に対して４５°±０．２°の光を入射させたときの反射率を算出した。なお、１つの試験片において、３つの測定点における反射率を、上述した式（１）を用いて算出した。

このとき、試験片のうち、１４ｍｍの直径を有する領域に光を当て、反射光を直径が１１．４ｍｍである受光部の受光面によって受光した。受光部は、射出角度が０°である反射光から、射出角度が９０°である反射光までにわたって、０．１°ごとに受光した。また、受光部の回転軸Ａの延びる方向と、メタルマスク基材の圧延方向とが平行とみなされるように、例えば、受光部の回転軸Ａの延びる方向とメタルマスク基材の圧延方向との形成する角度が±２°以内になるように、各試験片を自動変角光度計に配置した。
なお、光源としてハロゲンランプを用い、受光部には、受光素子としてサイドオン型光電子増倍管を含む受光部を用いた。

各試験片において、互いに異なる３つの測定点が第１測定点、第２測定点、および、第３測定点であり、第１測定点から第３測定点の各々における正反射での反射率は、表１に示される値であった。なお、各試験片のうち、第１測定点は、試験片の中央を含む部分であり、第２測定点、および、第３測定点は、各試験片のうちで第１測定点とは異なり、かつ、互いに重ならない部分である。

表１が示すように、実施例１では、第１測定点における反射率が６２．６％であり、第２測定点における反射率が５４．４％であり、第３測定点における反射率が６０．２％であることが認められた。すなわち、実施例１では、正反射における反射率の最小値が５４．４％であることが認められた。

実施例２では、第１測定点における反射率が４８．５％であり、第２測定点における反射率が４５．２％であり、第３測定点における反射率が４９．８％であることが認められた。すなわち、実施例２では、正反射における反射率の最小値が４５．２％であることが認められた。

実施例３では、第１測定点における反射率が７３．３％であり、第２測定点における反射率が６４．４％であり、第３測定点における反射率が５４．０％であることが認められた。すなわち、実施例３では、正反射における反射率の最小値が５４．０％であることが認められた。

実施例４では、第１測定点における反射率が８３．２％であり、第２測定点における反射率が７４．０％であり、第３測定点における反射率が８５．８％であることが認められた。すなわち、実施例４では、正反射における反射率の最小値が７４．０％であることが認められた。

比較例１では、第１測定点における反射率が２５．８％であり、第２測定点における反射率が２５．４％であり、第３測定点における反射率が３０．０％であることが認められた。すなわち、比較例１では、正反射における反射率の最小値が２５．４％であることが認められた。

［第１反射率と第２反射率との違い］
実施例５のメタルマスク基材と比較例２のメタルマスク基材との各々において、４枚の試験片を準備した。このとき、実施例１と同様、実施例５のメタルマスク基材、および、比較例２のメタルマスク基材において、４３０ｍｍの幅を有するメタルマスク基材の原反を準備し、原反の一部を５００ｍｍの長さで切り出した。そして、切り出したメタルマスク基材のうちの任意の４つの位置の各々から、１つの試験片を切り出した。なお、各試験片は、実施例１と同様、メタルマスク基材における幅方向に沿う長さが５ｃｍであり、圧延方向に沿う長さが５ｃｍである正方形形状を有する試験片とした。

そして、受光部の回転軸Ａの延びる方向と、メタルマスク基材の圧延方向とが平行とみなされるように、例えば、受光部の回転軸Ａの延びる方向とメタルマスク基材の圧延方向との形成する角度が±２°以内になるように、各試験片を自動変角光度計に配置したときの反射率を算出した。言い換えれば、メタルマスク基材の表面に垂直な第１平面であって、圧延方向と直交する第１平面内での反射率である第１反射率を算出した。

さらに、受光部の回転軸Ａの延びる方向と、メタルマスク基材の幅方向とが平行とみなされるように、例えば、受光部の回転軸Ａの延びる方向とメタルマスク基材の幅方向との形成する角度が±２°以内になるように、各試験片を自動変角光度計に配置した。言い換えれば、メタルマスク基材の表面に垂直な第２平面であって、幅方向と直交する第２平面内での反射率である第２反射率を算出した。

なお、各試験片に入射させる光は、上述と同様の条件とし、第１反射率を算出するときと、第２反射率を算出するときとの両方において、各試験片における中央に光を当てた。また、各試験片において、光を当てた１つの領域における反射率を、上述した式（１）を用いて算出した。
各試験片において、第１反射率および第２反射率は、表２に示される値であった。

表２が示すように、実施例５では、試験片１において、第１反射率が７５．９％であり、第２反射率が７７．８％であり、試験片２において、第１反射率が５６．１％であり、第２反射率が６７．９％であることが認められた。試験片３において、第１反射率が６２．８％であり、第２反射率が７３．０％であり、試験片４において、第１反射率が６４．８％であり、第２反射率が７８．５％であることが認められた。

そして、第２反射率から第１反射率を引いた差が、試験片１では１．９％であり、試験片２では１１．８％であり、試験片３では１０．２％であり、試験片４では１３．７％であることが認められた。すなわち、実施例５では、第２反射率が第１反射率よりも大きいことが認められた。また、実施例５では、第２反射率から第１反射率を引いた差が、１０．２％以上である部分が含まれることが認められた。

比較例２では、試験片１において、第１反射率が３０．１％であり、第２反射率が３１．４％であり、試験片２において、第１反射率が３３．３％であり、第２反射率が２９．５％であることが認められた。試験片３において、第１反射率が３３．１％であり、第２反射率が３２．８％であり、試験片４において、第１反射率が３４．０％であり、第２反射率が３１．７％であることが認められた。

そして、第２反射率から第１反射率を引いた差が、試験片１では１．３％であり、試験片２では−３．８％であり、試験片３では−０．３％であり、試験片４では−２．３％であることが認められた。すなわち、比較例２には、第２反射率が第１反射率よりも大きい部分と、第２反射率が第１反射率よりも小さい部分とが含まれることが認められた。また、比較例２には、実施例５と比べて、第２反射率から第１反射率を引いた差が小さい部分のみが含まれることが認められた。

［表面粗さの測定］
実施例１から実施例４、および、比較例１のメタルマスク基材の各々について、三次元表面粗さＳａ、および、三次元表面粗さＳｚを以下の測定方法を用いて測定した。

５０倍の対物レンズを装着した形状解析レーザ顕微鏡（ＶＫ−Ｘ２１０、（株）キーエンス製）を用いて、三次元表面粗さＳａ、および、三次元表面粗さＳｚを測定した。三次元表面粗さＳａ、および、三次元表面粗さＳｚとして、１つの方向における約２８０μｍの幅と、１つの方向と直交する方向における約２２０μｍの幅とを有する面における三次元表面粗さＳａおよび三次元表面粗さＳｚを測定した。
なお、三次元表面粗さＳａおよび三次元表面粗さＳｚは、ＩＳＯ ２５１７８に準拠する方向によって測定した。

実施例１から実施例４のメタルマスク基材、および、比較例１のメタルマスク基材は、反射率を測定するときと同様、４３０ｍｍの幅を有するメタルマスク基材の原反を準備し、原反の一部を５００ｍｍの長さで切り出すことによって得た。

実施例１から実施例４、および、比較例１のメタルマスク基材の各々において、互いに異なる３か所の各々から切り出した試験片での各表面粗さを測定した。各試験片は、メタルマスク基材の圧延方向に沿う長さが２０ｍｍであり、メタルマスク基材の幅方向に沿う長さが３０ｍｍである矩形板形状を有する試験片とした。

メタルマスク基材の圧延方向における２つの端部を第１端部および第２端部とし、幅方向における２つの端部を第３端部および第４端部とするとき、３つの試験片の各々をメタルマスク基材における以下の位置から切り出した。

すなわち、試験片１を第１端部から１００ｍｍだけ離れ、かつ、第３端部から２００ｍｍだけ離れた位置から切り出した。また、試験片２を第２端部から１００ｍｍだけ離れ、かつ、第３端部から７０ｍｍだけ離れた位置から切り出した。そして、試験片３を第２端部から１００ｍｍだけ離れ、かつ、第４端部から７０ｍｍだけ離れた位置から切り出した。

なお、各試験片において、５つの測定点における三次元表面粗さＳａと三次元表面粗さＳｚとを測定した。５つの測定点は、各試験片における中央の１点と、中央の１点を囲む外周における４点とした。各試験片における外周の４点は、試験片の対角線上に位置する点とし、かつ、中央の１点と、外周における各点との間の距離は、１０ｍｍとした。

実施例１から４、および、比較例１の各々において、各試験片における三次元表面粗さＳａの最大値、および、三次元表面粗さＳｚの最大値は、表３に示される値であった。

表３が示すように、実施例１では、試験片１において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０９μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．８３μｍであることが認められた。試験片２において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０８μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．６３μｍであり、試験片３において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０９μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が３．１７μｍであることが認められた。すなわち、実施例１において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０９μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が３．１７μｍであることが認められた。

また、実施例２では、試験片１において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．１０μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．９３μｍであることが認められた。試験片２において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．１１μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．８４μｍであり、試験片３において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．１０μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．９６μｍであることが認められた。すなわち、実施例２において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．１１μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．９６μｍであることが認められた。

実施例３では、試験片１において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０７μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が１．８８μｍであることが認められた。試験片２において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０７μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が１．５６μｍであり、試験片３において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０６μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が１．９０μｍであることが認められた。すなわち、実施例３において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０７μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が１．９０μｍであることが認められた。

実施例４では、試験片１において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０８μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．０６μｍであることが認められた。試験片２において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０６μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が１．４１μｍであり、試験片３において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０６μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が１．５６μｍであることが認められた。すなわち、実施例４において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．０８μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が２．０６μｍであることが認められた。

比較例１では、試験片１において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．１４μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が５．１０μｍであることが認められた。試験片２において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．１３μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が５．７８μｍであり、試験片３において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．１６μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が５．１０μｍであることが認められた。すなわち、実施例３において、三次元表面粗さＳａの最大値が０．１６μｍであり、三次元表面粗さＳｚの最大値が５．１０μｍであることが認められた。

［評価］
図１５は、実施例１のメタルマスク基材を用いたメタルマスクの製造工程において、第１面に第１凹部を形成した後に、第１面に対して照射光を照射して、第１面にて反射された反射光を撮像した画像である。

図１６は、比較例１のメタルマスク基材を用いたメタルマスクの製造工程において、第１面に第１凹部を形成した後に、第１面に対して照射光を照射して、第１面にて反射された反射光を撮像した画像である。

図１５が示すように、実施例１のメタルマスク基材１１によれば、メタルマスク基材１１と第１ドライフィルムレジスト１２との密着性が高められている。そのため、第１面１１ａと対向する平面視において、第１面１１ａでの各第１凹部１１ｃ１における開口の大きさが、他の全ての第１凹部１１ｃ１における開口の大きさとほぼ等しいことが認められた。

一方で、図１６が示すように、比較例１のメタルマスク基材では、金属層の表面７１ａと対向する平面視において、複数の第１凹部７１ｃ１における開口の大きさが大きくばらついていることが認められた。

実施例１のメタルマスク基材、および、比較例１のメタルマスク基材の各々において、２４個の第１凹部の直径を測定した。なお、実施例１では、図１５に示される第１凹部１１ｃ１のうち、二点鎖線で囲まれる領域に含まれる第１凹部１１ｃ１の直径を測定し、比較例１では、図１６に示される第１凹部７１ｃ１のうち、二点鎖線で囲まれる領域に含まれる第１凹部７１ｃ１の直径を測定した。

また、各第１凹部について、紙面の上下方向での直径である第１直径、および、紙面の左右方向での直径である第２直径を測定し、各第１凹部について、第１直径と第２直径との平均値である平均直径を算出した。実施例１における第１直径、第２直径、および、平均直径と、比較例１における第１直径、第２直径、および、平均直径とは、以下の表４に示すとおりであった。

表４が示すように、実施例１の第１凹部１１ｃ１における平均直径は、４７．０μｍ以上５０．４μｍ以下であり、比較例１の第１凹部７１ｃ１における平均直径は、４６．０μｍ以上６４．９μｍ以下であることが認められた。

実施例１において、メタルマスク基材１１の表面と対向する平面視での第１凹部１１ｃ１の開口における直径の平均値をＡとし、直径の標準偏差に３を掛けた値をＢとし、（Ｂ／Ａ）×１００（％）を算出した。第１直径において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は、８．２％であり、第２直径において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は、６．６％であり、平均直径において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は、５．９％であることが認められた。

比較例１において、実施例１と同様に、金属層の表面７１ａと対向する平面視での第１凹部７１ｃ１の開口における直径の平均値をＡとし、直径の標準偏差に３を掛けた値をＢとし、（Ｂ／Ａ）×１００（％）を算出した。第１直径において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は、３０．３％であり、第２直径において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は、２６．１％であり、平均直径において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は、２６．７％であることが認められた。

実施例１において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は８．２％以下、すなわち１０％以下であるため、メタルマスク基材１１が有する第１凹部１１ｃ１の開口、ひいてはメタルマスクが有する貫通孔の開口における直径において、寸法の精度が高いことが認められた。これに対して、比較例１において、（Ｂ／Ａ）×１００（％）は３０．３％以下であり、実施例１によれば、比較例１に比べて、メタルマスク基材１１が有する第１凹部１１ｃ１の開口、ひいてはメタルマスクが有する貫通孔の開口における直径において、寸法の精度が大幅に高まることが認められた。

また、実施例１および比較例１について、第１凹部の平均直径の頻度を２μｍごとに示すヒストグラムと、１μｍごとに示すヒストグラムとを作成した。

図１７および図１８が示すように、実施例１では、第１凹部の平均直径の頻度が、５０μｍにおいて最も高いことが認められた。また、図１９および図２０が示すように、比較例１では平均直径の各値における頻度の差が、実施例１よりも小さいことが認められた。

このように、実施例１のメタルマスク基材１１によれば、メタルマスク基材１１と第１ドライフィルムレジスト１２との密着性が高められているために、複数の第１凹部１１ｃ１の各々が、形状の精度が高い状態で形成されることが認められた。一方で、比較例１のメタルマスク基材によれば、メタルマスク基材とドライフィルムレジストとの密着性が低いために、複数の第１凹部７１ｃ１において、形状の精度が低くなることが認められた。

なお、実施例２から実施例５の各々においても、図１５に示される複数の第１凹部の形状と同等の形状が得られることが認められた。すなわち、メタルマスク基材１１の１つの面において、正反射における反射率が４５．２％以上であれば、金属層２１と第１ドライフィルムレジスト１２との密着性が高まることが認められた。

また、メタルマスク基材１１の第２面１１ｂに第２凹部１１ｃ２を形成する際においても、第２面１１ｂでの正反射における反射率が上述した範囲に含まれる構成であれば、以下の傾向が認められた。すなわち、メタルマスク基材１１の第１面１１ａに第１凹部１１ｃ１を形成する際と同様に、メタルマスク基材１１と第２ドライフィルムレジスト１３との密着性が高められていることを示す傾向が認められた。

［反射率と表面粗さとの相関］
［反射率と三次元表面粗さＳａ］
正反射における反射率の最小値と、三次元表面粗さＳａの最大値との相関関係を回帰分析による解析結果として以下に示す。なお、回帰分析には、実施例１から実施例４、および、比較例１の測定結果を用いた。また、説明変数を三次元表面粗さＳａとし、被説明変数を正反射における反射率とし、最小二乗法を用いて、正反射における反射率の最小値と三次元表面粗さＳａの最大値との間における回帰式を算出した。

図２１が示すように、回帰式は、ｙ＝−４３３．５２ｘ＋９５．６６９であり、決定係数Ｒ^２は、０．７４９２であることが認められた。すなわち、正反射における反射率の最小値と、三次元表面粗さＳａの最大値との間には、高い相関があることが認められた。

［反射率と三次元表面粗さＳｚ］
正反射における反射率の最小値と、三次元表面粗さＳｚの最大値との相関関係を回帰分析による解析結果として以下に示す。なお、回帰分析には、実施例１から実施例４、および、比較例１の測定結果を用いた。また、説明変数を三次元表面粗さＳｚとし、被説明変数を正反射における反射率とし、最小二乗法を用いて、正反射における反射率の最小値と三次元表面粗さＳｚの最大値との間における回帰式を算出した。

図２２が示すように、回帰式は、ｙ＝−９．７７１５ｘ＋８１．５９７であり、決定係数Ｒ^２は、０．７５０５であることが認められた。すなわち、正反射における反射率の最小値と、三次元表面粗さＳｚの最大値との間には、高い相関があることが認められた。

このように、正反射における反射率は、三次元表面粗さＳａと三次元表面粗さＳｚの各々に対して負の相関を有することが認められた。そして、正反射における反射率が４５．２％以上であれば、三次元表面粗さＳａの値、および、三次元表面粗さＳｚの値のいずれもが、ドライフィルムレジストと、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材との界面における密着性が高まる値になることが認められた。すなわち、三次元表面粗さＳａが小さくなることに伴って、正反射における反射率が高くなること、および、三次元表面粗さＳｚが小さくなることに伴って、正反射における反射率が高くなることが認められた。

それゆえに、ドライフィルムレジストと、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材との界面における密着性が高められるように、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の表面における状態を管理する上では、正反射における反射率の測定値を用いた管理が可能である。

以上説明したように、１つの実施形態におけるドライフィルムレジスト用メタルマスク基材、および、ドライフィルムレジスト用メタルマスク基材の管理方法によれば、以下に列挙する効果を得ることができる。

（１）第１面１１ａに入射した光において、正反射における反射率が４５．２％以上であるため、メタルマスク基材１１の第１面１１ａと、第１ドライフィルムレジスト１２との界面における密着性を高めることができる。

（２）第１面１１ａにおいて得られる２つの反射率のうち、相対的に小さい反射率が４５．２％以上であるため、メタルマスク基材１１の第１面１１ａと、ドライフィルムレジスト１２との界面における密着性をより高めることができる。

（３）第１面１１ａが、第２反射率が第１反射率よりも１０．２％以上大きい部分を含むため、第１面１１ａと、ドライフィルムレジスト１２との界面における密着性を高める上でより好ましい。

（４）メタルマスク基材１１の表面において、正反射における反射率が４５．２％以上である中で、三次元表面粗さＳａが０．１１μｍ以下であり、かつ、三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍ以下であるため、第１ドライフィルムレジスト１２と第１面１１ａとの界面における密着性がより確実に高まる。

（５）第１の形態および第３の形態では、第１面１１ａと第１ドライフィルムレジスト１２との密着性、および、第２面１１ｂと第２ドライフィルムレジスト１３，１４との密着性が高められるため、第１面１１ａ、および、第２面１１ｂに対するエッチングにおいて、加工の精度を高めることが可能である。

（６）ガラス基板の線膨張係数とインバーの線膨張係数とが同じ程度であるため、メタルマスク基材１１から形成されるメタルマスク６０をガラス基板に対する成膜に適用すること、すなわち、形状の精度が高められたメタルマスク６０をガラス基板に対する成膜に適用することが可能である。

なお、上述した実施形態は、以下のように適宜変更して実施することもできる。
・金属層２１の形成材料は、表面に金属光沢を有する純粋な金属、あるいは、合金であれば、インバー以外の材料であってもよい。また、金属層２１の形成材料がインバー以外の材料であるとき、金属層２１に接する樹脂層として、金属層２１の形成材料との間における線膨張係数の差が、金属層２１の形成材料における線膨張係数と、ポリイミドにおける線膨張係数との差よりも小さい樹脂が用いられてもよい。

・金属層２１，２３において、第２面１１ｂにおける第２反射率が第１反射率よりも大きく、第１反射率が４５．２％以上であってもよい。こうした構成によれば、金属層２１における第１面１１ａにおいて、第２反射率が第１反射率よりも大きく、第１反射率が４５．２％以上であるときと同等の効果を第２面１１ｂにおいて得ることができる。

・第２面１１ｂは、第２反射率から第１反射率を引いた差が１０．２％以上である部分を含んでもよい。こうした構成によれば、第１面１１ａが、第２反射率から第１反射率を引いた差が１０．２％以上である部分を含むときと同等の効果を第２面１１ｂにおいて得ることができる。

・金属層２１，２３において、第２面１１ｂにおける正反射での反射率が４５．２％未満であってもよい。こうした構成であっても、少なくとも第１面１１ａにおいては、金属層２１と第１ドライフィルムレジスト１２との密着性を高めることができる。

・上述したように、三次元表面粗さの測定領域とは、反射率の測定領域と比べて、非常に小さい領域である。メタルマスク基材の表面とドライフィルムレジストとの密着性を、三次元表面粗さの測定領域の大きさに相当する微視的な範囲で高めるうえでは、三次元表面粗さＳｚを３．１７μｍ以下とすることは有効である。また、三次元表面粗さＳａを０．１１μｍ以下とすることも有効である。ただし、メタルマスク基材の表面とドライフィルムレジストとの密着性を巨視的に高めるうえでは、例えば、メタルマスク基材１１の第１面１１ａにおいて、三次元表面粗さＳｚが３．１７μｍより大きくても、正反射での反射率が、４５．２％以上であれば、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。また、三次元表面粗さＳａに関しても同様であり、三次元表面粗さＳａが０．１１μｍより大きくても、正反射での反射率が、４５．２％以上であれば、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。

・メタルマスク基材１１の第１面１１ａが、第１反射率と第２反射率との数値からは圧延方向が特定できない程度の表面粗さを有し、かつ、第１反射率および第２反射率の両方が４５．２％以上であれば、第２反射率から第１反射率を引いた差が、１０．２％以上である部分が含まれていなくてもよい。こうした構成であっても、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。

・メタルマスク基材１１の第１面１１ａが、第１反射率と第２反射率との数値からは圧延方向が特定できない程度の表面粗さを有し、かつ、第１反射率および第２反射率の両方が４５．２％以上であれば、第１反射率と第２反射率とが同程度である部分、あるいは、第１反射率が第２反射率よりも大きい部分が含まれてもよい。こうした構成であっても、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。

・各貫通孔６１ｃの断面積は、マスク基体６１の厚さ方向の全体にわたってほぼ同じであってもよい。あるいは、各貫通孔６１ｃの断面積は、マスク基体６１の厚さ方向において、第１マスク面６１ａから第２マスク面６１ｂに向けて大きくなってもよいし、第１マスク面６１ａから第２マスク面６１ｂに向けて小さくなってもよい。

・メタルマスク６０は、有機ＥＬ素子の形成材料をガラス基板に対して蒸着するときに用いられるメタルマスクに限らず、各種の金属材料を蒸着やスパッタなどで成膜する際などのように、他の用途のメタルマスクであってもよい。この場合には、複数の貫通孔６１ｃが、第１マスク面６１ａと対向する平面視において、不規則に並んでいてもよい。

・メタルマスク基材のエッチングに用いられるレジストは、上述したドライフィルムレジストに限らず、レジストを形成するための塗液がメタルマスク基材に塗布されることによって形成されるレジストであってもよい。すなわち、レジストは、塗布によってメタルマスク基材の表面に配置されてもよいし、貼り付けによってメタルマスク基材の表面に配置されてもよい。こうしたレジストであっても、上述したメタルマスク基材によれば、メタルマスク基材の表面に対する密着性の低いレジストを用いた場合に、ドライフィルムレジストを用いた場合と同様の効果を得ることは可能である。

１０…メタルマスク形成用中間体、１１…メタルマスク基材、１１ａ…第１面、１１ｂ…第２面、１１ｃ１，７１ｃ１…第１凹部、１１ｃ２…第２凹部、１２…第１ドライフィルムレジスト、１２ａ…第１貫通孔、１３，１４…第２ドライフィルムレジスト、１３ａ…第２貫通孔、２１，２３…金属層、２１ａ…母材、２１ｂ…圧延材、２２…樹脂層、３０…圧延装置、３１，３２…圧延ローラー、３３…アニール装置、４１…第２保護層、４２…第１保護層、５１…第１開口、５２…第２開口、５３…括れ部、６０…メタルマスク、６１…マスク基体、６１ａ…第１マスク面、６１ｂ…第２マスク面、６１ｃ…貫通孔、７１ａ…表面、ＬＲ…受光部、ＬＳ…光源、ＰＭ…自動変角光度計、Ｔ…試験片、Ｔｓ…測定面。

上記課題を解決するためのメタルマスク基材は、レジストが配置されるように構成された金属製の表面を備えるメタルマスク基材である。また、前記メタルマスク基材の圧延方向と直交する方向が幅方向であり、ハロゲンランプから射出された光であって、前記表面の法線方向に対して入射角度が４５°±０．２°である光の正反射における反射率のうち、前記表面に垂直な第１平面であって、前記圧延方向と直交する前記第１平面内での前記正反射における反射率が第１反射率であり、かつ、前記表面に垂直な第２平面であって、前記幅方向と直交する前記第２平面内での前記正反射における反射率が第２反射率である。前記第２反射率が前記第１反射率よりも大きく、前記第１反射率が、４５．２％以上である。

上記課題を解決するためのメタルマスク基材の管理方法は、レジストが配置されるように構成された金属製の表面を備えるメタルマスク基材を準備することと、ハロゲンランプから射出された光であって、前記表面の法線方向に対して入射角度が４５°±０．２°である光を前記表面に入射させることと、前記表面に入射した光のうち、前記表面にて正反射した光の光量を測定することと、前記表面に入射した光の光量に対する前記正反射した光の光量の比として、前記正反射における反射率を算出することと、前記正反射における反射率が、４５．２％以上であるか否かを判断することと、を備える。前記メタルマスク基材の圧延方向と直交する方向が幅方向であり、前記正反射における反射率のうち、前記表面に垂直な第１平面であって、前記圧延方向と直交する前記第１平面内での前記正反射における反射率が第１反射率であり、前記表面に垂直な第２平面であって、前記幅方向と直交する前記第２平面内での前記正反射における反射率が第２反射率であり、前記第２反射率が前記第１反射率よりも大きい。前記正反射における反射率を算出することでは、前記第１反射率および前記第２反射率を算出し、前記正反射における反射率が、４５．２％以上であるか否かを判断することでは、前記第１反射率および前記第２反射率が、４５．２％以上であるか否かを判断する。

Claims (4)

1. レジストが配置されるように構成された金属製の表面を備えるメタルマスク基材であって、
   前記表面に入射した光の正反射における反射率が、４５．２％以上であり、
   前記メタルマスク基材の圧延方向と直交する方向が幅方向であり、
   前記表面に垂直な第１平面であって、前記圧延方向と直交する前記第１平面内での前記正反射における反射率が第１反射率であり、
   前記表面に垂直な第２平面であって、前記幅方向と直交する前記第２平面内での前記正反射における反射率が第２反射率であり、
   前記第２反射率が前記第１反射率よりも大きく、
   前記第１反射率が、４５．２％以上である
   メタルマスク基材。
2. 前記表面は、前記第２反射率から前記第１反射率を引いた差が１０．２％以上である部分を含む
   請求項１に記載のメタルマスク基材。
3. レジストが配置されるように構成された金属製の表面を備えるメタルマスク基材を準備することと、
   前記表面に光を入射させることと、
   前記表面に入射した光のうち、前記表面にて正反射した光の光量を測定することと、
   前記表面に入射した光の光量に対する前記正反射した光の光量の比として、前記正反射における反射率を算出することと、
   前記正反射における反射率が、４５．２％以上であるか否かを判断することと、を備え、
   前記メタルマスク基材の圧延方向と直交する方向が幅方向であり、
   前記反射率のうち、前記表面に垂直な第１平面であって、前記圧延方向と直交する前記第１平面内での前記正反射における反射率が第１反射率であり、前記表面に垂直な第２平面であって、前記幅方向と直交する前記第２平面内での前記正反射における反射率が第２反射率であり、前記第２反射率が前記第１反射率よりも大きく、
   前記正反射における反射率を算出することでは、前記第１反射率および前記第２反射率を算出し、
   前記正反射における反射率が、４５．２％以上であるか否かを判断することでは、前記第１反射率および前記第２反射率が、４５．２％以上であるか否かを判断する
   メタルマスク基材の管理方法。
4. 前記レジストが、ドライフィルムレジストであり、
   前記表面が、前記ドライフィルムレジストが貼り付けられるように構成されている
   請求項３に記載のメタルマスク基材の管理方法。